发声模组和电子设备

技术领域

本发明涉及电声换能技术领域，特别涉及一种发声模组以及应用该发声模组的电子设备。

背景技术

发声单体是消费类电子产品中重要的电声换能部件，其作为扬声器、听筒、耳机等得到广泛的应用。随着电子产品的性能改进，有关发声单体的声学性能的改进也是必然的趋势。为了满足更好的声学性能，发声单体往往需要配置尺寸更大的、磁场强度更强的磁路系统。

但是，随着便携式智能化设备越来越轻薄，特别是折叠类产品，因此，终端设备对超薄发声单体的需求越来越高。通常发声单体需要预留产品上振空间及出声管道，因此当实现超薄模组设计时，模组内的微型发声单体的厚度需要进一步降低。

相关技术中，产品降低厚度时，为了维持产品EQ下的性能，产品内部需要预留较大的振动空间，因此只能减薄发声单体的磁铁、导磁板和磁轭。然而，过薄的磁铁在运输、清洗、充磁时，碎裂率较高，导致物料成本急剧上升。同时，由于磁铁、导磁板和磁轭都进行了不同程度的减薄，导致成品的跌落可靠性良率也会大幅降低，无法完成量产。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种发声模组和电子设备，旨在提供一种薄型化的发声模组，该发声模组通过最大化利用发声单体的厚度空间，实现薄型化，还有效增加了发声单体中磁铁的厚度，量产性较高，该发声模组不需要额外预留发声单体的振动空间，有利于整机模组进一步轻薄。

为实现上述目的，本发明提出一种发声模组，所述发声模组包括：

模组壳体，所述模组壳体设有安装腔和连通所述安装腔的出声孔；和

发声单体，所述发声单体设于所述安装腔，所述发声单体包括磁路系统和振动系统，所述磁路系统包括导磁轭以及设于所述导磁轭的两个第一磁路部分，所述导磁轭具有首尾相接的两个长轴边和两个短轴边，两个所述第一磁路部分沿所述长轴边的延伸方向间隔排布，两个所述第一磁路部分之间形成有容纳空间，每一所述第一磁路部分包括一磁路组件，所述振动系统包括振膜、骨架及两个第一音圈，所述振膜设于所述容纳空间，每一所述第一音圈对应一所述磁路组件设置，并通过所述骨架与所述振膜连接；

其中，沿所述振膜的振动方向，所述振膜的顶面低于两个所述第一磁路部分的顶面，所述振膜的顶面和两个所述第一磁路部分之间形成前声腔，所述前声腔与所述出声孔连通。

在一实施例中，所述出声孔设于所述模组壳体的正面，并与所述振膜正对设置；

或者，所述出声孔设于所述模组壳体的侧面，所述振膜沿两个所述第一磁路部分的排布方向延伸的边缘顶面与两个所述第一磁路部分之间形成出声通道，所述前声腔通过所述出声通道与所述出声孔连通。

在一实施例中，所述模组壳体对应至少一个所述第一磁路部分还设有固定孔，至少部分所述第一磁路部分位于所述固定孔内，以密封所述固定孔。

在一实施例中，每一所述第一磁路部分还包括盖体，每一所述盖体设于一所述磁路组件远离所述导磁轭的一侧，并与所述导磁轭和/或所述磁路组件连接，至少部分所述盖体位于所述固定孔内，以密封所述固定孔。

在一实施例中，所述盖体为导磁材质；

且/或，所述盖体的周缘朝向所述容纳空间内延伸形成延伸部，所述振膜位于两个所述磁路组件的排布方向上的两个边缘连接于所述延伸部，两个所述盖体、所述振膜与所述模组壳体之间形成所述前声腔；

且/或，所述盖体背向所述导磁轭的一侧与所述模组壳体的外表面呈齐平设置；

且/或，所述盖体包括顶板和环绕所述顶板设置的围板，所述围板和所述顶板围合形成凹腔，至少部分所述磁路组件容置于所述凹腔内，并与所述顶板连接，所述围板与所述导磁轭连接。

在一实施例中，所述模组壳体对应所述导磁轭设有安装孔，至少部分所述导磁轭位于所述安装孔内，以密封所述安装孔。

在一实施例中，所述导磁轭的外表面与所述模组壳体的外表面呈齐平设置。

在一实施例中，所述导磁轭包括呈夹角设置的底壁和侧壁，所述侧壁与所述底壁围合形成容腔；

所述导磁轭还包括位于所述容腔内的两个侧板，两个所述侧板间隔设于所述底壁，所述容纳空间位于两个所述侧板之间，每一所述侧板背向所述容纳空间的一侧与所述侧壁围合形成容置空间，每一所述磁路组件设于一所述容置空间内，并与所述侧壁和所述侧板间隔以形成第一磁间隙，所述第一音圈的一端悬设于所述第一磁间隙。

在一实施例中，所述底壁、所述侧板、与所述侧壁为一体成型结构；

且/或，所述导磁轭还设有连通所述容腔的泄漏孔，所述泄漏孔包括多个，多个所述泄漏孔间隔设于所述侧壁；

且/或，所述底壁邻近每一所述侧板设有一贯穿所述底壁的贯通孔，每一所述侧板由所述底壁邻近所述贯通孔的一侧朝向所述容腔内弯折成型，所述发声单体还包括盖板，所述盖板盖合所述贯通孔；

且/或，所述振膜沿两个所述第一磁路部分的排布方向延伸的两个边缘连接于所述侧壁。

在一实施例中，每一所述磁路组件包括至少两个第一磁铁和至少一个第一导磁板，至少两个所述第一磁铁沿所述振膜的振动方向层叠设于所述导磁轭，所述第一导磁板夹设于相邻两个所述第一磁铁之间；并且，所述第一磁铁均沿所述振膜的振动方向充磁，且位于所述第一导磁板两侧的相邻两个所述第一磁铁的充磁方向相反；

且/或，沿所述振膜的振动方向，所述发声单体的高度和所述发声模组的高度相当。

在一实施例中，所述振膜包括中央部、环绕所述中央部设置的折环部以及设于所述折环部外侧的固定部，所述固定部与所述磁路系统连接，所述中央部设有镂空孔，所述振动系统还包括球顶，所述球顶盖设于所述镂空孔处；

且/或，所述骨架包括相连接的第一支撑部、第一连接部及第二支撑部，所述第一支撑部与所述振膜的中央部连接，所述第二支撑部与所述第一音圈连接；

且/或，所述振动系统还包括定心支片，所述定心支片包括外固定部、内固定部以及连接所述外固定部和所述内固定部的弹臂部，所述外固定部与所述导磁轭连接，所述内固定部与所述骨架连接，并与所述第一音圈电连接。

在一实施例中，所述磁路系统还包括中心磁路，所述中心磁路设于所述容纳空间，并与所述振膜沿所述振膜的振动方向正对且间隔设置；

所述振动系统还包括中心音圈，所述中心音圈对应于所述中心磁路设置，且所述中心音圈的一端连接于所述振膜。

在一实施例中，所述中心磁路设于所述导磁轭，所述中心磁路包括层叠设置的中心磁铁和中心导磁板，所述中心磁铁夹设于所述导磁轭和所述中心导磁板之间；所述导磁轭和/或所述中心导磁板设有开孔，所述中心磁铁对应所述开孔设有凸出部，所述凸出部限位于所述开孔内；

且/或，所述导磁轭还包括多个立板，多个所述立板间隔设于所述容纳空间内，所述中心磁路位于多个所述立板之间，并与所述立板间隔以围合形成中心磁隙，所述中心音圈的一端悬设于所述中心磁隙；

