一种目标芯片基于温度的控制方法、系统及存储介质
文献发布时间:2024-04-18 19:58:21
技术领域
本申请涉及电子器件领域,具体而言,涉及一种目标芯片基于温度的控制方法、系统及存储介质。
背景技术
现有电源管理类及LED驱动控制应用系统中的功率芯片在温度保护方面大多只有OTP(Over Temperature Protection)功能,当功率芯片的芯片结温达到设定阈值(大多设定为150℃)时,OTP功能启动,将功率芯片(Slave IC)进行关闭处理(shut down),此种突然关闭IC的处理方式会影响系统功能,影响客户使用感受。
因此,本领域技术人员开始关注如何在进行过温保护的同时,尽量减小对系统功能的影响,避免影响客户的使用感受。
发明内容
本申请的目的在于提供一种目标芯片基于温度的控制方法、系统及存储介质,以改善上述问题。
为了实现上述目的,本申请实施例采用的技术方案如下:
第一方面,本申请实施例提供一种目标芯片基于温度的控制方法,应用于上位机,所述上位机与至少一个目标芯片连接,每一个所述目标芯片包括至少一个通道,每一个所述通道与至少一个执行单元连接,所述方法包括:
接收第一目标芯片上传的当前芯片结温;
其中,所述第一目标芯片为任一个所述目标芯片;
执行预设控制策略,基于所述第一目标芯片的当前芯片结温控制所有的目标芯片。
第二方面,本申请实施例提供一种目标芯片基于温度的控制系统,所述目标芯片基于温度的控制系统包括上位机和至少一个目标芯片所述上位机与至少一个目标芯片连接,每一个所述目标芯片包括至少一个通道,每一个所述通道与至少一个执行单元连接;
第一目标芯片用于在监测到当前芯片结温时,向所述上位机上传所述当前芯片结温;
其中,所述第一目标芯片为任一个所述目标芯片;
所述上位机用于接收所述第一目标芯片上传的当前芯片结温;执行预设控制策略,基于所述第一目标芯片的当前芯片结温控制所有的目标芯片。
第三方面,本申请实施例提供一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,该计算机程序被处理器执行时实现上述的方法。
相对于现有技术,本申请实施例所提供的一种目标芯片基于温度的控制方法、系统及存储介质,目标芯片基于温度的控制方法,应用于上位机,上位机与至少一个目标芯片连接,每一个目标芯片包括至少一个通道,每一个通道与至少一个执行单元连接,方法包括:接收第一目标芯片上传的当前芯片结温;其中,第一目标芯片为任一个目标芯片;执行预设控制策略,基于第一目标芯片的当前芯片结温控制所有的目标芯片。上位机不单可以对第一目标芯片进行控制,还可以同步对所有的目标芯片的进行控制,在对目标芯片进行保护的同时,尽量降低对系统功能的影响,避免影响客户的使用感受。
为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附附图,作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本申请的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它相关的附图。
图1为本申请实施例提供的目标芯片基于温度的控制系统的模块示意图;
图2为本申请实施例提供的一种LCD显示系统的结构示意图;
图3为本申请实施例提供的一种MiniLED灯板的结构示意图;
图4为本申请实施例提供的一种显示画面示意图;
图5为本申请实施例提供的目标芯片基于温度的控制方法的流程示意图之一;
图6为本申请实施例提供的目标芯片基于温度的控制方法的流程示意图之二;
图7为本申请实施例提供的目标芯片基于温度的控制方法的流程示意图之三。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此,以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围,而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时,在本申请的描述中,术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
在本申请的描述中,需要说明的是,术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
在本申请的描述中,还需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“设置”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
