发光装置及包括发光装置的电子设备
文献发布时间：2023-06-19 19:28:50
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年10月13日向韩国知识产权局提交的第10-2021-0135930号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的全部内容通过援引并入本文。
技术领域
实施方案涉及发光装置及包括发光装置的电子设备。
背景技术
发光装置是具有宽视角、高对比度、短响应时间的自发射装置。发光装置的特性包括亮度、驱动电压和响应速度。
在发光装置中，第一电极位于衬底上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次形成在第一电极上。由第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由第二电极提供的电子通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合(例如，结合)以产生光。
应理解，该背景技术部分旨在部分地为理解该技术提供有用的背景。然而，该背景技术部分也可以包括在本文所公开的主题的相应有效申请日之前不是相关领域的技术人员已知或理解的部分的构思、概念或认知。
发明内容
实施方案包括通过防止电子阻挡层的劣化而具有改善的效率和使用寿命的装置等。
其它方面将在随后的描述中被部分地阐述并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过本公开内容的实施方案的实践而获悉。
根据实施方案，发光装置可以包括第一电极、面向所述第一电极的第二电极、以及设置在所述第一电极与所述第二电极之间的中间层。所述中间层可以包括发射层。所述发射层可以包括第一发射层和第二发射层。所述第一发射层可以包含第一主体和第二主体。所述第二发射层可以包含第三主体。所述第一主体的三重态能级T
T
T
在实施方案中，所述第一电极可以是阳极。所述第二电极可以是阴极。所述中间层可以包括设置在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区、以及设置在所述发射层与所述第二电极之间的电子传输区。所述空穴传输区可以包括电子阻挡层、空穴注入层、空穴传输层和发射辅助层中的至少一个。所述电子传输区可以包括空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。
在实施方案中，所述第一发射层和所述第二发射层可以各自包含掺杂剂。所述第一发射层的所述掺杂剂和所述第二发射层的所述掺杂剂可以包括相同的化合物。
在实施方案中，所述第一发射层可以接触所述第二发射层。
在实施方案中，所述发射层可以发射蓝色光。
在实施方案中，所述发射层可以是荧光发射层。
在实施方案中，所述中间层可以包括空穴传输层和电子阻挡层。所述空穴传输层和所述电子阻挡层可以设置在所述第一电极与所述发射层之间。所述第一发射层可以接触所述电子阻挡层。
在实施方案中，所述中间层可以包括电子传输层和空穴阻挡层。所述电子传输层和所述空穴阻挡层可以设置在所述第二电极与所述发射层之间。所述第二发射层可以接触所述空穴阻挡层。
在实施方案中，所述第一电极可以是阳极。所述第二电极可以是阴极。所述第一发射层可以接触所述第二发射层。从所述第一电极注入的空穴和从所述第二电极注入的电子可以在设置在所述第一发射层与所述第二发射层之间的界面处结合。
在实施方案中，所述第一主体的电荷传输能力和所述第二主体的电荷传输能力可以不同。
在实施方案中，所述第一发射层的厚度与所述第二发射层的厚度的比率可以为约4:6至约6:4。
在实施方案中，所述第一主体和所述第二主体的重量比可以为约1:9至约9:1。
在实施方案中，所述第一主体和所述第二主体可以各自是芘衍生物化合物。
在实施方案中，所述芘衍生物化合物可以是对称的。
在实施方案中，所述第三主体可以是蒽衍生物化合物。
在实施方案中，所述中间层可以包括m个发射部分和设置在所述m个发射部分中的相邻发射部分之间的m-1个电荷产生部分。所述m个发射部分中的至少一个可以包括所述第一发射层和所述第二发射层。m可以是大于1的整数。
根据实施方案，电子设备可以包括所述发光装置。
在实施方案中，所述电子设备可以进一步包括滤色器、包含量子点的颜色转换层、触摸屏层和偏振层中的至少一个。
附图说明
通过参考附图详细地描述本公开内容的实施方案，本公开内容的以上和其它的方面和特征将更加明显，在附图中：
图1是根据实施方案的发光装置的示意图；
图2是示出根据本公开内容的实施方案的电子设备的示意性横截面视图；以及
图3是示出根据本公开内容的实施方案的电子设备的示意性横截面视图。
具体实施方式
现在将参考其中示出了实施方案的附图在下文更全面地描述本公开内容。然而，本公开内容可以以不同的形式实施，并且不应解释为局限于本文阐述的实施方案。相反，提供这些实施方案使得本公开内容将是透彻且完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本公开内容的范围。
现将详细参考实施方案，所述实施方案的实施例例示在附图中，其中相同的参考数字在说明书中通篇是指相同的元件。在附图中，为了便于描述和清晰，可以放大元件的大小、厚度、比例和尺寸。
如本文使用，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多于一个的任意组合和所有组合。例如，“A和/或B”可以理解为意指“A、B、或者A和B”。术语“和”和“或”可以以连接词或反意连接词的意义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。
在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，短语“......中的至少一个(种)”旨在包括“选自......的组中的至少一个(种)”的含义。例如，“A和B中的至少一个(种)”可以理解为意指“A、B、或者A和B”。
应理解，尽管术语第一、第二等可以在本文用于描述各种元件，但这些元件不应受到这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一个元件。例如，在不背离本公开内容的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。
如本文使用的术语“约”、“基本上”或“大约”包括规定值并且意指在如由本领域普通技术人员考虑相关测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)所确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，“约”可以意指在一个或多于一个的标准偏差内，或者在规定值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
应理解，在说明书中，当元件(或区、层、部分等)被称为在另一个元件“上”、“连接至”另一个元件、或者“联接至”另一个元件时，其可以直接设置在以上提及的另一个元件上、直接连接至以上提及的另一个元件、或者直接联接至以上提及的另一个元件，或者其间可以设置介于中间的元件。
应理解，术语“连接至”或“联接至”可以包括物理连接或联接、或者电连接或联接。
