功率器件外延结构及其制备方法、功率器件

本申请为申请号CN202010149236.7、申请日2020年03月05日、发明名称“功率器件外延结构的制备方法及半导体外延结构”的分案申请。

技术领域

本发明涉及氮化物功率器件技术领域，具体而言，涉及一种功率器件外延结构及其制备方法、功率器件。

背景技术

HEMT(High-Electron-Mobility Transistors，高电子迁移率晶体管)器件，是充分利用半导体的异质结结构形成的二维电子气而制成的。III族氮化物半导体由于压电极化和自发极化效应，在异质结构上(Heterostructure，如AlGaN/GaN)能够形成高浓度的二维电子气(2DEG)。所以在使用Ⅲ族氮化物制成的HEMT器件中，势垒层一般不需要进行掺杂。Ⅲ族氮化物具有大的禁带宽度、较高的饱和电子漂移速度、高的临界击穿电场和极强的抗辐射能力等特点，能够满下一代电力电子系统对功率器件更大功率、更高频率、更小体积和更高温度的工作的要求。

现有的Ⅲ族氮化物半导体HEMT器件作为高频器件或者高压大功率开关器件使用时，特别是作为功率开关器件时，增强型HEMT器件与耗尽型HEMT器件相比有助于提高系统的安全性、降低器件的损耗和简化设计电路。目前实现增强型HEMT主要的方法为P型盖帽层技术。即在栅极和势垒层之间设置P型盖帽层，通常III族氮化物半导体的P型盖帽层同样采用氮化物材料即P型氮化物层，并且其常用的P型杂质为镁(Mg)，但是由于镁的电离能较大，需要高温下退火激活，以获得高空穴浓度的P型氮化物层。但是在高温退火时，氮化物易高温分解使表面变得粗糙，会严重影响金属与P型氮化物之间的电学特性及均匀性。因此，目前的P型氮化物层退火温度较低，相应地电离空穴浓度较低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种功率器件外延结构及其制备方法、功率器件，使P型氮化物层能够通过高温退火获得较高电离空穴浓度的同时与金属具有良好电学特性，以用于制备增强型HEMT。

本发明的实施例是这样实现的：

本发明实施例的一方面，提供一种功率器件外延结构，包括：衬底；缓冲层，设置在衬底上；沟道层，设置在缓冲层上；势垒层，设置在沟道层上；P型氮化物层，设置在势垒层上；含铝层，设置在P型氮化物层上，含铝层具有远离P型氮化物层的第一表面，第一表面为刻蚀后形成的表面。

本发明实施例的另一方面，提供另一种功率器件外延结构，包括：衬底；缓冲层，设置在衬底上；沟道层，设置在缓冲层上；势垒层，设置在沟道层上；P型氮化物层，设置在势垒层上；含铝层，设置在P型氮化物层上，含铝层具有远离P型氮化物层的第一表面，第一表面为平整表面。

本发明实施例的再一方面，提供一种功率器件，包括：衬底；缓冲层，设置在衬底上；沟道层，设置在缓冲层上；势垒层，设置在沟道层上；P型氮化物层，设置在势垒层上，含铝层，设置在P型氮化物层上，含铝层具有远离P型氮化物层的第一表面，第一表面为刻蚀后形成的表面；栅极，设置在含铝层上。

本发明实施例的又一方面，提供一种功率器件外延结构的制备方法，包括：制作半导体外延结构，其中，半导体外延结构包括衬底、层叠于衬底上的缓冲层、以及沿衬底到缓冲层方向依序层叠的沟道层、势垒层和P型氮化物层；在P型氮化物层上沉积预制含铝层；对沉积有预制含铝层的半导体外延结构进行高温退火，激活P型氮化物层中的P型杂质；对预制含铝层的表面进行刻蚀以形成含铝层，含铝层具有远离P型氮化物层的第一表面，第一表面为预制含铝层被部分刻蚀后形成的表面。

