显示装置

技术领域

本公开的实施方式的各方面涉及显示装置。

背景技术

显示装置可分类为选择性地允许源光穿过的透射式显示装置或者自身生成源光的发射式显示装置。显示装置可包括取决于像素的不同类型的功能图案以创建图像。功能图案可透射部分波长范围的源光，或者可改变源光的颜色。

发明内容

本公开的实施方式提供了具有提高的光发射效率的显示装置。

根据本公开的实施方式，显示装置包括显示面板、第一分隔壁、子分隔壁、第一光转换图案和第一滤色器，显示面板具有第一发射区和第二发射区，第一发射区和第二发射区中的每个被配置为发射具有第一颜色的第一源光和具有第二颜色的第二源光，第一分隔壁在显示面板上，第一分隔壁对应于第一发射区，子分隔壁在平面图中将第一分隔壁内部的区划分为主区和子区，第一光转换图案在主区内部，第一光转换图案被配置为将第一源光转换为具有第二颜色的光，第一滤色器在第一分隔壁和子分隔壁上，第一滤色器被配置为透射穿过子区的第二源光和转换后的具有第二颜色的光。

子区可包括第一分隔壁内部的区的拐角区域。

在平面图中子区可完全围绕主区。

主区的面积可大于子区的面积。

第一光转换图案可包括基础树脂和混合在基础树脂中的量子点。

显示装置还可包括在子区内部的透明有机材料。

显示装置还可包括在子区内部并且混合在透明有机材料中的散射粒子。

第一颜色可为蓝色，并且第二颜色可为绿色。

在平面图中第一滤色器可与主区和子区重叠。

显示装置还可包括第二分隔壁、第二光转换图案和第二滤色器，第二分隔壁在显示面板上，第二分隔壁对应于第二发射区，第二光转换图案在第二分隔壁内部，第二光转换图案被配置为将第一源光转换为具有第三颜色的光，第二滤色器在第二分隔壁上，第二滤色器被配置为阻挡穿过第二光转换图案的第二源光，并且透射转换后的具有第三颜色的光。

显示装置还可包括第二分隔壁、透明树脂图案和第二滤色器，第二分隔壁在显示面板上，第二分隔壁对应于第二发射区，透明树脂图案在第二分隔壁内部，透明树脂图案被配置为透射第一源光和第二源光，第二滤色器在第二分隔壁上，第二滤色器被配置为阻挡穿过透明树脂图案的第二源光，并且透射穿过透明树脂图案的第一源光。

透明树脂图案可包括基础树脂和混合在基础树脂中的散射粒子。

显示装置还可包括在显示面板的厚度方向上面对显示面板的基础层。第一滤色器可在基础层的底表面上，并且第一分隔壁和子分隔壁可在第一滤色器的底表面上。

显示面板可包括第一阳极、第二阳极、发射结构和阴极，第一阳极在第一发射区中，第二阳极在第二发射区中并且与第一阳极间隔开，发射结构在第一阳极和第二阳极上，发射结构延伸穿过第一发射区和第二发射区，阴极在发射结构上，阴极延伸穿过第一发射区和第二发射区。

发射结构可包括被配置为生成第一源光的第一发射层、被配置为生成第二源光的第二发射层以及在第一发射层与第二发射层之间的电荷生成层。

显示装置还可包括主虚设分隔壁和子虚设分隔壁，主虚设分隔壁限定在平面图中不与第一发射区和第二发射区重叠的主阱，子虚设分隔壁在主虚设分隔壁与第一分隔壁之间延伸并且限定附属阱。

根据本公开的实施方式，显示装置包括显示面板和光转换面板，显示面板包括第一发光元件和第二发光元件，第一发光元件和第二发光元件中的每个被配置为发射具有第一颜色的第一源光和具有第二颜色的第二源光，光转换面板在显示面板的厚度方向上与显示面板间隔开。光转换面板包括基础层、分隔壁、子分隔壁、光转换图案和滤色器，分隔壁在基础层的底表面上，分隔壁对应于第一发光元件，子分隔壁在平面图中将分隔壁内部的区划分为主区和子区，光转换图案在主区内部，光转换图案被配置为将第一源光转换为具有第二颜色的光，滤色器在光转换图案与基础层的底表面之间，滤色器被配置为透射穿过子区的第二源光和转换后的具有第二颜色的光

显示装置还可包括在显示面板与光转换面板之间的合成树脂材料。合成树脂材料可在子区内部。

根据本公开的实施方式，显示装置包括第一发光元件、第二发光元件、薄封装层、分隔壁、子分隔壁、光转换图案和滤色器，第一发光元件和第二发光元件中的每个被配置为发射具有第一颜色的第一源光和具有第二颜色的第二源光，薄封装层封装第一发光元件和第二发光元件，分隔壁在薄封装层上，分隔壁对应于第一发光元件，子分隔壁在平面图中将分隔壁内部的区划分为主区和子区，光转换图案在主区内部，光转换图案被配置为将第一源光转换为具有第二颜色的光，滤色器在分隔壁和子分隔壁上，滤色器被配置为透射穿过子区的第二源光和转换后的具有第二颜色的光。

显示装置还可包括在子区内部的透明有机材料以及混合在透明有机材料中的散射粒子。

附图说明

图1A示出了图示根据本公开的实施方式的显示装置的透视图。

图1B示出了图示根据本公开的实施方式的显示装置的剖面图。

图1C示出了图示根据本公开的实施方式的显示面板的平面图。

图2示出了根据本公开的实施方式的像素的等效电路图。

图3A示出了图示根据本公开的实施方式的显示区的放大平面图。

图3B示出了沿图3A中的线I-I'截取的剖面图。

图3C是图示从图3B中所示的发光元件生成的源光的光谱的曲线图。

图3D和图3E示出了图示包括在图3B中所示的发光元件中的发射结构的剖面图。

图4A是图示从典型像素区提供的光的强度的图像。

图4B是图示从图4A中所示的像素区提供的光的强度的曲线图。

图5A示出了图示根据本公开的实施方式的分隔壁的平面图。

图5B示出了图示沿图5A中的线II-II'截取的光转换面板的剖面图。

图5C示出了图示根据本公开的实施方式的显示装置的光路的剖面图。

图6A至图6D示出了图示根据本公开的实施方式的分隔壁的平面图。

图7A示出了图示根据本公开的实施方式的显示装置的透视图。

图7B示出了图示根据本公开的实施方式的显示装置的剖面图。

具体实施方式

应理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”，“连接到”或者“联接到”另一元件或层时，该元件或层可直接在另一元件或层上，直接连接到或者联接到另一元件或层，或者也可存在有一个或多个居间元件或层。当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”，“直接连接到”或“直接联接到”另一元件或层时，则不存在居间元件或层。例如，当第一元件被描述为“联接”或“连接”到第二元件时，第一元件可直接联接或连接到第二元件，或者第一元件可经由一个或多个居间元件间接联接或连接到第二元件。

