部分透明显示装置

本申请是申请日为2019年11月27日、申请号为201911183529.0、发明名称为“部分透明显示装置”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种在预定区域中具有透光功能和发光功能的部分透明显示装置。具体地，本发明涉及一种电致发光(EL)显示装置，其中包括透明区域和发射区域的透明发光区域设置在一部分中，并且包括驱动元件和发射区域的驱动发光区域设置在另一部分中。

背景技术

EL显示装置采用自发发光系统，具有优异的视角、对比度等，可以减小重量和厚度并且由于不需要单独的背光而在功耗方面具有优势。特别地，这种EL显示装置中的有机发光显示(OLED)装置可以用低DC电压驱动，具有高响应速度，并且具有低制造成本。

EL显示装置包括多个电致发光(EL)二极管。EL二极管包括阳极电极、形成在阳极电极上的发光层、以及形成在发光层上的阴极电极。当高电位电压施加到阳极电极并且低电位电压施加到阴极电极时，阳极电极中的空穴和阴极电极中的电子移动到发光层。当空穴和电子在发光层中结合时，在激励过程中形成激子，并且由于来自激子的能量而生成光。EL显示装置通过电控制在由堤部单独划分的多个EL二极管的发光层中生成的光量来显示图像。

EL显示装置的厚度可以大大减小并且具有优异的柔性，并且可以应用于各种领域的各种产品。对提供背景和显示功能的透明显示装置的需求已经增加。例如，在移动电话中，相机或红外传感器设置在不具有显示功能的边框区域中，成为减小显示区域的比率的主要因素。需要一种具有新结构的显示装置，包括小型相机或光学传感器，并且在正视图中具有最大化的显示区域。

发明内容

本发明提供了一种电致发光(EL)显示装置，其通过在显示区域中设置通过基板接收光的诸如相机之类的附加单元而具有最大化的显示区域。本发明还提供一种部分透明EL显示装置，其中显示面板的一部分具有透射背景的功能和显示功能，而另一部分仅具有显示功能。

根据本发明，提供了一种显示装置，包括：包括至少一个薄膜晶体管和第一发光元件的驱动发光像素；以及包括第二发光元件和透明区域的透明发光像素，其中所述第二发光元件经由连接电极连接至所述至少一个薄膜晶体管，其中所述连接电极具有Z字形。

根据本发明，提供了一种显示装置，包括：基板；包括多个薄膜晶体管和多个第一发光元件的多个驱动发光像素；以及包括多个第二发光元件和多个透明区域的多个透明发光像素，其中所述第二发光元件经由多个连接电极连接至所述薄膜晶体管，其中所述连接电极占据的面积在所述驱动发光像素的方向上增大。

提供了一种部分透明电致发光(EL)显示装置，包括：基板、透明发光区域、驱动发光区域和焊盘部分。透明发光区域设置为与基板的一侧相邻。驱动发光区域设置为与透明发光区域相邻并且更靠近与这一侧相对的另一侧。焊盘部分从驱动发光区域延伸并设置在另一侧上。驱动发光区域包括由扫描线、数据线和像素驱动电源线限定的驱动发光像素。透明发光区域包括在没有扫描线、数据线和像素驱动电源线的条件下限定的透明发光像素。

例如，数据线和像素驱动电源线可以从驱动发光区域延伸到焊盘部分。焊盘部分可以包括连接到数据线的数据焊盘和连接到像素驱动电源线的像素驱动电源焊盘。

例如，连接到扫描线的栅极驱动单元可以进一步设置在驱动发光区域的右侧和左侧中的至少一侧上。

例如，每个驱动发光像素可以包括第一驱动薄膜晶体管、第二驱动薄膜晶体管和第一发光元件。第一驱动薄膜晶体管可以连接到第一扫描线、相应的数据线和相应的像素驱动电源线。第二驱动薄膜晶体管可以连接到第二扫描线、相应的数据线和相应的像素驱动电源线。第一发光元件可以连接到第一驱动薄膜晶体管。透明发光像素可以包括第二发光元件和透明区域。第二发光元件可以连接到第二驱动薄膜晶体管。透明区域可以透射从基板的后表面入射的光。

例如，驱动发光像素可以具有与透明发光像素相同的形状和尺寸。第一发光元件可以具有与第二发光元件相同的形状和尺寸。

例如，第一发光元件可以包括第一像素驱动电极和第一发光层。第一像素驱动电极可以连接到第一驱动薄膜晶体管。第一发光层可以堆叠在第一像素驱动电极上。第二发光元件可以包括第二像素驱动电极和第二发光层。第二像素驱动电极可以连接到第二驱动薄膜晶体管。第二发光层可以堆叠在第二像素驱动电极上。公共电极可以堆叠在第一发光层和第二发光层上。

例如，第二发光元件可以通过连接电极连接到第二驱动薄膜晶体管，连接电极从像素驱动电极延伸到驱动发光像素。

根据本发明，提供了一种部分透明显示装置，包括透明发光像素、驱动发光像素和发光元件。透明发光像素包括m个透明发光像素(其中m是自然数)，其在基板的一侧沿列方向排列。驱动发光像素包括n个驱动发光像素(其中n是等于或小于m的自然数)，其沿列方向排列以与最后一个透明发光像素相邻。发光元件包括分别布置在透明发光像素和驱动发光像素中的k个发光元件(其中k是(m+n)的自然数)。m个透明发光像素可以包括围绕发光元件设置的透明区域。此处，k个像素电路可以分布并设置在n个驱动发光像素中。k个像素电路可以依次连接到k个发光元件。

例如，透明发光像素和驱动发光像素可以具有相同的尺寸和形状。

例如，部分透明显示装置还可以包括多个标准发光像素，标准发光像素沿列方向排列以与最后一个驱动发光像素相邻。

例如，标准发光像素可以以第一像素密度设置。驱动发光像素和透明发光像素的每一个可以以小于第一像素密度的第二像素密度设置。

例如，第一像素密度可以在列方向和垂直于列方向的行方向中的至少一个方向上是第二像素密度的两倍或更多倍。

例如，每个标准发光像素可以包括一个标准像素电路和一个标准发光元件。每个标准发光像素的尺寸可以对应于由设置在每个驱动发光像素中的一个像素电路占据的区域。

例如，驱动发光像素和标准发光像素可以由多条扫描线、多条数据线和多条像素驱动电源线限定。k个像素电路可以连接到多条扫描线中的k条连续扫描线、相应的数据线和相应的像素驱动电源线。每个标准像素电路可以连接除了k条连续扫描线以外的一条扫描线、相应的数据线和相应的像素驱动电源线。

例如，部分透明显示装置还可以包括焊盘部分和栅极驱动单元。焊盘部分可以沿列方向设置在最后一个标准发光像素的外部，并且包括连接到数据线的数据焊盘和连接到像素驱动电源线的像素驱动电源焊盘。栅极驱动单元可以设置在驱动发光像素和标准发光像素的右侧和左侧中的至少一侧上，并且连接到扫描线。

例如，部分透明显示装置还可以包括连接像素电路和发光元件的连接电极。连接电极可以设置在透明发光像素的一侧上，以绕过并围绕发光元件。

附图说明

被包括用来对本发明提供进一步理解并且并入本申请且构成本申请的一部分的附图示出了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：