下面结合附图,对本申请的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下,下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
当功率芯片的芯片结温达到设定阈值(大多设定为150℃)时,OTP功能启动,将功率芯片(Slave IC)进行关闭处理(shut down),此种突然关闭IC的处理方式会影响系统功能,影响客户使用感受。例如,在显示系统中功率芯片(Slave IC)突然关闭会造成显示明暗不均或黑屏,在电机系统中功率芯片(Slave IC)突然关闭会造成电机突然停机。
为了在进行过温保护的同时,尽量减小对系统功能的影响,避免影响客户的使用感受,本申请实施例提供了一种目标芯片基于温度的控制系统,请参考图1,图1为本申请实施例提供的目标芯片基于温度的控制系统的模块示意图。如图1所示,目标芯片基于温度的控制系统包括上位机和至少一个目标芯片。目标芯片可以但不限定为功率芯片。上位机与至少一个目标芯片连接。图1中示出的目标芯片的数量为3,但并不以此作为限定,目标芯片的数量还可以为1、2以及大于3,在此不做限定。
在一种可选的实施方式中,第一目标芯片用于在监测到当前芯片结温时,向上位机上传当前芯片结温;其中,第一目标芯片为任一个目标芯片。
上位机用于接收第一目标芯片上传的当前芯片结温;执行预设控制策略,基于第一目标芯片的当前芯片结温控制所有的目标芯片。
可选地,预设控制策略为第一控制策略、第二控制策略以及第三控制策略中的任意一种。
第一控制策略表征基于第一目标芯片的当前芯片结温和对应的温度变化速度,对所有的目标芯片的输出电流进行同步控制;
第二控制策略表征基于第一目标芯片的当前芯片结温,对所有的目标芯片的输出电流进行同步控制;
第三控制策略表征基于第一目标芯片的当前芯片结温和对应的温度变化速度,对第一目标芯片的目标通道的输出电流进行同步控制,其中,目标通道为第一目标芯片中当前输出电流最大的一个或多个通道。
上位机可以是通用处理器,包括中央处理器(Central Processing Unit,简称CPU)、网络处理器(Network Processor,简称NP)等;还可以是数字信号处理器(DigitalSignal Processor,简称DSP)、专用集成电路(Application Specific IntegratedCircuit ,简称ASIC)、现场可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array,简称FPGA)、屏驱动板(又称为中心控制板,简称TCON)、微控制单元(Microcontroller Unit;简称MCU)、系统级芯片(System on Chip,简称SOC)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。
在一种可选的实施方式中,目标芯片(Slave IC)通过I2C、SPI或one-wire等方式与上位机进行实时通信。
请继续参考图1,每一个目标芯片包括至少一个通道(又称为channel),每一个通道与至少一个执行单元连接。目标芯片的每一个通道可以单独作为一个分区,当目标芯片为LED驱动芯片时,该分区又称为LED Zone。图1中示出的通道数量为2,但并不以此作为限定,通道的数量还可以为1或大于2,在此不做限定,同理也没有对通道上的执行单元的数量进行限定。
在一种可选的实施方式中,目标芯片和对应的执行单元可以分开独立设置,也可以集成在一起,在此不做限定。
在一种可选的实施方式中,执行单元为LED发光体(又称为LED Lighter)或马达电机。目标芯片(Slave IC)可以为LED驱动芯片(LED Driver)或电机驱动芯片(MotorDriver)。目标芯片(Slave IC)还可以为电源管理集成电路 (Power Management IC,简称PMIC)、电平转换芯片(Level Shift)以及金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor, MOSFET)中的任意一种。
在一种可选的实施方式中,目标芯片(Slave IC)内设置有温度侦测模块,温度侦测模块用于对目标芯片(Slave IC)的芯片结温进行侦测。目标芯片(Slave IC)在获取到其芯片结温后,可以将侦测到的芯片结温实时上传给上位机,上位机可以基于接收到的芯片结温对目标芯片(Slave IC)进行控制管理,例如控制目标芯片(Slave IC)的输出功率或输出电流大小。