在图中，为了图示的清楚，各种元件、层等的尺寸可被放大。相同的附图标记表示相同的元件。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。此外，当描述本公开的实施方式时对“可”的使用是指“本公开的一个或多个实施方式”。

诸如“……中的至少一个”和“……中的任一个”的表述，当在一列元件之后时，修饰整列元件，而不是修饰该列中的个别元件。如本文中所使用的，术语“使用(use)”、“使用(using)”和“使用的(used)”可被视为分别与术语“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“利用的(utilized)”同义。如本文中所使用的，术语“实质上”、“约”以及类似术语用作近似的术语而不用作程度的术语，并且旨在考虑由本领域普通技术人员认识到的测量值或计算值的固有偏差。

应理解，尽管术语第一、第二、第三等可在本文中用于描述各种元件、部件、区、层和/或部分，但是这些元件、部件、区、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、部件、区、层或者部分与另一元件、部件、区、层或者部分区分开。因此，下面讨论的第一元件、部件、区、层或者部分可被称为第二元件、部件、区、层或者部分，而不背离示例性实施方式的教导。

空间相对术语，诸如“下面(beneath)”、“下方(below)”、“下(lower)”、“上方(above)”、“上(upper)”等，可在本文中为了描述的便利而使用，以描述如图中所示的一个元件或特征与另一(些)元件或特征的关系。应理解，除了图中描绘的取向以外，空间相对术语还旨在涵盖装置在使用或操作中的不同取向。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件或者特征“下方”或“下面”的元件将随后被取向为在其它元件或特征“上方”或“之上”。因此，术语“下方”可涵盖上方和下方的取向这两者。装置可以其它方式被取向(旋转90度或者在其它取向)，并且本文中所使用的空间相对描述词应被相应地解释。

本文中所使用的用语是出于描述本公开的实施方式的目的，而不旨在进行对本公开的限制。除非上下文中另有明确指示，否则如本文中所使用的单数形式“一”和“一个”也旨在包括复数形式。还应理解，术语“包含(include)”、“包含有(including)”、“包括(comprise)”和/或“包括有(comprising)”当在本说明书中使用时，指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。

除非另有限定，否则本文中所使用的包括技术术语和科学术语的所有术语具有与本领域普通技术人员通常理解的含义相同的含义。而且，如在常用词典中限定的术语应被理解为具有与在本领域中限定的上下文含义相同的含义，并且除非在本文中明确限定，否则不应被理解为理想或过于刻板的含义。

在下文中，将结合附图对本公开的一些实施方式进行描述。

图1A示出了图示根据本公开的实施方式的显示装置DD的透视图。图1B示出了根据本公开的实施方式的显示装置DD的剖面图。图1C示出了图示根据本公开的实施方式的显示面板100的平面图。

参照图1A，显示装置DD可在显示表面DD-IS上显示图像(或者可被配置为在显示表面DD-IS上显示图像)。显示表面DD-IS可与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面平行。显示表面DD-IS可指示或指的是设置在显示装置DD的最上侧处的构件的顶表面。

第三方向DR3可指的是相对于显示表面DD-IS的法线方向和/或可指的是显示装置DD的厚度方向。第三方向DR3可区分下面将讨论的每个层、部件或单元的前表面和后表面(或顶表面和底表面)。

显示装置DD(例如，显示表面DD-IS)可具有显示区DA和非显示区NDA。单位像素PXU可设置在显示区DA中，但不设置在非显示区NDA中。可沿显示表面DD-IS的边界(或显示表面DD-IS的外围)限定非显示区NDA。非显示区NDA可围绕显示区DA(例如，在平面图中可围绕显示区DA)。在本公开的实施方式中，非显示区NDA可被省略或者仅设置在显示区DA的一侧上。图1A通过示例的方式描绘了平板显示装置DD，但是显示装置DD可具有弯折形状，或者可以是从壳体可卷曲或可滑动的。

图1A中所示的单位像素PXU可限定(或可布置成)像素行和像素列。单位像素PXU可为最小重复单位，并且可包括至少一个像素。单位像素PXU可包括提供不同颜色的光束的多个像素。

参照图1B，显示装置DD可包括在彼此间隔开的同时彼此面对的显示面板100(或下显示衬底)和光转换面板200(或上显示衬底)。单元间隙可形成在显示面板100与光转换面板200之间。单元间隙可通过将显示面板100和光转换面板200彼此联接的密封构件SLM来保持。密封构件SLM可包括粘结剂树脂和混合在粘结剂树脂中的无机填充物。密封构件SLM可包括其它添加剂。添加剂可包括胺基固化剂和光引发剂。添加剂还可包括硅烷基添加剂和丙烯酸基添加剂。密封构件SLM可包括无机材料，诸如熔块。

仍然参照图1B，因为显示区DA和非显示区NDA可限定在显示装置DD中，因此显示区DA和非显示区NDA可限定在显示面板100和光转换面板200中的每个中。在下面的描述中，显示装置DD的显示区DA可表示显示面板100和光转换面板200中的每个的显示区DA，并且显示装置DD的非显示区NDA可表示显示面板100和光转换面板200中的每个的非显示区NDA。

图1C图示了信号线GL1至GLn和DL1至DLm与像素PX11至PXnm之间的平面布置关系，其中，n和m中的每个是大于0的自然数。信号线GL1至GLn和DL1至DLm可包括多个栅极线GL1至GLn和多个数据线DL1至DLm。