图1是示出根据本发明实施方式的部分透明电致发光(EL)显示装置的平面图；

图2是示出根据本发明实施方式的部分透明EL显示装置中的最小单元的像素结构的放大平面图；

图3是沿图2中的线I-I'截取的截面图，其示出根据本发明实施方式的部分透明EL显示装置中的驱动发光像素的结构；

图4是沿图2中的线II-II'截取的截面图，其示出根据本发明实施方式的部分透明EL显示装置中的透明发光像素的结构；

图5是示出根据本发明另一实施方式的部分透明EL显示装置的平面图；

图6是示出根据本发明另一实施方式的部分透明EL显示装置中的显示区域中设置的像素的结构的放大平面图；及

图7是示出根据本发明又一实施方式的部分透明EL显示装置中的显示区域中设置的像素的结构的放大平面图。

具体实施方式

通过参照附图描述的以下实施方式，将阐明本发明的优点和特征及其实现方法。然而，本发明可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文阐述的实施方式。而是，提供这些实施方式是为了使本公开内容透彻和完整，并且向所属领域技术人员充分地传达本发明的范围。此外，本发明仅由权利要求书的范围限定。

用于描述本发明的实施方式而在附图中公开的形状、尺寸、比率、角度、数量仅仅是示例，因而本发明不限于所示出的细节。相似的附图标记通篇表示相似的元件。在下面的描述中，当确定对相关已知技术的详细描述会不必要地使本发明的重点难以理解时，将省略此详细描述。

在使用本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下，可以添加另一部分，除非使用了“仅

在解释要素时，尽管没有明确的描述，要素也被解释为包括误差范围，。

在描述位置关系时，例如，在将两个部分之间的位置关系描述为“在……上”、“在……上方”，“在……下方”和“在……之后”时，一个或多个其他部分可以设置两部分之间，除非使用了“刚好”或“直接”。

在描述时间关系时，例如，在将时间顺序描述为“在……之后”、“其后”、“接着”和“在……之前”时，可以包括不连续的情况，除非使用了“刚好”或“直接”。

应当理解，尽管本文可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一个元件。例如，在不脱离本发明的范围的条件下，第一元件可以被称为第二元件，类似地，第二元件可以被称为第一元件。

术语“至少一个”应理解为包括一个或多个相关所列项目的任何和所有组合。例如，“第一项目、第二项目和第三项目中的至少一个”的含义表示从第一项目、第二项目和第三项目中的两个或更多项提出的所有项目的组合以及第一项目、第二项目或第三项目。

本发明的各种实施方式的特征可以部分地或整体地彼此结合或者组合，并且可以按照各种方式彼此互操作并且在技术上驱动，如所属领域技术人员能够充分理解的那样。本发明的实施方式可以彼此独立地执行，或者可以以相互依赖的关系一起执行。

下面将描述根据本发明的部分透明显示装置。下面将参照附图描述部分透明电致发光(EL)显示装置的示例，部分透明电致发光(EL)显示装置是具有应用的部分透光功能的电致发光(EL)显示装置。在附图中，相同的元件将尽可能地用相同的附图标记表示。

在下文中，将参考附图详细描述根据本发明示例性实施方式的部分透明显示装置。图1是示出根据本发明示例性实施方式的部分透明电致发光(EL)显示装置的平面图。参考图1，根据本发明的部分透明显示装置包括透明发光区域TEA和驱动发光区域DEA。

透明发光区域TEA指的是具有将后表面上的光透射到前表面的透光功能并且除了透光功能之外或代替透光功能具有显示功能的区域。驱动发光区域DEA指的是具有显示功能的区域，并且包括驱动在驱动发光区域DEA和透明发光区域TEA中的发光元件的驱动元件。在透明发光区域TEA中，例如，没有设置金属线和驱动元件，或者设置最少数量的线和元件。因此，除了用于显示功能的驱动元件之外，优选的是，用于透明发光区域TEA的显示功能的驱动元件设置在驱动发光区域DEA中。

根据本发明示例性实施方式的部分透明显示装置包括基板SUB、透明发光区域TEA、透明发光像素TEP、驱动发光区域DEA、驱动发光像素DEP、公共电源线CPL、坝结构(damstructure)DM、线路端子部分PP及驱动单元200和300。

基板SUB用作基础基板(或基础层)，并且由塑料材料或玻璃材料形成。考虑到显示装置的特性，基板SUB优选是透明的。在一些情况下，例如，在顶部发射系统的情况下，基板SUB可以由不透明材料形成。

例如，基板SUB可以在二维上具有四边形形状、其角部以预定曲率半径圆化的四边形形状、或者具有至少六个边的非四边形形状。此处，具有非四边形形状的基板SUB包括至少一个突出部分或至少一个凹口部分。

例如，基板SUB可以被划分为显示区域AA和非显示区域IA。显示区域AA设置在基板SUB的大致中间部分，并且被定义为用于显示图像的区域。例如，显示区域AA具有四边形形状、其角部以预定曲率半径圆化的四边形形状、或者具有至少六个边的非四边形形状。此处，具有非四边形形状的显示区域AA包括至少一个突出部分或至少一个凹口部分。

非显示区域IA设置在基板SUB的边缘中以围绕显示区域AA，并且被定义为不显示图像的区域或周边区域。例如，非显示区域IA包括设置在基板的第一边缘处的第一非显示区域IA1、设置在基板SUB的第二边缘处的与第一非显示区域IA1平行的第二非显示区域IA2、设置在基板SUB的第三边缘处的第三非显示区域IA3、以及设置在基板SUB的第四边缘处的与第三非显示区域IA3平行的第四非显示区域IA4。例如，第一非显示区域IA1可以是基板SUB的上(或下)边缘区域、第二非显示区域IA2可以是基板SUB的下(或上)边缘区域、第三非显示区域IA3可以是基板SUB的左(或右)边缘区域、第四非显示区域IA4可以是基板SUB的右(或左)边缘区域，但是本发明不限于此。

显示区域AA被划分为两个区域。特别地，显示区域AA沿XY平面的Y轴被划分为上部区域和下部区域。例如，将其中安装有相机CM或光学传感器SN的上部区域定义为透明发光区域TEA，而将另一个下部区域定义为驱动发光区域DEA。线路端子部分PP设置在驱动发光区域DEA的下方。线路端子部分PP是从外部提供有用于在透明发光区域TEA和驱动发光区域DEA中显示图像的驱动信号的部分。

透明发光区域TEA具有发光功能和透光功能，因此优选地包括发光元件和透明区域。为了确保透明区域尽可能宽，优选的是，在其中不设置除了发光元件之外的线路。因此，优选地，从线路端子部分PP延伸的线路设置在驱动发光区域DEA中，但是不设置在透明发光区域TEA中。

多个驱动发光像素DEP以矩阵型排列在驱动发光区域DEA中。例如，驱动发光像素DEP由扫描线SL、数据线DL和像素驱动电源线PL限定。

扫描线SL在第一方向X上延伸并且在与第一方向X交叉的第二方向Y上以预定间隔设置。基板SUB的显示区域AA包括多条扫描线SL，其在第一方向X上彼此平行并且在第二方向Y上彼此分开。此处，第一方向X被定义为基板SUB的水平方向，第二方向Y被定义为基板SUB的垂直方向，但是本发明不限于此，可以与其相反地定义。

