掩膜版及其制作方法

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种掩膜版及其制作方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示面板是一种利用OLED作为显示像素的面板。相比于传统的液晶显示面板，OLED显示面板因具有自发光、功耗低、色彩效果好、可用于柔性显示等诸多优点，越来越受到市场的欢迎。

OLED的制备一般采用将有机发光材料蒸镀到阵列基板上的方式，蒸镀有机发光材料通常需要使用掩膜版，现有掩膜版通常使用金属条并通过激光在金属条上进行打孔以形成通孔，由于激光打孔工艺的精度限制，现有掩膜版上的通孔的尺寸通常会比较大，已经越来越无法满足用户对显示面板的高分辨率需求。

发明内容

本发明提供了一种掩膜版及其制作方法，以减小掩膜版上的通孔尺寸，降低通孔尺寸对蒸镀工艺的限制，满足用户对显示面板的高分辨率需求。

根据本发明的一方面，提供了一种掩膜版的制作方法，所述制作方法包括如下步骤：

提供基底，所述基底包括相对设置的第一面和第二面，以及设置于所述第一面和所述第二面之间的侧面；在所述基底的所述第一面上形成第一无机材料层；刻蚀所述第一无机材料层，形成包括多个第一图形的第一图形层，所述第一图形包括远离所述基底的第一顶面，以及连接所述第一顶面的第一侧面，所述第一顶面和所述第一侧面之间具有第一夹角；形成第二无机材料层，所述第二无机材料层覆盖所述基底的所述侧面；在所述第一图形层上形成金属层；刻蚀所述金属层，形成包括多个金属图形的金属图形层，各所述金属图形位于相邻两个所述第一图形之间；所述金属图形包括远离所述基底的第二顶面，以及连接所述第二顶面的第二侧面，所述第二顶面和所述第二侧面之间具有第二夹角，所述第二夹角和所述第一夹角互补；在所述金属图形层上形成第三无机材料层；从所述基底的所述第二面一侧刻蚀所述基底，保留所述第二区域的所述基底，去除所述第一区域的所述基底；其中，所述第二区域为围绕所述第一区域的周边区域；去除所述第一图形层和所述第三无机材料层。

根据本发明的另一方面，提供了一种掩膜版，所述掩膜版包括相对设置的第一侧和第二侧，所述掩膜版包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域；在所述第一区域，所述掩膜版包括多个金属图形，相邻所述金属图形之间设置有通孔；在所述掩膜版的所述第一侧，所述金属图形包括第二顶面，所述金属图形还包括与所述第二顶面连接的第二侧面，所述金属图形的所述第二顶面和所述第二侧面之间具有第二夹角；在所述第二区域，所述掩膜版具有第一框架层和第二框架层，所述第一框架层的材料为半导体材料，所述第二框架层的材料和所述金属图形的材料相同，所述第一框架层和所述第二框架层之间还设置有第二无机材料层。

本发明实施例提供的掩膜版及其制作方法，通过半导体制程工艺在基底上制作金属图形层，与传统精细金属掩膜版的制作工艺相比，有利于减小金属图形层上的通孔尺寸，降低通孔尺寸对蒸镀工艺的限制，进而满足用户对显示面板的高分辨率需求。此外，第二区域保留的基底能够对金属图形层起到支撑和固定作用，一方面，与传统精细金属掩膜版的制作工艺相比，可降低对金属图形层的刚性要求，有助于减小金属层的厚度，从而有利于缩小蒸镀时掩膜版与待蒸镀基板之间的距离，在蒸镀过程中减轻阴影效应，减小实际蒸镀的膜层图案尺寸与设计值之间的偏差，提高蒸镀工艺的精度；另一方面，与通过激光焊接方式将掩膜版焊接于掩膜版框架上的方案相比，能够防止金属图形层和基底之间产生移位，有利于提高蒸镀工艺的精准度。

应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为相关技术中的一种显示面板的局部截面结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种显示面板的局部截面结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种掩膜版的制作方法的流程示意图；

图4-图14为本发明实施例提供的一种掩膜版的制作方法的流程结构示意图；

图15为本发明实施例提供的另一种掩膜版的制作方法的流程结构示意图；

图16为本发明实施例提供的一种掩膜版的结构示意图；

图17为相关技术提供的一种蒸镀过程的结构示意图；

图18为使用本发明实施例提供的掩膜版进行蒸镀工艺的示意图；

图19为金属图形的比较示意图；

图20为本发明实施例提供的一种基底的结构示意图；

图21为本发明实施例提供的一种掩膜版的结构示意图；

图22为图21沿A-A’方向的截面结构示意图；

图23为本发明实施例提供的一种掩膜版的截面结构示意图；

图24为本发明实施例提供的另一种掩膜版的截面结构示意图；

图25为本发明实施例提供的另一种掩膜版的截面结构示意图；

图26为本发明实施例提供的另一种掩膜版的截面结构示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。

需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

图1为相关技术中的一种显示面板的局部截面结构示意图，如图1所示，该显示面板采用发白光的有机发光二极管10结合彩色滤光片(Color Filter，CF)11的方式实现彩色图像显示。

其中，有机发光二极管10包括层叠设置于阵列基板13一侧的阳极101、有机发光材料层102和阴极103，当电子和空穴分别从阴极103和阳极101注入到有机发光材料层102时，电子和空穴在有机发光材料层102中复合释放能量而发射出光，有机发光材料层102的材料可决定有机发光二极管10的发光颜色。在本方案中，由于有机发光二极管10均发白光，所有有机发光二极管10中的有机发光材料层102均可采用相同的有机材料，因此，有机发光材料层102可整层制备，从而在该显示面板的制备工艺中，可以采用开放式掩膜版(Open Mask)在阵列基板13上蒸镀有机材料，进而形成有机发光材料层102。

需要说明的是，开放式掩膜版(Open Mask)是指开口面积较大的掩膜版，适用于在阵列基板13上形成覆盖面积较大的膜层，在通过开放式掩膜版蒸镀有机发光材料层102时，开放式掩膜版的开口可对应显示面板的整个显示区，从而使蒸镀形成的有机发光材料层102在显示面板所在平面内的正投影覆盖显示面板的整个显示区。