除非本文另外定义或暗示，本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)均具有与本公开内容所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义。还应理解，例如在通常使用的词典中定义的那些术语应解释为具有与其在相关技术的语境中的含义相符的含义，并且不应以理想化或过于形式的含义来解释，除非本文明确如此定义。
有机发光装置的蓝色荧光发射层可以包含单一主体和单一掺杂剂，并且此类主体具有比空穴传输特性更强的电子传输特性。为此，空穴和电子在电子阻挡层与发射层之间的界面处复合(或结合)，从而引起三重态-三重态融合(TTF)。因此，电子阻挡层劣化并且装置使用寿命降低。
根据实施方案，发光装置可以包括第一电极、面向第一电极的第二电极、以及在第一电极与第二电极之间的中间层。中间层可以包括发射层。
发射层可以包括包含第一主体和第二主体的第一发射层以及包含第三主体的第二发射层。
第一主体的三重态能级T
T
T
在根据实施方案的发光装置中，空穴和电子的复合区域可以移动至第一发射层与第二发射层之间的界面。因此，可以防止由于产生的激子引起的电子阻挡层的劣化。
第一发射层的第一主体和第二主体的三重态能级可以满足与第二发射层的第三主体的三重态能级相关的不等式(1)和不等式(2)。第一主体的三重态能级可以比第三主体的三重态能级高约0.2eV或大于0.2eV，并且第二主体的三重态能级可以比第三主体的三重态能级高约0.2eV或大于0.2eV。
因为第一发射层具有比第二发射层的T
当第一主体和第二主体中的每一个的三重态能级与第三主体的三重态能级之间的差小于约0.2eV时，与当差为约0.2eV或大于0.2eV时相比，其中发生TTF的区可能是相对宽的，并且因此，可能无法改善装置效率。
在实施方案中，在发光装置中，第一电极可以包括阳极。第二电极可以包括阴极。中间层可以包括设置在第一电极与发射层之间的空穴传输区、以及设置在发射层与第二电极之间的电子传输区。空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层和电子阻挡层中的至少一个。电子传输区可以包括空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。
在实施方案中，在发光装置中，第一发射层和第二发射层可以各自包含掺杂剂。第一发射层的掺杂剂和第二发射层的掺杂剂可以包括相同的化合物。
在实施方案中，发光装置的第一发射层可以接触发光装置的第二发射层。例如，第一发射层可以物理接触第二发射层。
在实施方案中，发光装置的发射层可以发射蓝色光。
在实施方案中，发光装置的发射层可以包括荧光发射层。
在实施方案中，发光装置的中间层可以包括空穴传输层和电子阻挡层。空穴传输层和电子阻挡层可以设置在第一电极与发射层之间。第一发射层可以接触电子阻挡层。例如，中间层可以进一步包括空穴注入层，并且空穴注入层可以接触第一电极。例如，空穴注入层可以包含电荷产生材料。例如，空穴注入层可以包含p-掺杂剂。
在实施方案中，发光装置的中间层可以包括电子传输层和空穴阻挡层。电子传输层和空穴阻挡层可以设置在第二电极与发射层之间。第二发射层可以接触空穴阻挡层。
例如，电子传输层可以包含含金属的材料。含金属的材料将稍后描述。
在实施方案中，在发光装置中，第一电极可以包括阳极。第二电极可以包括阴极。第一发射层可以接触第二发射层。从第一电极注入的空穴和从第二电极注入的电子可以在第一发射层与第二发射层之间的界面处复合(或结合)。例如，第一发射层可以朝向第一电极定位。
空穴和电子可以复合(或结合)，产生TTF并且发射光。因为其中空穴和电子复合(或结合)的区是第一发射层与第二发射层之间的界面，所以可能不会发生发光装置的电子阻挡层的劣化。因此，可以改善装置使用寿命。
当第一发射层仅包含满足不等式(1)或不等式(2)的单一类型的主体时，单一类型的主体的三重态能级可以大于第二发射层的第三主体的三重态能级。因此，单一类型的主体的使用寿命比第三主体的使用寿命短。因此，随着时间流逝，发射层中的电荷变得不平衡。可以增加第一发射层的厚度以保持电荷平衡，但因此，装置使用寿命可能快速降低。
不涉及改变第一发射层和第二发射层的厚度的解决方案可以涉及包含两种类型的主体。两种主体在第一发射层中可以不具有相同的电荷传输能力。可以调节两种类型的主体的混合比。
在实施方案中，第一主体和第二主体的电荷传输能力可以不相同。电荷传输能力可以包括空穴传输能力和电子传输能力两者。例如，不具有相同的电荷传输能力可以意指不具有相同的(具有不同的)空穴传输能力。不具有相同的电荷传输能力可以意指不具有相同的(具有不同的)电子传输能力。
在第一主体可以是空穴传输主体并且第二主体可以是电子传输主体的情况下，第一主体和第二主体的电荷传输能力可以不同。
空穴传输主体可以是具有强空穴性质的化合物。具有强空穴性质的化合物可以是指可以容易地接受空穴的化合物，并且此类性质可以通过包含空穴接受部分(也称为HT部分)来获得。
HT部分可以包括例如富π电子的杂芳香族化合物，例如，咔唑衍生物或吲哚衍生物，或者芳香族胺化合物。
电子传输主体可以是具有强电子性质的化合物。具有强电子性质的化合物可以是指可以容易地接受电子的化合物，并且此类性质可以通过包含电子接受部分(也称为ET部分)来获得。
ET部分可以包括，例如，缺π电子的杂芳香族化合物。例如，ET部分可以包括含氮的杂芳香族化合物。
当化合物仅包含HT部分或仅包含ET部分时，化合物的性质是否具有HT性质或ET性质是清楚的。
在实施方案中，化合物可以包含HT部分和ET部分两者。化合物中的HT部分的总数量与ET部分的总数量之间的简单比较可以有助于预测化合物是HT化合物还是ET化合物，但不能是绝对标准。这种简单比较可能不是充分标准的原因之一是HT部分和ET部分中的每一个不具有完全相同的吸引空穴和电子的能力。因此，为了确定某种结构的化合物是空穴传输化合物还是电子传输化合物，可以预先进行模拟以做出预测，并且可以在装置中直接实施所述化合物之后可靠地确认所述化合物的性质。
在实施方案中，第一发射层的厚度和第二发射层的厚度的比率可以为约4:6至约6:4。例如，第一发射层的厚度和第二发射层的厚度的比率可以为约5:5。
在实施方案中，第一主体和第二主体的重量比可以为约1:9至约9:1。例如，第一主体和第二主体的重量比可以为约2:8至约8:2。
在根据实施方案的发光装置的第一发射层中，第一主体可以是空穴传输主体并且第二主体可以是电子传输主体，或者第一主体可以是电子传输主体并且第二主体可以是空穴传输主体。第一发射层的第一主体和第二主体的三重态能级可以满足与第二发射层的第三主体的三重态能级相关的不等式(1)和不等式(2)：
T
T
在实施方案中，第一主体和第二主体可以包括芘衍生物化合物。例如，第一主体和第二主体可以包括对称的芘衍生物化合物。例如，第一主体可以是其中芘被两个含N的杂芳基基团取代的芘衍生物化合物。
在实施方案中，第一主体和第二主体可以包括以下化合物中的至少一种：
第一主体和第二主体可以满足与第三主体相关的不等式(1)和不等式(2)。在实施方案中，由于以上描述的原因，化合物是第一主体还是第二主体可能不是预先确定的。
在其中可以满足与第一发射层中包含的第一主体和第二主体相关的不等式(1)和不等式(2)的条件下，第三主体可以是用于蓝色荧光发射层的一般蓝色主体化合物。
