一种含硼有机化合物及其制备的有机电致发光器件

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及作为OLED掺杂材料的含硼有机化合物及包含其的有机电致发光器件。

背景技术

传统荧光掺杂材料受限于早期的技术，只能利用电激发形成的25％单线态激子发光，器件的内量子效率较低(最高为25％)，外量子效率普遍低于5％，与磷光器件的效率还有很大差距。磷光材料由于重原子中心强的自旋-轨道耦合增强了系间窜越，可以有效利用电激发形成的单线态激子和三线态激子发光，使器件的内量子效率达100％。但多数磷光材料价格昂贵，材料稳定性较差，色纯度较差，器件效率滚落严重等问题限制了其在OLED的应用。

随着5G时代的到来，对显色标准提出了更高的要求，发光材料除了高效、稳定，也需要更窄的半峰宽以提升器件发光色纯度。荧光掺杂材料可通过分子工程，实现高荧光量子、窄半峰宽，蓝色荧光掺杂材料已获得阶段性突破，硼类材料半峰宽可降低至30nm以下；而人眼更为敏感的绿光区域，研究主要集中在磷光掺杂材料，但其发光峰形难以通过简单方法缩窄，因此为满足更高的显色标准，研究窄半峰宽的高效绿色荧光掺杂材料具有重要意义。

另外，敏化技术将三线态激子敏化材料与荧光掺杂材料相结合，利用三线态激子敏化材料作为激子敏化媒介，充分利用三线态激子，通过能量传递将能量传递给荧光掺杂材料，同样可以达到100％的器件内量子效率，该技术能弥补荧光掺杂材料激子利用率不足的缺点，有效发挥荧光掺杂材料高荧光量子产率、高器件稳定性、高色纯度及价廉的特点，在OLEDs应用上具有广阔前景。

具有共振结构的硼类化合物更容易实现窄半峰宽发光，该类材料应用于敏化技术中，可以实现高效率、窄半峰宽发射的器件制备。如CN 107507921 A和CN 110492006 A中，公开了以最低单线态和最低三线态能级差小于等于0.2eV的TADF材料为主体，含硼类材料为掺杂的发光层组合技术；CN 110492005 A和CN 110492009 A中公开以激基复合物为主体，含硼类材料为掺杂的发光层组合方案；均能实现与磷光媲美的效率、相对较窄的半峰宽。因此，开发基于窄半峰宽硼类发光材料的敏化技术，在面向BT.2020显示指标上，具有独特的优势及强劲的潜力。

发明内容

针对现有技术存在的上述问题，本发明申请提供了一种含硼有机化合物及其制备的有机电致发光器件，本发明的化合物具有窄半峰宽，可用作有机电致发光器件的发光层绿光掺杂材料，从而提升器件的发光色纯度和寿命。

