像素驱动电路及显示面板

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素驱动电路及显示面板。

背景技术

相关技术中，为了改善驱动晶体管的驱动电流过大，导致黑态下OLED无法关断，黑态实现困难的技术问题，使驱动晶体管工作在亚阈值区域，从而降低驱动电流。然而，由于驱动晶体管工作在亚阈值区域，驱动电流将会受到OLED阳极电压的影响，而OLED阳极电压又会随使用寿命而变化，从而导致OLED的亮度随寿命增加而降低得更加明显。

发明内容

本发明的实施例提供一种像素驱动电路及显示面板，以解决相关技术中的驱动晶体管工作在亚阈值区域，驱动电流将会受到OLED阳极电压的影响，而OLED阳极电压又会随使用寿命而变化，从而导致OLED的亮度随寿命增加而降低得更加明显的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

第一方面，本发明提供一种像素驱动电路，包括：

驱动晶体管，所述驱动晶体管的源极或漏极中的一个与发光器件电性连接；

隔离晶体管，所述隔离晶体管的源极或漏极中的一个与所述驱动晶体管的源极或漏极中的一个电性连接，所述隔离晶体管的源极或漏极中的另一个与所述发光器件电性连接；

电流灌注模块，所述电流灌注模块被配置为向所述隔离晶体管的源极或漏极中的一个注入第一电流；

电流抽取模块，所述电流抽取模块被配置为从所述隔离晶体管的源极或漏极中的另一个抽取与所述第一电流等量的电流；

其中，所述第一电流使所述隔离晶体管工作在饱和区。

在一实施例中，所述电流灌注模块包括：

第一镜像晶体管，所述第一镜像晶体管的源极或漏极中的一个与第一电源信号线电性连接，所述第一镜像晶体管的源极或漏极中的另一个被配置为输出第一电流，所述第一镜像晶体管的栅极与所述第一镜像晶体管的源极或漏极中的另一个电性连接；

第二镜像晶体管，所述第二镜像晶体管的源极或漏极中的一个与所述第一电源信号线电性连接，所述第二镜像晶体管的源极或漏极中的另一个与所述隔离晶体管的源极或漏极中的一个电性连接，所述第二镜像晶体管的栅极与所述第一镜像晶体管的栅极电性连接。

在一实施例中，所述电流抽取模块包括：

第三镜像晶体管，所述第三镜像晶体管的源极或漏极中的一个与所述第一电源信号线电性连接，所述第三镜像晶体管的栅极被配置为控制所述第三镜像晶体管输出所述第一电流；

第四镜像晶体管，所述第四镜像晶体管的源极或漏极中的一个与所述第三镜像晶体管的源极或漏极中的另一个电性连接，所述第四镜像晶体管的源极或漏极中的另一个与第二电源信号线电性连接，所述第四镜像晶体管的栅极与所述第四镜像晶体管的源极或漏极中的一个电性连接；

第五镜像晶体管，所述第五镜像晶体管的源极或漏极中的一个与所述隔离晶体管的源极或漏极中的另一个电性连接，所述第五镜像晶体管的源极或漏极中的另一个与所述第二电源信号线电性连接，所述第五镜像晶体管的栅极与所述第四镜像晶体管的栅极电性连接。

在一实施例中，所述第三镜像晶体管的栅极与所述第一镜像晶体管的栅极电性连接。

在一实施例中，所述驱动电路还包括：

参考电流模块，所述参考电流模块与所述第一镜像晶体管的源极或漏极中的另一个电性连接，所述参考电流模块被配置为控制所述第一电流的大小。

在一实施例中，所述参考电流模块包括恒流源，所述恒流源的输入端与所述第一镜像晶体管的源极或漏极中的另一个电性连接，所述恒流源的输出端与第二电源信号线电性连接。

在一实施例中，所述参考电流模块包括参考晶体管，所述参考晶体管的源极或漏极中的一个与所述第一镜像晶体管的源极或漏极中的另一个电性连接，所述参考晶体管的源极或漏极中的另一个与第二电源信号线电性连接，所述参考晶体管的栅极与参考控制信号线电性连接。