在实施方案中，第三主体可以是蒽衍生物化合物。例如，第三主体可以是其中蒽被一个芳基基团和一个杂芳基基团取代的蒽衍生物化合物。例如，第三主体可以是不对称化合物。
在实施方案中，第三主体可以包括以下化合物中的至少一种：
在实施方案中，中间层可以包括发射部分和电荷产生部分。例如，中间层可以包括m个发射部分和在相邻发射部分之间的m-1个电荷产生部分，其中m是大于1的整数。
m个发射部分中的至少一个可以包括发射层，所述发射层包括第一发射层和第二发射层。
发光装置可以包括设置在相邻发射部分之间的m-1个电荷产生部分。
例如，当m为2时，可以依次设置第一电极、第一发射部分、第一电荷产生部分和第二发射部分。在这种状态下，第一发射部分可以发射第一颜色光，第二发射部分可以发射第二颜色光，并且第一颜色光的最大发射波长和第二颜色光的最大发射波长可以彼此相同或不同。至少第一发射部分和第二发射部分可以包括发射层(其可以包括第一发射层和第二发射层)、第一缓冲层、第二缓冲层和电子传输层。
作为另一个实例，当m为3时，可以依次设置第一电极、第一发射部分、第一电荷产生部分、第二发射部分、第二电荷产生部分和第三发射部分。第一发射部分可以发射第一颜色光，第二发射部分可以发射第二颜色光，第三发射部分可以发射第三颜色光，并且第一颜色光的最大发射波长、第二颜色光的最大发射波长和第三颜色光的最大发射波长可以彼此相同或不同。第一发射部分、第二发射部分和第三发射部分中的至少一个可以包括发射层(其可以包括第一发射层和第二发射层)、第一缓冲层、第二缓冲层和电子传输层。
作为另一个实例，当m为4时，可以依次设置第一电极、第一发射部分、第一电荷产生部分、第二发射部分、第二电荷产生部分、第三发射部分、第三电荷产生部分和第四发射部分。第一发射部分可以发射第一颜色光，第二发射部分可以发射第二颜色光，第三发射部分可以发射第三颜色光，第四发射部分可以发射第四颜色光，并且第一颜色光、第二颜色光、第三颜色光和第四颜色光的最大发射波长可以彼此相同或不同。
在实施方案中，电子设备可以包括发光装置。
在实施方案中，电子设备可以包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括源电极和漏电极。发光装置的第一电极可以电连接至薄膜晶体管的源电极和漏电极中的至少一个。
在实施方案中，电子设备可以进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层和偏振层中的至少一个。
在实施方案中，电子设备可以包含量子点。例如，电子设备可以包括颜色转换层，并且颜色转换层可以包含量子点。
如本文使用的术语“中间层”可以是指位于发光装置的第一电极与第二电极之间的单个层或多个层。
[图1的描述]
图1是根据实施方案的发光装置10的示意性横截面视图。发光装置10包括第一电极110、中间层130和第二电极150。
在下文，将参考图1描述根据实施方案的发光装置10的结构和制造方法。
[第一电极110]
在图1中，衬底可以位于第一电极110下或第二电极150上。玻璃衬底或塑料衬底可以用作衬底。在实施方案中，衬底可以是柔性衬底，并且可以包含耐用且耐热的塑料，例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺或其任意组合。
可以通过例如在衬底上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。当第一电极110是阳极时，用于形成第一电极110的材料可以是促进空穴注入的高功函材料。
第一电极110可以是反射电极、半透反射电极或透射电极。当第一电极110是透射电极时，用于形成第一电极110的材料可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO
第一电极110可以具有由单个层组成的单层结构或包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构。
[中间层130]
中间层130可以位于第一电极110上。中间层130可以包括发射层。
中间层130可以进一步包括位于第一电极110与发射层之间的空穴传输区和位于发射层与第二电极150之间的电子传输区。
除了各种有机材料之外，中间层130可以进一步包含含金属的化合物(例如有机金属化合物)、无机材料(例如量子点)等。
在实施方案中，中间层130可以包括：i)依次堆叠在第一电极110与第二电极150之间的两个或多于两个的发射部分；以及ii)位于两个或多于两个的发射部分之间的电荷产生层。当中间层130包括如以上描述的发射部分和电荷产生层时，发光装置10可以是串联发光装置。
[中间层130中的空穴传输区]
空穴传输区可以具有：i)由由单一材料组成的单个层组成的单层结构，ii)由由多种材料组成的单个层组成的单层结构，或者iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。
空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层和电子阻挡层中的至少一个。
例如，空穴传输区可以具有包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构、或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，每种结构的层从第一电极110依次堆叠。
空穴传输区可以包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合。
式201
式202
在式201和式202中，L
R
例如，式201和式202中的每一个可以包含由式CY201至式CY217表示的基团中的至少一种。
式CY201至式CY217中的R
在实施方案中，式CY201至式CY217中的环CY
在实施方案中，式201和式202中的每一个可以包含由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一种。
在实施方案中，式201可以包含由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一种和由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一种。
在实施方案中，在式201中，xa1可以是1，R
在实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式CY201至式CY203中的一种表示的基团。
在实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式CY201至式CY203中的一种表示的基团，并且可以包含由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一种。
在实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式CY201至式CY217中的一种表示的基团。
在实施方案中，空穴传输区可以包含化合物HT1至化合物HT44、m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化-NPB、TAPC、HMTPD、4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PANI/PSS)中的一种或其任意组合：
