扬声器及电子设备

技术领域

本申请涉及发声技术领域，尤其涉及一种扬声器及电子设备。

背景技术

随着手机等电子产品的普及，对电子产品的轻薄化需求越来越高。尤其是折叠屏手机，折叠后共有两层，相较于普通手机，对折叠后的折叠屏手机的厚度提出了更高挑战。

扬声器作为手机必不可少的器件，安装于手机后，占用的厚度方向的空间也是影响手机厚度的因素之一。因此，如何在提升扬声器的声音品质的同时，还能使得扬声器的厚度较小，是亟待解决的问题。

发明内容

本申请提供了一种扬声器及电子设备，提升了扬声器内部磁感线的密度，进而提升了扬声器的性能，且扬声器的厚度尺寸较小。

本申请第一方面提供一种扬声器，包括：安装壳体、支架、振动件、音圈、磁性件和华司；安装壳体设有声音腔室，支架、振动件、音圈、磁性件和华司均沿扬声器的厚度方向装设于声音腔室内；振动件固定连接安装壳体，音圈固定连接振动件。支架固定连接安装壳体，磁性件固定连接支架，华司连接磁性件；磁性件的至少部分插设于华司内，磁性件设有磁间隙，音圈的至少部分位于磁间隙内。

本申请中，磁性件为产生在磁间隙内产生磁场。音圈接收到音频信号后，音频信号实际为一种电流信号，此时音圈会在垂直于音圈的磁场中产生洛伦兹力，洛伦兹力驱动音圈沿垂直于磁性件的磁场的方向(Z方向)运动。音圈带动振动件的至少部分产生沿Z方向的运动，振动件振动时，会推动周围空气振动，从而发出声音。具体的，洛伦兹力F＝BL*i，其中B为磁感应应强度，L为音圈32的有效线长，i为音圈32上的电流。在L和i保持不变的情况下，B越大，则F越大。因此，磁场加强后，洛伦兹力变大，使得音圈更好的振动，进而使得音圈带动振动件更大幅度运动，以提升振动件带动的空气振动的强度，提升了声音的响度和灵敏度，也即提高了扬声器的性能。

本申请中，因磁性件至少部分插设于华司内，也即在华司位于中心的无效区域内设置部分磁性件，进而使得磁性件产生的磁场加强。

在一些实施例中，磁性件包括中心磁铁、边磁铁和补充磁铁，华司包括中心华司和边华司；中心磁铁和边磁铁均固定连接支架，边磁铁环绕中心磁铁，补充磁铁位于中心磁铁背离支架的一侧；边磁铁与中心磁铁之间具有第一间隙；中心华司固定于中心磁铁背离支架的一侧，边华司固定于边磁铁背离支架的一侧；边华司环绕中心华司，边华司与中心华司之间具有第二间隙；第一间隙和第二间隙连通形成磁间隙，补充磁铁至少部分插设于中心华司。磁间隙内具有第一磁场，边磁铁与补充磁铁使磁间隙内产生第二磁场；音圈的至少部分位于第一磁场和第二磁场中。

本实施例中，补充磁铁与边磁铁配合使得磁间隙内产生第二磁场，第二磁场对第一磁场进行补充，使得磁感应强度B大幅提升，进而使得洛伦兹力F大幅提升。洛伦兹力提升后，音圈的运动幅度越大，进而带动振动件的运动幅度增大，使得空气振动增强，增加了发出的声音的响度，以及提升了灵敏度。经过高斯计测试量，本实施例中设置补充磁铁的方案，可使得磁场强度提升28％-34％。

在一些实施例中，中心华司包括华司本体和补充避让孔，补充避让孔开设于华司本体环；补充磁铁固定于补充避让孔内。也即，补充磁铁占用中心华司的中部区域，既能节省空间，且不影响中心华司的导磁作用。