且/或，沿所述振膜的振动方向，所述中心磁路的厚度小于或等于1/2的所述磁路系统的厚度。

本发明还提出一种电子设备，所述电子设备包括上述所述的发声模组。

本发明技术方案的发声模组通过在模组壳体内设置安装腔以及连通安装腔的出声孔，从而利用安装腔安装和固定发声单体，并将发声单体的磁路系统设置为导磁轭和两个第一磁路部分，使得两个第一磁路部分间隔设置，并与导磁轭连接，以在两个第一磁路部分之间形成容纳空间，每一第一磁路部分包括一磁路组件，从而利用容纳空间为振动系统的振膜提供安装和振动空间，使得振膜和两个第一磁路部分在振膜的振动方向上的投影不重合，从而使得振膜具有充足的振动空间，且不影响第一磁路部分的磁路组件在振膜的振动方向的厚度，还增加了第一磁路部分的磁路组件在振膜的振动方向的厚度，且沿振膜的振动方向，振膜的顶面低于两个第一磁路部分的顶面，使得振膜的顶面和两个第一磁路部分之间形成前声腔，利用前声腔与出声孔连通，从而确保发声单体的出声，与传统发声单体中振膜和磁路部分呈上下方向设置相比，有效减薄发声单体在振膜振动方向的厚度，从而实现发声模组的薄型化设计，使得发声模组不需要额外预留发声单体的振动空间，有利于整机模组进一步轻薄；同时，通过利用两个第一音圈分别与两个第一磁路部分的磁路组件对应设置，并使得两个第一音圈通过骨架与振膜连接，如此既可以通过两个第一磁路部分的磁路组件分别为两个第一音圈提供更大的磁路，提升BL值，且利用两个第一磁路部分的磁路组件可有效增加散热面积，有利于发声单体工作时散热；进一步通过将导磁轭设置为呈矩形设置的一体结构，从而增强磁路系统的结构强度，确保两个第一磁路部分的磁路组件以及两个第一音圈的安装和定位，从而保证振膜随两个第一音圈振动的一致性和振动效果，以提升发声单体的发声效果和声学性能。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本发明一实施例中发声模组的结构示意图；

图2为本发明一实施例中发声模组的剖面示意图；

图3为本发明一实施例中发声模组另一方向的剖面示意图；

图4为本发明另一实施例中发声模组的结构示意图；

图5为本发明另一实施例中发声模组的剖面示意图；

图6为本发明一实施例中发声单体的结构示意图；

图7为本发明一实施例中发声单体另一视角的结构示意图；

图8为本发明一实施例中发声单体的剖面示意图；

图9为本发明一实施例中发声单体的分解示意图；

图10为本发明一实施例中发声单体去掉两个盖体的俯视结构示意图；

图11为本发明一实施例中定心支片与两个第一音圈串联的电流流向结构示意图；

图12为本发明另一实施例中发声单体的分解示意图；

图13为本发明另一实施例中发声单体的剖面示意图；

图14为本发明另一实施例中定心支片与两个第一音圈和中心音圈串联的电流流向结构示意图；

图15为本发明一实施例中导磁轭的结构示意图；

图16为本发明另一实施例中导磁轭的结构示意图；

图17为本发明一实施例中振膜的结构示意图；

图18为本发明一实施例中定心支片的结构示意图；

图19为本发明另一实施例中定心支片的结构示意图。

附图标号说明：

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

同时，全文中出现的“和/或”或“且/或”的含义为，包括三个方案，以“A和/或B”为例，包括A方案，或B方案，或A和B同时满足的方案。

另外，在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

发声单体是消费类电子产品中重要的电声换能部件，其作为扬声器、听筒、耳机等得到广泛的应用。随着电子产品的性能改进，有关发声单体的声学性能的改进也是必然的趋势。为了满足更好的声学性能，发声单体往往需要配置尺寸更大的、磁场强度更强的磁路系统。

但是，随着便携式智能化设备越来越轻薄，特别是折叠类产品，因此，终端设备对超薄发声单体的需求越来越高。相关技术中，发声单体中的磁路系统一般与振膜均是正对或相对设置，也即振膜与磁路系统在振膜的振动方向上呈上下设置，将发声单体应用于模组中时，模组需要预留振动系统的上振空间及出声管道。因此，当实现超薄模组设计时，模组内的微型发声单体的厚度需要进一步降低。

而在产品降低厚度时，为了维持产品EQ下的性能，模组内部需要预留较大的振动空间，因此只能减薄发声单体的磁铁、导磁板和磁轭。然而，过薄的磁铁在运输、清洗、充磁时，碎裂率较高，导致物料成本急剧上升。同时，由于磁铁、导磁板和磁轭都进行了不同程度的减薄，导致成品的跌落可靠性良率也会大幅降低，无法完成量产。

基于上述构思和问题，本发明提出一种发声模组400。在本实施例中，发声模组400的发声单体100通过将两个第一磁路部分12设置于发声单体100的两端，使得两个第一磁路部分12之间形成容纳空间117，从而利用容纳空间117为振动系统2的振膜21提供安装和振动空间，并且每一第一音圈23与每一第一磁路部分12的磁路组件121对应设置，并通过骨架22与振膜21连接，如此使得在振膜21的振动方向上，即在发声单体100的厚度方向上，磁路系统1与振膜21呈水平排布，而不是上下设置，减薄发声单体100的厚度尺寸，同时实现最大化利用产品厚度空间。

同时，由于振膜21振动时在容纳空间117内部，因此发声模组400不需要额外预留振动空间，有利于发声模组400和整机端进一步减薄；且两个第一磁路部分12位于振膜21的两侧，不与振膜21相对或正对，从而使得两个第一磁路部分12的第一磁铁1211厚度相比常规结构增加较多，量产性较高，并利用两个第一磁路部分12可有效增加散热面积，有利于发声单体100工作时散热。

可以理解的，发声模组400应用于电子设备，电子设备可以是智能手表、手机、音响、电脑、耳机或电视等，在此不做限定。

请结合参照图1至图19所示，在本发明实施例中，该发声模组400包括模组壳体300和发声单体100，模组壳体300设有安装腔310和连通安装腔310的出声孔311，发声单体100设于安装腔310，发声单体100包括磁路系统1和振动系统2，磁路系统1包括导磁轭11以及设于导磁轭11的两个第一磁路部分12，导磁轭11具有首尾相接的两个长轴边1113和两个短轴边1114，两个第一磁路部分12沿长轴边1113的延伸方向间隔排布，两个第一磁路部分12之间形成有容纳空间117，每一第一磁路部分12包括一磁路组件121，振动系统2包括振膜21、骨架22及两个第一音圈23，振膜21设于容纳空间117，每一第一音圈23对应一磁路组件121设置，并通过骨架22与振膜21连接；其中，沿振膜21的振动方向，振膜21的顶面低于两个第一磁路部分12的顶面，振膜21的顶面和两个第一磁路部分12之间形成前声腔320，前声腔320与出声孔311连通。

在本实施例中，模组壳体300设有安装腔310和连通安装腔310的出声孔311，发声单体100设于安装腔310内，振膜21的顶面和两个第一磁路部分12之间形成前声腔320，前声腔320与出声孔311连通。

在本实施例中，发声单体100是微型扬声器。可选地，发声单体100呈方形设置。可以理解地，磁路组件121具有第一磁间隙13，磁路组件121包括内磁部和外磁部，内磁部和外磁部相间隔且之间形成第一磁间隙；或者磁路组件121和导磁轭11之间形成第一磁间隙，可以是导磁轭11具有朝向磁路组件121弯折的弯折部，弯折部与磁路组件121之间形成第一磁间隙等，第一音圈23设于第一磁间隙中，并通过骨架22与振膜21连接进而驱动振膜21振动发声。

在一实施例中，发声单体100的振膜21对应出声孔311设置，此时发声模组400呈正出声结构。

在另一实施例中，出声孔311位于模组壳体300的侧面350，振膜21的沿两个第一磁路部分12的排布方向延伸的边缘顶面与两个第一磁路部分12之间形成出声通道218，出声孔311和前声腔320通过出声通道218连通。进一步地，模组壳体300还设有连通安装腔310的出音通道，前声腔320通过出音通道与出声孔311连通，此时发声模组400呈侧出声结构。