在一种可选的实施方式中,目标芯片基于温度的控制系统配置有两种功能,分别为A-OTP(Advanced Over Temperature Protection)功能 和HTWRC(High TemperatureWarning Report&Control)功能,可通过上位机对A-OTP和HTWRC功能进行灵活控制,能够更好地保护芯片,同时给客户带来更好的使用感受。
可选地,A-OTP功能是指,当目标芯片(Slave IC)的芯片结温达到A-OTP设定阈值(例如下文中的监测温度点)时,目标芯片(Slave IC)可以执行过温保护策略,降低输出功率进行降温或者直接关闭(shutdown),以对目标芯片(Slave IC)进行过温保护。但上位机基于系统整体效果可以向目标芯片发送无效指令,以使第一目标芯片撤销执行过温保护策略,即将A-OTP的动作无效(disable),目标芯片(Slave IC)服从上位机继续工作。
可选地,A-OTP设定阈值可以由用户提前设定,例如通过外部硬件或上位机进行设定。
可选地,HTWRC功能是指,当目标芯片(Slave IC)侦测到芯片结温大于或等于高温预警档位(例如下文中的监测温度点,可由上位机设定)时,会向上位机发出高温预警报告,高温预警报告包括侦测到的当前芯片结温。可选地,监测温度点的数量可以是一个或多个,例如下文中设置N个监测温度点。上位机通过分析高温预警报告的阈值和间隔时间等信息,通过相应算法来实时控制目标芯片(Slave IC)。
在一种可选的实施方式中,高温预警档位包括N个监测温度点,N个监测温度点对应的温度数值依次增大。例如,N个监测温度点分别为第1监测温度点(Alarm1)、第2监测温度点(Alarm2)……第N监测温度点(AlarmN)。当目标芯片(Slave IC)侦测到芯片结温大于或等于Alarm1时,目标芯片(Slave IC)会向上位机发出第1次高温预警报告,第1次高温预警报告包括目标芯片(Slave IC)侦测到的当前芯片结温(Alarm1),当目标芯片(Slave IC)的芯片结温上升预定涨幅(又称为Alarm Step)时,目标芯片(Slave IC)侦测到芯片结温大于或等于Alarm2,目标芯片(Slave IC)会向上位机发出第2次高温预警报告,第2次高温预警报告包括目标芯片(Slave IC)侦测到的当前芯片结温(Alarm2)。依次类推,当目标芯片(Slave IC)侦测到芯片结温大于或等于AlarmN,目标芯片(Slave IC)会向上位机发出第N次高温预警报告,第N次高温预警报告包括目标芯片(Slave IC)侦测到的当前芯片结温(AlarmN)。
需要说明的是,在一种可能的场景下,当目标芯片(Slave IC)的芯片结温下降预定涨幅(又称为Alarm Step)时,例如目标芯片(Slave IC)侦测到芯片结温由Alarm2降低到Alarm1,或者由Alarm3降低到Alarm2等等时,目标芯片(Slave IC)会向上位机发出高温预警报告,包括其当前对应的芯片结温。
上位机通过分析高温预警报告的阈值和间隔时间等信息,可以获取目标芯片(Slave IC)的芯片结温的温度变化速度,也称为结温上升趋势,进而通过相应算法来实时控制目标芯片(Slave IC),在进行过温保护的同时,尽量减小对系统功能的影响,避免影响客户的使用感受。
在一种可选的实施方式中,上位机可以按照预设周期查询各个目标芯片的当前芯片结温,或者由各个目标芯片按照预设周期实时上报其对应的当前芯片结温。上位机可以基于芯片结温信息,获取目标芯片(Slave IC)的芯片结温的温度变化速度。
在一种可选的实施方式中,用户可以通过上位机设置目标芯片(Slave IC)的状态,包括第一状态、第二状态以及第三状态,其中,第一状态是指A-OTP功能Disable状态,此时目标芯片基于温度的控制系统不会执行A-OTP功能,仅执行HTWRC功能,第二状态是指A-OTP功能Enable状态,此时目标芯片基于温度的控制系统不会执行HTWRC功能,仅执行A-OTP功能;第三状态是指并行同步执行A-OTP功能和HTWRC功能,但上位机基于系统整体效果可以向目标芯片发送无效指令,以使第一目标芯片撤销执行过温保护策略,即将A-OTP的动作无效(disable),目标芯片(Slave IC)服从上位机继续工作。
可选地,当目标芯片(Slave IC)处于第一状态时,需要向上位机反馈高温预警报告,或直接反馈侦测到的芯片结温,当目标芯片(Slave IC)处于第二状态,不会执行HTWRC功能时,不需要向上位机反馈高温预警报告和侦测到的芯片结温,当目标芯片(Slave IC)处于第三状态,同步A-OTP功能和HTWRC功能时,需要向上位机反馈高温预警报告,或直接反馈侦测到的芯片结温。