像素PX11至PXnm中的每个可连接到多个栅极线GL1至GLn中对应的一个栅极线和多个数据线DL1至DLm中对应的一个数据线。像素PX11至PXnm中的每个可包括像素驱动器电路和发光元件。基于像素PX11至PXnm的像素驱动器电路的配置，显示面板100还可包括各种类型的信号线。

栅极驱动器电路GDC可通过氧化硅栅极驱动器电路(OSG)工艺或非晶硅栅极驱动器电路(ASG)工艺集成在显示面板100上。栅极驱动器电路GDC连接到栅极线GL1至GLn，并且可设置在非显示区NDA的在第一方向DR1上的一侧上。连接到数据线DL1至DLm的远端的多个焊盘PD可设置在非显示区NDA的在第二方向DR2上的一侧上。

图2示出了根据本公开的实施方式的像素PXij的等效电路图。

图2通过示例的方式描绘了连接到第i扫描线SCLi、第i感测线SSLi、第j数据线DLj和第j基准线RLj的像素PXij，其中，i和j中的每个是大于0的自然数。像素PXij可包括像素电路PC和连接到像素电路PC的发光元件OLED。像素电路PC可包括多个晶体管T1至T3和电容器Cst。多个晶体管T1至T3可通过低温多晶硅(LTPS)工艺或低温多晶氧化物(LTPO)工艺形成。在下面的实施方式中，多个晶体管T1至T3被描述为n型晶体管，但是晶体管T1至T3中的至少一个可被实现为p型晶体管。

在示出的实施方式中，图示了包括第一晶体管T1(例如，驱动晶体管)、第二晶体管T2(例如，开关晶体管)、第三晶体管T3(例如，感测晶体管)和电容器Cst的像素电路PC，但是像素电路PC不必限于此。像素电路PC还可包括附加晶体管或附加电容器。

发光元件OLED可为包括阳极(或第一电极)和阴极(或第二电极)的有机或无机发光器件。发光元件OLED的阳极可通过第一晶体管T1接收第一电压ELVDD，并且发光元件OLED的阴极可接收第二电压ELVSS。发光元件OLED可接收第一电压ELVDD和第二电压ELVSS，从而发射光。

第一晶体管T1可包括接收第一电压ELVDD的漏极D1、连接到发光元件OLED的阳极的源极S1以及连接到电容器Cst的栅极G1。第一晶体管T1可根据存储在电容器Cst中的电压值来控制从第一电压ELVDD向发光元件OLED流动的驱动电流。

第二晶体管T2可包括连接到第j数据线DLj的漏极D2、连接到电容器Cst的源极S2以及接收第i第一扫描信号SCi的栅极G2。第j数据线DLj可接收数据电压Vd。响应于第i第一扫描信号SCi，第二晶体管T2可向第一晶体管T1提供数据电压Vd。

第三晶体管T3可包括连接到第j基准线RLj的源极S3、连接到发光元件OLED的阳极的漏极D3以及接收第i第二扫描信号SSi的栅极G3。第j基准线RLj可接收基准电压Vr。第三晶体管T3可对电容器Cst和发光元件OLED的阳极进行初始化。

电容器Cst可存储与第一电压ELVDD和从第二晶体管T2接收的电压之间的差对应的电压。电容器Cst可连接到第一晶体管T1的栅极G1和发光元件OLED的阳极。

图3A示出了图示根据本公开的实施方式的显示区DA的放大平面图。图3B示出了沿图3A中的线I-I'截取的剖面图。图3C是图示从图3B中所示的发光元件OLED生成的源光的光谱的曲线图。图3D和图3E示出了分别图示包括在图3B中所示的发光元件OLED中的有机发射结构EMLa和EMLb的剖面图。

如图3A中所示，单位像素PXU可在第一方向DR1和第二方向DR2上布置。在示出的实施方式中，单位像素PXU可包括发射具有彼此不同的颜色的光的第一像素、第二像素和第三像素。第一像素、第二像素和第三像素可分别输出红色光、绿色光和蓝色光。在图3A中，第一像素区PXA-R、第二像素区PXA-G和第三像素区PXA-B被示出为分别表示第一像素、第二像素和第三像素。第一像素区PXA-R可为在其处发射从第一像素生成的光的部分(或区域)，第二像素区PXA-G可为在其处发射从第二像素生成的光的部分(或区域)，并且第三像素区PXA-B可为在其处发射从第三像素生成的光的部分(或区域)。

外围区NPXA可设置在第一像素区PXA-R、第二像素区PXA-G和第三像素区PXA-B之间。外围区NPXA可建立第一像素区PXA-R、第二像素区PXA-G和第三像素区PXA-B的边界，并且可防止第一像素区PXA-R、第二像素区PXA-G和第三像素区PXA-B之间的颜色混合。

参照图3A，第一像素区PXA-R和第三像素区PXA-B可设置在相同的行中，并且第二像素区PXA-G可设置在与第一像素区PXA-R和第三像素区PXA-B的行不同的行中。第二像素区PXA-G可具有最大面积，并且第三像素区PXA-B可具有最小面积，但是本公开不必限于此。在示出的实施方式中，第一像素区PXA-R、第二像素区PXA-G和第三像素区PXA-B被示出为具有正方形形状，但是本公开不必限于此。

图3B通过示例的方式图示了第二像素区PXA-G和第一晶体管T1的剖面图。第一像素区PXA-R和第三像素区PXA-B中的每个的堆叠结构可与第二像素区PXA-G的堆叠结构相似。

显示面板100可包括第一基础层BS1、驱动电路层CCL、发光元件层EL和薄封装层TFE。驱动电路层CCL可设置在第一基础层BS1上。驱动电路层CCL可包括多个电介质层、多个导电层和半导体层。发光元件层EL可设置在驱动电路层CCL上。薄封装层TFE可设置在发光元件层EL上并且可封装发光元件层EL。

第一基础层BS1可包括玻璃或合成树脂层。合成树脂层可包括热固性树脂。例如，合成树脂层可为聚酰亚胺基树脂层，但是合成树脂层的材料不受限制。合成树脂层可包括选自丙烯酸基树脂、甲基丙烯酸酯基树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸乙酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰胺基树脂和苝基树脂中的至少一种。在其它实施方式中，第一基础层BS1可包括玻璃衬底、金属衬底或有机/无机复合衬底。