在一实施例中，所述像素驱动电路包括驱动芯片，所述驱动芯片被配置为生成数据电压以及向所述第一镜像晶体管的源极或漏极中的另一个输出所述第一电流。

在一实施例中，所述驱动晶体管向所述发光器件提供驱动电流，所述第一电流大于所述驱动电流。

在一实施例中，所述电流灌注模块在发光阶段向所述隔离晶体管的源极或漏极中的一个注入第一电流；

所述电流抽取模块在所述发光阶段从所述隔离晶体管的源极或漏极中的另一个抽取所述第一电流等量的电流。

在一实施例中，所述发光器件的阳极电性连接所述驱动晶体管的源极和漏极中的另一个，所述发光器件的阴极电性连接第二电源信号线，所述隔离晶体管的栅极电性连接所述第二电源信号线。

第二方面，本申请实施例还提供一种显示面板，所述显示面板包括如上任一项实施例所述的像素驱动电路。

本发明的有益效果为：通过在驱动晶体管与发光器件之间设置隔离晶体管，并通过电流灌注模块注入第一电流使隔离晶体管工作在饱和区，从而使隔离晶体管的漏极电压不受发光器件的阳极的影响，进而使得驱动晶体管的漏极电压不受阳极电压影响，最终保证驱动电流不受阳极电压影响；同时，通过电流抽取模块在隔离晶体管的漏极抽取与第一电流等量的电流，使最终流经发光器件的电流不变，即驱动发光器件发光的的电流大小仍为驱动电流的大小，从而在使驱动晶体管的漏极电压不受阳极电压影响同时，保证了发光器件的亮度不变。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

附图1为本发明的相关技术中的像素驱动电路的结构示意图；

附图2为图1所示像素驱动电路的时序图；

附图3为本发明的一实施例中的像素驱动电路的结构示意图；

附图4为本发明的一实施例中的像素驱动电路的结构示意图；

附图5为图4所示像素驱动电流的时序图；

图6为本发明一实施例中的显示面板的电路结构示意图；

图7为本发明一实施例的像素驱动电路与相关技术中的像素驱动电路的驱动晶体管的漏极电压随时间变化率。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

相关技术中，像素驱动电路包括硅基像素驱动电路和玻璃基像素驱动电路。其中硅基像素驱动电路中的MOS管与玻璃基像素驱动电路中的TFT管在特性上有许多差异，主要表现为MOS管具有更高的迁移率，更小的电压范围和更快的开关速度等方面。因此，玻璃基像素驱动电路中的电路结构不一定适用于硅基像素驱动电路。如玻璃基像素驱动电路中的7T1C(7个TFT、一个电容)电路，其应用于硅基像素驱动电路时存在驱动电流过大，黑态下OLED无法关断的问题。

请参阅图1和图2，图1为相关技术中硅基像素驱动电路的结构示意图，图2图1所示像素电路的时序示意图。

该像素驱动电路采用4T2C结构，即包括四个开关晶体管和两个电容。两个电容串联在第一电源信号线和驱动晶体管M1的栅极之间，且两个电容的中间节点与驱动晶体管M1的源极电连接。通过设置两个电容，对驱动晶体管M1的栅极进行分压，从而降低了驱动晶体管M1的栅源极之间的压差，进而降低驱动电流，避免了驱动电流过大，黑态下OLED无法关断的问题。

具体的，图1所示像素电路的工作过程如下：

1、t1阶段

控制信号DS处于低电平，发光控制晶体管M3导通，第一电源信号VDD写入驱动晶体管M1的源极；扫描信号WS处于低电平，数据写入晶体管M2导通，数据信号Data写入驱动晶体管M1的栅极；初始化控制信号AZ有效，初始化晶体管M4导通，初始化信号VI对发光器件D的阳极进行复位。需要注意的是，此时数据信号Data提供复位电压V

2、t2阶段

发光控制信号DS继续处于低电平，发光控制晶体管M3导通，驱动晶体管M1的源极仍为第一电源信号VDD；扫描信号WS继续处于低电平，数据写入晶体管M2导通，数据信号Data继续写入驱动晶体管M1的栅极；初始化控制信号AZ有效，第一初始化信号VI对发光器件D的阳极进行复位。需要注意的是，此时数据信号Data提供补偿电压V

