发光显示装置及其制造方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年10月17日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0128964号的优先权，其公开内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开内容涉及一种发光显示装置，并且更具体地，涉及通过改进的工艺具有增强的光提取效率的发光显示装置及其制造方法。

背景技术

随着信息时代的发展，用于可视地显示电信息信号的显示装置的领域迅速发展。因此，正在进行各种显示装置的研究以提高性能，例如变薄、重量减轻和低功耗。

在各种显示装置中，发光显示装置是自发光显示装置，并且与液晶显示装置不同，不需要单独的光源。因此，发光显示装置可以被制造成重量轻且薄的形式。此外，由于有机发光显示装置以低电压驱动，因此在功耗方面是有利的。此外，有机发光显示装置具有优异的色彩表现能力、高响应速度、宽视角和高对比度(CR)。因此，期望将有机发光显示装置应用于各种领域。

同时，从发光显示装置的发光层发射的光通过发光显示装置的各部件输出至发光显示装置的外部。然而，从发光层发射的光的一部分可能未输出至发光显示装置的外部，而是可能被限制在发光显示装置中。这引起发光显示装置的光提取效率的问题。

例如，由于全反射损耗、波导损耗和表面等离子体激元损耗，从发光层发射的光的一部分可能被限制在发光显示装置中。在此，全反射损耗是指在从发光层发射的光中，由于在基板与空气之间的界面处的全反射而将光限制在发光显示装置中所导致的光提取效率的降低。波导损耗是指由于在发光显示装置中的部件之间的界面处由于全反射而将光限制在发光显示装置中所导致的光提取效率的降低。当光使金属表面的自由电子振动时，由于光在投射和传播时被吸收到金属表面上而使光不能被反射或透射的现象，出现表面等离激元损耗，这导致光提取效率降低。

发明内容

本公开内容要实现的目的是提供发光显示装置及其制造方法，在该发光显示装置中使用侧镜状的虚设阳极来改进全反射损耗和波导损耗。

本公开内容要实现的另一目的是提供发光显示装置及其制造方法，在该发光显示装置中阳极在其边缘具有底切结构以与虚设阳极分开。

本公开内容的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员根据以下描述可以清楚地理解上述未提及的其他目的。

根据本公开内容的一方面，一种发光显示装置包括：由多个子像素限定的基板和设置在该基板上的第一外涂层。发光显示装置还包括设置在第一外涂层上的连接电极和牺牲层以及设置在连接电极上的第一电极。发光显示装置还包括第二外涂层，其设置在牺牲层上并且包括使第一电极的一部分露出的开口。发光显示装置还包括设置在第二外涂层的顶表面和开口的侧表面上并与第一电极分开的虚设第一电极。发光显示装置还包括覆盖第一电极的一部分和虚设第一电极的堤层，以及设置在第一电极和堤层上的发光层和第二电极。

根据本公开内容的另一方面，一种制造发光显示装置的方法包括在其上已提供薄膜晶体管的基板上制备第一外涂层。该方法还包括在第一外涂层上制备连接电极，并在其上已提供连接电极和第一外涂层的基板的整个表面上制备绝缘层。该方法还包括在绝缘层上制备包括开口的第二外涂层。该方法还包括通过使用第二外涂层作为掩模蚀刻绝缘层，在第二外涂层的侧表面的底部处制作底切结构。该方法还包括在连接电极上以及底切结构内部制备第一电极，并同时在第二外涂层的顶表面和侧表面上制备虚设第一电极。该方法还包括制备覆盖虚设第一电极的一部分和第一电极的堤层，以及在第一电极和堤层上制备发光层和第二电极。第一电极可以通过底切结构与虚设第一电极分开。

示例性实施方式的其他详细事项包括在具体实施方式和附图中。

根据本公开内容，使用了侧镜状虚设阳极。因此，可以提高发光显示装置的光提取效率。

根据本公开内容，阳极在其边缘处具有底切结构以与虚设阳极分开。因此，可以抑制接触电阻和泄漏问题。

根据本公开内容，在不执行单独的图案化工艺的情况下形成阳极，这意味着可以省略一次光刻工艺。因此，可以提高可加工性并降低制造成本。

根据本公开内容，可以省略在双层外涂层中形成孔的工艺。因此，可以提高可加工性并确保高分辨率的设计裕量。

根据本公开内容的效果不限于以上例示的内容，并且在本说明书中包括更多种效果。

附图说明

从以下结合附图的详细描述中，将更清楚地理解本公开内容的上述和其他方面、特征和其他优点，其中：

图1是根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置的平面图；

图2是图1的区域“A”的示意性放大平面图；

图3是沿着图2的III-III’线截取的发光显示装置的截面图；

图4是根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置的截面图；

图5是示出本公开内容的阳极的底切结构的示例的照片；

图6是示出根据本公开内容的另一示例性实施方式的在阳极的外周上的不平坦结构的示例的截面图；

图7示出使用阳极的外周上的不平坦结构的光提取仿真的结果；

图8A、图8B、图8C、图8D、图8E、图8F、图8G和图8H是示出根据牺牲层的厚度的正锥度形成和蚀刻偏置水平的照片；

图9是根据本公开内容的又一示例性实施方式的发光显示装置的平面图；

图10A、图10B、图10C、图10D、图10E、图10F和图10G是依次示出根据本公开内容的另一示例性实施方式的制造发光显示装置的方法的截面图；

图11是根据本公开内容的又一示例性实施方式的发光显示装置的平面图；以及

图12是沿着图11的线XII-XII’截取的发光显示装置的截面图。

具体实施方式

通过参考以下详细描述的示例性实施方式以及附图，本公开内容的优点和特征以及实现该优点和特征的方法将变得清楚。然而，本公开内容不限于本文公开的示例性实施方式，而是将以各种形式实现。仅通过示例的方式提供示例性实施方式，使得本领域技术人员可以完全理解本公开内容的公开和本公开内容的范围。因此，本公开内容仅由所附权利要求的范围来限定。

在附图中示出的用于描述本公开内容的示例性实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅是示例，并且本公开内容不限于此。在说明书通篇中，相同的附图标记通常表示相同的元件。此外，在本公开内容的以下描述中，可以省略对已知相关技术的详细说明，以避免不必要地使本公开内容的主题不清楚。在本文中使用的诸如“包括”、“具有”和“由……组成”的术语通常旨在允许添加其他部件，除非该术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明，否则对单数的任何提及均可以包括复数。

即使没有明确说明，部件也会被解释为包括普通误差范围。

当使用诸如“在...上”、“在...上方”、“在...下方”和“邻接”的术语描述两个部件之间的位置关系时，除非这些术语与术语“紧接”或“直接”一起使用，否则一个或更多个部件可以位于这两个部件之间。

当元件或层被设置在另一元件或层“上”时，其他层或其他元件可以直接置于该另一元件上或者置入它们之间。

尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种部件，但是这些部件不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个部件与其他部件区分开。因此，在本公开内容的技术构思中，下面要提到的第一部件可以是第二部件。

为了便于描述，示出了附图中示出的每个部件的尺寸和厚度，并且本公开内容不限于所示出的部件的尺寸和厚度。

本公开内容的各种实施方式的特征可以部分地或全部地彼此接附或彼此结合，并且可以以技术上各种方式互锁和操作，并且这些实施方式可以独立地或彼此关联地实施。

在下文中，将参照附图详细描述根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置。

图1是根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置的平面图。

图2是图1的区域“A”的示意性放大平面图。

图3是沿着图2的线III-III’截取的发光显示装置的截面图。

为了便于说明，图2仅示出了三个子像素SPX。另外，图3是三个子像素SPX之中的第一子像素的截面图。

参照图1至图3，根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100可以包括基板110和薄膜晶体管120。此外，发光显示装置100包括发光元件130、第一外涂层141和第二外涂层142、堤层114、牺牲层145和封装层150。