在一些实施例中，补充磁铁的厚度小于或等于华司本体的厚度。由此，使得补充磁铁可以完全位于补充避让孔内，进而节省空间，使得扬声器的结构更加紧凑。

在一些实施例中，华司本体包括沿扬声器的厚度方向相背的第一导磁表面和第二导磁表面；补充避让孔贯穿第一导磁表面；补充磁铁包括沿扬声器的厚度方向相背的第三磁性表面和第四磁性表面；第四磁性表面与补充避让孔的孔底面接触，第三磁性表面与第一导磁表面平齐。也即，补充避让孔为盲孔，此时，补充避让孔的孔底面可以起到支撑补充磁体的作用，以及起到加强中心华司的结构强度的作用。

在一些实施例中，华司本体包括沿扬声器的厚度方向相背的第一导磁表面和第二导磁表面；补充避让孔贯穿第一导磁表面和第二导磁表面；补充磁铁包括沿扬声器的厚度方向相背的第三磁性表面和第四磁性表面；第四磁性表面与第二导磁表面平齐，第三磁性表面与第一导磁表面平齐。也即，补充避让孔为贯穿孔，由此，使得补充磁铁的厚度可以较厚，进而可以加强磁间隙内的磁场强度。

在一些实施例中，补充磁铁位于中心华司的中心区域。由此，使得补充磁铁和边磁铁之间的距离更加均匀，进而提升磁场均匀程度。

在一些实施例中，振动件包括振膜和膜片，振膜的中部为镂空区域，振膜的边沿固定连接安装壳体，膜片位于镂空区域内，且与振膜固定连接；振膜和膜片将声音腔室分隔成密封腔室和出音腔室；密封腔室的底表面与振膜和膜片相对；安装壳体设有与出音腔室连通的内出音孔；音圈固定连接膜片；支架、音圈、磁性件和华司位于密封腔室内，支架固定连接密封腔室的底表面，中心磁铁和中心华司依次层叠于支架背离密封腔室的底表面的一面，边磁铁和边华司依次层叠于支架背离密封腔室的底表面的一面；音圈至少部分围绕中心磁铁、中心华司和补充磁铁，以使音圈位于磁间隙内。

在一些实施例中，边磁铁设有第一贯穿孔，第一贯穿孔沿扬声器的厚度方向贯穿边磁铁；边华司设有第二贯穿孔，第二贯穿孔沿扬声器的厚度方向贯穿边华司；第一贯穿孔和第二贯穿孔连通成为贯通孔，中心华司、中心磁铁和补充磁铁均位于贯通孔内。

在一些实施例中，边磁铁包括边磁内表面和边磁内表面，边磁内表面为第一贯穿孔的孔壁面，边磁外表面背离第一贯穿孔；边华司包括第二导磁内表面和第二导磁外表面，第二导磁内表面为第二贯穿孔的孔壁面，第二导磁外表面背离第二贯穿孔；在扬声器的厚度方向上，边磁内表面与第一导磁内表面平齐，边磁外表面与第二导磁外表面平齐。

在一些实施例中，中心磁铁包括环绕扬声器的厚度方向的轴线的第一磁性周面，中心华司包括环绕扬声器的厚度方向的轴向的第一导磁外表面，在扬声器的厚度方向上，第一磁性周面和第一导磁外表面平齐。

本申请第二方面提供一种电子设备，包括外壳体、主板和本申请第一方面中任一项扬声器；扬声器和主板安装于外壳体内，主板电连接音圈。

本申请中，磁性件为产生在磁间隙内产生磁场。音圈接收到音频信号后，音频信号实际为一种电流信号，此时音圈会在垂直于音圈的磁场中产生洛伦兹力，洛伦兹力驱动音圈沿垂直于磁性件的磁场的方向(Z方向)运动。音圈带动振动件的至少部分产生沿Z方向的运动，振动件振动时，会推动周围空气振动，从而发出声音。具体的，洛伦兹力F＝BL*i，其中B为磁感应应强度，L为音圈32的有效线长，i为音圈32上的电流。在L和i保持不变的情况下，B越大，则F越大。因此，磁场加强后，洛伦兹力变大，使得音圈更好的振动，进而使得音圈带动振动件更大幅度运动，以提升振动件带动的空气振动的强度，提升了声音的响度和灵敏度，也即提高了扬声器的性能。

