一种以滩地比为技术手段的碳酸盐岩沉积相描述方法

技术领域

本发明涉及一种以滩地比为技术手段的碳酸盐岩沉积相描述方法，属于石油地质勘探技术领域。

背景技术

沉积相是在一定沉积环境中形成的所有沉积岩的综合，有利的滩相沉积是形成油气储层的重要物质基础，滩相沉积的分布规律是制约油气勘探进程的重要因素，沉积相图是石油地质研究的基础图件。前人研究表明，颗粒灰岩的厚度变化可大致表征沉积期微地形的变化，而沉积期微地形的变化则控制着滩相的发育概率(谭秀成，2011)，以川东茅口组灰岩为例，陈韵骐(2014)根据颗粒滩的厚度大小划分川东茅口组滩相发育区，颗粒滩的厚度越大，滩相沉积越发育，沉积能量越高，并以此阐明研究区的沉积相展布规律。

而现有的技术是采用颗粒岩累计厚度大小来制定标准，开展沉积相划分，其主要步骤是：首先对区内钻井进行标定解释，然后统计研究层段颗粒岩累计厚度大小，最后绘制颗粒滩厚度分布图，并根据厚度的大小值划分滩相沉积类型，阐明沉积相平面分布规律。但是该技术没有考虑不整合对颗粒滩厚度的影响，例如，川东地区茅口组由于东吴运动构造差异抬升的影响，暴露剥蚀长达1-3Ma(何斌，2005)，地层遭受不同程度的剥蚀，剥蚀最严重的地区可剥蚀至茅二

发明内容

为消除地层因暴露剥蚀而造成的颗粒滩厚度差异的影响，本发明提供一种以滩地比为技术手段的碳酸盐岩沉积相描述方法，本发明利用滩地比(颗粒灰岩累计厚度与其所在地层厚度的比值)的大小来刻画碳酸盐岩滩相分布范围，通过比较滩地比的大小，确定滩体类型，能够更准确的分析研究层段颗粒滩发育情况。

本发明解决上述技术问题所提供的技术方案是：一种以滩地比为技术手段的碳酸盐岩沉积相描述方法，包括以下步骤：

步骤S10、统计研究层段颗粒灰岩累计厚度及地层厚度；

步骤S20、计算研究层段颗粒灰岩累计厚度与地层厚度的比值，即为滩地比；

步骤S30、将滩地比与单井相对比，确定滩相的临界值和各个类型滩相范围值；

步骤S40、根据步骤S30中的临界值和各个类型滩相范围值编制滩地比平面图；

步骤S50、以滩地比平面图为依据，结合分析化验手段，绘制沉积相平面分布图，综合开展碳酸盐岩沉积相描述。

进一步的技术方案是，所述步骤S10中颗粒灰岩累计厚度的计算公式如下：

式中：h为颗粒灰岩累计厚度；n为颗粒灰岩层数，h

进一步的技术方案是，所述骤S10中地层厚度的计算公式如下：

H＝D

式中：H为地层厚度；D

进一步的技术方案是，所述步骤S20中滩地比的计算公式如下：

式中：R为滩地比；H为地层厚度；h为颗粒灰岩累计厚度。

本发明的有益效果：本发明利用滩地比(颗粒灰岩累计厚度与其所在地层厚度的比值)的大小来刻画碳酸盐岩滩相分布范围，通过比较滩地比的大小，确定滩体类型，能够更准确的分析研究层段颗粒滩发育情况；其滩地比平面展布图可作为编制沉积相图的重要支撑图件，能够有效的辅助研究人员快速、准确的判断沉积环境并部署下一步勘探工作，具有很好的应用成效，在相关研究领域值得推广应用。

附图说明

图1为本发明的流程框图；

图2为实施例1的滩地比平面分布图；

图3为实施例1的沉积相平面展布图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明做更进一步的说明。

如图1所示，本发明的一种以滩地比为技术手段的碳酸盐岩沉积相描述方法，包括：

A、统计每口钻井的研究层段颗粒灰岩累计厚度及地层厚度；

H＝D

式中：h为颗粒灰岩累计厚度；n为颗粒灰岩层数，h

B、计算每口钻井研究层段颗粒灰岩累计厚度与地层厚度比值，即滩地比；

式中：R为滩地比；H为地层厚度；h为颗粒灰岩累计厚度；

C、将滩地比与单井相对比，确定滩相的最小经验临界值和各个类型滩相范围值，临界值及之上的即为滩相沉积；

D、根据最小经验临界值和各个类型滩相范围值编制滩地比平面图；

E、以滩地比平面图为依据，结合分析化验手段(岩石薄片鉴定、阴极发光等)，绘制沉积相平面分布图，综合开展碳酸盐岩沉积相描述。

实施例1

以川东地区茅二

1、分别计算64口钻井的研究层段颗粒灰岩累计厚度及地层厚度，其数据如表1所示；

2、再分别计算64口钻井的滩地比，数据如表1所示；

3、将滩地比与单井相对比，确定滩地比大于等于0.3为滩相沉积，0.3-0.5为低能滩，0.5-0.6为高能滩，0.6-0.8为台缘滩；其滩地比越大，滩相沉积越发育，沉积能量越高；

4、根据表1数据所示川东地区茅二

5、以滩地比平面图为依据，结合分析化验手段(岩石薄片鉴定、阴极发光等)，绘制了茅二

由图3可以看出，川东地区茅二

表1茅口组二

以上所述，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已通过上述实施例揭示，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些变动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。