然而，在图1所示的彩色显示方案中，彩色滤光片11的色域高低会限制显示面板的色域范围，从而会影响显示面板最终的显示效果。

基于上述技术问题，图2为本发明实施例提供的一种显示面板的局部截面结构示意图，如图2所示，该显示面板采用发不同颜色光的有机发光二极管10实现彩色图像显示，例如，图2中的有机发光二极管10包括红色有机发光二极管10R、绿色有机发光二极管10G和蓝色有机发光二极管10B，以实现彩色图像显示，与采用彩色滤光片实现彩色图像显示的显示面板相比，该显示面板具有色域高的特性，从而可提高显示面板的彩色图像显示效果。

继续参考图2，在该显示面板中，红色有机发光二极管10R中包括红色有机发光材料层102R，绿色有机发光二极管10G中包括绿色有机发光材料层102G，蓝色有机发光二极管10B中包括蓝色有机发光材料层102B，且红色有机发光材料层102R、绿色有机发光材料层102G和蓝色有机发光材料层102B的有机材料通常不同，从而在该显示面板的制备工艺中，需要采用精细金属掩膜版(Fine Metal Mask，FMM)分别蒸镀形成红色有机发光材料层102R、绿色有机发光材料层102G和蓝色有机发光材料层102B，其中，精细金属掩膜版上需要具备数量较多的通孔，且通孔的尺寸与各有机发光二极管10的尺寸相当，可以理解的是，显示面板的显示分辨率越高，则显示面板中有机发光二极管10的尺寸越小，在利用精细金属掩膜版蒸镀有机发光二极管10的有机发光材料层102时，所需求的精细金属掩膜版上的通孔的尺寸就越小，因此，显示面板的显示分辨率会受限于精细金属掩膜版上的通孔的尺寸大小。

而现有的精细金属掩膜版通常使用金属条并通过激光在金属条上进行打孔以形成通孔，由于激光打孔工艺的精度限制，现有精细金属掩膜版上的通孔的尺寸通常会比较大，已经越来越无法满足用户对显示面板的高分辨率需求。

同时，在利用现有精细金属掩膜版进行蒸镀时，精细金属掩膜版通常需要焊接在掩膜版框架上进行支撑和固定，然后放在蒸镀机中使用，在焊接过程中，容易出现对精细金属掩膜版施加的张力不均匀或热效应等问题，导致精细金属掩膜版和掩膜版框架之间产生移位，影响精细金属掩膜版的蒸镀精度。

基于上述技术问题，本发明实施例提供一种掩膜版的制作方法以及掩膜版，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图3为本发明实施例提供的一种掩膜版的制作方法的流程示意图，图4-图14为本发明实施例提供的一种掩膜版的制作方法的流程结构示意图，如图3-图14所示，该方法包括：

步骤S110、提供基底20，基底20包括相对设置的第一面201和第二面202，以及设置于第一面201和第二面202之间的侧面203。

具体的，如图4所示，基底20具有第一面201和与第一面201相背的第二面202，第一面201和第二面202之间连接有侧面203。第一面201为后续形成的膜层的承载面，第二面202为后续对基底20进行刻蚀的刻蚀面。

其中，基底20可以为半导体基底，半导体基底可以为半导体制程工艺中常用的基底类型，例如晶圆，但并不局限于此。

可选的，基底20的材料包括氮化硅、单晶硅、锗、锗化硅、碳化硅、砷化镓、镓化铟中的至少一种。

其中，基底20采用上述材料，可以更适宜于后续半导体制程工艺需求，有助于提高后续制备的膜层质量。

步骤S120、在基底20的第一面201上形成第一无机材料层21。

其中，如图5所示，第一无机材料层21用于为后续刻蚀金属层，形成具有多个金属图形的金属图形层提供工艺基础。

可选地，第一无机材料层21的厚度为1μm及1μm以下，第一无机材料层21的厚度和后续要形成多个金属图形的金属图形层的厚度相同或近似。

在一些实施例中，可以通过化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)的方式在基底20的第一面201上形成第一无机材料层21，其中，化学气相沉积技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在基底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。在本实施例中，采用化学气相沉积工艺形成第一无机材料层21可具有沉积温度低、薄膜成分和厚度易于控制、均匀性和重复性好、适用范围广、设备简单等一系列优点。

在其他实施例中，还可以通过等离子增强化学气相沉积(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition，PECVD)的方式在基底20的第一面201上形成第一无机材料层21，其中，等离子增强化学气相沉积是在化学气相沉积中，激发气体，使其产生低温等离子体，增强反应物质的化学活性，从而进行外延的一种方法。在本实施例中，采用等离子增强化学气相沉积形成第一无机材料层21可具有沉积温度低，膜层的厚度及成分均匀性好，膜层的附着力强，应用范围广等优点。

进一步地，为了降低制作第一无机材料层21的工艺难度，第一无机材料层21可选取工艺常用且工艺集成度较高的材料，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等，本发明实施例对此不作具体限定。

步骤S130、刻蚀第一无机材料层21，形成包括多个第一图形221的第一图形层22，第一图形221包括远离基底20的第一顶面2211，以及连接第一顶面2211的第一侧面2212，第一顶面2211和第一侧面2212之间具有第一夹角θ1。

具体的，如图5和图6所示，可以通过干法刻蚀工艺对第一无机材料层21进行刻蚀，其中，干法刻蚀是利用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。在本实施例中，采用干法刻蚀工艺刻蚀第一无机材料层21时，可以根据第一无机材料层21的材料不同，选择合适的气体，以更快地与第一无机材料层21的材料进行反应，实现刻蚀去除的目的。干法刻蚀具备可控性、灵活性、重复性好，操作安全，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高等优点。

继续参考图5和图6，第一无机材料层21刻蚀完成后，会形成图案化的第一图形层22，第一图形层22具有多个第一图形221，第一图形221包括远离基底20的第一顶面2211，还包括连接第一顶面2211的第一侧面2212，且第一顶面2211和第一侧面2212之间形成有第一夹角θ1。