/>
/>
/>
空穴传输区的厚度可以是约
通过根据由发射层发射的光的波长来补偿光学共振距离，发射辅助层可以增加光发射效率，并且电子阻挡层可以阻挡从发射层至空穴传输区的电子的流动。发射辅助层和电子阻挡层可以包含如以上描述的材料。
[p-掺杂剂]
除了这些材料之外，空穴传输区可以包含用于改善传导性质的电荷产生材料。电荷产生材料可以均匀地或非均匀地分散在空穴传输区中(例如，以由电荷产生材料组成的单个层的形式)。
电荷产生材料可以是例如p-掺杂剂。
例如，p-掺杂剂的最低未占据分子轨道(LUMO)能级可以是-3.5eV或小于-3.5eV。
在实施方案中，p-掺杂剂可以包括醌衍生物、含氰基基团的化合物、包含元素EL1和元素EL2的化合物或其任意组合。
醌衍生物的实例是TCNQ、F4-TCNQ等。
含氰基基团的化合物的实例是HAT-CN和由以下式221表示的化合物：
在式221中，R
在包含元素EL1和元素EL2的化合物中，元素EL1可以是金属、准金属或其任意组合，并且元素EL2可以是非金属、准金属或其任意组合。
金属的实例可以包括碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)等)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)等)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)等)；后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)等)；镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等)或其任意组合。
准金属的实例可以包括硅(Si)、锑(Sb)、碲(Te)或其任意组合。
非金属的实例可以包括氧(O)、卤素(例如，F、Cl、Br、I等)或其任意组合。
包含元素EL1和元素EL2的化合物的实例可以包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物或准金属碘化物)、金属碲化物或其任意组合。
金属氧化物的实例可以包括钨氧化物(例如，WO、W
金属卤化物的实例可以包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物、镧系金属卤化物或其任意组合。
碱金属卤化物的实例可以包括LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI、CsI等或其任意组合。
碱土金属卤化物的实例是BeF
过渡金属卤化物的实例可以包括钛卤化物(例如，TiF
后过渡金属卤化物的实例可以包括锌卤化物(例如，ZnF
镧系金属卤化物的实例可以包括YbF、YbF
准金属卤化物的实例可以包括锑卤化物(例如，SbCl
金属碲化物的实例可以包括碱金属碲化物(例如，Li
[中间层130中的发射层]
当发光装置10是全色发光装置时，根据子像素，可以将发射层图案化成红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在实施方案中，发射层可以具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或多于两个的层的堆叠结构，其中所述两个或多于两个的层彼此接触或彼此隔开以发射白色光。在实施方案中，发射层可以包含发红色光的材料、发绿色光的材料和发蓝色光的材料中的两种或多于两种的材料，其中所述两种或多于两种的材料在单个层中彼此混合以发射白色光。
发射层可以包含主体和掺杂剂。掺杂剂可以包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任意组合。
基于100重量份的主体，发射层中的掺杂剂的量可以是约0.01重量份至约15重量份。
发射层可以包含延迟荧光材料。延迟荧光材料可以充当发射层中的主体或掺杂剂。
发射层的厚度可以是约
[发射层中的主体]
包含在第一发射层中的第一主体的三重态能级T
T
T
在根据实施方案的发光装置中，第一主体、第二主体和第三主体的三重态能级的关系仅需要满足不等式(1)和不等式(2)。因此，可以使用满足不等式(1)和不等式(2)的任何第一主体、第二主体和第三主体。
第一主体和第二主体可以是芘衍生物化合物。例如，第一主体和第二主体可以是对称的芘衍生物化合物。例如，第一主体可以是空穴传输芘衍生物化合物，并且第二主体可以是电子传输芘衍生物化合物。
在其中必须满足与第一发射层中包含的第一主体和第二主体相关的不等式(1)和不等式(2)的条件下，第三主体可以是用于蓝色荧光发射层的一般蓝色主体化合物。
例如，第三主体可以是蒽衍生物化合物。例如，第三主体可以是其中蒽被一个芳基基团和一个杂芳基基团取代的蒽衍生物化合物。例如，第三主体可以是不对称化合物。
第一主体、第二主体和第三主体的详细实例如以上描述。第一主体、第二主体和第三主体的其它实例如下：
/>
/>
/>
/>
[荧光掺杂剂]
荧光掺杂剂可以包括含胺基团的化合物、含苯乙烯基基团的化合物或其任意组合。
例如，荧光掺杂剂可以包括由式501表示的化合物。
式501
在式501中，Ar
例如，式501中的Ar
例如，荧光掺杂剂可以包括化合物FD1至化合物FD36、DPVBi、DPAVBi中的一种或其任意组合。
/>
/>
[延迟荧光材料]
发射层可以包含延迟荧光材料。
在说明书中，延迟荧光材料可以选自基于延迟荧光发射机理能够发射延迟荧光的化合物。
根据包含在发射层中的其它材料的类型，包含在发射层中的延迟荧光材料可以充当主体或掺杂剂。
在实施方案中，延迟荧光材料的三重态能级(eV)与延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差可以是大于或等于约0eV且小于或等于约0.5eV。当延迟荧光材料的三重态能级(eV)与延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差满足以上描述的范围时，可以有效地发生延迟荧光材料的从三重态至单重态的向上转换，并且因此可以改善发光装置10的发光效率。
例如，延迟荧光材料可以包括：i)包含至少一个电子供体(例如，富π电子的C
延迟荧光材料的实例可以包括以下化合物DF1至化合物DF9中的至少一种。
[量子点]
如本文使用的术语“量子点”是指半导体化合物的晶体，并且可以包括能够根据晶体的尺寸发射各种发射波长的光的任何材料。
量子点的直径可以是例如约1nm至约10nm。
可以通过湿法化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或与其类似的任何工艺合成量子点。
湿法化学工艺是包括将前体材料与有机溶剂混合并且然后生长量子点颗粒晶体的方法。当晶体生长时，有机溶剂自然地充当配位在量子点晶体的表面上的分散剂并且控制晶体的生长，使得量子点颗粒的生长可以通过比气相沉积方法(例如金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE))成本更低且更容易的工艺来控制。
量子点可以包括II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族元素或化合物、或者其任意组合。