3、t3阶段

发光控制信号DS、扫描信号WS处于高电平，数据写入晶体管M2、发光控制晶体管M3关断，驱动晶体管M1的源极和栅极均悬浮；但由于上一阶段|V

4、t4阶段

扫描信号WS低电平，数据写入晶体管M2导通，数据信号Data写入驱动晶体管M1的栅极。需要注意的是，此时数据信号Data提供数据电压V

5、t5阶段

发光控制信号DS低电平，控制晶体管M3导通，第一电源信号VDD写入驱动晶体管M1的源极和漏极；扫描信号WS和初始化控制信号AZ高电平，发光器件D发光；此时，驱动晶体管M1的源极电压V

由上可知，引入第一电容C1和第二电容C2，既补偿了阈值电压V

有鉴于上述驱动晶体管M1工作在亚阈值区域，驱动电流将会受到OLED阳极电压的影响的技术问题。本发明提供一种像素驱动电路，请参阅图3。如图所示，该像素驱动电路包括驱动晶体管M1、隔离晶体管M5、电流灌注模块以及电流抽取模块。驱动晶体管M1的源极或漏极中的一个与发光器件D电性连接，驱动晶体管M1的源极或漏极中的另一个与第一电源信号线电连接。隔离晶体管M5的源极或漏极中的一个与驱动晶体管M1的源极或漏极中的一个电连接，隔离晶体管M5的源极或漏极中的另一个与发光器件电性连接。电流灌注模块被配置为向隔离晶体管M5的源极或漏极中的一个注入第一电流I1，第一电流I1使隔离晶体管M5工作在饱和区。电流抽取模块被配置为从隔离晶体管M5的源极或漏极中的另一个抽取与第一电流I1等量的第二电流I2。

可以理解的，本实施例中，通过在驱动晶体管M1与发光器件之间设置隔离晶体管M5，并通过电流灌注模块注入第一电流I1使隔离晶体管M5工作在饱和区，从而使隔离晶体管M5的漏极电压不受发光器件D的阳极的影响，进而使得驱动晶体管M1的漏极电压不受发光阳极电压额影响，最终保证驱动电流I不受阳极电压影响；同时，通过电流抽取模块在隔离晶体管M5的漏极抽取与第一电流I1等量的第二电流I2，使最终流经发光器件D的电流不变，即驱动发光器件发光的的电流大小仍为驱动电流I的大小，从而在使驱动晶体管M1的漏极电压不受阳极电压影响同时，保证了发光器件D的亮度不变。

请参考图7，图7为本实施例像素驱动电流与相关技术中的像素驱动电路的驱动晶体管M1的漏极电压随时间的变化率。图7中上侧曲线代表相关技术中的驱动晶体管，下侧曲线代表本实施例中的驱动晶体管M1。可以看出，本实施例中的像素驱动电路中的驱动晶体管M1的漏极电压随时间的变化率远低于相关技术中的像素驱动电路的驱动晶体管的漏极电压随时间的变化率。

在其中一实施例中，如图3、图4所示，电流灌注模块包括第一镜像晶体管M7和第二镜像晶体管M6。第一镜像晶体管M7的源极或漏极中的一个与第一电源信号线电性连接，第一镜像晶体管M7的源极或漏极中的另一个被配置为输出第一电流I1，第一镜像晶体管M7的栅极与第一镜像晶体管M7的源极或漏极中的另一个电性连接。第二镜像晶体管M6的源极或漏极中的一个与第一电源信号线电性连接，第二镜像晶体管M6的源极或漏极中的另一个与隔离晶体管M5的源极或漏极中的一个电性连接，第二镜像晶体管M6的栅极与第一镜像晶体管M7的栅极电性连接。

可以理解的是，由于第一镜像晶体管M7的栅极和第二镜像晶体管M6的栅极电性连接，第一镜像晶体管M7的栅极与第一镜像晶体管M7的源极或漏极中的另一个电性连接，故第一镜像晶体管M7和第二镜像晶体管M6构成电流镜，第一镜像晶体管M7输出的电流与第二镜像晶体管M6的电流相同。因此，通过控制第一镜像晶体管M7的输出电流，即可控制第二镜像晶体管M6输出至隔离晶体管M5的源极或漏极中的电流。如通过下述实施例中的参考电流模块控制第一镜像晶体管M7的输出电流，即可控制第二镜像晶体管M6输出至隔离晶体管M5的源极或漏极中的电流。故将第一镜像晶体管M7和第二镜像晶体管M6构造成电流镜，可通过调控第一镜像晶体管M7的输出电流精确调控第二镜像晶体管M6注入隔离晶体管M5的第一电流I1。