请参考图2,图2为本申请实施例提供的一种LCD显示系统的结构示意图。图2示出的LCD显示系统中,目标芯片(Slave IC)为单颗LED驱动芯片(LED Driver),执行单元为LED发光体(又称为LED Lighter)。该目标芯片(Slave IC)设置有6个通道(channel),每一个通道上设置有9颗LED发光体(又称为LED Lighter),图中的LED发光体组成了一个6串9并的背光灯板,LED驱动芯片(LED Driver)的最大输出电流为20mA,即背光达到最大亮度时,LEDDriver输出电流为20mA。
如图2所示,LED驱动芯片与上位机通信连接。上位机可以设置LED驱动芯片的状态。例如,当上位机将LED驱动芯片设置为第二状态,LED驱动芯片的A-OTP功能Enable状态,此时LED驱动芯片的控制系统不会执行HTWRC功能,仅执行A-OTP功能。例如,当A-OTP设定阈值(某一个监测温度点)被设定为120℃,若LED驱动芯片的芯片结温达到120℃时,LED驱动芯片的输出电流为19.5mA,但其芯片结温已经触发A-OTP功能,LED驱动芯片需要降低输出功率,从而达到降温的目的,可能地,LED驱动芯片的输出电流直接降低到17mA,此时LCD显示系统的画面会突然变暗,给使用者带来不舒适的感官感受。
当上位机将LED驱动芯片设置为第一状态时,LED驱动芯片的A-OTP功能Disable状态,此时LED驱动芯片的控制系统不会执行A-OTP功能,仅执行HTWRC功能,可以执行下文中的第三控制策略,在需要降低LED驱动芯片的输出电流时,缓慢降低可避免背光亮度突然降低带来的画面突然变暗的情况,给客户带来更好的使用感受。
请参考图3,图3为本申请实施例提供的一种MiniLED灯板的结构示意图。如图3示出了一种使用800分区的阵列式MiniLED 灯板,每一个通道(LED Zone)设置有4颗LED发光体(又称为LED Lighter,也称为LED灯),即每个LED驱动芯片控制4颗LED灯。LED驱动芯片(LED Driver)通过串并联的方式与上位机通信连接,初始设定的LED驱动芯片最大输出电流为10mA,即LED灯达到最大亮度时,LED Driver输出电流为10mA。
请参考图4,图4为本申请实施例提供的一种显示画面示意图。当MiniLED灯板显示画面如图4所示,画面中上部分为明亮的太阳,太阳对应区域亮度最大,画面右下部分阴影区域亮度最低。图4中将太阳所在区域对应的背光灯板上的LED分区称为zone1,将右下部分阴影区域对应的背光灯板上的LED分区称为zone2。如前述,图4所示的画面下,zone1分区的LED驱动芯片(LED Driver)输出电流最大,zone2分区的LED驱动芯片(LED Driver)输出电流最小。若长时间显示此画面,zone1分区的LED驱动芯片(LED Driver)的芯片结温必然会比zone2分区的LED驱动芯片(LED Driver)的芯片结温高很多,可能会出现zone1分区的LED驱动芯片(LED Driver)触发OTP或A-OTP,进而导致LED驱动芯片(LED Driver)关闭(shutdown),其对应的显示区域突然变暗,用户难以区分各个区域的显示对象,给客户带来较差的感官感受。
为了避免上述情况的发生,提升客户使用感受,使用本申请提供的目标芯片基于温度的控制系统来进行全局控制,将LED驱动芯片(LED Driver)A-OTP功能设定为Disable,不会执行A-OTP功能,仅执行HTWRC功能;或者,将LED驱动芯片(LED Driver)A-OTP功能设定为Enable状态,并行同步执行A-OTP功能和HTWRC功能,但上位机基于系统整体效果可以向目标芯片发送无效指令,以使第一目标芯片撤销执行过温保护策略,即将A-OTP的动作无效(disable),目标芯片(Slave IC)服从上位机继续工作,进而执行下文中的第一控制策略、第二控制策略以及第三控制策略中的任意一种,以避免影响系统功能,改善客户的使用体验。
需要说明的是,本实施例所提供的目标芯片基于温度的控制系统,其可以执行下文中方法流程实施例所示的方法流程,以实现对应的技术效果。为简要描述,本实施例部分未提及之处,可参考上述的实施例中相应内容。
本申请实施例还提供了一种目标芯片基于温度的控制方法,应用于目标芯片基于温度的控制系统中的上位机,具体的流程,请参考图5,目标芯片基于温度的控制方法包括:S101和S105,具体阐述如下。
S101,接收第一目标芯片上传的当前芯片结温。
其中,第一目标芯片为任一个目标芯片。
可选地,通过高温预警报告的方式向上位机上传第一目标芯片的当前芯片结温。