II-VI族半导体化合物的实例是二元化合物，例如CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe或MgS；三元化合物，例如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe或MgZnS；四元化合物，例如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe；或者其任意组合。
III-V族半导体化合物的实例可以包括二元化合物，例如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs或InSb；三元化合物，例如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs或InPSb；四元化合物，例如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb；或者其任意组合。III-V族半导体化合物可以包含II族元素。包含II族元素的III-V族半导体化合物的实例是InZnP、InGaZnP、InAlZnP等。
III-VI族半导体化合物的实例可以包括二元化合物，例如GaS、GaSe、Ga
I-III-VI族半导体化合物的实例可以包括三元化合物，例如AgInS、AgInS
IV-VI族半导体化合物的实例可以包括二元化合物，例如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe或PbTe；三元化合物，例如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe或SnPbTe；四元化合物，例如SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe；或者其任意组合。
IV族元素或化合物可以包括单一元素，例如Si或Ge；二元化合物，例如SiC或SiGe；或者其任意组合。
包含在多元素化合物(例如二元化合物、三元化合物和四元化合物)中的每种元素可以以均匀的浓度或非均匀的浓度存在于颗粒中。
量子点可以具有其中量子点中的每种元素的浓度均匀的单一结构、或核-壳双结构。例如，核和壳可以包含彼此不同的材料。
量子点的壳可以充当防止核的化学劣化以保持半导体特性的保护层和/或充当向量子点赋予电泳特性的充电层。壳可以是单层或多层。核与壳之间的界面可以具有浓度梯度，其中存在于壳中的元素的浓度朝向核的中心降低。
量子点的壳的实例可以包括金属、准金属或非金属的氧化物，半导体化合物及其任意组合。金属、准金属或非金属的氧化物的实例可以包括二元化合物(例如，SiO
量子点的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)可以是约45nm或小于45nm，例如约40nm或小于40nm，例如约30nm或小于30nm，并且在这些范围内，可以增加颜色纯度或颜色再现性。由于通过量子点发射的光在所有方向上发射，因此可以增加视角的宽度。
量子点可以是球形纳米颗粒、角锥形纳米颗粒、多臂纳米颗粒、立方体纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米板。
由于可以通过控制量子点的尺寸来调节能带间隙，因此可以由量子点发射层获得具有各种波长带的光。因此，通过使用不同尺寸的量子点，可以实现发射各种波长的光的发光装置。在实施方案中，可以选择量子点的尺寸以发射红色光、绿色光和/或蓝色光。在其它实例中，量子点的尺寸可以被配置成通过组合各种颜色的光来发射白色光。
[中间层130中的电子传输区]
电子传输区可以具有：i)由由单一材料组成的单个层组成的单层结构，ii)由由多种不同材料组成的单个层组成的单层结构，或者iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。
电子传输区可以包括空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。
在实施方案中，电子传输区可以具有电子传输层/电子注入层结构、或空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构。在每种结构中，构成层可以从发射层依次堆叠。
在实施方案中，电子传输区(例如，电子传输区中的空穴阻挡层或电子传输层)可以包含含有至少一个缺π电子的含氮C
例如，电子传输区可以包含由以下式601表示的化合物。
式601
[Ar
在式601中，Ar
R
式601-1
在式601-1中，X
电子传输区可以包含化合物ET1至化合物ET45、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、Alq
/>
/>
/>
电子传输区的厚度可以是约
除了以上描述的材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可以包含含金属的材料。
含金属的材料可以包括碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。碱金属络合物的金属离子可以是Li离子、Na离子、K离子、Rb离子或Cs离子，并且碱土金属络合物的金属离子可以是Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子或Ba离子。与碱金属络合物或碱土金属络合物的金属离子配位的配体可以包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。
例如，含金属的材料可以包括Li络合物。Li络合物可以包括例如化合物ET-D1(Liq)或化合物ET-D2。
电子传输区可以包括促进来自第二电极150的电子的注入的电子注入层。电子注入层可以接触(例如，直接接触)第二电极150。
电子注入层可以具有：i)由由单一材料组成的单个层组成的单层结构，ii)由由多种不同材料组成的单个层组成的单层结构，或者iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。
电子注入层可以包含碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。
碱金属可以包括Li、Na、K、Rb、Cs或其任意组合。碱土金属可以包括Mg、Ca、Sr、Ba或其任意组合。稀土金属可以包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或其任意组合。
含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物和含稀土金属的化合物可以是碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)或碲化物，或者其任意组合。
含碱金属的化合物可以包括碱金属氧化物(例如Li
碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可以包含i)碱金属、碱土金属和稀土金属的离子，和ii)键合至金属离子的配体，例如羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。
电子注入层可以由以下组成：如以上描述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。在实施方案中，电子注入层可以包含有机材料(例如，由式601表示的化合物)。