本发明的技术方案如下：一种含硼有机化合物，所述含硼有机化合物的结构如通式(1)所示：

通式(1)中，M环表示为如下所示结构中的任一种：

X

Ar

M环还可以与Ar

Z每次出现相同或不同的表示为C-R

Z

Z

Z

R

Ar

R

用于取代基团的取代基任选自氘原子、卤素原子、氰基、C

所述杂芳基中的杂原子任选自氧、硫、氮、硅原子中的一种或多种。

优选方案，所述有机化合物的结构为通式(2)、通式(3)中任一种：

通式(2)、通式(3)中，X

优选方案，所述有机化合物的结构为通式(4)、通式(5)中任一种：

通式(4)、通式(5)中，X

优选方案，所述有机化合物的结构如通式(II-1)～通式(II-9)中任一种所示：

通式(II-1)至通式(II-9)中，Ar

优选方案，所述有机化合物的结构如通式(Ⅲ-1)～通式(Ⅲ-5)中任一种所示：

通式(Ⅲ-1)至通式(Ⅲ-5)中，X

R

R

用于取代基团的取代基任选自氘原子、卤素原子、氰基、C

所述杂芳基中的杂原子任选自氧、硫、氮、硅原子中的一种或多种。

优选方案，所述R

所述R

用于取代基团的取代基任选自氘原子、氟原子、氰基、甲基、叔丁基、异丙基、苯基、萘基、吡啶基中的一种或多种。

优选地，所述R

优选方案，所述有机化合物的具体结构式为以下结构中的任一种：

/>

/>

/>

/>

/>

一种有机电致发光器件，包括阴极和阳极，以及它们之间的有机发光功能层，所述有机发光功能层包括发光层，所述发光层含有所述的含硼有机化合物。

优选方案，所述发光层包含主体材料和掺杂材料，所述掺杂材料含有所述的含硼有机化合物。

优选方案，所述发光层包含第一主体材料、第二主体材料和掺杂材料，所述第一主体材料和第二主体材料中至少有一个为TADF材料，所述掺杂材料含有所述的含硼有机化合物。

优选方案，所述发光层包含主体材料、激子敏化材料和掺杂材料，所述激子敏化材料为含金属元素的配合物，所述掺杂材料含有所述的含硼有机化合物。

本发明有益的技术效果在于：

(1)本发明化合物应用于OLED器件，可以作为发光层材料的掺杂材料，在电场作用下可以发绿色荧光，可以应用于OLED照明或者OLED显示领域；

(2)本发明化合物作为掺杂材料，引入磷光材料作为激子敏化剂，能够有效提升器件寿命；

(3)本发明化合物的光谱FWHM较窄，能够有效提升器件色域，提升器件的发光效率。

附图说明

图1为本发明所列举的材料应用于OLED器件的结构示意图；

其中，1为透明基板层，2为阳极层，3为空穴注入层，4为空穴传输层，5为电子阻挡层，6为发光层，7为空穴阻挡，8为电子传输层，9为电子注入层，10为阴极层。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。

在本发明中，在描述电极和有机电致发光器件，以及其他结构体时，所采用的“上”、“下”、“顶”和“底”等表示方位的词，仅表示在某种特定状态的方位，并不意味相关的结构仅只能按所述方位存在；相反，如果结构体可以变换位置，例如倒置，则结构体的方位作相应改变。具体而言，在本发明中，电极的“底”、“下”侧是指电极在制备过程中靠近基板的一侧，而远离基板的相对一侧为“顶”、“上”侧。

在本发明中，取代或未取代的C

本发明所述的C

本发明所述的卤素原子是指氯原子、氟原子或溴原子等，但不限于此。

本发明所述的C

作为本发明的有机电致发光器件的基板，可使用任何常用于有机电致发光器件的基板。实例为透明基板，如玻璃或透明塑料基板；不透明基板，如硅基板。不同基板具有不同的机械强度、热稳定性、透明性、表面光滑度、防水性。根据基板的性质不同，其使用方向不同。在本发明中，优选使用透明PI膜基板。基板的厚度没有特别限制。

在基板上形成第一电极，第一电极与第二电极可彼此相对。第一电极可以是阳极。第一电极可以是透射电极、半透射电极或者反射电极。当第一电极是透射电极时，其可使用透明金属氧化物来形成，例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)或铟锡锌氧化物(ITZO)等。当第一电极是半透射电极或反射电极时，其可包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或金属混合物。第一电极层的厚度取决于所使用的材料，通常为50-500nm，优选为70-300nm且更优选为100-200nm。

设置于第一电极和第二电极之间的有机功能材料层由下至上依次包括空穴传输区域、发光层和电子传输区域。

在本文中，构成有机电致发光器件的空穴传输区域可列举为空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层等。

作为在空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层的材料，可以从已知的用于OLED装置的相关材料中选择任意的材料进行使用。