S105,执行预设控制策略,基于第一目标芯片的当前芯片结温控制所有的目标芯片。
可选地,步骤S105中所有的目标芯片是指目标芯片基于温度的控制系统中与上位机通信连接,且与第一目标芯片类型相同的所有的目标芯片,也包括第一目标芯片。
需要说明的是,上位机不单可以对第一目标芯片进行控制,还可以同步对所有的目标芯片的进行控制,在对目标芯片进行保护的同时,尽量降低对系统功能的影响,避免影响客户的使用感受。
在一种可选的实施方式中,预设控制策略为第一控制策略、第二控制策略以及第三控制策略中的任意一种。
第一控制策略表征基于第一目标芯片的当前芯片结温和对应的温度变化速度,对所有的目标芯片的输出电流进行同步控制。
可选地,对所有的目标芯片的输出电流进行同步控制是指,对每一个目标芯片的各个通道的输出电流进行同步控制。
第二控制策略表征基于第一目标芯片的当前芯片结温,对所有的目标芯片的输出电流进行同步控制。
第三控制策略表征基于第一目标芯片的当前芯片结温和对应的温度变化速度,对第一目标芯片的目标通道的输出电流进行同步控制,其中,目标通道为第一目标芯片中当前输出电流最大的一个或多个通道。
可选地,其他的目标芯片为控制系统中与上位机通信连接,且与第一目标芯片类型相同的,除第一目标芯片以外所有的目标芯片。
可选地,当预设控制策略为第一控制策略时,执行预设控制策略,即为执行第一控制策略。在此基础上,对于S105中的内容本申请实施例还提供了一种可选的实施方式,请参考下文,S105,执行预设控制策略,基于第一目标芯片的当前芯片结温控制所有的目标芯片的步骤,包括:S105-1、S105-2、S105-3以及S105-4,具体阐述如下。
S105-1,当第一目标芯片的当前芯片结温达到第i监测温度点时,获取第一目标芯片在第i-1监测温度点到第i监测温度点之间的温度变化速度,其中,2≤i 在本申请方案中设置有N个监测温度点,分阶段分档位进行温度监测,预留充足的降温时间,更好地完成芯片保护。在当前芯片结温达到第i监测温度点,可能本身还不足以危害第一目标芯片,如果直接降低目标芯片的输出电流,可能出现过度保护,影响用户的使用体验。所以,在设置有N个监测温度点的情况下,当第一目标芯片的当前芯片结温达到第i监测温度点时,需要获取第一目标芯片在第i-1监测温度点到第i监测温度点之间的温度变化速度,进一步结合温度变化速度确定是否可能危害第一目标芯片。 可选地,基于第一目标芯片的芯片结温到达第i-1监测温度点到第i监测温度点的时间间隔确定第一目标芯片在第i-1监测温度点到第i监测温度点之间的温度变化速度。 S105-2,若第一目标芯片的温度变化速度小于预设速度阈值时,暂时不做处理。 需要说明的是,当温度变化速度小于预设速度阈值时,说明芯片结温的变化速度较低,上升趋势不明显,此时不足以危害第一目标芯片,所以暂时不做处理。 可选地,预设速度阈值为20℃/min,预设速度阈值可以由上位机灵活设定。 S105-3,若第一目标芯片的温度变化速度大于或等于预设速度阈值时,控制所有的目标芯片的输出电流在第一预设时间长度内降低第一预设幅度。 需要说明的是,当温度变化速度大于或等于预设速度阈值时,说明芯片结温的变化速度较高,上升趋势明显,可能会危害第一目标芯片。需要提前进行降低功率处理,具体地,可以是降低所有的目标芯片的输出电流。当执行单元为LED发光体时,通过同步控制所有的目标芯片的输出电流进行降低,可以避免出现明暗不均或突然黑屏的情况出现,避免出现用户难以区分各个区域的显示对象的情况,可以改善用户的使用体验。 当执行单元为马达电机,马达电机设置于安全按摩椅内时,通过同步控制所有的目标芯片的输出电流进行降低,可以避免部分马达电机停止工作,按摩力道不均匀,影响用户体验的情况出现。 可选地,在第一预设时间长度内所有的目标芯片的输出电流降低,降低的总幅度为第一预设幅度。 可选地,第一预设时间长度为1min,第一预设幅度为10%,第一预设时间长度和第一预设幅度可以由上位机灵活设定。 在一种可选的实施方式中,不同的目标芯片对应的第一预设时间长度和/或第一预设幅度不同。例如,目标芯片对应的第一预设时间长度随该目标芯片与第一目标芯片的距离变化,距离越长,第一预设时间长度越长。目标芯片对应的第一预设幅度随该目标芯片与第一目标芯片的距离变化,距离越长,第一预设幅度越小。 S105-4,当第一目标芯片的当前芯片结温达到第N监测温度点时,控制所有的目标芯片的输出电流在第二预设时间长度内降低第二预设幅度。 需要说明的是,当第一目标芯片的芯片结温从第1监测温度点上升到第N-1监测温度点过中,任意升温阶段内(一个升温阶段表示从第i-1监测温度点到第i监测温度点的阶段),第一目标芯片的温度变化速度小于预设速度阈值,在暂时不做处理的情况下,第一目标芯片的芯片结温可能会持续上升,直至第一目标芯片的芯片结温上升到第N监测温度点。