发光显示装置100可以被实现为顶部发光型发光显示装置。

基板110可以包括有源区A/A和非有源区N/A。

有源区A/A是发光显示装置100的其中显示图像的区域。

在有源区A/A中，可以设置显示元件和用于驱动显示元件的各种驱动元件。例如，显示元件可以被配置为包括第一电极131、发光层132和第二电极133的发光元件130。此外，用于驱动显示元件的各种驱动元件例如薄膜晶体管120、电容器、布线等可以设置在有源区A/A中。

在有源区A/A中，可以限定多个子像素SPX。

每个子像素SPX是用于显示图像的最小单元。多个子像素SPX中的每个可以包括发光元件130和驱动电路。此外，多个子像素SPX可以发射具有不同波长的光。例如，多个子像素SPX可以包括作为红色子像素的第一子像素SPX1、作为绿色子像素的第二子像素SPX2以及作为蓝色子像素的第三子像素SPX3，但不限于此。多个子像素SPX还可以包括白色子像素。

每个子像素SPX的驱动电路被配置成控制发光元件130的驱动。例如，驱动电路可以包括薄膜晶体管120和电容器，但是不限于此。

非有源区N/A是发光显示装置100的其中不显示图像的区域。在非有源区N/A中，可以设置用于驱动设置在有源区A/A中的多个子像素SPX的各种部件。例如，配置成提供用于驱动多个子像素SPX、柔性膜等的信号的驱动IC可以设置在非有源区N/A中。

如图1所示，非有源区N/A可以是围绕有源区A/A的区域，但是不限于此。例如，非有源区N/A可以是从有源区A/A延伸的区域。

参照图3，基板110用于支承和保护发光显示装置100的各种部件。

基板110可以由玻璃或具有柔性的塑料材料形成。如果基板110由塑料材料形成，则其可以由例如聚酰亚胺(PI)形成，但不限于此。

缓冲层111可以设置在基板110上。缓冲层111用于增强基板110与形成在缓冲层111上的层之间的粘附力，并阻挡从基板110排出的碱金属元素。

缓冲层111可以形成为硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单层或硅氮化物(SiNx)和/或硅氧化物(SiOx)的多层，但是不限于此。根据基板110的种类和材料以及薄膜晶体管120的结构和类型，可以省略缓冲层111。

薄膜晶体管120可以设置在基板110上。

薄膜晶体管120可以用作发光显示装置100的驱动元件。薄膜晶体管120可以包括栅电极121、有源层122、源电极123和漏电极124。在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100中，薄膜晶体管120被配置为底部栅极薄膜晶体管，其中有源层122设置在栅电极121上，源电极123和漏电极124设置在有源层122上，并且栅电极121设置在最底部，但不限于此。

栅电极121可以设置在基板110上。栅电极121可以由诸如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或它们中的两种或更多种的合金，或它们的多层的各种金属材料中的任何一种形成，但不限于此。

栅极绝缘层112可以设置在栅电极121上。栅极绝缘层112是用于使栅电极121与有源层122电绝缘的绝缘层。栅极绝缘层112可以由绝缘材料形成。例如，栅极绝缘层112可以形成为硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单层或硅氮化物(SiNx)和/或硅氧化物(SiOx)的多层，但是不限于此。

有源层122可以设置在栅极绝缘层112上。

有源层122可以设置成与栅电极121交叠。

例如，有源层122可以由氧化物半导体、非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)或有机半导体形成。

蚀刻停止层117可以设置在有源层122上。

当通过蚀刻图案化并形成源电极123和漏电极124时，可以形成蚀刻停止层117以抑制等离子体对有源层122的后沟道表面的损坏。

蚀刻停止层117的一端可以与源电极123交叠，并且其另一端可以与漏电极124交叠。也可以省略蚀刻停止层117。

源电极123和漏电极124可以设置在有源层122和蚀刻停止层117上。源电极123和漏电极124可以在同一层上彼此分开地设置。

源电极123和漏电极124可以通过与有源层122接触而与有源层122电连接。

源电极123和漏电极124可以由诸如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或它们中的两种或更多种的合金，或它们的多层的各种金属材料中的任何一种形成，但不限于此。

钝化层113可以设置在薄膜晶体管120上。钝化层113可以用于保护薄膜晶体管120，并且可以形成为硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单层或硅氮化物(SiNx)和/或硅氧化物(SiOx)的多层，但不限于此。钝化层113也可以被省略。

第一外涂层141可以设置在钝化层113上。第一外涂层141是用于保护薄膜晶体管120并减小设置在基板110上的层之间的台阶差的绝缘层。第一外涂层141可以是由丙烯酸基树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺基树脂、聚酰亚胺基树脂、不饱和聚酯基树脂、聚亚苯基基树脂、苯并环丁烯、光致抗蚀剂和聚苯硫醚基树脂中的任何一种形成，但不限于此。

第一外涂层141可以设置在薄膜晶体管120上。第一外涂层141的顶表面可以与基板110平行。因此，第一外涂层141可以使设置在第一外涂层141下方的部件引起的台阶差平坦化。

连接电极125可以设置在第一外涂层141上。

连接电极125可以通过形成在第一外涂层141和钝化层113中的接触孔与漏电极124电连接，但是不限于此。连接电极125还可以通过形成在第一外涂层141和钝化层113中的接触孔与源电极123电连接。

连接电极125可以由诸如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)以及铜(Cu)或它们中的两种或更多种的合金，或其多层的各种金属材料中的任何一种形成，但不限于此。

牺牲层145可以设置在连接电极125和第一外涂层141上。

牺牲层145可以设置在第一外涂层141上，以覆盖连接电极125的边缘。也就是说，牺牲层145可以使至少连接电极125的表面在发光区EA中露出。

牺牲层145可以形成为比第一电极131更大的厚度，以在第一电极131的边缘处形成底切结构。例如，如果第一电极131的厚度被设置为牺牲层145的厚度的92.3％或更小，则可以形成本公开内容的底切结构。

牺牲层145可以被图案化成在其边缘处具有正锥度。

牺牲层145可以形成为硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单层或硅氮化物(SiNx)和/或硅氧化物(SiOx)的多层，但是不限于此。例如，牺牲层145可以形成为硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiOx)的双层，厚度为

第一电极131可以设置在连接电极125上。

第一电极131可以设置在连接电极125的未被牺牲层145覆盖并且其表面露出的表面上。第一电极131也可以设置在底切结构内部的第二外涂层142的侧表面的底部处，以与牺牲层145的侧表面接触。

可以在不执行掩模工艺的情况下通过沉积来形成第一电极131。

与牺牲层145相反，第一电极131可以被沉积成在其边缘处具有倒锥度。

第一电极131的厚度可以被设置为牺牲层145的厚度的92.3％或更小，以在第一电极131的边缘处形成底切结构。

第一电极131的表面可以是基本平坦的，但是不限于此。第一电极131的边缘的一部分可以具有不平坦结构。

尽管在附图中未示出，但是与薄膜晶体管120电连接的反射层和设置在反射层上的透明导电层可以被包括在第一电极131中。然而，本公开内容不限于此。第一电极131可以具有包括透明导电层、反射层和透明导电层的三层结构。

反射层可以设置在连接电极125上。根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100是顶部发光型发光显示装置。因此，反射层可以使从发光元件130发射的光在向上的方向上反射。

反射层可以由诸如铝(Al)、银(Ag)、铜(Cu)、镁银合金等的金属材料形成，但是不限于此。

反射层可以通过连接电极125与漏电极124电连接，但是不限于此。反射层也可以通过连接电极125与源电极123电连接。

透明导电层可以设置在反射层上。透明导电层可以设置在反射层上，并通过反射层和连接电极125与漏电极电连接。透明导电层可以由具有高功函数的导电材料形成以向发光层132提供空穴。

例如，透明导电层可以由诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)、锌氧化物(ZnO)和锡氧化物(TO)的透明导电氧化物形成，但不限于此。

