显示面板和显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板和显示装置。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode)，即有机发光二极管，其自发光原理是用ITO透明电极和金属电极分别作为器件的阳极(Anode)和阴极(Cathode)，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极经移动到有机发光层复合后发出可见光。

对于OLED显示而言，阴极提供了一个共电压，故阴极一般为整面结构，阴极的均一性不好会产生IR drop(电压降)，体现在画面上会出现区域性显示亮度不均的现象，故保证阴极的整面均一性会直接影响到OLED的显示效果。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种显示面板和显示装置，解决现有技术中OLED显示中阴极整面均一性差的问题。

为了解决上述技术问题，本申请提供的第一个技术方案为：提供一种显示面板，其中，包括：

驱动基板；

子像素，包括依次层叠设置于所述驱动基板一侧的阳极、发光层和阴极；

辅助电极，设置于所述驱动基板上，且与所述阳极同层设置；

像素定义层，设置于所述驱动基板的一侧，并覆盖所述辅助电极和所述阳极；

导电隔离结构，正对所述辅助电极设置，且位于所述像素定义层远离所述驱动基板的一侧，并凸出于所述驱动基板以形成用于容纳所述子像素的像素容纳区域；所述导电隔离结构包括主体结构和位于所述主体的上表面且遮挡并部分延伸出所述主体结构的顶部结构；所述主体结构包括导电结构和位于所述顶部结构和所述导电结构之间的中间绝缘结构，且所述导电结构与所述阴极接触设置；

其中，所述导电结构经所述像素定义层与所述辅助电极过孔连接，以使所述阴极通过所述导电结构与所述辅助电极电连接；所述导电结构在所述驱动基板上的正投影覆盖所述辅助电极在所述驱动基板上的正投影。

其中，所述像素定义层远离所述驱动基板一侧的表面具有间隔设置的第一过孔和第二过孔，所述第一过孔在所述辅助电极上的正投影位于所述辅助电极内以使所述辅助电极部分裸露于所述像素定义层；所述第二过孔在所述阴极上的正投影位于所述阳极内以使所述阳极部分裸露于所述像素定义层；所述导电结构经所述第一过孔与所述辅助电极电连接；其中，相邻所述第一过孔和所述第二过孔之间的间距大于5微米。

其中，所述第一过孔边缘到对应所述辅助电极的边缘之间的间距为2～3微米。

其中，所述辅助电极与所述阳极通过同一导电层图案化形成；多个所述辅助电极之间相互连接以形成网状电极，且所述辅助电极位于所述阳极的侧边。

其中，相邻所述阳极和所述辅助电极之间的间距为3～4微米。

其中，所述导电结构包括金属氧化物和过渡金属氧化物中的至少一种。

其中，在垂直于驱动基板的方向上，所述中间绝缘结构的厚度大于或等于所述导电结构的厚度。

其中，所述顶部结构和所述中间绝缘结构均为透明绝缘材料。

其中，所述显示面板还包括包封层，所述包封层覆盖所述子像素，以及覆盖所述导电隔离结构的侧壁和所述导电隔离结构的部分上表面。

为了解决上述技术问题，本申请提供的第二个技术方案为：提供一种显示装置，其中，所述显示装置包括上述的显示面板。

本申请的有益效果：区别于现有技术，本申请提供了一种显示面板和显示装置，显示面板包括驱动基板、子像素、辅助电极、像素定义层和导电隔离结构。子像素包括依次层叠设置于驱动基板一侧的阳极、发光层和阴极。辅助电极设置于驱动基板上，且与阳极同层设置。像素定义层设置于驱动基板的一侧，并覆盖辅助电极和阳极。导电隔离结构正对辅助电极设置，且位于像素定义层远离驱动基板的一侧，并凸出于驱动基板以形成用于容纳子像素的像素容纳区域。导电隔离结构包括主体结构和位于主体的上表面且遮挡并部分延伸出主体结构的顶部结构；主体结构包括导电结构和位于顶部结构和导电结构之间的中间绝缘结构，且导电结构与阴极接触设置。其中，导电结构经像素定义层与辅助电极过孔连接，以使阴极通过导电结构与辅助电极电连接。导电结构在驱动基板上的正投影覆盖辅助电极在驱动基板上的正投影。本申请通过设置与导电隔离结构正对设置的辅助电极，以便于将导电结构经像素定义层与辅助电极过孔连接，并实现阴极、导电结构和辅助电极之间的电连接，从而使辅助电极、导电结构和阴极配合形成整面阴极；进一步地，由于导电结构与辅助电极之间的过孔连接设置，在阴极与导电结构的搭接面积不变的情况下，增加了导电结构的表面和导电结构的厚度，从而减少了导电结构处的电阻，进而减少了相邻阴极之间的连接电阻，进而可有效降低阴极的整面电阻，提升阴极的整面均一性。其次，在顶部结构和导电结构之间设置中间绝缘结构，在保证导电隔离结构的厚度的情况下，可以减小导电结构的厚度，不仅便于阴极与导电结构搭接，还能减小导电结构对子像素的遮光作用。同时，在导电结构的正下方设置辅助电极，且使电结构与辅助电极过孔连接，从而对厚度减薄的导电结构进行厚度补偿，以平衡导电结构的电阻，从而减小相邻子像素的阴极之间的连接电阻，有利于阴极的整面均一性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出任何创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1是本申请提供的显示面板一实施例的结构示意图；