遮光图案BML可设置在第一基础层BS1上。遮光图案BML可包括金属。信号线可位于与遮光图案BML的层面相同的层面处。第一基础层BS1可在其上提供有覆盖遮光图案BML的第一电介质层10。

半导体图案可在第一电介质层10上设置成与遮光图案BML重叠。半导体图案可基于其(或其一部分)是否被掺杂而具有不同的电性质。半导体图案可包括具有高电导率的第一区和具有低电导率的第二区。第一区可掺杂有n型或p型杂质。p型晶体管可包括注入有p型杂质的掺杂区，并且n型晶体管可包括注入有n型杂质的掺杂区。第二区可为未掺杂区或者可为注入有比掺杂在第一区中的杂质的浓度小的浓度的杂质的掺杂区。

半导体图案可具有源极S1、沟道区(或有源区)A1和漏极D1。第二电介质层20可设置在第一电介质层10上。第二电介质层20可在其中提供有被限定为暴露源极S1和漏极D1的接触孔(例如，接触开口)CNT1。第一电介质层10和第二电介质层20可为无机层。

连接电极CNE1和CNE2可设置在第二电介质层20上。第一连接电极CNE1可将第一晶体管T1的源极S1电连接到例如图2中所示的第三晶体管T3的漏极D3。第二连接电极CNE2可将第一晶体管T1的漏极D1电连接到接收例如图2中所示的第一电压ELVDD的信号线。第一晶体管T1的栅极G1可位于与连接电极CNE1和CNE2的层面相同的层面处(例如，位于与连接电极CNE1和CNE2的层相同的层)。第一晶体管T1的栅极G1可与沟道区A1重叠。

第三电介质层30可设置在第二电介质层20上。第三连接电极CNE3可设置在第三电介质层30上。第三连接电极CNE3可通过穿透第三电介质层30的接触孔(例如，接触开口)CNT2连接到第一连接电极CNE1。第四电介质层40可设置在第三电介质层30上。阳极AE2可设置在第四电介质层40上。阳极AE2可通过穿透第四电介质层40的接触孔(例如，接触开口)CNT3连接到第三连接电极CNE3。第三电介质层30和第四电介质层40可为有机层。第一像素区PXA-R和第三像素区PXA-B可具有位于与第二像素区PXA-G的阳极AE2的层面相同的层面处的相应的阳极AE1和AE3。

发光元件OLED和像素限定层PDL可设置在第四电介质层40上。像素限定层PDL中的开口OP可暴露阳极AE2的至少一部分。发射区EA1、EA2和EA3可被限定为允许像素限定层PDL中的开口OP对应于第一像素区PXA-R的阳极AE1、第二像素区PXA-G的阳极AE2和第三像素区PXA-B的阳极AE3。非发射区NEA可指的是发射区EA1、EA2和EA3之间的部分和/或设置有像素限定层PDL的部分。

空穴控制层HCL可公共地设置在发射区EA1、EA2和EA3以及非发射区NEA中。诸如空穴控制层HCL的公共层可设置成与例如图3A中所示的显示区DA中的多个单位像素PXU重叠。空穴控制层HCL可包括空穴传输层和空穴注入层。

发射结构EML可设置在空穴控制层HCL上。发射结构EML可公共地设置在发射区EA1、EA2和EA3以及非发射区NEA中。发射结构EML可生成源光。

电子控制层ECL可设置在发射结构EML上。电子控制层ECL可包括电子传输层和电子注入层。阴极CE可设置在电子控制层ECL上。薄封装层TFE可设置在阴极CE上。薄封装层TFE可公共地设置在例如图3A中所示的显示区DA中的多个单位像素PXU上。在示出的实施方式中，薄封装层TFE直接覆盖阴极CE。

薄封装层TFE可至少包括无机层或有机层。薄封装层TFE可包括顺序地堆叠的第一无机封装层ITL1、有机封装层OTL和第二无机封装层ITL2。有机封装层OTL可设置在第一无机封装层ITL1与第二无机封装层ITL2之间。第一无机封装层ITL1和第二无机封装层ITL2可保护发光元件层EL免受湿气和氧气的影响，并且有机封装层OTL可保护发光元件层EL免受诸如灰尘粒子的异物的影响。第一无机封装层ITL1和第二无机封装层ITL2可包括选自氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛和氧化铝中的至少一种。有机封装层OTL可包括聚合物层，例如，丙烯酸基有机层。然而，这仅为示例，并且有机封装层OTL不限于此。

图3B通过示例的方式图示了薄封装层TFE包括两个无机层和一个有机层，但是本公开不限于此。例如，薄封装层TFE可包括三个无机层和两个有机层，并且在这种实施方式中，薄封装层TFE可具有其中一个或多个无机层和一个或多个有机层交替地堆叠的结构。显示面板100还可包括薄封装层TFE上的折射率控制层以提高光发射效率。

在示出的实施方式中，发射结构EML可生成第一颜色源光(或第一源光)和第二颜色源光(或第二源光)。图3C图示了由在例如图3B中描绘的发光元件OLED生成的源光的光谱。源光可包括第一源光SEL1和第二源光SEL2。在示出的实施方式中，第一源光SEL1可为具有在约434nm至约506nm的范围内的波长的蓝色光。第二源光SEL2可为具有在约524nm至约605nm的范围内的波长的绿色光。第一源光SEL1可具有比第二源光SEL2的强度大的强度。在本公开的实施方式中，第一源光SEL1可为绿色光、蓝色光和红色光中的一种，并且第二源光SEL2可为绿色光、蓝色光和红色光中的另一种。

发射结构EML可包括至少一个发射层。发射层可包括生成第一颜色源光的发光材料和生成第二颜色源光的发光材料。发射结构EML可包括生成第一颜色源光的发射层和生成第二颜色源光的发射层。发射层可包括有机发光材料和无机发光材料。

如图3D中所示，发射结构EMLa可包括沿第三方向DR3顺序地堆叠的第一发射层EM1、电荷生成层CGL和第二发射层EM2。第一发射层EM1和第二发射层EM2中的一个可发射其颜色与从第一发射层EM1和第二发射层EM2中的另一个发射的光的颜色不同的光。例如，第一发射层EM1可发射蓝色光，并且第二发射层EM2可发射绿色光。