本发明实施例的有益效果包括：

本发明实施例提供的功率器件外延结构，包括：衬底；缓冲层，设置在衬底上；沟道层，设置在缓冲层上；势垒层，设置在沟道层上；P型氮化物层，设置在势垒层上，含铝层，设置在P型氮化物层上，含铝层具有远离P型氮化物层的第一表面，第一表面为刻蚀后形成的表面。本发明实施例能够利用含铝层对P型氮化物层进行保护，从而使P型氮化物层表面可以在较高温度下进行退火而不分解，以良好激活P型氮化物层中的P型杂质，使P型氮化物层能够获得高空穴浓度，另外，由于第一表面为刻蚀后形成的表面，使得第一表面较为平整，所以，本发明实施例的功率器件外延结构，能够得到表面平整的具有高空穴浓度的P型氮化物的外延结构，进而提升金属与P型氮化物之间的电学特性及均匀性，以用于制备增强型HEMT。

附图说明

图1为本发明实施例提供的半导体外延结构的结构示意图之一；

图2为本发明实施例提供的半导体外延结构的结构示意图之二；

图3为本发明实施例提供的半导体外延结构的结构示意图之三；

图4为本发明实施例提供的半导体外延结构的结构示意图之四；

图5为本发明实施例提供的功率器件外延结构的制备方法的流程示意图；

图6为本发明实施例提供的功率器件外延结构的制备方法的状态图之一；

图7为本发明实施例提供的功率器件外延结构的制备方法的状态图之二；

图8为本发明实施例提供的功率器件外延结构的制备方法的状态图之三。

图标：110-衬底；120-沟道层；130-势垒层；140-P型氮化物层；150-刻蚀终止层；160-牺牲层；170-缓冲层；180-氮化物层；190-含铝层；191-第一表面；210-Al

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在III族氮化物半导体中，由于压电极化和自发极化效应，在其异质结构上(Heterostructure，如AlGaN/GaN)能够形成高浓度的二维电子气(2DEG)沟道。为了提高III族氮化物半导体制备成的HEMT器件的安全性并降低损耗，通常会采用在III族氮化物半导体的异质结构的势垒层上设置P型氮化物层。通过P型氮化物层能够将二维电子气沟道位置的能带抬高，将栅电极下沟道内的二维电子气耗尽，形成增强型器件。在栅电极所加正向电压小于平带电压时，器件以场效应晶体管模式工作，当栅电极所加正向电压大于平带电压时，P型氮化物层中的空穴能够注入到二维电子气沟道中，相应地，二维电子气沟道中能够产生对应数量的电子，电子由于异质结构的势垒层的阻挡作用保留在沟道中，从而电子能够在源漏电极的电场作用下移动，使源漏电极导通。但是，目前掺杂有P型杂质的P型氮化物层需要通过高温退火激活才能够获得较高浓度的电离空穴，而高温下P型氮化物层易发生分解，使表面变得粗糙且留下施主缺陷N空位，影响使用中金属与P型氮化物之间的接触均匀性及电学特性。

因此，本发明实施例提供一种功率器件外延结构，其P型氮化物层能够通过高温退火激活获得较高浓度的空穴且保持表面平整，使得半导体与金属之间保持良好电学特性及均匀性。

如图1所示，一种功率器件外延结构，包括：衬底110；缓冲层170，设置在衬底110上；沟道层120，设置在缓冲层170上；势垒层130，设置在沟道层120上；P型氮化物层140，设置在势垒层130上；含铝层190，设置在P型氮化物层140上，含铝层190具有远离P型氮化物层140的第一表面191，第一表面191为刻蚀后形成的表面。

第一表面191为刻蚀后形成的表面，本领域技术人员应当知晓，刻蚀能够形成较为平整的表面，使得第一表面191较为平整。由于本申请实施例在P型氮化物层140上设置有含铝层190，可以利用含铝层190对P型氮化物层140进行保护，从而使P型氮化物层140表面可以在较高温度下进行退火而不分解，以良好激活P型氮化物层140中的P型杂质，使P型氮化物层140能够获得高空穴浓度。

其中，第一表面191具体的平整程度可以用粗糙度来表示，通过原子力显微镜(Atomic Force Microscope，AFM)测量第一表面191的粗糙度，结果是第一表面191的Rq<5nm，其中，Rq表示在5um*5um范围内均方根粗糙度。