本申请中，因磁性件至少部分插设于华司内，也即在华司位于中心的无效区域内设置部分磁性件，进而使得磁性件产生的磁场加强。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或背景技术中的技术方案，下面将对本申请实施例或背景技术中所需要使用的附图进行说明。

图1是本申请实施例提供的电子设备的结构示意图。

图2是图1中所示电子设备的分体结构示意图。

图3是图2中所示扬声器的结构示意图。

图4是图2中所示扬声器的内部结构示意图。

图5是图3中所示扬声器的分体结构示意图。

图6是图5中所示扬声器的安装壳体的剖视结构示意图。

图7是图5中所示扬声器的安装壳体的分体结构示意图。

图8是图5中所示的扬声器的振动模组的结构示意图。

图9是图8中所示的振动模组的分体结构示意图。

图10是图5中所示扬声器的磁性模组的结构示意图。

图11是图10中所示磁性模组的另一视角的结构示意图。

图12是图10中所示磁性模组的分体结构示意图。

图13是图5中所示振动模组的中心华司的另一实施方式结构示意图。

图14是图2中所示扬声器的剖视结构示意图。

具体实施方式

下面结合本申请实施例中的附图对本申请实施例进行描述。

请参阅图1和图2，图1是本申请实施例提供的电子设备1000的结构示意图。图2是图1中所示电子设备1000的分体结构示意图。电子设备1000包括手机(cellphone)、笔记本电脑(notebook computer)、平板电脑(tablet personal computer)、个人数字助理(personal digital assistant)、可穿戴式设备(wearable device)或车载设备(mobiledevice)等。手机可以为普通手机，也可以为折叠屏手机。本申请实施例中，以电子设备1000为手机为例进行说明。

为了便于描述，将电子设备1000的宽度方向定义为X方向，将电子设备1000的长度方向定义为Y方向，将电子设备1000的厚度方向定义为Z方向。X方向、Y方向和Z方向两两相互垂直。

手机包括外壳体1100、显示屏1110、主板1200和扬声器100，主板1200和扬声器100安装于外壳体1100的内部，扬声器100设有出音孔101，外壳体1100设有外出音孔1101，扬声器100发出的声音从内出音孔101传递至外出音孔1101，再从外出音孔1101传递至外界。

外壳体1100包括中框1120和背板1130。显示屏1110和背板1130安装于中框1120相对的两侧，且显示屏1110、背板1130和中框1120围合成安装空间，安装空间用于容纳主板1200和扬声器100等部件。

显示屏1110包括显示面和安装面，显示面和安装面相背设置。显示屏1110的显示面背离背板1130，显示屏1110的安装面朝向背板1130。本实施例中，显示屏1110可以为有机发光二极管(organic light-emitting diode，OLED)显示屏1110，有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体(active-matrix organic light-emitting diode，AMOLED)显示屏1110，迷你发光二极管(mini organic lightemitting diode)显示屏1110，微型发光二极管(micro organic light-emitting diode)显示屏1110，微型有机发光二极管(micro organic light-emitting diode)显示屏1110，量子点发光二极管(quantum dotlight emitting diodes，QLED)显示屏1110。

中框1120为长方体框状，包括首尾顺次连接的第一板1121、第二板1122、第三板1123和第四板1124，以及包括连接板1125。连接板1125固定连接第一板1121朝向第三板1123的一侧，连接板1125位于安装空间内。外出音孔1101设于第一板1121上，外出音孔1101连通安装空间和外界。

主板1200安装于安装空间内，主板1200上设有功率放大器(power amplifier，PA)，功率放大器与中央处理器(central processing unit，CPU)电连接。功率放大器接收到中央处理器发送的音频信号后，对音频信号进行放大等处理，然后将处理后的音频信号发送至扬声器100。