第一图形层22用于为后续刻蚀金属层提供工艺基础，其中，第一图形层22的图案与后续形成的具有多个金属图形的金属图形层的图案互补。

第一图形层22中第一图形221的第一顶面2211和第一侧面2212之间形成有第一夹角θ1，第一夹角θ1可决定后续形成金属图形的夹角。

步骤S140、形成第二无机材料层25，第二无机材料层25至少覆盖基底20的侧面203。

具体的，如图7所示，第二无机材料层25用于对基底20的侧面203进行保护，当后续对基底20的第二面202进行刻蚀可保护侧面203。

可选地，还可以设置第二无机材料层25覆盖基底20的侧面203、第一图形层22表面、基底20的第一面201暴露于第一图形层22的表面。覆盖基底20的侧面203的第二无极材料层25可以对基底20的侧面203进行保护外，覆盖第一图形层22表面、基底20的第一面201暴露于第一图形层22的表面的第二无极材料层25可以对第一图形层22起到缓冲、保护及固定的作用。

可选地，如图7所示，还可以设置第二无机材料层25覆盖第一图形层22表面、基底20的第一面201暴露于第一图形层22的表面以及基底20的第二面202和侧面203，以使第二无机材料层25可以对第一图形层22和基底20进行全方位的保护。

可选地，第二无机材料层25可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等，以起到良好的保护作用。

此外，第二无机材料层25的厚度可以在0.1μm～1μm之间，从而可以在起到良好保护作用的同时，有利于控制成本。

可选的，可以通过低压力化学气相沉积法(Low Pressure Chemical VaporDeposition，LPCVD)制备第二无机材料层25，其中，低压力化学气相沉积法是用加热的方式在低压条件下使气态化合物在基体表面反应并淀积形成稳定固体薄膜。在本实施例中，采用低压力化学气相沉积法形成第二无机材料层25，可实现很高的沉积速率及输出量，保证第二无机材料层25具有较佳的阶梯覆盖能力。

进一步地，为了降低制作第二无机材料层25的工艺难度，第二无机材料层25可选取工艺常用且工艺集成度较高的材料，例如氮化硅等，本发明实施例对此不作限定。

步骤S150、在第一图形层22上形成金属层23。

需要说明的是，在步骤S140中，如果设置第二无机材料层25覆盖了第一图形层22表面、基底20的第一面201暴露于第一图形层22的表面，则如图8所示，则在覆盖了第二无机材料层25的第一图形层22上形成金属层23，“第一图形层22上”是方位说明，并不限定金属层23一定要和第一图形层22直接接触。具体的，如图8所示，在第二无机材料层25上形成金属层23，其中，金属层23位于第一图形层22背离基底20的一侧，金属层23靠近基底20一侧的底面与第一图形层22背离基底20一侧的表面相匹配。

可选的，可通过物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)工艺制备金属层23，其中，物理气相沉积技术是指在真空条件下采用物理方法将材料源(固体或液体)表面气化成气态原子或分子，或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积薄膜的技术。在本实施例中，采用物理气相沉积方式形成金属层23，具有工艺过程简单，无污染，耗材少，成膜均匀致密，与基体的结合力强等优点。

步骤S160、刻蚀金属层23，形成包括多个金属图形241的金属图形层24，各金属图形241位于相邻两个第一图形221之间；金属图形241包括远离基底20的第二顶面2411，以及连接第二顶面2411的第二侧面2412，第二顶面2411和第二侧面2412之间具有第二夹角θ2，第二夹角θ2和第一夹角θ1互补。

具体的，可以通过化学机械研磨(Chemical Mechanical Polish，CMP)的方式刻蚀金属层23，化学机械研磨工艺是通过表面化学作用和机械研磨的技术结合来实现膜层表面微米/纳米级不同材料的去除。化学机械研磨工艺的主要工作原理是在一定压力下及抛光液的存在下，被抛光的膜层对抛光垫做相对运动，借助纳米磨料的机械研磨作用与各类化学试剂的化学作用之间的高度有机结合，减薄被抛光的膜层厚度，并可使被抛光的膜层表面达到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。

其中，在刻蚀金属层23时，对金属层23背离基底20的一侧表面进行研磨，直至暴露出第一图形层22，从而可以使金属层23形成与第一图形层22图案互补的金属图形层24。

可选地，在步骤S140中，如果设置第二无机材料层25覆盖了第一图形层22表面、基底20的第一面201暴露于第一图形层22的表面，则在刻蚀金属层23时，对金属层23背离基底20的一侧表面进行研磨，直至暴露出第二无机材料层25，从而可以使金属层23形成与第一图形层22图案互补的金属图形层24，如图9所示。

在后续掩膜版的实际使用过程中，可以将金属图形层24朝向基底20一侧的表面朝向蒸发源，金属图形层24背向基底20一侧的表面朝向待蒸镀基板，来自蒸发源的蒸镀材料通过金属图形层24蒸镀于待蒸镀基板，以形成预设图案的薄膜。

需要说明的是，如图8和图9所示，在可选实施例中，将金属层23制备于整面设置的第二无机材料层25上，在研磨金属层23时，第二无机材料层25可以对第一图形层22起到缓冲、保护及固定的作用，从而避免研磨时施加的摩擦力使图案化的第一图形层22发生损伤或错位等问题，提高金属图形层24图案化的精准度。此外，金属层23和第二无机材料层25之间的粘附力也比较好，因此，将金属层23制备于整面设置的第二无机材料层25上，在研磨金属层23时，也可降低金属层23从第二无机材料层25上脱落的风险，有利于刻蚀工艺的顺利进行。

继续参考图8和图9，金属图形层24包括位于相邻两个第一图形221之间的金属图形241，在后续去除第一图形221之后，在第一图形221所在位置处，金属图形层24上会形成与第一图形221所匹配的通孔，且通孔贯穿金属图形层24，在蒸镀工艺的过程中，通过金属图形层24上的通孔形成预设图案的薄膜。

其中，如图9所示，金属图形241包括第二顶面2411和第二侧面2412，第二顶面2411为金属图形241背离基底20一侧的表面，第二顶面2411平行于基底20的第一面201，第二侧面2412平行于第一图形221的第一侧面2212。