电荷生成层CGL可设置在第一发射层EM1与第二发射层EM2之间。电荷生成层CGL可向第一发射层EM1和第二发射层EM2中的每个提供电子或空穴以提高光发射效率。

如图3E中所示，发射结构EMLb可包括第一发射层EM1a、第一电荷生成层CGLa、第二发射层EM2a、第二电荷生成层CGLb和第三发射层EM3a。

第一发射层EM1a、第二发射层EM2a和第三发射层EM3a中的一个可发射其颜色与从第一发射层EM1a、第二发射层EM2a和第三发射层EM3a中的其它发射层中的一些或全部发射的光的颜色不同的光。例如，第一发射层EM1a可发射其颜色与从第三发射层EM3a发射的光的颜色相同的光，并且第二发射层EM2a可发射其颜色与从第一发射层EM1a发射的光的颜色不同的光。例如，第一发射层EM1a和第三发射层EM3a可发射蓝色光，并且第二发射层EM2a可发射绿色光。

第一电荷生成层CGLa可设置在第一发射层EM1a与第二发射层EM2a之间。第二电荷生成层CGLb可设置在第二发射层EM2a与第三发射层EM3a之间。第一电荷生成层CGLa可向第一发射层EM1a和第二发射层EM2a中的每个提供电子或空穴以提高光发射效率。另外，第二电荷生成层CGLb可向第二发射层EM2a和第三发射层EM3a中的每个提供电子或空穴以提高光发射效率。

将参照图3B描述光转换面板200。合成树脂材料SRM可设置在光转换面板200与显示面板100之间的单元间隙GP中。光转换面板200和显示面板100可通过合成树脂材料SRM(或跨越合成树脂材料SRM)联接，并且因此，单元间隙GP可具有定位在其中的合成树脂材料SRM。

光转换面板200可包括第二基础层BS2、设置在第二基础层BS2的底表面上的滤色器CF-R、CF-G和CF-B、光控制图案CCF-R、CCF-G和SP、分隔壁BW以及多个电介质层200-1、200-2和200-3。第二基础层BS2可包括玻璃或合成树脂层。合成树脂层可包括热固性树脂。例如，合成树脂层可为聚酰亚胺基树脂层，但是合成树脂层的材料不受限制。

滤色器CF-R、CF-G和CF-B可包括第一滤色器CF-R、第二滤色器CF-G和第三滤色器CF-B。第一滤色器CF-R可设置成与第一发射区EA1重叠，第二滤色器CF-G可设置成与第二发射区EA2重叠，并且第三滤色器CF-B可设置成与第三发射区EA3重叠。第一滤色器CF-R可透射将在下面讨论的第三颜色光，并且可阻挡在上面讨论的第一颜色光和第二颜色光。第二滤色器CF-G可透射第二颜色光(或第二源光(参见例如图3C中的SEL2))，并且可阻挡第一颜色光(或第一源光(参见例如图3C中的SEL1))和第三颜色光。第三滤色器CF-B可透射第一颜色光(或第一源光SEL1)，并且可阻挡第二颜色光(或第二源光SEL2)和第三颜色光。第二滤色器CF-G可透射第二源光SEL2，例如，仅透射第二源光SEL2的部分波长(或中心波长)以增加颜色纯度。出于相同的理由，第三滤色器CF-B可仅透射第一源光SEL1的部分波长(或中心波长)。

第一滤色器CF-R、第二滤色器CF-G和第三滤色器CF-B可限定第一像素区PXA-R、第二像素区PXA-G、第三像素区PXA-B和外围区NPXA。外围区NPXA可被限定为第一滤色器CF-R、第二滤色器CF-G和第三滤色器CF-B中的两个或更多个设置成彼此重叠的部分。第一像素区PXA-R、第二像素区PXA-G和第三像素区PXA-B中的每个可仅包括第一滤色器CF-R、第二滤色器CF-G和第三滤色器CF-B中对应的一个。当包括黑矩阵时，外围区NPXA可指示定位有黑矩阵的部分(或区域)。

第一电介质层200-1可设置在第一滤色器CF-R、第二滤色器CF-G和第三滤色器CF-B下方并且覆盖第一滤色器CF-R、第二滤色器CF-G和第三滤色器CF-B。第二电介质层200-2可覆盖第一电介质层200-1并且可在其下侧上提供平坦化表面。第一电介质层200-1可为无机层，并且第二电介质层200-2可为有机层。

分隔壁BW可设置在第二电介质层200-2下方。当在平面中观察时，分隔壁BW可与外围区NPXA重叠。分隔壁BW可具有限定在其中的开口BW-OPR、BW-OPG和BW-OPB。开口BW-OPR、BW-OPG和BW-OPB可对应于第一像素区PXA-R、第二像素区PXA-G和第三像素区PXA-B，并且对应于第一发射区EA1、第二发射区EA2和第三发射区EA3。如本文中所使用的语言“对应”指的是彼此重叠的两个部件，并且不限于相同的面积。图3B示出了分隔壁BW的简化图示，并且将参照图5A和图5B进一步详细地讨论分隔壁BW。

分隔壁BW可包括其透射率等于或小于基准值的材料。例如，分隔壁BW可包括遮光材料，例如，黑色着色剂。分隔壁BW可包括混合在基础树脂中的黑色染料或颜料。例如，分隔壁BW可包括选自丙二醇甲醚乙酸酯、3-甲氧基-乙酸正丁酯、丙烯酸酯单体、丙烯酸单体、有机颜料和丙烯酸酯中的至少一种。

光控制图案CCF-R、CCF-G和SP可包括对应地设置在开口BW-OPR、BW-OPG和BW-OPB中的第一光转换图案CCF-R、第二光转换图案CCF-G和透明树脂图案SP。第一光转换图案CCF-R、第二光转换图案CCF-G和透明树脂图案SP可设置成分别对应于第一像素区PXA-R、第二像素区PXA-G和第三像素区PXA-B。