扬声器100与功率放大器电连接，扬声器100是一种将电信号转化为声信号的器件，也可以称为喇叭或者扬声器等。手机可以通过扬声器100收听音乐，或收听免提电话等。扬声器100位于安装空间内，且固定连接于连接板1125，扬声器100的内出音孔101位正对外出音孔1101，扬声器100接收到功率放大器发送过来的音频信号后，依据该音频信号振动发声，扬声器100振动发出的声音从内出音孔101传递至外出音孔1101，再从外出音孔1101扩散至手机的外部。

请参阅图3至图5，图3是图2中所示扬声器的结构示意图，图4是图2中所示扬声器的内部结构示意图，图5是图3中所示扬声器的分体结构示意图。为便于看清楚扬声器的内部结构，图4中未示出支架。

扬声器100包括安装壳体10、支架20(如图5中所示)、振动模组30、磁性模组40和电路板(图未示)，安装壳体10设有声音腔室17，支架20、振动模组30和磁性模组40均装设于安装壳体10的声音腔室17内。其中，振动模组30和支架20均连接于安装壳体10，磁性模组40连接于支架20。磁性模组40产生均匀磁场，振动模组30的至少部分通电后在均匀磁场中运动，以推动周围空气振动，从而发出声音。

振动模组30包括振动件31和音圈32，振动件31固定连接安装壳体10，音圈32固定连接振动件31。振动件31为膜层，振动件31可以随着音圈32的移动而移动，振动件31移动时，可以带动周围的空气振动，进而在声音腔室17内发出声音。

磁性模组40包括磁性件40a和华司40b，磁性件40a和华司40b均连接支架20。其中，磁性件40a包括中心磁铁41、边磁铁42和补充磁铁43。华司40b包括中心华司44和边华司45。支架20固定于声音腔室17的顶面。华司40b和磁性件40a和沿着Z轴方向排列，中心磁铁41和边磁铁42均固定连接支架20，边磁铁42环绕中心磁铁41，补充磁铁43位于中心磁铁41背离支架20的一侧。边磁铁42与中心磁铁41之间具有第一间隙401a。中心华司44层叠固定于中心磁铁41背离支架20的一侧，边华司45层叠固定于边磁铁42背离支架20的一侧。边华司环绕45中心华司44，边华司45与中心华司44之间具有第二间隙401b。第一间隙401a和第二间隙401b连通形成磁间隙401，补充磁铁43至少部分插设于中心华司44。磁间隙401内具有第一磁场，第一磁场为边磁铁42与中心磁铁41之间产生的磁场。边磁铁42与补充磁铁43使磁间隙401内产生第二磁场。音圈32的至少部分位于第一磁场和第二磁场中。

沿着Z方向，音圈32插入磁间隙401中，且音圈32的侧面垂直于磁性件40a的磁场方向。扬声器100的电路板分别连接音圈32和功率放大器。电路板将功率放大器处理后的音频信号传输至音圈32，音圈32接收到音频信号后，音频信号实际为一种电流信号，此时音圈32会在垂直于音圈32的第一磁场和第二磁场中产生洛伦兹力，洛伦兹力驱动音圈32沿垂直于磁性件40a的磁场的方向(Z方向)运动。音圈32带动振动件31的至少部分产生沿Z方向的运动，振动件31振动时，会推动周围空气振动，从而发出声音，发出的声音经过扬声器100的内出音孔101位和手机的外出音孔1101传递至手机的外部。

请参阅图5、图6和图7，图6是图5中所示扬声器的安装壳体的剖视结构示意图，图7是图5中所示扬声器的安装壳体的分体结构示意图。

本实施例中，安装壳体10为长方体状，安装壳体10包括第一壳体11、第二壳体12和中壳体13。第一壳体11为一侧开口的长方体槽状，第一壳体11设有第一腔室14。第二壳体12为一侧开口的长方体槽状，第二壳体12设有第二腔室15。中壳体13呈长方形薄板状，中壳体13包括沿Z方向相背的第一表面18和第二表面19，中壳体13的中部设有安装槽16，安装槽16贯穿第一表面18和第二表面19。在其他实施例中，安装壳体10为圆形、椭圆形、三角形、正方形等形状，本申请不做限制。