上述材料的实例可为酞菁衍生物、三唑衍生物、三芳基甲烷衍生物、三芳基胺衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、腙衍生物、芪衍生物、吡啶啉衍生物、聚硅烷衍生物、咪唑衍生物、苯二胺衍生物、氨基取代奎尔酮衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、苯乙烯基胺衍生物等苯乙烯化合物、芴衍生物、螺芴衍生物、硅氮烷衍生物、苯胺类共聚物、卟啉化合物、咔唑衍生物、多芳基烷衍生物、聚亚苯基乙烯及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚-N-乙烯基咔唑衍生物、噻吩低聚物等导电性高分子低聚体、芳香族叔胺化合物、苯乙烯胺化合物、三胺类、四胺类、联苯胺类、丙炔二胺衍生物、对苯二胺衍生物、间苯二胺衍生物、1,1’-双(4-二芳基氨基苯基)环己烷、4,4’-二(二芳基胺类)联苯类、双[4-(二芳基氨基)苯基]甲烷类、4,4’-二(二芳基氨基)三联苯类、4,4’-二(二芳基氨基)四联苯类、4,4’-二(二芳基氨基)二苯基醚类、4,4’-二(二芳基氨基)二苯基硫烷类、双[4-(二芳基氨基)苯基]二甲基甲烷类、双[4-(二芳基氨基)苯基]-二(三氟甲基)甲烷类或者2,2-二苯基乙烯化合物等。

进一步的，根据器件搭配需要，构成有机电致发光器件的电子阻挡和空穴注入层之间的空穴传输膜层可以是单一的膜层，也可以是复数的多种空穴传输材料的叠加结构。在本文中，对于上述各种不同功能的空穴载流子传导膜层而言，其膜厚不做特别限定。

空穴注入层包含一个可以传导空穴的主体有机材料，同时还包含有一个深HOMO能级(相应的LUMO能级也会很深)的P型掺杂材料。基于经验性总结，为了实现空穴从阳极到有机膜层的顺畅的注入，阳极界面缓冲层所使用的传导空穴的主体有机材料的HOMO能级必须和P掺杂材料具备一定特征，才有望实现主体材料和掺杂材料之间的电荷转移态的发生，实现缓冲层和阳极之间的欧姆接触，实现从电极到空穴注入传导的高效注入。

鉴于上述经验性总结，因此对于不同HOMO能级的空穴类主体材料而言，需要选择不同的P掺杂材料与之匹配，才能实现界面的欧姆接触，提升空穴注入效果。

因此，在本发明的一个实施方案中，为了使空穴更好的注入，空穴注入层还包含选自以下的具有电荷传导性的P型掺杂材料：醌衍生物，如四氰基醌二甲烷(TCNQ)和2,3,5,6-四氟-四氰基-1,4-苯醌二甲烷(F4-TCNQ)；或六氮杂三亚苯衍生物，如2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯(HAT-CN)；或环丙烷衍生物，如4,4',4”-((1E,1'E,1”E)-环丙烷-1,2,3-三亚甲基三(氰基甲酰亚基))三(2,3,5,6-四氟苄基)；或金属氧化物，如氧化钨和氧化钼，但不限于此。

在本发明的空穴注入层中，所使用的空穴传输材料与P型掺杂材料的比例为99:1-95:5，优选为99:1-97:3，基于质量计。

本发明的空穴注入层的厚度可以是5-100nm、优选是5-50nm，且更优选是5-20nm，但厚度不限于这一范围。

本发明的空穴传输层的厚度可以是5-200nm、优选是10-150nm，且更优选是20-100nm，但厚度不限于这一范围。

本发明电子阻挡层的厚度可为1-50nm、优选为5-40nm，但厚度不限于这一范围。

在形成空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层之后，在电子阻挡层之上形成相应的发光层。

发光层可以包含主体材料和掺杂材料，所述主体材料可使用本领域常见的绿光主体材料，掺杂材料使用本发明通式(1)所示的含硼有机化合物。

发光层可以包含单主体材料或者双主体材料；

双主体材料包含第一主体材料和第二主体材料，所述第一主体材料和第二主体材料优选至少有一个为TADF材料；

TADF材料指具有热活化延迟荧光性质的材料，特征是具有较小的第一激发单线态与第一激发三线态能级差，因此可以在器件中同时利用产生的单线态激子与三线态激子，使器件内部电致产生的激子利用率能尽可能接近100％。相比传统荧光材料，TADF材料具有更高的激子利用率。