第一光转换图案CCF-R可将第一源光(参见例如图3C中的SEL1)转换成第三颜色光。第三颜色光可为红色光。第二光转换图案CCF-G可将第一源光SEL1转换成第二颜色光。第二颜色光可为绿色光。在第二光转换图案CCF-G中转换的第二颜色光可被描述为具有与参照图3C讨论的第二源光SEL2的颜色相同的颜色的光，但是可具有与参照图3C讨论的第二源光SEL2的光谱不同的光谱。

透明树脂图案SP可透射第一源光SEL1和第二源光SEL2，而不将第一源光SEL1和第二源光SEL2转换成不同颜色的光。透明树脂图案SP可包括透明基础树脂。透明树脂图案SP还可包括混合在基础树脂中的散射粒子。散射粒子可散射穿过透明树脂图案SP的第一源光SEL1以增加第三像素区PXA-B的视角。

可采用喷墨工艺来形成第一光转换图案CCF-R、第二光转换图案CCF-G和透明树脂图案SP中的每个。第一光转换图案CCF-R、第二光转换图案CCF-G和透明树脂图案SP可通过向由分隔壁BW限定的诸如多个开口BW-OPR、BW-OPG和BW-OPB的空间(或空隙)对应地提供组合物来形成。

第一光转换图案CCF-R和第二光转换图案CCF-G可包括量子点。第一光转换图案CCF-R和第二光转换图案CCF-G中的每个可包括基础树脂、量子点和散射粒子。在本公开的实施方式中，散射粒子可被省略。

基础树脂可为其中分散有量子点或散射粒子的介质，并且该介质可包括通常被称为粘结剂的各种树脂组合物。然而，本公开不限于此，并且在本描述中，其中能够分散有量子点的任何介质，无论其名称、附加的其它功能、构成材料等如何，都可被称为基础树脂。基础树脂可为聚合物树脂。例如，基础树脂可为丙烯酸基树脂、胺基甲酸乙酯基树脂、硅基树脂或环氧基树脂。基础树脂可为透明树脂。

散射粒子可为氧化钛(例如，TiO

量子点可为转换入射光的波长的粒子。作为具有几纳米尺寸的晶体结构的材料的量子点，可由数百至数千个原子形成，并且可表现出其中能带隙因量子点的小尺寸而增加的量子限制效应。当量子点用具有其能量大于带隙的波长的光照射时，量子点吸收光并且跃迁到激发态，并且然后在发射具有特定波长的光的同时回落到基态。发射的特定波长的光可具有与带隙对应的值。当在尺寸和组成上调节量子点时，量子点可控制由量子限制效应引起的发射性质。

量子点的核可包括选自II-VI族化合物、I-II-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、I-II-IV-VI族化合物、III-VI族化合物、I-III-VI族化合物、III-V族化合物、III-II-V族化合物、II-IV-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物及其任何组合中的一种。

II-VI族化合物可包括以下这些中的一种或多种：选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其任何混合物的二元化合物；选自CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及其任何混合物的三元化合物；以及选自CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及其任何混合物的四元化合物。II-VI族化合物还可包括I族金属和IV族元素中的一种或多种。I-II-VI族化合物可包括选自CuSnS和CuZnS中的一种，并且II-IV-VI族化合物可包括ZnSnS。I-II-IV-VI族化合物可包括选自Cu

III-VI族化合物可包括以下这些中的一种：诸如In

I-III-VI族化合物可包括以下这些中的一种或多种：选自AgInS、AgInS

III-V族化合物可包括以下这些中的一种或多种：选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其任何混合物的二元化合物；选自GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及其任何混合物的三元化合物；以及选自GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及其任何混合物的四元化合物。III-V族化合物还可包括II族金属。例如，III-II-V族化合物可包括InZnP。

II-IV-V族化合物可包括选自ZnSnP、ZnSnP

IV-VI族化合物可包括以下这些中的一种或多种：选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其任何混合物的二元化合物；选自SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其任何混合物的三元化合物；以及选自SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其任何混合物的四元化合物。IV族元素可包括Si、Ge及其任何混合物中的一种。IV族化合物可包括选自SiC、SiGe及其任何混合物的二元化合物。

二元化合物、三元化合物和四元化合物中的一种可以均匀的浓度存在于粒子中，或者可以部分不同的浓度存在于同一粒子中以具有分割状态。另外，量子点可具有其中一个量子点围绕另一量子点的核/壳结构。核与壳之间的界面可具有浓度梯度以使得存在于壳中的元素的浓度沿朝向核的中心的方向降低。

在一些实施方式中，量子点可具有其中壳包围包括如上所述的纳米晶体的核的核/壳结构。量子点的壳可充当防止或减少核的化学变性从而保持半导体性质的保护层和/或充当为量子点提供电泳性质的充电层。壳可为单层或者可具有多层结构。量子点的壳可为例如金属氧化物、非金属氧化物、半导体化合物或其任何组合。

例如，金属氧化物或非金属氧化物可为诸如SiO

半导体化合物可包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或其任何组合，但是本公开不必限于此。

量子点可具有在约45nm或更小、约40nm或更小或者约30nm或更小的范围内的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)，并且在这些范围内颜色纯度和/或颜色再现可改善。另外，通过这样的量子点释放的光可在所有方向上发射，这可导致增加的视角。

量子点可具有但不具体限于本领域中常用的任何合适的形状，例如，可具有球形纳米粒子、金字塔形纳米粒子、多臂纳米粒子、立方体纳米粒子、纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米片粒子的形状。

量子点可依据其粒径来调节所发射的光的颜色，并且因此可具有各种发光颜色，诸如蓝色、红色和绿色。

第三电介质层200-3可覆盖分隔壁BW、第一光转换图案CCF-R、第二光转换图案CCF-G和透明树脂图案SP。例如，第三电介质层200-3可为无机层。

图4A是图示从第二像素区PXA-G提供(例如，从第二像素区PXA-G发射)的光的强度的图像。图4B是图示从图4A中所示的第二像素区PXA-G提供的光的强度的曲线图。

图4A和图4B图示了第二像素区PXA-G的示例。在图4B中，X轴表示沿图4A中的假想线IL设置的第二像素区PXA-G的相对端之间的归一化距离。在图4B中，Y轴指示从第二像素区PXA-G发射的光的强度的相对值，该强度是在第二像素区PXA-G外部测量的。