第一壳体11、中壳体13和第二壳体12沿Z方向依次层叠，第一壳体11的开口和第二壳体12的开口分别面对中壳体13的第一表面18和第二表面19，且第一壳体11与第一表面18的边缘固定连接，第二壳体12与第二表面19的边缘固定连接。第一腔室14、安装槽16和第二腔室15依次连通，第一腔室14、安装槽16和第二腔室15构成安装壳体10的声音腔室17。声音腔室17用于容纳支架20、振动件31、磁性件、华司和音圈32。

请参阅图5，本实施例中，支架20为长方体薄板状，支架20包括沿Z方向相背的第一支撑面21和第二支撑面22，支架20装于第一壳体11内，第一支撑面21用于与第一壳体11朝向第二壳体12的面固定连接，第二支撑面22朝向第一壳体11的开口，用于与磁性件固定连接。在其他实施例中，支架20为圆形、正方形、三角形的薄板状，且呈环状。

请一并参阅图8和图9，图8是图5中所示的扬声器的振动模组的结构示意图，图9是图8中所示的振动模组的分体结构示意图。

本实施例中，振动模组30的振动件31包括振膜311和膜片312，振膜311为长方形的环状。振膜311包括第一平直部313、弧形部314和第二平直部315。第一平直部313为长方形的环状，换言之，第一平直部313的中部为镂空区域。第一平直部313的内边沿朝向镂空区域，弧形部314的内边沿固定连接第一平直部313的外边沿；弧形部314设有环绕镂空区域一周的环形槽。第二平直部315环绕弧形部314的外边沿一周，且与弧形部314的外边沿固定连接。弧形部314的一侧相对第一平直部313和第二平直部315向下凹陷，以形成上述的环形槽，弧形部314的另一侧相对第一平直部313和第二平直部315凸起。可以理解为，第二平直部315套于弧形部314外周，弧形部314套于第一平直部313外周，弧形部314向厚度方向凹设。

膜片312为长方体薄片状，且包括沿Z方向相背设置的顶面316和底面317。膜片312位于弧形部314的镂空区域内，且与第一平直部313固定连接。具体为膜片312的底面317的边缘与第一平直部313朝向弧形部314凸起的一侧粘接固定。在其他实施例中，振膜311和膜片312可以为圆形、椭圆形、三角形、正方形、平行四边形等形状，本申请不做限制。

振动模组30的音圈32为长方形的封闭环状，音圈32包括相背设置的内环面321和外环面322、沿Z方向相背设置的第一环面323和第二环面324。音圈32设有沿Z方向贯穿音圈32的中空区域325，音圈32的内环面321朝向中空区域325，且环绕Z轴一周。音圈32的外环面322背离中空区域325，且环绕Z轴一周。第一环面323的相对两侧连接内环面321的一边缘和外环面322的一边缘，第二环面324的内外两侧分别连接内环面321的下端和外环面322的下端。第一环面323和第二环面324的宽度尺寸相等，此处宽度尺寸为内环面321至外环面322方向的尺寸。内环面321和外环面322沿Z方向高度相等，内环面321的高度尺寸远大于第一环面323的宽度尺寸。可以理解，内环面321和外环面322沿Z方向高度为音圈32的厚度，在X方向或Y方向上，音圈32为窄条状。音圈32的第二环面324固定连接膜片312，具体为音圈32的第二环面324粘接固定膜片312的顶面316。

请参阅图10至图12，图10是图5中所示扬声器的磁性模组的结构示意图，图11是图10中所示磁性模组的另一视角的结构示意图，图12是图10中所示磁性模组的分体结构示意图。

本实施例中，磁性模组40的磁性件40a包括中心磁铁41、边磁铁42和补充磁铁43。中心磁铁41为长方形薄板状，中心磁铁41包括沿Z方向相背设置的第一磁性表面411和第二磁性表面412，以及包括连接于第一磁性表面411和第二磁性表面412之间的第一磁性周面413。第一磁性表面411的磁极为N极，第二磁性表面412的磁极为S极。