数据线DL在第二方向Y上延伸并且在第一方向X上以预定间隔设置。基板SUB的显示区域AA包括多条数据线DL，其与第二方向Y平行，并且在第一方向X上彼此分开。

像素驱动电源线PL在基板SUB上设置为与数据线DL平行。基板SUB的显示区域AA包括与数据线DL平行的多条像素驱动电源线PL。选择性地，像素驱动电源线PL可以设置为与扫描线SL平行。

透明发光像素电路PCT响应于从第一扫描线SL1提供的扫描信号基于从相应数据线DL提供的数据电压来控制从相应像素驱动电源线PL流到相应发光元件ED的电流Ied。此处，透明发光像素电路PCT连接到设置在透明发光区域TEA中的透明发光像素TEP的发光元件ED。

驱动发光像素电路PCD响应于从第二扫描线SL2提供的扫描信号基于从相应数据线DL提供的数据电压来控制从相应像素驱动电源线PL流到相应发光元件ED的电流Ied。此处，驱动发光像素电路PCD连接到设置在驱动发光区域DEA中的驱动发光像素DEP的发光元件ED。

多个透明发光像素TEP以矩阵型排列在透明发光区域TEA中。诸如相机CM和光学传感器SN之类的机构安装在基板SUB的后表面上，以对应于基板SUB的光从前表面透射到后表面的部分。每个透明发光像素TEP具有固定尺寸，并且发光元件ED设置在其中。发光元件ED占据透明发光像素TEP的一部分。除了透明发光像素TEP中的发光元件ED占据的部分之外的部分是透明区域TA。

发光元件ED以均匀分布设置在透明发光区域TEA和驱动发光区域DEA中。例如，具有相同尺寸的像素以矩阵型排列，并且每个像素分配有一个发光元件。另一方面，由于像素电路仅设置在驱动发光区域DEA中，因此在每个驱动发光像素DEP中设置两个或更多个像素电路。即，在每个驱动发光像素DEP中设置两个或更多个像素电路，每个透明发光像素TEP不包括像素电路。

仅在透明发光区域TEA中的透明发光像素TEP中设置发光元件ED，并且在驱动发光区域DEA中的驱动发光像素DEP中设置用于驱动发光元件ED的透明发光像素电路PCT。另一方面，驱动发光区域DEA中的每个驱动发光像素DEP包括发光元件ED和用于驱动发光元件ED的驱动发光像素电路PCD。

此处，透明发光像素TEP和驱动发光像素DEP统称为像素。透明发光像素电路PCT和驱动发光像素电路PCD统称为像素电路。

例如，像素可以以条纹图案设置在显示区域AA中。在这种情况下，一个单位像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，并且单位像素还可以包括白色子像素。

例如，像素可以设置在显示区域AA中的Pentile结构中。在这种情况下，单位像素包括以二维多边形形状设置的至少一个红色子像素、至少两个绿色子像素和至少一个蓝色子像素。例如，在具有Pentile结构的一个单位像素中，一个红色子像素、两个绿色子像素和一个蓝色子像素以八边形形状二维地设置。在这种情况下，蓝色子像素具有最大的开口面积(或发光面积)，绿色子像素具有最小的开口面积。

例如，每个像素电路PC包括至少两个薄膜晶体管和一个电容器。例如，每个像素电路PC可以包括：驱动薄膜晶体管，将基于数据电压的数据电流Ied提供给发光元件ED；开关薄膜晶体管，将从数据线DL提供的数据电压提供给驱动薄膜晶体管；和电容器，存储驱动薄膜晶体管的栅极-源极电压。

例如，每个像素电路PC可以包括至少三个薄膜晶体管和至少一个电容器。例如，取决于至少三个薄膜晶体管的操作(或功能)，像素电路PC包括电流供应电路、数据供应电路和补偿电路。此处，电流供应电路包括驱动薄膜晶体管，驱动薄膜晶体管将基于数据电压的数据电流Ied提供给发光元件ED。数据供应电路包括至少一个开关薄膜晶体管，开关薄膜晶体管响应于至少一个扫描信号将从数据线DL提供的数据电压提供给电流供应电路。补偿电路包括至少一个补偿薄膜晶体管，补偿薄膜晶体管响应于至少一个扫描信号补偿驱动薄膜晶体管的特性值(阈值电压和/或迁移率)的变化。

响应于从像素电路PC提供的数据电流Ied，每个发光元件ED发出具有与数据电流Ied对应的亮度的光。在这种情况下，数据电流Ied从像素驱动电源线PL经由发光元件ED流到公共电源线CPL。

设置在透明发光区域TEA中的发光元件ED和设置在驱动发光区域DEA中的发光元件ED具有相同的结构。例如，每个发光元件ED包括电连接到像素电路PC的像素驱动电极(或第一电极或阳极)、形成在像素驱动电极AE上的发光层以及电连接到发光层EL的公共电极(或第二电极或阴极)。

公共电源线CPL设置在基板SUB的非显示区域IA中并且电连接到设置在显示区域AA中的公共电极。例如，公共电源线CPL沿着第二至第四非显示区域IA2、IA3和IA4设置，第二至第四非显示区域IA2、IA3和IA4以恒定的线宽与基板SUB的显示区域AA相邻，并且围绕显示区域AA的除了与基板SUB的第一非显示区域IA1相邻的部分之外的部分。公共电源线CPL的一端设置在第一非显示区域IA1的一侧，公共电源线CPL的另一端设置在第一非显示区域IA1的另一侧。公共电源线CPL的一端和另一端设置为围绕第二至第四非显示区域IA2、IA3和IA4。因此，公共电源线CPL在二维上具有“∩形”，其中与基板SUB的第一非显示区域IA1对应的一侧是开放的。

封装层形成在基板SUB上以围绕显示区域AA以及公共电源线CPL的顶表面和侧表面。另一方面，封装层暴露公共电源线CPL在第一非显示区域IA1中的一端和另一端。封装层用于防止氧或湿气渗透设置在显示区域AA中的发光元件ED。例如，封装层可以包括至少一个无机膜。例如，封装层可以包括多个无机膜和插入在多个无机膜之间的有机膜。

根据本发明的实施方式的驱动单元包括栅极驱动电路200和驱动集成电路300。

栅极驱动电路200设置在基板SUB的第三非显示区域IA3和/或第四非显示区域IA4中，并且以一一对应的方式连接到设置在显示区域AA中的扫描线SL。栅极驱动电路200在与制造像素P的工艺(即，制造薄膜晶体管的工艺)相同的工艺中形成为基板SUB的第三非显示区域IA3和/或第四非显示区域IA4中的集成电路。栅极驱动电路200通过基于从驱动集成电路300提供的栅极控制信号生成扫描信号并以预定顺序输出生成的扫描信号，来以预定顺序驱动多条扫描线SL。例如，栅极驱动电路200可以包括移位寄存器。

焊盘部分PP包括多个焊盘，其设置在基板SUB的非显示区域IA中。例如，焊盘部分PP可以包括设置在基板SUB的第一非显示区域IA1中的多个公共电源焊盘、多个数据输入焊盘、多个电源焊盘及多个控制信号输入焊盘。