需要进行说明的是，该第一电流I1应使隔离晶体管M5工作在饱和区。如在一些实施例中，第一电流I1本身即可使隔离晶体管M5工作在饱和区。或在另一些实施例中，第一电流I1和驱动电流I共同使隔离晶体管M5工作在饱和区。总之，本实施例揭示的技术构思为通过设置第一电流I1使隔离晶体管M5工作在饱和区，从而使驱动晶体管M1的源极或漏极中的一个的电压不受发光器件阳极电压的影响，在该构思下本领域技术人员能够根据需求做出各种变例，在此不一一列举。

在其中一实施例中，如图3、图4所示，电流抽取模块包括第三镜像晶体管M8、第四镜像晶体管M9以及第五镜像晶体管M10。第三镜像晶体管M8的源极或漏极中的一个与第一电源信号线电性连接，第三镜像晶体管M8的栅极被配置为控制第三镜像晶体管M8输出与第一电流I1等大的电流。

在其中一实施例中，第三镜像晶体管M8的栅极与第一镜像晶体管M7的栅极电性连接。

可以理解的是，由于第三镜像晶体管M8的栅极与第一镜像晶体管M7的栅极电性连接，第三镜像晶体管M8与第一镜像晶体管M7之间也构成电流镜。故第二镜像晶体管M6和第三镜像晶体管M8分别与第一镜像晶体管M7构成电流镜，第二镜像晶体管M6和第三镜像晶体管M8均输出与第一镜像晶体管M7相同的电流。因而，电流抽取模块能够精确的获取电流灌注模块注入至隔离晶体管M5的第一电流I1，从而确定需要从隔离晶体管M5所抽取的电流。在其他实施例中，第三镜像晶体管M8的栅极还可与其他控制信号线连接，以在控制信号的作用下输出与第一电流I1等量的第二电流I2。

第四镜像晶体管M9的源极或漏极中的一个与第三镜像晶体管M8的源极或漏极中的另一个电性连接，第四镜像晶体管M9的源极或漏极中的另一个与第二电源信号线电性连接，第四镜像晶体管M9的栅极与第四镜像晶体管M9的源极或漏极中的一个电性连接。第五镜像晶体管M10的源极或漏极中的一个与隔离晶体管M5的源极或漏极中的另一个电性连接，第五镜像晶体管M10的源极或漏极中的另一个与第二电源信号线电性连接，第五镜像晶体管M10的栅极与第四镜像晶体管M9的栅极电性连接。

可以理解的是，第四镜像晶体管M9与第三镜像晶体管M8串联，即第三镜像晶体管M8的输出电流作为第四镜像晶体管M9的输入电流，故第四镜像晶体管M9的输入电流大小与第一电流I1大小相同。第四镜像晶体管M9与第五镜像晶体管M10也构成电流镜，第五镜像晶体管M10的源极或漏极中的一个与隔离晶体管M5的源极或漏极中的另一个电性连接，故第五镜像晶体管M10将从隔离晶体管M5的源极或漏极中的另一个抽取出与第一电流I1等量的第二电流I2。

可以理解的是，电流灌注模块向隔离晶体管M5的源极或漏极中的一个注入了第一电流I1，使隔离晶体管M5工作在饱和区，从而隔离晶体管M5的漏极电压不受发光器件的阳极的影响，进而使得驱动晶体管M1的漏极电压不受发光器件的阳极电压的影响，保证了驱动电流的稳定性。电流抽取模块从隔离晶体管M5的源极或漏极中的另一个抽取了与第一电流I1等量的第二电流I2，使得驱动发光器件D发光的电流仍为与驱动电流I大小相同的电流，从而保证了发光器件D的亮度不受注入的第一电流I1的影响。故本实施例的像素驱动电路，既能使驱动晶体管M1的漏极电压不受发光器件的阳极电压影响，又能保证发光器件的亮度不受影响。