第二外涂层142可以设置在第一电极131和牺牲层145上。

第二外涂层142可以形成为使除第一电极131的边缘之外的第一电极131的整个表面露出。

第二外涂层142的使第一电极131露出的侧表面可以具有预定角度的锥度。例如，第二外涂层142的侧表面可以以30°至60°的角度渐缩，但是不限于此。

第二外涂层142可以包括顶表面和侧表面。

第二外涂层142的顶表面位于第二外涂层142的最上部，并且可以与基板110基本平行。

第二外涂层142的侧表面可以是从第二外涂层142的顶表面延伸的表面。

第二外涂层142可以由与第一外涂层141相同的材料形成。

例如，第二外涂层142可以由丙烯酸基树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺基树脂、聚酰亚胺基树脂、不饱和聚酯基树脂、聚亚苯基基树脂、苯并环丁烯、光致抗蚀剂以及聚苯硫醚基树脂中的任何一种形成，但不限于此。

第二外涂层142可以通过从第二外涂层142的侧表面到第二外涂层142的内部另外蚀刻牺牲层145而在侧表面的底部处具有底切结构。

作为从第二外涂层142的侧表面的端部到牺牲层145的端部的距离的蚀刻偏置根据工艺条件而变化，并且可以在0.8μm至1.3μm的范围内。

由与第一电极131相同的材料形成的虚设第一电极131’可以设置在第二外涂层142的顶表面和侧表面上。因此，与第一电极131相同，虚设第一电极131’可以包括反射层和设置在反射层上的透明导电层，但不限于此。虚设第一电极131’可以具有包括透明导电层、反射层和透明导电层的三层结构。

当沉积第一电极131时，虚设第一电极131’可以沉积在第二外涂层142的顶表面和侧表面上。而且，可以通过第二外涂层142的底切结构将虚设第一电极131’与第一电极131分开。

这样，在子像素中第一电极131与虚设第一电极131’分开，因此，第一电极131和虚设第一电极131’可以在没有掩模的情况下通过全表面沉积形成。

虚设第一电极131’可以沿着第二外涂层142的形状设置在第二外涂层142的顶表面和侧表面上。

设置在第二外涂层142的侧表面上的虚设第一电极131’可以以30°至60°的角度渐缩，但不限于此。

根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100是顶部发光型发光显示装置。因此，虚设第一电极131’的反射层可以使从发光元件130发射的光沿向上的方向反射。从发光元件130的发光层132产生的光不仅在向上方向上而且在侧面方向上被发射。在侧面方向上发射的光可能传播至发光显示装置100的内部，并且可能通过全反射被限制在发光显示装置100的内部。此外，光在行进至发光显示装置100的内部时可能会消失。因此，可以将虚设第一电极131’的反射层设置成覆盖第二外涂层142的侧表面。因此，光的行进方向可以从侧面方向变成向上方向(参阅图3中的箭头)。

堤层114可以设置在第二外涂层142上。

堤层114可以设置在第二外涂层142上，以覆盖整个虚设第一电极131’和第一电极131的边缘的一部分。堤层114可以在第二外涂层142的侧表面的底端处填充底切结构的内部。堤层114可以插入在第一电极131与虚设第一电极131’之间。

堤层114可以覆盖遍及多个子像素SPX的第一电极131的边缘的一部分，以限定发光区EA和非发光区NEA。例如，在非发光区NEA中，堤层114设置在第一电极131上，以阻挡来自非发光区NEA的光的产生。同时，在发光区EA中，未设置堤层114，但是发光层132恰好位于第一电极131上。因此，可以从发光层132产生光。

堤层114可以由有机材料或无机材料形成。

例如，堤层114可以由诸如聚酰亚胺、丙烯酸或苯并环丁烯的有机材料或诸如硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的无机材料形成，但是不限于此。

发光层132和第二电极133可以设置在堤层114上。发光层132和第二电极133可以与第一电极131一起形成发光元件130。

发光层132可以被设置成与遍及多个子像素SPX的第一电极131接触。例如，发光层132可以设置在遍及基板110的整个表面的第一电极131上，但是不限于此。发光层132可以仅在发光区EA中设置在第一电极131上。在这种情况下，发光层132可以被设置成被堤层114围绕。

发光层132用于发射特定颜色的光，并且具有对于每个子像素SPX分开的结构。例如，设置在作为红色子像素的第一子像素SPX1中的发光层132是红色发光层，并且设置在作为绿色子像素的第二子像素SPX2中的发光层132是绿色发光层。另外，设置在作为蓝色子像素的第三子像素SPX3中的发光层132是蓝色发光层。设置在第一子像素SPX1中的发光层132、设置在第二子像素SPX2中的发光层132和设置在第三子像素SPX3中的发光层132可以设置成彼此分开。

发光层132还可以包括各种层，例如空穴传输层、空穴注入层、空穴阻挡层、电子注入层、电子阻挡层和电子传输层。此外，发光层132可以是由有机材料形成的有机发光层，但不限于此。例如，发光层132也可以由量子点发光层或微型LED形成。

第二电极133可以设置在子像素SPX中的发光层132上。例如，第二电极133被设置成在发光区EA和非发光区NEA中沿着发光层132的形状与发光层132接触，但不限于此。

第二电极133可以将电子提供至发光层132。第二电极133可以由诸如银(Ag)、铜(Cu)、镁银合金等的金属材料形成，但是不限于此。对此。如果第二电极133由金属材料形成，则其具有非常低的折射率。例如，如果第二电极133由银(Ag)形成，则第二电极133可以具有大约0.13的折射率。

根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100是顶部发光型发光显示装置。因此，其可以制造成实现微腔。例如，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100中，第一电极131的反射层与第二电极133之间的距离被设置成实现从发光层132发射的光的相长干涉。因此，可以提高光效率。因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100中，发光层132对于各个子像素SPX具有不同的厚度以实现微腔。

参照图3，封装层150可以设置在第二电极133上。封装层150可以阻止氧气和水分从外部渗透到发光显示装置100中。例如，如果发光显示装置100暴露于水分或氧气，则可能发生像素收缩，使得发光区EA减小，或者在发光区EA中可能出现黑点。因此，封装层150可以阻挡氧气和水分以保护发光显示装置100。

尽管未示出，但是在封装层150中可以包括第一封装层、第二封装层和第三封装层。

第一封装层可以设置在第二电极133上以抑制水分或氧气的渗透。

在本文中，第一封装层可以由诸如硅氮化物(SiNx)、氮硅氧化物(SiOxNy)或铝氧化物(AlyOz)的无机材料形成，但是不限于此。第一封装层可以由具有比第二封装层更高的折射率的材料形成。例如，如果第一封装层由硅氮化物(SiNx)或氮硅氧化物(SiOxNy)形成，则第一封装层的折射率可以为大约1.8。

第二封装层可以设置在第一封装层上以使第一封装层的表面平坦化。此外，第二封装层可以覆盖在制造过程中可能产生的异物或颗粒。第二封装层可以由诸如碳硅氧化物(SiOxCz)或丙烯酸基树脂或环氧基树脂的有机材料形成，但是不限于此。第二封装层可以由具有比第一封装层低的折射率的材料形成。例如，如果第二封装层由丙烯酸基树脂形成，则第二封装层的折射率可以为约1.5至约1.6。

第三封装层可以设置在第二封装层上，并且可以抑制水分或氧气等渗透到第一封装层中。

例如，第三封装层可以由诸如硅氮化物(SiNx)、氮硅氧化物(SiOxNy)、硅氧化物(SiOx)或铝氧化物(AlyOz)的无机材料形成，但是不限于此。第三封装层可以由与第一封装层相同的材料形成，或者可以由与第一封装层不同的材料形成。

对于常规的发光显示装置，从发光层发射的光中的在发光显示装置中被限制和损耗的一些光导致光效率降低。例如，在从发光层发射的光中，由于全反射损耗或波导损耗，一些光可能不被提取到发光显示装置的外部。因此，发光显示装置的光提取效率降低。例如，对于常规的发光显示装置，第一电极仅设置在具有平坦顶表面的外涂层上。因此，在从发光层发射的光中，由于全反射损耗或波导损耗，以低输出角度输出的第二光可以被限制在发光显示装置中。