本发明的发声模组400通过在模组壳体300内设置安装腔310以及连通安装腔310的出声孔311，从而利用安装腔310安装和固定发声单体100，并将发声单体100的磁路系统1设置为导磁轭11和两个第一磁路部分12，使得两个第一磁路部分12间隔设置，并与导磁轭11连接，以在两个第一磁路部分12之间形成容纳空间117，每一第一磁路部分12包括一磁路组件121，从而利用容纳空间117为振动系统1的振膜21提供安装和振动空间，使得振膜21和两个第一磁路部分12在振膜21的振动方向上的投影不重合，从而使得振膜21具有充足的振动空间，且增加了第一磁路部分12的磁路组件121在振膜21的振动方向的厚度，且沿振膜21的振动方向，振膜21的顶面低于两个第一磁路部分12的顶面，使得振膜21的顶面和两个第一磁路部分12之间形成前声腔320，利用前声腔320与出声孔311连通，从而确保发声单体100的出声，与传统发声单体中振膜和磁路部分呈上下方向设置相比，有效减薄发声单体100在振膜21振动方向的厚度，从而实现发声模组400的薄型化设计，使得发声模组400不需要额外预留发声单体100的振动空间，有利于整机模组进一步轻薄；同时，通过利用两个第一音圈23分别与两个第一磁路部分12的磁路组件121对应设置，并使得两个第一音圈23通过骨架22与振膜21连接，如此既可以通过两个第一磁路部分12的磁路组件121分别为两个第一音圈23提供更大的磁路，提升BL值，且利用两个第一磁路部分12的磁路组件121可有效增加散热面积，有利于发声单体100工作时散热；进一步通过将导磁轭11设置为呈矩形设置的一体结构，从而增强磁路系统1的结构强度，确保两个第一磁路部分12的磁路组件121以及两个第一音圈23的安装和定位，从而保证振膜21随两个第一音圈23振动的一致性和振动效果，以提升发声单体100的发声效果和声学性能。

在本实施例中，如图2、图3、图5所示，发声单体100设于安装腔310内，且发声单体100的两个第一磁路部分12与安装腔310的腔壁围合形成与振膜21正对的前声腔320，前声腔320与出声通道218连通。

在一实施例中，出声孔311设于模组壳体300的正面340，并与振膜21正对设置。

可以理解的，模组壳体300具有与振膜21相对的正面340，出声孔311设于正面340，并与振膜21正对设置，此时发声模组400呈正出声结构。

在另一实施例中，出声孔311设于模组壳体300的侧面350，振膜21沿两个第一磁路部分12的排布方向延伸的边缘顶面与两个第一磁路部分12之间形成出声通道218，前声腔320通过出声通道218与出声孔311连通。

可以理解的，模组壳体300具有位于发声单体100一侧的侧面350，出声孔311设于侧面350，模组壳体300还设有连通出声孔311和前声腔320的出音通道，前声腔320通过出声通道218和出音通道与出声孔311连通。可以理解的，此时发声模组400呈侧出声结构。

需要说明的是，发声模组400还包括柔性电路板，柔性电路板至少与发声单体100连接的一端位于模组壳体300的安装腔310内。当然，在其他实施例中，柔性电路板也可全部设置于模组壳体300的安装腔310内，在此不做限定。

在一实施例中，模组壳体300对应至少一个第一磁路部分12还设有固定孔360，至少部分第一磁路部分12位于固定孔360内，以密封固定孔360。

在本实施例中，如图1、图2和图5所示，通过在模组壳体300设置固定孔360，使得至少部分第一磁路部分12位于固定孔360内，以密封固定孔360，如此可有效减小发声模组400的厚度或高度。在本实施例中，模组壳体300对应每一第一磁路部分12设有固定孔360，每一第一磁路部分12位于固定孔360内，以密封固定孔360。

可以理解的，至少部分第一磁路部分12位于固定孔360内，以密封固定孔360，使两个第一磁路部分12和振膜21与模组壳体300围合形成前声腔320。

在一实施例中，每一第一磁路部分12还包括一个盖体123，每一盖体123设于一磁路组件121远离导磁轭11的一侧，并与导磁轭11和/或磁路组件121连接，至少部分盖体123位于固定孔360内，以密封固定孔360。

在本实施例中，第一磁路部分12的盖体123的顶板1231显露于固定孔360，且固定孔360的内壁与盖体123的围板1232的外壁密封连接。可选地，第一磁路部分12的盖体123与模组壳体300通过粘胶方式连接固定。

可选地，第一磁路部分12背向导磁轭11的一侧与模组壳体300的外表面呈齐平设置。在本实施例中，第一磁路部分12的盖体123的顶板1231背向导磁轭11的一侧与模组壳体300的外表面呈齐平设置，如此可有效确保发声模组400的厚度或高度一致。

在一实施例中，模组壳体300对应导磁轭11设有安装孔370，至少部分导磁轭11位于安装孔370内，以密封安装孔370。

可以理解的，如图2至图5所示，通过在模组壳体300设置安装孔370，使得至少部分导磁轭11位于安装孔370内，以密封安装孔370，如此可有效减小发声模组400的厚度或高度。可选地，导磁轭11的外表面与模组壳体300的外表面呈齐平设置，也即导磁轭11背向振膜21的一侧与模组壳体300的外表面呈齐平设置，如此设置可有效确保发声模组400的厚度或高度一致。

需要说明的是，通过在模组壳体300的相对两侧分别设置固定孔360和安装孔370，使得发声单体100的第一磁路部分12的盖体123的顶板1231显露于固定孔360，并与模组壳体300的外表面呈齐平设置，且导磁轭11显露于安装孔370，并与模组壳体300的外表面呈齐平设置，如此使得发声模组400的高度尺寸和发声单体100的高度尺寸相当或一致，从而可有效实现发声模组400的薄型化设计。

在本实施例中，发声单体100的导磁轭11上设有泄漏孔1142。可以理解的，发声单体100设于安装腔310内时，发声单体100的泄漏孔1142连通安装腔310和容腔113。可以理解地，发声单体100和模组壳体之间还形成有与前声腔320隔离的后声腔330，发声单体100的泄漏孔1142连通后声腔330。

为了进一步提高发声模组400的出声效果，发声模组400的后声腔330填充有吸音颗粒。为了避免吸音颗粒通过泄漏孔1142进入发声单体100内部，进而影响发声单体100。可以理解的，发声模组400还可在后声腔330内设置隔离网布和金属网布等，使得隔离网布和金属网布覆盖发声单体100的泄漏孔1142。

在本实施例中，如图4所示，模组壳体300还设有连通后声腔330的阻尼孔，并在阻尼孔处设置封堵阻尼孔的阻尼件，如此可方便从阻尼孔向后声腔330内填充有吸音颗粒，在此不做限定。

可以理解的，定义振膜21振动的方向为第一方向，两个第一磁路部分12的排布方向为第二方向，第三方向和第一方向及第二方向呈两两相互垂直设置。在本实施例中，两个第一磁路部分12沿第二方向间隔排布，也即两个第一磁路部分12和振膜21沿第二方向依次排布，两个第一音圈23沿第二方向间隔排布，且每一第一音圈23与一第一磁路部分12的磁路组件121对应。可选地，每一第一音圈23沿第三方向延伸设置。

需要说明的是，通过将两个第一磁路部分12设置于振膜21的两侧，也即两个第一磁路部分12与振膜21在振膜21的振动方向上不是呈上下设置，而是呈左右设置，也即两个第一磁路部分12与振膜21在垂直于振膜21振动的方向依次排列，使得第一磁路部分12不与振膜21相对，从而利用容纳空间117为振膜21提供足够的振动空间，且第一磁路部分12不与振膜21相对，从而不用为了振膜21预留振动空间，可有效增加第一磁路部分12在振膜21的振动方向上的厚度，以使得第一磁路部分12相对于传统发声单体中与振膜21相对的磁路系统相比，有效增加了沿振膜21振动方向的厚度，从而有效提高磁场性能和强度，以提升发声单体100的BL值和声学性能。

可选地，振膜21的相对两侧可与两个第一磁路部分12固定连接，以实现安装固定。

可以理解的，每一第一磁路部分12包括一磁路组件121，每一第一音圈23对应于一磁路组件121设置，并通过骨架22与振膜21连接，也即使得两个第一音圈23中每一第一音圈23与两个第一磁路部分12中的每一磁路组件121对应，并通过骨架22与振膜21连接，也即两个第一音圈23通过骨架22分别与振膜21的两侧连接，如此两个第一音圈23分别在两个第一磁路部分12的磁场作用下带动振膜21振动发声，有效提高驱动力，从而提升发声单体100的BL值和声学性能。

在本实施例中，导磁轭11可选为一体成型结构，如此可确保两个第一磁路部分12在导磁轭11上的安装一致性，从而确保振膜21的两侧随两个第一音圈23振动的同步性。需要说明的是，导磁轭11呈方形设置。可选地，导磁轭11呈矩形设置，也即导磁轭11具有首尾相接的两个长轴边1113和两个短轴边1114。可选地，两个第一磁路部分12沿长轴边1113的延伸方向间隔排布，振膜21位于两个第一磁路部分12之间，此时两个第一磁路部分12和振膜21依次沿长轴边1113的延伸方向排布。

