显示面板、信息处理装置、显示面板的制造方法

技术领域

本发明的一个方式涉及一种显示面板、显示面板的制造方法、信息处理装置或者半导体装置。

注意，本发明的一个方式不局限于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的一个方式的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。此外，本发明的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition ofmatter)。由此，更具体而言，作为本说明书所公开的本发明的一个方式的技术领域的例子可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、这些装置的驱动方法或者这些装置的制造方法。

背景技术

已知有不用精细金属掩模版也可以形成发光层的有机EL显示器的制造方法。作为其一个例子，有一种有机EL显示器的制造方法，包括：在形成在绝缘衬底上方的包括第一及第二像素电极的电极阵列的上方沉积包含主体材料和掺杂剂材料的混合物的第一发光性有机材料，来形成第一发光层作为设置在包括电极阵列的显示区域整体上的连续膜的工序；不向第一发光层中位于第一像素电极的上方的部分而向第一发光层中位于第二像素电极的上方的部分照射紫外光的工序；在第一发光层上沉积包含主体材料和掺杂剂材料的混合物并与第一发光性有机材料不同的第二发光性有机材料，来形成第二发光层作为设置在显示区域整体上的连续膜的工序；以及在第二发光层的上方形成对置电极的工序(专利文献1)。

[先行技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利申请公开第2012-160473号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

本发明的一个方式的目的之一是提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。此外，提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板的制造方法。此外，提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的信息处理装置。此外，提供一种新颖的显示面板、新颖的显示面板的制造方法、新颖的信息处理装置或者新颖的半导体装置。

注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。注意，本发明的一个方式并不需要实现所有上述目的。此外，从说明书、附图、权利要求书等的记载中可明显看出上述目的以外的目的，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载中抽出上述目的以外的目的。

解决技术问题的手段

(1)本发明的一个方式是一种显示面板，包括：第一发光器件；第二发光器件；分隔壁；第一保护层；以及第二保护层。

第一发光器件包括第一电极、第二电极及第一层，第一层具有夹在第二电极与第一电极间的区域。

第一层包含第一具有空穴传输性的材料及第一具有电子接收性的物质，第一层的电阻率为1×10

第一保护层与第二电极接触，第二电极夹在第一保护层与第一电极间。

第二发光器件包括第三电极、第四电极及第二层，第二层具有夹在第四电极与第三电极间的区域。

第二层包含第一具有空穴传输性的材料及第一具有电子接收性的物质，第二层在与第一层间具有第一间隙。

第二保护层在与第一保护层间具有第二间隙，第二间隙与第一间隙重叠。另外，第二保护层与第四电极接触，第四电极夹在第二保护层与第三电极间。

分隔壁具有第一开口部及第二开口部，第一开口部与第一电极重叠，第二开口部与第三电极重叠。另外，分隔壁在第一开口部与第二开口部间与第一间隙及第二间隙重叠。

(2)另外，本发明的一个方式是一种显示面板，包括：第一发光器件；第二发光器件；分隔壁；第一保护层；以及第二保护层。

第一发光器件包括第一电极、第二电极、第一单元及第一层。

第二电极与第一电极重叠，第一单元具有夹在第二电极与第一电极间的区域，第一层具有夹在第一单元与第一电极间的区域。

第一层包含第一具有空穴传输性的材料及第一具有电子接收性的物质，第一层的电阻率为1×10

第一保护层与第二电极接触，第二电极夹在第一保护层与第一电极间。

第二发光器件包括第三电极、第四电极、第二单元及第二层。

第四电极与第三电极重叠，第二单元具有夹在第四电极与第三电极间的区域。

第二层具有夹在第二单元与第三电极间的区域，第二层包含第一具有空穴传输性的材料及第一具有电子接收性的物质，第二层在与第一层间具有第一间隙。

第二保护层在与第一保护层间具有第二间隙，第二间隙与第一间隙重叠，第二保护层与第四电极接触，第四电极夹在第二保护层与第三电极间。

分隔壁具有第一开口部及第二开口部，第一开口部与第一电极重叠，第二开口部与第三电极重叠，分隔壁在第一开口部与第二开口部间与第一间隙及第二间隙重叠。

由此，第一保护层例如可以保护第一发光器件以免受到因制造工艺中施加的物理性或化学性负载而发生的损伤。另外，第二保护层可以保护第二发光器件。另外，可以使用第一保护层及第二保护层作为硬掩模去除与第二间隙重叠的分隔壁上的层。另外，可以使用第二间隙形成第一间隙。

另外，可以抑制第一层与第二层间电导通。另外，可以抑制电流通过第一层及第二层流过第一电极与第四电极间。另外，可以抑制电流通过第一层及第二层流过第三电极与第二电极间。此外，可以抑制发生在第一发光器件与第二发光器件间的串扰现象。其结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。

(3)另外，本发明的一个方式是一种显示面板，其中第一发光器件包括第三单元及第一中间层，第二发光器件包括第四单元及第二中间层。

第三单元具有夹在第二电极与第一单元间的区域。

第一中间层具有夹在第三单元与第一单元间的区域，第一中间层包含第二具有空穴传输性的材料及第二具有电子接收性的物质，第一中间层的电阻率为1×10

第四单元具有夹在第四电极与第二单元间的区域。

第二中间层具有夹在第四单元与第二单元间的区域，第二中间层包含第二具有空穴传输性的材料及第二具有电子接收性的物质，第二中间层在与第一中间层间具有第三间隙。

分隔壁在第一开口部与第二开口部间与第三间隙重叠。

由此，可以抑制电流通过第一层及第二层或者第一中间层及第二中间层流过第一电极与第四电极间。另外，可以抑制电流通过第一层及第二层流过第三电极与第二电极间。此外，可以抑制发生在第一发光器件与第二发光器件间的串扰现象。结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。

(4)另外，本发明的一个方式是上述显示面板，其中第一具有空穴传输性的材料为包含芳香胺化合物或富π电子型杂芳环的有机化合物，并且第一具有电子接收性的物质为包含氟或氰基的有机化合物或者过渡金属氧化物。

由此，可以从正极一侧向阴极一侧供应空穴。另外，第二发光器件的第二层与第一发光器件的第一层分离，所以可以抑制串扰现象。结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。

(5)另外，本发明的一个方式是上述显示面板，其中第一保护层及第二保护层包含氧化铝。

(6)另外，本发明的一个方式是上述显示面板，包括第一绝缘膜。

第一绝缘膜与第一保护层接触，第一保护层具有夹在第一绝缘膜与第二电极间的区域。

第一绝缘膜与第二保护层接触，第二保护层具有夹在第一绝缘膜与第四电极间的区域。

第一层包括第一侧壁，第二层包括第二侧壁。

第二侧壁与第一侧壁相对，第二侧壁与第一侧壁间夹持第一间隙。另外，第一侧壁及第二侧壁与第一绝缘膜接触。

(7)另外，本发明的一个方式是上述显示面板，包括第二绝缘膜，其中第二绝缘膜填充第一间隙。

由此，可以抑制杂质扩散到第一发光器件及第二发光器件的现象。另外，可以提高第一发光器件及第二发光器件的可靠性。其结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。

(8)另外，本发明的一个方式是一种信息处理装置，包括：键盘、硬件按钮、指向装置、触摸传感器、照度传感器、摄像装置、声音输入装置、视线输入装置和姿态检测装置中的一个以上；以及上述显示面板。

由此，可以根据使用各种各样的输入装置供应的信息使运算装置生成图像信息或控制信息。其结果是，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的信息处理装置。

(9)另外，本发明的一个方式是一种显示面板的制造方法，包括以下十二个步骤。

在第一步骤，形成第一电极及第二电极。

在第二步骤，在第一电极与第二电极间形成分隔壁。

在第三步骤，在第一电极及第二电极上形成第一层。

在第四步骤，在第一层上形成第一单元。

在第五步骤，在第一单元上通过共蒸镀法形成包含第一有机化合物及第一金属的第二层。

在第六步骤，在第二层上形成中间层。

在第七步骤，在中间层上形成第二单元。

在第八步骤，在第二单元上通过共蒸镀法形成包含第二有机化合物及第二金属的第三层。

在第九步骤，在第三层上形成第三电极。

在第十步骤，在第三电极上形成第一保护层。

在第十一步骤，通过光蚀刻法去除分隔壁上的第一保护层而将第二保护层及第三保护层加工为规定形状。

在第十二步骤，使用第二保护层及第三保护层作为硬掩模去除分隔壁上的第一层、第一单元、第二层、中间层、第二单元、第三层及第三电极而形成第一发光器件及第二发光器件。

由此，可以使第二保护层及第三保护层具有对于去除分隔壁上的构成要素的步骤的耐性。另外，例如，可以将去除光聚合物等由有机材料形成的抗蚀剂的加工条件应用于去除分隔壁上的构成要素的步骤。另外，例如，可以在去除光聚合物等由有机材料形成的抗蚀剂时使用保护层保护发光器件。其结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板的制造方法。

在本说明书的附图中，根据其功能对构成要素进行分类而示出为彼此独立的方框的方框图，但是，实际上的构成要素难以根据其功能完全划分，而一个构成要素会涉及多个功能。

在本说明书中，晶体管所具有的源极和漏极的名称根据晶体管的极性及施加到各端子的电位的高低互相调换。一般而言，在n沟道型晶体管中，将被施加低电位的端子称为源极，而将被施加高电位的端子称为漏极。此外，在p沟道型晶体管中，将被施加低电位的端子称为漏极，而将被施加高电位的端子称为源极。在本说明书中，尽管为方便起见在一些情况下假定源极和漏极是固定的来描述晶体管的连接关系，但是实际上，源极和漏极的名称根据上述电位关系而相互调换。

在本说明书中，晶体管的源极是指用作活性层的半导体膜的一部分的源区域或与上述半导体膜连接的源电极。与此同样，晶体管的漏极是指上述半导体膜的一部分的漏区域或与上述半导体膜连接的漏电极。此外，栅极是指栅电极。

在本说明书中，晶体管串联连接的状态是指例如第一晶体管的源极和漏极中只有一个只与第二晶体管的源极和漏极中的一个连接的状态。此外，晶体管并联连接的状态是指第一晶体管的源极和漏极中的一个与第二晶体管的源极和漏极中的一个连接且第一晶体管的源极和漏极中的另一个与第二晶体管的源极和漏极中的另一个连接的状态。

在本说明书中，连接是指电连接，相当于能够供应或传送电流、电压或电位的状态。因此，连接状态不一定必须是指直接连接的状态，而在其范畴内还包括能够供应或传送电流、电压或电位的通过布线、电阻、二极管、晶体管等的电路元件间接地连接的状态。

即使在本说明书中电路图上独立的构成要素彼此连接时，实际上也有一个导电膜兼具有多个构成要素的功能的情况，例如布线的一部分用作电极的情况等。本说明书中的连接的范畴内包括这种一个导电膜兼具有多个构成要素的功能的情况。

此外，在本说明书中，晶体管的第一电极和第二电极中的其中一个是源电极，而另一个是漏电极。

发明效果

根据本发明的一个方式，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。此外，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板的制造方法。此外，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的信息处理装置。此外，可以提供一种新颖的显示面板、新颖的显示面板的制造方法、新颖的信息处理装置或者新颖的半导体装置。

注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。注意，本发明的一个方式并不需要具有所有上述效果。此外，从说明书、附图、权利要求书等的记载中可明显看出上述效果以外的效果，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载中抽出上述效果以外的效果。

附图简要说明

图1A及图1B是说明根据实施方式的显示面板的结构的图。

图2是说明根据实施方式的显示面板的像素的电路图。

图3A至图3D是说明根据实施方式的显示面板的结构的图。

图4A至图4C是说明根据实施方式的显示面板的结构的图。

图5是说明根据实施方式的显示面板的结构的图。

图6A至图6C是说明根据实施方式的显示面板的结构的图。

图7是说明图6A的一部分的图。

图8A及图8B是说明根据实施方式的显示面板的结构的图。

图9A及图9B是说明根据实施方式的显示面板的制造方法的图。

图10A及图10B是说明根据实施方式的显示面板的制造方法的图。

图11A及图11B是说明根据实施方式的显示面板的制造方法的图。

图12A及图12B是说明根据实施方式的显示面板的制造方法的图。

图13A及图13B是说明根据实施方式的显示面板的制造方法的图。

图14A及图14B是说明根据实施方式的显示面板的制造方法的图。

图15A及图15B是说明根据实施方式的发光器件的结构的图。

图16A及图16B是说明根据实施方式的发光器件的结构的图。图17是说明根据实施方式的发光器件的结构的图。

图18A至图18E是说明根据实施方式的信息处理装置的结构的图。

图19A至图19E是说明根据实施方式的信息处理装置的结构的图。

图20A及图20B是说明根据实施方式的信息处理装置的结构的图。

图21A及图21B是说明根据实施例的显示面板的结构的图。

图22是根据实施例的显示面板的照片。

实施发明的方式

本发明的一个方式的显示面板包括：第一发光器件；第二发光器件；分隔壁；第一保护层；以及第二保护层。第一发光器件包括第一电极、第二电极以及第一层。第一层具有夹在第二电极与第一电极间的区域，第一层包含第一具有空穴传输性的材料及第一具有电子接收性的物质，第一层的电阻率为1×10

由此，第一保护层例如可以保护第一发光器件以免受到因制造工艺中施加的物理性或化学性负载而发生的损伤。另外，第二保护层可以保护第二发光器件。另外，可以使用第一保护层及第二保护层作为硬掩模去除分隔壁上的与第二间隙重叠的层。另外，可以使用第二间隙形成第一间隙。其结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。

参照附图对实施方式进行详细说明。注意，本发明不局限于以下说明，而所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅限定在以下所示的实施方式所记载的内容中。注意，在下面说明的发明结构中，在不同的附图中共同使用相同的符号来表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略反复说明。

(实施方式1)

在本实施方式中，参照图1至图8说明本发明的一个方式的显示面板的结构。

图1是说明本发明的一个方式的显示面板的结构的方框图。图1A是说明本发明的一个方式的显示面板的俯视图，图1B是说明显示面板的一部分的俯视图。

图2是说明本发明的一个方式的显示面板的像素的电路图。

图3是说明本发明的一个方式的显示面板的结构的截面图。图3A是说明图1A所示的截断线X1-X2处、截断线X3-X4处以及一组像素703(i，j)的截面的图。图3B是说明可用于本发明的一个方式的显示面板的晶体管的截面图。图3C是说明本发明的一个方式的显示面板所发射的光的方向的截面图，图3D是说明与使用图3C说明的本发明的一个方式的显示面板不同的本发明的一个方式的显示面板所发射的光的方向的截面图。

图4是说明本发明的一个方式的显示面板的结构的图。图4A是本发明的一个方式的显示面板的像素的截面图，图4B是图4A所示的像素的立体图，图4C是图4A所示的像素的俯视图。此外，图4B及图4C是为了避免繁杂省略绝缘膜的图。