因此，根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100使用具有侧表面的第二外涂层142来提高发光元件130的光提取效率。例如，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100中，具有顶表面和侧表面的第二外涂层142设置在第一外涂层141上。而且，虚设第一电极131’的反射层被设置成至少覆盖第二外涂层142的侧表面。因此，在从发光显示装置100的发光层132发射的光中，以低输出角度输出的第二光可以通过设置在第二外涂层142的侧表面上的虚设第一电极131’朝着顶表面被提取。例如，如果第一电极如在常规发光显示装置中那样设置在平坦的外涂层上，则朝向侧表面传播的光例如以低输出角度输出的光可能不会朝向顶表面传播。而且，由于全反射损耗或波导损耗，光可能不会被提取到发光显示装置的外部。然而，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100中，从发光层132朝着顶表面输出的第一光与从发光层132以低输出角度输出的第二光一起可以通过设置在第二外涂层142的侧表面上的虚设第一电极131’的反射层被反射，并且朝向顶表面被提取。

因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100中，设置在第二外涂层142的侧表面上的虚设第一电极131’的反射层用作侧镜。因此，在发光显示装置100中可能损耗的光可以朝向顶表面被提取。因此，可以提高光提取效率并且可以减少功耗。

在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100中，第一电极131与设置在第二外涂层142的侧表面上的虚设第一电极131’分开。因此，可以抑制接触电阻和泄漏问题。

同时，可以通过层叠两个外涂层或在阳极与漏电极之间添加连接电极来实现其中在发光层的侧表面上另外形成镜状阳极的OLED侧镜(OSM)结构。

在这种情况下，如果层叠两个外涂层，则当阳极与漏电极接触时，由于外涂层在接触孔区域中的残留膜，可能不发光。

因此，可以将连接电极插入在阳极与漏电极之间，并且第一和第二外涂层中的每个可以用于掩模工艺，以减少外涂层的残留膜的产生。然而，在这种情况下，如果堤层与第二外涂层之间的裕量较小，则可能从阳极的反射层产生漏电流。否则，异物可能会导致发光层与阳极和阴极之间短路。

因此，在本公开内容中，第一电极131与设置在第二外涂层142的侧表面上的虚设第一电极131’分开，以改进短路故障和提高接触电阻。另外，在本公开内容中，通过不使用掩模的沉积来形成第一电极131和虚设第一电极131’，并且在不执行附加的掩模工艺的情况下对牺牲层145进行图案化。因此，可以提高可加工性并降低制造成本。

也就是说，本公开内容的特征在于，在第二外涂层142的侧表面上形成的虚设第一电极131’的反射层。

而且，本公开内容的特征在于，在第二外涂层142的侧表面的底端处形成的底切结构。因此，虚设第一电极131’和第一电极131通过相同的工艺分开形成。

此外，本公开内容的特征在于，第一电极131通过在第一电极131下方的连接电极125与漏电极124电连接。

此外，本公开内容的特征在于，虚设第一电极131’设置在第二外涂层142的侧表面上并且以30°至60°的角度渐缩。

另外，在本公开内容中，可以将堤层114与虚设第一电极131’之间的距离控制在第一电极131不覆盖所有露出的开口的范围内。

此外，在本公开内容中，牺牲层145具有比第一电极131更大的厚度，以在第一电极131的边缘处形成底切结构。

此外，在本公开内容中，连接电极125形成为尺寸大于第一电极131的尺寸，以提高接触电阻。

同时，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置中，第一电极的整个表面基本上是平坦的，但是不限于此。在本公开内容中，第一电极的边缘的一部分可以具有不平坦的结构。将参考本公开内容的另一示例性实施方式对此进行详细描述。

图4是根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置的截面图。

图5是示出本公开内容的阳极的底切结构的示例的照片。

图6是示出根据本公开内容的另一示例性实施方式的在阳极的外周上的不平坦结构的示例的截面图。

图7示出了使用在阳极的外周上的不平坦结构的光提取仿真的结果。

图8A至图8H是示出根据牺牲层的厚度的正锥度形成和蚀刻偏置水平的形成的照片。

除了在第一电极231的边缘处形成不平坦结构231”以外，图4所示的发光显示装置200与图2和图3所示的发光显示装置100基本相同。

参照图4，根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置200可以包括基板110、薄膜晶体管120、发光元件230、第一外涂层141和第二外涂层142、堤层114、牺牲层145和封装层150。

发光显示装置200可以被实现为顶部发光型发光显示装置。

基板110用于支承和保护发光显示装置200的各种部件。

缓冲层111可以设置在基板110上。缓冲层111用于增强基板110与形成在缓冲层111上的层之间的粘附力，并阻挡从基板110排出的碱金属元素。

薄膜晶体管120可以设置在基板110上。

薄膜晶体管120可以用作发光显示装置200的驱动元件。薄膜晶体管120可以包括栅电极121、有源层122、源电极123和漏电极124。在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置200中，薄膜晶体管120被配置为底部栅极薄膜晶体管，其中有源层122设置在栅电极121上，源电极123和漏电极124设置在有源层122上，并且栅电极121设置在最底部处，但不限于此。

栅电极121可以设置在基板110上。

栅极绝缘层112可以设置在栅电极121上。栅极绝缘层112是用于使栅电极121与有源层122电绝缘的绝缘层。栅极绝缘层112可以由绝缘材料形成。

有源层122可以设置在栅极绝缘层112上。

有源层122可以设置成与栅电极121交叠。

蚀刻停止层117可以设置在有源层122上。

当通过蚀刻图案化并形成源电极123和漏电极124时，可以形成蚀刻停止层117以抑制等离子体对有源层122的后沟道表面的损坏。

蚀刻停止层117的一端可以与源电极123交叠，并且其另一端可以与漏电极124交叠。也可以省略蚀刻停止层117。

源电极123和漏电极124可以设置在有源层122和蚀刻停止层117上。源电极123和漏电极124可以在同一层上彼此分开地设置。

源电极123和漏电极124可以通过与有源层122接触而与有源层122电连接。

钝化层113可以设置在薄膜晶体管120上。钝化层113可以用于保护薄膜晶体管120，并且也可以被省略。

第一外涂层141可以设置在钝化层113上。第一外涂层141是用于保护薄膜晶体管120并减小设置在基板110上的层之间的台阶差的绝缘层。

第一外涂层141可以设置在薄膜晶体管120上。第一外涂层141的顶表面可以与基板110平行。因此，第一外涂层141可以使由设置在第一外涂层141下方的部件引起的台阶差平坦化。

连接电极125可以设置在第一外涂层141上。

连接电极125可以通过形成在第一外涂层141和钝化层113中的接触孔与漏电极124电连接，但是不限于此。连接电极125还可以通过形成在第一外涂层141和钝化层113中的接触孔与源电极123电连接。

牺牲层145可以设置在连接电极125和第一外涂层141上。

牺牲层145可以设置在第一外涂层141上，以覆盖连接电极125的边缘。也就是说，牺牲层145可以使至少连接电极125的表面在发光区EA中露出。

牺牲层145可以形成为比第一电极231更大的厚度，以在第一电极231的边缘处形成底切结构。例如，如果第一电极231的厚度被设置为牺牲层145的厚度的92.3％或更小，则可以形成本公开内容的底切结构。

牺牲层145可以被图案化成在其边缘处具有正锥度。

牺牲层145可以形成为硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单层或硅氮化物(SiNx)和/或硅氧化物(SiOx)的多层，但是不限于此。例如，牺牲层145可以形成为硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiOx)的双层，厚度为

第一电极231可以设置在连接电极125上。

第一电极231可以设置在连接电极125的未被牺牲层145覆盖并且其表面露出的表面上。第一电极231也可以设置在底切结构内部的第二外涂层142的侧表面的底部处，以与牺牲层145的侧表面接触。