或者,在一个或多个升温阶段内,第一目标芯片的温度变化速度大于或等于预设速度阈值,控制所有的目标芯片的输出电流在第一预设时间长度内降低第一预设幅度,但是没有有效控制到芯片结温上升,第一目标芯片的芯片结温可能会持续上升,直至第一目标芯片的芯片结温上升到第N监测温度点。 当第一目标芯片的当前芯片结温达到第N监测温度点时,需要进一步进行过温保护,控制所有的目标芯片的输出电流在第二预设时间长度内降低第二预设幅度。 可选地,在第二预设时间长度内所有的目标芯片的输出电流降低,降低的总幅度为第二预设幅度。避免芯片结温过高,既能有效保护第一目标芯片,当执行单元为LED发光体时,还可以避免背光亮度突然降低带来的画面突然变暗的情况,给客户带来更好的使用感受,当执行单元为马达电机时,还可以避免部分马达电机停止工作,按摩力道不均匀,影响用户体验的情况出现。 需要说明的是,在本申请方案中,当执行单元为LED发光体时,可以控制输出电流按log降低,以使其更符合视觉效果。 例如,第二预设时间长度为30s,第二预设幅度为20%,第二预设时间长度和第二预设幅度可以由上位机灵活设定。 在一种可选的实施方式中,不同的目标芯片对应的第二预设时间长度和/或第二预设幅度不同。例如,目标芯片对应的第二预设时间长度随该目标芯片与第一目标芯片的距离变化,距离越长,第二预设时间长度越长。目标芯片对应的第二预设幅度随该目标芯片与第一目标芯片的距离变化,距离越长,第二预设幅度越小。 可选地,当预设控制策略为第二控制策略时,执行预设控制策略,即为执行第二控制策略。在此基础上,对于S105中的内容本申请实施例还提供了一种可选的实施方式,请参考下文,S105,执行预设控制策略,基于第一目标芯片的当前芯片结温控制所有的目标芯片的步骤,包括:S105-5,具体阐述如下。 S105-5,当第一目标芯片的当前芯片结温达到第i监测温度点时,控制所有的目标芯片的输出电流在第三预设时间长度内降低第三预设幅度,其中,1≤i≤N,N表示监测温度点的总数。 例如,第三预设时间长度为10s,第三预设幅度为3%,第三预设时间长度和第三预设幅度可以由上位机灵活设定。 在一种可选的实施方式中,第i监测温度点对应的第三预设幅度小于第i+1监测温度点对应的第三预设幅度,从而尽可能抑制第一目标芯片的温度持续升高,起到保护作用。 在一种可选的实施方式中,不同的目标芯片对应的第三预设时间长度和/或第三预设幅度不同。例如,目标芯片对应的第三预设时间长度随该目标芯片与第一目标芯片的距离变化,距离越长,第三预设时间长度越长。目标芯片对应的第三预设幅度随该目标芯片与第一目标芯片的距离变化,距离越长,第三预设幅度越小。 可选地,在第三预设时间长度内所有的目标芯片的输出电流降低,降低的总幅度为第三预设幅度。当执行单元为LED发光体时,通过同步控制所有的目标芯片的输出电流进行降低,可以避免出现明暗不均或突然黑屏的情况出现,避免出现用户难以区分各个区域的显示对象的情况,可以改善用户的使用体验。当执行单元为马达电机,马达电机设置于安全按摩椅内时,通过同步控制所有的目标芯片的输出电流进行降低,可以避免部分马达电机停止工作,按摩力道不均匀,影响用户体验的情况出现。 并且通过在芯片结温每到达一个监测温度点时,均降低输出电流的方式,避免在环境过热,散热不佳的情况下,其他的目标芯片收到第一目标芯片的影响,导致整体的芯片结温快速升高的情况出现。 可选地,当预设控制策略为第三控制策略时,执行预设控制策略,即为执行第三控制策略。在此基础上,对于S105中的内容本申请实施例还提供了一种可选的实施方式,请参考下文,S105,执行预设控制策略,基于第一目标芯片的当前芯片结温控制所有的目标芯片的步骤,包括:S105-6、S105-7、S105-8以及S105-9,具体阐述如下。 S105-6,当第一目标芯片的当前芯片结温达到第i监测温度点时,获取第一目标芯片在第i-1监测温度点到第i监测温度点之间的温度变化速度,其中,2≤i 可选地,在设置有N个监测温度点的情况下,当第一目标芯片的当前芯片结温达到第i监测温度点时,需要获取第一目标芯片在第i-1监测温度点到第i监测温度点之间的温度变化速度,进一步结合温度变化速度确定是否可能危害第一目标芯片。可选地,基于第一目标芯片的芯片结温到达第i-1监测温度点到第i监测温度点的时间间隔确定第一目标芯片在第i-1监测温度点到第i监测温度点之间的温度变化速度。 S105-7,若第一目标芯片的温度变化速度小于预设速度阈值时,暂时不做处理。 需要说明的是,当温度变化速度小于预设速度阈值时,说明芯片结温的变化速度较低,上升趋势不明显,此时不足以危害第一目标芯片,所以暂时不做处理变。 