参照图4A和图4B，从第二像素区PXA-G的中心分区G-CA发射的光测量到高强度，而从第二像素区PXA-G的边缘分区G-EA发射的光具有比从中心分区G-CA发射的光的强度小的强度。

下面将参照图3B和图3C描述其原因。假设第二源光SEL2的光发射效率为相同的，而与第二像素区PXA-G的分区(或第二像素区PXA-G的区域)无关。因第二光转换图案CCF-G导致的第一源光SEL1的光转换效率可依据第二像素区PXA-G的分区而变化，并且转换后的第二颜色光的光发射效率可依据第二像素区PXA-G的分区而变化。

在第二光转换图案CCF-G的中心分区G-CA处(或从第二光转换图案CCF-G的中心分区G-CA)可提供大量的第一源光SEL1。经反射而未被量子点转换的光可更加集中在第二光转换图案CCF-G的中心分区G-CA处，并且因此，大量的第一源光SEL1可提供到设置在第二光转换图案CCF-G的中心分区G-CA处的量子点。在第二光转换图案CCF-G的中心分区G-CA处转换的光的大部分可向外发射，但是在第二光转换图案CCF-G的边缘分区G-EA处转换的光的一部分可被设置在外围区NPXA中的第一滤色器CF-R或第三滤色器CF-B吸收。由于在第二光转换图案CCF-G处转换的光根据朗伯发射而扩散，因此向外发射的光的量可能受限制，并且大量的光可能被第一滤色器CF-R或第三滤色器CF-B吸收。

图4A图示了四个拐角区域CA。拐角区域CA可为第二像素区PXA-G的拐角区域。另外，拐角区域CA可为与分隔壁(参见例如图3B中的BW)内部的部分对应的部分的拐角区域。在第二像素区PXA-G的边缘分区G-EA处，拐角区域CA可具有最小(或最低)强度的发射光。这种现象可能由拐角区域CA设置得距第二像素区PXA-G的中心最远的事实引起。

图5A示出了图示根据本公开的实施方式的分隔壁BW的平面图。图5B示出了图示沿图5A中的线II-II'截取的光转换面板200的剖面图。图5C示出了图示根据本公开的实施方式的显示装置的光路的剖面图。

参照图5A，分隔壁BW可包括限定与第一像素区PXA-R对应的第一开口BW-OPR的第一分隔壁BW1、限定与第二像素区PXA-G对应的第二开口BW-OPG的第二分隔壁BW2以及限定与第三像素区PXA-B对应的第三开口BW-OPB的第三分隔壁BW3。第一分隔壁BW1、第二分隔壁BW2和第三分隔壁BW3可彼此间隔开。

分隔壁BW可包括将第二分隔壁BW2内部的区划分为主区G-M和至少一个子区G-S的子分隔壁IWB。在示出的实施方式中，子分隔壁IWB可限定与例如图4A中所示的四个拐角区域CA对应的四个子区G-S。在示出的实施方式中，子分隔壁IWB可具有菱形形状。主区G-M可具有比至少一个子区G-S的面积大的面积。例如，主区G-M可具有比子区G-S的总面积大的面积。

参照图5A，主虚设分隔壁BW-D可设置在外围区NPXA中。主虚设分隔壁BW-D可设置在第二分隔壁BW2的在第一方向DR1上的相对侧上。主虚设分隔壁BW-D可与相邻于图5A中所示的单位像素PXU的单位像素重叠。主虚设分隔壁BW-D可设置在图5A中所示的单位像素PXU的第二分隔壁BW2与相邻于图5A中所示的单位像素PXU的单位像素的第二分隔壁之间。

主虚设分隔壁BW-D可限定主阱MW。主阱MW可容纳在形成参照图3B讨论的光控制图案CCF-R、CCF-G和SP的喷墨制造工艺中未准确地提供(或沉积)的液体树脂组合物。例如，主阱MW可容纳未准确地提供到第二开口BW-OPG的液体树脂组合物。如果主阱MW不是由主虚设分隔壁BW-D形成，则主虚设分隔壁BW-D可由占据特定面积的电介质图案形成。在电介质图案上可能由未准确地提供的树脂组合物形成突起，并且这种情况可引起在用于制造显示装置的制造工艺中发生故障。由主虚设分隔壁BW-D形成的主阱MW可抑制这种故障的发生。

子虚设分隔壁BW-SD可设置在外围区NPXA中。子虚设分隔壁BW-SD可将第一分隔壁BW1、第二分隔壁BW2、第三分隔壁BW3和主虚设分隔壁BW-D中相邻的分隔壁彼此连接。第一分隔壁BW1、第二分隔壁BW2、第三分隔壁BW3和主虚设分隔壁BW-D可由(或通过)子虚设分隔壁BW-SD连接成单个一体结构，结果是分隔壁结构可具有增加的耐久性。附属阱SW可由两个子虚设分隔壁BW-SD与第一分隔壁BW1、第二分隔壁BW2、第三分隔壁BW3和主虚设分隔壁BW-D中相邻的分隔壁限定。附属阱SW也可容纳在后续制造工艺中未准确地提供的液体树脂组合物。

参照图5B，第二光转换图案CCF-G可设置在主区G-M内部，但是不设置在子区G-S中。第二光转换图案CCF-G可设置在由子分隔壁IWB限定的主开口OPG-M中，但是不设置在由第二分隔壁BW2和子分隔壁IWB限定的附属开口OPG-S中。

透明有机材料TOM可设置在附属开口OPG-S中。透明有机材料TOM可包括合成树脂。透明有机材料TOM可具有混合在其中的散射粒子。透明有机材料TOM可被图3B中所示的第三电介质层200-3覆盖。

在本公开的实施方式中，图3B中所示的第三电介质层200-3可比透明有机材料TOM更早(或在透明有机材料TOM之前)形成，并且在子区G-S中，第三电介质层200-3可与第二分隔壁BW2的内侧表面、子分隔壁IWB的内侧表面和第二电介质层200-2接触。透明有机材料TOM可设置得比第三电介质层200-3低(或设置在第三电介质层200-3下方)。透明有机材料TOM可为参照图3B讨论的合成树脂材料SRM。