可以在不执行掩模工艺的情况下通过沉积形成第一电极231。

与牺牲层145相反，第一电极231可以被沉积成在其边缘处具有倒锥度。

第一电极231的厚度可以被设置为牺牲层145的厚度的92.3％或更小，以在第一电极231的边缘处形成底切结构。

第一电极231的表面的一部分可以是基本平坦的，但是第一电极231的边缘的一部分可以具有不平坦结构231”(参照图6)。

参照图7，在仿真结果中，虚线表示平坦结构，实线表示不平坦结构231”。

在平坦结构中，光被限制在波导和SP模式中，因此难以向外部提取，这可能导致外部光提取效率降低。然而，通过应用不平坦结构231”，可以将限制在内部的光朝向顶表面提取，从而提高光提取效率。

也就是说，如果第一电极231的边缘的一部分不平坦并且具有不平坦结构231”，则可以提取波导和SP模式。因此，可以有助于提高顶表面的效率。

参照图4，第一电极231可以包括与薄膜晶体管120电连接的反射层和设置在该反射层上的透明导电层，但是不限于此。第一电极231可以具有包括透明导电层、反射层和透明导电层的三层结构。

反射层可以设置在连接电极125上。根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置200是顶部发光型发光显示装置。因此，反射层可以使从发光元件230发射的光在向上的方向上反射。

反射层可以通过连接电极125与漏电极124电连接，但是不限于此。反射层也可以通过连接电极125与源电极123电连接。

透明导电层可以设置在反射层上。透明导电层可以设置在反射层上，并通过反射层和连接电极125与漏电极电连接。透明导电层可以由具有高功函数的导电材料形成以向发光层232提供空穴。

第二外涂层142可以设置在第一电极231和牺牲层145上。

第二外涂层142可以形成为使除了第一电极231的边缘即不平坦结构231”以外的第一电极231的整个表面露出。

第二外涂层142的使第一电极231露出的侧表面可以具有预定角度的锥度。例如，第二外涂层142的侧表面可以以30°至60°的角度渐缩，但是不限于此。

第二外涂层142可以包括顶表面和侧表面。

第二外涂层142的顶表面位于第二外涂层142的最上部，并且可以与基板110基本平行。

第二外涂层142的侧表面可以是从第二外涂层142的顶表面延伸表面。

第二外涂层142可以由与第一外涂层141相同的材料形成。

第二外涂层142可以通过从第二外涂层142的侧表面到第二外涂层142的内部另外蚀刻牺牲层145而在侧表面的底部处具有底切结构。

作为从第二外涂层142的侧表面的端部到牺牲层145的端部的距离的蚀刻偏置根据工艺条件而变化，并且可以在0.8μm至1.3μm的范围内。

在本公开内容中，牺牲层145形成为具有各种厚度的硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiOx)的双层以评估底切结构。

例如，牺牲层145形成为各自厚度分别为

另外，第一电极331和虚设第一电极331’中的每个被沉积成各自厚度分别为

在这种情况下，可以看出第一电极331和虚设第一电极331’中的每个与牺牲层145的厚度比为92.3％、80.0％、52.2％和48.0％。

参照图8A至图8H，可以看出，当第一电极331和虚设第一电极331’中的每个与牺牲层145的厚度比为92.3％或更小时，通过蚀刻牺牲层145形成正锥度。此外，第一电极331和虚设第一电极331’可以彼此分开。此外，可以看出，作为从第二外涂层142的侧表面的端部到牺牲层145的端部的距离的蚀刻偏置根据工艺条件而变化，并且在0.8μm至1.3μm的范围内。

图8A示出了蚀刻偏置为0.8μm的示例，图8B示出了蚀刻偏置为1.2μm的示例，图8C示出了蚀刻偏置为0.75μm的示例，图8D示出了蚀刻偏置为1.1μm的示例。

另外，图8E示出了蚀刻偏置为0.9μm的示例，图8F示出了蚀刻偏置为1.3μm的示例，图8G示出了蚀刻偏置为0.9μm的示例，并且图8H示出了其中蚀刻偏置为1.3μm的示例。

再次参照图4，由与第一电极231相同的材料形成的虚设第一电极231’可以设置在第二外涂层142的顶表面和侧表面上。因此，与第一电极231相同，虚设第一电极231’可以包括反射层和设置在反射层上的透明导电层，但是不限于此。虚设第一电极231’可以具有包括透明导电层、反射层和透明导电层的三层结构。

当沉积第一电极231时，虚设第一电极231’可以沉积在第二外涂层142的顶表面和侧表面上。而且，可以通过第二外涂层142的底切结构将虚设第一电极231’与第一电极231分开。

这样，在子像素中第一电极231与虚设第一电极231’分开，因此，第一电极231和虚设第一电极231’可以在没有掩模的情况下通过全表面沉积形成。

虚设第一电极231’可以沿着第二外涂层142的形状设置在第二外涂层142的顶表面和侧表面上。

设置在第二外涂层142的侧表面上的虚设第一电极231’可以以30°至60°的角度渐缩，但不限于此。

根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置200是顶部发光型发光显示装置。因此，虚设第一电极231’的反射层可以使从发光元件230发射的光在向上的方向反射。从发光元件230的发光层232产生的光不仅在向上方向上而且在侧面方向上发射。沿侧面方向发射的光可以行进至发光显示装置200的内部，并且可以通过全反射而被限制在发光显示装置200的内部。此外，光在行进至发光显示装置200的内部时可能会消失。因此，虚设第一电极231’的反射层可以被设置成覆盖第二外涂层142的侧表面。因此，光的行进方向可以从侧面方向变成向上方向(参见图4中的箭头)。

堤层114可以设置在第二外涂层142上。

堤层114可以设置在第二外涂层142上，以覆盖整个虚设第一电极231’和第一电极231的边缘的一部分。堤层114可以在第二外涂层142的侧表面的底端处填充底切结构的内部。因此，堤层114可以插入在第一电极231与虚设第一电极231’之间。

堤层114可以覆盖遍及多个子像素SPX的第一电极231的边缘的一部分，以限定发光区EA和非发光区NEA。例如，在非发光区NEA中，堤层114设置在第一电极231上，以阻挡来自非发光区NEA的光的产生。同时，在发光区EA中，未设置堤层114，但是发光层232恰好位于第一电极231上。因此，可以从发光层232产生光。

发光层232和第二电极233可以设置在堤层114上。发光层232和第二电极233可以与第一电极231一起形成发光元件230。

发光层232可以被设置成与遍及多个子像素SPX的第一电极231接触。例如，发光层232可以设置在遍及基板110的整个表面的第一电极231上，但是不限于此。发光层232可以仅在发光区EA中设置在第一电极231上。在这种情况下，发光层232可以被设置成被堤层114包围。

第二电极233可以设置在子像素SPX中的发光层232上。例如，第二电极233被设置成在发光区EA和非发光区NEA中沿着发光层232的形状与发光层232接触，但不限于此。

根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置200是顶部发光型发光显示装置。因此，其可以制造成实现微腔。例如，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置200中，第一电极231的反射层与第二电极233之间的距离被设置成实现从发光层232发射的光的相长干涉。因此，可以提高光效率。因此，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置200中，发光层232对于各个子像素SPX具有不同的厚度以实现微腔。

参照图4，封装层150可以设置在第二电极233上。封装层150可以阻止氧气和水分从外部渗透到发光显示装置200中。

尽管在附图中未示出，但是在封装层150中可以包括第一封装层、第二封装层和第三封装层。

根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置200使用具有侧表面的第二外涂层142来提高发光元件230的光提取效率。例如，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置200中，具有顶表面和侧表面的第二外涂层142设置在第一外涂层141上。而且，虚设第一电极231’的反射层被设置成至少覆盖第二外涂层142的侧表面。因此，在从发光显示装置200的发光层232发射的光中，以低输出角度输出的第二光可以通过设置在第二外涂层142的侧表面上的虚设第一电极231’的反射层朝着前表面提取。也就是说，在本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置200中，从发光层232向前表面输出的第一光与从发光层232以低输出角度输出的第二光一起可以被设置在第二外涂层142的侧表面上的虚设第一电极231’的反射层反射，并朝着前表面被提取。

