基板处理系统和基板处理方法

技术领域

本公开涉及一种基板处理系统和基板处理方法。

背景技术

专利文献1所记载的基板处理装置具备调整液供给部、溶解部、处理腔室以及送液部。调整液供给部供给呈规定的氢离子浓度的调整液。溶解部使臭氧气体溶解于调整液来生成臭氧水。在处理腔室中，利用臭氧水对基板进行清洗处理。送液部通过送液线路将臭氧水从溶解部输送到至少一个处理腔室。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2020/100661号

发明内容

发明要解决的问题

本公开的一个方式提供一种提高利用臭氧水对基板进行处理的处理效率并且提高被利用臭氧水进行了处理的基板的清洁度的技术。

用于解决问题的方案

本公开的一个方式所涉及的基板处理系统具备批量处理部、单片处理部以及搬送部。所述批量处理部通过将多张基板浸在贮存于处理槽的臭氧水中，来对多张所述基板一并进行处理。所述单片处理部利用药液对所述基板逐张地进行处理。所述搬送部将所述基板保持湿润的状态从所述批量处理部搬送到所述单片处理部。

发明的效果

根据本公开的一个方式，能够提高利用臭氧水对基板进行处理的处理效率并且提高被利用臭氧水进行了处理的基板的清洁度。

附图说明

图1是示出一个实施方式所涉及的基板处理系统的俯视图。

图2是示出一个实施方式所涉及的基板处理方法的流程图。

图3是示出对处理槽供给臭氧水的供给部的一例的图。

图4是示出对处理槽供给臭氧水的供给部的另一例的图。

图5是示出批量式的液处理装置的一例的截面图。

图6是沿着图5的VI-VI线的截面图。

图7是示出喷气喷嘴的喷出口与基板的配置例的俯视图。

图8是通过功能块示出控制装置的构成要素的一例的图。

图9是示出批量处理的一例的流程图。

图10是示出图9的S209的一例的截面图。

图11是示出图9的S210的一例的截面图。

图12是示出批量处理的另一例的流程图。

具体实施方式

下面，参照附图来说明本公开的实施方式。此外，在各附图中，对相同或对应的结构标注相同的附图标记，并且有时省略说明。

一般来说，在使光致抗蚀剂灰化后所残留的残渣的去除中使用SPM(硫酸和过氧化氢的水溶液)。由于SPM包含硫酸，因此SPM的排液成本高。因此，研究使用臭氧水来替代SPM。如专利文献1所记载的那样，在利用臭氧水对基板逐张地进行处理的情况下，与利用SPM对基板逐张地进行处理的情况相比，生产率下降。

在本公开的技术中，通过将多张基板浸在臭氧水中来对多张基板一并进行处理，来提高生产率，在后文中叙述详情。将对多张基板一并进行处理还称作批量处理，将对基板逐张地进行处理还称作单片处理。批量处理与单片处理相比，生产率提高，但另一方面，基板容易残留脏污。

因此，在本公开的技术中，接下来将基板保持湿润的状态从批量处理部搬送到单片处理部。这是因为，当基板干燥时，脏污牢固地附着于基板。如果将基板保持湿润的状态搬送，则能够抑制脏污牢固地附着于基板。另外，在本公开的技术中，在单片处理部中利用药液对基板逐张地进行处理来去除残留于基板的脏污。通过利用药液对基板逐张地进行处理，能够抑制二次污染。因此，能够提高被利用臭氧水进行了批量处理的基板的清洁度。

臭氧水只要使基板的脏污变性为容易溶解于药液的程度即可。作为药液，没有特别限定，例如使用SC1(氢氧化铵和过氧化氢的水溶液)等碱性溶液。例如，臭氧水使抗蚀剂残渣氧化来进行低分子量化。另一方面，碱性溶液使低分子量化后的抗蚀剂残渣溶解来将其去除。此外，本公开的技术也可以应用于除抗蚀剂残渣去除以外的处理中。

接着，参照图1来说明一个实施方式所涉及的基板处理系统。基板处理系统1具有搬入搬出部2、单片处理部3、接口部5、批量处理部6以及控制部9。搬入搬出部2具有用于载置盒C的载置台21。在盒C中收容多张(例如25张)基板W，相对于搬入搬出部2搬入和搬出该盒C。在盒C的内部，基板W被水平地保持。单片处理部3对基板W逐张地进行处理。接口部5在单片处理部3与批量处理部6之间交接基板W。批量处理部6对多张(例如50张或100张)基板W一并进行处理。