进一步地，如图9所示，金属图形241的第二顶面2411和第二侧面2412之间的第二夹角θ2与第一图形221的第一顶面2211和第一侧面2212之间的第一夹角θ1互为补角，即，第二夹角θ2和第一夹角θ1的角度和等于180度。可以理解的是，金属图形层24的图案由第一图形层22的图案决定，金属图形241的第二顶面2411和第二侧面2412之间的第二夹角θ2由第一图形221的第一顶面2211和第一侧面2212之间的第一夹角θ1决定，因此，可根据所需形成的金属图形241的预设图案及所需的第二夹角θ2大小对应设置第一图形层22的图案及第一夹角θ1的大小，本发明实施例对此不作具体限定。

需要说明的是，为了降低制作掩膜版的工艺难度，可选取工艺常用且工艺集成度较高的材料作为金属层23的材料。

可选的，金属层23的材料包括镍、铁、钛、钽或钨，或者金属层23的材料包含镍、铁、钛、钽和钨中至少一种材料的合金。

其中，金属层23采用上述材料或上述材料的合金，可使金属层23具有较好的刚性，不易发生变形，从而能够提高金属层23所形成的金属图形层24的机械强度，在后续利用金属图形层24进行蒸镀时，可以降低金属图形层24发生弯曲变形或断裂的概率，有利于提高掩膜版的质量和蒸镀的精准度。

可选的，金属层23的厚度小于或等于1μm。

其中，本实施例中金属图形层24通过半导体制程工艺形成于基底20上，基底20能够对金属图形层24起到支撑和固定作用，与传统精细金属掩膜版的制作工艺相比，可降低对金属图形层24的刚性要求，有利于减小金属层23的厚度。

在本发明实施例中，金属层23的厚度可设置为1μm及1μm以下，相应的，金属层23刻蚀所形成的金属图形层24的厚度也为1μm及1μm以下，在保证掩膜版在使用过程中金属图形层24不易断裂的同时，有利于缩小蒸镀时掩膜版与待蒸镀基板之间的距离，从而在蒸镀过程中减轻阴影效应，减小实际蒸镀的膜层图案尺寸与设计值之间的偏差，提高蒸镀工艺的精度。

进一步地，在刻蚀金属层23时，对金属层23背离基底20的一侧表面进行研磨，直至暴露出第一图形层22，或者直至暴露出第二无机材料层25，最终形成的金属图形层24的厚度通常等于或小于第一图形层22的厚度。因此，在本发明实施例中，可设置第一无机材料层21的厚度为1μm或1μm以下，以使第一无机材料层21所形成的第一图形层22的厚度为1μm或1μm以下，进而使得第一图形层22的厚度与所需要的金属图形层24的厚度相匹配，有利于形成厚度较薄的金属图形层24。

步骤S170、在金属图形层24上形成第三无机材料层26。

其中，如图10所示，第三无机材料层26可以在后续刻蚀基底20时，对金属图形层24起到支撑及保护作用，从而降低金属图形层24发生脱落、弯曲变形或者断裂的概率，进而有利于进一步提高所制成掩膜版的质量。

可选地，第三无机材料层26的厚度可以在0.1～10μm之间，可以对金属图形层24起到良好支撑及保护作用的同时，有利于控制成本。

具体的，如图10所示，可以通过等离子增强化学气相沉积(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition，PECVD)的方式在金属图形层24背离基底20的一侧制备第三无机材料层26，从而具有沉积温度低，膜层的厚度及成分均匀性好，膜层的附着力强，应用范围广等优点。

进一步地，为了降低制作第三无机材料层26的工艺难度，第三无机材料层26可选取工艺常用且工艺集成度较高的材料。

可选地，第三无机材料层26包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种，以对金属图形层24起到良好支撑及保护作用，本发明实施例对此不作具体限定。

步骤S180、从基底20的第二面202一侧刻蚀基底20，保留第二区域32的基底20，去除第一区域31的基底20；其中，第二区域32为围绕第一区域31的周边区域。

可选地，在步骤S140中，如果设置第二无机材料层25覆盖了基底20的第二面202，则在步骤S180可以使用第二无机材料层25作为刻蚀基底20的第二面202的掩膜。具体地，刻蚀基底20的第二面202上的第二无机材料层25，去除第一区域31的第二无机材料层25，保留第二区域32的第二无机材料层25；其中，第二区域32为围绕第一区域31的周边区域，如图11所示，以刻蚀后的第二无机材料层25为掩膜刻蚀从基底20的第二面202一侧刻蚀基底20，保留第二区域32的基底20，去除第一区域31的基底20；其中，第二区域32为围绕第一区域31的周边区域。在去除第一区域31的基底20时，第二无机材料层25能够起到刻蚀掩膜的作用，从而对第二区域32的基底20以及基底20的侧面203起到保护作用，防止第二区域32的基底20以及基底20的侧面203被过多地去除，使得剩余的基底20仍能对金属图形层24起到支撑和固定作用，从而可以降低基底20和金属图形层24之间发生脱落、以及金属图形层24发生断裂的概率。

在本实施例中，可以通过干法刻蚀工艺对基底20的第二面202上的第二无机材料层25进行刻蚀，从而具备可控性、灵活性、重复性好，操作安全，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高等优点。第二无机材料层25可以采用氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种，可使第二无机材料层25和基底20之间具有较高的刻蚀选择比，从而可降低去除第一区域31的基底20的工艺难度，并减小去除第一区域31的基底20的工艺对第二无机材料层25的损伤，使第二无机材料层25对基底20的侧面203等位置起到更好的保护作用。

示例性的，如图11所示，在刻蚀第二无机材料层25时，可将掩膜版翻转，在基底20背离金属图形层24一侧的第二无机材料层25上进行刻蚀，以将第一区域31的第二无机材料层25去除，保留第二区域32的第二无机材料层25。

可选地，在其他实施方式中，也可以以其他方式形成对基底20的刻蚀阻挡掩膜，比如在基底20的第二面202一侧形成其他掩膜层，并且该掩膜层暴露第一区域31，遮挡第二区域32，则对基底20进行刻蚀后保留第二区域32的基底20，去除第一区域31的基底20。