因此，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置200中，设置在第二外涂层142的侧表面上的虚设第一电极231’的反射层用作侧镜。因此，在发光显示装置200中可能损耗的光可以朝向前表面被提取。因此，可以提高光提取效率并且可以减少功耗。

在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置200中，第一电极231与设置在第二外涂层142的侧表面上的虚设第一电极231’分开。因此，可以抑制接触电阻和泄漏问题。

也就是说，在本公开内容中，第一电极231与设置在第二外涂层142的侧表面上的虚设第一电极231’分开，以改进短路故障和提高接触电阻。而且，在本公开内容中，通过不使用掩模的沉积来形成第一电极231和虚设第一电极231’，并且在不执行附加的掩模工艺的情况下对牺牲层145进行图案化。因此，可以提高可加工性并降低制造成本。

也就是说，本公开内容的特征在于，在第二外涂层142的侧表面上形成的虚设第一电极231’的反射层。

而且，本公开内容的特征在于，在第二外涂层142的侧表面的底端处形成的底切结构。因此，虚设第一电极231’和第一电极231通过相同的工艺分开形成。

此外，本公开内容的特征在于，第一电极231通过在第一电极231下方的连接电极125与漏电极124电连接。

此外，本公开内容的特征在于，虚设第一电极231’设置在第二外涂层142的侧表面上并且以30°至60°的角度渐缩。

另外，在本公开内容中，可以将堤层114与虚设第一电极231’之间的距离控制在第一电极231不覆盖所有露出的开口的范围内。

此外，在本公开内容中，牺牲层145具有比第一电极231更大的厚度，以在第一电极231的边缘处形成底切结构。

此外，在本公开内容中，连接电极125形成为尺寸大于第一电极231的尺寸，以提高接触电阻。

同时，在根据本公开内容的示例性实施方式和另一示例性实施方式的发光显示装置中，在包括非发光区NEA以及发光区EA的基板的整个表面上形成发光层。然而，本公开内容不限于此。在本公开内容中，可以仅在发光区EA中形成发光层，这将参考本公开内容的又一示例性实施方式进行详细描述。

图9是根据本公开内容的又一示例性实施方式的发光显示装置的平面图。

除了发光元件330的发光层332之外，图9所示的发光显示装置300与图4所示的发光显示装置200基本相同。因此，将省略其重复描述。

参照图9，根据本公开内容的又一示例性实施方式的发光显示装置300可以包括基板110、薄膜晶体管120、发光元件330、第一外涂层141和第二外涂层142、堤层114、牺牲层145和封装层150。

在这种情况下，发光层332和第二电极333可以设置在堤层114上。发光层332和第二电极333可以与第一电极331一起形成发光元件330。

发光层332可以被设置为成与遍及多个子像素SPX的第一电极331接触。例如，发光层332可以仅在发光区EA中设置在第一电极331上。在这种情况下，发光层332可以被设置成被堤层114围绕。

发光层332用于发射特定颜色的光，并且具有对于每个子像素SPX分开的结构。例如，设置在作为红色子像素的第一子像素SPX1中的发光层332是红色发光层，并且设置在作为绿色子像素的第二子像素SPX2中的发光层332是绿色发光层。另外，设置在作为蓝色子像素的第三子像素SPX3中的发光层332是蓝色发光层。设置在第一子像素SPX1中的发光层332、设置在第二子像素SPX2中的发光层332和设置在第三子像素SPX3中的发光层332可以彼此分开设置。对于每个子像素SPX，可以使用开放掩模(例如，精细金属掩模(FMM))对发光层332进行图案化并沉积在相应的发光区EA中。

发光层332还可以包括各种层，例如空穴传输层、空穴注入层、空穴阻挡层、电子注入层、电子阻挡层和电子传输层。发光层332可以是由有机材料形成的有机发光层，但不限于此。例如，发光层332也可以由量子点发光层或微型LED形成。

第二电极333可以设置在包括在各个发光区EA中被图案化的发光层332的基板110的整个表面上。

在下文中，将根据本公开内容的另一示例性实施方式详细描述制造本公开内容的发光显示装置的方法。

图10A至图10G是依次示出根据本公开内容的另一示例性实施方式的制造发光显示装置的方法的截面图。

参照图10A，在基板110上形成缓冲层111，并且在缓冲层111上层叠第一金属层，然后进行图案化。

基板110用于支承和保护发光显示装置300的各种部件。

基板110可以由玻璃或具有柔性的塑料材料形成。如果基板110由塑料材料形成，则其可以由例如聚酰亚胺(PI)形成，但不限于此。

缓冲层111用于增强基板110与形成在缓冲层111上的层之间的粘附力，并且阻挡从基板110排出的碱金属元素。

缓冲层111可以形成为硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单层或硅氮化物(SiNx)和/或硅氧化物(SiOx)的多层，但是不限于此。根据基板110的种类和材料以及薄膜晶体管120的结构和类型，可以省略缓冲层111。

第一金属层可以由诸如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、以及铜(Cu)或它们中的两种或更多种的合金，或其多层的各种金属材料中的任何一种形成，但不限于此。

然后，通过图案化第一金属层来形成薄膜晶体管的栅电极121。

尽管在附图中未示出，但是可以在第一金属层上涂覆光致抗蚀剂并且可以通过使用光掩模的光刻工艺对第一金属层进行图案化以形成上述栅电极121。可以通过以下步骤执行光刻工艺：通过使用光掩模的曝光装置在曝光后进行诸如显影、蚀刻、剥离或灰化的一系列处理。

然后，在基板110上形成栅极绝缘层112，并在栅极绝缘层112上形成半导体层，然后进行图案化以形成薄膜晶体管的有源层122。

栅极绝缘层112是用于使栅电极121与有源层122电绝缘的绝缘层。栅极绝缘层112可以由绝缘材料形成。例如，栅极绝缘层112可以形成为硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单层或硅氮化物(SiNx)和/或硅氧化物(SiOx)的多层，但是不限于此。

有源层122可以设置成与栅电极121交叠。

例如，有源层122可以由氧化物半导体、非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)或有机半导体形成。

然后，可以在有源层122上形成蚀刻停止层117。

当通过蚀刻图案化并形成源电极123和漏电极124时，可以形成蚀刻停止层117以抑制等离子体对有源层122的后沟道表面的损坏。

蚀刻停止层117的一端可以与源电极123交叠，并且其另一端可以与漏电极124交叠。也可以省略蚀刻停止层117。

然后，在其上已形成蚀刻停止层117的基板110上形成第二金属层，并对第二金属层进行图案化以形成源电极123和漏电极124。

第二金属层可以由诸如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、以及铜(Cu)或它们中的两种或更多种的合金，或其多层的各种金属材料中的任何一种形成，但不限于此。

然后，可以在基板110上形成钝化层113。

钝化层113可以用来保护薄膜晶体管120。钝化层113可以形成为硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单层或硅氮化物(SiNx)和/或硅氧化物(SiOx)的多层，但不限于此。也可以省略钝化层113。

然后，可以在钝化层113上形成第一外涂层141。第一外涂层141是用于保护薄膜晶体管120并且减小设置在基板110上的层之间的台阶差的绝缘层。第一外涂层141可以由丙烯酸基树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺基树脂、聚酰亚胺基树脂、不饱和聚酯基树脂、聚苯基树脂、苯并环丁烯、光致抗蚀剂和聚苯硫醚基树脂中的任何一种形成，但不限于此。

第一外涂层141可以设置在薄膜晶体管120上。第一外涂层141的顶表面可以与基板110平行。因此，第一外涂层141可以使由设置在第一外涂层141下方的部件引起的台阶差平坦化。