图5是说明本发明的一个方式的显示面板的结构的图。另外，图5是说明图4A所示的显示面板的一部分的截面图。

图6是说明本发明的一个方式的显示面板的结构的图。图6A是本发明的一个方式的显示面板的像素的截面图，图6B是图6A所示的像素的立体图，图6C是图6A所示的像素的俯视图。此外，图6B及图6C是为了避免繁杂省略绝缘膜的图。

图7是本发明的一个方式的显示面板的像素的截面图，图7是说明图6A所示的像素的一部分的图。

图8是说明与参照图4至图7说明的本发明的一个方式的显示面板不同的本发明的一个方式的显示面板的截面图。图8A是本发明的一个方式的显示面板的像素的截面图，图8B是说明图8A的一部分的图。

在本说明书等中，有时将使用金属掩模或FMM(Fine Metal Mask，高精细金属掩模版)而制造的器件称为具有MM(Metal Mask)结构的器件。此外，在本说明书等中，将不使用金属掩模或FMM而制造的器件称为具有MML(Metal Mask Less)结构的器件。

此外，在本说明书等中，有时将在各颜色的发光器件(这里为蓝色(B)、绿色(G)及红色(R))中分别形成发光层或分别涂布发光层的结构称为SBS(Side By Side)结构。此外，在本说明书等中，有时将可发射白色光的发光器件称为白色发光器件。白色发光器件通过与着色层(例如，滤色片)组合可以用作以全彩色显示的发光器件。

此外，发光器件大致可以分为单结构和串联结构。单结构的器件优选具有如下结构：在一对电极间包括一个发光单元，而且该发光单元包括一个以上的发光层。为了得到白色发光，以两个以上的发光层的各发光处于补色关系的方式选择发光层即可。例如，通过使第一发光层的发光颜色与第二发光层的发光颜色处于补色关系，可以得到在发光器件整体上以白色发光的结构。此外，包括三个以上的发光层的发光器件也是同样的。

串联结构的器件优选具有如下结构：在一对电极间包括两个以上的多个发光单元，而且各发光单元包括一个以上的发光层。为了得到白色发光，采用组合从多个发光单元的发光层发射的光来得到白色发光的结构即可。注意，得到白色发光的结构与单结构中的结构同样。此外，在串联结构的器件中，优选在多个发光单元间设置电荷产生层等中间层。

此外，在对上述白色发光器件(单结构或串联结构)和SBS结构的发光器件进行比较的情况下，可以使SBS结构的发光器件的功耗比白色发光器件低。在想要降低功耗时优选采用SBS结构的发光器件。另一方面，白色发光器件的制造工艺比SBS结构的发光器件简单，由此可以降低制造成本或者提高制造成品率，所以是优选的。

注意，在本说明书中，有时将取1以上的整数作为值的变数用于符号。例如，有时将包含取1以上的整数作为值的变数p的(p)用于指定最大为p个构成要素中的任一个的符号的一部分。此外，例如，有时将包含取1以上的整数作为值的变数m及变数n的(m，n)用于指定最大为m×n个构成要素中的任一个的符号的一部分。

<显示面板700的结构例子1>

显示面板700具有显示区域231，显示区域231包括一组像素703(i，j)(参照图1A)。另外，显示区域231还包括与一组像素703(i，j)相邻的一组像素703(i+1，j)(参照图1B)。

<<显示区域231的结构例子1>>

例如，显示区域231每英寸包括500个以上的一组像素。另外，每英寸包括1000个以上、优选为5000个以上、更优选为10000个以上。由此，例如可以在将显示面板用于护目镜型显示装置时减轻纱门效应。

<<显示区域231的结构例子2>>

例如，显示区域231以矩阵状包括多个像素。例如，显示区域231在行方向上具有7600个以上的像素且在列方向上具有4300个以上的像素。具体而言，在行方向上包括7680个像素，在列方向上包括4320个像素。

由此，可以显示清晰图像。其结果是，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的显示面板。

<<显示区域231的结构例子3>>

例如，在用于电视系统时，显示区域231的对角线的长度为32英寸以上，优选为55英寸以上，更优选为80英寸以上。另外，在显示区域231的对角线的长度例如为200英寸以下时可以减轻重量，所以是优选的。

由此，可以显示有真实感的图像。其结果是，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的显示面板。

<<像素703(i，j)的结构例子1>>

可以将多个像素用于像素703(i，j)(参照图1B)。例如，可以使用显示色相互不相同的颜色的多个像素。此外，也可以将多个像素的每一个称为子像素。此外，也可以以多个子像素为一组而将其称为像素。

由此，可以对该多个像素所显示的颜色进行加法混色或减法混色。此外，可以显示不能由各个像素显示的色相的颜色。

具体而言，可以将显示蓝色的像素702B(i，j)、显示绿色的像素702G(i，j)及显示红色的像素702R(i，j)用于像素703(i，j)。此外，可以将像素702B(i，j)、像素702G(i，j)及像素702R(i，j)的每一个换称为子像素。

此外，例如，可以对上述一组追加显示白色等的像素而将其用于像素703(i，j)。此外，可以将显示青色的像素、显示品红色的像素及显示黄色的像素用于像素703(i，j)。

此外，例如，可以对上述一组追加发射红外线的像素而将其用于像素703(i，j)。具体而言，可以将发射如下光的像素用于像素703(i，j)，该光包含具有650nm以上且1000nm以下的波长的光。

<显示面板700的结构例子2>

在本实施方式中说明的显示面板包括驱动电路GD及驱动电路SD(参照图1A及图3A)。此外，还包括端子519B。端子519B例如可以与柔性印刷电路FPC1电连接。

<<驱动电路GD的结构例子>>

驱动电路GD具有供应第一选择信号及第二选择信号的功能。例如，驱动电路GD与导电膜G1(i)及导电膜G2(i)电连接并分别供应第一选择信号及第二选择信号。

<<驱动电路SD的结构例子>>

驱动电路SD具有供应图像信号及控制信号的功能，控制信号具有第一电平及第二电平。例如，驱动电路SD与导电膜S1g(j)及导电膜S2g(j)电连接并分别供应图像信号及控制信号。

<显示面板700的结构例子3>

显示面板700包括一组像素703(i，j)以及功能层520(参照图3A)。

一组像素703(i，j)包括像素702B(i，j)、像素702G(i，j)及分隔壁528(参照图1B)。

像素702B(i，j)包括发光器件550B(i，j)及像素电路530B(i，j)。

另外，像素702G(i，j)包括发光器件550G(i，j)(参照图3A)。

显示面板700包括基材510、基材770及功能层520(参照图3A)。功能层520夹在基材770与基材510之间。此外，显示面板700包括绝缘膜705，绝缘膜705具有贴合基材770与功能层520的功能。

<<基材510、基材770>>

可以将具有透光性的材料用于基材510或基材770。

例如，可以将具有柔性的材料用于基材510或基材770。由此，可以提供具有柔性的功能面板。

例如，可以使用厚度为0.7mm以下且0.1mm以上的材料。具体而言，可以使用抛光至0.1mm左右厚的材料。由此，可以降低重量。

此外，可以将第六世代(1500mm×1850mm)、第七世代(1870mm×2200mm)、第八世代(2200mm×2400mm)、第九世代(2400mm×2800mm)、第十世代(2950mm×3400mm)等玻璃衬底用于基材510或基材770。由此，可以制造大型显示装置。

可以将有机材料、无机材料或者有机材料和无机材料等的复合材料等用于基材510或基材770。

例如，可以使用玻璃、陶瓷、金属等无机材料。具体而言，可以将无碱玻璃、钠钙玻璃、钾钙玻璃、水晶玻璃、铝硅酸玻璃、钢化玻璃、化学钢化玻璃、石英或蓝宝石等用于基材510或基材770。或者，可以将铝硅酸玻璃、钢化玻璃、化学钢化玻璃或蓝宝石等适当地用于功能面板中的配置在靠近使用者一侧的基材510或基材770。由此，可以防止使用时造成的功能面板的损坏或损伤。

具体而言，可以使用无机氧化物膜、无机氮化物膜或无机氧氮化物膜等。例如，可以使用氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、氧化铝膜等。可以将不锈钢或铝等用于基材510或基材770。

例如，可以将以硅或碳化硅为材料的单晶半导体衬底或多晶半导体衬底、以硅锗等为材料的化合物半导体衬底、SOI衬底等用于基材510或基材770。由此，可以将半导体元件形成于基材510或基材770。

例如，可以将树脂、树脂薄膜或塑料等有机材料用于基材510或基材770。具体而言，可以将包含聚酯、聚烯烃、聚酰胺(尼龙、芳族聚酰胺等)、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚氨酯、丙烯酸树脂、环氧树脂或硅酮等具有硅氧烷键合的树脂的材料用于基材510或基材770。例如，可以使用含有上述材料的树脂薄膜、树脂板或叠层材料等。由此，可以降低重量。或者，例如，可以降低因掉落导致的损伤等的发生频率。

具体而言，可以将聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、环烯烃聚合物(COP)或环烯烃共聚物(COC)等用于基材510或基材770。

例如，可以将金属板、薄板状的玻璃板或无机材料等的膜与树脂薄膜等贴合在一起的复合材料用于基材510或基材770。例如，基材510或基材770可以使用将纤维状或粒子状的金属、玻璃或无机材料等分散到树脂而得到的复合材料。例如，基材510或基材770可以使用将纤维状或粒子状的树脂或有机材料等分散到无机材料而得到的复合材料。

另外，可以将单层的材料或层叠有多个层的材料用于基材510或基材770。例如，可以使用层叠有绝缘膜等的材料。具体而言，可以使用层叠有选自氧化硅层、氮化硅层和氧氮化硅层等中的一种或多种的膜的材料。由此，例如，可以防止包含在基材中的杂质的扩散。或者，可以防止包含在玻璃或树脂中的杂质的扩散。或者，可以防止透过树脂的杂质的扩散。

另外，可以将纸或木材等用于基材510或基材770。

例如，可以将具有能够承受制造工序中的热处理的耐热性的材料用于基材510或基材770。具体而言，可以将对在直接形成晶体管或电容器等的制造工序中的加热具有耐性的材料用于基材510或基材770。

例如，可以使用如下方法：在对制造工序中的加热具有耐性的工序用衬底上形成绝缘膜、晶体管或电容器等，并将形成了的绝缘膜、晶体管或电容器等例如转置到基材510或基材770。由此，例如可以在具有柔性的衬底上形成绝缘膜、晶体管或电容器等。

功能层520包括像素电路530B(i，j)、像素电路530G(i，j)以及驱动电路GD。像素电路530B(i，j)通过开口部591B与发光器件550B(i，j)电连接，像素电路530G(i，j)通过开口部591G与发光器件550G(i，j)电连接。

此外，显示面板通过基材770显示信息(参照图3C)。换言之，发光器件550B(i，j)向没有配置功能层520的方向发射光。此外，可以将发光器件550B(i，j)称为顶部发射型发光器件。

此外，可以将以矩阵状包括触摸传感器的基材用作基材770。例如，可以将静电电容式触摸传感器或者光学式触摸传感器用作基材770。由此，可以将本发明的一个方式的显示面板用作触摸面板。

<显示面板700的结构例子4>

显示面板700包括基材510、基材770及功能层520(参照图3D)。注意，与参照图3C说明的显示面板不同，参照图3D说明的显示面板经过基材510进行显示。换言之，发光器件550B(i，j)向功能层520发射光。另外，可以将发光器件550B(i，j)称为底部发射型发光器件。

<显示面板700的结构例子5>

显示面板700包括导电膜G1(i)、导电膜G2(i)、导电膜S1g(j)、导电膜S2g(j)、导电膜ANO及导电膜VCOM2(参照图2)。

功能层520包括像素电路530G(i，j)以及具有透光性的区域520T。像素电路530B(i，j)与发光器件550B(i，j)电连接，具有透光性的区域520T透射发光器件550B(i，j)所发射的光。

另外，例如，导电膜G1(i)被供应第一选择信号，导电膜G2(i)被供应第二选择信号，导电膜S1g(j)被供应图像信号，导电膜S2g(j)被供应控制信号。

<<像素703(i，j)的结构例子2>>

一组像素703(i，j)包括像素702G(i，j)(参照图1B)。像素702G(i，j)包括像素电路530G(i，j)及发光器件550G(i，j)(参照图3)。

<<像素电路530G(i，j)的结构例子1>>

像素电路530G(i，j)被供应第一选择信号，像素电路530G(i，j)根据第一选择信号取得图像信号。例如，可以使用导电膜G1(i)供应第一选择信号(参照图2)。此外，可以使用导电膜S1g(j)供应图像信号。注意，可以将供应第一选择信号且使像素电路530G(i，j)取得图像信号的工作称为“写入”。

<<像素电路530G(i，j)的结构例子2>>

像素电路530G(i，j)包括开关SW21、开关SW22、晶体管M21、电容器C21及节点N21(参照图2)。此外，像素电路530G(i，j)包括节点N22、电容器C22及开关SW23。

晶体管M21包括与节点N21电连接的栅电极、与发光器件550G(i，j)电连接的第一电极、与导电膜ANO电连接的第二电极。

开关SW21具有根据与节点N21电连接的第一端子、与导电膜S1g(j)电连接的第二端子、导电膜G1(i)的电位控制导通状态或非导通状态的功能。

开关SW22具有根据与导电膜S2g(j)电连接的第一端子、导电膜G2(i)的电位控制导通状态或非导通状态的功能。

电容器C21包括与节点N21电连接的导电膜、与开关SW22的第二电极电连接的导电膜。

由此，可以将图像信号储存在节点N21中。此外，可以使用开关SW22改变节点N21的电位。此外，可以使用节点N21的电位控制发光器件550G(i，j)所发射的光的强度。

<<晶体管的结构例子>>

可以将底栅型晶体管或顶栅型晶体管等用于功能层520。具体而言，可以将晶体管用作开关。

晶体管M21包括半导体膜508、导电膜504、导电膜512A及导电膜512B(参照图3B)。晶体管M21例如形成在绝缘膜501C上。

半导体膜508具有与导电膜512A电连接的区域508A及与导电膜512B电连接的区域508B。半导体膜508具有区域508A和区域508B之间的区域508C。

导电膜504具有与区域508C重叠的区域，导电膜504具有栅电极的功能。

绝缘膜506具有夹在半导体膜508与导电膜504之间的区域。绝缘膜506具有栅极绝缘膜的功能。

导电膜512A具有源电极的功能和漏电极的功能中的一个，导电膜512B具有源电极的功能和漏电极的功能中的另一个。

另外，可以将导电膜524用于晶体管M21。导电膜524具有在其与导电膜504之间夹着半导体膜508的区域。导电膜524具有第二栅电极的功能。绝缘膜501D夹在半导体膜508与导电膜524之间，并具有第二栅极绝缘膜的功能。另外，绝缘膜518覆盖晶体管M21。另外，绝缘膜516包括绝缘膜516A及绝缘膜516B。