搬入搬出部2、单片处理部3、接口部5以及批量处理部6按照所记载的顺序从X轴负方向侧朝向X轴正方向侧排列。搬入搬出部2具有载置台21，载置台21具有多个载置板22。在各载置板22载置盒C。此外，对于载置板22的数量没有特别限定。同样地，对于盒C的数量也没有特别限定。

搬入搬出部2具有第一搬送区域23，第一搬送区域23与载置台21相邻且配置于载置台21的X轴正方向侧。在第一搬送区域23设置有第一搬送装置24。第一搬送装置24具有第一搬送臂，第一搬送臂沿水平方向(X轴方向和Y轴方向)以及铅直方向移动，并绕铅直轴旋转。第一搬送臂在盒C与后述的交接部25之间搬送基板W。第一搬送臂的数量既可以是一个也可以是多个，在后者的情况下，第一搬送装置24一并搬送多张(例如5张)基板W。

搬入搬出部2具有交接部25，交接部25与第一搬送区域23相邻且配置于第一搬送区域23的X轴正方向侧。交接部25具有暂时保管基板W的第一传送装置26。第一传送装置26的数量可以是多个，多个第一传送装置26可以沿铅直方向层叠。

单片处理部3具有第二搬送区域31，第二搬送区域31与交接部25相邻且配置于交接部25的X轴正方向侧。在第二搬送区域31设置有第二搬送装置32。第二搬送装置32具有第二搬送臂，第二搬送臂沿水平方向(X轴方向和Y轴方向)及铅直方向移动，并绕铅直轴旋转。第二搬送臂在与第二搬送区域31相邻的装置彼此之间搬送基板。第二搬送臂的数量既可以是一个也可以是多个，在后者的情况下，第二搬送装置32一并搬送多张(例如5张)基板W。

单片处理部3在第二搬送区域31附近例如具有第二传送装置33和液处理装置34。第二传送装置33与第二搬送区域31相邻且配置于第二搬送区域31的X轴正方向侧。第二传送装置33暂时保管基板W。液处理装置34是单片式，利用药液对基板W逐张地进行处理。

接口部5例如具有基板组形成部51和搬送部52。基板组形成部51将多张基板W以期望的间距排列来形成基板组L。一个基板组L由多张基板W构成。搬送部52从单片处理部3向基板组形成部51搬送基板W，并且从批量处理部6向单片处理部3搬送基板W。

批量处理部6具有第三搬送区域61，第三搬送区域61与接口部5相邻且配置于接口部5的X轴正方向侧。在第三搬送区域61设置有第三搬送装置62。第三搬送装置62具有第三搬送臂，第三搬送臂沿水平方向(X轴方向和Y轴方向)及铅直方向移动，并绕铅直轴旋转。第三搬送臂在与第三搬送区域61相邻的装置彼此之间搬送基板W。第三搬送臂将基板组L一并进行搬送。

第三搬送区域61在俯视时为长方形，其长边方向是X轴方向。在第三搬送区域61的短边附近配置有基板组形成部51，在第三搬送区域61的长边附近配置有处理槽63，在基板组形成部51和处理槽63这两者附近配置有搬送部52。搬送部52能够访问基板组形成部51和处理槽63这两者。

在基板组形成部51和处理槽63中，基板W的排列方向不同。因此，第三搬送装置62一边保持多张基板W一边绕铅直轴旋转，以将基板W的排列方向在X轴方向与Y轴方向之间变更。此外，在不需要变更基板W的排列方向的情况下，第三搬送装置62可以不绕铅直轴旋转。

批量处理部6具有：处理槽63，其贮存臭氧水，基板组L被浸在该臭氧水中；以及基板保持部64，其从第三搬送装置62接受基板组L并保持该基板组L。基板保持部64将多张基板W沿Y轴方向并排地排列，并且将各基板W保持为垂直地立起。批量处理部6具有使基板保持部64进行升降的驱动装置65。