图2是本申请提供的阳极和辅助电极一实施例的俯视结构示意图；

图3是图1中A处的局部放大示意图。

附图标号说明：

驱动基板10、子像素20、阳极21、发光层22、阴极23、辅助电极30、像素定义层40、第一过孔41、第二过孔42、导电隔离结构50、主体结构51、导电结构511、中间绝缘结构512、顶部结构52、像素容纳区域53、包封层60、有机封装层70、间距d1/d2/d3。

具体实施方式

下面结合说明书附图，对本申请实施例的方案进行详细说明。

以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、接口、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请。

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请中的术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。本申请实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

在现有技术中，为了实现OLED的高分辨率和彩色化，更好地解决阴极模板分辨率低和器件成品率低等问题，实际研究中引入了导电隔离结构，即在器件制备中不使用金属掩膜板，而是在蒸镀有机薄膜和金属阴极之前，在基板上制作绝缘的间壁，最终实现将器件的不同像素隔开，实现像素阵列。

导电隔离结构包括与绝缘结构和与阴极搭接的导电结构。阴极要形成整面结构需要借助导电隔离结构中的导电结构进行链接，由于阴极与导电结构实际的搭接面积有限，以及实际像素设计中，像素间的间距较小，导致导电结构的宽度有限，因受限于导电结构的宽度较小且接触电阻较大，导致阴极的整面均一性较差，会造成明显的IR Drop，显示出现亮度不均。

请参阅图1至图3，图1是本申请提供的显示面板一实施例的结构示意图，图2是本申请提供的阳极和辅助电极一实施例的俯视结构示意图，图3是图1中A处的局部放大示意图。

因此，为了解决上述现有技术问题，本申请实施例提供了一种显示面板。如图1所示，显示面板包括驱动基板10、子像素20、辅助电极30、像素定义层40和导电隔离结构50。子像素20包括依次层叠设置于驱动基板10一侧的阳极21、发光层22和阴极23。辅助电极30设置于驱动基板10上，且与阳极21同层设置。像素定义层40设置于驱动基板10的一侧，并覆盖辅助电极30和阳极21。导电隔离结构50正对辅助电极30设置，且位于像素定义层40远离驱动基板10的一侧，并凸出于驱动基板10以形成用于容纳子像素20的像素容纳区域53。导电隔离结构50包括主体结构51和位于主体结构51的上表面且遮挡并部分延伸出主体结构51的顶部结构52。主体结构51包括导电结构511和位于顶部结构52和导电结构511之间的中间绝缘结构512，且导电结构511与阴极23接触设置。其中，导电结构511经像素定义层40与辅助电极30过孔连接，以使阴极23通过导电结构511与辅助电极30电连接。导电结构511在驱动基板10上的正投影覆盖辅助电极30在驱动基板10上的正投影。

本申请通过设置与导电隔离结构50正对设置的辅助电极30，以便于将导电结构511经像素定义层40与辅助电极30过孔连接，并实现阴极23、导电结构511和辅助电极30之间的电连接，从而使辅助电极30、导电结构511和阴极23配合形成整面阴极23；进一步地，由于导电结构511与辅助电极30之间的过孔连接设置，在阴极23与导电结构511的搭接面积不变的情况下，增加了导电结构511的表面和导电结构511的厚度，从而减少了导电结构511处的电阻，进而减少了相邻阴极23之间的连接电阻，进而可有效降低阴极23的整面电阻，提升阴极23的整面均一性。其次，本申请在顶部结构52和导电结构511之间设置中间绝缘结构512，在保证导电隔离结构50的厚度的情况下，可以减小导电结构511的厚度，不仅便于阴极23与导电结构511搭接，还能减小导电结构511对子像素20的遮光作用。同时，在导电结构511的正下方设置辅助电极30，且使电结构511与辅助电极30过孔连接，从而对厚度减薄的导电结构511进行厚度补偿，以平衡导电结构511的电阻，从而减小相邻子像素20的阴极23之间的连接电阻，有利于阴极23的整面均一性。