坝结构DM设置在基板SUB的第一非显示区域IA1、第二非显示区域IA2、第三非显示区域IA3和第四非显示区域IA4中并且具有围绕显示区域AA的闭合曲线结构。例如，坝结构DM设置在公共电源线CPL的外部，并且位于基板SUB上的最外部中。

坝结构DM设置在图1中的最外部，但是本发明不限于此。例如，坝结构DM可以设置在公共电源线CPL和栅极驱动电路200之间。例如，坝结构DM可以设置在显示区域AA和驱动集成电路300之间。

驱动集成电路300安装在芯片安装区域中，芯片安装区域通过芯片安装(或接合)工艺限定在基板SUB的第一非显示区域IA1中。驱动集成电路300的输入端电连接到焊盘部分PP，因此电连接到位于显示区域AA中的多条数据线DL和多条像素驱动电源线PL。驱动集成电路300经由焊盘部分PP从显示驱动电路单元(或主机电路)接收各种电力、时序同步信号和数字图像数据，基于时序同步信号生成栅极控制信号，控制栅极驱动电路200的驱动，将数字图像数据转换为模拟像素数据电压，将模拟像素数据电压提供给相应的数据线DL。

下面将参照图2至4详细描述构成根据本发明实施方式的部分透明EL显示装置的基本像素结构。下面将首先参照图2描述最基本的单位像素结构。图2是示出根据本发明实施方式的部分透明EL显示装置中的最小单元的像素结构的放大平面图。

为了便于解释和理解，假设在构成图2中的显示装置的一列像素中提供两个像素区域。然而，本发明不限于此。下面将描述最基本的结构。参照图2，根据本发明实施方式的部分透明显示装置包括透明发光区域TEA和驱动发光区域DEA。

一个透明发光像素TEP设置在透明发光区域TEA中，并且一个驱动发光像素DEP设置在驱动发光区域DEA中。优选地，透明发光像素TEP和驱动发光像素DEP具有相同的形状和相同的尺寸。在某些情况下，它们可能具有不同的尺寸和不同的形状。

驱动发光像素DEP包括第一扫描线SL1、第二扫描线SL2、数据线DL、像素驱动电源线PL、第一开关薄膜晶体管ST1、第一驱动薄膜晶体管DT1、第二开关薄膜晶体管ST2、第二驱动薄膜晶体管DT2和第一发光元件ED1。

第一开关薄膜晶体管ST1连接到第一扫描线SL1和数据线DL。第一驱动薄膜晶体管DT1连接到第一开关薄膜晶体管ST1和像素驱动电源线PL。像素电极PE1连接到第一驱动薄膜晶体管DT1。第一像素电极PE1的中心处的最大区域通过堤部BN定义为发射区域。发光层和公共电极堆叠在发射区域中以形成第一发光元件ED1。

第二开关薄膜晶体管ST2连接到第二扫描线SL2和数据线DL。第二驱动薄膜晶体管DT2连接到第二开关薄膜晶体管ST2和像素驱动电源线PL。连接电极(link electrode)LK连接到第二驱动薄膜晶体管DT2。

透明发光像素TEP包括第二像素电极PE2和透明区域TA。第二像素电极PE2经由连接电极LK连接到设置在驱动发光像素DEP中的第二驱动薄膜晶体管DT2。透明区域TA是围绕第二像素电极PE2的透明区域。第二像素电极PE2的中心处的最大区域通过堤部BN定义为发射区域。发光层和公共电极堆叠在发射区域中以形成第二发光元件ED2。

优选地，透明区域TA占据透明发光像素TEP的最大面积比。仅第二发光元件ED2和一部分连接电极LK设置在透明发光像素TEP中，并且用于驱动第二发光元件ED2的所有驱动元件设置在驱动发光像素DEP中。具体地，第二扫描线SL2、数据线DL和像素驱动电源线PL不设置在透明发光像素TEP中。

以下将参照图3和4详细描述根据本发明的部分透明显示装置中的像素的截面结构。图3是沿图2中的线I-I'截取的截面图，其示出根据本发明实施方式的部分透明EL显示装置中的驱动发光像素的结构。图4是沿图2中的线II-II'截取的截面图，其示出根据本发明实施方式的部分透明EL显示装置中的透明发光像素的结构。

参照图3和图4，根据本发明示例性实施方式的EL显示装置包括基板SUB、像素阵列层120和封装层130。

基板SUB包括驱动发光像素DEP和透明发光像素TEP。基板SUB是基础层，并且由塑料材料或玻璃材料形成。例如，基板SUB可以由不透明或有色聚酰亚胺材料形成。基板SUB可以是柔性板或刚性板。例如，由玻璃材料形成的柔性基板SUB可以是厚度为100微米或更小的薄玻璃基板，或者可以是通过基板蚀刻工艺蚀刻为具有100微米或更小厚度的玻璃基板。

缓冲膜(未示出)沉积在基板SUB的顶表面上。缓冲膜形成在基板SUB的一个表面上，以防止湿气经由对湿气抵抗力较差的基板SUB渗透像素阵列层120。例如，缓冲膜可以由交替堆叠的多个无机膜形成。例如，缓冲膜可以由多层膜形成，其中交替堆叠硅氧化物膜(SiOx)、硅氮化物膜(SiNx)和SiON的一个或多个无机膜。如有必要，可以省略缓冲膜。

像素阵列层120包括薄膜晶体管层、平坦化层PLN、堤部图案BN以及发光元件ED1和ED2。

例如，薄膜晶体管层包括第一驱动薄膜晶体管DT1、第二驱动薄膜晶体管DT2、栅极绝缘膜GI和层间绝缘膜ILD。此处，图3中所示的第一驱动薄膜晶体管DT1电连接到设置在驱动发光像素DEP中的第一发光元件ED1。图4中所示的第二驱动薄膜晶体管DT2电连接到设置在透明发光像素TEP中的第二发光元件ED2

第一驱动薄膜晶体管DT1包括形成在基板SUB或缓冲膜上的第一半导体层DA1、第一栅极DG1、第一源极DS1和第一漏极DD1。第二驱动薄膜晶体管DT2包括形成在基板SUB或缓冲膜上的第二半导体层DA2、第二栅极DG2、第二源极DS2和第二漏极DD2。

在以下描述中，相同的组成元件将用共用名称指代。例如，第一栅极DG1和第二栅极DG2也称为栅极。在图3和图4中，驱动薄膜晶体管DT1和DT2具有顶栅结构，其中栅极DG1和DG2位于半导体层DA1和DA2上，但是本发明不限于此。例如，驱动薄膜晶体管DT1和DT2可以具有：底栅结构，其中栅极DG1和DG2位于半导体层DA1和DA2的下面；或者双栅结构，其中栅极DG1和DG2位于半导体层DA1和DA2的上方和下方。

半导体层DA1和DA2可以形成在基板SUB或缓冲膜上。半导体层DA1和DA2由基于硅的半导体材料、基于氧化物的半导体材料或基于有机的半导体材料形成，并且具有单层结构或多层结构。可以在缓冲膜和半导体层DA1和DA2之间另外形成用于阻挡入射在半导体层DA1和DA2上的外部光的光阻挡层。