在形成用于像素电路的晶体管的半导体膜的工序中，可以形成用于驱动电路的晶体管的半导体膜。例如，可以将半导体膜用于驱动电路，该半导体膜具有与用于像素电路的晶体管的半导体膜相同的组成。

<<半导体膜508的结构例子1>>

例如，可以将包含第14族元素的半导体用于半导体膜508。具体而言，可以将包含硅的半导体用于半导体膜508。

[氢化非晶硅]

例如，可以将氢化非晶硅用于半导体膜508。此外，可以将微晶硅等用于半导体膜508。由此，例如，可以提供与将多晶硅用于半导体膜508的显示面板相比显示不均匀较少的显示面板。或者，容易实现显示面板的大型化。

[多晶硅]

例如，可以将多晶硅用于半导体膜508。由此，例如，可以实现比将氢化非晶硅用于半导体膜508的晶体管高的场效应迁移率。此外，例如，可以实现比将氢化非晶硅用于半导体膜508的晶体管高的驱动能力。此外，例如，可以实现比将氢化非晶硅用于半导体膜508的晶体管高的像素开口率。

此外，例如，可以实现比将氢化非晶硅用于半导体膜508的晶体管高的可靠性。

此外，例如，可以使制造晶体管时需要的温度比使用单晶硅的晶体管低。

此外，可以通过同一工序形成用于驱动电路的晶体管的半导体膜及用于像素电路的晶体管的半导体膜。此外，可以在与形成有像素电路的衬底同一衬底上形成驱动电路。此外，可以减少构成电子设备的构件数量。

[单晶硅]

例如，可以将单晶硅用于半导体膜508。由此，例如，可以实现比将氢化非晶硅用于半导体膜508的显示面板高的清晰度。或者，例如，可以提供与将多晶硅用于半导体膜508的显示面板相比显示不均匀较少的显示面板。此外，例如，可以提供智能眼镜或头戴显示器。

<<半导体膜508的结构例子2>>

例如，可以将金属氧化物用于半导体膜508。由此，与利用将非晶硅用于半导体膜的晶体管的像素电路相比，可以延长像素电路能够保持图像信号的时间。具体而言，可以抑制闪烁的发生，并以低于30Hz、优选低于1Hz、更优选低于1次/分的频率供应选择信号。其结果是，可以降低信息处理装置的使用者的眼睛疲劳。此外，可以降低用于驱动的功耗。

例如，可以利用使用氧化物半导体的晶体管。具体而言，可以将包含铟的氧化物半导体、包含铟、镓及锌的氧化物半导体或包含铟、锌及锡的氧化物半导体用于半导体膜。

例如，可以使用关闭状态下的泄漏电流比将非晶硅用于半导体膜的晶体管小的晶体管。具体而言，可以将在半导体膜中使用氧化物半导体的晶体管用作开关等。由此，与将使用非晶硅的晶体管用作开关的电路相比，可以以更长的时间保持浮动节点的电位。

<<发光器件550G(i，j)的结构例子1>>

发光器件550G(i，j)与像素电路530G(i，j)电连接(参照图2)。此外，发光器件550G(i，j)包括与像素电路530G(i，j)电连接的电极551G(i，j)、与导电膜VCOM2电连接的电极552。另外，发光器件550G(i，j)具有根据节点N21的电位进行工作的功能。

例如，可以将有机电致发光元件、无机电致发光元件、发光二极管或QDLED(Quantum Dot LED：量子点发光二极管)等用于发光器件550G(i，j)。

<显示面板700的结构例子6>

本实施方式中说明的显示面板700包括发光器件550B(i，j)、发光器件550G(i，j)、分隔壁528、保护层554B(j)及保护层554G(j)(参照图4A)。另外，还包括发光器件550R(i，j)及保护层554R(j)。

<<发光器件550B(i，j)的结构例子1>>

发光器件550B(i，j)包括电极551B(i，j)、电极552B(j)、单元103B(j)及层104B(j)(参照图4A)。此外，还包括层105B(j)。此外，层105B(j)例如可以用于电子注入层。

电极552B(j)与电极551B(i，j)重叠，单元103B(j)具有夹在电极552B(j)与电极551B(i，j)之间的区域。单元103B(j)包括发光层，并具有发射光的功能。

例如，可以将选自空穴传输层、电子传输层以及载流子阻挡层等中的层用于单元103B(j)。

层104B(j)具有夹在单元103B(j)与电极551B(i，j)之间的区域，并包含具有空穴传输性的材料及具有电子接收性的物质。另外，层104B(j)具有1×10

<<保护层554B(j)的结构例子1>>

保护层554B(j)与电极552B(j)接触，电极552B(j)夹在保护层554B(j)与电极551B(i，j)间。另外，例如，保护层554B(j)具有保护发光器件550B(i，j)以避免在显示面板的制造工序中施加到发光器件550B(i，j)的物理性或化学性负载的功能。

<<发光器件550G(i，j)的结构例子2>>

发光器件550G(i，j)包括电极551G(i，j)、电极552G(j)、单元103G(j)及层104G(j)。此外，还包括层105G(j)。此外，层105G(j)例如可以用于电子注入层。

电极552G(j)与电极551G(i，j)重叠，单元103G(j)具有夹在电极552G(j)与电极551G(i，j)之间的区域。单元103G(j)包括发光层，并具有发射光的功能。

例如，可以将选自空穴传输层、电子传输层以及载流子阻挡层等中的层用于单元103G(j)。

层104G(j)具有夹在单元103G(j)与电极551B(i，j)之间的区域，并包含与层104B(j)相同的具有空穴传输性的材料及具有电子接收性的物质。此外，层104G例如可以用于空穴注入层。

层104G(j)与层104B(j)之间具有间隙104S(j)。由于层104B(j)及层104G(j)具有导电性，因此间隙104S(j)具有防止层104B(j)与层104G(j)之间的电导通的功能。

此外，层104G(j)与层104B(j)可以具有连续的区域。换言之，只要使用间隙104S(j)电分离层104G(j)与层104B(j)即可。

在层104G(j)与层104B(j)具有连续的区域的情况下，层104B(j)为在设置有间隙104S(j)的层中与电极551B(i，j)重叠的区域，层104G(j)为在该层中与电极551G(i，j)重叠的区域。此外，层104G(j)在与层104B(j)之间具有间隙104S(j)，并且在俯视图上从电极551G(i，j)向电极551B(i，j)划的直线横跨间隙104S(j)的几率为横跨连续的区域的几率以上。

<<层104B(j)及层104G(j)的结构例子1>>

可以将具有空穴传输性的材料及具有电子接收性的物质用于层104B(j)及层104G(j)。

[具有空穴传输性的材料]

例如，可以将芳香胺化合物或具有富π电子型杂芳环的有机化合物用于具有空穴传输性的材料。

由此，可以从正极一侧向阴极一侧供应空穴。此外，发光器件550G(i，j)的层104G(j)与发光器件550B(i，j)的层104B(j)分离，由此可以抑制串扰现象。结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。

可以将具有芳香胺骨架的化合物、咔唑衍生物、芳烃、具有乙烯基的芳烃、高分子化合物(低聚物、树枝状聚合物、聚合物等)等用于复合材料中的具有空穴传输性的材料。此外，可以将空穴迁移率为1×10

作为具有芳香胺骨架的化合物，例如可以使用N，N’-二(对甲苯基)-N，N’-二苯基-对亚苯基二胺(简称：DTDPPA)、4，4’-双[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]联苯(简称：DPAB)、N，N’-双{4-[双(3-甲基苯基)氨基]苯基}-N，N’-二苯基-(1，1’-联苯)-4，4’-二胺(简称：DNTPD)、1，3，5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯(简称：DPA3B)等。

作为咔唑衍生物，例如可以使用3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCA1)、3，6-双[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCA2)、3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCN1)、4，4’-二(N-咔唑基)联苯(简称：CBP)、1，3，5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(简称：TCPB)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(简称：CzPA)、1，4-双[4-(N-咔唑基)苯基]-2，3，5，6-四苯基苯等。

作为芳烃，例如可以使用2-叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(简称：t-BuDNA)、2-叔丁基-9，10-二(1-萘基)蒽、9，10-双(3，5-二苯基苯基)蒽(简称：DPPA)、2-叔丁基-9，10-双(4-苯基苯基)蒽(简称：t-BuDBA)、9，10-二(2-萘基)蒽(简称：DNA)、9，10-二苯基蒽(简称：DPAnth)、2-叔丁基蒽(简称：t-BuAnth)、9，10-双(4-甲基-1-萘基)蒽(简称：DMNA)、2-叔丁基-9，10-双[2-(1-萘基)苯基]蒽、9，10-双[2-(1-萘基)苯基]蒽、2，3，6，7-四甲基-9，10-二(1-萘基)蒽、2，3，6，7-四甲基-9，10-二(2-萘基)蒽、9，9’-联蒽、10，10’-二苯基-9，9’-联蒽、10，10’-双(2-苯基苯基)-9，9’-联蒽、10，10’-双[(2，3，4，5，6-五苯基)苯基]-9，9’-联蒽、蒽、并四苯、红荧烯、苝、2，5，8，11-四(叔丁基)苝、并五苯、晕苯等。

作为具有乙烯基的芳烃，例如可以使用4，4’-双(2，2-二苯基乙烯基)联苯(简称：DPVBi)、9，10-双[4-(2，2-二苯基乙烯基)苯基]蒽(简称：DPVPA)等。

作为高分子化合物，例如可以使用聚(N-乙烯基咔唑)(简称：PVK)、聚(4-乙烯基三苯胺)(简称：PVTPA)、聚[N-(4-{N’-[4-(4-二苯基氨基)苯基]苯基-N’-苯基氨基}苯基)甲基丙烯酰胺](简称：PTPDMA)、聚[N，N’-双(4-丁基苯基)-N，N’-双(苯基)联苯胺](简称：Poly-TPD)等。

此外，例如可以将具有咔唑骨架、二苯并呋喃骨架、二苯并噻吩骨架及蒽骨架中的任意个的物质适合用于复合材料中的具有空穴传输性的材料。此外，可以使用如下物质，即包含具有包括二苯并呋喃环或二苯并噻吩环的取代基的芳香胺、包括萘环的芳香单胺、或者9-芴基通过亚芳基键合于胺的氮的芳香单胺的物质。注意，当使用包括N，N-双(4-联苯)氨基的物质时，可以提高发光器件的可靠性。

作为这些材料，例如可以使用N-(4-联苯)-6，N-二苯基苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-8-胺(简称：BnfABP)、N，N-双(4-联苯)-6-苯基苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-8-胺(简称：BBABnf)、4，4’-双(6-苯基苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-8-基)-4”-苯基三苯胺(简称：BnfBB1BP)、N，N-双(4-联苯)苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-6-胺(简称：BBABnf(6))、N，N-双(4-联苯)苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-8-胺(简称：BBABnf(8))、N，N-双(4-联苯)苯并[b]萘并[2，3-d]呋喃-4-胺(简称：BBABnf(II)(4))、N，N-双[4-(二苯并呋喃-4-基)苯基]-4-氨基-对三联苯(简称：DBfBB1TP)、N-[4-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-N-苯基-4-联苯胺(简称：ThBA1BP)、4-(2-萘基)-4’，4”-二苯基三苯胺(简称：BBAβNB)、4-[4-(2-萘基)苯基]-4’，4”-二苯基三苯胺(简称：BBAβNBi)、4，4’-二苯基-4”-(6；1’-联萘基-2-基)三苯胺(简称：BBAαNβNB)、4，4’-二苯基-4”-(7；1’-联萘基-2-基)三苯胺(简称：BBAαNβNB-03)、4，4’-二苯基-4”-(7-苯基)萘基-2-基三苯胺(简称：BBAPβNB-03)、4，4’-二苯基-4”-(6；2’-联萘基-2-基)三苯胺(简称：BBA(βN2)B)、4，4’-二苯基-4”-(7；2’-联萘基-2-基)-三苯胺(简称：BBA(βN2)B-03)、4，4’-二苯基-4”-(4；2’-联萘基-1-基)三苯胺(简称：BBAβNαNB)、4，4’-二苯基-4”-(5；2’-联萘基-1-基)三苯胺(简称：BBAβNαNB-02)、4-(4-联苯基)-4’-(2-萘基)-4”-苯基三苯胺(简称：TPBiAβNB)、4-(3-联苯基)-4’-[4-(2-萘基)苯基]-4”-苯基三苯胺(简称：mTPBiAβNBi)、4-(4-联苯基)-4’-[4-(2-萘基)苯基]-4”-苯基三苯胺(简称：TPBiAβNBi)、4-苯基-4’-(1-萘基)三苯胺(简称：αNBA1BP)、4，4’-双(1-萘基)三苯胺(简称：αNBB1BP)、4，4’-二苯基-4”-[4’-(咔唑-9-基)联苯-4-基]三苯胺(简称：YGTBi1BP)、4’-[4-(3-苯基-9H-咔唑-9-基)苯基]三(1，1’-联苯-4-基)胺(简称：YGTBi1BP-02)、4-[4’-(咔唑-9-基)联苯基-4-基]-4’-(2-萘基)-4”-苯基三苯胺(简称：YGTBiβNB)、N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-N-[4-(1-萘基)苯基]-9，9’-螺双[9H-芴]-2-胺(简称：PCBNBSF)、N，N-双([1，1’-联苯]-4-基)-9，9’-螺双[9H-芴]-2-胺(简称：BBASF)、N，N-双([1，1’-联苯]-4-基)-9，9’-螺双[9H-芴]-4-胺(简称：BBASF(4))、N-(1，1’-联苯-2-基)-N-(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)-9，9’-螺双(9H-芴)-4-胺(简称：oFBiSF)、N-(4-联苯)-N-(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)二苯并呋喃-4-胺(简称：FrBiF)、N-[4-(1-萘基)苯基]-N-[3-(6-苯基二苯并呋喃-4-基)苯基]-1-萘基胺(简称：mPDBfBNBN)、4-苯基-4’-(9-苯基芴-9-基)三苯胺(简称：BPAFLP)、4-苯基-3’-(9-苯基芴-9-基)三苯胺(简称：mBPAFLP)、4-苯基-4’-[4-(9-苯基芴-9-基)苯基]三苯胺(简称：BPAFLBi)、4-苯基-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBA1BP)、4，4’-二苯基-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBBi1BP)、4-(1-萘基)-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBANB)、4，4’-二(1-萘基)-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBNBB)、N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]螺-9，9’-二芴-2-胺(简称：PCBASF)、N-(1，1’-联苯-4-基)-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9，9-二甲基-9H-芴-2-胺(简称：PCBBiF)、N，N-双(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)-9，9’-螺双-9H-芴-4-胺、N，N-双(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)-9，9’-螺双-9H-芴-3-胺、N，N-双(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)-9，9’-螺双-9H-芴-2-胺、N，N-双(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)-9，9’-螺双-9H-芴-1-胺等。

