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用于减小FPC在覆盖膜压合后焊盘溢胶的工艺方法

文献发布时间:2024-04-18 20:02:18


用于减小FPC在覆盖膜压合后焊盘溢胶的工艺方法

技术领域

本发明涉及FPC制造领域,特别涉及一种用于减小FPC在覆盖膜压合后焊盘溢胶的工艺方法。

背景技术

FPC即柔性印刷电路板,指在一般以PI为基材的铜箔上,形成线路的可绕折性印刷电路板,能够适当的承载各式各样的主被动组件及配件,透过适当组装设计,它被广泛的应用于电子产品的各模块互连。

覆盖膜压合(CVL)时的溢胶量是影响焊盘尺寸和外观的关键因素之一,传统FPC板覆盖膜压合时主要通过调整温度、压力、时间及使用更为填充能力更佳的覆型材料尽量将溢胶量控制在较小范围,但是对于非独立焊盘,覆盖膜开窗边缘位于焊盘铜面上,且由于覆盖膜胶层本身在高温高压状态下具有的流动性,压合时的焊盘溢胶无法完全避免,导致溢胶上焊盘,造成焊盘尺寸减小,严重的会影响下游工序SMT焊接及产品可靠性。所以,FPC制造的工艺中亟需解决的问题之一是如何减少覆盖膜压合溢胶量,以确保焊盘尺寸精度。

有鉴于此,本技术方案提出一种用于减小FPC在覆盖膜压合后焊盘溢胶的工艺方法,通过使用在焊盘位置局部镀凸块的新工艺,能够减小或者完全避免厚铜板CVL压合溢胶上焊盘的问题。

发明内容

本发明技术方案旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本发明的主要目的在于提供一种用于减小FPC在覆盖膜压合后焊盘溢胶的工艺方法,旨在减小FPC压合溢胶量,防止CVL溢胶上焊盘,并提升焊盘开窗制作的能力。

为实现上述目的,本发明提供一种用于减小FPC在覆盖膜压合后焊盘溢胶的工艺方法,包括以下步骤:

沉铜步骤,

当产品完成线路蚀刻后,采用水平沉铜线进行整版沉铜,沉铜后在光桌下检查沉铜膜介质层有无透光现象;

干膜显影步骤,

沉铜结束后,进行干膜贴膜、曝光、显影流程,并使线路层对应的焊盘位置露出铜面,

镀铜步骤,

干膜显影结束后,进行局部镀铜,使焊盘位置形成凸台;

压合步骤,

将干膜及沉铜层去除后,进行常规CVL预贴合及压合流程。

作为本发明再进一步的方案,在干膜显影步骤中,所使用的干膜厚度大于等于线路层铜厚的50%。

作为本发明再进一步的方案,在镀铜步骤中,采用VCP图形电镀线进行局部镀铜。

作为本发明再进一步的方案,在进行压合步骤前,且在镀铜步骤后,采用DES线退膜段去除干膜。

作为本发明再进一步的方案,在进行干膜的去除后,采用微蚀刻药水进行镀铜层去除。

作为本发明再进一步的方案,在镀铜步骤中,镀铜厚度控制在10-60um。

作为本发明再进一步的方案,在沉铜步骤中,沉铜膜厚控制在0.05-0.08mm。

作为本发明再进一步的方案,在沉铜步骤中,沉铜后应在光桌下检查沉铜膜介质层有无透光现象。

本发明的有益效果如下:本技术方案提出的用于减小FPC在覆盖膜压合后焊盘溢胶的工艺方法,通过使用在焊盘位置局部镀凸块的新工艺,能够减小或者完全避免厚铜板CVL压合溢胶上焊盘,且焊盘凸块铜厚越厚,阻胶效果越显著。此外,本技术方案能够提高FPC CVL焊盘开窗尺寸精度,更利于制作开窗尺寸更小的焊盘。

附图说明

为了更清楚地说明本发明技术方案实施例或现有技术中的发明技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明技术方案的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本发明的实施步骤示意图。

图2为本发明中步骤1的整版沉铜工艺示意图。

图3为本发明中步骤2的干膜显影工艺示意图。

图4为本发明中步骤3的镀铜步骤工艺示意图。

图5为本发明中预贴CVL后工艺效果示意图。

图6为本发明中压合后效果示意图。

具体实施方式

如下:

请参阅附图1-6

包括以下步骤:

沉铜步骤,

当产品完成线路蚀刻后,采用水平沉铜线进行整版沉铜,沉铜后在光桌下检查沉铜膜介质层有无透光现象;

干膜显影步骤,

沉铜结束后,进行干膜贴膜、曝光、显影流程,并使线路层对应的焊盘位置露出铜面,

镀铜步骤,

干膜显影结束后,进行局部镀铜,使焊盘位置形成凸台;

压合步骤,

将干膜及沉铜层去除后,进行常规CVL预贴合及压合流程。

工作原理如下:

见附图1,产品完成线路蚀刻后,使用水平沉铜线进行整版沉铜,沉铜膜厚控制0.05-0.08mm,沉铜后在光桌下检查,P I介质层不允许有透光现象;

见附图2,沉铜后,使用干膜贴膜、曝光、显影流程,使线路层对应的焊盘位置露出铜面,所使用的干膜厚度应≥线路层铜厚的50%;

见附图3,干膜显影后,使用VCP图形电镀线进行局部镀铜,镀铜厚度控制10-60um,使焊盘位置形成凸台;

图形电镀后使用DES线退膜段去除干膜;

退膜线去除干膜后使用微蚀刻药水将沉铜层进行去除,微蚀后P I层不允许有沉铜层残留;

去除沉铜层后,正常进行后续的CVL预贴合和压合流程;由于焊盘位置形成了凸台,压合时焊盘凸台形成的台阶位起到减轻或者完全阻止CVL溢胶上焊盘;附图4和附图5分别为预贴CVL后和压合后效果图。

本方案的形成图电凸台的工艺和传统方式有所区别,传统方式直接在FCCL上通过图电方式形成凸台,后续制作线路时凸台台阶位容易产生干膜压膜不实导致的侧蚀问题,本方案采用先制作出线路,再通过沉铜、选镀的方式形成凸台,避免了传统方式的台阶位侧蚀风险;传统电镀凸台高度一般管控10-20um,压合阻胶效果有限,本方案电镀凸台高度可以控制在10-60um,CVL压合阻胶效果更佳。

以上所述仅为本发明技术方案的优选实施例,并非因此限制本发明技术方案的专利范围,凡是在本发明技术方案的发明技术方案构思下,利用本发明技术方案说明书及附图内容所作的等效结构变换,或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明技术方案的专利保护范围内。

技术分类

06120116576370