在实施方案中，电子注入层可以由以下组成：i)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)；或者ii)(a)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)和(b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任意组合。例如，电子注入层可以是KI:Yb共沉积层、RbI:Yb共沉积层等。
当电子注入层进一步包含有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合可以均匀地或非均匀地分散在包含有机材料的基体中。
电子注入层的厚度可以是约
[第二电极150]
第二电极150可以位于具有如以上描述的结构的中间层130上。第二电极150可以是作为电子注入电极的阴极，并且可以使用各自具有低功函的金属、合金、导电化合物或其任意组合作为用于第二电极150的材料。
第二电极150可以包含锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或其任意组合。第二电极150可以是透射电极、半透反射电极或反射电极。
第二电极150可以具有单层结构或者包括多个层的多层结构。
[覆盖层]
第一覆盖层可以位于第一电极110外部，和/或第二覆盖层可以位于第二电极150外部。发光装置10可以具有其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130和第二电极150按规定的顺序依次堆叠的结构，其中第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层按规定的顺序依次堆叠的结构，或者其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层按规定的顺序依次堆叠的结构。
发光装置10的中间层130的发射层中产生的光可以通过第一电极110(其是半透反射电极或透射电极)和第一覆盖层朝向外部引出。发光装置10的中间层130的发射层中产生的光可以通过第二电极150(其是半透反射电极或透射电极)和第二覆盖层朝向外部引出。
第一覆盖层和第二覆盖层的相长干涉可以增加外部发射效率。因此，增加了发光装置10的出光效率，使得可以改善发光装置10的发光效率。
第一覆盖层和第二覆盖层中的每一个可以包含具有约1.6或大于1.6(在约589nm处)的折射率的材料。
第一覆盖层和第二覆盖层可以各自独立地是包含有机材料的有机覆盖层、包含无机材料的无机覆盖层、或者包含有机材料和无机材料的复合有机-无机覆盖层。
第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含碳环化合物、杂环化合物、含胺基团的化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。任选地，碳环化合物、杂环化合物和含胺基团的化合物可以被含有O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其任意组合的取代基取代。在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含含胺基团的化合物。
例如，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合。
在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含化合物HT28至化合物HT33中的一种、化合物CP1至化合物CP6中的一种、β-NPB或其任意组合。
[电子设备]
发光装置可以被包括在各种电子设备中。例如，包括发光装置的电子设备可以是发光设备、验证设备等。
除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可以进一步包括：i)滤色器，ii)颜色转换层，或者iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可以位于从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。例如，从发光装置发射的光可以是蓝色光或白色光。以上已经描述了关于发光装置的细节。在实施方案中，颜色转换层可以包含量子点。量子点可以是，例如，如本文描述的量子点。
电子设备可以包括第一衬底。第一衬底可以包括多个子像素，滤色器可以包括分别对应于子像素的多个滤色器区域，并且颜色转换层可以包括分别对应于子像素的多个颜色转换区域。
像素限定层可以位于子像素之间以限定每一个子像素。
滤色器可以进一步包括多个滤色器区域和位于滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层可以进一步包括多个颜色转换区域和位于颜色转换区域之间的遮光图案。
滤色器区域(或颜色转换区域)可以包括发射第一颜色光的第一区域、发射第二颜色光的第二区域和/或发射第三颜色光的第三区域，其中第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。例如，第一颜色光可以是红色光，第二颜色光可以是绿色光，并且第三颜色光可以是蓝色光。例如，滤色器区域(或颜色转换区域)可以包含量子点。第一区域可以包含红色量子点，第二区域可以包含绿色量子点，并且第三区域可以不包含量子点。以上已经描述了关于量子点的细节。第一区域、第二区域和/或第三区域可以各自包含散射体。
例如，发光装置可以发射第一光，第一区域可以吸收第一光以发射第一第一颜色光，第二区域可以吸收第一光以发射第二第一颜色光，并且第三区域可以吸收第一光以发射第三第一颜色光。在这点上，第一第一颜色光、第二第一颜色光和第三第一颜色光可以具有不同的最大发射波长。第一光可以是蓝色光，第一第一颜色光可以是红色光，第二第一颜色光可以是绿色光，并且第三第一颜色光可以是蓝色光。
除了如以上描述的发光装置之外，电子设备可以包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极和有源层。源电极和漏电极中的任一个可以电连接至发光装置的第一电极和第二电极中的任一个。
薄膜晶体管可以进一步包括栅电极、栅绝缘膜等。
有源层可以包含晶体硅、无定形硅、有机半导体、氧化物半导体等。
电子设备可以进一步包括用于密封发光装置的密封部。密封部可以位于颜色转换层和/或滤色器与发光装置之间。密封部允许来自发光装置的光被引出至外部，并且同时地防止环境空气和湿气渗透进入发光装置中。密封部可以是包括透明玻璃衬底或塑料衬底的密封衬底。密封部可以是包括至少一个层的有机层和/或至少一个层的无机层的薄膜封装层。当密封部是薄膜封装层时，电子设备可以是柔性的。
根据电子设备的用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种功能层可以位于密封部上。功能层的实例可以包括触摸屏层、偏振层等。触摸屏层可以是压敏触摸屏层、电容触摸屏层或红外触摸屏层。验证设备可以是例如通过使用生物测量信息(例如，指纹、视网膜等)来验证个体的生物测量验证设备。
除了如以上描述的发光装置之外，验证设备可以进一步包括生物测量信息收集器。