S105-8,若第一目标芯片的温度变化速度大于或等于预设速度阈值时,控制目标通道的输出电流在第四预设时间长度内降低第四预设幅度。 需要说明的是,当温度变化速度大于或等于预设速度阈值时,说明芯片结温的变化速度较高,上升趋势明显,可能会危害第一目标芯片。需要提前进行降低功率处理,具体地,可以是降低目标通道的输出电流。 可选地,在第四预设时间长度内目标通道的输出电流降低,降低的总幅度为第四预设幅度。 可选地,第四预设时间长度为1min,第四预设幅度为10%,第四预设时间长度和第四预设幅度可以由上位机灵活设定。 S105-9,当第一目标芯片的当前芯片结温达到第N监测温度点时,控制目标通道的输出电流在第五预设时间长度内降低第五预设幅度。 正如前文所述,当第一目标芯片的当前芯片结温达到第N监测温度点时,需要进一步进行过温保护,控制目标通道的输出电流在第五预设时间长度内降低第五预设幅度。 可选地,在第五预设时间长度内目标通道的输出电流降低,降低的总幅度为第五预设幅度。避免芯片结温过高,既能有效保护第一目标芯片,当执行单元为LED发光体时,还可以避免背光亮度突然降低带来的画面突然变暗的情况,给客户带来更好的使用感受,当执行单元为马达电机时,还可以避免部分马达电机停止工作,按摩力道不均匀,影响用户体验的情况出现。 例如,第五预设时间长度为30s,第五预设幅度为20%,第五预设时间长度和第五预设幅度可以由上位机灵活设定。 在一种可选的实施方式中,第五预设时间长度为2min,第五预设幅度为20%。 在图5的基础上,关于如何确定预设控制策略,以同时兼顾对目标芯片的保护和用户的使用体验,本申请实施例还提供了一种可能的实现方式,请参考图6,在S105之前,目标芯片基于温度的控制方法还包括:S104,具体阐述如下。 S104,获取当前环境温度。 可选地,在目标芯片基于温度的控制系统的应用设备(例如图3所示的MiniLED灯板)的壳体上设置用于监测环境温度的温度传感器,可选地,该温度传感器还可以邻近设置于执行单元。该温度传感器与上位机通信连接,可以将监测到的当前环境温度传输给上位机。当前环境温度为执行单元所处环境空间的温度或为执行单元的外表温度。需要说明的是,环境温度不同,将影响应用设备内部的热传导速率不同,会影响整机散热速度。所以在确定预设控制策略时,可以结合当前环境温度,考虑散热速度的情况下,合理做出选择,以同时兼顾对目标芯片的保护和用户的使用体验。可选地,对于S105中的内容,本申请实施例还提供了一种可选的实施方式。请参考下文,S105,执行预设控制策略,基于第一目标芯片的当前芯片结温控制所有的目标芯片的步骤,包括:S105-10,具体阐述如下。 S105-10,结合当前环境温度执行预设控制策略,基于当前环境温度和第一目标芯片的当前芯片结温控制所有的目标芯片。 可选地,可以基于当前环境温度设置预设控制策略中的参数,包括但不限于第一预设时间长度至第五预设时间长度和第一预设幅度至第五预设幅度中的任意一种或多种。 可选地,还可以基于当前环境温度确定需要执行的策略。在本申请方案中,当前环境温度大于第一温度阈值时,说明环境温度过高,这会导致整机散热效果不佳,即散热速度较低。这种情况下,如果降温不及时,在芯片结温已经很高的时候(例如达到第N监测温度点时)才开始降温,可能会因为散热速度,导致温度持续升高,甚至会影响其他邻近的目标芯片的芯片结温升高,进而会危害目标芯片。所以可以将第二控制策略确定为预设控制策略,每当其达到一个监测温度点时,就进行一次降温,降低输出电流,从而合理保护目标芯片。在当前环境温度大于第二温度阈值,且小于或等于第一温度阈值的情况下,将第一控制策略确定为预设控制策略。在本申请方案中,当前环境温度大于第二温度阈值,且小于或等于第一温度阈值时,说明环境温度适中,这会导致整机散热效果相对于当前环境温度大于第一温度阈值时的散热效果更好。这种情况下,如果芯片结温高时,当采取降温手段,例如降低输出电流后,芯片结温通过散热会快速降低,可以在采取降温手段后,可以避免危害目标芯片。所以可以将第一控制策略确定为预设控制策略,结合监测温度点和对应的温度变化速度控制降温,降低输出电流,从而合理保护目标芯片,并提升用户的使用感受。 在一种可选的实施方式中,当前环境温度用于对预设控制策略中对应的输出电流进行温度补偿。 可选地,因为LED/马达的电流和发出的光通量/输出功率在不同温度下,其关系是不同的。温度补偿为指可以根据目标芯片(某IC)上报的温度,去查表确定这颗IC实际应该输出的电流是多大,从而保持LED/马达发出的光通量/输出功率是设置的标准值。 在一种可选的实施方式中,第一目标芯片设置有N个监测温度点,第一目标芯片在芯片结温达到第k监测温度点时,将第k监测温度点确定为当前芯片结温,并向上位机上传当前芯片结温,1≤k≤N。 