可选的，可通过湿法刻蚀工艺对基底20进行刻蚀，其中，湿法刻蚀是将刻蚀材料浸泡在刻蚀液内进行刻蚀的技术。

在本实施例中，采用湿法刻蚀工艺刻蚀基底20时，可以根据基底20的材料不同，选择合适的刻蚀液，以更快地与基底20的材料进行反应，实现刻蚀去除的目的。例如，当基底20采用硅基底时，可采用氢氧化钾溶液对基底20进行刻蚀，但并不局限于此。

对基底20完成刻蚀的结构可以参考图12，为了实现掩膜版的正常使用功能，将第一区域31的基底20去除，以暴露出金属图形层24。

步骤S190、去除第一图形层22和第三无机材料层26。

其中，为了实现掩膜版的正常使用功能，将第一图形层22和第三无机材料层26去除。

可选的，第一无机材料层21和第三无机材料层26的材料包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。

其中，第一无机材料层21和第三无机材料层26采用上述材料，可使第一无机材料层21形成的第一图形层22和第三无机材料层26与金属图形层24之间具有较高的刻蚀选择比，从而可降低去除第一图形层22和第三无机材料层26的工艺难度，并减小去除第一图形层22和第三无机材料层26的工艺对金属图形层24的损伤。

同时，第一无机材料层21和第三无机材料层26采用相同的材料，能够在同一工艺步骤中去除第一无机材料层21形成的第一图形层22和第三无机材料层26，从而简化工艺步骤、提高掩膜版的制作效率。

需要说明的是，第一图形层22和第三无机材料层26的去除方法可根据实际需求进行设置。

可选的，在去除第一图形层22和第三无机材料层26的步骤中，包括：

通过稀氢氟酸(DHF)去除第一图形层22和第三无机材料层26。

其中，当第一图形层22和第三无机材料层26采用上述材料时，可以通过稀氢氟酸(DHF)清洗去除第一图形层22和第三无机材料层26，以达到良好的去除效果，但并不局限于此。

此外，在一些实施例中，去除第一图形层22和第三无机材料层26可以分开在不同工艺步骤中进行，以能够根据第三无机材料层26和第一图形层22的材料分别选取不同的去除方法，从而达到良好的去除效果。

可选地，在步骤S140中，如果设置第二无机材料层25覆盖了基底20的第二面202，则还需要去除至少位于第一区域31的第二无机材料层25。

其中，如图13和图14所示，为了实现掩膜版的正常使用功能，将第二无机材料层25去除，以暴露出金属图形层24。

需要说明的是，第二无机材料层25的去除方法可根据实际需求进行设置。可选的，在去除至少位于第一区域31的第二无机材料层25的步骤中，包括：通过稀氢氟酸(DHF)去除至少位于第一区域31的第二无机材料层25。

在另一些实施例中，去除第一图形层22和第三无机材料层26以及去除至少位于第一区域31的第二无机材料层25也可以在同一工艺步骤中进行，以简化工艺步骤、提高掩膜版的制作效率。

继续参考图14，需要说明的是，在第一区域31，基底20、第一图形层22、第二无机材料层25和第三无机材料层26均被去除，第一图形层22所在位置形成镂空，从而在金属图形层24上形成至少一个贯穿金属图形层24的通孔242，可以理解的是，通孔242与第一图形221的图案所匹配，在蒸镀工艺过程中，蒸镀材料通过金属图形层24上的通孔242蒸镀于待蒸镀基板，以形成预设图案的薄膜。

图14为去除了位于基底20的第一区域31的第二无机材料层25、位于基底20侧面203的第二无机材料层25以及去除了基底20的第二面202第二区域32的第二无机材料层25后的掩膜版结构。在该掩膜版的实施例中，只有在第二区域32的基底20和金属图形层24之间保留部分第二无机材料层25。

在其他实施例中，如果设置第二无机材料层25只覆盖基底20的侧面203，则不需要对第二无机材料层25进行刻蚀去除，在最后形成的掩膜版结构中，基底20的侧面203仍然保留有第二无机材料层25，而且在第二区域32的基底20和金属图形层24之间第二区域32未设置第二无机材料层25；则在第二区域32，基底20和金属图形层24直接接触。

在本发明实施例中，第一图形层22和金属图形层24通过半导体制程工艺形成，半导体制程工艺能够实现较小尺寸的第一图形层22，并提高第一图形层22的精准度，进而有利于减小金属图形层24上的通孔242的尺寸，在本发明实施例中，采用半导体制程工艺形成的通孔242的孔径可以达到0.5μm至10μm，实现了较小的通孔尺寸，从而减小了通孔242的尺寸对蒸镀工艺的限制，进而能够满足用户对显示面板的高分辨率需求。

需要说明的是，第一区域31中通孔242的数量可以为多个，本实施例中为了便于图示，仅示意出2个通孔242以及与通孔242对应的第一区域31，但并不局限于此。

综上所述，本发明实施例提供的掩膜版的制作方法，在基底的第一面上制备第一无机材料层并刻蚀第一无机材料层，形成包括多个第一图形的第一图形层，在基底的侧面上制备第二无机材料层，然后再制备金属层并刻蚀金属层，形成包括多个金属图形的金属图形层，各金属图形位于相邻两个第一图形之间。在金属层上形成第三无机材料层，并刻蚀基底的第三无机材料层，进而从基底的第二面一侧刻蚀基底，保留第二区域的基底，去除第一区域的基底。最后去除第一图形层、第三无机材料层。其中，通过半导体制程工艺在基底上制作金属图形层，与传统精细金属掩膜版的制作工艺相比，有利于减小金属图形层上的通孔尺寸，降低通孔尺寸对蒸镀工艺的限制，进而满足用户对显示面板的高分辨率需求。此外，第二区域保留的基底能够对金属图形层起到支撑和固定作用，一方面，与传统精细金属掩膜版的制作工艺相比，可降低对金属图形层的刚性要求，有助于减小金属层的厚度，从而有利于缩小蒸镀时掩膜版与待蒸镀基板之间的距离，在蒸镀过程中减轻阴影效应，减小实际蒸镀的膜层图案尺寸与设计值之间的偏差，提高蒸镀工艺的精度；另一方面，与通过激光焊接方式将掩膜版焊接于掩膜版框架上的方案相比，能够防止金属图形层和基底之间产生移位，有利于提高蒸镀工艺的精准度。