在其中一实施例中，像素驱动电路还包括参考电流模块，参考电流模块与第一镜像晶体管M7的源极或漏极中的另一个电性连接，参考电流模块被配置为控制第一电流I1的大小。

可以理解的，通过参考电流模块向第一镜像晶体管M7的源极或漏极中的一个连接，可以控制第一镜像晶体管M7输出的第一电流I1的大小，从而使得电流灌注模块注入的第一电流I1能够使隔离晶体管M5工作在饱和区。

在其中一个实施例中，像素驱动电路还包括发光器件D、发光控制晶体管M3、数据写入晶体管M2、初始化晶体管M4、第一电容C1以及第二电容C2。发光控制晶体管M3的源极或漏极中的一个与第一电源信号线电性连接，发光控制晶体管M3的源极或漏极中的另一个与驱动晶体管M1的源极或漏极中的一个电性连接，发光控制晶体管M3的栅极电性连接发光控制信号线。数据写入晶体管M2的源极或漏极中的一个与数据信号Data线电性连接，数据写入晶体管M2的源极或漏极中的另一个与驱动晶体管M1的栅极电性连接，数据写入晶体管M2的栅极与扫描信号线电性连接。初始化晶体管M4的源极或漏极中的一个与发光器件的阳极电性连接，初始化晶体管M4的源极或漏极中的另一个与初始化信号线电性连接，初始化晶体管M4的栅极与初始化控制信号线电性连接。第一电容C1的一端与驱动晶体管M1的栅极电性连接，第一电容C1的另一端与驱动晶体管M1的源极电性连接。第二电容C2的一端与第一电源信号线电性连接，第二电容C2的另一端与驱动晶体管M1的源极电性连接。发光器件的阳极电性连接驱动晶体管M1的源极和漏极中的另一个，发光器件D的阴极电性连接第二电源信号线，隔离晶体管M5的栅极电性连接第二电源信号线。

需要说明的是，第一电源信号线提供第一电源信号VDD，第一电源信号VDD具有第一电源电压V

需要说明的是，数据信号Data线还可复用为其他信号线，如复位信号线。故数据信号Data在像素驱动电路的不同工作阶段具有不同的电压，如数据信号Data包括数据电压V

图4所示的像素驱动电路的工作过程如图5所示，其包括以下阶段：

1、t1阶段

发光控制信号DS处于低电平，发光控制晶体管M3导通，第一电源信号VDD写入驱动晶体管M1的源极；扫描信号WS处于低电平，数据写入晶体管M2导通，数据信号Data写入驱动晶体管M1的栅极；初始化控制信号AZ有效，初始化晶体管M4导通，初始化信号VI对发光器件D1的阳极进行复位。需要注意的是，此时数据信号Data提供复位电压V

2、t2阶段

发光控制信号DS继续处于低电平，发光控制晶体管M3导通，驱动晶体管M1的源极仍为第一电源信号VDD；扫描信号WS继续处于低电平，数据写入晶体管M2导通，数据信号Data继续写入驱动晶体管M1的栅极；初始化控制信号AZ有效，第一初始化信号V1对发光器件D1的阳极进行复位。需要注意的是，此时数据信号Data提供补偿电压V

3、t3阶段

发光控制信号DS、扫描信号WS处于高电平，数据写入晶体管M2、发光控制晶体管M3关断，驱动晶体管M1的源极和栅极均悬浮；但由于上一阶段|V

4、t4阶段

扫描信号WS低电平，数据写入晶体管M2导通，数据信号Data写入驱动晶体管M1的栅极。需要注意的是，此时数据信号Data提供数据电压V

5、t5阶段

发光控制信号DS低电平，控制晶体管M3导通，第一电源信号VDD写入驱动晶体管M1的源极和漏极；扫描信号WS和初始化控制信号AZ高电平，发光器件D发光；此时，驱动晶体管M1的源极电压V