当然，在其他实施例中，导磁轭11也可设置为分体结构，也即导磁轭11包括两个下磁轭，两个下磁轭分别与两个第一磁路部分12对应，也即每一下磁轭与一第一磁路部分12连接，并形成一第一磁间隙13，此时两个第一磁路部分12之间形成的容纳空间117呈两端开口的通腔结构，在此不做限定。

在一实施例中，沿振膜21的振动方向，振膜21的顶面低于两个第一磁路部分12的顶面。也即振膜21的顶面低于第一磁路部分12背向导磁轭11的一侧表面。可以理解的，如此设置可有效减小发声单体100在振膜21的振动方向的厚度或高度。

在本实施例中，两个第一磁路部分12位于振膜21的两侧，不与振膜21在振膜21的振动方向重合，此时不需要对应振膜21也即不用在第一磁路部分12的高度方向上为振膜21的振动预留空间，此时第一磁路部分12背向导磁轭11一侧的表面至导磁轭11的底壁111背向第一磁路部分12一侧的厚度即为发声单体100在振膜21的振动方向上的厚度或高度，从而使得发声单体100有效减薄；同时，可有效增加第一磁路部分12在振膜21的振动方向上的厚度，从而有效提高第一磁路部分12的磁场性能，提升BL值。

可以理解的，通过将振膜21的顶面低于第一磁路部分12背向导磁轭11的一侧表面，如此可有效确保发声单体100在振膜21的振动方向的厚度或高度，且保证振膜21的其振动方向的振幅。需要说明的是，发声单体100应用于模组或电子设备中时，振膜21的顶面低于第一磁路部分12背向导磁轭11的一侧表面，从而使得模组或电子设备的壳体不用预留振膜21的振动空间，可进一步减小模组或电子设备的厚度，实现薄型化。

本发明的发声单体100通过将磁路系统1设置为导磁轭11和两个第一磁路部分12，并将导磁轭11设置为首尾相接的两个长轴边1113和两个短轴边1114，且将两个第一磁路部分12沿长轴边1113的延伸方向间隔排布设于导磁轭11，并在两个第一磁路部分12之间形成有容纳空间117，且每一第一磁路部分12包括一磁路组件121，从而利用容纳空间117为振动系统2的振膜21提供安装和振动空间，使得振膜21和两个第一磁路部分12在导磁轭11上的投影不重合，从而使得振膜21具有充足的振动空间的同时可以增加第一磁路部分12的磁路组件121在振膜21的振动方向的厚度，且沿振膜21的振动方向，振膜21的顶面低于两个第一磁路部分12的顶面，与传统发声单体中振膜和磁路组件呈上下方向设置相比，有效减薄发声单体100在振膜振动方向的厚度；且利用两个第一磁路部分12的磁路组件121可有效增加散热面积，有利于发声单体100工作时散热；进一步通过将导磁轭11设置为呈矩形设置的一体结构，从而增强磁路系统1的结构强度，确保两个第一磁路部分12的磁路组件121以及两个第一音圈23的安装和定位，从而保证振膜21随两个第一音圈23振动的一致性和振动效果，以提升发声单体100的发声效果和声学性能。

在本实施例中，振膜21具有首尾相接的两个第一侧边216和两个第二侧边217，两个第一侧边216分别与两个第一磁路部分12连接，两个第二侧边217分别与导磁轭11连接。可以理解的，振膜21直接与磁路系统1连接，取消了外壳结构，从而降低了生产成本，简化了结构。在本实施例中，振膜21的第一侧边216沿第三方向延伸，振膜21的第二侧边217沿第二方向延伸。

当然，在其他实施例中，发声单体100还包括外壳或壳体，此时外壳或壳体设于振膜21和导磁轭11之间，也即振膜21的两个第二侧边217分别通过外壳或壳体与导磁轭11连接，在此不做限定。可选地，外壳或壳体与导磁轭11可设置为一体成型结构，在此不做限定。

在一实施例中，发声单体100包括壳体，壳体用于收容固定振动系统2和磁路系统1，壳体包括底板和侧围板，侧围板与底板围合形成安装空间；导磁轭11固定于底板的表面；或者，底板设有通孔，导磁轭11嵌设于通孔中；或者，导磁轭11与底板一体成型。

可以理解的，壳体可选地呈方形的框体结构，也即壳体具有两端开口的容腔结构，导磁轭11连接于壳体的一侧，两个第一磁路部分12和振膜21盖合壳体另一侧的开口，并于导磁轭11相对。可选地，壳体与导磁轭11可以是一体注塑成型；或，壳体与导磁轭11采用焊接或黏结等方式连接，在此不做限定。当然，在其他实施例中，发声单体100也可不设置壳体，此时两个第一磁路部分12和振膜21直接与导磁轭11连接，在此不做限定。

在本实施例中，通过将壳体设置为底板和侧围板，使得侧围板与底板围合形成安装空间，从而利用安装空间收容固定振动系统2和磁路系统1。可选地，导磁轭11固定于底板的表面，例如通过焊接或黏结方式连接，在此不做限定。当然，也可将导磁轭11与底板设置为一体成型，例如采用一体注塑成型或一体拉伸、冲压成型等，在此不做限定。

当然，在其他实施例中，通过在底板设有通孔，将导磁轭11嵌设于通孔中，如此使得导磁轭11封堵底板的通孔等，在此不做限定。

在本实施例中，发声单体100应用于电子设备中，也即发声单体100可通过壳体装设于电子设备。需要说明的是，发声单体100的壳体可以是独立于电子设备的外壳或箱体结构，此时利用壳体将发声单体100的磁路系统1和振动系统2等部件集成为一个整体结构，从而方便拆装。当然，发声单体100的壳体也可以是与电子设备的外壳或箱体结构设置为一体成型结构，如此可有效提高结构强度和密封性能。

可以理解的，壳体用于收容固定振动系统2和磁路系统1等结构，如此可将发声单体100作为一个独立部件应用于电子设备或发声模组中，在此不做限定。当然，在其他实施例中，发声单体100也可以是模组结构，此时发声单体100的振动系统2和磁路系统1等结构作为多个独立部件分别安装于模组结构的外壳上，在此不做限定。

在本实施例中，导磁轭11可选地呈分体结构。导磁轭11包括呈间隔设置的第一磁轭和两个第二磁轭，第一磁轭连接于中心磁路14背向振膜21的一侧，每一第二磁轭与一第一磁路部分12连接。可选地，导磁轭11的第一磁轭和两个第二磁轭固定于底板的表面，例如通过焊接或黏结方式连接，在此不做限定。当然，也可将导磁轭11的第一磁轭和两个第二磁轭与底板设置为一体成型，例如采用一体注塑成型或一体拉伸、冲压成型等，在此不做限定。

当然，在其他实施例中，通过在底板设有多个通孔，将导磁轭11的第一磁轭和两个第二磁轭分别嵌设于多个通孔中，如此使得导磁轭11的第一磁轭和两个第二磁轭封堵底板的多个通孔等，在此不做限定。

在一实施例中，导磁轭11包括呈夹角设置的底壁111和侧壁112，侧壁112与底壁111围合形成容腔113。

在本实施例中，如图2至图5、图7至图9、图12、图13、图15、图16所示，导磁轭11为一体结构件，底壁111与侧壁112为一体成型结构。可选地，侧壁112与底壁111呈垂直设置。

需要说明的是，侧壁112可以是由底壁111的周缘朝向一侧弯折成型。当然，在其他实施例中，侧壁112呈环状结构，侧壁112与底壁111采用焊接或黏结等方式连接，在此不做限定。

可以理解的，两个第一磁路部分12间隔设于导磁轭11的容腔113内，也即两个第一磁路部分12与导磁轭11的底壁111连接，使得两个第一磁路部分12之间间隔，并与导磁轭11的底壁111围合形成一侧开口的容纳空间117。在本实施例中，振膜21设于容纳空间117，并位于两个第一磁路部分12之间，振膜21的两个第一侧边216分别与两个第一磁路部分12连接，两个第二侧边217分别与侧壁112连接，以使振膜21与底壁111间隔。