图15为本发明实施例提供的另一种掩膜版的制作方法的流程结构示意图，如图15所示，可选的，在第二无机材料层25覆盖第一图形层22表面以及基底20的第一面201暴露于第一图形层22的表面，在第一图形层22上形成金属层23之前，还包括：

在第二无机材料层25表面形成凹陷结构251。

其中，如图15(a)和15(b)所示，在朝向金属层23的一侧，在第二无机材料层25上制备凹陷结构251，从而可增加金属层23与第二无机材料层25之间的粘附力，进而在通过化学机械研磨(Chemical Mechanical Polish，CMP)的方式刻蚀金属层23时，可降低金属层23从第二无机材料层25上脱落的风险，有利于刻蚀工艺的顺利进行。

需要说明的是，可以通过刻蚀的方式在第二无机材料层25表面形成凹陷结构251，但并不局限于此，本领域技术人员可根据实际需求选择凹陷结构251的形成方法。

其他工艺流程如图15(c)至图15(i)所示，其和上述的工艺流程相同或相似，此处不再赘述。

图16为本发明实施例提供的一种掩膜版的结构示意图，如图15和图16所示，可选的，凹陷结构251的深度与第二无机材料层25的厚度之间的比值大于或等于5％。

其中，通过设置凹陷结构251的深度为第二无机材料层25的厚度的5％及以上，可保证刻蚀金属层23时，金属层23和第二无机材料层25之间具有良好的粘附作用，从而在通过化学机械研磨工艺刻蚀金属层23时，可避免金属层23从第二无机材料层25上脱落，保证刻蚀工艺的顺利进行。

需要说明的是，凹陷结构251的深度的具体数值可根据实际需求进行设置，可以理解的是，凹陷结构251的深度与第二无机材料层25的厚度之间的比值越大，则金属层23和第二无机材料层25之间的粘附作用越好，本发明实施例对此不做具体限定。

继续参考图3-图16，可选的，第一夹角θ1大于或等于130度，第二夹角θ2小于或等于50度。

具体的，图17为相关技术提供的一种蒸镀过程的结构示意图，如图17所示，在蒸镀过程中，蒸发源14和待蒸镀基板17有一定的相对运动。蒸镀材料在蒸发源14中受热气化，经喷嘴15喷射，然后经过金属图形161之间的通孔蒸发到待蒸镀基板17上，形成相应的蒸镀膜层28。其中，发明人经研究发现，当金属图形161朝向待蒸镀基板17的面和其侧面之间的夹角θ较大时，在蒸镀沉积过程中，喷嘴15喷射出来的蒸镀材料呈束状喷射，金属图形161会对蒸镀材料形成遮挡。具体的，当夹角θ较大时，金属图形161靠近蒸发源14一侧的顶点1611会造成较大的遮挡区域19，在遮挡区域19，蒸镀材料无法均匀的沉积成膜，造成蒸镀不良。

基于上述技术问题，如图4-图16所示，在本实施例中，设置第一夹角θ1大于或等于130度，第二夹角θ2小于或等于50度，也就是金属图形241的第二顶面2411和第二侧面2412之间的夹角小于或等于50度。具体地，参考图18，图18为使用本发明实施例提供的掩膜版进行蒸镀工艺的示意图，在掩膜版的实际使用过程中，将金属图形241的第二顶面2411一侧朝向待蒸镀基板37一侧，第二夹角θ2小于或等于50度，也就是掩膜版的金属图形241形朝向待蒸镀基板37的一面和其侧面之间的夹角小于或等于50度，可以减小金属图形241对蒸镀材料的遮挡，使更多的蒸镀材料可以通过通孔242，从而可增大蒸镀材料蒸镀到待蒸镀基板37上的蒸镀膜层38的面积，进而可提高蒸镀膜层38的边缘区域的平坦化程度，改善了由于膜层的平坦化程度不高而导致后续形成的其他材料膜层发生断裂的现象。

需要说明的是，考虑到掩膜版上金属图形层24的通孔242的尺寸是按照预设图案尺寸设计的，因此，在实施本发明的方案的同时，可以根据需要调整通孔242的尺寸，以保证实际蒸镀的蒸镀膜层28的图案尺寸与设计值之间的偏差较小。

此外，第一夹角θ1与第二夹角θ2的具体数值可根据实际需求进行设置，例如，如图18所示，可利用角度限制板36限定蒸镀材料经喷嘴35喷出的蒸发角α，可设置第二夹角θ2小于或等于蒸发角α，以金属图形241对成膜区域的遮挡。其中，蒸发角α为气化的蒸镀材料从喷嘴35喷出后经角度限制板36限定后的最大发散角度。如图18所示，设置第二夹角θ2小于或等于蒸发角α，使第二夹角θ2具有较小的角度范围，即使扩散角度最大的蒸镀材料也不会被金属图形241靠近蒸发源34一侧的顶点所遮挡，从而可增大蒸镀材料蒸镀到待蒸镀基板37上的蒸镀膜层38的面积，进而可提高蒸镀膜层38的边缘区域的平坦化程度，改善了由于膜层的平坦化程度不高而导致后续形成的其他材料膜层发生断裂的现象，但并不局限于此，本发明实施例对此不做具体限定。

可以理解的是，由于第一夹角θ1与第二夹角θ2互为补角，因此，当第一夹角θ1和第二夹角θ2中的一者的角度数值确定后，相应的另一者的角度数值也随之确定，例如，设置第一夹角θ1为135度时，则后续形成的第二夹角θ2为45度，本领域技术人员可根据实际需求进行设置。

本发明实施例提供的掩膜版的制作方法以及通过该制作方法得到的掩膜版具有以下优点：掩膜版的金属图形通过半导体成膜工艺形成，可以设置的非常薄，可设置在1μm及1μm以下，从而可以设置第二夹角θ2较小。图19为金属图形的比较示意图，参考图19，当金属图形的宽度一样时，如相关技术中金属图形161和本发明实施例的金属图形241的宽度均为d，但金属图形241的厚度小于金属图形161的厚度，金属图形241的第二夹角θ2小于金属图形161的夹角θ，金属图形241可以减小对蒸镀区域的遮挡，提高蒸镀成膜的效果。另外，金属图形通过半导体刻蚀工艺形成，其宽度尺寸非常小，相对于现有技术的通过激光在金属条上进行打孔以形成通孔的技术，其通孔242的尺寸也非常小，非常适合小尺寸高精度的显示面板的成膜工艺使用。