栅极绝缘膜GI形成在整个基板SUB上以覆盖半导体层DA1和DA2。栅极绝缘膜GI由诸如硅氧化物膜(SiOx)、硅氮化物膜(SiNx)之类的无机膜或其多层膜形成。

栅极DG1和DG2形成在栅极绝缘膜GI上以与半导体层DA1和DA2交叠。栅极DG1和DG2与扫描线SL1和SL2一起形成。例如，栅极DG1和DG2由包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)中的一种或其合金的单层或其多层形成。

层间绝缘膜ILD形成在整个基板SUB上，以覆盖栅极DG1和DG2和栅极绝缘膜GI。层间绝缘膜ILD为栅极DG1和DG2和栅极绝缘膜GI提供平坦表面。

源极DS1和DS2及漏极DD1和DD2形成在层间绝缘膜ILD上，以与半导体层DA1和DA2交叠，栅极DG1和DG2介于源极DS1和DS2及漏极DD1和DD2与半导体层DA1和DA2之间。源极DS1和DS2及漏极DD1和DD2与数据线DL、像素驱动电源线PL和公共电源线CPL一起形成。即，源极DS1和DS2、漏极DD1和DD2、数据线DL、像素驱动电源线PL和公共电源线CPL同时通过图案化源极/漏极材料的工艺形成。

源极DS1和DS2及漏极DD1和DD2经由穿透层间绝缘膜ILD和栅极绝缘膜GI的电极接触孔连接到半导体层DA1和DA2。源极DS1和DS2及漏极DD1和DD2由包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金的单层或其多层形成。此处，图3和图4中所示的薄膜晶体管DT1和DT2的源极DS1和DS2电连接到像素驱动电源线PL。

这样，在基板SUB的驱动发光像素DEP中提供的第一驱动薄膜晶体管DT1构成透明发光像素电路PCT。在驱动发光像素DEP中提供的第二驱动薄膜晶体管DT2构成驱动发光像素电路PCD。另一方面，设置在基板SUB的第四非显示区域IA4中的栅极驱动电路200包括与在驱动发光像素DEP中提供的驱动薄膜晶体管DT1和DT2相同或相似的薄膜晶体管。

平坦化层PLN形成在整个基板SUB上以覆盖薄膜晶体管层。平坦化层PLN在薄膜晶体管层上提供平坦表面。例如，平坦化层PLN由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂之类的有机膜形成。

例如，平坦化层PLN可以包括像素接触孔PH1和PH2，其暴露在驱动发光像素DEP中提供的驱动薄膜晶体管DT1和DT2的漏极DD1和DD2。

堤部图案BN设置在平坦化层PLN上并且限定透明发光像素TEP和驱动发光像素DEP中的开口区域(或发射区域)。堤部图案BN可以被称为像素限定膜。

第一发光元件ED1包括第一像素驱动电极AE1、第一发光层EL1和公共电极CE。第一像素驱动电极AE1形成在平坦化层PLN上，并且经由形成在平坦化层PLN中的第一像素接触孔PH1电连接到第一驱动薄膜晶体管DT1的第一漏极DD1。在这种情况下，除了第一像素驱动电极AE1的中间部分以外的边缘部分被堤部图案BN覆盖。堤部图案BN覆盖第一像素驱动电极AE1的边缘部分以限定驱动发光像素DEP的开口区域。

第二发光元件ED2包括第二像素驱动电极AE2、第二发光层EL2和公共电极CE。第二像素驱动电极AE2形成在平坦化层PLN上，并且经由形成在平坦化层PLN中的第二像素接触孔PH2电连接到第二驱动薄膜晶体管DT2的第二漏极DD2。具体地，第二像素驱动电极AE2设置在透明发光像素TEP中，因此经由连接电极LK连接到第二漏极DD2。在这种情况下，除了第二像素驱动电极AE2的中间部分以外的边缘部分被堤部图案BN覆盖。堤部图案BN覆盖第二像素驱动电极AE2的边缘部分以限定透明发光像素TEP的开口区域。

例如，像素驱动电极AE1和AE2可以由具有高反射率的金属材料形成。例如，像素驱动电极AE1和AE2可以以多层结构例如铝(Al)和钛(Ti)的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝(Al)和ITO的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金、以及APC合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/TIO)形成，或者可以以单层结构包括选自银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、金(Au)、镁(Mg)、钙(Ca)和钡(Ba)中的一种或者两种或更多种的合金形成。

发光层EL1和EL2形成在基板SUB的整个显示区域AA上，以覆盖像素驱动电极AE1和AE2以及堤部图案BN。即，第一发光层EL1和第二发光层EL2可以是相同的发光层。例如，发光层EL可以包括垂直堆叠以发射白光的两个或更多个发光部分。例如，发光层EL可以包括第一发光部分和第二发光部分，用于通过混合第一光和第二光来发射白光。此处，第一发光部分发射第一光并包括蓝色发光部分、绿色发光部分、红色发光部分、黄色发光部分和黄绿色发光部分。第二发光部分包括发射第二光的发光部分，第二光与蓝色发光部分、绿色发光部分、红色发光部分、黄色发光部分和黄绿色发光部分发出的第一光具有颜色互补关系。

例如，发光层EL1和EL2包括蓝色发光部分、绿色发光部分和红色发光部分中的一个，用于发射与为像素P设置的颜色对应的颜色的光。当第一发光层EL1和第二发光层EL2发出不同颜色的光时，第一发光层EL1和第二发光层EL2由不同的有机材料形成，并且单独地为像素驱动电极AE1和AE2形成。例如，发光层EL1和EL2可以包括有机发光层、无机发光层和量子点发光层中的一种，或者可以具有有机发光层(或无机发光层)和量子点发光层的堆叠或混合结构。

另外，发光元件ED1和ED2还可以包括用于提高发光层EL1和EL2的发光效率和/或寿命的功能层。

公共电极CE形成为电连接到发光层EL1和EL2。公共电极CE形成在基板SUB的整个显示区域AA中，以共同连接到在像素TEP和DEP中提供的发光层EL1和EL2。

例如，公共电极CE可以由透明导电材料或能够透射光的半透射导电材料形成。当公共电极由半透射导电材料形成时，可以通过微腔结构增强从发光元件ED发射的光的发射效率。半透射导电材料的示例包括镁(Mg)、银(Ag)、以及镁(Mg)和银(Ag)的合金。另外，可以在公共电极CE上进一步形成覆盖层，用于调整从发光元件ED发射的光的折射率以提高光的发射效率。

封装层130形成为围绕像素阵列层120的所有顶表面和侧表面。封装层130用于防止氧或湿气渗透发光元件ED1和ED2。

例如，封装层130包括第一无机封装层PAS1、第一无机封装层PAS1上的有机封装层PCL，以及有机封装层PCL上的第二无机封装层PAS2。第一无机封装层PAS1和第二无机封装层PAS2用于防止湿气或氧的渗透。例如，第一无机封装层PAS1和第二无机封装层PAS2可以由诸如硅氮化物、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、硅氧化物、氧化铝或氧化钛之类的无机材料形成。第一无机封装层PAS1和第二无机封装层PAS2可以通过化学气相沉积(CVD)工艺或原子层沉积(ALD)工艺形成。