边磁铁42为长方形的环状。边磁铁42包括相背设置的边磁内表面422和边磁外表面423，以及包括沿Z向相背的边磁顶表面424和边磁底表面425；边磁顶表面424的磁极为S极，边磁底表面425的磁极为N极。边磁铁42设有第一贯穿孔421，边磁内表面422即为第一贯穿孔421的孔壁面，边磁外表面423为边磁铁42的外周面，且背离第一贯穿孔421。边磁顶表面424和边磁底表面425均连接边磁外表面423，边磁顶表面424和边磁底表面425还连接边磁内表面422，也即第一贯穿孔421的孔壁面。

补充磁铁43为长方形薄板状，补充磁铁43包括沿Z方向相背设置的第三磁性表面431和第四磁性表面432，以及包括连接于第三磁性表面431和第四磁性表面432之间的第二磁性周面433。第三磁性表面431的磁极为N极，第四磁性表面432的磁极为S极。

磁性模组40的华司40b包括中心华司44和边华司45。中心华司44包括华司本体441和补充避让孔442，华司本体441为长方形的环状。华司本体441具有沿Z方向相背设置的第一导磁表面443和第二导磁表面444，以及包括第一导磁外表面446、第一导磁内表面445和补充避让孔442。补充避让孔442的孔壁面为第一导磁内表面445。第一导磁外表面446为华司本体441的外周面，并背离补充避让孔442。第一导磁表面443和第二导磁表面444均连接第一导磁外表面446，第一导磁表面443和第二导磁表面444还连接于第一导磁内表面445，也就是补充避让孔442的孔壁面的两侧。

一种实施例中，边华司45沿Z方向的厚度大致为边磁铁42沿Z方向的厚度的二分之一，也即边华司45的第二导磁内表面452为边磁铁42的边磁内表面422的高度的二分之一，边华司45的第二导磁外表面453为边磁铁42的边磁外表面423的高度的二分之一。

一种实施例中，请参阅图13，图13是图5中所示振动模组的中心华司的另一实施方式结构示意图。华司本体441为长方形薄板状，补充避让孔442为盲孔，其为第一导磁表面443向第二导磁表面444方向凹陷形成，也即补充避让孔442仅贯穿第一导磁表面443，未贯穿第二导磁表面444。由此，既能使得补充磁铁43利用华司本体441的无效部分，又能使得华司本体441的结构强度较强，且使得华司本体441的导磁性更好。

请再次参阅图12，边华司45为长方形的环状。边华司45包括相背设置的第二导磁内表面452和第二导磁外表面453，以及包括沿Z向相背的第三导磁表面454和第四导磁表面455。边华司45设有第二贯穿孔451，第二贯穿孔451的孔壁面为第二导磁内表面452，第二导磁外表面453为边华司45的外周面，且背离第二贯穿孔451。第三导磁表面454和第四导磁表面455均连接第二导磁外表面453，第三导磁表面454和第四导磁表面455还连接第二导磁内表面452，也即第二贯穿孔451的孔壁面的两侧。

请参阅图14，图14是图2中所示扬声器的剖视结构示意图。

本实施例中，支架20、振动模组30和磁性模组40均装设于安装壳体10的声音腔室17内。具体的振动件31(振膜311和膜片312)位于第一腔室14内，振膜311的第一平直部313固定连接中壳体13的第二表面19，且第一平直部313环绕中壳体13的安装槽16一周。振动件31将安装槽16和第二腔室15隔离开，使得第一腔室14和安装槽16成为一密封腔室，第二腔室15成为与密封腔室之间密封隔绝的腔室。振膜311的弧形部314的凹陷部位朝向密封腔室。

支架20位于密封腔室内，且与密封腔室的壁面固定连接。具体为支架20的第一支撑面21粘接固定密封腔室的底壁面。磁性模组40位于密封腔室内，且固定连接支架20。具体为，边磁铁42固定连接支架20，中心磁铁41固定连接支架20，其中，边磁铁42的边磁顶表面424和中心磁铁41的第一磁性表面411粘接固定支架20的第二支撑面22。