[具有电子接收性的物质]

例如，可以将包含氟或氰基的有机化合物或者过渡金属氧化物用于具有电子接收性的物质。具有电子接收性的物质借助于施加电场而能够从相邻的空穴传输层或具有空穴传输性的材料抽出电子。注意，具有电子接收性的有机化合物易于蒸镀沉积。因此，可以提高发光器件的生产率。

具体而言，可以使用7，7，8，8-四氰-2，3，5，6-四氟醌二甲烷(简称：F

尤其是，HAT-CN这样的吸电子基团键合于具有多个杂原子的稠合芳香环的化合物热稳定，所以是优选的。

此外，包括吸电子基团(尤其是如氟基等卤基或氰基)的[3]轴烯衍生物的电子接收性非常高，所以是优选的。

具体而言，可以使用α，α’，α”-1，2，3-环丙烷三亚基(ylidene)三[4-氰-2，3，5，6-四氟苯乙腈]、α，α’，α”-1，2，3-环丙烷三亚基三[2，6-二氯-3，5-二氟-4-(三氟甲基)苯乙腈]、α，α’，α”-1，2，3-环丙烷三亚基三[2，3，4，5，6-五氟苯乙腈]等。

此外，可以将钼氧化物、钒氧化物、钌氧化物、钨氧化物、锰氧化物等用于具有电子接收性的物质。

此外，可以使用酞菁类配合物化合物如酞菁(简称：H

此外，可以使用聚(3，4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)等高分子等。

<<层105B(j)的结构例子>>

层105B(j)具有夹在电极552B(j)与电极551B(i，j)之间的区域。例如，层105B(j)夹在电极552B(j)与单元103B(j)之间，层105B(j)与电极552B(j)接触。此外，层105B(j)例如可以用于电子注入层。

层105B(j)包含第一有机化合物及第一金属。此外，第一有机化合物与第一金属形成单占轨道(SOMO：Single Occupied Molecular Orbital)。例如，与第一有机化合物的HOMO的能级相比，单占轨道(SOMO)的能级在-1.5eV以上且小于0eV的范围内。

例如，可以将包含具有非共用电子对的第一有机化合物及第一金属的复合材料用于层105B(j)。此外，第一有机化合物的电子数与第一金属的电子数的总和优选为奇数。此外，相对于第一有机化合物1摩尔的第一金属的摩尔比率优选为0.1以上且10以下，更优选为0.2以上且2以下，进一步优选为0.2以上且0.8以下。

由此，具有非共用电子对的第一有机化合物与第一金属相互起作用，从而可以形成单占轨道(SOMO)。此外，在将电子从电极102注入到层105的情况下，可以降低两者之间存在的势垒。此外，第一金属与水或氧之间的反应性较弱，由此可以提高发光器件150的抗湿性。

此外，可以在层105中使用一种复合材料，其中通过电子自旋共振(ESR：ElectronSpin Resonance)测量的层105B(j)的自旋密度优选为1×10

此外，层105B(j)所包含的碱金属的浓度优选低于层105B(j)所包含的第一金属的浓度。例如，锂、钠、钾、铷、铯等为碱金属。此外，层105B(j)所包含的碱金属的浓度及第一金属的浓度可以通过二次离子质谱分析法等检出。

[第一有机化合物]

例如，可以将具有电子传输性的材料用于具有非共用电子对的有机化合物。例如，可以使用具有缺电子型杂芳环的化合物。具体而言，可以使用具有吡啶环、二嗪环(嘧啶环、吡嗪环、哒嗪环)以及三嗪环中的至少一个的化合物。由此，可以降低发光器件150的驱动电压。

此外，具有非共用电子对的有机化合物的最低未占有分子轨道(LUMO：LowestUnoccupied Molecular Orbital)优选为-3.6eV以上且-2.3eV以下。一般来说，可以使用CV(循环伏安法)、光电子能谱法、光吸收能谱法、逆光电子能谱法等估计有机化合物的HOMO能级及LUMO能级。

例如，作为具有非共用电子对的有机化合物，可以使用4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(简称：BPhen)、2，9-双(萘-2-基)-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(简称：NBPhen)、二喹喔啉并[2，3-a：2’，3’-c]吩嗪(简称：HATNA)、2，4，6-三[3’-(吡啶-3-基)联苯-3-基]-1，3，5-三嗪(简称：TmPPPyTz)等。

[化学式1]

此外，例如，作为具有非共用电子对的有机化合物，可以使用铜酞菁。铜酞菁的电子数为奇数。

[第一金属]

例如，在具有非共用电子对的第一有机化合物的电子数为偶数的情况下，可以将属于元素周期表中的奇数族的金属及第一有机化合物的复合材料用于层105。

例如，第7族金属的锰(Mn)、第9族金属的钴(Co)、第11族金属的铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、第13族金属的铝(Al)、铟(In)都属于元素周期表中的奇数族。此外，与第7族或第9族元素相比，第11族元素具有低熔点，适合用于真空蒸镀。尤其是，Ag的熔点低，因此这是优选的。

通过将Ag用于电极102及层105，可以提高层105与电极102的贴紧性。

此外，在具有非共用电子对的有机化合物的电子数为奇数的情况下，可以将属于元素周期表中的偶数族的第一金属及第一有机化合物的复合材料用于层105。例如，第8族金属的铁(Fe)属于元素周期表中的偶数族。

<<层105G(j)的结构例子>>

层105G(j)具有夹在电极552G(j)与电极551G(i，j)之间的区域。例如，层105G(j)夹在电极552G(j)与单元103G(j)之间，层105G(j)与电极552G(j)接触。此外，层105G(j)例如可以用于电子注入层。

层105G(j)包含第一有机化合物及第一金属，层105G(j)在与层105B(j)之间具有间隙105S(j)。

由此，例如，可以抑制显示面板的驱动电压而不将碱金属用于发光器件。此外，可以使用蚀刻法分离相邻的发光器件。此外，当使用蚀刻法时也不会发生碱金属对制造设备的污染。结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。

<<保护层554G(j)的结构例子1>>

保护层554G(j)在与保护层554B(j)间具有间隙554S(j)，间隙554S(j)与间隙104S(j)重叠。

保护层554G(j)与电极552G(j)接触，电极552G(j)夹在保护层554G(j)与电极551B(i，j)间。另外，例如，保护层554G(j)具有保护发光器件550G(i，j)以避免在显示面板的制造工序中施加到发光器件550G(i，j)的物理性或化学性负载的功能。

<<保护层554B(j)及保护层554G(j)的结构例子1>>

可以将无机材料用于保护层554B(j)及保护层554G(j)。具体而言，可以将无机氧化物膜、无机氮化物膜、无机氧氮化物膜等或层叠有选自这些膜中的多个的叠层材料用于保护层554B(j)及保护层554G(j)。

例如，可以将氧化铝膜、包含氧化硅的膜、包含氮化硅的膜用于保护层554B(j)及保护层554G(j)。

另外，优选利用原子层沉积(ALD：Atomic Layer Deposition)法等形成的膜。通过利用ALD法，可以在温和条件下形成致密的膜。

尤其是，可以将使用ALD法形成的包含氧化铝的膜适当地用于保护层554B(j)及保护层554G(j)。由此，可以抑制水等杂质的扩散。

<<分隔壁528的结构例子1>>

分隔壁528具有开口部528B(i，j)及开口部528G(i，j)(参照图4C)。开口部528B(i，j)与电极551B(i，j)重叠，开口部528G(i，j)与电极551G(i，j)重叠。

分隔壁528在开口部528B(i，j)与开口部528G(i，j)之间与间隙104S(j)及间隙554S(j)重叠(参照图4A)。

可以将无机材料、有机材料或无机材料和有机材料的复合材料等用于分隔壁528。具体而言，可以将无机氧化物膜、无机氮化物膜、无机氧氮化物膜等或层叠有选自这些膜中的多个的叠层材料用于分隔壁528。例如，可以将氧化硅膜、包含丙烯酸树脂的膜或包含聚酰亚胺的膜等用于分隔壁528。

由此，保护层554B(j)例如可以保护发光器件550B(i，j)以免受到因制造工艺中施加的物理性或化学性负载而发生的损伤。另外，保护层554G(j)可以保护发光器件550G(i，j)。另外，可以使用保护层554B(j)及保护层554G(j)作为硬掩模去除与间隙554S(j)重叠的分隔壁528上的层。另外，可以使用间隙554S(j)形成间隙104S(j)。

另外，可以抑制层104B(j)与层104G(j)间的电导通。此外，可以控制电流通过层104B(j)及层104G(j)流过电极551B(i，j)与电极552G(j)间的现象。此外，可以抑制电流通过层104B(j)及层104G(j)流过电极551G(i，j)与电极552B(j)间的现象。此外，可以抑制发生在发光器件550B(i，j)与发光器件550G(i，j)间的串扰现象。结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。

例如，在超过1000ppi的高清晰显示面板中，若层104B(j)与层104G(j)间有电导通则发生串扰现象，显示面板可显示的色域变窄。通过在超过1000ppi的高清晰面板、优选为超过2000ppi的高清晰面板、更优选为超过5000ppi的超高清晰显示面板中设置间隙104S，可以提供能够显示鲜明色彩的显示面板。

<<发光器件550R(i，j)的结构例子>>

发光器件550R(i，j)包括551R(i，j)、电极552R(j)、单元103R(j)以及层104R(j)。单元103R(j)具有发射光的功能。此外，包括层105R(j)。此外，层105R(j)例如可以用于电子注入层。

<显示面板700的结构例子7>

另外，本实施方式所说明的显示面板700包括绝缘膜573A及绝缘膜573B(参照图4A)。

<<绝缘膜573A的结构例子>>

绝缘膜573A与保护层554B(j)接触，保护层554B(j)具有夹在绝缘膜573A与电极552B(j)间的区域。

绝缘膜573A与保护层554G(j)接触，保护层554G(j)具有夹在绝缘膜573A与电极552G(j)间的区域。

层104B(j)包括侧壁WL1，且层104G(j)包括侧壁WL2。侧壁WL2(j)与侧壁WL1相对，侧壁WL2(j)与侧壁WL1间夹持间隙104S(j)。

侧壁WL1及侧壁WL2与绝缘膜573A接触。

此外，绝缘膜573A与分隔壁528接触。

<<绝缘膜573B的结构例子>>

绝缘膜573B填充间隙104S(j)。

例如，可以将无机材料、有机材料或无机材料和有机材料的复合材料等用于绝缘膜573B。

具体而言，可以将无机氧化物膜、无机氮化物膜、无机氧氮化物膜等或层叠有选自这些膜中的多个的叠层材料用于绝缘膜573B。

例如，可以将包含氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、氧化铝膜、IGZO膜等或层叠有选自这些膜中的多个的叠层材料的膜用于绝缘膜573B。氮化硅膜是致密的膜，具有优良的抑制水等杂质扩散的功能。

例如，可以将层叠利用溅射法沉积的氮化硅和利用等离子体增强原子层沉积(PEALD：Plasma enhanced Atomic layer deposition)法沉积的氮化硅的叠层膜用作绝缘膜573B。由此，在利用溅射法沉积的膜中形成针孔或断开等的情况下，可以使用利用覆盖性优异的ALD法沉积的膜填埋重叠于针孔或断开等的部分。

例如，可以将聚酯、聚烯烃、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚硅氧烷或丙烯酸树脂等或选自上述树脂中的多个树脂的叠层材料或复合材料等用于绝缘膜573B。

例如，可以将反应固化型粘合剂、光固化型粘合剂、热固化型粘合剂或/及厌氧型粘合剂等有机材料用于绝缘膜573B。

由此，可以抑制杂质扩散到发光器件550B(i，j)及发光器件550G(i，j)的现象。此外，可以提高发光器件550B(i，j)及发光器件550G(i，j)的可靠性。其结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。

<显示面板700的结构例子8>

另外，本发明的一个方式的显示面板包括着色层CFB(j)、着色层CFG(j)及着色层CFR(j)。

<<单元103B(j)的结构例子1>>

例如，可以将发射蓝色光EL(1)的层111(B)、发射绿色光EL(2)的层111(G)及发射红色光EL(3)的层111(R)用于一个单元103B(j)(参照图5)。由此，能够发射白色光。

具体而言，可以将层叠包含蓝色发光性材料的层111B、包含绿色发光性材料的层111G和包含红色发光性材料的层111R的结构用于单元103B(j)。

此外，可以将包含具有空穴传输性的材料的层、包含具有电子传输性的材料的层、包含具有双极性的材料的层用于单元103B(j)。例如，可以将具有空穴传输性的材料用于层112(1)。此外，可以将具有电子传输性的材料用于层113。此外，可以将具有双极性的材料用于层112(2)。

此外，可以将用于单元103B(j)的结构用于单元103G(j)及单元103R(j)。

<<着色层的结构例子1>>

着色层CFB(j)、着色层CFG(j)分别与发光器件550B(i，j)、发光器件550G(i，j)重叠，并且着色层CFG(j)透射与着色层CFB(j)不同颜色的光。此外，着色层CFR(j)与发光器件550R(i，j)重叠，并透射与着色层CFB(j)及着色层CFG(j)不同颜色的光。

例如，可以将优先透射蓝色光的材料用于着色层CFB(j)。由此，可以从白色光提取蓝色光。

例如，可以将优先透射绿色光的材料用于着色层CFG(j)。由此，可以从白色光提取绿色光。

例如，可以将优先透射红色光的材料用于着色层CFR(j)。由此，可以从白色光提取红色光。

<<单元103B(j)的结构例子2>>

另外，例如，可以将蓝色发光性材料用于单元103B(j)、单元103G(j)及单元103R(j)。由此，发光器件550B(i，j)、发光器件550G(i，j)及发光器件550R(i，j)都能够发射蓝色光。

此外，也可以使用颜色转换层代替着色层。例如，可以将纳米粒子、量子点等用于颜色转换层。

例如，可以使用将蓝色光转换为绿色光的颜色转换层代替着色层CFG(j)。由此，可以将发光器件550G(i，j)所发射的蓝色光转换为绿色光。此外，可以使用将蓝色光转换为红色光的颜色转换层代替着色层CFR(j)。由此，可以将发光器件550R(i，j)所发射的蓝色光转换为红色光。

由此，可以在形成发光器件550B(i，j)的工序中还形成发光器件550G(i，j)。此外，可以使用发光器件550B(i，j)及发光器件550G(i，j)改变色相。结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。

<显示面板700的结构例子9>

参照图6说明本发明的一个方式的显示面板的结构。

注意，参照图6说明的显示面板的与参照图4说明的显示面板不同之处是：发光器件550B(i，j)包括单元103B2(j)、中间层106B(j)以及层105B2(j)；以及发光器件550G(i，j)包括单元103G2(j)、中间层106G(j)以及层105G2(j)。在此，对不同之处进行详细说明，而关于能够使用与上述结构相同的结构的部分援用上述说明。