驱动基板10用于驱动子像素20发光。

子像素20为多个，每个子像素20对应一种颜色像素。此处对子像素20的颜色和排布方式不作限制，根据实际需求进行选择。

需要说明书的是，本申请仅以相邻两个子像素20为例进行说明，本申请的子像素20可以为三个或三个以上。

辅助电极30的材料与阳极21的材料可以相同，也不可以不同，此处对阳极21的材料不作限制，根据实际需求进行选择。

在本实施例中，辅助电极30的材料与阳极21的材料相同。辅助电极30与阳极21通过同一导电层图案化形成，可以简化显示面板的制备工艺。辅助电极30为多个，多个辅助电极30之间相互连接以形成网状电极，且辅助电极30位于阳极21的侧边。也就是说，多个辅助电极30环绕阳极21设置，辅助电极30至少设置于阳极21之间。可以理解为，阳极21设置于网状电极所形成的镂空区域内。

相邻阳极21和辅助电极30之间的间距d3为3～4微米，以避免阳极21与辅助电极30之间接触导通，将阳极21短路影响显示面板的正常显示。

将辅助电极30正对导电隔离结构50设置，且导电结构511在驱动基板10上的正投影覆盖辅助电极30在驱动基板10上的正投影，使得辅助电极30不会额外占用子像素20之间的间距，从而不会增大子像素20的间距，进而不影响子像素20的开口率。其次，阳极21为一个个独立的面状电极，利用阳极21之间的间隙设置辅助电极30，使得多个辅助电极30之间相互连接可以形成网状电极，通过增大辅助电极30的面积，从而增加导电结构511接触辅助电极30的表面，进而减小导电结构511的电阻，以减少整面阴极23的电阻，提升阴极23的均一性。

像素定义层40覆盖阳极21和辅助电极30，且填充阳极21与辅助电极30之间的间隙，进一步隔离阳极21和辅助电极30。像素定义层40远离驱动基板10一侧的表面具有间隔设置的第一过孔41和第二过孔42，第一过孔41在辅助电极30上的正投影位于辅助电极30内以使辅助电极30部分裸露于像素定义层40。第二过孔42在阴极23上的正投影位于阳极21内以使阳极21部分裸露于像素定义层40。导电结构511经第一过孔41与辅助电极30电连接。其中，相邻第一过孔41和第二过孔42之间的间距d1大于5微米。

第一过孔41在辅助电极30上的正投影位于辅助电极30内以使辅助电极30部分裸露于像素定义层40，可以理解为，第一过孔41在辅助电极30上的正投影面积小于辅助电极30的面积，且第一过孔41在靠近辅助电极30一侧的端部不超出辅助电极30边缘，以避免在垂直于驱动基板10的方向上，第一过孔41与辅助电极30错位设置而导致第一过孔41占用阳极21与辅助电极30之间的间隙，从而导致第一过孔41与阳极21接触而将导电结构511与阳极21导通使阳极21短路。进一步地，相邻第一过孔41和第二过孔42之间的间距d1大于5微米，以保证第一过孔41和第二过孔42之间的像素定义层40的绝缘作用和支撑强度。同理，可以理解为，第二过孔42在阳极21上的正投影面积小于阳极21的面积，且第二过孔42在靠近阳极21一侧的端部不超出阳极21边缘，以避免在垂直于驱动基板10的方向上，第二过孔42与阳极21错位设置而导致第二过孔42占用阳极21与辅助电极30之间的间隙，从而无法使第一过孔41和第二过孔42之间具有足够的距离来保证像素定义层40的绝缘作用和支撑强度。

进一步地，第一过孔41边缘到对应辅助电极30的边缘之间的间距d2为2～3微米。也就是说，第一过孔41边缘到与该第一过孔41接触设置的辅助电极30的边缘之间的间距d2为2～3微米，该间距设计考虑到工艺制作的膜层偏差，以保证在制备第一过孔41时，避免第一过孔41与辅助电极30在垂直于驱动基板10的方向上错位设置导致阳极21短路。

导电隔离结构50用于隔离子像素20。导电隔离结构50为多个。导电结构511包括金属氧化物和过渡金属氧化物中的至少一种。相邻两个导电隔离结构50共享同一导电隔离结构50的一侧边，以保证子像素20之间的间距均相等，从而不影响显示面板的开口率。

在本实施例中，导电隔离结构50为矩形环状结构。子像素成矩阵排列，在子像素20的行方向或列方向上，相邻两个导电隔离结构50共享同一导电隔离结构50的一侧边。

一个导电隔离结构50围设形成一个像素容纳区域53。一个像素容纳区域53容纳至少一个子像素20。

在一实施例中，像素容纳区域53容纳多个子像素20时，位于同一像素容纳区域53内的多个子像素20的颜色均相等，以避免不同颜色的子像素20间的像素串扰。位于同一像素容纳区域53内的多个子像素20沿导电隔离结构50的长边方向排列。