本实施例中，边华司45和边磁铁42层叠固定，第一贯穿孔421和第二贯穿孔451连通形成贯通孔。中心磁铁41和中心华司44层叠固定，补充磁铁43固定于中心华司44的补充避让孔442内。中心磁铁41、中心华司44和补充磁铁43位于贯通孔内。中心磁铁41和中心华司44与贯通孔的孔壁之间具有间隔，该间隔形成上述的磁间隙401。边磁铁42和中心磁铁41之间在磁间隙401内形成第一磁场，边磁铁42和补充磁铁43之间在磁间隙401内形成第二磁场，第一磁场和第二磁场的方向相同。

边华司45和边磁铁42层叠固定，具体为边华司45的第三导磁表面454和边磁铁42的边磁底表面425粘接固定。边华司45的第二导磁内表面452与边磁铁42的边磁内表面422平齐，边华司45的第二导磁外表面453与边磁铁42的边磁外表面423平齐。

中心磁铁41和中心华司44层叠固定，具体为中心华司44的第一导磁表面443与中心磁铁41的第二磁性表面412粘接固定。中心华司44的第一导磁外表面446与中心磁铁41的第一磁性周面413平齐。

中心磁铁41、中心华司44和补充磁铁43位于贯通孔内。具体为，中心磁铁41位于边磁铁42的第一贯穿孔421内，中心华司44和补充磁铁43位于边华司45的第二贯穿孔451内。其中，中心磁铁41沿Z方向的厚度与边磁铁42沿Z方向的厚度相同，此处相同允许加工误差的存在。也即，中心磁铁41的第一磁性周面413的高度与边磁铁42的边磁内表面422的高度相同，中心磁铁41的第一磁性表面411与边磁铁42的边磁顶表面424平齐，中心磁铁41的第二磁性表面412与边磁铁42的边磁底表面425平齐。中心华司44沿Z方向的厚度与边华司45沿Z方向的厚度相同，此处相同允许加工误差的存在。也即中心华司44的第一导磁外表面446的高度与边华司45的第二导磁内表面452的高度相同，中心华司44的第一导磁表面443与边华司45的第三导磁表面454平齐，中心华司44的第二导磁表面444与边华司45的第四导磁表面455平齐。

本实施例中，补充磁铁43固定于中心华司44的补充避让孔442内，具体为，补充磁铁43的第三磁性表面431与中心磁铁41的第二磁性表面412粘接固定；补充磁铁43的第二磁性周面433与中心华司44的第一导磁内表面445(补充避让孔442的孔壁面)粘接固定；补充磁铁43的第四磁性表面432与中心华司44的第二导磁表面444平齐。换言之，补充磁铁43正好充满补充避让孔442，其中，补充磁铁43沿Z方向的厚度与中心华司44的厚度相同，此处相同允许加工误差的存在。补充磁铁43固定于补充避让孔442内后，补充磁铁43位于中心华司44的中心部位。由此，补充磁铁43和边磁铁42之间的距离比较均匀，使得边磁铁42和补充磁铁43之间的磁场相对均匀。在其他实施例中，补充磁铁43位于补充避让孔442内，且补充磁铁43沿Z方向的厚度小于中心华司44的厚度。

中心磁铁41和中心华司44与贯通孔的孔壁之间具有间隔，具体的，中心磁铁41的第一磁性周面413与边磁铁42的边磁内表面422之间具有第一间隙401a，中心华司44的第一导磁外表面446与边华司45的第二导磁内表面452之间具有第二间隙401b。第一间隙401a与第二间隙401b连通以形成上述的间隔，此间隔即为磁间隙401。

边磁铁42和中心磁铁41之间在磁间隙401内形成第一磁场。具体为，边磁铁42的边磁顶表面424为N极，边磁铁42的边磁底表面425为S极。中心磁铁41的第一磁性表面411为S极，中心磁铁41的第二磁性表面412为N极。因此，边磁顶表面424、第一磁性表面411、边磁底表面425和第二磁性表面412之间形成一完整的磁回路(图14中虚线箭头所示)，该磁回路即为第一磁场。