<<发光器件550B(i，j)的结构例子2>>

发光器件550B(i，j)包括单元103B2(j)、中间层106B(j)以及层105B2(j)(参照图6A)。

单元103B2(j)具有夹在电极552B(j)与单元103B(j)间的区域。

例如，可以将与单元103B(j)不同的发光颜色的结构用于单元103B2(j)。具体而言，可以使用发射红色光及绿色光的单元103B(j)和发射蓝色光的单元103B2(j)。由此，可以提供一种发射所希望的颜色的光的发光器件。例如可以提供一种发射白色光的发光器件。

此外，例如，单元103B(j)和单元103B2(j)的发光颜色可以为相同。具体而言，可以使用发射蓝色光的单元103B(j)及发射蓝色光的单元103B2(j)。由此，可以在抑制功耗的同时得到亮度较高的发光。

<<中间层106B(j)的结构例子1>>

中间层106B(j)具有夹在单元103B2(j)与单元103B(j)间的区域。另外，中间层106B(j)例如可以用于电荷产生层。中间层106B(j)具有通过施加电压来向阳极一侧供应电子并向阴极一侧供应空穴的功能。

中间层106B(j)包含复合材料。复合材料包含具有空穴传输性的材料及具有电子接收性的物质，并具有1×10

<<层105B2(j)的结构例子>>

层105B2(j)具有夹在中间层106B(j)与单元103B(j)间的区域。此外，层105B2(j)例如可以用于电子注入层。

层105B2(j)包含第二有机化合物及第二金属。例如，可以将可用于层105B(j)的第一有机化合物用作第二有机化合物。此外，可以将可用于层105B(j)的第一金属用作第二金属。此外，第二有机化合物与第二金属形成单占轨道(SOMO)。

<<发光器件550G(i，j)的结构例子3>>

发光器件550G(i，j)包括单元103G2(j)、中间层106G(j)以及层105G2(j)。

<<单元103G2(j)的结构例子>>

单元103G2(j)具有夹在层105G(j)与单元103G(j)间的区域。

<<中间层106G(j)的结构例子>>

中间层106G(j)具有夹在单元103G2(j)与单元103G(j)间的区域。

中间层106G(j)包含与中间层106B(j)相同的具有空穴传输性的材料及具有电子接收性的物质。另外，中间层106G(j)在与中间层106B(j)间具有间隙106S(j)(参照图6A及图7)。由于中间层106B(j)及中间层106G(j)具有导电性，因此间隙106S(j)具有防止中间层106B(j)与中间层106G(j)之间的电导通的功能。

<<分隔壁528的结构例子2>>

分隔壁528在开口部528B(i，j)与开口部528G(i，j)之间与间隙104S(j)、间隙554S(j)及间隙106S(j)重叠(参照图6A及图6C)。

由此，可以抑制电流通过层104B(j)及层104G(j)或者中间层106B(j)及中间层106G(j)流过电极551B(i，j)与电极552G(j)之间的现象。此外，可以抑制电流通过层104B(j)及层104G(j)流过电极551G(i，j)与电极552B(j)间的现象。此外，可以抑制发生在发光器件550B(i，j)与发光器件550G(i，j)间的串扰现象。结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。

<<层104B(j)及层104G(j)的结构例子>>

层104B(j)包括侧壁WL1，且层104G(j)包括侧壁WL2(参照图7)。

侧壁WL2与侧壁WL1相对，并与侧壁WL1间夹持间隙104S(j)。

<<层105G2(j)的结构例子>>

层105G2(j)具有夹在中间层106G(j)与单元103G(j)之间的区域(参照图6A)。此外，层105G2(j)例如可以用于电子注入层。

层105G2(j)包含第二有机化合物及第二金属。

此外，层105G2(j)在与层105B2(j)之间具有间隙(参照图6A及图7)。

由此，当使用蚀刻法时也不会发生碱金属对制造设备的污染。此外，可以使用蚀刻法分离相邻的发光器件。此外，可以抑制电流通过中间层106B(j)及中间层106G(j)流过电极551B(i，j)与电极552G(j)间的现象。此外，可以抑制电流通过中间层106B(j)及中间层106G(j)流过电极551G(i，j)与电极552B(j)间的现象。此外，可以抑制发生在发光器件550B(i，j)与发光器件550G(i，j)间的串扰现象。结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。

<显示面板700的结构例子10>

将参照图8A及图8B说明本发明的一个方式的显示面板的结构。注意，与参照图6及图7说明的显示面板不同之处在于：参照图8A及图8B说明的显示面板不包括分隔壁528。

电极551G(i，j)在与电极551B(i，j)之间具有间隙551S(j)(参照图8B)。间隙551S(j)与间隙104S(j)、间隙106S(j)以及间隙554S(j)重叠。

本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。

(实施方式2)

在本实施方式中，参照图9至图14说明本发明的一个方式的显示面板的制造方法。

图9至图14是说明本发明的一个方式的显示面板的制造方法的图。

<显示面板的制造方法例子>

本发明的一个方式的显示面板的制造方法包括以下第一步骤至第十三步骤。通过该方法，例如可以制造参照图6说明的本发明的一个方式的显示面板700。

<<第一步骤>>

在第一步骤，形成电极551B(i，j)及电极551G(i，j)以及电极551R(i，j)。例如，在基材510上形成功能层520，在功能层520上形成导电膜，并利用光刻法加工为规定形状(参照图9A)。

<<第二步骤>>

在第二步骤，在电极551B(i，j)与电极551G(i，j)之间形成分隔壁528。例如，形成覆盖电极551B(i，j)至电极551R(i，j)的绝缘膜，利用光刻法形成开口部，使电极551B(i，j)至电极551R(i，j)的一部分露出(参照图9B)。

<<第三步骤>>

在第三步骤，在电极551B(i，j)及电极551G(i，j)上形成包含具有空穴传输性的材料及具有电子接收性的物质的层104(参照图10A)。例如，利用真空蒸镀法在电极551B(i，j)、电极551G(i，j)以及电极551R(i，j)上以覆盖上述电极的方式形成层104。具体而言，使用共蒸镀法形成层104。

<<第四步骤>>

在第四步骤，在层104上形成单元103。例如，利用真空蒸镀法形成单元103。

<<第五步骤>>

在第五步骤，在单元103上形成包含第二有机化合物及第二金属的层1052。例如，利用真空蒸镀法形成单元103。具体而言，使用共蒸镀法形成单元103。

<<第六步骤>>

在第六步骤，在层1052上形成包含具有空穴传输性的材料及具有电子接收性的物质的中间层106。例如，利用真空蒸镀法形成中间层106。

<<第七步骤>>

在第七步骤，在中间层106上形成单元1032。例如，利用真空蒸镀法形成单元1032。具体而言，使用共蒸镀法形成单元1032。

<<第八步骤>>

在第八步骤，在单元1032上形成包含第一有机化合物及第一金属的层105。例如，利用真空蒸镀法形成层105。具体而言，使用共蒸镀法形成层105。

<<第九步骤>>

在第九步骤，在层105上形成电极552。例如，利用真空蒸镀法形成电极552。

<<第十步骤>>

在第十步骤，利用ALD法在电极552上形成保护层554。

此外，在保护层554上形成抗蚀剂RES(参照图10A及图10B)。例如，抗蚀剂RES形成在与电极551B(i，j)、电极551G(i，j)以及电极551R(i，j)重叠的位置。

<<第十一步骤>>

在第十一步骤，将保护层554B(j)及保护层554G(j)加工为规定形状(参照图12A及图12B)。

例如，通过使用光蚀刻法具体地是抗蚀剂RES及干蚀刻法，去除与分隔壁528重叠的部分。此外，可以将电极552用作蚀刻停止层。

注意，在利用干蚀刻法之后，有时残留异物FM(参照图11A及图11B)。例如，可以通过湿蚀刻法去除残留在抗蚀剂RES的侧端部附近的异物FM。

在保护层554包含氧化铝时，例如可以使用包含草酸的蚀刻液去除异物FM。

另外，去除抗蚀剂RES(参照图13A及图13B)。例如，通过使用氧等离子体的灰化法去除抗蚀剂RES。

另外，可以将容易被氧化的金属膜与具有耐氧化性的膜的叠层膜适当地用于电极552。例如，可以将该金属膜与保护层554夹持金属氧化物膜的叠层结构适当地用于电极552。具体而言，可以将包括导电氧化物膜或氧化物半导体膜的膜用于金属氧化物膜。

例如，可以将层叠有包含银及镁的金属膜与氧化铟-氧化锡(ITO)膜的叠层膜用于电极552。由此，在使用氧等离子体的灰化工序中，可以使用氧化铟-氧化锡(ITO)膜保护包含银及镁的金属膜免受氧化反应。

<<第十二步骤>>

在第十二步骤，将层104、单元103、层1052、中间层106、单元1032、层105以及电极552加工为规定形状(参照图14A及图14B)。例如，将它们加工为在与纸面交叉的方向上延伸的带形状。

具体而言，通过使用保护层554B(j)及保护层554G(j)作为硬掩模，去除与分隔壁528重叠的部分。此外，可以将分隔壁528用作蚀刻停止层。

例如，在不采用作为蚀刻气体使用氧的条件进行干蚀刻。由此，即使在电极552包含容易被氧化的金属膜的情况下也可以抑制电极552的氧化。

另外，在去除层104、单元103、层105、中间层106、单元1032及层1052的工序中，尽量抑制所施加的偏压。由此，可以减少对层104、单元103、层105、中间层106、单元1032及层1052带来的损伤。

另外，层104被加工为层104B(j)、层104G(j)以及层104R(j)。单元103被加工为单元103B(j)、单元103G(j)以及单元103R(j)。层1052被加工为层105B2(j)、层105G2(j)以及层105R2(j)。中间层106被加工为中间层106B(j)、中间层106G(j)以及中间层106R(j)。单元1032被加工为单元103B2(j)、单元103G2(j)以及单元103R2(j)。层105被加工为层105B(j)、层105G(j)以及层105R(j)。电极552被加工为电极552B(j)、电极552G(j)以及电极552R(j)。

另外，例如，形成间隙104S(j)，该间隙104S(j)防止层104B(i，j)与层104G(i，j)之间的电导通。另外，形成间隙106S(j)，该间隙106S(j)防止中间层106B(i，j)与中间层106G(i，j)之间的电导通。

通过上述工序，可以分离发光器件550B(i，j)及发光器件550G(i，j)。此外，可以形成发光器件550R(i，j)。

<<第十三步骤>>

在第十二步骤，在电极552B(j)、电极552G(j)以及电极552R(j)上形成接触分隔壁528的绝缘膜573来覆盖发光器件550B(i，j)、发光器件550G(i，j)及发光器件550R(i，j)(参照图14A)。例如，层叠致密的绝缘膜573A和平坦的绝缘膜573B。

具体而言，通过化学气相生长法或原子层沉积法等形成致密的绝缘膜573A，通过塗布法在绝缘膜573A上形成平坦的绝缘膜573B。由此，可以形成缺陷少的高质量绝缘膜573。

通过上述工序，可以使用绝缘膜573保护发光器件550B(i，j)、发光器件550G(i，j)及发光器件550R(i，j)。

由此，可以使保护层554B(i，j)及保护层554G(i，j)具有对于去除分隔壁528上的构成要素的步骤的耐性。另外，例如，可以将去除光聚合物等由有机材料形成的抗蚀剂RES的加工条件应用于去除分隔壁528上的构成要素的步骤。另外，例如，可以在去除光聚合物等由有机材料形成的抗蚀剂RES时使用保护层554保护发光器件。结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板的制造方法。

本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。

(实施方式3)

在本实施方式中，参照图15说明可用于本发明的一个方式的显示面板的发光器件150的结构。可用于发光器件150的结构例如可以用于在实施方式1中说明的发光器件550B(i，j)、发光器件550G(i，j)或发光器件550R(i，j)。

<发光器件150的结构例子>

在本实施方式中说明的发光器件150包括电极101、电极102及单元103。电极102具有与电极101重叠的区域，单元103具有夹在电极101与电极102间的区域。可用于单元103的结构例如可以用于在实施方式1中说明的单元103B(j)、单元103G(j)或单元103R(j)。

<单元103的结构例子>

单元103具有单层结构或叠层结构。例如，单元103包括层111、层112及层113(参照图15A)。单元103具有发射光EL1的功能。

层111具有夹在层112与层113间的区域，层112具有夹在电极101与层111间的区域，层113具有夹在电极102与层111间的区域。

例如，可以将选自发光层、空穴传输层、电子传输层、载流子阻挡层等中的层用于单元103。此外，可以将选自空穴注入层、电子注入层、激子阻挡层及电荷产生层等中的层用于单元103。

<<层112的结构例子>>

例如，可以将具有空穴传输性的材料用于层112。此外，可以将层112称为空穴传输层。注意，优选将其带隙大于层111中的发光性材料的材料用于层112。因此，可以抑制从层111所产生的激子向层112的能量转移。

[具有空穴传输性的材料]

可以将空穴迁移率为1×10

例如，可以将胺化合物或具有富π电子型杂芳环骨架的有机化合物用于具有空穴传输性的材料。具体而言，可以使用具有芳香胺骨架的化合物、具有咔唑骨架的化合物、具有噻吩骨架的化合物、具有呋喃骨架的化合物等。尤其是，具有芳香胺骨架的化合物或具有咔唑骨架的化合物具有良好的可靠性和高空穴传输性并有助于降低驱动电压，所以是优选的。

<<层113的结构例子>>

例如，可以将具有电子传输性的材料、具有蒽骨架的材料及混合材料等用于层113。此外，可以将层113称为电子传输层。注意，优选将其带隙大于层111中的发光性材料的材料用于层113。因此，可以抑制从在层111中产生的激子向层113的能量转移。

[具有电子传输性的材料]

例如，可以将金属配合物或具有缺π电子型杂芳环骨架的有机化合物用于具有电子传输性的材料。

可以将如下材料适合用于具有电子传输性的材料：在电场强度[V/cm]的平方根为600的条件下，电子迁移率为1×10

作为具有缺π电子型杂芳环骨架的有机化合物，例如可以使用具有聚唑(polyazole)骨架的杂环化合物、具有二嗪骨架的杂环化合物、具有吡啶骨架的杂环化合物、具有三嗪骨架的杂环化合物等。尤其是，具有二嗪骨架的杂环化合物或具有吡啶骨架的杂环化合物具有良好的可靠性，所以是优选的。此外，具有二嗪(嘧啶或吡嗪)骨架的杂环化合物具有高电子传输性，而可以降低驱动电压。

[具有蒽骨架的材料]

可以将具有蒽骨架的有机化合物用于层113。尤其是，可以适当地使用具有蒽骨架和杂环骨架的双方的有机化合物。

例如，可以使用具有蒽骨架及含氮五元环骨架的双方的有机化合物。此外，可以使用具有环中包含两个杂原子的含氮五元环骨架和蒽骨架的双方的有机化合物。具体而言，可以将吡唑环、咪唑环、恶唑环、噻唑环等适合用于该杂环骨架。