其中，沟道层120和势垒层130能够构成异质结结构，在其异质结沟道内能够形成二维电子气。示例地，沟道层120可以为氮化镓层而势垒层130为铝镓氮层。当然，在本发明实施例中，构成异质结结构的沟道层120和势垒层130还可以分别为氮化镓层和铟镓氮层等，此处对于沟道层120和势垒层130的具体材料不做限制，只要能够构成异质结结构即可。

在实际应用中，由于缺乏良好的同质衬底110，衬底110通常可以采用蓝宝石、碳化硅、硅等异质衬底110。如图1所示，本领域技术人员为了使沟道层120能够更好的外延生长于衬底110上，可以在衬底110和沟道层120之间先形成缓冲层170，以减轻沟道层120和衬底110之间的晶格失配和热失配。当然，本发明实施例对于该半导体外延结构中缓冲层170的具体实现形式或设置形式不做限制，本领域技术人员可以根据实际需求进行设置，例如，还可以通过设置较厚的沟道层120以使沟道层120靠近于衬底110的部分能够起到缓冲层170的作用，使沟道层120远离衬底110的部分具有较好的结晶质量以与势垒层130形成良好的异质结结构(该较厚的沟道层120也可理解为能够与势垒层130形成异质结的缓冲层170)。

在本发明实施例中，P型氮化物层140可以是具有P型掺杂的氮化镓、具有P型掺杂的铟镓氮、具有P型掺杂的铟铝镓氮等具有P型掺杂的氮化物材料。当然，此处不做具体限制，只要P型氮化物层140为用于作为增强型HEMT器件中P型盖帽层的具有P型掺杂的氮化物材料即可。

本发明实施例提供的功率器件外延结构，包括：衬底110；缓冲层170，设置在衬底110上；沟道层120，设置在缓冲层170上；势垒层130，设置在沟道层120上；P型氮化物层140，设置在势垒层130上，含铝层190，设置在P型氮化物层140上，含铝层190具有远离P型氮化物层140的第一表面191，第一表面191为刻蚀后形成的表面。本发明实施例能够利用含铝层190对P型氮化物层140进行保护，从而使P型氮化物层140表面可以在较高温度下进行退火而不分解，以良好激活P型氮化物层140中的P型杂质，使P型氮化物层140能够获得高空穴浓度，另外，由于第一表面191为刻蚀后形成的表面，使得第一表面191较为平整，所以，本发明实施例的功率器件外延结构，能够得到表面平整的具有高空穴浓度的P型氮化物的外延结构，进而提升金属与P型氮化物之间的电学特性及均匀性，以用于制备增强型HEMT。

可选的，如图1所示，含铝层190包括沿衬底110到缓冲层170方向上层叠的Al

由前述可知，第一表面191为刻蚀后形成的表面，在实际应用中，Al

示例地，Al

需要说明的是，铝组分为铝镓氮化合物中铝元素的组分比。

本申请实施例的一种可实现的方式中，Al

可选的，如图2所示，含铝层190，包括：Al

为了能够使对该功率器件外延结构的Al

示例地，P型氮化物层140、Al

本申请实施例的一种可实现的方式中，P型氮化层为Al

P型氮化物层140也采用铝镓氮化合物时，Al

例如，P型氮化物层140为P型掺杂的铝镓氮化合物，其铝镓氮化合物具体可以为Al

本发明的另一方面还提供一种功率器件外延结构，如图3所示，包括：衬底110；缓冲层170，设置在衬底110上；沟道层120，设置在缓冲层170上；势垒层130，设置在沟道层120上；P型氮化物层140，设置在势垒层130上，含铝层190，设置在P型氮化物层140上，含铝层190具有远离P型氮化物层140的第一表面191，第一表面191为平整表面。

第一表面191为刻蚀后平整表面，且本申请实施例在P型氮化物层140上设置有含铝层190，可以利用含铝层190对P型氮化物层140进行保护，从而使P型氮化物层140表面可以在较高温度下进行退火而不分解，以良好激活P型氮化物层140中的P型杂质，使P型氮化物层140能够获得高空穴浓度。