可选地,第k监测温度点例如为前文中的Alarmk,第一目标芯片仅需要在其芯片结温到达第k监测温度点时上报其当前芯片结温,降低了上位机与第一目标芯片之间的通信频次,降低二者的数据处理量,可以降低硬件成本。 在一种可选的实施方式中第一目标芯片,并行同步执行A-OTP功能和HTWRC功能,但上位机基于系统整体效果可以向目标芯片发送无效指令,以使第一目标芯片撤销执行过温保护策略,即将A-OTP的动作无效(disable),目标芯片(Slave IC)服从上位机继续工作,进而执行下文中的第一控制策略、第二控制策略以及第三控制策略中的任意一种,以避免影响系统功能,改善客户的使用体验。当第一目标芯片在芯片结温达到第k监测温度点,执行过温保护策略,第一目标芯片的输出电流在第六预设时间长度内降低第六预设幅度或关闭输出电流。 在此基础上,关于如何控制目标芯片,本申请实施例还提供了一种可能的实现方式,请参考图7,在S105,执行预设控制策略之前,目标芯片基于温度的控制方法还包括:S102和S103,具体阐述如下。 S102,基于第一目标芯片在的芯片结温在上升到第k监测温度点的过程中的上升速度,确定是否需要执行预设控制策略。若是,则执行S103;若否,则跳过。 可选地,在上升速度大于预设上升阈值的情况下,确定需要执行预设控制策略。此时,上位机基于系统整体效果可以向目标芯片发送无效指令,以使第一目标芯片撤销执行过温保护策略,即将A-OTP的动作无效(disable),目标芯片(Slave IC)服从上位机继续工作。 当目标芯片对应的执行单元为LED发光体,且目标芯片对应的显示内容是动态变化的,对于S102中的内容,本申请实施例还提供了一种可选的实施方式,具体地,请参考下文,S102包括: 先判断第一目标芯片在下一时刻对应的目标输出电流是否与第一目标芯片在芯片结温达到第k监测温度点,执行过温保护策略后的当前电流匹配; 若匹配,则确定不需要执行预设控制策略。 若不匹配,则基于第一目标芯片在的芯片结温在上升到第k监测温度点的过程中的上升速度,确定是否需要执行预设控制策略。 可选地,目标输出电流与当前电流匹配,表示二者之间的差值小于预设差值。本申请方案中可以基于其当前的芯片结温、温度上升速度以及下一时刻需要的目标输出电流进行全局考量,综合判断。 S103,则向第一目标芯片发送无效指令,以使第一目标芯片撤销执行过温保护策略。 在一种可选的实施方式中,上位机可以对目标芯片的状态进行设定,当设定为第一状态时,不会执行A-OTP功能,仅执行HTWRC功能,此时上位机不会执行S102和S103。当设定为第三状态,同步执行A-OTP功能和HTWRC功能时,需要上位机会执行S102和S103。当设定为第二状态,仅执行A-OTP功能时,上位机可以不用执行S101-S105。 本申请实施例还提供了一种存储介质,该存储介质存储有计算机指令、程序,该计算机指令、程序在被读取并运行时执行上述实施例的目标芯片基于温度的控制方法。该存储介质可以包括内存、闪存、寄存器或者其结合等。 综上所述,本申请实施例提供了一种目标芯片基于温度的控制方法、系统及存储介质,目标芯片基于温度的控制方法,应用于上位机,上位机与至少一个目标芯片连接,每一个目标芯片包括至少一个通道,每一个通道与至少一个执行单元连接,方法包括:接收第一目标芯片上传的当前芯片结温;其中,第一目标芯片为任一个目标芯片;执行预设控制策略,基于第一目标芯片的当前芯片结温控制所有的目标芯片。上位机不单可以对第一目标芯片进行控制,还可以同步对所有的目标芯片的进行控制,在对目标芯片进行保护的同时,尽量降低对系统功能的影响,避免影响客户的使用感受。 以上所述仅为本申请的优选实施例而已,并不用于限制本申请,对于本领域的技术人员来说,本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。 对于本领域技术人员而言,显然本申请不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本申请的精神或基本特征的情况下,能够以其它的具体形式实现本申请。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本申请的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本申请内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
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