边磁铁42和补充磁铁43之间在磁间隙401内形成第二磁场。具体为，边磁铁42的边磁顶表面424为N极，边磁铁42的边磁底表面425为S极。补充磁铁43的第三磁性表面431为S极，补充磁铁43的第四磁性表面432为N极。因此，边磁顶表面424、第三磁性表面431、边磁底表面425和第四磁性表面432之间形成一完整的磁回路(图14中所示实线箭头所示)，该磁回路即为第二磁场。

在其他实施例中，边磁铁42的边磁顶表面424为S极，边磁铁42的边磁底表面425为N极。中心磁铁41的第一磁性表面411为N极，中心磁铁41的第二磁性表面412为S极。补充磁铁43的第三磁性表面431为N极，补充磁铁43的第四磁性表面432为S极。此时边磁顶表面424、第一磁性表面411、边磁底表面425和第二磁性表面412之间形成一完整的磁回路，该磁回路即为第一磁场。边磁顶表面424、第三磁性表面431、边磁底表面425和第四磁性表面432之间形成一完整的磁回路，该磁回路即为第二磁场。

音圈32位于密封腔室内，音圈32的至少部分位于磁间隙401内。具体为音圈32的内环面321的至少部分朝向中心华司44的中心导磁周面和中心磁铁41的第一磁性周面413的一部分，且音圈32的内环面321与中心华司44的第一导磁外表面446之间具有间隙。音圈32的外环面322的至少部分朝向边磁铁42的边磁内表面422的一部分和边华司45的第二导磁内表面452。换言之，中心华司44和中心磁铁41的至少部分位于音圈32的中控区域内。

音圈32收到电流信号后，因磁间隙401内具有第一磁场和第二磁场，因此通电后的音圈32会在磁间隙401内产生沿Z方向的洛伦兹力，洛伦兹力驱动音圈32沿Z方向运动，音圈32带动与音圈32连接的膜片312和振膜311的至少部分沿Z方向运动，膜片312和振膜311振动时，会推动第二腔室15内空气振动，从而发出声音，发出的声音会从内出音孔101传递至外出音孔1101，再从外出音孔1101传递至手机的外部。

洛伦兹力的大小会受到磁间隙401内磁场强度的影响。具体的，洛伦兹力F＝BL*i，其中B为磁感应应强度，L为音圈32的有效线长，i为音圈32上的电流。在L和i保持不变的情况下，B越大，则F越大。本实施例中，补充磁铁43与边磁铁42配合使得磁间隙401内产生第二磁场，第二磁场对第一磁场进行补充，使得磁感应强度B大幅提升，进而使得洛伦兹力F大幅提升。洛伦兹力提升后，音圈32的运动幅度越大，进而带动振膜311和膜片312的运动幅度增大，使得第二腔室15内的空气振动增强，增加了内出音孔101处发出的声音的响度，以及提升了灵敏度。经过高斯计测试量，相较于未设置补充磁铁43，本实施例中设置补充磁铁43的方案，可使得磁场强度提升28％-34％。

本实施例中，在Z方向上，磁性模组40的磁性件40a的至少部分插设于磁性模组40的华司40b内，更具体为补充磁铁43固定于中心华司44的补充避让孔441内。一般情况下，中心华司44导磁作用的是中心华司44的周边区域，被周边区域环绕的中部区域属于无效区域。因此在中心华司44的无效区域设置补充避让孔441，以充分利用中心华司44中部的无效区域，由此，一方面使得磁性件40a产生的磁场强度更强，磁场强度越强，则扬声器100的性能越好。另一方面补充磁铁43固定于中心华司44内部，未占用额外的Z向空间。进而使得扬声器100的厚度尺寸较小的前提下，增强了扬声器100的性能。

以上，仅为本申请的部分实施例和实施方式，本申请的保护范围不局限于此，任何熟知本领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。