参照图5B和图5C，第一源光SEL1和第二源光SEL2可提供到主区G-M和子区G-S中的每个。提供到(例如，入射到)主区G-M的第一源光SEL1可由第二光转换图案CCF-G转换为第二颜色光CVL，并且然后可在穿过第二滤色器CF-G之后向外提供(或发射)。提供到主区G-M的第二源光SEL2的一部分可被反射或耗散，并且提供到主区G-M的第二源光SEL2的另一部分可在穿过第二光转换图案CCF-G之后提供到第二滤色器CF-G。然后，第二源光SEL2的一部分可在穿过位于主区G-M的上侧处的第二滤色器CF-G之后向外提供。

提供到子区G-S的第一源光SEL1的大部分可穿过透明有机材料TOM并且可进入与子区G-S重叠的第二滤色器CF-G。然后，第一源光SEL1可被第二滤色器CF-G阻挡。提供到子区G-S的第二源光SEL2的大部分可穿过透明有机材料TOM并且可进入第二滤色器CF-G。此后，第二源光SEL2可在穿过位于子区G-S的上侧上的第二滤色器CF-G之后向外提供。

通过子区G-S向外发射的第二源光SEL2可具有比通过参照图4A和图4B讨论的拐角区域CA向外发射的第二颜色光的强度大的强度。如参照图4A和图4B讨论的，在拐角区域CA处，可存在有由第二光转换图案CCF-G转换的光的低光转换效率和转换后的光的低光发射效率。另外，提供到拐角区域CA的大量的第二源光SEL2可从第二光转换图案CCF-G耗散或反射。由于子区G-S允许提供到子区G-S的第二源光SEL2的大部分向外发射，因此子区G-S可发射其强度大于通过参照图4A和图4B讨论的拐角区域CA发射的第二颜色光的强度的第二颜色光。

图6A至图6D示出了图示根据本公开的实施方式的分隔壁BW的平面图。在下面描述的实施方式中，将避免对与上面参照图5A至图5C讨论的那些部件相同或实质上相似的部件的重复的详细描述。

如图6A中所示，子分隔壁IWB可包括多个段IWB-1、IWB-2、IWB-3和IWB-4。通过示例的方式示出了第一段IWB-1、第二段IWB-2、第三段IWB-3和第四段IWB-4。第一段IWB-1、第二段IWB-2、第三段IWB-3和第四段IWB-4中的每个可设置在第二分隔壁BW2的部分之间。

第一段IWB-1、第二段IWB-2、第三段IWB-3和第四段IWB-4可设置成彼此间隔开。第一段IWB-1、第二段IWB-2、第三段IWB-3和第四段IWB-4与第二分隔壁BW2一起可限定与图4A中所示的拐角区域CA对应的四个子区G-S。

如图6B和图6C中所示，子分隔壁IWB可具有闭合线性形状并且可设置成与第二分隔壁BW2间隔开。子分隔壁IWB可具有圆形或四边形形状，但不限于此。子分隔壁IWB内部的区可限定参照图4A讨论的第二像素区PXA-G的中心分区G-CA，并且子分隔壁IWB与第二分隔壁BW2之间的区可限定参照图4A讨论的第二像素区PXA-G的边缘分区G-EA。当在平面中观察时，子区G-S可完全围绕主区G-M(例如，可在主区G-M的外围周围延伸)。

如图6D中所示，子分隔壁IWB可将第二像素区PXA-G划分成两个部分。主区G-M可对应于具有大面积的部分，并且子区G-S可对应于具有较小面积的部分。

图7A示出了图示根据本公开的实施方式的显示装置DD的透视图。图7B示出了图示根据本公开的实施方式的显示装置DD的剖面图。在下面的描述中，将避免对与参照图1A至图6D讨论的那些部件相同或实质上相似的部件的重复的详细描述。

与上面参照图1A至图6D讨论的显示装置DD不同，根据本实施方式的显示装置DD可包括单个第一基础层BS1(例如，第二基础层BS2可被省略)。在制造工艺中，显示面板100可不联接到光转换面板200；而是，结构可顺序地形成在第一基础层BS1上。

参照图7A和图7B，显示装置DD可包括与参照图3B描述的显示面板100相同的显示面板100。分隔壁BW可设置在薄封装层TFE上。第一光转换图案CCF-R、第二光转换图案CCF-G和透明树脂图案SP可对应地设置在分隔壁BW中的开口BW-OPR、BW-OPG和BW-OPB中。第五电介质层50可覆盖分隔壁BW、第一光转换图案CCF-R、第二光转换图案CCF-G和透明树脂图案SP。例如，第五电介质层50可为无机层。

第六电介质层60可设置在第五电介质层50上。第六电介质层60可具有比第五电介质层50的折射率小的折射率。第六电介质层60的折射率可在从约1.1至约1.5的范围内。第六电介质层60的折射率可通过改变包括在第六电介质层60中的中空无机粒子和/或空隙的比例来调节。源光和转换后的光可相对垂直地穿过第六电介质层60。

第七电介质层70可设置在第六电介质层60上。第七电介质层70可为封装其下的结构的无机层。在一些实施方式中，第七电介质层70可被省略。

第七电介质层70可在其上提供有第一滤色器CF-R、第二滤色器CF-G和第三滤色器CF-B。第八电介质层80可设置在第一滤色器CF-R、第二滤色器CF-G和第三滤色器CF-B上并且可覆盖第一滤色器CF-R、第二滤色器CF-G和第三滤色器CF-B，同时提供平坦化表面。第八电介质层80可为有机层。

在实施方式中，分隔壁BW的平面形状和布置可与参照图5A至图6D讨论的分隔壁BW中的一个的平面形状和布置相同。

根据上面的描述，主区可将从显示面板生成的第一颜色源光转换为第二颜色光。子区可透射从显示面板生成的第二颜色源光。因此，通过与第一分隔壁对应的区发射的第二颜色光的强度可增加。

虽然已参照本公开的实施方式对本公开进行了描述，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离如随附的权利要求书及其等同物中记载的本公开的精神和范围的情况下可作出形式和细节上的各种改变。因此，本公开的技术范围不受上述实施方式限制。