在一实施例中，导磁轭11还包括位于容腔113内的两个侧板114，两个侧板114间隔设于底壁111，容纳空间117位于两个侧板114之间，每一侧板114背向容纳空间117的一侧与侧壁112围合形成容置空间1141，每一磁路组件121设于一容置空间1141内，并与侧壁112和侧板114间隔以形成第一磁间隙13，第一音圈23的一端悬设于第一磁间隙13。

在本实施例中，如图15和图16所示，通过在导磁轭11的底壁111设置两个侧板114，使得两个侧板114间隔设于容腔113内，使得两个侧板114之间形成容纳空间117，每一侧板114背向容纳空间117的一侧与侧壁112围合形成容置空间1141，从而方便利用容置空间1141安装固定第一磁路部分12的磁路组件121，使得每一第一磁路部分12的磁路组件121设于一容置空间1141内，并与侧壁112和侧板114间隔以围合形成第一磁间隙13。可选地，底壁111、侧板114与侧壁112为一体成型结构。可选地，侧板114与底壁111呈垂直设置。

可以理解的，两个第一磁路部分12中每一第一磁路部分12与导磁轭11之间配合形成一第一磁间隙13，使得两个第一音圈23中每一第一音圈23设于一第一磁间隙13内，并通过骨架22与振膜21连接，如此两个第一音圈23分别在两个第一磁路部分12的磁场作用下带动振膜21振动发声，有效提高驱动力，从而提升发声单体100的BL值和声学性能。

可选地，两个侧板114沿导磁轭11的长轴方向间隔排布。在本实施例中，两个侧板114沿导磁轭11的长轴边1113间隔设置，使得两个第一磁路部分12沿长轴边1113的延伸方向间隔排布。可选地，侧板114与底壁111为一体成型结构，如此可简化导磁轭11的加工步骤，且提高导磁轭11的结构强度。

在本实施例中，如图15和图16所示，每一侧板114的两端还形成有连通容置空间1141和容纳空间117的避让缺口1143，骨架22远离振膜21的一端穿过避让缺口1143，并与第一音圈23连接。可以理解的，如此设置，可方便骨架22与音圈23连接，使得振膜21通过骨架22与位于振膜21两侧的两个音圈23连接。

在振膜21的振动过程中，为了确保发声单体100内外气压平衡，在一实施例中，导磁轭11还设有连通容腔113的泄漏孔1142。可以理解的，泄漏孔1142连通发声单体100的内部振动空间和外部气压。在本实施例中，泄漏孔1142包括多个，多个泄漏孔1142间隔设于侧壁112。

可选地，多个泄漏孔1142间隔设于导磁轭11的侧壁112。也即多个泄漏孔1142沿侧壁112的周缘方向间隔排布。当然，在其他实施例中，泄漏孔1142也可设置于导磁轭11的底壁111上，在此不做限定。可选地，泄漏孔1142可以是圆形孔、椭圆形孔、条形孔、三角形孔、方形孔或多边形、异形孔等，在此不做限定。

在一实施例中，如图15和图16所示，底壁111邻近每一侧板114设有一贯穿底壁111的贯通孔1112。可选地，每一侧板114由底壁111邻近贯通孔1112的一侧朝向容腔113内弯折成型。发声单体100还包括盖板115，盖板115盖合贯通孔1112。

在一实施例中，发声单体100还包括盖板115，盖板115盖合贯通孔1112。在本实施例中，如图7至图9、图12、图13、图15和图16所示，通过设置盖板115，利用盖板115盖合并密封贯通孔1112，如此在发声单体100安装于模组壳体或电子设备的壳体中时，为了减薄模组或电子设备在振膜21的振动方向的厚度或高度，发声单体100的导磁轭11的底壁111外露于模组壳体或电子设备的壳体，此时盖板115密封贯通孔1112，以确保发声单体100的发声效果，并避免杂物等通过贯通孔1112进入发声单体100内，影响发声单体100的发声性能。

可选地，导磁轭11的底壁111邻近每一侧板114设有一贯通孔1112，盖板115包括两个，每一盖板115盖合一贯通孔1112，在此不做限定。可以理解的，盖板115的厚度小于导磁轭11的底壁111的厚度。在本实施例中，盖板115连接于导磁轭11的底壁111背向容腔113的一侧。

当然，在其他实施例中，盖板115也可设置为一个环形的一体结构，此时环形的盖板115同时盖合多个贯通孔1112，在此不做限定。

为了进一步降低发声单体100在振膜21的振动方向的厚度或高度，提高发声单体100的外观美观度。在一实施例中，底壁111背向容腔113的一侧还设有限位槽1111，贯通孔1112贯穿限位槽1111的底壁111，盖板115限位于限位槽1111内，并盖合贯通孔1112。可选地，盖板115背向容腔113的一侧与底壁111背向容腔113的一侧呈齐平设置。

在一实施例中，每一磁路组件121包括至少两个第一磁铁1211和至少一个第一导磁板1212，至少两个第一磁铁1211沿振膜21的振动方向层叠设于导磁轭11，第一导磁板1212夹设于相邻两个第一磁铁1211之间；并且，第一磁铁1211均沿振膜21的振动方向充磁，且位于第一导磁板1212两侧的相邻两个第一磁铁1211的充磁方向相反。

可选地，每一磁路组件121设于导磁轭11的一容置空间1141内。如图2、图3、图5、图8至图14所示，通过将磁路组件121的第一磁铁1211和第一导磁板1212层叠设于导磁轭11的容置空间1141内，使得第一磁铁1211和第一导磁板1212与导磁轭11的侧壁112和侧板114间隔以形成第一磁间隙13，从而方便利用第一磁间隙13为第一音圈23提供安装空间。

可选地，第一磁铁1211包括多个，第一导磁板1212包括至少一个，也即第一磁铁1211的数量为N时，第一导磁板1212的数量为N-1。在本实施例中，如图2、图3、图5、图8至图14所示，第一磁铁1211包括两个，第一导磁板1212包括一个。可选地，第一磁铁1211、第一导磁板1212、第一磁铁1211沿振膜21的振动方向层叠设置于导磁轭11的底壁111上。可选地，两个第一磁铁1211均沿振膜21的振动方向充磁，位于第一导磁板1212两侧的相邻两个第一磁铁1211的充磁方向相反。

在本实施例中，磁路组件121的第一磁铁1211和第一导磁板1212的周缘与导磁轭11的侧壁112和侧板114间隔以围合形成第一磁间隙13。可选地，第一磁铁1211和第一导磁板1212呈板状设置。可以理解的，第一磁间隙13可选地呈方形、矩形或跑道形，第一音圈23的形状与第一磁间隙13的形状相似。可选地，第一磁铁1211的厚度大于第一导磁板1212的厚度，如此可有效确保磁路组件121的磁场强度。

为了方便音圈23通过骨架22与振膜21连接，在本实施例中，侧板114沿导磁轭11的短轴边1114延伸，并与导磁轭11的侧壁112的长轴边1113间隔以围合形成避让缺口1143，也即第一磁间隙13通过避让缺口1143与容纳空间117连通。

在一实施例中，每一盖体123罩盖一磁路组件121，并与导磁轭11和/或磁路组件121连接。

在本实施例中，如图2、图5、图6、图8、图9、图12和图13所示，通过设置盖体123盖合容置空间1141的开口，并与导磁轭11连接，使得盖体123罩盖一磁路组件121，如此实现第一磁路部分12的磁路组件121与导磁轭11的安装固定。可以理解的，第一导磁板1212夹设于相邻两个第一磁铁1211之间。

可以理解的，两个第一磁铁1211分别与导磁轭11的底壁111和盖体123连接。可选地，盖体123为导磁材质。如此设置可有效匀化磁路组件121的第一磁铁1211的磁性。

在一实施例中，盖体123包括顶板1231和环绕顶板1231设置的围板1232，围板1232和顶板1231围合形成凹腔1233，至少部分磁路组件121容置于凹腔1233内，并与顶板1231连接，围板1232与导磁轭11连接。

在本实施例中，如图2、图5、图6、图8、图9、图12和图13所示，通过将盖体123设置为顶板1231和围板1232围合形成的凹腔1233结构，从而既可以实现第一磁铁1211和第一导磁板1212的安装固定和限位安装，又可以利用导磁轭11的侧壁112和侧板114与盖体123的围板1232与第一磁铁1211和第一导磁板1212间隔以配合形成第一磁间隙13。当然，如此设置还可以方便其他部件的安装固定，例如定心支片25等，在此不做限定。