需要说明的是，本申请实施例中的平整表面是指均方根粗糙度小于5nm的平面，具体的，均方根粗糙度可以通过原子力AFM进行测量。

该方法中所涉及的缓冲层170、沟道层120、势垒层130、P型氮化物层140、和含铝层190等层级结构的具体实施和设置均与前述的半导体外延结构相同或相似，此处不再赘述。

可选的，P型氮化物层140具有远离衬底110的第二表面，第二表面为平整表面。

P型氮化物层140上设置有含铝层190，P型氮化物层140远离衬底110的第二表面即P型氮化物层140与含铝层190接触的表面，由于含铝层190的保护，在高温退火等过程中，第二表面为平整表面。

本申请实施例的一种可实现的方式中，含铝层190包括：沿衬底110到缓冲层170方向上层叠的刻蚀终止层150和牺牲层160，第一表面191为牺牲层160被部分刻蚀后形成的远离衬底110的表面。

在本发明实施例中，刻蚀终止层150可以是铝镓氮化合物，表示为AlxGa1-xN，其中0＜x≤100％；刻蚀终止层150也可以为AlN即AlGaN中Al组分为100％。在本发明实施例中，P型氮化物层140可以是具有P型掺杂的氮化镓、具有P型掺杂的铟镓氮、具有P型掺杂的铟铝镓氮等具有P型掺杂的氮化物材料。当然，此处不做具体限制，只要P型氮化物层140为用于作为增强型HEMT器件中P型盖帽层的具有P型掺杂的氮化物材料即可。其中，需要说明的是，当P型氮化物层140的材料与刻蚀终止层150的材料相同时(例如两者均为铝镓氮化合物时)，两者材料的各组分比例不同。

示例地，P型氮化物层140也采用铝镓氮化合物时，刻蚀终止层150中的铝组分高于P型氮化物层140中的铝组分。

例如，P型氮化物层140为P型掺杂的铝镓氮化合物，其铝镓氮化合物具体可以为Al

在实际应用中，牺牲层160可以采用氮化镓、铝镓氮等化合物材料。需要说明的是，当牺牲层160的材料与刻蚀终止层150所包含的材料相同时(即牺牲层160采用铝镓氮化合物材料)，两者各自材料中的各组分比例不同，以使对该半导体外延结构高温退火后选择性刻蚀牺牲层160时更加容易，避免由于牺牲层160和刻蚀终止层150之间较小的刻蚀选择比而导致刻蚀终止层150被刻蚀从而影响到P型氮化物层140。

示例地，牺牲层160为铝镓氮化合物材料，其中牺牲层160中的铝组分低于刻蚀终止层150中的铝组分。

当牺牲层160和刻蚀终止层150包含有铝镓氮化合物时，为了能够使对该半导体外延结构的牺牲层160选择性刻蚀相对容易，可以采用使刻蚀终止层150中的铝组分高于牺牲层160中的铝组分的方式，增加两者之间的刻蚀选择比，从而可以通过调节刻蚀牺牲层160时的气氛配比(例如，牺牲层160为铝镓氮化合物时在刻蚀气氛三氯化硼/氯气中通入氧气进行配比调节)使刻蚀自终止于刻蚀终止层150，以得到具有表面平整光滑的P型氮化物的功率器件外延结构。

示例地，P型氮化物层140、刻蚀终止层150以及牺牲层160均采用铝镓氮化合物时，刻蚀终止层150中的铝组分分别大于P型氮化物层140和牺牲层160中的铝组分。使得对该半导体外延结构选择性刻蚀牺牲层160时，刻蚀能够自终止于刻蚀终止层150以避免刻蚀时影响到P型氮化物层140。

可选地，根据生产中P型氮化物层140的掺杂工艺，以及实际需求，牺牲层160和刻蚀终止层150可以分别具有P型掺杂、N型掺杂和非故意掺杂中的任一种掺杂类型的杂质掺杂。

即牺牲层160可以为P型掺杂、N型掺杂和非故意掺杂中的任一种，刻蚀终止层150可以为P型掺杂、N型掺杂和非故意掺杂中的任一种。

示例地，如图4所示，当P型氮化物层140为形成好氮化物层180、刻蚀终止层150和牺牲层160之后，通过离子注入、扩散等形式对氮化物层180进行P型掺杂时，刻蚀终止层150和牺牲层160通常会随之具有P型掺杂。当然，当牺牲层160和刻蚀终止层150均为P型掺杂时，能够使对该半导体外延结构选择性刻蚀牺牲层160时，未完全刻蚀牺牲层160的情况下得到的功率器件外延结构表面仍具有P型掺杂，提高采用该功率器件外延结构制备的增强型HEMT器件的性能。