例如，可以使用具有蒽骨架及含氮六元环骨架的双方的有机化合物。此外，可以使用具有环中包含两个杂原子的含氮六元环骨架和蒽骨架的双方的有机化合物。具体而言，可以将吡嗪环、吡啶环、哒嗪环等适合用于该杂环骨架。

[混合材料的结构例子]

另外，可以将混合多种物质的材料用于层113。具体而言，可以将包含碱金属、碱金属化合物或碱金属配合物及具有电子传输性的物质的混合材料用于层113。注意，具有电子传输性的材料的HOMO能级更优选为-6.0eV以上。

另外，例如，可以将具有电子接收性的物质与具有空穴传输性的材料的复合材料用于层104。具体而言，可以将具有电子接收性的物质与具有-5.7eV以上且-5.4eV以下的较深HOMO能级HOMO1的物质的复合材料用于层104(参照图15B)。另外，可以与这样的将复合材料用于层104的结构组合而将该混合材料适合用于层113。由此，可以提高发光器件的可靠性。

另外，组合将该混合材料用于层113且将上述复合材料用于层104的结构和将具有空穴传输性的材料用于层112的结构而适合地使用。例如，可以将相对于上述较深HOMO能级HOMO1在-0.2eV以上且0eV以下的范围具有HOMO能级HOMO2的物质用于层112(参照图15B)。由此，可以提高发光器件的可靠性。

碱金属、碱金属化合物或碱金属配合物优选以在层113的厚度方向上有浓度差(包括浓度差为0的情况)的方式存在。

例如，可以使用具有8-羟基喹啉结构的金属配合物。此外，也可以使用具有8-羟基喹啉结构的金属配合物的甲基取代物(例如，2-甲基取代物或5-甲基取代物)等。

<<层111的结构例子1>>

例如，可以将发光性材料或者发光性材料及主体材料用于层111。此外，可以将层111称为发光层。优选在空穴与电子再结合的区域中配置层111。由此，可以高效地将载流子复合所产生的能量作为光发射。此外，优选以从用于电极等的金属远离的方式配置层111。因此，可以抑制因用于电极等的金属发生猝灭现象。

例如，可以将荧光发光物质、磷光发光物质或呈现热活化延迟荧光(TADF：Thermally Activated Delayed Fluorescence)的物质(也被称为TADF材料)用于发光性材料。由此，可以将因载流子的复合而产生的能量从发光性材料作为光EL1射出(参照图15A)。

[荧光发光物质]

可以将荧光发光物质用于层111。例如，可以将下述荧光发光物质用于层111。注意，荧光发光物质不局限于此，可以将各种已知的荧光发光物质用于层111。

尤其是，以1，6FLPAPrn、1，6mMemFLPAPrn、1，6BnfAPrn-03等芘二胺化合物为代表的稠合芳族二胺化合物具有高空穴俘获性和良好的发光效率或可靠性，所以是优选的。

[磷光发光物质]

可以将磷光发光物质用于层111。例如，可以将下述磷光发光物质用于层111。注意，磷光发光物质不局限于此，可以将各种已知的磷光发光物质用于层111。

例如，可以将如下材料用于层111：具有4H-三唑骨架的有机金属铱配合物、具有1H-三唑骨架的有机金属铱配合物、具有咪唑骨架的有机金属铱配合物、具有吸电子基团且以苯基吡啶衍生物为配体的有机金属铱配合物、具有嘧啶骨架的有机金属铱配合物、具有吡嗪骨架的有机金属铱配合物、具有吡啶骨架的有机金属铱配合物、稀土金属配合物、铂配合物等。

[呈现热活化延迟荧光(TADF)的物质]

可以将TADF材料用于层111。例如，可以将以下所示的TADF材料用于发光性材料。注意，不局限于此，可以将各种已知的TADF材料用于发光性材料。

由于TADF材料中S1能级与T1能级之差小而可以利用少量热能量将三重激发态反系间窜跃(上转换)为单重激发态。由此，可以高效地从三重激发态生成单重激发态。此外，可以将三重态激发能转换成发光。

以两种物质形成激发态的激基复合物(Exciplex)因S1能级和T1能级之差极小而具有能够将三重态激发能转换为单重态激发能的TADF材料的功能。

注意，作为T1能级的指标，可以使用在低温(例如，77K至10K)下观察到的磷光光谱。关于TADF材料，优选的是，当以通过在荧光光谱的短波长侧的尾处引切线得到的外推线的波长能量为S1能级并以通过在磷光光谱的短波长侧的尾处引切线得到的外推线的波长能量为T1能级时，S1与T1之差为0.3eV以下，更优选为0.2eV以下。

此外，当使用TADF材料作为发光物质时，主体材料的S1能级优选比TADF材料的S1能级高。此外，主体材料的T1能级优选比TADF材料的T1能级高。

例如，可以将富勒烯及其衍生物、吖啶及其衍生物以及伊红衍生物等用于TADF材料。此外，可以将包含镁(Mg)、锌(Zn)、镉(Cd)、锡(Sn)、铂(Pt)、铟(In)或钯(Pd)等的含金属卟啉用于TADF材料。

此外，例如可以将具有富π电子型杂芳环和缺π电子型杂芳环的一方或双方的杂环化合物用于TADF材料。

此外，该杂环化合物具有富π电子型杂芳环和缺π电子型杂芳环，电子传输性和空穴传输性都高，所以是优选的。尤其是，在具有缺π电子型杂芳环的骨架中，吡啶骨架、二嗪骨架(嘧啶骨架、吡嗪骨架、哒嗪骨架)及三嗪骨架稳定且可靠性优异，所以是优选的。尤其是，苯并呋喃并嘧啶骨架、苯并噻吩并嘧啶骨架、苯并呋喃并吡嗪骨架、苯并噻吩并吡嗪骨架的电子接收性高且可靠性优异，所以是优选的。

此外，在具有富π电子型杂芳环的骨架中，吖啶骨架、吩恶嗪骨架、吩噻嗪骨架、呋喃骨架、噻吩骨架及吡咯骨架稳定且可靠性优异，所以优选具有上述骨架中的至少一个。此外，作为呋喃骨架优选使用二苯并呋喃骨架，作为噻吩骨架优选使用二苯并噻吩骨架。作为吡咯骨架，特别优选使用吲哚骨架、咔唑骨架、吲哚咔唑骨架、联咔唑骨架、3-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑骨架。

在富π电子型杂芳环和缺π电子型杂芳环直接键合的物质中，富π电子型杂芳环的电子供给性和缺π电子型杂芳环的电子接收性都高而S1能级与T1能级之间的能量差变小，可以高效地获得热活化延迟荧光，所以是特别优选的。此外，也可以使用键合有如氰基等吸电子基团的芳香环代替缺π电子型杂芳环。此外，作为富π电子型骨架，可以使用芳香胺骨架、吩嗪骨架等。

此外，作为缺π电子型骨架，可以使用氧杂蒽骨架、二氧化噻吨(thioxanthenedioxide)骨架、噁二唑骨架、三唑骨架、咪唑骨架、蒽醌骨架、苯基硼烷或boranthrene等含硼骨架、苯甲腈或氰苯等具有腈基或氰基的芳香环或杂芳环、二苯甲酮等羰骨架、氧化膦骨架、砜骨架等。

如此，可以使用缺π电子型骨架及富π电子型骨架代替缺π电子型杂芳环和富π电子型杂芳环中的至少一个。

<<层111的结构例子2>>

可以将具有载流子传输性的材料用于主体材料。例如，可以将具有空穴传输性的材料、具有电子传输性的材料、呈现热活化延迟荧光的物质、具有蒽骨架的材料及混合材料等用于主体材料。注意，优选将其带隙大于层111中的发光性材料的材料用于主体材料。因此，可以抑制从在层111中产生的激子向主体材料的能量转移。

[具有空穴传输性的材料]

可以将空穴迁移率为1×10

例如，可以将可用于层112的具有空穴传输性的材料用于层111。具体而言，可以将可用于空穴传输层的具有空穴传输性的材料用于层111。

[具有电子传输性的材料]

例如，可以将可用于层113的具有电子传输性的材料用于层111。具体而言，可以将可用于电子传输层的具有电子传输性的材料用于层111。

[具有蒽骨架的材料]

可以将具有蒽骨架的有机化合物用于主体材料。尤其是，在作为发光物质使用荧光发光物质时，具有蒽骨架的有机化合物很合适。由此，可以实现发光效率及耐久性良好的发光器件。

作为具有蒽骨架的有机化合物，具有二苯基蒽骨架，尤其是具有9，10-二苯基蒽骨架的有机化合物在化学上稳定，所以是优选的。此外，在主体材料具有咔唑骨架时，空穴的注入及传输性提高，所以是优选的。尤其是，在主体材料具有二苯并咔唑骨架的情况下，其HOMO能级比咔唑浅0.1eV左右，不仅空穴容易注入，而且空穴传输性及耐热性也得到提高，所以是优选的。注意，从上述空穴注入及传输性的观点来看，也可以使用苯并芴骨架或二苯并芴骨架代替咔唑骨架。

因此，作为主体材料优选使用具有9，10-二苯基蒽骨架和咔唑骨架的物质、具有9，10-二苯基蒽骨架和苯并咔唑骨架的物质、具有9，10-二苯基蒽骨架和二苯并咔唑骨架的物质。

[呈现热活化延迟荧光(TADF)的物质]

可以将TADF材料用于主体材料。在将TADF材料用于主体材料时，可以通过反系间窜跃将在TADF材料中生成的三重态激发能转换为单重态激发能。此外，可以将激发能转移到发光物质。换言之，TADF材料被用作能量供体，发光物质被用作能量受体。由此，可以提高发光器件的发光效率。

当上述发光物质为荧光发光物质时这是非常有效的。此外，此时，为了得到高发光效率，TADF材料的S1能级优选比荧光发光物质的S1能级高。此外，TADF材料的T1能级优选比荧光发光物质的S1能级高。因此，TADF材料的T1能级优选比荧光发光物质的T1能级高。

此外，优选使用呈现与荧光发光物质的最低能量一侧的吸收带的波长重叠的发光的TADF材料。由此，激发能顺利地从TADF材料转移到荧光发光物质，可以高效地得到发光，所以是优选的。

为了高效地从三重态激发能通过反系间窜跃生成单重态激发能，优选在TADF材料中产生载流子的复合。此外，优选的是在TADF材料中生成的三重态激发能不转移到荧光发光物质的三重态激发能。为此，荧光发光物质优选在荧光发光物质所具有的发光体(成为发光的原因的骨架)的周围具有保护基。作为该保护基，优选为不具有π键的取代基，优选为饱和烃，具体而言，可以举出碳原子数为3以上且10以下的烷基、取代或未取代的碳原子数为3以上且10以下的环烷基、碳原子数为3以上且10以下的三烷基硅基，更优选具有多个保护基。不具有π键的取代基由于几乎没有传输载流子的功能，所以对载流子传输或载流子复合几乎没有影响，可以使TADF材料与荧光发光物质的发光体彼此远离。

在此，发光体是指在荧光发光物质中成为发光的原因的原子团(骨架)。发光体优选为具有π键的骨架，优选包含芳香环，并优选具有稠合芳香环或稠合杂芳环。

作为稠合芳香环或稠合杂芳环，可以举出菲骨架、二苯乙烯骨架、吖啶酮骨架、吩恶嗪骨架、吩噻嗪骨架等。尤其是，具有萘骨架、蒽骨架、芴骨架、

例如，可以将可用于发光性材料的TADF材料用于主体材料。

[混合材料的结构例子1]

此外，可以将混合多种物质的材料用于主体材料。例如，可以将混合具有电子传输性的材料和具有空穴传输性的材料用于混合材料。混合的材料中的具有空穴传输性的材料和具有电子传输性的材料的重量比的值为(具有空穴传输性的材料/具有电子传输性的材料)＝(1/19)以上且(19/1)以下即可。由此，可以容易调整层111的载流子传输性。此外，可以更简便地进行复合区域的控制。

[混合材料的结构例子2]

可以将混合磷光发光物质的材料用于主体材料。磷光发光物质在作为发光物质使用荧光发光物质时可以被用作对荧光发光物质供应激发能的能量供体。

此外，可以将包含形成激基复合物的材料的混合材料用于主体材料。例如，可以将所形成的激基复合物的发射光谱与发光物质的最低能量一侧的吸收带的波长重叠的材料用于主体材料。因此，可以使能量转移变得顺利，从而提高发光效率。此外，可以抑制驱动电压。

可以将磷光发光物质用于形成激基复合物的材料的至少一个。由此，可以利用反系间窜跃。或者，可以高效地将三重态激发能转换为单重态激发能。

作为形成激基复合物的材料的组合，具有空穴传输性的材料的HOMO能级优选为具有电子传输性的材料的HOMO能级以上。或者，具有空穴传输性的材料的LUMO能级优选为具有电子传输性的材料的LUMO能级以上。由此，可以高效地形成激基复合物。此外，材料的LUMO能级及HOMO能级可以从电化学特性(还原电位及氧化电位)求出。具体而言，可以利用循环伏安法(CV)测量还原电位及氧化电位。

注意，激基复合物的形成例如可以通过如下方法确认：对具有空穴传输性的材料的发射光谱、具有电子传输性的材料的发射光谱及混合这些材料而成的混合膜的发射光谱进行比较，当观察到混合膜的发射光谱比各材料的发射光谱向长波长一侧漂移(或者在长波长一侧具有新的峰值)的现象时说明形成有激基复合物。或者，对具有空穴传输性的材料的瞬态光致发光(PL)、具有电子传输性的材料的瞬态PL及混合这些材料而成的混合膜的瞬态PL进行比较，当观察到混合膜的瞬态PL寿命与各材料的瞬态PL寿命相比具有长寿命成分或者延迟成分的比率变大等瞬态响应不同时说明形成有激基复合物。此外，可以将上述瞬态PL称为瞬态电致发光(EL)。换言之，与对具有空穴传输性的材料的瞬态EL、具有电子传输性的材料的瞬态EL及这些材料的混合膜的瞬态EL进行比较，观察瞬态响应的不同，可以确认激基复合物的形成。

本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。

(实施方式4)

在本实施方式中，参照图15A说明本发明的一个方式的发光器件150的结构。可用于发光器件150的结构例如可以用于在实施方式1中说明的发光器件550B(i，j)、发光器件550G(i，j)或发光器件550R(i，j)。

<发光器件150的结构例子>

在本实施方式中说明的发光器件150包括电极101、电极102、单元103以及层104。电极102具有与电极101重叠的区域，单元103具有夹在电极101与电极102间的区域。此外，层104具有夹在电极101与单元103间的区域。此外，例如可以将实施方式3所说明的结构用于单元103。此外，可用于电极101的结构例如可以用于在实施方式1中说明的电极551B(i，j)、电极551G(i，j)或电极551R(i，j)。此外，可用于层104的结构例如可以用于在实施方式1中说明的层104B(j)、层104G(j)或层104R(j)。