有机封装层PCL具有被第一无机封装层PAS1和第二无机封装层PAS2密封(包围)的结构。有机封装层PCL形成的厚度大于第一无机封装层PAS1和/或第二无机封装层PAS的厚度，使得可以吸附和/或阻挡在制造工艺中可能生成的颗粒。有机封装层PCL可以由诸如硅氧碳(SiOCx)丙烯酸或基于环氧树脂之类的有机材料形成。有机封装层PCL可以使用涂覆工艺例如，喷墨涂覆工艺或狭缝涂覆工艺形成。

返回参照图1，根据本发明示例性实施方式的EL显示装置还包括坝结构DM。坝结构DM设置在基板SUB的非显示区域IA中，使得可以防止有机封装层PCL的流出。

例如，坝结构DM可以设置在显示区域AA的外部。更具体地，坝结构DM可以设置于在显示区域AA外部设置的栅极驱动电路200的外部，并且设置于在栅极驱动电路200外部设置的公共电源线CPL的外部。在一些情况下，坝结构DM可以设置为与公共电源线CPL的外部分交叠。在这种情况下，可以减小其中设置有栅极驱动电路200和公共电源线CPL的非显示区域IA的宽度，从而减小边框宽度。

下面将参照图5和6描述根据本发明另一示例性实施方式的部分透明EL显示装置。图5是示出根据本发明另一实施方式的部分透明EL显示装置的平面图。图6是示出根据本发明另一实施方式的部分透明EL显示装置中的显示区域中设置的像素的结构的放大平面图。在以下描述中，除非必要，否则将不再重复对上面参照图1至图4描述的相同附图标记和组成部件的描述。

参照图5，根据本发明另一示例性实施方式的部分透明EL显示装置包括显示区域AA和围绕显示区域AA的非显示区域IA1、IA2、IA3和IA4。显示区域AA包括透明发光区域TEA、驱动发光区域DEA和标准发光区域SEA。

在透明发光区域TEA中，多个透明发光像素TEP以矩阵排列。在驱动发光区域DEA中，多个驱动发光像素DEP以矩阵排列。在标准发光区域SEA中，多个标准发光像素SEP以矩阵排列。

每个透明发光像素TEP包括一个发光元件ED和围绕发光元件ED的透明区域TA。驱动发光像素DEP包括两个透明发光像素电路PCT和/或一个驱动发光像素电路PCD和一个发光元件ED。每个标准发光像素SEP包括一个标准像素电路PC和一个发光元件ED。

设置在透明发光区域TEA和驱动发光区域DEA中的透明发光像素TEP和驱动发光像素DEP具有相同的尺寸和相同的形状。另一方面，设置在标准发光区域SEA中的标准发光像素SEP的尺寸是透明发光像素TEP的尺寸的1/n(其中n是等于或大于2的自然数)。

例如，将驱动发光像素DEP划分为三个区域，并且将像素电路设置在1/3区域中。每个驱动发光像素DEP包括一个驱动发光像素电路PCD和两个透明发光像素电路PCT。一个驱动发光像素电路PCD连接到设置在驱动发光像素DEP中的一个发光元件ED。两个透明发光像素电路PCT连接到设置在透明发光区域TEA中的两个连续透明发光像素TEP。

在这种情况下，标准发光像素SEP的尺寸是驱动发光像素DEP的尺寸的1/3。标准像素电路PC和发光元件ED设置在标准发光像素SEP中。

透明发光区域TEA和驱动发光区域DEA的像素密度是标准发光区域SEA的像素密度的1/3。即，标准发光区域SEA的像素密度是三倍。

在这种配置中，相机CM和/或光学传感器SN设置在透明发光区域TEA的后表面中。由于光可以经由透明发光区域TEA的透明区域TA穿过基板SUB，因此当不执行显示功能时，可以通过透明发光区域TEA由相机感测外部光或者捕获图像。当不执行这种光学功能时，可以使用发光元件ED显示图像。

除了驱动发光像素DEP之外，用于驱动设置在透明发光像素TEP中的发光元件ED的像素电路设置在驱动发光区域DEA中。驱动发光区域DEA具有与透明发光区域TEA相同的像素密度，并且发光元件ED设置在其中。因此，透明发光区域TEA和驱动发光区域DEA可以令人满意地用作具有恒定像素密度的显示区域。

另一方面，发光元件ED设置在标准发光区域SEA中，其像素密度高于透明发光区域TEA和驱动发光区域DEA中的像素密度。因此，标准发光区域SEA可以提供分辨率高于透明发光区域TEA和驱动发光区域DEA的分辨率的图像信息。

下面将参照图6描述具体示例。为了方便起见，图6中仅示出了一个像素列。图6示出了如下示例，其中将透明发光区域TEA设置在从显示区域AA的最上侧向下的五个像素行中，将驱动发光区域DEA设置在其后的三个像素行中，并且将标准发光区域SEA设置在其他行中。本发明不限于此，可以将透明发光区域TEA设置在20个像素行中，可以将驱动发光区域DEA设置在7个像素行中。

在透明发光区域TEA中，五个透明发光像素TEP沿列方向连续排列。五个发光元件ED分别设置在五个透明发光像素TEP中。在图6中，带圆圈的数字表示发光元件ED。将透明发光像素TEP的除了发光元件ED之外的区域定义为透明区域TA。

在驱动发光区域DEA中，三个驱动发光像素DEP沿列方向连续排列。三个发光元件ED分别设置在三个驱动发光像素DEP中。三个像素电路PC设置在一个驱动发光像素DEP中。因此，八个像素电路PC1、……、PC8顺序地设置在驱动发光区域DEA中。在图6中，在驱动发光区域DEA中的最上侧设置的驱动发光像素DEP中仅设置两个像素电路PC1和PC2。这是因为像素电路的数量和像素电路的面积比不匹配。

设置在驱动发光区域DEA中的像素电路PC1至PC8依次连接到分别设置在透明发光区域TEA和驱动发光区域DEA中的八个发光元件ED。例如，经由连接电极LK，第一像素电路PC1连接到第一发光元件ED1，第二像素电路PC2连接到第二发光元件ED2，第三像素电路PC3连接到第三发光元件ED3，第四像素电路PC4连接到第四发光元件ED4，第五像素电路PC5连接到第五发光元件ED5。经由连接电极LK，第六像素电路PC6连接到第六发光元件ED6，第七像素电路PC7连接到第七发光元件ED7，第八像素电路PC8连接到第八发光元件ED8。

标准发光像素SEP设置在标准发光区域SEA中。每个标准发光像素SEP的尺寸是每个驱动发光像素DEP的尺寸的1/3。这个尺寸比的确定是由于以相同的尺寸形成设置在显示区域AA中的像素电路PC。将像素电路PC的尺寸设置为相同的原因是驱动元件具有相同的特性以减小显示质量的偏差。

在每个标准发光像素SEP中设置一个标准像素电路PC和一个发光元件ED。在这种情况下，标准发光区域SEA的像素密度是透明发光区域TEA和驱动发光区域DEA的像素密度的三倍。

像素电路PC仅设置在驱动发光区域DEA和标准发光区域SEA中。即，在透明发光区域TEA中没有设置像素电路PC。因此，在透明发光区域TEA中没有设置连接到像素电路PC的扫描线SL、数据线DL和像素驱动电源线PL。