本申请实施例的一种可实现的方式中，含铝层190为刻蚀终止层150，第一表面191为刻蚀终止层150远离衬底110的表面。

当刻蚀到刻蚀终止层150时，含铝层190为刻蚀终止层150，此时，第一表面191为刻蚀终止层150远离衬底110的表面。

本发明的再一方面提供了一种功率器件，包括：衬底110；缓冲层170，设置在衬底110上；沟道层120，设置在缓冲层170上；势垒层130，设置在沟道层120上；P型氮化物层140，设置在势垒层130上，含铝层190，设置在P型氮化物层140上，含铝层190具有远离P型氮化物层140的第一表面191，第一表面191为刻蚀后形成的表面；栅极，设置在含铝层190上。本发明实施例提供的功率器件，包括了前述实施例功率器件外延结构中相同的结构和有益效果，功率器件外延结构的具体结构和有益效果已经在前述实施例中进行了详细描述，在此不再赘述。

本发明的又一方面提供了一种功率器件外延结构的制备方法，该方法中所涉及的缓冲层170、沟道层120、势垒层130、P型氮化物层140、刻蚀终止层150以及牺牲层160等层级结构的具体实施和设置均与前述的半导体外延结构相同或相似，此处不再赘述。以下，将对该方法进行说明。

如图5所示，该功率器件外延结构的制备方法可以包括：

S10：如图6所示，制作半导体外延结构，其中，半导体外延结构包括衬底110、层叠于衬底110上的缓冲层170、以及沿衬底110到缓冲层170方向依序层叠的沟道层120、势垒层130和P型氮化物层140；

S20：如图7所示，在P型氮化物层140上沉积预制含铝层230；

S30：对沉积有预制含铝层230的半导体外延结构进行高温退火，激活P型氮化物层140中的P型杂质；

S40：如图8所示，对预制含铝层230的表面进行刻蚀以形成含铝层190，含铝层190具有远离P型氮化物层140的第一表面191，第一表面191为预制含铝层230被部分刻蚀后形成的表面。

其中，通过外延生长形成缓冲层170、沟道层120、势垒层130、P型氮化物层140、刻蚀终止层150以及牺牲层160，可以是利用化学气相沉积(MOCVD)、氢化物气相外延(HVPE)与分子束外延(MBE)等方式实现，此处不做具体限制，只要能够外延生长相应层级即可。并且，其中具有P型掺杂的P型氮化物层140可以在外延生长过程中通过在外延气源中混入P型杂质源的形式实现具有P型掺杂的外延生长。

通过上述步骤实现在衬底110上形成缓冲层170、沟道层120、势垒层130、P型氮化物层140、刻蚀终止层150以及牺牲层160，其具有P型掺杂的层级能够直接成形，过程相对简便。

其中，通过对衬底110上依序形成有缓冲层170、沟道层120、势垒层130、P型氮化物层140、刻蚀终止层150以及牺牲层160的半导体外延结构进行高温退火，能够使该半导体外延结构中的P型氮化物层140中掺杂的P型杂质被良好激活，使其具有较高浓度的电离空穴。

需要说明的是，对半导体外延结构进行高温退火的温度可以是700摄氏度及以上的温度。在本发明实施例中，优选的，高温退火温度范围700-1400℃，例如700℃、800℃、1000℃、1200℃、1400℃等。当然，此处不做具体限制，只要是相比于常规激活P型杂质的低温退火温度较高的，能够提升P型杂质电离率的退火温度即可。

其中，对于牺牲层160进行的刻蚀，可以采用干法刻蚀的方式进行。例如，采用等离子刻蚀机通过感应耦合等离子体刻蚀法(Inductively Coupled Plasma Etch，简称ICPE)选择性刻蚀牺牲层160，等离子体可以配置为反应性等离子体(RIE)、顺流等离子体(downstream)、直接等离子体(direction plasma)等。当然，也可以采用其他干法刻蚀或湿法刻蚀的方式选择性刻蚀牺牲层160。