本实施例中，像素容纳区域53容纳一个子像素20。

顶部结构52位于主体结构51的上表面且遮挡并延伸出主体结构51，可以理解为，顶部结构52与主体结构51接触设置，且顶部结构52在驱动基板10上的正投影完全覆盖主体结构51在驱动基板10上的正投影。顶部结构52在驱动基板10上的正投影面积大于主体结构51在驱动基板10上的正投影面积，也就是说，部分顶部结构52延伸出主体结构51悬空设置。在蒸发沉积发光层22和阴极23时，可通过悬空设置的部分顶部结构52的边缘改变蒸发角度以使阴极23覆盖有机发光层22，有利于阴极23与导电结构511接触设置并导通。

在本实施例中，中间绝缘结构512的侧壁与顶部结构52的悬空部分倾斜设置，且中间绝缘结构512的侧壁与顶部结构52的悬空部分的下表面的倾斜角小于90度。也就是说，在垂直于驱动基板10的方向上，中间绝缘结构512的侧壁的纵截面为梯形，且中间绝缘结构512的侧壁的横截面在靠近顶部结构52的方向上逐渐减小。

应当可以理解，中间绝缘结构512还可以是其他结构，只需保证顶部结构52遮挡主体结构51，且部分顶部结构52相对于主体结构51悬空设置即可。

导电结构511远离驱动基板10的一侧表面高于阴极23远离驱动基板10一侧的表面，以便于阴极23与导电结构511搭接，从而增加阴极23与导电结构511的侧壁的接触面，保证阴极23与导电结构511的良性连接。

进一步地，在本实施例中，在垂直于驱动基板10的方向上，中间绝缘结构512的厚度大于或等于导电结构511的厚度，以避免导电结构511的厚度过高会影响导电结构511与阴极23的良好搭接以及遮挡子像素20发出的光。顶部结构52和中间绝缘结构512均为透明绝缘材料，使得子像素20发出的光可以穿过顶部结构52和中间绝缘结构512，进一步提升了子像素20发出的光的利用率，有利于提升显示面板的亮度。

在导电隔离结构50的厚度不变的情况下，在主体结构51中设置中间绝缘结构512，可以减薄导电结构511的厚度，使得导电结构511略高于阴极23即可，既能保证阴极23与导电结构511的良好搭接，还能避免导电结构511过多的遮挡子像素20发出的光，有利于提升子像素20发出的光的利用率。

中间绝缘结构512和顶部结构52的材料可以相同，也可以不同，此处不作限制，根据实际需求进行选择。

需要说明的是，导电结构511的厚度减薄会增加导电结构511的电阻，从而增加相邻子像素20的阴极23之间的连接电阻，不利于阴极23的整面均一性。因此，本申请在导电结构511的正下方设置辅助电极30，且使电结构511与辅助电极30过孔连接，从而对厚度减薄的导电结构511进行厚度补偿，以平衡导电结构511的电阻，从而减小相邻子像素20的阴极23之间的连接电阻，有利于阴极23的整面均一性。

显示面板还包括包封层60，包封层60覆盖子像素20，以及覆盖导电隔离结构50的侧壁和导电隔离结构50的部分上表面。包封层60用于在制备显示面板的过程对子像素20进行抗刻蚀保护。包封层60包括非导电无机材料。具体地，包封层60包括含硅的无机材料，例如SiNx类无机材料，x为非零自然数。

应当可以理解，阴极23和发光层22在蒸镀沉积于阳极21的上表面的过程中，会导致部分发光层22和部分阴极23依次层叠于顶部绝缘结构522的侧壁，以及依次层叠于顶部绝缘结构522的上表面。

包封层60覆盖导电隔离结构50的部分上表面的同时会覆盖位于顶部绝缘结构522的上表面的阴极23和顶部绝缘结构522的侧壁的阴极23，进而也会覆盖位于顶部绝缘结构522的上表面的发光层22和顶部绝缘结构522的侧壁的发光层22。

显示面板还包括有机封装层70，有机封装层70覆盖包封层60和导电隔离结构50。有机封装层70远离驱动基板10的一侧平坦化，以保证其他封装层的镀膜均匀性，达到整体的封装需求。有机封装层70包括有机亚克力材料。应当可以理解，有机封装层70也可以是其他材料，此处不作限制，根据实际需求进行选择。

本申请提供一种显示装置，显示装置包括上述的显示面板。

以上仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利保护范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。