图20为本发明实施例提供的一种基底的结构示意图，如图20所示，可选的，基底20的形状为圆形。

其中，通常制作半导体膜层所用的硅晶片等基底均为圆形，因此，在本实施例中，通过设置基底20的形状为圆形，可以减少对基底20的裁切，从而可以简化工艺步骤，提高掩膜版的制作效率。但并发明并不局限于此，基底20的形状也可以为方形或其他形状。

基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种掩膜版，该掩膜版可采用上述任一实施例所提供的掩膜版的制作方法进行制作，因此，本发明实施例提供的掩膜版可具有上述任一实施例中的技术方案所具有的技术效果，与上述实施例相同或相应的结构以及术语的解释在此不再赘述。

图21为本发明实施例提供的一种掩膜版的结构示意图，图22为图21沿A-A’方向的截面结构示意图，如图21和图22所示，该掩膜版包括相对设置的第一侧41和第二侧42，其中，第一侧41为朝向蒸发源的一侧；掩膜版包括第一区域31和围绕第一区域31的第二区域32。在第一区域31，掩膜版包括多个金属图形241，相邻金属图形241之间设置有通孔242，在掩膜版的第一侧41，金属图形241包括第二顶面2411，金属图形241还包括与第二顶面2411连接的第二侧面2412，金属图形241的第二顶面2411和第二侧面2412之间具有第二夹角θ2。在第二区域32，掩膜版具有第一框架层51和第二框架层52，第一框架层51的材料为半导体材料，第二框架层52的材料和金属图形241的材料相同，第一框架层51和第二框架层52之间还设置有第二无机材料层25。

具体的，如图21和图22所示，掩膜版具有第一区域31可围绕第一区域31的第二区域32，掩膜版在第一区域31中设置有多个金属图形241，多个金属图形241构成金属图形层24，相邻金属图形241之间设置有通孔242，且通孔242贯穿金属图形层24，在蒸镀工艺过程中，通过金属图形层24上的通孔242形成预设图案的薄膜。

继续参考图21和图22，金属图形241朝向掩膜版的第一侧41的表面为第二顶面2411，金属图形241还包括与第二顶面2411连接的第二侧面2412，金属图形241的第二顶面2411和第二侧面2412之间具有第二夹角θ2。其中，第二夹角θ2的具体数值可根据实际需求进行设置，本发明实施例对此不做具体限定。

继续参考图21和图22，在第二区域32，掩膜版具有第一框架层51和第二框架层52，第一框架层51位于掩膜版的第二侧42，第二框架层52位于掩膜版的第一侧41。

其中，第二框架层52的材料和金属图形241的材料相同，从而能够在同一工艺步骤中制作第二框架层52和金属图形241，以简化工艺步骤、提高掩膜版的制作效率。

同时，第一框架层51的材料为半导体材料，第一框架层51用于在第二区域32对第二框架层52起到支撑和固定作用，一方面，与传统精细金属掩膜版的制作工艺相比，可降低对第二框架层52的刚性要求，有助于减小第二框架层52的厚度，从而有利于缩小蒸镀时掩膜版与待蒸镀基板之间的距离，在蒸镀过程中减轻阴影效应，减小实际蒸镀的膜层图案尺寸与设计值之间的偏差，提高蒸镀工艺的精度；另一方面，与通过激光焊接方式将掩膜版焊接于掩膜版框架上的方案相比，能够防止第一框架层51和第二框架层52之间产生移位，有利于提高蒸镀工艺的精准度。

其中，第一框架层51可以采用半导体制程工艺中常用的基底材料，在制备掩膜版时，可通过半导体制程工艺在基底上制备多个金属图形241，有利于减小通孔242尺寸，降低通孔242尺寸对蒸镀工艺的限制，进而满足用户对显示面板的高分辨率需求。后续刻蚀基底，保留第二区域32的基底，去除第一区域31的基底，从而形成第一框架层51。

可选的，第一框架层51的材料包括氮化硅和单晶硅中的至少一者。

其中，第一框架层51采用上述材料，在制备掩膜版时，可以更适宜于半导体制程工艺需求，有助于提高掩膜版的膜层质量。

可选的，金属图形241的厚度小于或等于1μm。

其中，金属图形241可通过半导体制程工艺形成于基底上，基底能够对金属图形241起到支撑和固定作用，与传统精细金属掩膜版的制作工艺相比，可降低对金属图形241的刚性要求，有利于减小金属图形241的厚度。

在本发明实施例中，金属图形241的厚度可设置为1μm及1μm以下，在保证掩膜版在使用过程中金属图形241不易断裂的同时，有利于缩小蒸镀时掩膜版与待蒸镀基板之间的距离，从而在蒸镀过程中减轻阴影效应，减小实际蒸镀的膜层图案尺寸与设计值之间的偏差，提高蒸镀工艺的精度。

继续参考图21和图22，第二夹角θ2的度数小于或等于50度。

其中，如图18所示，在掩膜版的实际使用过程中，可以将金属图形241的第二顶面2411一侧朝向待蒸镀基板37，通过设置第二夹角θ2小于或等于50度，可以减小金属图形241对蒸镀区域的遮挡，从而可增大蒸镀材料蒸镀到待蒸镀基板37上的蒸镀膜层38的面积，进而可提高蒸镀膜层38的边缘区域的平坦化程度，改善了由于膜层的平坦化程度不高而导致后续形成的其他材料膜层发生断裂的现象。

需要说明的是，考虑到掩膜版上金属图形层24的通孔242的尺寸是按照预设图案尺寸设计的，因此，在实施本发明的方案的同时，可以根据需要调整通孔242的尺寸，以保证实际蒸镀的蒸镀膜层28的图案尺寸与设计值之间的偏差较小。