其中，通过外延生长形成缓冲层170、沟道层120、势垒层130、氮化物层180、刻蚀终止层150以及牺牲层160，可以是利用化学气相沉积(MOCVD)、氢化物气相外延(HVPE)与分子束外延(MBE)等方式实现，此处不做具体限制，只要能够外延生长处相应层级即可。

向氮化物层180中掺杂P型杂质，可以通过离子注入、扩散等方式将P型杂质掺杂进氮化物层180、刻蚀终止层150、牺牲层160构成的层级区的方式实现，相应地，刻蚀终止层150和牺牲层160通常也会被P型掺杂。

通过上述步骤实现在衬底110上形成缓冲层170、沟道层120、势垒层130、P型氮化物层140、刻蚀终止层150以及牺牲层160，其可以得到较好的P型掺杂的P型氮化物层140，能够减少P型杂质源的使用和损耗。

在本发明实施例中，以上的P型氮化物层140形成过程中所用的P型杂质可以是镁元素，当然，在实际应用中，P型杂质还可以是锌、铍、钙、钡等元素，此处不做具体限制。

在本发明实施例中，应当理解，根据具体的设计需要，在制作具有衬底110以及衬底110上形成的各层级结构构成的外延结构时，还可以包括在衬底110、沟道层120以及势垒层130中相邻层级之间形成其他层级结构的子步骤，此处不做限制。

本申请实施例的一种可实现的方式中，预制含铝层230，包括：沿衬底110到缓冲层170方向上层叠的刻蚀终止层150和牺牲层160；

对预制含铝层230进行刻蚀以形成含铝层190，包括：

完全刻蚀牺牲层160；或者部分刻蚀牺牲层160，以形成包含刻蚀终止层150的含铝层190。

该半导体外延结构的牺牲层160的厚度以及刻蚀终止层150的厚度，可以根据实际需求进行设置。

示例地，牺牲层160的厚度设置为1nm至100nm之间，例如牺牲层160的厚度为1nm、25nm、50nm、75nm、100nm等。刻蚀终止层150的厚度设置为1nm至50nm之间，例如刻蚀终止层150的厚度为1nm、10nm、20nm、30nm、40nm、50nm等。并且可以将刻蚀终止层150的厚度设置为小于牺牲层160的厚度。通过较厚的牺牲层160能够对P型氮化物层140进行更好的保护，同时选择性刻蚀牺牲层160之后，较薄的刻蚀终止层150能够减小其对P型氮化物层140性能的影响。

具体的，在进行选择性刻蚀牺牲层160时，牺牲层160可以部分刻蚀也可以完全刻蚀。本发明实施例中对此不做具体限制，只要能够对高温退火后表面粗糙的牺牲层160进行刻蚀处理，得到表面平坦的功率器件外延结构即可。例如，当牺牲层160与刻蚀终止层150为同一掺杂类型时，可通过部分刻蚀牺牲层160将其表面粗糙的部分刻蚀掉，以形成功率器件外延结构的平整表面；或当牺牲层160与刻蚀终止层150的掺杂类型不同时，可通过完全刻蚀掉牺牲层160的形式，以形成功率器件外延结构的平整表面等。

其中，在衬底110上形成缓冲层170可以采用气相沉积等方式实现。当然，此处不做限制，只要能够在衬底110形成缓冲层170即可。并且，缓冲层170可以采用氮化铝、氮化镓等材料。当然，本领域技术人员还可以通过在衬底110上形成较厚的与沟道层120材料相同的层级，利用其靠近衬底110的部分发挥缓冲层170的作用，以通过远离衬底110的部分与势垒层130形成异质结结构发挥沟道层120的作用，该较厚的层级结构可认为是上述的沟道层120。

牺牲层160以及刻蚀终止层150均采用铝镓氮化合物材料时；牺牲层160中的铝组分低于刻蚀终止层150中的铝组分。

在外延生长刻蚀终止层150和牺牲层160时，可以通过通入氮源、镓源、铝源中的配比的不同，来实现形成两层铝组分不同的铝镓氮。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。