电子设备可以应用于各种显示器、光源、照明设备、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子记事本、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞行器和船舶的仪表)、投影仪等。
[图2和图3的描述]
图2是根据实施方案的电子设备的示意性横截面视图。
图2的电子设备包括衬底100、薄膜晶体管(TFT)、发光装置和密封发光装置的封装部300。
衬底100可以是柔性衬底、玻璃衬底或金属衬底。缓冲层210可以位于衬底100上。缓冲层210可以防止杂质渗透穿过衬底100，并且可以在衬底100上提供平坦表面。
TFT可以位于缓冲层210上。TFT可以包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。
有源层220可以包含无机半导体(例如硅或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体，并且可以包括源区、漏区和沟道区。
用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可以位于有源层220上，并且栅电极240可以位于栅绝缘膜230上。
层间绝缘膜250可以位于栅电极240上。层间绝缘膜250可以位于栅电极240与源电极260之间并且位于栅电极240与漏电极270之间以使组件彼此绝缘。
源电极260和漏电极270可以位于层间绝缘膜250上。可以形成层间绝缘膜250和栅绝缘膜230以暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可以接触有源层220的源区和漏区的暴露部分。
TFT可以电连接至发光装置以驱动发光装置，并且可以被钝化层280覆盖和保护。钝化层280可以包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其任意组合。在钝化层280上提供发光装置。发光装置可以包括第一电极110、中间层130和第二电极150。
第一电极110可以位于钝化层280上。钝化层280可以暴露漏电极270的一部分，不完全覆盖漏电极270，并且第一电极110可以电连接至漏电极270的暴露部分。
包含绝缘材料的像素限定层290可以位于第一电极110上。像素限定层290可以暴露第一电极110的区，并且可以在第一电极110的暴露区中形成中间层130。像素限定层290可以是聚酰亚胺或聚丙烯酸有机膜。尽管在图2中未示出，但中间层130的至少一些层可以延伸超过像素限定层290的上部以位于公共层中。
第二电极150可以位于中间层130上，并且可以在第二电极150上形成覆盖层170。可以形成覆盖层170以覆盖第二电极150。
封装部300可以位于覆盖层170上。封装部300可以位于发光装置上以保护发光装置免受湿气或氧气。封装部300可以包括：无机膜，所述无机膜包含硅氮化物(SiN
图3是根据本公开内容的另一个实施方案的电子设备的横截面视图。
图3的电子设备与图2的电子设备基本上相同，但遮光图案500和功能区400额外地位于封装部300上。功能区400可以是i)滤色器区域，ii)颜色转换区域，或者iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施方案中，包括在图3的电子设备中的发光装置可以是串联发光装置。颜色转换区域是指可以包括颜色转换层的区域。
[制造方法]
包括在空穴传输区中的层、发射层和包括在电子传输区中的层可以通过使用各种方法(例如真空沉积、旋涂、流延、兰格缪尔-布罗杰特(Langmuir-Blodgett，LB)沉积、喷墨印刷、激光印刷、激光诱导热成像等)形成在特定区中。
当通过真空沉积形成构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层时，取决于待包含在待形成的层中的材料以及待形成的层的结构，可以以约100℃至约500℃的沉积温度、约10
当构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层通过旋涂形成时，通过考虑待包含在待形成的层中的材料以及待形成的层的结构，可以以约2,000rpm至约5,000rpm的涂覆速度和在约80℃至约200℃的热处理温度下进行旋涂。
[取代基的一般定义]
如本文使用的术语“C
如本文使用的“环状基团”可以包括C
如本文使用的“富π电子的C
例如，C
C
富π电子的C
缺π电子的含氮C
基团T1可以是环丙烷基团、环丁烷基团、环戊烷基团、环己烷基团、环庚烷基团、环辛烷基团、环丁烯基团、环戊烯基团、环戊二烯基团、环己烯基团、环己二烯基团、环庚烯基团、金刚烷基团、降冰片烷(或双环[2.2.1]庚烷)基团、降冰片烯基团、双环[1.1.1]戊烷基团、双环[2.1.1]己烷基团、双环[2.2.2]辛烷基团或苯基团。
基团T2可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团。
基团T3可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团或硼杂环戊二烯基团。
基团T4可以是2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团。
如本文使用的术语“环状基团、C
单价C
如本文使用的术语“C
如本文使用的术语“C
如本文使用的术语“C
如本文使用的术语“C
如本文使用的术语“C
如本文使用的术语“C
如本文使用的术语“C
如本文使用的术语“C
如本文使用的术语“C
如本文使用的术语“C
如本文使用的术语“单价非芳香族稠合多环基团”是指具有彼此稠合的两个或多于两个的环、仅碳原子作为成环原子并且在其整个分子结构中无芳香性的单价基团(例如，具有8个至60个碳原子(其中碳原子数可以是8至30、8至20、8至15或8至10))。单价非芳香族稠合多环基团的实例是茚基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、茚并菲基基团和茚并蒽基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合多环基团”是指具有与以上描述的单价非芳香族稠合多环基团基本上相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“单价非芳香族稠合杂多环基团”是指具有彼此稠合的两个或多于两个的环、可以包含至少一个杂原子(其中杂原子数可以是1至5或1至3，例如1、2、3、4或5)作为成环原子并且在其整个分子结构中无芳香性的单价基团(例如，具有1个至60个碳原子(其中碳原子数可以是1至30、1至20、1至15、1至10、1至8或1至6))。