<电极101的结构例子>

例如，可以将导电材料用于电极101。具体而言，可以将包含金属、合金或导电化合物的膜的单层或叠层用于电极101。

例如，可以将高效地反射光的膜用于电极101。具体而言，可以将包含银及铜等的合金、包含银及钯等的合金或铝等金属膜用于电极101。

此外，例如可以将使光的一部分透射并反射光的其他部分的金属膜用于电极101。由此，可以使发光器件150具有微小谐振器结构(微腔结构)。此外，与其他的光相比可以更高效地提取规定波长的光。此外，可以提取光谱的半宽窄的光。此外，可以提取鲜明的颜色的光。

此外，例如可以将对可见光具有透光性的膜用于电极101。具体而言，可以将薄到透射光的程度的金属膜、合金膜或导电氧化物膜等的单层或叠层用于电极101。

尤其是，可以适当地使用具有4.0eV以上的功函数的材料。

例如，可以使用氧化铟-氧化锡(简称：ITO)、包含硅或氧化硅的氧化铟-氧化锡(简称：ITSO)、氧化铟-氧化锌、包含氧化钨及氧化锌的氧化铟(简称：IWZO)等。

此外，例如可以使用包含锌的导电氧化物。具体而言，可以使用氧化锌、添加有镓的氧化锌、添加有铝的氧化锌等。

此外，例如可以使用金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、钨(W)、铬(Cr)、钼(Mo)、铁(Fe)、钴(Co)、铜(Cu)、钯(Pd)或金属材料的氮化物(例如，氮化钛)等。此外，可以使用石墨烯。

本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。

(实施方式5)

在本实施方式中，参照图15A说明本发明的一个方式的发光器件150的结构。可用于发光器件150的结构例如可以用于在实施方式1中说明的发光器件550B(i，j)、发光器件550G(i，j)或发光器件550R(i，j)。

<发光器件150的结构例子>

在本实施方式中说明的发光器件150包括电极101、电极102、单元103以及层105。电极102具有与电极101重叠的区域，单元103具有夹在电极101与电极102间的区域。此外，层105具有夹在单元103与电极102间的区域。此外，例如可以将实施方式3所说明的结构用于单元103。此外，可用于电极102的结构例如可以用于在实施方式1中说明的电极552B(j)、电极552G(j)或电极552R(j)。另外，可用于层105的材料例如可以用于在实施方式1中说明的层105B(j)、层105G(j)或层105R(j)。

<电极102的结构例子>

例如，可以将导电材料用于电极102。具体而言，可以将包含金属、合金或导电化合物的材料的单层或叠层用于电极102。

例如，可以将实施方式4中说明的可用于电极101的材料用于电极102。尤其是，优选将功函数小于电极101的材料用于电极102。具体而言，可以使用具有3.8eV以下的功函数的材料。

例如，可以将属于元素周期表中的第1族的元素、属于元素周期表中的第2族的元素、稀土金属及包含它们的合金用于电极102。

具体而言，可以将锂(Li)、铯(Cs)等、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)等、铕(Eu)、镱(Yb)等及包含它们的合金(MgAg、AlLi)用于电极102。此外，可以将包含它们的合金和导电氧化物的叠层材料用于电极102。具体而言，可以将MgAg和ITO的叠层材料用于电极102。

<<层105的结构例子>>

例如，可以将具有电子注入性的材料用于层105。此外，可以将层105称为电子注入层。

具体而言，可以将具有施主性的物质用于层105。或者，可以将具有施主性的物质及具有电子传输性的材料的复合材料用于层105。或者，可以将电子化合物(electride)用于层105。由此，例如可以从电极102容易注入电子。或者，除了功函数较小的材料以外，还可以将功函数较大的材料用于电极102。或者，不依赖于功函数，可以从宽范围的材料中选择用于电极102的材料。具体而言，可以将Al、Ag、ITO、包含硅或氧化硅的氧化铟-氧化锡等用于电极102。此外，可以降低发光器件的驱动电压。

[具有施主性的物质]

例如，可以将碱金属、碱土金属、稀土金属或它们的化合物(氧化物、卤化物、碳酸盐等)用于具有施主性的物质。此外，可以将四硫萘并(tetrathianaphthacene)(简称：TTN)、二茂镍、十甲基二茂镍等有机化合物用于具有施主性的物质。

[复合材料的结构例子1]

此外，可以将复合多种物质的材料用于具有电子注入性材料。例如，可以将具有施主性的物质及具有电子传输性的材料用于复合材料。

[具有电子传输性的材料]

例如，可以将金属配合物或具有缺π电子型杂芳环骨架的有机化合物用于具有电子传输性的材料。

例如，可以将可用于单元103的具有电子传输性的材料用于复合材料。

[复合材料的结构例子2]

此外，可以将微晶状态的碱金属的氟化物和具有电子传输性的材料用于复合材料。此外，可以将微晶状态的碱土金属的氟化物和具有电子传输性的材料用于复合材料。尤其是，可以适当地使用包含50wt％以上的碱金属的氟化物或碱土金属的氟化物的复合材料。此外，可以适当地使用包含具有联吡啶骨架的有机化合物的复合材料。因此，可以降低层104的折射率。此外，可以提高发光器件的外部量子效率。

[电子化合物]

例如，可以将对钙和铝的混合氧化物以高浓度添加电子的物质等用于具有电子注入性的材料。

本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。

(实施方式6)

在本实施方式中，参照图16A说明本发明的一个方式的发光器件150的结构。

图16A是说明可用于本发明的一个方式的发光器件的结构的截面图。

<发光器件150的结构例子>

在本实施方式中说明的发光器件150包括电极101、电极102、单元103及中间层106(参照图16A)。电极102具有与电极101重叠的区域，单元103具有夹在电极101与电极102间的区域。中间层106具有夹在单元103与电极102间的区域。

<<中间层106的结构例子>>

中间层106包括层106(1)及层106(2)。层106(2)具有夹在层106(1)与电极102间的区域。

<<层106(1)的结构例子>>

例如，可以将具有电子传输性的材料用于层106(1)。此外，可以将层106(1)称为电子中继层。通过使用层106(1)，可以使接触层106(1)的阳极侧的层远离接触层106(1)的阴极侧的层。此外，可以减轻接触层106(1)的阳极侧的层和接触层106(1)的阴极侧的层间的相互作用。由此，可以向接触层106(1)的阳极侧的层顺利地供应电子。

可以将如下物质适合用于层106(1)，即其LUMO能级位于接触层106(1)的阳极侧的层中的具有电子接收性的物质的LUMO能级与接触层106(1)的阴极侧的层中的物质的LUMO能级间的物质。

例如，可以将如下物质用于层106(1)，即在-5.0eV以上，优选在-5.0eV以上且-3.0eV以下的范围内具有LUMO能级的材料。

具体而言，可以将酞菁类材料用于层106(1)。此外，可以将具有金属-氧键合和芳香配体的金属配合物用于层106(1)。

<<层106(2)的结构例子>>

例如，可以将如下材料用于层106(2)，即通过施加电压可以对阳极侧供应电子且对阴极侧供应空穴的材料。具体而言，可以对配置在阳极侧的单元103供应电子。此外，可以将层106(2)称为电荷产生层。

具体而言，可以将可用于层104的具有空穴注入性的材料用于层106(2)。例如，可以将复合材料用于层106(2)。此外，例如可以将层叠有包含该复合材料的膜与包含具有空穴传输性的材料的膜的叠层膜用于层106(2)。

本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。

(实施方式7)

在本实施方式中，参照图16B及图17说明本发明的一个方式的发光器件150的结构。

图16B是说明本发明的一个方式的发光器件的结构的截面图，该发光器件具有与图16A所示的结构不同的结构。

图17是说明本发明的一个方式的发光器件的结构的截面图，该发光器件具有与图16B所示的结构不同的结构。

<发光器件150的结构例子1>

本实施方式所说明的发光器件150包括电极101、电极102、单元103、中间层106及单元103(12)(参照图16B)。电极102具有与电极101重叠的区域，单元103具有夹在电极101与电极102间的区域，中间层106具有夹在单元103与电极102间的区域。此外，单元103(12)具有夹在中间层106与电极102间的区域，并具有发射光EL1(2)的功能。

此外，有时将包括中间层106及多个单元的结构称为叠层型发光器件或串联型发光器件。因此，能够在将电流密度保持为低的同时获得高亮度发光。此外，可以提高可靠性。此外，可以降低在以同一亮度进行比较时的驱动电压。此外，可以抑制功耗。

<<单元103(12)的结构例子>>

可以将可用于单元103的结构用于单元103(12)。换言之，发光器件150包括层叠的多个单元。注意，层叠的多个单元不局限于两个单元，可以层叠三个以上的单元。

可以将与单元103同一结构用于单元103(12)。此外，可以将与单元103不同结构用于单元103(12)。

例如，可以将与单元103的发光颜色不同的发光颜色的结构用于单元103(12)。具体而言，可以使用发射红色光及绿色光的单元103和发射蓝色光的单元103(12)。由此，可以提供一种发射所希望的颜色的光的发光器件。例如可以提供一种发射白色光的发光器件。

<<中间层106的结构例子>>

中间层106具有向单元103和单元103(12)中的一个供应电子并向其中另一个供应空穴的功能。例如，可以使用实施方式6所说明的中间层106。

<发光器件150的结构例子2>

本实施方式所说明的发光器件150包括电极101、电极102、单元103、中间层106、单元103(12)、单元103(13)、层105(13)及中间层106(13)(参照图17)。

注意，与参照图16B说明的发光器件150不同，参照图17说明的发光器件150在中间层106与单元103(12)间包括单元103(13)、层105(13)及中间层106(13)。

层111具有发射光EL1的功能，层111(12)具有发射光EL1(2)的功能，层111(13)具有发射光EL1(3)的功能，层111(14)具有发射光EL1(4)的功能。

例如，可以将发射蓝色光的发光材料用于层111及层111(12)。另外，例如，可以将发射黄色光的发光材料用于层111(13)。另外，例如，可以将发射红色光的发光材料用于层111(14)。

例如可以将可用于单元103的结构用于单元103(13)，可以将可用于层105的结构用于层105(13)，可以将可用于中间层106的结构用于中间层106(13)。

<发光器件150的制造方法>

例如，可以通过干法、湿法、蒸镀法、液滴喷射法、涂敷法或印刷法等形成电极101、电极102、单元103、层106及单元103(12)的各层。此外，可以通过不同方法形成各构成要素。

具体而言，可以使用真空蒸镀装置、喷墨装置、旋涂机、涂敷装置、凹版印刷装置、胶版印刷装置、丝网印刷装置等制造发光器件150。

电极例如可以通过利用金属材料的膏剂的湿法或溶胶-凝胶法形成。此外，可以使用相对于氧化铟添加有1wt％以上且20wt％以下的氧化锌的靶材通过溅射法形成氧化铟-氧化锌膜。此外，可以使用相对于氧化铟添加有0.5wt％以上且5wt％以下的氧化钨和0.1wt％以上且1wt％以下的氧化锌的靶材通过溅射法形成包含氧化钨及氧化锌的氧化铟(IWZO)膜。

本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。

(实施方式8)

在本实施方式中，参照图18至图20说明本发明的一个方式的信息处理装置的结构。

图18至图20是说明本发明的一个方式的信息处理装置的结构的图。图18A是信息处理装置的方框图，图18B至图18E是说明信息处理装置的结构的立体图。此外，图19A至图19E是说明信息处理装置的结构的立体图。此外，图20A及图20B是说明信息处理装置的结构的立体图。

<信息处理装置>

在本实施方式中说明的信息处理装置5200B包括运算装置5210及输入/输出装置5220(参照图18A)。

运算装置5210具有被供应操作信息的功能，并具有根据操作信息供应图像信息的功能。

输入/输出装置5220包括显示部5230、输入部5240、检测部5250及通信部5290，并具有供应操作信息的功能及被供应图像信息的功能。此外，输入/输出装置5220具有供应检测信息的功能、供应通信信息的功能及被供应通信信息的功能。

输入部5240具有供应操作信息的功能。例如，输入部5240根据信息处理装置5200B的使用者的操作供应操作信息。

具体而言，可以将键盘、硬件按钮、指向装置、触摸传感器、照度传感器、摄像装置、音频输入装置、视线输入装置、姿态检测装置等用于输入部5240。

显示部5230包括显示面板并具有显示图像信息的功能。例如，可以将在实施方式1中说明的显示面板用于显示部5230。

检测部5250具有供应检测信息的功能。例如，具有使用检测信息处理装置的周围的环境而供应检测信息的功能。

具体地，可以将照度传感器、摄像装置、姿态检测装置、压力传感器、人体感应传感器等用于检测部5250。

通信部5290具有被供应通信信息的功能及供应通信信息的功能。例如，具有以无线通信或有线通信与其他电子设备或通信网连接的功能。具体而言，具有无线局域网通信、电话通信、近距离无线通信等的功能。

<<信息处理装置的结构例子1>>

例如，显示部5230可以具有沿着圆筒状的柱子等的外形(参照图18B)。此外，具有根据使用环境的照度改变显示方法的功能。此外，具有检测人的存在而改变显示内容的功能。因此，例如可以设置在建筑物的柱子上。或者，能够显示广告或指南等。或者，可以用于数字标牌等。

<<信息处理装置的结构例子2>>

例如，具有根据使用者所使用的指示物的轨迹生成图像信息的功能(参照图18C)。具体而言，可以使用对角线的长度为20英寸以上、优选为40英寸以上、更优选为55英寸以上的显示面板。或者，可以将多个显示面板排列而用作一个显示区域。或者，可以将多个显示面板排列而用作多屏幕显示面板。因此，例如可以用于电子黑板、电子留言板、数字标牌等。

<<信息处理装置的结构例子3>>

可以从其他装置接收信息且将其显示在显示部5230上(参照图18D)。此外，可以显示几个选择项。此外，使用者可以从选择项选择几个项且将其回复至该信息的发信者。例如，具有根据使用环境的照度改变显示方法的功能。由此，例如可以降低手表型便携式终端设备的功耗。此外，例如以即使在晴天的户外等外光强的环境下也能够适宜地使用手表型便携式终端设备的方式将图像显示在手表型便携式终端设备上。

<<信息处理装置的结构例子4>>

显示部5230例如具有沿着框体的侧面缓慢地弯曲的曲面(参照图18E)。或者，显示部5230包括显示面板，显示面板例如具有在其前面、侧面、顶面及背面进行显示的功能。由此，例如可以将信息不仅显示于移动电话的前面，而且显示于移动电话的侧面、顶面及背面。

<<信息处理装置的结构例子5>>

例如，可以从因特网接收信息且在显示部5230上显示该信息(参照图19A)。此外，可以在显示部5230上确认所制作的通知。此外，可以将所制作的通知发送到其他装置。此外，例如，具有根据使用环境的照度改变显示方法的功能。由此，可以降低智能手机的功耗。此外，例如以即使在晴天的户外等外光强的环境下也能够适宜地使用智能手机的方式将图像显示在智能手机上。