扫描线SL连接到设置在第三非显示区域IA3和/或第四非显示区域IA4中的栅极驱动单元200，第三非显示区域IA3和/或第四非显示区域IA4设置在图5中的显示区域AA的左侧和/或右侧。因此，栅极驱动单元200可以不形成在透明发光区域TEA的左侧和/或右侧。

数据线DL和像素驱动电源线PL共同连接以用于一个像素列。数据线DL和像素驱动电源线PL从设置在第一非显示区域IA1中的焊盘部分PP延伸到显示区域AA的上侧，并且仅延伸到驱动发光区域DEA和透明发光区域TEA之间的边界。

利用上述结构，仅发光元件ED、连接线LK和透明区域TA设置在透明发光区域TEA中。由于包括诸如扫描线SL、数据线DL和像素驱动电源线PL之类的不透明金属材料的线路未设置在透明发光区域TEA中，所以透明发光区域TEA的透射率可以保持较高。

在图6中，示出了在透明发光区域TEA中设置八个像素中的五个像素并且在驱动发光区域DEA中设置三个像素的具体情况。这可以概括如下。

在基板SUB上的显示区域AA中，m(其中m是自然数)个透明发光像素TEP从最上侧沿列方向依次向下设置。另外，n(其中n是等于或小于m的自然数)个驱动发光像素DEP从最后一个驱动发光像素DEP沿列方向依次向下设置。多个标准发光像素SEP从最后一个驱动发光像素DEP沿列方向依次向下设置。每个标准发光像素SEP包括一个像素电路PC和一个发光元件ED。

在透明发光像素TEP和驱动发光像素DEP中，k(其中k是(m+n)的自然数)个发光元件以恒定间隔设置。m个透明发光像素TEP中的每一个包括发光元件ED和围绕发光元件ED的透明区域TA。k个像素电路PC(或驱动元件)分布并设置在n个驱动发光像素DEP中。k个像素电路PC依次连接到k个发光元件ED。

优选地，透明发光像素TEP和驱动发光像素DEP具有相同的尺寸和相同的形状。设置在标准发光区域SEA中的标准发光像素SEP的密度高于设置在驱动发光区域DEA和透明发光区域TEA中的驱动发光像素DEP和透明发光像素TEP的密度。每个标准发光像素SEP的尺寸对应于设置在每个驱动发光像素DEP中的一个像素电路PC所占据的区域。

驱动发光像素DEP和标准发光像素SEP由多条扫描线SL、多条数据线DL和多条像素驱动电源线PL限定。设置在透明发光像素TEP中的k个像素电路PC连接到k条连续扫描线SL、数据线DL和像素驱动电源线PL。每个标准像素电路PC连接到除了k条扫描线之外的一条扫描线SL、数据线DL和像素驱动电源线PL。

焊盘部分PP设置在第一非显示区域IA1中，第一非显示区域IA1是靠近标准发光区域SEA的非显示区域。即，将焊盘部分PP设置在设置有标准发光像素SEP的列方向上的最下侧的标准发光像素SEP的外部。连接到数据线DL的数据焊盘和连接到像素驱动电源线PL的像素驱动电源焊盘设置在焊盘部分PP中。利用这种配置，在透明发光区域TEA中没有设置数据线DL和像素驱动电源线PL。

因此，驱动发光像素DEP和标准发光像素SEP由扫描线SL、数据线DL和像素驱动电源线PL限定。另一方面，在未设置扫描线SL、数据线DL和像素驱动电源线PL的情况下限定透明发光像素TEP。透明发光像素TEP可以被定义为对应于驱动发光像素DEP的设置类型和尺寸。

栅极驱动单元200设置在驱动发光像素DEP和标准发光像素SEP的左侧和右侧中的至少一侧上。栅极驱动单元200连接到扫描线SL并依次提供扫描信号。

下面将参照图5和7描述根据本发明又一示例性实施方式的部分透明EL显示装置。图5是示出根据本发明另一实施方式的部分透明EL显示装置的平面图。图7是示出根据本发明又一实施方式的部分透明EL显示装置中的显示区域中设置的像素的结构的放大平面图。在以下描述中，除非必要，否则将不再重复描述与以上参照图1至图4描述的附图标记和元件相同的附图标记和元件。

在参照图6描述的实施方式中，透明发光区域TEA、驱动发光区域DEA和标准发光区域SEA设置在像素阵列的列方向上。因此，包括透明发光区域TEA和驱动发光区域DEA的低分辨率区域的分辨率是在列方向上包括标准发光区域SEA的高分辨率区域的分辨率的1/n。此处，n对应于设置于在驱动发光区域DEA中设置的驱动发光像素DEP中的驱动元件PC的数量。

在下面将参照图7描述的实施方式中，包括透明发光区域TEA和驱动发光区域DEA的低分辨率区域的分辨率是在列方向和行方向上包括标准发光区域SEA的高分辨率区域的分辨率的1/n。在下文中，假设在行方向上设置两个驱动元件PC，并且在列方向上设置四个驱动元件PC以在驱动发光区域DEA的驱动发光像素DEP中满足n＝8。

参照图5和图7，根据本发明另一示例性实施方式的部分透明EL显示装置包括显示区域AA和围绕显示区域AA的非显示区域IA1、IA2、IA3和IA4。显示区域AA包括透明发光区域TEA、驱动发光区域DEA和标准发光区域SEA。

在透明发光区域TEA中，多个透明发光像素TEP以矩阵排列。在驱动发光区域DEA中，多个驱动发光像素DEP以矩阵排列。在标准发光区域SEA中，多个标准发光像素SEP以矩阵排列。将标准发光区域SEA定义为高密度像素区域，将透明发光区域TEA和驱动发光区域DEA定义为低密度像素区域。例如，低密度像素区域的像素密度可以是高密度像素区域的像素密度的1/8。特别地，高密度像素区域的像素密度在行方向上是低密度像素区域的像素密度的两倍，在列方向上是低密度像素区域的像素密度的四倍。在这种情况下，设置在透明发光区域TEA中的每个透明发光像素TEP的尺寸对应于设置在标准发光区域SEA中的八个标准发光像素SEP的尺寸。类似地，设置在驱动发光区域DEA中的每个驱动发光像素DEP的尺寸对应于设置在标准发光区域SEA中的八个标准发光像素SEP的尺寸。

例如，两个驱动发光像素DEP可以设置在驱动发光区域DEA中。将一个驱动发光像素DEP划分为四个区域，并且在每个区域中设置一个像素电路，使得设置总共八个像素电路PC1、PC2、PC3、PC4、PC5、PC6、PC7和PC8。由于存在八个像素电路PC，因此可以驱动八个发光元件ED1、ED2、ED3、ED4、ED5、ED6、ED7和ED8。

因此，六个发光元件ED1、ED2、ED3、ED4、ED5和ED6设置在透明发光区域TEA中，两个发光元件ED7和ED8设置在驱动发光区域DEA中。由于一个发光元件ED设置在一个像素中，因此六个透明发光像素TEP设置在透明发光区域TEA中，两个驱动发光像素DEP设置在驱动发光区域DEA中。