单价非芳香族稠合杂多环基团的实例包括吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、吲哚基基团、苯并吲哚基基团、萘并吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并异吲哚基基团、萘并异吲哚基基团、苯并噻咯基基团、苯并噻吩基基团、苯并呋喃基基团、咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、二苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、氮杂咔唑基基团、氮杂芴基基团、氮杂二苯并噻咯基基团、氮杂二苯并噻吩基基团、氮杂二苯并呋喃基基团、吡唑基基团、咪唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁二唑基基团、噻二唑基基团、苯并吡唑基基团、苯并咪唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并噻唑基基团、苯并噁二唑基基团、苯并噻二唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、咪唑并三嗪基基团、咪唑并吡嗪基基团、咪唑并哒嗪基基团、茚并咔唑基基团、吲哚并咔唑基基团、苯并呋喃并咔唑基基团、苯并噻吩并咔唑基基团、苯并噻咯并咔唑基基团、苯并吲哚并咔唑基基团、苯并咔唑基基团、苯并萘并呋喃基基团、苯并萘并噻吩基基团、苯并萘并噻咯基基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基基团和苯并噻吩并二苯并噻吩基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合杂多环基团”是指具有与以上描述的单价非芳香族稠合杂多环基团基本上相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C
如本文使用的术语“R
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C
各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C
-Si(Q
本文使用的Q
如本文使用的术语“杂原子”是指除了碳原子和氢原子之外的任何原子。杂原子的实例是O、S、N、P、Si、B、Ge、Se及其任意组合。
如本文使用的“Ph”是指苯基基团，如本文使用的“Me”是指甲基基团，如本文使用的“Et”是指乙基基团，如本文使用的“tert-Bu”或“Bu
如本文使用的术语“联苯基基团”是指“被苯基基团取代的苯基基团”。“联苯基基团”是具有C
如本文使用的术语“三联苯基基团”是指“被联苯基基团取代的苯基基团”。“三联苯基基团”是具有被C
除非另外定义，如本文使用的*和*'各自是指在相应的式中与相邻原子的结合位点。
在下文，将参考以下合成例和实施例详细地描述根据实施方案的化合物和根据实施方案的发光装置。在描述合成例中使用的措辞“使用B代替A”意指使用等摩尔当量的B代替A。
[实施例]
主体的制备
BH1的制备
在氮气的存在下，将约5g的1,6-二溴芘(13.9mmol)和约8.3g的2-(叔丁基)-5H-苯并[b]咔唑(30.6mmol)添加至三颈烧瓶(500ml)中，并且向其中添加约5.8g的CuI(30.6mmol)、约5.5g的1,10-菲咯啉(30.6mmol)和约7.7g的KOH(137.7mmol)。此后，将反应混合物添加至并且溶解在对二甲苯(250ml)中，并且在约140℃的温度下搅拌约48小时。
在反应完成后，将反应产物的温度降低至室温并且通过使用二氯甲烷(MC)通过硅藻土过滤。使用水洗涤(三次)经过滤的有机层以从其中洗掉杂质，并且使用无水MgSO
在通过使用真空去除溶剂后，通过柱色谱法(洗脱液，正己烷:MC＝9:1)获得约6.7g的化合物BH1(产率：65％)。
H
BH2的制备
在氮气气氛中，在500ml圆底烧瓶中，将1,6-二溴芘(约3g,8.33mmol)和(6-(叔丁基)萘-2-基)硼酸(约4.4g,19.2mmol)完全溶解在约300ml的甲苯中，向其中添加2M碳酸钾水溶液(约150ml)，向其中添加四(三苯基膦)钯(约0.38g,0.33mmol)，并且将反应混合物加热同时搅拌约4小时。
将温度降低至室温，去除水层，并且在用MgSO
H
发光装置的制造
比较例1
将其上形成了ITO
将HAT-CN真空沉积在衬底上以形成具有约
将化合物TCTA真空沉积在空穴传输层上以形成具有约
将作为主体的化合物BH3和作为掺杂剂的化合物100共沉积在电子阻挡层上至约97:3的重量比，以形成具有约
随后，在其上沉积T2T以形成具有约
将Yb真空沉积在电子传输层上至约
比较例2
以与比较例1中基本上相同的方式制造发光装置，但将作为主体的化合物BH1和作为掺杂剂的化合物100共沉积在电子阻挡层上至约97:3的重量比，以形成具有约
比较例3
以与比较例1中基本上相同的方式制造发光装置，但将作为主体的化合物BH2和作为掺杂剂的化合物100共沉积在电子阻挡层上至约97:3的重量比，以形成具有约
实施例1
以与比较例1中基本上相同的方式制造发光装置，但将作为主体的空穴传输化合物BH1和电子传输化合物BH2(约2:8的重量比)与作为掺杂剂的化合物100共沉积在电子阻挡层上至约97:3的重量比，以形成具有约
实施例2
以与实施例1中基本上相同的方式制造发光装置，但空穴传输化合物BH1和电子传输化合物BH2的重量比为约5:5。
实施例3
以与实施例1中基本上相同的方式制造发光装置，但空穴传输化合物BH1和电子传输化合物BH2的重量比为约8:2。
串联发光装置的制造
比较例4
将其上形成了15Ω/cm
将HAT-CN沉积在玻璃衬底的ITO/Ag/ITO阳极上以形成具有约
随后，将BCP和Li共沉积在电子传输层上至约99:1的重量比，以形成具有约
将NPB沉积在p-型电荷产生层上以形成具有约
随后，将BCP和Li共沉积在电子传输层上至约99:1的重量比，以形成具有约
随后，将NPB沉积在p-型电荷产生层上以形成具有约
随后，将Yb沉积在其上以形成具有约
实施例4
以与比较例4中基本上相同的方式制造发光装置，但将第三发射层形成为两个层，包括具有约
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T
使用高斯([结构优化#B3LYP/6-31G*,[TD DFT]#B3LYP/6-31G*TD＝(50-50,Nstates＝3))进行化合物BH1、化合物BH2和化合物BH3的T
表1
为了评估根据比较例1至比较例3和实施例1至实施例3制造的发光装置的特性，测量了在约10mA/cm
使用源表(2400系列，吉时利仪器公司(Keithley Instruments Inc.))测量发光装置的驱动电压和电流密度，并且使用滨松光子公司(Hamamatsu Photonics Inc.)的测量系统C9920-2-12测量外部量子效率。
表2
为了评估根据比较例4和实施例4制造的串联发光装置的特性，测量了在约10mA/cm
表3
表2和表3显示，与比较例1至比较例4的发光装置相比，实施例1至实施例4的发光装置表现出相当或更高的外部量子效率和更长的使用寿命。
如以上描述，根据实施方案，与现有技术相比，通过防止电子阻挡层的劣化，发光装置可以表现出改善的效率和使用寿命。
本文已经公开了实施方案，并且尽管使用了术语，但它们仅以一般性和描述性的意义进行使用和解释，而不是出于限制的目的。在一些情况下，如对于本领域普通技术人员将显而易见的，关于实施方案描述的特征、特性和/或要素可以单独使用或与关于其它实施方案描述的特征、特性和/或要素组合使用，除非另外具体指出。因此，本领域普通技术人员将理解，在不背离如权利要求中阐述的本公开内容的主旨和范围的情况下，可以进行形式和细节的各种改变。