然后，在第一外涂层141上形成第三金属层，并对第三金属层进行图案化以形成连接电极125。

连接电极125可以通过形成在第一外涂层141和钝化层113中的接触孔与漏电极124电连接，但是不限于此。连接电极125还可以通过形成在第一外涂层141和钝化层113中的接触孔与源电极123电连接。

第三金属层可以由诸如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、以及铜(Cu)或它们中的两种或更多种的合金，或其多层的各种金属材料中的任何一种形成，但不限于此。

然后，参照图10B，在其上已形成连接电极125和第一外涂层141的基板110的整个表面上沉积绝缘层140。

绝缘层140可以形成为比第一电极231更大的厚度，以在第一电极231的边缘处形成底切结构。例如，如果第一电极231的厚度被设置为绝缘层140的厚度的92.3％或更小，则可以形成本公开内容的底切结构。

绝缘层140可以形成为硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单层或硅氮化物(SiNx)和/或硅氧化物(SiOx)的多层，但是不限于此。例如，绝缘层140可以形成为硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiOx)的双层，厚度为

然后，参照图10C，在绝缘层140上形成有机绝缘层，并对有机绝缘层进行图案化以形成第二外涂层142。可以执行干法蚀刻以对有机绝缘层进行图案化。

第二外涂层142也可以由与第一外涂层141相同的材料形成。

例如，第二外涂层142可以由丙烯酸基树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺基树脂、聚酰亚胺基树脂、不饱和聚酯基树脂、聚亚苯基基树脂、苯并环丁烯、光致抗蚀剂、聚苯硫醚基树脂中的任何一种形成，但不限于此。

第二外涂层142的侧表面可以具有预定角度的锥度。例如，第二外涂层142的侧表面可以以30°至60°的角度渐缩，但是不限于此。

第二外涂层142可以包括顶表面和侧表面。

第二外涂层142的顶表面位于第二外涂层142的最上部，并且可以与基板110基本平行。

第二外涂层142的侧表面可以是从第二外涂层142的顶表面延伸的表面。

然后，参照图10D，可以使用第二外涂层142作为掩模另外蚀刻绝缘层140。可以执行湿法蚀刻以蚀刻绝缘层140。

第二外涂层142可以通过在水平方向上另外地将绝缘层140从第二外涂层142的侧表面蚀刻至内部而在侧表面的底部处具有底切结构以形成牺牲层145。

作为从第二外涂层142的侧表面的端部到牺牲层145的端部的距离的蚀刻偏置根据工艺条件而变化，并且可以在0.8μm至1.3μm的范围内。

然后，参照图10E，在基板110的整个表面上沉积第四金属层和第五金属层，以在连接电极125上形成第一电极231。

第一电极231可以设置在连接电极125的未被牺牲层145覆盖并且其表面露出的表面上。第一电极231也可以设置在底切结构内部的第二外涂层142的侧表面的底部处，以与牺牲层145的侧表面接触。

当形成第一电极231时，可以在第二外涂层142的顶表面和侧表面上形成虚设第一电极231’。当沉积第一电极231时，可以在第二外涂层142的顶表面和侧表面上沉积虚设第一电极231’。而且，可以通过第二外涂层142的底切结构将虚设第一电极231’与第一电极231分开。

设置在第二外涂层142的侧表面上的虚设第一电极231’可以以30°至60°的角度渐缩，但不限于此。

根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置200是顶部发光型发光显示装置。因此，虚设第一电极231’的反射层可以使从发光元件230发射的光在向上的方向上反射。从发光元件230的发光层232产生的光不仅在向上方向上而且在侧面方向上发射。在侧面方向上发射的光可以行进至发光显示装置200的内部，并且可以通过全反射而被限制在发光显示装置200的内部。此外，光在行进至发光显示装置200的内部时可能会消失。因此，可以将虚设第一电极231’的反射层设置成覆盖第二外涂层142的侧表面。因此，光的行进方向可能会从侧面方向变成向上方向。

第一电极231和虚设第一电极231’可以通过沉积形成而无需执行掩模工艺。

与牺牲层145相反，第一电极231可以形成为在其边缘具有反锥度。

第一电极231的厚度可以被设置为牺牲层145的厚度的92.3％或更小，以使第一电极231与虚设第一电极231’分开。

第一电极231的表面的一部分可以是基本平坦的，但是第一电极231的边缘的一部分可以具有不平坦结构231”。如果第一电极231的边缘的一部分不平坦并且具有不平坦结构231”，则可以提取波导和SP模式。因此，可以有助于提高顶表面的效率。

尽管在附图中未示出，但是在第一电极231和虚设第一电极231’中的每个中可以包括反射层和设置在反射层上的透明导电层。然而，本公开内容不限于此。第一电极231和虚设第一电极231’中的每个可以具有包括透明导电层、反射层和透明导电层的三层结构。

反射层可以设置在连接电极125上。根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置200是顶部发光型发光显示装置。因此，反射层可以使从发光元件230发射的光在向上的方向上反射。

作为第四金属层的反射层可以由诸如铝(Al)、银(Ag)、铜(Cu)、镁银合金等的金属材料形成，但是不限于此。

反射层可以通过连接电极125与漏电极124电连接，但是不限于此。反射层也可以通过连接电极125与源电极123电连接。

作为第五金属层的透明导电层可以设置在反射层上。透明导电层可以设置在反射层上，并通过反射层和连接电极125与漏电极电连接。透明导电层可以由具有高功函数的导电材料形成以向发光层232提供空穴。

例如，透明导电层可以由诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)、锌氧化物(ZnO)和锡氧化物(TO)的透明导电氧化物形成，但不限于此。

然后，参照图10F，可以在第二外涂层142上形成堤层114。

堤层114可以设置在第二外涂层142上，以覆盖整个虚设第一电极231’和第一电极231的边缘的一部分。堤层114可以在第二外涂层142的侧表面的底端处填充底切结构的内部。因此，堤层114可以插入在第一电极231与虚设第一电极231’之间。

堤层114可以覆盖遍及多个子像素SPX的第一电极231的边缘的一部分，以限定发光区EA和非发光区NEA。例如，在非发光区NEA中，堤层114设置在第一电极231上，以阻挡来自非发光区NEA的光的产生。同时，在发光区EA中，未设置堤层114，但是发光层232恰好位于第一电极231上。因此，可以从发光层232产生光。

堤层114可以由有机材料或无机材料形成。

例如，堤层114可以由诸如聚酰亚胺、丙烯酸或苯并环丁烯的有机材料或诸如硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的无机材料形成，但是不限于此。

然后，参照图10G，可以在堤层114上形成发光层232和第二电极233。发光层232和第二电极233可以与第一电极231一起形成发光元件230。

发光层232可以被设置为与遍及多个子像素SPX的第一电极231接触。例如，发光层232可以设置在遍及基板110的整个表面的第一电极231上，但是不限于此。发光层232可以仅在发光区EA中设置在第一电极231上。在这种情况下，发光层232可以被设置成被堤层114包围。

第二电极233可以设置在子像素SPX中的发光层232上。例如，第二电极233被设置成在发光区EA和非发光区NEA中沿着发光层232的形状与发光层232接触，但不限于此。

第二电极233可以将电子提供至发光层232。第二电极233可以由诸如银(Ag)、铜(Cu)、镁银合金等的金属材料形成，但是不限于此。如果第二电极233由金属材料形成，则其具有非常低的折射率。例如，如果第二电极233由银(Ag)形成，则第二电极233可以具有大约0.13的折射率。

然后，可以在第二电极233上形成封装层150。

封装层150可以阻止氧气和水分从外部渗透到发光显示装置200中。

尽管在附图中未示出，但是在封装层150中可以包括第一封装层、第二封装层和第三封装层。

第一封装层可以设置在第二电极233上，以抑制水分或氧气的渗透。

在本文中，第一封装层可以由诸如硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)或铝氧化物(AlyOz)的无机材料形成，但是不限于此。第一封装层可以由具有比第二封装层更高的折射率的材料形成。例如，如果第一封装层由硅氮化物(SiNx)或硅氮氧化物(SiOxNy)形成，则第一封装层的折射率可以为大约1.8。