<<信息处理装置的结构例子6>>

可以将遥控器用作输入部5240(参照图19B)。此外，例如，可以从广播电台或因特网接收信息且将其显示在显示部5230上。此外，可以使用检测部5250拍摄使用者。此外，可以发送使用者的图像。此外，可以取得使用者的收看履历且将其提供给云服务。此外，可以从云服务取得推荐信息且将其显示在显示部5230上。此外，可以根据推荐信息显示节目或动态图像。此外，例如，具有根据使用环境的照度改变显示方法的功能。由此，以即使在晴天射入户内的外光强的环境下也能够适宜地使用电视系统的方式将影像显示在电视系统上。

<<信息处理装置的结构例子7>>

例如，可以从因特网接收教材且将其显示在显示部5230上(参照图19C)。此外，可以使用输入部5240输入报告且将其发送到因特网。此外，可以从云服务取得报告的批改结果或评价且将其显示在显示部5230上。此外，可以根据评价选择适当的教材且进行显示。

例如，可以从其他信息处理装置接收图像信号且将其显示在显示部5230上。此外，可以将显示部5230靠在支架等上且将显示部5230用作副显示器。由此，例如以在晴天的户外等外光强的环境下也能够适宜地使用平板电脑的方式将图像显示在平板电脑上。

<<信息处理装置的结构例子8>>

信息处理装置例如包括多个显示部5230(参照图19D)。例如，可以在显示部5230上显示使用检测部5250进行拍摄的图像。此外，可以在检测部上显示所拍摄的图像。此外，可以使用输入部5240进行所拍摄的图像的修饰。此外，可以对所拍摄的图像添加文字。此外，可以将其发送到因特网。此外，具有根据使用环境的照度改变拍摄条件的功能。由此，例如可以以在晴天的户外等外光强的环境下也能够适宜地看到图像的方式将被摄体显示在数码相机上。

<<信息处理装置的结构例子9>>

例如，可以通过使用其他信息处理装置作为从(slave)且使用本实施方式的信息处理装置作为主(master)控制其他信息处理装置(参照图19E)。此外，例如，可以将图像信息的一部分显示在显示部5230上且将图像信息的其他一部分显示在其他信息处理装置的显示部上。可以供应图像信号。此外，可以使用通信部5290取得从其他信息处理装置的输入部写入的信息。由此，例如，可以使用可携带的个人计算机利用较大的显示区域。

<<信息处理装置的结构例子10>>

信息处理装置例如包括检测加速度或方位的检测部5250(参照图20A)。此外，检测部5250可以供应使用者的位置或使用者朝向的方向的信息。此外，信息处理装置可以根据使用者的位置或使用者朝向的方向生成右眼用图像信息及左眼用图像信息。此外，显示部5230包括右眼用显示区域及左眼用显示区域。由此，例如，可以将能够得到逼真感的虚拟现实空间图像显示在护目镜型信息处理装置。

<<信息处理装置的结构例子11>>

信息处理装置例如包括摄像装置、检测加速度或方位的检测部5250(参照图20B)。此外，检测部5250可以供应使用者的位置或使用者朝向的方向的信息。此外，信息处理装置可以根据使用者的位置或使用者朝向的方向生成图像信息。由此，例如，可以对现实风景添加信息而显示。此外，可以将增强现实空间的图像显示在眼镜型信息处理装置。

本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。

[实施例1]

在本实施例中，参照图21说明所制造的本发明的一个方式的显示面板的结构。

图21A是说明所制造的显示面板的像素的配置的图，图21B是沿着图21A所示的截断线Y3-Y4的截面的透射电子显微镜照片。

<显示面板的结构1>

所制造的显示面板的截面结构与使用图6A及图7说明的显示面板同样。显示面板包括发光器件550B(i，j)、发光器件550G(i，j)、分隔壁528、保护层554B(j)及保护层554G(j)(参照图6、图7及图21B)。

<<发光器件550B(i，j)的结构1>>

发光器件550B(i，j)包括电极551B(i，j)、电极552B(j)、单元103B(j)及层104B(j)，电极552B(j)与电极551B(i，j)重叠。另外，电极551B(i，j)形成在反射膜REFB上(参照图21B)。

单元103B(j)具有夹在电极552B(j)与电极551B(i，j)间的区域。

层104B(j)具有夹在单元103B(j)与电极551B(i，j)之间的区域，层104B(j)包含第一具有空穴传输性的材料及第一具有电子接收性的物质。

保护层554B(j)与电极552B(j)接触，电极552B(j)夹在保护层554B(j)与电极551B(i，j)间。

<<发光器件550G(i，j)的结构1>>

发光器件550G(i，j)包括电极551G(i，j)、电极552G(j)、单元103G(j)及层104G(j)，电极552G(j)与电极551G(i，j)重叠(参照图6A、图7及图21B)。另外，电极551G(i，j)形成在反射膜REFG上(参照图21B)。

单元具有夹在电极552G(j)与电极551G(i，j)间的区域。

层104G(j)具有夹在单元103G(j)与电极551G(i，j)间的区域，层104G(j)包含第一具有空穴传输性的材料及第一具有电子接收性的物质，层104G(j)在与层104B(j)间具有间隙104S(j)。

保护层554G(j)在与保护层554B(j)间具有间隙554S(j)，间隙554S(j)与间隙104S(j)重叠。

另外，保护层554G(j)具有与保护层554B(j)连续的区域554C(j)(参照图21A)。换言之，保护层554G(j)和保护层554B(j)不被间隙554S(j)分离。

在保护层554G(j)与保护层554B(j)具有连续的区域554C(j)的情况下，保护层554B(j)为在设置有间隙554S(j)的保护层中与电极551B(i，j)重叠的区域，保护层554G(j)为在该保护层中与电极551G(i，j)重叠的区域。此外，保护层554G(j)在与保护层554B(j)之间具有间隙554S(j)，并且在俯视图上从电极551G(i，j)向电极551B(i，j)划的直线横跨间隙554S(j)的几率为横跨连续的区域554C(j)的几率以上。

保护层554G(j)与电极552G(j)接触，电极552G(j)夹在保护层554G(j)与电极551G(i，j)间。

分隔壁528具有开口部528B(i，j)及开口部528G(i，j)。开口部528B(i，j)与电极551B(i，j)重叠，开口部528G(i，j)与电极551G(i，j)重叠。

分隔壁528在开口部528B(i，j)与开口部528G(i，j)之间与间隙104S(j)及间隙554S(j)重叠。

<<发光器件550B(i，j)的结构2>>

发光器件550B(i，j)包括单元103B2(j)及中间层106B(j)(参照图6A、图7及图21B)。

单元103B2(j)具有夹在电极552B(j)与单元103B(j)间的区域。

中间层106B(j)具有夹在单元103B2(j)与单元103B(j)间的区域。中间层106B(j)包含第二具有空穴传输性的材料及第二具有电子接收性的物质，中间层106B(j)的电阻率为1×10

<<发光器件550G(i，j)的结构2>>

发光器件550G(i，j)包括单元103G2(j)及中间层106G(j)，单元103G2(j)具有夹在电极552G(j)与单元103G(j)间的区域。

中间层106G(j)具有夹在单元103G2(j)与单元103G(j)间的区域。中间层106G(j)包含第二具有空穴传输性的材料及第二具有电子接收性的物质，中间层106G(j)在与中间层106B(j)间具有间隙106S(j)。

分隔壁528在开口部528B(i，j)与开口部528G(i，j)之间与间隙106S(j)重叠。

<<发光器件550B(i，j)的结构3>>

表1示出发光器件550B(i，j)的结构。此外，以下示出用于在本实施例中说明的发光器件的材料的结构式。注意，为了方便起见，在本实施例的表中下标及上标以标准大小记载。例如，简称中的下标及单位中的上标都在表中以标准大小记载。表中的这些记载可以参照说明书中的记载被变换为本来的记载。

[表1]

[化学式2]

[化学式3]

反射膜REFB包含含有银(Ag)、钯(Pd)及铜(Cu)的合金(简称：APC)。

电极551B(i，j)包含含有硅的氧化铟-氧化锡(简称：ITSO)，其厚度为85nm。

[层104B(j)的结构]

层104B(j)包含N，N-双(4-联苯)-6-苯基苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-8-胺(简称：BBABnf)及氧化钼(简称：MoOx)，其中BBABnf：MoOx＝1：0.5(重量比)且厚度为10nm。

另外，BBABnf是具有空穴传输性的芳香胺化合物。另外，MoOx是具有电子接收性的过渡金属氧化物。

[单元103B2(j)的结构]

单元103B2(j)包括层112B2(j)a、层112B2(j)b、层111B2(j)、层113B2(j)a及层113B2(j)b。

层112B2(j)a包含BBABnf且厚度为10nm。

层112B2(j)b包含3，3’-(萘-1，4-二基)双(9-苯基-9H-咔唑)(简称：PCzN2)且厚度为10nm。

层111B2(j)包含9-(1-萘基)-10-[4-(2-萘基)苯基]蒽(简称：αN-βNPAnth)及3，10-双[N-(9-苯基-9H-咔唑-2-基)-N-苯基氨基]萘并[2，3-b；6，7-b’]双苯并呋喃(简称：3，10PCA2Nbf(IV)-02)，其中αN-βNPAnth：3，10PCA2Nbf(IV)-02＝1：0.015(重量比)且厚度为25nm。

层113B2(j)a包含2-[3’-(二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mDBTBPDBq-II)且厚度为15nm。

层113B2(j)b包含2，9-双(萘-2-基)-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(简称：NBPhen)且厚度为5nm。

[层105B2(j)的结构]

层105B2(j)包含NBPhen及Ag，其中NBPhen：Ag＝1：0.1(重量比)且厚度为5nm。

[层106B(j)的结构]

中间层106B(j)包括层106B1(j)及层106B2(j)。

层106B1(j)包含铜酞菁(简称：CuPc)，其厚度为2nm。

层106B2包含BBABnf及MoOx，其中BBABnf：MoOx＝1：0.5(重量比)且厚度为10nm。

[单元103B(j)的结构]

单元103B(j)包括层112B(j)、层111B(j)、层113B(j)a及层113B(j)b。

层112B(j)包含N-(1，1’-联苯-4-基)-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9，9-二甲基-9H-芴-2-胺(简称：PCBBiF)，其厚度为7.5nm。

层111B(j)包含8-(1，1’-联苯-4-基)-4-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-[1]苯并呋喃并[3，2-d]嘧啶(简称：8BP-4mDBtPBfpm)、9-(2-萘基)-9’-苯基-9H，9’H-3，3’-联咔唑(简称：βNCCP)及双[2-(2-吡啶基-κN2)苯基-κC][2-(5-苯基-2-吡啶基-κN2)苯基-κC]铱(III)(简称：Ir(ppy)2(4dppy))，其中8BP-4mDBtPBfpm：βNCCP：Ir(ppy)2(4dppy)＝0.5：0.5：0.1(重量比)且厚度为40nm。

层113B(j)a包含9，9’-(嘧啶-4，6-二基二-3，1-亚苯)双(9H-咔唑)(简称：4，6mCzP2Pm)，其厚度为25nm。

层113B(j)b包含NBPhen，其厚度为10nm。

[层105B(j)的结构]

层105B(j)包含NBPhen及Ag，其中NBPhen：Ag＝1：0.05(重量比)且厚度为5nm。

[电极552B(j)的结构]

电极552B(j)包括电极552B(j)a及电极552B(j)b。

电极552B(j)a包含Ag及Mg，其中Ag：Mg＝1：0.1(重量比)且厚度为25nm。

电极552B(j)b包含ITO，其厚度为70nm。

[保护层554B(j)的结构]

保护层554B(j)包含氧化铝(简称：AlOx)，其厚度为60nm。

<显示面板的结构2>

另外，所制造的显示面板包括绝缘膜573A。

绝缘膜573A与保护层554B(j)接触，保护层554B(j)具有夹在绝缘膜573A与电极552B(j)间的区域。

另外，绝缘膜573A与保护层554G(j)接触，保护层554G(j)具有夹在绝缘膜573A与电极552G(j)间的区域。

层104B(j)包括侧壁WL1，层104G(j)包括侧壁WL2，侧壁WL2(j)与侧壁WL1相对，侧壁WL2(j)与侧壁WL1间夹持间隙104S(j)。

侧壁WL1及侧壁WL2与绝缘膜573A接触。

[实施例2]

在本实施例中，参照图22说明所制造的本发明的一个方式的显示面板的结构。

图22是说明所制造的显示面板的显示结果的照片。

<显示面板的结构例子>

本实施例所说明的显示面板具有下表所示的规格。

[表2]

示出所制造的功能面板的外观及显示结果(参照图22)。可以显示清晰图像。

[符号说明]

ANO：导电膜、CFB：着色层、CFG：着色层、CFR：着色层、C21：电容器、C22：电容器、FM：异物、G1：导电膜、G2：导电膜、M21：晶体管、N21：节点、N22：节点、REFB：反射膜、REFG：反射膜、S1g：导电膜、S2g：导电膜、SW21：开关、SW22：开关、SW23：开关、VCOM2：导电膜、WL1：侧壁、WL2：侧壁、101：电极、102：电极、103：单元、103B：单元、103B2：单元、103G：单元、103G2：单元、103R：单元、103R2：单元、104：层、104B：层、104G：层、104R：层、104S：间隙、105：层、105S：间隙、105B：层、105B2：层、105G：层、105G2：层、105R：层、105R2：层、106：中间层、106(1)：层、106(2)：层、106B：中间层、106B1：层、106B2：层、106G：中间层、106R：中间层、106S：间隙、111：层、111B：层、111B2：层、111G：层、111R：层、112：层、112B：层、112B2：层、113：层、113B：层、113B2：层、150：发光器件、231：显示区域、501C：绝缘膜、501D：绝缘膜、504：导电膜、506：绝缘膜、508：半导体膜、508A：区域、508B：区域、508C：区域、510：基材、512A：导电膜、512B：导电膜、516：绝缘膜、516A：绝缘膜、516B：绝缘膜、518：绝缘膜、519B：端子、520：功能层、520T：区域、524：导电膜、528：分隔壁、528B：开口部、528G：开口部、550B：发光器件、550G：发光器件、550R：发光器件、551B：电极、551G：电极、551R：电极、551S：间隙、552：电极、552B：电极、552G：电极、552R：电极、573：绝缘膜、554：保护层、554B：保护层、554G：保护层、554R：保护层、554S：间隙、554C：区域、573A：绝缘膜、573B：绝缘膜、591B：开口部、591G：开口部、700：显示面板、705：绝缘膜、770：基材、1032：单元、1052：层、5200B：信息处理装置、5210：运算装置、5220：输入/输出装置、5230：显示部、5240：输入部、5250：检测部、5290：通信部