控制部9例如是计算机，具备CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)91以及存储器等存储介质92。在存储介质92中保存有对在基板处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部9通过使CPU 91执行存储介质92中存储的程序来控制基板处理系统1的动作。

接着，参照图2来说明上述基板处理系统1的动作、也就是基板处理方法。图2所示的处理在控制部9的控制下实施。首先，将盒C以收容有多张基板W的状态搬入到搬入搬出部2，并载置于载置板22。

接着，第一搬送装置24取出盒C内的基板W(步骤S101)，并搬送到第一传送装置26。接着，第二搬送装置32从第一传送装置26接受基板W，并搬送到第二传送装置33。之后，搬送部52从第二传送装置33接受基板W，并搬送到基板组形成部51。

接着，基板组形成部51将多张基板W沿X轴方向以所期望的间距并排地排列，来形成基板组L(步骤S102)。一个基板组L例如由N(N为2以上的自然数)个盒C中收容的基板W构成。

接着，第三搬送装置62从基板组形成部51接受基板组L，并传递到基板保持部64。在其中途，第三搬送装置62绕铅直轴旋转，以将多张基板W的排列方向从X轴方向变更为Y轴方向。

接着，驱动装置65使基板保持部64下降来使保持于基板保持部64的基板组L浸在贮存于处理槽63的臭氧水中，来对多张基板W一并进行批量处理(步骤S103)。使多张基板W在浸在臭氧水中之后浸在冲洗液中。冲洗液例如是DIW(去离子水)。之后，驱动装置65使基板保持部64上升，以将保持于基板保持部64的基板组L从贮存于处理槽63的冲洗液中提起。

此外，也可以分开设置积存冲洗液的处理槽63和积存臭氧水的处理槽63。在该情况下，驱动装置65使基板保持部64不仅沿铅直方向进行升降还沿水平方向(例如X轴方向)移动，以在两个处理槽63之间搬送多张基板W。但是，也可以针对每个处理槽63设置基板保持部64和驱动装置65，在该情况下，驱动装置65可以不使基板保持部64沿水平方向移动。

接着，搬送部52从基板保持部64接受基板W，并将基板W保持湿润的状态从批量处理部6搬送到单片处理部3(步骤S104)。此时，搬送部52逐张地搬送基板W，但也可以每次搬送多张基板W。基板W既可以不经由第二传送装置33地搬送到液处理装置34，也可以经由第二传送装置33地搬送到液处理装置34。在后者的情况下，第二搬送装置32可以从第二传送装置33向液处理装置34搬送基板W。

接着，液处理装置34利用药液对基板W逐张地进行单片处理(步骤S105)。作为药液，没有特别限定，例如使用SC1等碱性溶液。液处理装置34例如一边使基板W旋转一边对基板W供给药液。药液以包含基板W的脏污的状态通过离心力被从基板W甩落。

液处理装置34例如按药液、冲洗液、干燥液的顺序对基板W供给这些液体。作为干燥液，例如使用IPA(异丙醇)等有机溶剂。液处理装置34通过使基板W旋转来将附着于基板W的干燥液甩落，从而使基板W干燥。

此外，单片处理部3可以具有超临界干燥装置，在该情况下，基板W以盛有干燥液的状态被搬送到超临界干燥装置。超临界干燥装置使用超临界流体来将基板W干燥。

接着，第二搬送装置32从液处理装置34接受基板W，并搬送到第一传送装置26。接着，第一搬送装置24从第一传送装置26接受基板W，并收纳到盒C内(步骤S105)。将盒C以收容有多张基板W的状态从搬入搬出部2搬出。

如上所述，基板处理系统1在批量处理部6中将多张基板W一并浸在处理槽63中贮存的臭氧水中，并将基板W保持湿润的状态从批量处理部6搬送到单片处理部3，在单片处理部3中利用药液对基板W逐张地进行处理。通过将多张基板W一并浸在臭氧水中，能够提高生产率。之后，通过将基板W保持湿润的状态从批量处理部6搬送到单片处理部3，能够抑制脏污牢固地附着于基板W。并且，之后通过在单片处理部3中利用药液对基板W逐张地进行处理，能够提高被利用臭氧水进行了批量处理的基板W的清洁度。