第二封装层可以设置在第一封装层上以使第一封装层的表面平坦化。此外，第二封装层可以覆盖在制造过程中可能产生的异物或颗粒。第二封装层可以由诸如碳硅氧化物(SiOxCz)或丙烯酸基树脂或环氧基树脂的有机材料形成，但是不限于此。第二封装层可以由具有比第一封装层低的折射率的材料形成。例如，如果第二封装层由丙烯酸基树脂形成，则第二封装层的折射率可以为约1.5至约1.6。

第三封装层可以设置在第二封装层上，并且可以像第一封装层一样抑制水分或氧气的渗透。

例如，第三封装层可以由诸如硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、硅氧化物(SiOx)或铝氧化物(AlyOz)的无机材料形成，但是不限于此。第三封装层可以由与第一封装层相同的材料形成，或者可以由与第一封装层不同的材料形成。

同时，本公开内容的发光显示装置也可以应用于在封装层上添加触摸单元的情况。将参考本公开内容的又一示例性实施方式对此进行详细描述。

图11是根据本公开内容的又一示例性实施方式的发光显示装置的平面图。

图12是沿着图11的线XII-XII’截取的发光显示装置的截面图。

除了触摸单元460之外，图11和图12所示的发光显示装置400与图4所示的发光显示装置200基本相同。因此，将省略其冗余描述。为了便于说明，图11仅示出了多个子像素SPX和触摸线464。

参照图11和图12，触摸单元460可以设置在封装层150上。触摸单元460可以设置在包括发光元件230的有源区A/A中以感测触摸输入。触摸单元460可以感测由用户的手指或触摸笔提供的外部触摸信息。触摸单元460可以包括第一无机绝缘层461、第二无机绝缘层462、触摸线464和触摸电极465。

第一无机绝缘层461设置在封装层150上。

第一无机绝缘层461可以设置在封装层150的第三封装层上并与之接触。第一无机绝缘层461可以由无机材料形成。例如，第一无机绝缘层461可以由诸如硅氮化物(SiNx)或硅氮氧化物(SiOxNy)的无机材料形成。例如，如果第一无机绝缘层461由硅氮化物(SiNx)形成，则第一无机绝缘层461的折射率可以为大约1.8。

触摸线464可以设置在第一无机绝缘层461上。

触摸线464可以设置在非发光区NEA中的第一无机绝缘层461上。触摸线464可以沿行方向或沿列方向设置。触摸线464提供用于驱动触摸单元460的触摸驱动信号。此外，触摸线464可以将由触摸单元460感测到的触摸信息发送至驱动IC。

第二无机绝缘层462可以设置在触摸线464和第一无机绝缘层461上。第二无机绝缘层462可以设置在第一无机绝缘层461和触摸线464上以使其顶表面平坦化。

第二无机绝缘层462用于抑制与第二无机绝缘层462相邻设置的触摸线464的短路。第二无机绝缘层462可以由与第一无机绝缘层461相同的材料形成。例如，第二无机绝缘层462可以由诸如硅氮化物(SiNx)或硅氮氧化物(SiOxNy)的无机材料形成。例如，如果第二无机绝缘层462由硅氮化物(SiNx)形成，则第二无机绝缘层462的折射率可以为大约1.8。如果第二无机绝缘层462具有与第一无机绝缘层461相同的折射率，则第二无机绝缘层462的材料不限于此。

触摸电极465可以设置在触摸线464和第二无机绝缘层462上。

触摸电极465可以沿行方向或沿列方向设置。例如，可以将在行方向和列方向中的任一个上设置的触摸电极465设置在触摸线464上。此外，可以将在行方向和列方向中的另一个上设置的触摸电极465设置在第二无机绝缘层462上。在列方向上设置的触摸电极465和在行方向上设置的触摸电极465可以通过桥接电极彼此连接以形成网状结构。图12示出了触摸电极465设置在发光区EA中。然而，触摸电极465可以不设置在发光区EA中，但是不限于此。

本公开内容的示例性实施方式还可以被描述如下：

根据本公开内容的一方面，一种发光显示装置包括由多个子像素限定的基板和设置在该基板上的第一外涂层。发光显示装置还包括设置在第一外涂层上的连接电极和牺牲层以及设置在连接电极上的第一电极。发光显示装置还包括第二外涂层，其设置在牺牲层上并且包括使第一电极的一部分露出的开口。发光显示装置还包括设置在第二外涂层的顶表面和开口的侧表面上并与第一电极分开的虚设第一电极。发光显示装置还包括覆盖虚设第一电极和第一电极的一部分的堤层，以及设置在第一电极和堤层上的发光层和第二电极。

连接电极可以与薄膜晶体管的漏电极电连接。

通过从第二外涂层的侧表面到内部去除牺牲层，第二外涂层可以在侧表面的底端处具有底切结构。

第一电极也可以设置在底切结构内部。

底切结构内部的第一电极可以在表面上具有不平坦结构。

除了第一电极的不平坦结构之外，第二外涂层可以使第一电极的整个表面露出。

第二外涂层的使第一电极露出的侧表面以30°至60°的角度渐缩。

堤层填充底切结构的内部。

从第二外涂层的侧表面的端部到牺牲层的端部的距离可以在0.8μm至1.3μm的范围内。

第一电极的厚度可以是牺牲层的厚度的92.3％或更小。

牺牲层可以在其边缘处具有正锥度，并且牺牲层可以设置在第一外涂层上以覆盖连接电极的边缘。

第一电极可以设置成与牺牲层的侧表面接触并且设置在可以不被牺牲层覆盖并且其表面露出的连接电极上。

堤层可以设置在第二外涂层上，以覆盖整个虚设第一电极和第一电极的边缘的一部分。

发光层可以仅设置在开口内部的第一电极上。

发光显示装置还可以包括设置在第二电极上的封装层；以及在封装层上的触摸单元。

触摸单元可以包括在封装层上的第一无机绝缘层；在第一无机绝缘层上的第二无机绝缘层；和设置在第一无机绝缘层或第二无机绝缘层上的触摸线和触摸电极。

根据本公开内容的另一方面，一种制造发光显示装置的方法包括在其上已提供薄膜晶体管的基板上制备第一外涂层。该方法还包括在第一外涂层上制备连接电极，并在其上已提供连接电极和第一外涂层的基板的整个表面上制备绝缘层。该方法还包括在绝缘层上制备包括开口的第二外涂层。该方法还包括通过使用第二外涂层作为掩模蚀刻绝缘层，在第二外涂层的侧表面的底部处制作底切结构。该方法还包括在连接电极上以及底切结构内部制备第一电极，并同时在第二外涂层的顶表面和侧表面上制备虚设第一电极。该方法还包括制备覆盖虚设第一电极和第一电极的一部分的堤层，以及在第一电极和堤层上制备发光层和第二电极。第一电极可以通过底切结构与虚设第一电极分开。

第一电极和虚设第一电极通过沉积而无需执行掩模工艺来制备。

底切结构内部的第一电极可以在表面上具有不平坦结构。

第一电极的厚度可以为绝缘层的厚度的92.3％或更小。

通过使用第二外涂层作为掩模的湿法蚀刻，通过从第二外涂层的侧表面到内部去除绝缘层，可以在第二外涂层的侧表面的底部处制作底切结构。

尽管已经参考附图详细描述了本公开内容的示例性实施方式，但是本公开内容不限于此，并且在不脱离本公开内容的技术构思的情况下，可以以许多不同的形式实施本公开内容。因此，仅出于说明性目的提供本公开内容的示例性实施方式，而不旨在限制本公开内容的技术构思。本公开内容的技术构思的范围不限于此。因此，应当理解，上述示例性实施方式在所有方面都是说明性的，并且不限制本公开内容。本公开内容的保护范围应基于所附权利要求来解释，并且在其等同范围内的所有技术构思应被解释为落入本公开内容的范围内。