在标准发光区域SEA中，以矩阵设置尺寸与透明发光区域TEA和驱动发光区域DEA中的像素尺寸的1/8相对应的标准发光像素SEP。即，高分辨率区域的像素密度是低分辨率区域的像素密度的八倍。每个标准发光像素SEP包括像素电路PC和发光元件ED。

连接到设置在透明发光区域TEA中的发光元件ED1、ED2、ED3、ED4、ED5和ED6的连接电极LK优选地偏置到驱动发光区域DEA中的像素行的一侧。例如，优选地，连接电极被偏置并会聚到像素行的右侧，如图7所示。对于这种布置，连接电极LK绕过发光元件ED1至ED6以包围它们并以Z字形轨道前进。

在这种配置中，相机CM和/或光学传感器SN设置在透明发光区域TEA的后表面中。由于光可以经由透明发光区域TEA的透明区域TA穿过基板SUB，因此当不执行显示功能时，可以通过透明发光区域TEA由相机感测外部光或者捕获图像。当不执行这种光学功能时，可以使用发光元件ED显示图像。

如图7所示，连接电极LK占据的面积在列方向上向下增加。因此，透明发光区域TEA中的上部区域中的透明区域TA占据的面积远大于下部区域中的透明区域TA占据的面积。因此，当安装诸如相机之类的光学机构时，光学机构优选地设置为对应于由连接电极LK占据的面积较小并且透明区域TA较宽的上部区域。

除了驱动发光像素DEP之外，用于驱动设置在透明发光像素TEP中的发光元件ED的像素电路设置在驱动发光区域DEA中。发光元件ED以与透明发光区域TEA中相同的像素密度设置。因此，透明发光区域TEA和驱动发光区域DEA可以令人满意地用作具有恒定像素密度的显示区域。

另一方面，在标准发光区域SEA中，发光元件ED设置为像素密度高于透明发光区域TEA和驱动发光区域DEA的像素密度。因此，可以在标准发光区域SEA中提供分辨率高于透明发光区域TEA和驱动发光区域DEA中的分辨率的图像信息。

更具体地，在驱动发光区域DEA中，八个驱动发光像素DEP沿列方向连续设置。因此，八个像素电路PC1至PC8依次设置在驱动发光区域DEA中。

设置在驱动发光区域DEA中的像素电路PC1至PC8依次连接至设置在透明发光区域TEA和驱动发光区域DEA中的八个发光元件ED。例如，经由连接电极LK，第一像素电路PC1连接到第一发光元件ED1，第二像素电路PC2连接到第二发光元件ED2，第三像素电路PC3连接到第三发光元件ED3，第四像素电路PC4连接到第四发光元件ED4，第五像素电路PC5连接到第五发光元件ED5。经由连接电极LK，第六像素电路PC6连接到第六发光元件ED6，第七像素电路PC7连接到第七发光元件ED7，第八像素电路PC8连接到第八发光元件ED8。

标准发光像素SEP设置在标准发光区域SEA中。每个标准发光像素SEP的尺寸是每个驱动发光像素DEP的尺寸的1/8。这个尺寸比的确定是由于以相同的尺寸形成设置在显示区域AA中的像素电路PC。将像素电路PC的尺寸设置为相同的原因是驱动元件具有相同的特性以减小显示质量的偏差。

具体地，在驱动发光区域DEA和标准发光区域SEA中以均匀的密度设置扫描线。另一方面，以驱动发光区域DEA中的密度的两倍的密度来设置数据线DL和像素驱动电源线PL。例如，当i条数据线DL和i条像素驱动电源线PL设置在标准发光区域SEA中时，i/2条数据线DL和i/2条像素驱动电源线PL设置在驱动发光区域DEA中。在图7中，第一数据线DL1和第二像素驱动电源线PL2设置在标准发光区域SEA和驱动发光区域DEA两者中，第二数据线DL2和第一像素驱动电源线PL1仅设置在标准发光区域SEA中。这表示为第一像素驱动电源线PL1和第二像素驱动电源线PL2提供相同的正电压。例如，第一像素驱动电源线PL1可以延伸到驱动发光区域DEA，第二像素驱动电源线PL可以仅设置在标准发光区域SEA中。

每个标准发光像素SEP包括一个标准像素电路PC和一个发光元件ED。在这种情况下，标准发光区域SEA的像素密度比透明发光区域TEA和驱动发光区域DEA高8倍。

像素电路PC仅设置在驱动发光区域DEA和标准发光区域SEA中。即，像素电路PC没有设置在透明发光区域TEA中。因此，连接到像素电路PC的扫描线SL、数据线DL和像素驱动电源线PL也不设置在透明发光区域TEA中。

利用这种结构，仅发光元件ED、连接电极LK和透明区域TA设置在透明发光区域TEA中。由于包括诸如扫描线SL、数据线DL和像素驱动电源线PL之类的不透明金属材料的线路未设置在透明发光区域TEA中，所以透明发光区域TEA的透射率可以保持较高。

在图7中，高分辨率区域的像素密度比低分辨率区域的像素密度高八倍，但是本发明不限于此。可以将像素密度修改为各种倍数，例如四倍、12倍和16倍。在图7中，两个驱动发光像素DEP设置在驱动发光区域DEA中，但是可以设置更多的驱动发光像素DEP。在这种情况下，设置在透明发光区域TEA中的透明发光像素TEP的数量进一步增加。

根据本发明实施方式的EL显示装置可以应用于各种产品，例如电视、笔记本个人计算机(PC)、监视器、冰箱、微波炉、洗衣机和相机，以及移动电子设备，例如电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航设备、超移动PC(UMPC)、智能电话、移动通信终端、移动电话、平板PC、智能手表、手表电话和可穿戴设备。

本发明的上述特征、结构和效果包括在本发明的至少一个实施方式中，但不仅限于一个实施方式。此外，本发明的至少一个实施方式中描述的特征、结构和效果可以由所属领域技术人员通过组合或修改其他实施方式来实现。因此，与组合和修改相关联的内容应被解释为在本发明的范围内。

根据本发明的部分透明显示装置包括透明发光区域，透明发光区域具有在显示区域的一部分中透射背景的功能和显示功能。显示区域的另一部分具有显示功能，并且包括用于驱动设置在其中的发光元件的驱动元件以及设置在透明发光区域中的发光元件。因此，即使当相机或光接收元件设置在透明发光区域的后表面上时，由于透明发光区域具有显示功能，因此可以使显示区域的面积比例最大化。通过将显示区域的一部分配置为透明显示区域而将另一部分配置为不透明显示区域，可以将根据本发明的部分透明显示装置用于各种应用。

除了本发明的上述有益果之外，本发明的其他特征和优点将由所属领域技术人员根据上文的描述或解释而更清楚地理解。

尽管以上结合附图详细描述了本发明的实施方式，但是本发明不限于这些实施方式，而是可以在不脱离本发明的技术精神的情况下以各种形式修改和实现。因此，本发明中公开的实施方式不是用于限制而是用于解释本发明的技术精神，本发明的技术精神的范围不受这些实施方式的限制。因此，应将上述实施方式理解为在所有方面都是示例性的，而不是限定性的。本发明的范围应由所附权利要求书限定，其等同范围内的所有技术精神应被解释为属于本发明的范围。