此外，第二夹角θ2的具体数值可根据实际需求进行设置，例如，如图18所示，可利用角度限制板36限定蒸镀材料经喷嘴35喷出的蒸发角α，以确保不会产生严重的遮挡。在示例性的实施例中，可设置第一夹角θ1大于或等于(180-α)，以使第二夹角θ2小于或等于蒸发角α，从而减小甚至消除金属图形241对蒸镀区域的遮挡，增大蒸镀材料蒸镀到待蒸镀基板37上的蒸镀膜层38的面积，进而可提高蒸镀膜层38的边缘区域的平坦化程度，改善了由于膜层的平坦化程度不高而导致后续形成的其他材料膜层发生断裂的现象，但并不局限于此，本发明实施例对此不做具体限定。

图23为本发明实施例提供的另一种掩膜版的截面结构示意图，如图23所示，可选的，朝向掩膜版的第二侧42，第二无机材料层25的表面具有凹陷结构251。

其中，如图15和图23所示，在第二无机材料层25上形成金属层23之前，在第二无机材料层25朝向第二侧42的表面上制备凹陷结构251，从而可增加金属层23与第二无机材料层25之间的粘附力，进而在通过化学机械研磨(Chemical Mechanical Polish，CMP)的方式刻蚀金属层23时，可降低金属层23从第二无机材料层25上脱落的风险，有利于刻蚀工艺的顺利进行。

此外，如图23所示，第二无机材料层25的表面具有凹陷结构251，也可增加第二框架层52和第二无机材料层25之间的粘附力，从而在利用掩膜版进行蒸镀时，也可降低第二框架层52从第二无机材料层25上脱落的风险，有利于刻蚀工艺的顺利进行。

可选的，凹陷结构251的深度与第二无机材料层25的厚度之间的比值大于或等于5％。

其中，如图15和图23所示，通过设置凹陷结构251的深度为第二无机材料层25的厚度的5％及以上，可保证刻蚀金属层23时，金属层23和第二无机材料层25之间具有良好的粘附作用，从而在通过化学机械研磨工艺刻蚀金属层23时，可避免金属层23从第二无机材料层25上脱落，保证刻蚀工艺的顺利进行。

此外，如图23所示，凹陷结构251的深度为第二无机材料层25的厚度的5％及以上，也可进一步增加第二框架层52和第二无机材料层25之间的粘附力，从而在利用掩膜版进行蒸镀时，降低第二框架层52从第二无机材料层25上脱落的风险，有利于刻蚀工艺的顺利进行。

需要说明的是，凹陷结构251的深度的具体数值可根据实际需求进行设置，可以理解的是，凹陷结构251的深度与第二无机材料层25的厚度之间的比值越大，则金属层23/第二框架层52和第二无机材料层25之间的粘附作用越好，本发明实施例对此不做具体限定。

可选的，相邻金属图形241之间的通孔242的孔径小于或等于10μm，且大于或等于0.5μm。

具体的，本发明实施例所提供的掩膜版结构可通过半导体制程工艺制作，从而有利于减小通孔242的尺寸，其中，采用半导体制程工艺形成的通孔242的孔径可以小于或等于10μm，以实现较小的通孔242尺寸，从而减小了通孔242的尺寸对蒸镀工艺的限制，进而在利用掩膜版蒸镀显示面板的有机发光材料层时，可以使有机发光材料层形成的有机发光二极管具有较小的尺寸，满足用户对显示面板的高分辨率需求。同时，采用半导体制程工艺形成的通孔242的孔径可以大于或等于0.5μm，从而在利用掩膜版蒸镀显示面板的有机发光材料层时，可以使有机发光材料层形成的有机发光二极管的尺寸不会过小，确保有机发光二极管的发光亮度。

继续参考图21，可选的，掩膜版的外形为圆形。

其中，通常制作半导体膜层所用的硅晶片等基底均为圆形，因此，在本实施例中，通过设置掩膜版的形状为圆形，在制备掩膜版时，可以直接采用圆形的基底，从而可减少对基底的裁切，简化工艺步骤，提高掩膜版的制作效率。但本发明并不局限于此，掩膜版的外形也可以为方形或其他形状。

请参考图24，图24为本发明实施例提供的另一种掩膜版的截面结构示意图，如图24所示，和上述实施不同之处在于，在第二区域32，掩膜版具有第一框架层51和第二框架层52，第一框架层51和第二框架层52之间未设置有第二无机材料层。可以参考本发明掩膜版形成方法的实施例，在第二无机材料层未形成在基底20的第一面201时，最终形成的掩膜版，在第二区域32，第一框架层51和第二框架层52之间未设置第二无机材料层。

请参考图25，图25为本发明实施例提供的另一种掩膜版的截面结构示意图，如图25所示，和上述实施不同之处在于，在第二区域32，第一框架层51的侧面还设置有第二材料层25。可以参考本发明掩膜版形成方法的实施例，在第二无机材料层25仅形成在基底20的侧面203时，可以保留在基底20的侧面203的第二无机材料层25，因为形成在基底20的侧面203的第二无机材料层25不影响掩膜版的蒸镀功能，可以保留，则形成的掩膜版在第一框架层51的侧面还设置有第二材料层25，还可以进一步增加第一框架层51的强度。

请参考图26，图26为本发明实施例提供的另一种掩膜版的截面结构示意图，如图26所示，和上述实施不同之处在于，在第二区域32，第一框架层51的侧面还设置有第二材料层25，同时在第一框架层51和第二框架51之间也设置有第二材料层25。可以参考本发明掩膜版形成方法的实施例，在第二无机材料层25形成在基底20的侧面203和第一图形层22上时，则形成的掩膜版在第一框架层51的侧面还设置有第二材料层25，以及在第一框架层51和第二框架52之间还设置有第二材料层25。

本发明提供的掩膜版特别适合硅基OLED微型显示器的蒸镀工艺使用，硅基OLED微型显示器以单晶硅片为基底，其像素尺寸可以达到传统显示器的1/10，具有功耗低、体积小、分辨率高等优点，对蒸镀尺寸和精度都有非常高的要求。

应该理解，可以使用上面所示的各种形式的流程，重新排序、增加或删除步骤。例如，本发明中记载的各步骤可以并行地执行也可以顺序地执行也可以不同的次序执行，只要能够实现本发明的技术方案所期望的结果，本文在此不进行限制。

上述具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明保护范围之内。