发光层可以包含主体材料、激子敏化材料和掺杂材料；

激子敏化材料指可以使发光层中的发光材料充分利用电致激子的材料，从而使发光层最终产生被敏化材料的发射光谱。激子敏化剂在电致发光器件中可能承担了激子俘获、激子转换、激子传递等功能，本发明通式(1)所示含硼有机化合物和激子敏化材料搭配使用，对于器件效率提升、器件中激子湮灭、效率降低等问题有明显改善效果。

在本发明的发光层中，所使用的主体材料与掺杂材料的比例为99:1-70:30，优选为99:1-85:15且更优选为97:3-87:13，基于质量计。

可以调节发光层的厚度以优化发光效率和驱动电压。优选的厚度范围是5nm至50nm，进一步优选10-50nm、更优选是15-40nm，但厚度不限于这一范围。

在本发明中，电子传输区域可由下至上依次包括设置在发光层之上的空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，但不限于此。

空穴阻挡层为阻挡从阳极注入的空穴穿过发光层而进入阴极，由此延长器件的寿命并提高器件的效能的层。本发明的空穴阻挡层可设置在发光层之上。作为本发明的有机电致发光器件的空穴阻挡层材料，可以使用现有技术中公知的具有空穴阻挡作用的化合物，例如，浴铜灵(称为BCP)等菲咯啉衍生物、铝(III)双(2-甲基-8-喹啉)-4-苯基酚盐(BAlq)等羟基喹啉衍生物的金属络合物、各种稀土类络合物、噁唑衍生物、三唑衍生物、三嗪衍生物、9,9'-(5-(6-([1,1'-联苯]-4-基)-2-苯基嘧啶-4-基)-1,3-亚苯基)双(9H-咔唑)等嘧啶衍生物等。本发明的空穴阻挡层的厚度可为2-200nm、优选为5-150nm，但厚度不限于这一范围。

电子传输层可设置在发光层或(若存在的话)空穴阻挡层之上。电子传输层材料是一种容易接收阴极的电子并将接收的电子转移至发光层的材料。优选具有高的电子迁移率的材料。作为本发明的有机电致发光器件的电子传输层，可以使用现有技术中公知的用于有机电致发光器件的电子传输层材料，例如，以Alq3、BAlq和Liq为代表的羟基喹啉衍生物的金属络合物、各种稀土金属络合物、三唑衍生物、2,4-双(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-6-(萘-2-基)-1,3,5-三嗪(CAS号：1459162-51-6)等三嗪衍生物、2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并[d]咪唑(CAS号：561064-11-7，俗称LG201)等咪唑衍生物、噁二唑衍生物、噻二唑衍生物、碳化二亚胺衍生物、喹喔啉衍生物、菲咯啉衍生物、硅基化合物衍生物等。本发明的电子传输层的厚度可以为10-80nm、优选为20-60nm且更优选为25-45nm，但厚度不限于这一范围。

电子注入层可设置在电子传输层之上。电子注入层材料通常是优选具有低功函数的材料，使得电子容易地注入有机功能材料层中。作为本发明的有机电致发光器件的电子注入层材料，可以使用现有技术中公知的用于有机电致发光器件的电子注入层材料，例如，锂；锂盐，如8-羟基喹啉锂、氟化锂、碳酸锂或叠氮化锂；或铯盐，氟化铯、碳酸铯或叠氮化铯。本发明的电子注入层的厚度可以是0.1-5nm、优选为0.5-3nm且更优选为0.8-1.5nm，但厚度不限于这一范围。

第二电极可设置在电子传输区域之上。第二电极可以是阴极。第二电极可以是透射电极、半透射电极或者反射电极。当第二电极是透射电极时，第二电极可以包括例如Li、Yb、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg、BaF、Ba、Ag或者其化合物或混合物；当第二电极是半透射电极或者反射电极时，第二电极可包括Ag、Mg、Yb、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti或者其化合物或混合物，但不限于此。阴极的厚度取决于所使用的材料。

本发明的有机电致发光器件还可包括封装结构。封装结构可为防止外界物质例如湿气和氧气进入有机电致发光器件的有机层的保护结构。封装结构可为例如罐，如玻璃罐或金属罐；或覆盖有机层整个表面的薄膜。