接着，参照图3来说明对处理槽63供给臭氧水的供给部70的一例。供给部70具备循环路径71和臭氧气体供给部72。循环路径71用于使臭氧水循环。循环路径71的容量比在一次批量处理中使用的臭氧水的量大。臭氧气体供给部72对循环路径71供给臭氧气体。臭氧气体溶解于水而生成臭氧水。水是DIW等，被从液源73供给到循环路径71。在臭氧水在循环路径71中循环的过程中，臭氧气体溶解于臭氧水，使得臭氧水的臭氧浓度逐渐变高。

此外，液源73也可以对循环路径71供给酸性水溶液来替代供给水。酸性水溶液包括有机酸或无机酸。作为有机酸，例如使用柠檬酸、醋酸或碳酸等。作为无机酸，使用盐酸或硝酸等。酸性水溶液对于去除抗蚀剂残渣中包含的金属离子是有效的。

供给部70具备加压装置74、压力计75以及压力控制阀76。加压装置74例如是泵，通过在循环路径71中将臭氧水进行加压来提高臭氧气体的溶解于水的极限量(溶解度)。压力计75测量臭氧水的压力。压力控制阀76控制臭氧水的压力，以使压力计75的测量值成为设定值。

供给部70具备冷却装置77。冷却装置77通过在循环路径71中将臭氧水进行冷却来提高臭氧气体的溶解度。冷却装置77例如包括帕尔贴元件。也可以在循环路径71设置未图示的温度计，冷却装置77将臭氧气体进行冷却，以使温度计的温度成为设定温度。

供给部70具备碳酸气体供给部78。碳酸气体供给部78对循环路径71供给碳酸气体(CO

供给部70具备过滤器79、流量计80以及臭氧浓度计81。过滤器79在循环路径71中收集臭氧水中包含的微粒。流量计80测量在循环路径71中流动的臭氧水的流量。臭氧浓度计81测量在循环路径71中流动的臭氧水的臭氧浓度。

供给部70具备分支路径82和方向切换阀83。分支路径82从循环路径71分支出来，以将在循环路径71中流动的臭氧水供给到处理槽63。方向切换阀83将臭氧水流动的方向在使臭氧水在循环路径71中循环的方向与将臭氧水供给到处理槽63的方向之间切换。

处理槽63例如具备内槽63a和外槽63b。内槽63a用于积存臭氧水。多张基板W被浸在贮存于内槽63a的臭氧水中。外槽63b用于回收从内槽63a溢流出的臭氧水。在处理槽63连接有排出部85。

排出部85将使用完毕的臭氧水排出。排出部85具备排出路径86和排液处理部87。排出路径86与处理槽63连接。排液处理部87包括将臭氧分解为氧的臭氧过滤器。臭氧过滤器具有催化剂或活性碳。排液处理部87包括收集抗蚀剂残渣的网式过滤器。

摄像装置88拍摄贮存于处理槽63(例如内槽63a)的臭氧水。臭氧水的臭氧浓度变得越高，则臭氧水的蓝色变得越浓。如果对由摄像装置88拍摄到的图像进行处理来获取臭氧水的颜色信息，则能够探测臭氧水的臭氧浓度。

使基板W浸在臭氧水中的场所不是循环路径71而是处理槽63。处理槽63与循环路径71相比，臭氧水的压力低，臭氧气体的溶解度低，因此臭氧水的臭氧浓度可能低。如果使用摄像装置88而不使用臭氧浓度计81，则能够在使基板W浸在臭氧水中的场所探测臭氧水的臭氧浓度。

摄像装置88例如以不会被润湿的方式设置于处理槽63的上方，用于拍摄臭氧水的液面。

接着，参照图4来说明对处理槽63供给臭氧水的供给部70的另一例。下面，主要说明图3与图4的差异点。图3所示的循环路径71闭合为无端的环状，与此相对地，图4所示的循环路径71是开放的。处理槽63具有内槽63a和外槽63b，如图4所示，循环路径71将外槽63b与内槽63a连接。循环路径71的一端连接于外槽63b，循环路径71的另一端连接于内槽63a。循环路径71将从外槽63b取出的臭氧水送回到内槽63a。液源73可以如图4所示那样连接于内槽63a和外槽63b中的至少一方，来替代如图3所示那样连接于循环路径71。