在一实施例中，盖体123的周缘朝向容纳空间117内延伸形成延伸部1234，振膜21位于两个磁路组件121的排布方向上的两个边缘连接于延伸部1234，两个盖体123、振膜21与模组壳体300之间形成前声腔320。

在本实施例中，如图2、图5、图6、图8、图9、图12和图13所示，通过在第一磁路部分12的周缘设置延伸部1234，也即盖体123的周缘朝向振膜21的一侧延伸形成延伸部1234，使得振膜21连接于延伸部1234，如此利用延伸部1234与振膜21连接固定，以提高振膜21的安装稳定性。可以理解的，振膜21夹设于延伸部1234和导磁轭11之间，使得两个盖体123、振膜21与模组壳体300之间形成前声腔320。

可以理解的，延伸部1234由盖体123的周缘朝向振膜21的一侧延伸形成，也即延伸部1234由盖体123的围板1232远离顶板1231的一端朝向背离凹腔1233的一侧延伸形成。可选地，延伸部1234环绕围板1232的周缘设置，在此不做限定。

可选地，盖体123背向导磁轭11的一侧与模组壳体300的外表面呈齐平设置。如此设置可有效确保发声单体100沿振膜21振动方向的最大高度不大于发声模组400沿振膜21振动方向的高度。

在本实施例中，如图1、图2、图4、图5所示，沿振膜21的振动方向，发声单体100的高度和发声模组400的高度相当。可以理解的，沿振膜21的振动方向，发声单体100的最大高度和发声模组400的高度相同或近似，也即发声单体100的最大高度不大于发声模组400的高度。

需要说明的是，定义振膜21到第一磁路部分12的盖体123的顶板1231外表面的距离为L，定义振膜21的最大振幅为Xmax，需满足L≥Xmax，如此可使得整机端不需要额外预留振动空间，有利于整机端进一步轻薄。

在一实施例中，振膜21包括中央部211、环绕中央部211设置的折环部212以及设于折环部212外侧的固定部213。

在本实施例中，如图6、图8至图10、图12、图13、图17所示，振膜21的固定部213、折环部212及中央部211依次连接为一体成型结构，从而确保振膜21的振动性能和结构强度。可以理解的，固定部213与磁路系统1连接，中央部211设有镂空孔2111，振动系统2还包括球顶215，球顶215盖设于镂空孔2111处。可选地，折环部212为朝向导磁轭11所在的一侧凹陷的下凹结构。当然，在其他实施例中，折环部212也可以是朝向远离导磁轭11所在的一侧凸起的上凸结构，在此不做限定。

可以理解的，振膜21呈方形设置。例如矩形或正方形等，在此不做限定。在本实施例中，振膜21的固定部213具有两个第一侧边216和两个第二侧边217，固定部213的两个第一侧边216分别与两个第一磁路部分12的盖体123连接，也即两个第一侧边216分别与两个第一磁路部分12中两个盖体123的延伸部1234连接。可选地，振膜21沿两个第一磁路部分12的排布方向延伸的两个边缘连接于侧壁112。

可选地，延伸部1234与固定部213的第一侧边216可采用胶黏方式连接固定。在本实施例中，延伸部1234连接于固定部213的第一侧边216背向容纳空间117的一侧。

在一实施例中，中央部211设有镂空孔2111，振动系统2还包括球顶215，球顶215盖设于镂空孔2111处。可以理解的，如图9、图12、图17所示，通过在振膜21的中央部211设置镂空孔2111，并设置球顶215盖合镂空孔2111，既可以利用球顶215提高振膜21的结构强度，又可以利用球顶215密封镂空孔2111，避免杂物等通过镂空孔2111进入发声单体100的内部，影响发声单体100的声学性能。

为了进一步提高球顶215的结构强度和刚性，在一实施例中，球顶215的中央设有凸起2151或凹陷。可以理解的，球顶215的凸起2151可以是在球顶215的厚度基础上增加的凸起结构。当然，在其他实施例中，球顶215的凸起2151也可以是由球顶215的一侧朝向另一侧凸起形成的凸起结构，使得球顶215的一侧呈凹陷，另一侧呈凸起，在此不做限定。

在一实施例中，沿振膜21的振动方向，球顶215的周缘在振膜21的投影与部分折环部212重合。如此可进一步增强振膜21的有效辐射面积。

可以理解的，球顶215的周缘连接于中央部211背向容纳空间117的一侧。当然，在其他实施例中，球顶215的周缘也可连接于中央部211面向容纳空间117的一侧。在本实施例中，如图8、图13所示，球顶215的边沿部2152位于振膜21背向容纳空间117的一侧。

在一实施例中，振膜21还包括弯折部214，弯折部214连接于固定部213远离折环部212的一侧，并与固定部213呈夹角设置，弯折部214与侧壁112连接。

在本实施例中，如图6、图9、图12和图17所示，通过在振膜21的周缘设置弯折部214，从而利用弯折部214与导磁轭11连接，以提高振膜21的连接稳定性。可以理解的，弯折部214连接于固定部213远离折环部212的一侧，并与固定部213呈夹角设置，弯折部214与导磁轭11的侧壁112连接。可选地，弯折部214与固定部213呈垂直设置。

可选地，弯折部214由固定部213远离折环部212的一侧朝向导磁轭11弯折成型。如此设置有利于确保振膜21的固定部213和弯折部214的结构强度。在本实施例中，中央部211、折环部212、固定部213及弯折部214为一体成型结构。

在本实施例中，弯折部214由固定部213的第二侧边217朝向导磁轭11弯折成型。可以理解的，振膜21的固定部213的两个第二侧边217分别连接有弯折部214，振膜21的固定部213的两个第一侧边216均不设置其他结构，如此可方便与两个第一磁路部分12中两个盖体123的延伸部1234连接，也不影响振膜21的振动性能；同时，还有利于气流流动顺畅。

可选地，弯折部214与导磁轭11的侧壁112可通过胶黏方式连接固定。为了方便限位振膜21，避免振膜21因固定不牢固导致振膜21掉落，在本实施例中，弯折部214连接于导磁轭11的侧壁112外侧，使得导磁轭11的侧壁112的端部与振膜21的固定部213限位抵接，以实现对振膜21的支撑和固定。

在一实施例中，骨架22包括相连接的第一支撑部221、第一连接部222及第二支撑部223，第一支撑部221与振膜21的中央部211连接，第二支撑部223与第一音圈23连接。

在本实施例中，如图8至图14所示，骨架21一端连接振膜21，另一端连接位于第一磁间隙13内的第一音圈23。可以理解的，骨架22的第一支撑部221、第一连接部222及第二支撑部223为一体成型结构，如此可确保骨架22的结构强度。

可以理解的，骨架22既用于安装固定第一音圈23，确保第一音圈23悬设于第一磁间隙13内，又能够将第一音圈23的振动传动至振膜21，实现振动传递，确保振膜21的正常发声。在本实施例中，骨架22的第一支撑部221与振膜21的中央部211连接，骨架22的第二支撑部223与第一音圈23连接，也即骨架22的第二支撑部223穿过避让缺口1143伸入第一磁间隙13内，并与第一音圈23连接。可选地，骨架22的第二支撑部223连接于第一音圈23的下端，如此可提高骨架22与第一音圈23的安装稳定性。

在本实施例中，骨架22位于振膜21的下方，当折环部212朝向导磁轭11所在的一侧凸起时，为了避让振膜21的折环部212，骨架22对应折环部212设有避让区域224。在本实施例中，骨架22可选为方向的框架结构。骨架22的第二支撑部223的形状轮廓与第一音圈23的端面形状轮廓相似，以便于固定第一音圈23。

可选地，骨架22包括两个，两个骨架22呈对称设置。可以理解的，两个骨架22位于振膜21的相对两侧，并以振膜21呈对称设置。在本实施例中，两个骨架22对应振膜21的两个第一侧边216设置。

在本实施例中，如图9至图11所示，第一连接部222邻近第二支撑部223的一端设有支撑台226。可以理解的，通过在骨架22上设置支撑台226，从而利用支撑台226为定心支片25等导电结构提供安装位置，进一步使得第一音圈23通过定心支片25与外部电路连接导通。