制备本发明有机电致发光器件的方法，其包括在基板上相继层压阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、有机膜层、电子传输层、电子注入层和阴极，以及任选地覆盖层。关于此点，可使用真空沉积、真空蒸镀、旋涂、浇铸、LB法、喷墨印刷、激光印刷或LITI等方法，但不限于此。在本发明中，优选使用真空蒸镀法来形成所述各个层。本领域技术人员可根据实际需要常规选择真空蒸镀法中的各个工艺条件。

本发明合成实施例中涉及到的原料均可从市场购得或者通过本领域常规的制备方法制得；

实施例1化合物6的合成：

通氮气保护下，将10mmol原料A-1、10mmol原料B-1、15mmol碳酸钾、0.5mmol铜、15mmol 18-冠醚-6和70mL二氯苯加入到三口瓶中，回流反应18小时。反应结束后减压并浓缩有机层，然后经硅胶柱层析纯化，得到中间体a-1。LC-MS：测定值：492.41([M+H]

通氮气保护下，将10mmol原料C-1、10mmol NaH、10mL无水DMF加入到三口瓶中，室温搅拌0.5小时，接着加入10mmol原料D-1，室温条件下反应5小时。反应结束后加入50ml去离子水，过滤白色沉淀，沉淀用二氯甲烷溶解，无水硫酸钠干燥过滤后浓缩，采用柱层析分离得到中间体b-1。LC-MS：测定值：394.05([M+H]

通氮气保护下，将10mmol中间体a-1、11mmol中间体b-1、1mmol X-phos、20mmolCs

在三口瓶中，通氮气保护下，将2.20mmol三溴化硼和1.10mmol中间体c-1溶解在30mL 1,2,4-三氯苯中。在180℃条件下搅拌20小时后，用二氯甲烷(50mL)稀释反应混合物，并在0℃下加入100mL pH＝6的磷酸钠缓冲溶液，分离水层并用二氯甲烷(100mL，三次)萃取。粗产物经硅胶柱层析纯化，得到目标化合物6。

实施例2化合物25的合成：

中间体b-2的制备方法同中间体b-1，不同之处在于用原料D-2替换原料D-1，得到中间体b-2。LC-MS：测定值：472.39([M+H]+)，理论值：471.10。

向两口瓶中依次加入10mmol中间体b-2，1mmol四正丁基溴化铵(nBu

中间体c-2的制备方法同中间体c-1，不同之处在于用中间体d-2替换中间体b-1，得到中间体c-2。LC-MS：测定值：759.41([M+H]

化合物25的制备方法同化合物6，不同之处在于用中间体c-2替换中间体c-1，得到化合物25。

实施例3化合物29的合成：

中间体a-3的制备方法同中间体a-1，不同之处在于用原料B-3替换原料B-1，得到中间体a-3。LC-MS：测定值：568.29([M+H]

中间体b-3的制备方法同中间体b-1，不同之处在于用原料C-3替换原料C-1，用原料D-2替换原料D-1，得到中间体b-3。LC-MS：测定值：472.02([M+H]

中间体d-3的制备方法同中间体d-2，不同之处在于用中间体b-3替换中间体b-2，得到中间体d-3。LC-MS：测定值：392.35([M+H]

中间体c-3的制备方法同中间体c-1，不同之处在于用中间体a-3替换中间体a-1，用中间体d-3替换中间体b-1，得到中间体c-3。LC-MS：测定值：835.46([M+H]

化合物29的制备方法同化合物6，不同之处在于用中间体c-3替换中间体c-1，得到化合物29。

实施例4化合物36的合成：

中间体a-4的制备方法同中间体a-1，不同之处在于用原料A-4替换原料A-1，得到中间体a-4。LC-MS：测定值：492.30([M+H]

中间体c-4的制备方法同中间体c-1，不同之处在于用中间体a-4替换中间体a-1，得到中间体c-4。LC-MS：测定值：761.52([M+H]

化合物36的制备方法同化合物6，不同之处在于用中间体c-4替换中间体c-1，得到化合物36。

实施例5化合物46的合成：

中间体a-5的制备方法同中间体a-1，不同之处在于用原料A-4替换原料A-1，用原料B-5替换原料B-1，得到中间体a-5。LC-MS：测定值：548.12([M+H]