接着，参照图5～图7来说明批量式的液处理装置的一例。批量式的液处理装置具备处理槽63、基板保持部64、驱动装置65、喷液喷嘴66以及喷气喷嘴67。

处理槽63贮存臭氧水，多张基板W被一并浸在该臭氧水中。处理槽63也可以贮存冲洗液。也可以在处理槽63设置未图示的超声波产生器。超声波产生器对臭氧水施加超声波振动，来提高利用臭氧水对基板W进行清洗的清洗效率。

基板保持部64将多张基板W沿Y轴方向并排地排列，并且将各基板W保持为垂直地立起。基板保持部64具有多个(例如四个)保持臂64a。各保持臂64a沿着Y轴方向设置，在Y轴方向上以隔开间隔的方式具有多个槽。各基板W被保持在保持臂64a的槽中。

驱动装置65使基板保持部64进行升降。基板保持部64在处理槽63的内部的位置与比处理槽63靠上方的位置之间进行升降。如上所述，驱动装置65也可以使基板保持部64沿水平方向移动。

喷液喷嘴66水平地设置于处理槽63的内部，对处理槽63的内部喷出处理液。喷出的处理液是从供给部70供给的臭氧水或冲洗液。喷液喷嘴66例如沿着Y轴方向设置，在X轴方向上以隔开间隔的方式设置多个喷液喷嘴66。各喷液喷嘴66在Y轴方向上以隔开间隔的方式具有多个喷出口66a。各喷出口66a设置于比浸在处理液中的基板W靠下方的位置。在图5和图6中，各喷出口66a朝向正上方喷出处理液，但也可以朝向斜上方喷出处理液。

喷气喷嘴67水平地设置于处理槽63的内部，对处理槽63的内部喷出气体。喷气喷嘴67例如沿着Y轴方向设置，在X轴方向上以隔开间隔的方式设置多个喷气喷嘴67。各喷气喷嘴67在Y轴方向上以隔开间隔的方式具有多个喷出口67a。各喷出口67a设置于比浸在处理液中的基板W靠下方的位置。在图5和图6中，各喷出口67a朝向正上方喷出处理液，但也可以朝向斜上方喷出处理液。喷气喷嘴67的喷出口67a设置于比喷液喷嘴66的喷出口66a靠下方的位置。

在处理槽63中贮存有臭氧水且基板W被浸在臭氧水中的状态下，喷气喷嘴67喷出气体。气体加快臭氧水的流速，使臭氧水在臭氧水失活前到达抗蚀剂残渣。由此，能够提高抗蚀剂残渣的去除效率。

在处理槽63的内部贮存有臭氧水的情况下，喷气喷嘴67例如喷出氧气或稀有气体。氧气或稀有气体与氮气不同，不与臭氧反应，因此能够抑制臭氧水的失活。

如图7所示，在从上方观察时，各喷气喷嘴67-1、67-2在沿Y轴方向相邻的两张基板W的第一间隙G1或第二间隙G2具有喷出口67a。喷出口67a向正上方喷出气体。基板W不妨碍喷出的气体的上升，因此容易加快臭氧水的流速，容易去除抗蚀剂残渣。

在从上方观察时，第一间隙G1与第二间隙G2在Y轴方向上交替地排列，在X轴方向上交替地设置有仅在第一间隙G1具有喷出口67a的喷气喷嘴67-1以及仅在第二间隙G2具有喷出口67a的喷气喷嘴67-2。能够在第一间隙G1和第二间隙G2这两方大范围且均匀地喷出气体。

如图8所示，控制部9例如具有图像处理部101、浓度计算部102、第一摄像控制部103、第一判断部104、第二摄像控制部105以及第二判断部106。

图像处理部101对由摄像装置88拍摄到的图像进行处理，来获取臭氧水的颜色信息。如果使用摄像装置88，则能够探测与基板W实际接触的臭氧水的臭氧浓度。浓度计算部102基于由图像处理部101获取到的臭氧水的颜色信息，来计算臭氧水的臭氧浓度。此外，也能够不计算臭氧浓度，将颜色信息本身用作表示臭氧浓度的指标。