可以理解的，骨架22的第一连接部222设有两个支撑台226，两个支撑台226位于避让空间的两侧，也即位于第一音圈23的两端。可选地，第一音圈23沿导磁轭11的短轴边1114延伸，两个支撑台226沿导磁轭11的短轴边1114间隔设置。

可选地，骨架22包括四个，每一骨架22的一端与振膜21连接，骨架22的另一端与第一音圈23连接。在本实施例中，四个骨架22中的两个骨架22沿导磁轭11的短轴边1114间隔设置，并位于第一音圈23的两端，也即四个骨架22中的两个骨架22位于侧板114的两端。可以理解的，每一骨架22的第二支撑部223穿过避让缺口1143伸入第一磁间隙13内，并与第一音圈23连接。

在一实施例中，振动系统2还包括定心支片25，定心支片25包括外固定部251、内固定部253以及连接外固定部251和内固定部253的弹臂部252，内固定部253与骨架22连接，并与第一音圈23电连接。

在本实施例中，外固定部251与导磁轭11连接，需要说明的是，外固定部251位于两个磁路组件121背向容纳空间117的一侧，并于导磁轭11连接。

可以理解的，如图9至图12、图14、图18和图19所示，通过设置定心支片25，既可以利用定心支片25将外部电流引入第一音圈23，同时利用定心支片25对第一音圈23的振动起到定心作用，避免第一音圈23在振动过程中发生摆动或偏振，以提高发声单体100的发声效果和声学性能。

在本实施例中，如图9至图11、图18所示，定心支片25的外固定部251可选为环形或框体结构，定心支片25包括多个弹臂部252和多个内固定部253，每一弹臂部252的一端与外固定部251连接，另一端与一内固定部253连接。可选地，定心支片25的多个内固定部253、多个弹臂部252与外固定部251为一体成型结构，也即此时定心支片25为一个整体结构件。

当然，在其他实施例，定心支片25为一个、两个或四个。当然，定心支片25为一个时，定心支片25的结构如上所述，此时定心支片25的外固定部251可选为环形或框体结构。当定心支片25为两个时，两个定心支片25呈对称设置。可选地，两个定心支片25可对称设置于导磁轭11的两个长轴边1113；或，两个定心支片25可对称设置于导磁轭11的两个短轴边1114，在此不做限定。此时，每一定心支片25包括一个外固定部251、两个弹臂部252和两个内固定部253。当定心支片25为四个时，四个定心支片25分别设置于导磁轭11的四个拐角位置处，在此不做限定。此时，每一定心支片25包括一个外固定部251、一个弹臂部252和一个内固定部253，在此不做限定。

可选地，定心支片25可选为一个。在一实施例中，如图18所示，外固定部251具有首尾相接的两个第一边和两个第二边，每一第一边与一第二边的连接处形成角部256；弹臂部252包括四个，每一弹臂部252的一端与角部256连接，每一弹臂部252的另一端与内固定部253连接，内固定部253与骨架22连接，并与第一音圈23电连接。

可以理解的，定心支片25的四个弹臂部252中的两个弹臂部252沿第三方向位于每一第一音圈23的两端。在本实施例中，外固定部251的第一边沿第三方向延伸，第二边沿第二方向延伸。

在本实施例中，如图9至图12、图14、图18和图19所示，定心支片25的每一第一边夹设于第一磁路部分12与导磁轭11之间，每一第二边的至少部分夹设于固定部213与导磁轭11之间。

可以理解的，如图9至图11、图18所示，外固定部251呈方形环状，外固定部251具有四个角部256，弹臂部252包括四个，每一弹臂部252对应一角部256设置。可选地，定心支片25的四个角部256的四个弹臂部252均位于振膜21的外侧。如此，定心支片25不与振膜21相干涉，振膜21的折环部212可以朝向导磁轭11所在的一侧凹陷设置，在安装于发声模组或者整机端时，增大振膜21前侧出声空间。在本实施例中，定心支片25的外固定部251还设有外焊盘，外焊盘用于连接外部电路。

可以理解的，为了进一步固定定心支片25的内固定部253，以确保内固定部253与第一音圈23的引线连接的牢固性，骨架22邻近第一音圈23设有支撑台226，内固定部253与支撑台226连接，并与第一音圈23的引线连接。需要说明的是，为了确保定心支片25的形变能力，弹臂部252具有至少一个折弯。

在一实施例中，如图9至图11、图18所示，每一第一音圈23沿外固定部251的短轴方向延伸，并位于两个弹臂部252之间，每一第一音圈23的两端分别具有输入引线和输出引线，输入引线和输出引线分别与一弹臂部252连接。可以理解的，两个第一音圈23通过定心支片25呈串联连接。

在另一实施例中，如图19所示，定心支片25的外固定部251呈方形环状结构，内固定部253呈方形环状结构，此时定心支片25的外固定部251设于振膜21和导磁轭11之间，弹臂部252与振膜21的折环部212对应，内固定部253连接于振膜21的中央部211。

在本实施例中，如图12、图14和图19所示，通过将定心支片25设置为两个嵌套的外固定部251和内固定部253，并通过弹臂部252连接外固定部251和内固定部253，如此既可以通过导磁轭11与振膜21和第一磁路部分12的盖体123安装固定外固定部251，以实现定心支片25的固定，同时将内固定部253连接于振膜21的中央部211，从而确保振膜21与定心支片25的连接稳定性。

可以理解的，弹臂部252与振膜21的折环部212对应。为了避免振膜21在振动过程中折环部212与定心支片25的弹臂部252发生干涉，振膜21的折环部212设置为向远离导磁轭11所在的一侧起的凸包结构。

进一步地，沿第一方向的投影中，定心支片25的弹臂部252对应于振膜21的第三方向的两侧的边缘位置。如此，弹臂部252与第一磁路部分12相间隔设置且互不干涉，可以进一步增大第一磁路部分12的体积且进一步增大第一音圈23的尺寸来进一步提升产品驱动力因子BL。

在本实施例中，如图9至图12、图14、图18和图19所示，每一第一音圈23设于一第一磁间隙13内，并通过骨架22与内固定部253连接，如此可通过骨架22将第一音圈23的振动传递至定心支片25的内固定部253和振膜21，从而利用定心支片25对第一音圈23的振动起到定心作用，避免第一音圈23在振动过程中发生摆动或偏振，以提高发声单体100的发声效果和声学性能。

可选地，振膜21的顶面低于第一磁路部分12背向导磁轭11的一侧表面。在本实施例中，振膜21的折环部212向上凸起，此时振膜21的折环部212的顶面低于第一磁路部分12背向导磁轭11的一侧表面。

可以理解的，如图12、图14和图19所示，外固定部251具有首尾相接的两个第一边和两个第二边，每一第一边夹设于第一磁路部分12与导磁轭11之间，每一第二边的至少部分夹设于固定部213与导磁轭11之间；其中，弹臂部252包括两个，每一弹臂部252的一端与第二边连接，每一弹臂部252的另一端与内固定部253对应第二边的一侧连接。

在一实施例中，定心支片25的内固定部253呈方形环状，内固定部253具有四个角部256，每一角部256设有焊盘，骨架22包括四个，每一第一音圈23位于两个骨架22之间，且每一骨架22的一端与焊盘连接，骨架22的另一端与第一音圈23连接，并与第一音圈23的引线电连接，以使两个第一音圈23通过定心支片25和骨架22串联连接。

在一实施例中，磁路系统1还包括中心磁路14，中心磁路14设于容纳空间117，并与振膜21沿振膜21的振动方向正对且间隔设置；振动系统2还包括中心音圈24，中心音圈24对应于中心磁路14设置，且中心音圈24的一端连接于振膜21。

在本实施例中，如图12至图14所示，通过在容纳空间117内设置中心磁路14，使得中心磁路14位于振动空间内，并与振膜21正对且间隔设置。可选地，中心磁路14沿振动方向的投影位于振膜21沿振动方向的投影范围内。且设置中心音圈24，使得中心音圈24的一端与振膜21连接，中心音圈24的另一端悬设于中心磁隙16内，如此可进一步提高发声单体100的磁场强度，增大磁场驱动力，进一步提高BL值，以提升发声单体100的声学性能。