中间体c-5的制备方法同中间体c-1，不同之处在于用中间体a-5替换中间体a-1，得到中间体c-5。LC-MS：测定值：817.31([M+H]

化合物46的制备方法同化合物6，不同之处在于用中间体c-5替换中间体c-1，得到化合物46。

实施例6化合物108的合成：

通氮气保护下，将10mmol原料D-6、10mmol原料E-6、15mmol碳酸钾、0.5mmol铜、15mmol 18-冠醚-6和70mL二氯苯加入到三口瓶中，回流反应18小时。反应结束后减压并浓缩有机层，然后经硅胶柱层析纯化，得到原料A-6。LC-MS：测定值：276.06([M+H]

中间体a-6的制备方法同中间体a-1，不同之处在于用原料A-6替换原料A-1，得到中间体a-6。LC-MS：测定值：430.48([M+H]

中间体c-6的制备方法同中间体c-1，不同之处在于用中间体a-6替换中间体a-1，得到中间体c-6。LC-MS：测定值：699.32([M+H]

化合物108的制备方法同化合物6，不同之处在于用中间体c-6替换中间体c-1，得到化合物108。

实施例7化合物117的合成：

原料A-7的制备方法同原料A-6，不同之处在于用原料E-7替换原料E-6，得到原料A-7。LC-MS：测定值：408.19([M+H]

中间体a-7的制备方法同中间体a-1，不同之处在于用原料A-7替换原料A-1，得到中间体a-7。LC-MS：测定值：562.31([M+H]

中间体c-7的制备方法同中间体c-1，不同之处在于用中间体a-7替换中间体a-1，得到中间体c-7。LC-MS：测定值：831.60([M+H]

化合物117的制备方法同化合物6，不同之处在于用中间体c-7替换中间体c-1，得到化合物117。

实施例8化合物126的合成：

中间体a-8的制备方法同中间体a-1，不同之处在于用原料A-6替换原料A-1，用原料B-8替换原料B-1，得到中间体a-8。LC-MS：测定值：562.11([M+H]

中间体c-8的制备方法同中间体c-1，不同之处在于用中间体a-8替换中间体a-1，得到中间体c-8。LC-MS：测定值：831.33([M+H]

化合物126的制备方法同化合物6，不同之处在于用中间体c-8替换中间体c-1，得到化合物126。

实施例9化合物136的合成：

中间体a-9的制备方法同中间体a-1，不同之处在于用原料A-9替换原料A-1，得到中间体a-9。LC-MS：测定值：486.27([M+H]

中间体c-9的制备方法同中间体c-1，不同之处在于用中间体a-9替换中间体a-1，得到中间体c-9。LC-MS：测定值：755.21([M+H]

化合物136的制备方法同化合物6，不同之处在于用中间体c-9替换中间体c-1，得到化合物136。

各实施例得到的化合物的结构表征如表1所示

表1

以下通过器件实施例1-9和器件比较例1-3详细说明本发明合成的OLED材料在器件中的应用效果。本发明器件实施例2-9以及器件比较例1-3与器件实施例1相比器件的制作工艺完全相同，并且所采用了相同的基板材料和电极材料，电极材料的膜厚也保持一致，所不同的是对器件中的发光层材料做了更换。各器件实施例的层结构和测试结果分别如表2和表3所示。