在将臭氧水积存于处理槽63之后且将多张基板W浸在臭氧水中之前，第一摄像控制部103通过摄像装置88来拍摄臭氧水。第一判断部104基于由图像处理部101获取到的臭氧水的颜色信息，来判断是否将基板W浸在臭氧水中。将基板W浸在颜色信息、或者根据颜色信息计算出的臭氧浓度处于设定范围内的臭氧水中。在颜色信息或臭氧浓度处于设定范围外的情况下，排出部85从处理槽63排出臭氧水，供给部70对处理槽63供给新的臭氧水。能够抑制由于臭氧浓度的异常引起的基板W的品质下降。

在将多张基板W浸在贮存于处理槽63的臭氧水中的期间，第二摄像控制部105通过摄像装置88来拍摄臭氧水。第二判断部106基于在第二摄像控制部105的控制下拍摄到的臭氧水的颜色信息，来判断是否正常地进行了针对多张基板W的处理。在颜色信息、或者根据颜色信息计算出的臭氧浓度处于设定范围内的情况下，判断为处理正常，在除此以外的情况下，判断为处理异常。能够简易地判断基板W的处理品质。

此外，图8所图示的各功能块是概念性的，无需一定在物理上如图示那样构成。能够将图8所图示的各功能块的全部或一部分以任意的单位在功能或物理上进行分散/结合地构成。通过各功能块进行的各处理功能的全部或者任意一部分能够通过由CPU执行的程序来实现、或者可以作为基于接线逻辑的硬件来实现。

接着，参照图9～图11来说明批量处理的一例。在图9～图11中，在一个处理槽63中依次积存臭氧水和冲洗液。图9所示的处理在控制部9的控制下实施。首先，排出部85将在前一次批量处理中使用过的冲洗液从处理槽63排出(步骤S201)。

接着，供给部70对处理槽63供给臭氧水(步骤S202)。在处理槽63的内槽63a中充满臭氧水之后，供给部70仍继续对内槽63a供给臭氧水，并且供给部70仍继续使臭氧水从内槽63a向外槽63b溢流，以使内槽63a内的臭氧水不失活。

接着，摄像装置88拍摄贮存于内槽63a的臭氧水(步骤S203)。该拍摄在第一摄像控制部103的控制下实施。在摄像装置88拍摄臭氧水时，喷气喷嘴67不对臭氧水喷出气体。这是因为臭氧水的鼓泡可能会改变臭氧水的颜色信息。摄像装置88将拍摄到的图像发送到控制部9。

接着，图像处理部101对由摄像装置88拍摄到的图像进行处理，来获取臭氧水的颜色信息(步骤S204)。之后，浓度计算部102可以基于由图像处理部101获取到的臭氧水的颜色信息来计算臭氧水的臭氧浓度，但未图示。

接着，第一判断部104基于由图像处理部101获取到的臭氧水的颜色信息，来判断是否将基板W浸在臭氧水中(步骤S205)。在颜色信息、或者根据颜色信息计算出的臭氧浓度处于设定范围内的情况下，第一判断部104判断为能够浸渍。接下来，驱动装置65使基板保持部64下降，来使保持于基板保持部64的多张基板W浸在贮存于内槽63a的臭氧水中(步骤S206)。

此外，在颜色信息、或者根据颜色信息计算出的臭氧浓度处于设定范围外的情况下，第一判断部104判断为不能浸渍。在该情况下，排出部85从内槽63a排出臭氧水，供给部70对内槽63a供给新的臭氧水，第一判断部104再次判断能否浸渍。其中，在第一判断部104再次判断为不能浸渍的情况下，将基板W的处理中断，进行维护。

接着，喷气喷嘴67开始喷出气体(步骤S207)。喷出的气体加快臭氧水的流速，使臭氧水在臭氧水失活前到达抗蚀剂残渣。由此，能够提高抗蚀剂残渣的去除效率。此外，气体的开始喷出(步骤S207)只要在臭氧水的拍摄(步骤S203)之后进行即可。

此外，也可以是，在将多张基板W浸在贮存于内槽63a的臭氧水中的期间，第二摄像控制部105通过摄像装置88来拍摄臭氧水。第二判断部106基于在第二摄像控制部105的控制下拍摄到的臭氧水的颜色信息，来判断是否正常地进行了针对多张基板W的处理。