可以理解的，中心磁路14在振膜21的振动方向的厚度小于第一磁路部分12在振膜21的振动方向的厚度，如此可有效确保发声单体100在振膜21的振动方向的厚度或高度减薄。与传统的发声单体相比，本申请的发声单体100既实现了薄型化设计，又提高了磁场性能，有效提升BL值。

在本实施例中，可选地，中心磁路14的顶面低于两个第一磁路部分12的顶面。可选地，沿振膜21的振动方向，中心磁路14的厚度小于或等于1/2的磁路系统1的厚度。

在一实施例中，导磁轭11还包括多个立板116，多个立板116间隔设于容纳空间117内，中心磁路14位于多个立板116之间，并与立板116间隔以围合形成中心磁隙16，中心音圈24的一端悬设于中心磁隙16。

在本实施例中，如图12至图14、图16所示，多个立板116间隔设于容纳空间117内，中心磁路14位于多个立板116之间，并与立板116间隔以围合形成中心磁隙16。可以理解的，导磁轭11的立板116可以是位于容纳空间117内的环状结构；或，导磁轭11的立板116包括多个，多个立板116在容纳空间117内间隔并围合形成环状结构，在此不做限定。

可选地，底壁111邻近每一立板116设有一贯通孔1112，每一立板116由底壁111邻近贯通孔1112的一侧朝向容腔113内弯折成型。如此，提升导磁轭11的结构强度。

在本实施例中，导磁轭11包括两个或四个立板116。当立板116为两个时，两个立板116沿导磁轭11的长轴边1113间隔设置；或，两个立板116沿导磁轭11的短轴边1114间隔设置。当立板116为四个时，四个立板116中的两个立板116沿导磁轭11的长轴边1113间隔设置，另外两个立板116沿导磁轭11的短轴边1114间隔设置，此时中心磁路14设于四个立板116之间，并与四个立板116间隔以形成中心磁隙16。

可选地，底壁111邻近每一立板116设有一贯通孔1112，每一立板116由底壁111邻近贯通孔1112的一侧朝向容腔113内弯折成型，发声单体100还包括盖板115，盖板115盖合贯通孔1112。

在一实施例中，发声单体100包括磁路系统1和振动系统2，其中，磁路系统1包括导磁轭11以及设于导磁轭11的中心磁路14和两个第一磁路部分12，两个第一磁路部分12之间形成有容纳空间117，中心磁路14位于容纳空间117，振动系统2包括振膜21、骨架22、中心音圈24及两个第一音圈23，振膜21设于容纳空间117，并与两个第一磁路部分12连接，中心音圈24对应于中心磁路14设置且一端与振膜21连接，每一第一音圈23对应一第一磁路部分12设置，并通过骨架22与振膜21连接。

在本实施例中，如图16所示，磁路系统1的中心磁路14和两个第一磁路部分12共用一个导磁轭11，从而有效增加安装稳定性和结构一致性。

可以理解的，导磁轭11包括呈夹角设置的底壁111和侧壁112，侧壁112与底壁111围合形成容腔113。导磁轭11还包括位于容腔113内的两个侧板114和多个立板116，两个侧板114间隔设于底壁111，容纳空间117位于两个侧板114之间，每一侧板114背向容纳空间117的一侧与侧壁112围合形成容置空间1141，每一磁路组件121设于一容置空间1141内，并与侧壁112和侧板114间隔以形成第一磁间隙13，第一音圈23的一端悬设于第一磁间隙13，多个立板116间隔设于容纳空间117内，中心磁路14位于多个立板116之间，并与立板116间隔以围合形成中心磁隙16，中心音圈24的一端悬设于中心磁隙16。

可选地，底壁111、侧板114、立板116与侧壁112为一体成型结构。在本实施例中，导磁轭11的底壁111、侧壁112、两个侧板114和多个立板116可选为一体成型结构设置，如此可有效提高导磁轭11的结构强度。可选地，导磁轭11呈矩形设置。导磁轭11的多个立板116位于两个侧板114之间。可选地，导磁轭11两个侧板114沿导磁轭11的长轴边1113间隔排布，且沿导磁轭11的短轴边1114延伸，并与导磁轭11的短轴边1114的侧壁112间隔。

可选地，立板116与底壁111为一体成型结构。且立板116与底壁111呈垂直设置。在本实施例中，导磁轭11对应每一立板116设有一贯通孔1112，立板116可选地由底壁111邻近贯通孔1112的一侧朝向容腔113内弯折成型。

当然，在其他实施例中，磁路系统1的中心磁路14和两个第一磁路部分12也可不共用一个导磁轭11，此时导磁轭11包括多个分体设置的下磁轭，中心磁路14和两个第一磁路部分12分别对应一个下磁轭设置，在此不做限定。

在一实施例中，中心磁路14设于导磁轭11，中心磁路14包括层叠设置的中心磁铁141和中心导磁板142，中心磁铁141夹设于导磁轭11和中心导磁板142之间；导磁轭11和/或中心导磁板142设有开孔15，中心磁铁141对应开孔15设有凸出部1412，凸出部1412限位于开孔15内。本实施例中，导磁轭11可以是一体成型结构同时与第一磁路部分12和中心磁路14连接，也可以是多个分体结构分别连接第一磁路部分12和中心磁路14连接。

在本实施例中，如图12至图14所示，通过将中心磁路14设置为层叠设置的中心磁铁141和中心导磁板142，使得中心磁铁141夹设于中心导磁板142和导磁轭11之间，使得中心磁铁141和中心导磁板142的周缘与立板116间隔，以配合形成中心磁隙16。

可选地，中心磁铁141和中心导磁板142可选为板状结构。当然，在其他实施例中，中心磁铁141和中心导磁板142也可设置为环状结构或多个条状结构等，在此不做限定。需要说明的是，第一磁间隙13的形状可以是方形环状、矩形环状或跑道形。当然，中心磁隙16的形状可以是方形环状、矩形环状或跑道形，在此不做限定。

在本实施例中，如图12至图14所示，通过在导磁轭11和/或中心导磁板142设有开孔15，并在中心磁铁141对应开孔15设有凸出部1412，使得凸出部1412限位于开孔15内。如此设置可使得中心磁铁141通过设置凸出部1412而增加结构强度，避免中心磁铁141由于减薄厚度而在运输、清洗、充磁时，容易碎裂等。

可以理解的，中心磁铁141通过设置凸出部1412，可有效增加中心磁铁141的厚度和结构强度，从而提高量产性。在本实施例中，如图12和图13所示，中心磁铁141具有相背离设置的第一表面1411和第二表面，第一表面1411与中心导磁板142连接，第二表面与导磁轭11连接。

需要说明的是，中心导磁板142设有开孔15，第一表面1411凸设有凸出部1412，凸出部1412限位于开孔15内；或，导磁轭11设有开孔15，第二表面凸设有凸出部1412，凸出部1412限位于开孔15内；或，中心导磁板142设有开孔15，第一表面1411凸设有凸出部1412，导磁轭11设有开孔15，第二表面凸设有凸出部1412，此时每一凸出部1412限位于一开孔15内，在此不做限定。

可选地，沿振动系统2的振动方向，凸出部1412的投影面积与中心磁铁141的投影面积的百分比大于等于10％且小于等于75％。如此可有效解决中心磁铁141过薄容易断裂的问题，且同时可以起到提升磁路性能的作用。

在一实施例中，振膜21沿两个第一磁路部分12的排布方向延伸的边缘顶面与两个第一磁路部分12之间形成出声通道218。

在本实施例中，如图3、图6所示，振膜21的第二侧边217的固定部213与振膜21的中央部215位于同一平面，此时振膜21的第二侧边217的固定部213低于第一磁路部分12的顶面，以使得振膜21的第二侧边217的固定部213与两个第一磁路部分12之间形成出声通道218。在发声单体100安装于发声模组400或者电子设备时，不需要在高度方向上预留与出声通道218连通的导声空间，有利于发声模组400或者电子设备的减薄设计。

本发明还提出一种电子设备，该电子设备包括上述的发声模组400。该发声模组400的具体结构参照前述实施例，由于本电子设备采用了前述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有前述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。

可以理解的，电子设备可以是耳机、手机、电脑、平板电脑、智能穿戴设备等，在此不做限定。在本实施例中，电子设备还包括设备壳体，发声模组400设于设备壳体内。

以上所述仅为本发明的可选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。