器件实施例1

如图1所示，透明基板层1为透明PI膜，对ITO阳极层2(膜厚为150nm)进行洗涤，即依次进行清洗剂(Semiclean M-L20)洗涤、纯水洗涤、干燥，再进行紫外线-臭氧洗涤以清除透明ITO表面的有机残留物。在进行了上述洗涤之后的ITO阳极层2上，利用真空蒸镀装置，蒸镀膜厚为10nm的HT-1和HI-1作为空穴注入层3，HT-1和HI-1的质量比为97:3。接着蒸镀60nm厚度的HT-1作为空穴传输层4。随后蒸镀30nm厚度的EB-1作为电子阻挡层5。上述电子阻挡材料蒸镀结束后，制作OLED发光器件的发光层6，使用GH-1和GH-2作为主体材料，化合物6作为掺杂材料，GH-1、GH-2和化合物6质量比为69:30:1，发光层膜厚为30nm。在上述发光层6之后，继续真空蒸镀HB-1，膜厚为5nm，此层为空穴阻挡层7。在上述空穴阻挡层7之后，继续真空蒸镀ET-1和Liq，ET-1和Liq质量比为1:1，膜厚为30nm，此层为电子传输层8。在电子传输层8上，通过真空蒸镀装置，制作膜厚为1nm的LiF层，此层为电子注入层9。在电子注入层9上，通过真空蒸镀装置，制作膜厚为80nm的Mg：Ag电极层，Mg、Ag质量比为1:9，此层为阴极层10使用。

以下通过器件实施例10-18和器件比较例4-6详细说明本发明合成的OLED材料在器件中的应用效果。本发明器件实施例11-18以及器件比较例4-6与器件实施例10相比器件的制作工艺完全相同，并且所采用了相同的基板材料和电极材料，电极材料的膜厚也保持一致，所不同的是对器件中的发光层材料做了更换。各器件实施例的层结构和测试结果分别如表2和表3所示。

器件实施例10

透明基板层1为透明PI膜，对ITO阳极层2(膜厚为150nm)进行洗涤，即依次进行清洗剂(Semiclean M-L20)洗涤、纯水洗涤、干燥，再进行紫外线-臭氧洗涤以清除透明ITO表面的有机残留物。在进行了上述洗涤之后的ITO阳极层2上，利用真空蒸镀装置，蒸镀膜厚为10nm的HT-1和HI-1作为空穴注入层3，HT-1和HI-1的质量比为97:3。接着蒸镀60nm厚度的HT-1作为空穴传输层4。随后蒸镀30nm厚度的EB-1作为电子阻挡层5。上述电子阻挡材料蒸镀结束后，制作OLED发光器件的发光层6，使用GH-1和GH-2作为主体材料，GD-1作为第一掺杂材料，化合物6作为第二掺杂材料，GH-1、GH-2、GD-1和化合物6质量比为66:30:3:1，发光层膜厚为30nm。在上述发光层6之后，继续真空蒸镀HB-1，膜厚为5nm，此层为空穴阻挡层7。在上述空穴阻挡层7之后，继续真空蒸镀ET-1和Liq，ET-1和Liq质量比为1:1，膜厚为30nm，此层为电子传输层8。在电子传输层8上，通过真空蒸镀装置，制作膜厚为1nm的LiF层，此层为电子注入层9。在电子注入层9上，通过真空蒸镀装置，制作膜厚为80nm的Mg：Ag电极层，Mg、Ag质量比为1:9，此层为阴极层10使用。

相关材料的分子结构式如下所示：

如上所述地完成OLED发光器件后，用公知的驱动电路将阳极和阴极连接起来，测量器件的电压、电流效率和器件的寿命。用同样的方法制备的器件实施例和比较例如表2所示；所得器件的电压、电流效率和寿命的测试结果如表3所示。

表2

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表3

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注：电压、电流效率、发光峰使用IVL(电流-电压-亮度)测试系统(苏州弗士达科学仪器有限公司)；寿命测试系统为日本系统技研公司EAS-62C型OLED器件寿命测试仪；LT95指的是器件亮度衰减到95％所用时间；所有数据均在10mA/cm

由表3的器件数据结果可以看出，与器件比较例1-3相比，本发明的化合物在单掺杂体系器件中的器件寿命与比较例相比较高；在单掺杂体系器件中，器件效率也呈现较好的效果，这是由于此类硼氮稠环母核，可以在不改变光色的条件下，增强共振强度，提高器件效率；与器件比较例4-6相比，本发明的化合物在使用激子敏化材料作为第一掺杂的双掺杂体系器件中，器件的电流效率和器件寿命均相对于已知材料的OLED器件获得较大的提升，而且在双掺杂器件中，器件效率较单掺杂时也有明显提升。

综上，以上仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。