与图1所示像素驱动电路不同的是，在t5阶段(发光阶段)，参考电流模块控制第一镜像晶体管M7输出的电流满足使隔离晶体管M5工作在饱和区的要求。第二镜像晶体管M6输出第一电流I1至隔离晶体管M5的源极或漏极中的一个，使隔离晶体管M5工作在饱和区。与此同时，第三镜像晶体管M8也复刻第一镜像晶体管M7的电流，输出与第一电流I1等量的电流至第四镜像晶体管M9。而第五镜像晶体管M10又复刻第四镜像晶体管M9的电流，从而第五镜像晶体管M10从隔离晶体管M5的源极或漏极中的另一个抽取与第一电流I1等量的第二电流I2，保证了流经发光器件的电流在大小上与驱动电流相同，进而保证了注入电流前后的发光器件的亮度相同。

在其中一实施例中，参考电流模块可采用包括恒流源的部件构成，恒流源的输入端与第一镜像晶体管M7的源极或漏极中的另一个电性连接，恒流源的输出端与第二电源信号线电性连接。

可以理解的是，恒流源能提供稳定的电流，在确认使隔离晶体管M5工作在饱和区的电流之后，即可通过恒流源稳定精确的输出该电流。

在其中一实施例中，参考电流模块可采用包括参考晶体管的部件构成。参考晶体管的源极或漏极中的一个与第一镜像晶体管M7的源极或漏极中的另一个电性连接，参考晶体管的源极或漏极中的另一个与第二电源信号线电性连接，参考晶体管的栅极与参考控制信号线电性连接。

可以理解的是，通过调整参考控制信号线传输的参考信号来控制参考晶体管的开启程度，即可控制参考晶体管的输出电流大小，进而控制第一镜像晶体管M7的输出电流的大小。

在其中一实施例中，像素驱动电路包括驱动芯片，驱动芯片具有多个输出端，每一输出端连接一列子像素，以为该列子像素提供数据电压。驱动芯片还包括带隙基准电流源，带隙基准电流源与第一镜像晶体管M7的源极或漏极中的另一个电性连接，向第一镜像晶体管M7的源极或漏极中的另一个输出第一电流。

可以理解的是，此种设置可利用像素驱动电路中原有结构，而无需新增其他部件作为电流源，节省了材料即部件空间。

在其中一实施例中，驱动晶体管M1工作在亚阈值区域，第一电流I1大于驱动晶体管M1向发光器件提供的驱动电流I。

在其中一实施例中，电流灌注模块在发光阶段向隔离晶体管M5的源极或漏极中的一个注入第一电流I1，电流抽取模块在发光阶段从隔离晶体管M5的源极或漏极中的另一个抽取第一电流I1等量的第二电流I2。

本申请实施例还提供一种显示面板，显示面板包括如上任一项实施例的像素驱动电路。

如图6所示为本申请显示面板的电路驱动示意图，显示面板包括呈行列设置的多个子像素，每一子像素对应有如上述实施例的一像素(驱动)电路。在子像素的周围设置有信号输出模块和扫描信号模块。信号输出模块具有多个输出端，每一输出端与一列子像素连接，以为该列子像素提供数据信号Data。具体的，信号输出模块与子像素对应的像素驱动电路中的数据写入晶体管M2连接。信号扫描模块具有多个输出端，每一输出端与一行子像素连接，以为该列子像素输出多个控制信号。具体的，扫描信号模块可提供扫描信号WS、发光控制信号DS、初始化控制信号AZ。在一些实施例中，信号扫描模块还可提供第一电源信号VDD和第二电源信号VSS。

该显示面板还包括电流灌注模块和电流抽取模块。具体的，每一列子像素包括电流灌注模块、电流抽取模块以及参考电流模块，同列子像素的像素驱动电路共用电流灌注模块、电路电流抽取模块和参考电流模块。如第一列子像素设有对应的一电流灌注模块、一电流抽取模块以及一参考电流模块，第一列子像素的像素驱动电路中的隔离晶体管M5的源极或漏极中的一个均连接至该电流灌注模块，像素驱动电路中的隔离晶体管M5的源极或漏极中的另一个均连接至该电流抽取模块，该电流灌注模块和该电流抽取模块均由该电流参考模块提供参考电流。可以理解的是，在另一些实施例中，每一行子像素包括电流灌注模块、电流抽取模块以及参考电流模块，同行子像素的像素驱动电路共用电流灌注模块、电路电流抽取模块和参考电流模块。

需要注意的是，上述步骤中并没有限定各步骤的顺序，各个步骤的实施可参考上述实施例中的像素驱动电路的工作阶段。

综上，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。