当从基板W的浸渍(步骤S206)起的经过时间达到设定时间时，供给部70停止向内槽63a供给臭氧水，喷气喷嘴67停止喷出气体(步骤S208)。

接着，排出部85从内槽63a排出臭氧水(步骤S209)。如图10所示，在臭氧水的液面下降的期间，喷嘴68可以从上方对基板W供给喷淋状或雾状的冲洗液，以使基板W不干燥。在此期间，基板W被收容于内槽63a的内部。

接着，供给部70对内槽63a供给冲洗液(步骤S210)。如图11所示，在冲洗液的液面上升的期间，喷嘴68可以从上方对基板W供给喷淋状或雾状的冲洗液，以使基板W不干燥。在此期间，基板W被收容于内槽63a的内部。

在内槽63a中充满冲洗液之后，供给部70仍继续对内槽63a供给冲洗液，并且供给部70仍继续使冲洗液从内槽63a溢流到外槽63b。冲洗液将残留于基板W的臭氧水去除。在设定时间的期间持续地进行冲洗液的供给。

接着，驱动装置65使基板保持部64上升，以将保持于基板保持部64的多张基板W从贮存于内槽63a的冲洗液中提起。之后，搬送部52搬出基板W(步骤S211)。此外，也可以利用搬送部52将基板W以浸在冲洗液中的状态逐张地依次搬出。

接着，参照图12来说明批量处理的另一例。在图12中，使用两个处理槽63。一个处理槽63是积存臭氧水的药液槽。另一个处理槽63是积存冲洗液的冲洗槽。图12所示的处理在控制部9的控制下实施。

至少药液槽如图4所示那样构成为循环路径71将从外槽63b取出的臭氧水送回到内槽63a。供给部70持续地进行臭氧水的循环(步骤S301)。此时，冲洗槽以在内槽63a中贮存有冲洗液的状态待机，停止冲洗液的溢流。

接着，控制部9实施步骤S302～S307。步骤S302～S307与图9的步骤S203～S208是同样的，因此省略说明。但是，在步骤S307中，与图9的步骤S208不同，不停止臭氧水的供给，继续臭氧水的循环。

接着，驱动装置65使基板保持部64上升，来将保持于基板保持部64的多张基板W从贮存于内槽63a的臭氧水中提起。例如利用第三搬送装置62搬出多张基板W(步骤S308)。之后，第三搬送装置62将多张基板传递到在冲洗槽的上方待机的基板保持部64。

此外，在本实施方式中，针对药液槽和冲洗槽使用不同的基板保持部64，但也可以使用相同的基板保持部64。在后者的情况下，驱动装置65可以使基板保持部64不仅沿铅直方向进行升降还沿水平方向(例如X轴方向)移动，以在药液槽与冲洗槽之间搬送多张基板W。

另一方面，在冲洗槽中，开始进行冲洗液的溢流(步骤S401)。冲洗液的开始溢流(步骤S401)只要在将基板W浸在冲洗液(步骤S402)之前进行即可。

接着，驱动装置65使基板保持部64下降，来使保持于基板保持部64的多张基板W一并浸在贮存于内槽63a的冲洗液中(步骤S402)。冲洗液将残留于基板W的臭氧水去除。在设定时间的期间持续地进行冲洗液的溢流。

接着，停止冲洗液的溢流(步骤S403)。之后，驱动装置65使基板保持部64上升，以将保持于基板保持部64的多张基板W从内槽63a中贮存的冲洗液中提起。之后，搬送部52搬出基板W(步骤S404)。此外，也可以利用搬送部52将基板W以浸在冲洗液中的状态逐张地依次搬出。

以上，说明了本公开所涉及的基板处理系统和基板处理方法的实施方式，但是本公开不限定于上述实施方式等。在权利要求书所记载的范畴内能够进行各种变更、修正、置换、添加、删除以及组合。这些当然也属于本公开的技术范围。

本申请主张2021年7月6日向日本专利局申请的日本特愿2021-111943号的优先权，并将日本特愿2021-111943号的全部内容引用到本申请中。

附图标记说明

1：基板处理系统；3：单片处理部；52：搬送部；6：批量处理部；63：处理槽；W：基板。