发光基板、显示面板、显示设备和显示方法

技术领域

本发明涉及显示技术，尤其涉及一种发光基板、显示面板、显示设备和显示方法。

背景技术

有机发光二极管(OLED)显示器是当今平板显示器研究领域的热点之一。与使用稳定电压控制亮度的薄膜晶体管-液晶显示器(TFT-LCD)不同，OLED由需要保持恒定以控制亮度的驱动电流驱动。OLED显示面板包括多个像素单元，该多个像素单元配置有呈多行和多列布置的像素驱动电路。每个像素驱动电路包括驱动晶体管，该驱动晶体管具有连接到每行一个栅线的栅极端子和连接到每列一个数据线的漏极端子。当像素单元被选通的行导通时，连接到驱动晶体管的开关晶体管导通，数据电压从数据线经由开关晶体管施加到驱动晶体管，使得驱动晶体管将与数据电压对应的电流输出到OLED器件。OLED器件被驱动以发出相应亮度的光。

发明内容

在一个方面，本公开提供了一种发光基板，包括多个子像素；其中，所述多个子像素中的各个子像素包括：n1个主发光元件；n1个主像素驱动电路，其被配置为驱动所述n1个主发光元件发光；n2个辅助发光元件；n2个辅助像素驱动电路，其被配置为驱动所述n2个辅助发光元件发光；n1≥1且n2≥1；其中，所述n1个主像素驱动电路中的各个主像素驱动电路包括第一存储电容器、第一驱动晶体管、第一发光控制晶体管和补偿子电路；其中，所述n2个辅助像素驱动电路中的各个辅助像素驱动电路包括第二存储电容器、第二驱动晶体管、第二发光控制晶体管和选择子电路；其中，所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管的阈值电压电平实质相同。

可选地，补偿子电路包括：第一晶体管，其具有耦接到复位控制信号线的栅极、耦接到所述第一驱动晶体管的漏极的源极、以及耦接到所述第一驱动晶体管的栅极和所述第一存储电容器的第一电容器电极的漏极；第二晶体管，其具有耦接到栅线的栅极、耦接到数据线的源极和耦接到所述第一存储电容器的第二电容器电极的漏极；第三晶体管，其具有耦接到发光控制信号线的栅极、耦接到恒压电源线的源极、以及耦接到所述第一存储电容器的第二电容器电极和所述第二晶体管的所述漏极的漏极；以及第四晶体管，其具有耦接到复位控制信号线的栅极、耦接到所述恒压电源线的源极、以及耦接到所述n1个主发光元件中的相应主发光元件的阳极的漏极。

可选地，选择子电路包括：开关晶体管，其具有耦接到相应主像素驱动电路的第一驱动晶体管和所述相应主像素驱动电路的第一存储电容器的第一电容器电极的源极，以及耦接到相应辅助像素驱动电路的第二驱动晶体管的栅极的漏极；以及控制晶体管，其具有耦接到栅线的栅极、耦接到控制信号线的源极、以及耦接到所述开关晶体管的栅极的漏极。

可选地，第一驱动晶体管的栅极和所述第一存储电容器的第一电容器电极连接到第一节点；以及所述第二驱动晶体管的栅极和所述第二存储电容器的第一电容器电极通过所述开关晶体管连接到所述第一节点。

可选地，n1个主发光元件和所述n2个辅助发光元件被配置为发射相同颜色的光。

可选地，相同颜色的光的波长在435nm至480nm范围内。

可选地，n1个主发光元件中的各个主发光元件具有第一发光区域；所述n2个辅助发光元件中的各个辅助发光元件具有第二发光区域；以及所述第一发光区域大于所述第二发光区域。

可选地，相应辅助像素驱动电路的所述控制晶体管的源极耦接到控制信号线；所述相应辅助像素驱动电路的所述控制晶体管的漏极耦接到所述相应辅助像素驱动电路的所述开关晶体管的栅极；所述相应辅助像素驱动电路的所述控制晶体管的栅极耦接到栅线；以及所述相应辅助像素驱动电路的所述控制晶体管的栅极被提供有同一栅极扫描信号，该栅极扫描信号被提供给所述相应主像素驱动电路中的数据写入晶体管。

可选地，控制信号线被配置为提供控制信号；其中，当所述控制信号为导通信号时，所述开关晶体管导通，使得所述相应辅助像素驱动电路中的所述第二驱动晶体管的栅极与所述相应主像素驱动电路中的所述第一驱动晶体管的栅极接收在同一节点处的同一电压信号；以及其中，当所述控制信号是截止信号时，所述开关晶体管截止，以将所述相应辅助像素驱动电路中的所述第二驱动晶体管的栅极与所述同一节点断开。

可选地，相应辅助像素驱动电路的所述第二存储电容器包括第一电容器电极和第二电容器电极；所述第二存储电容器的第一电容器电极耦接到所述开关晶体管的栅极和所述控制晶体管的漏极；以及所述第二存储电容器的第二电容器电极耦接到恒压电源线。

在另一方面，本公开提供了一种显示面板，包括本文所述的发光基板和彩膜；其中，所述彩膜包括分别设置在多个透光区域中的多个彩膜块；其中，所述多个透光区域中的各个透光区域与所述n1个主发光元件的发光区域至少部分重叠，且与所述n2个辅助发光元件的发光区域至少部分重叠。

可选地，多个彩膜块中的各个彩膜块在基板上的正投影完全覆盖所述n1个主发光元件在所述基板上的正投影，并且与所述n2个辅助发光元件在所述基板上的正投影至少部分重叠。

可选地，所述显示面板还包括：第一包覆层，其位于所述发光基板上；色转换层，其位于所述第一包覆层远离所述发光基板的一侧；以及第二包覆层，其位于所述色彩转换层远离所述第一包覆层的一侧；其中，所述彩膜位于所述第二包覆层远离所述色转换层的一侧；以及所述色转换层包括多个第一颜色的色转换块、多个第二颜色的色转换块和多个透光块。

可选地，n1个主发光元件在基板上的正投影的中心与所述多个彩膜块中的各个彩膜块在所述基板上的正投影的中心实质重叠。

在另一方面，本公开提供了一种显示设备，包括本文所述的发光基板以及连接到发光基板的一个或多个集成电路。

在另一方面，本公开提供了一种显示方法，包括：提供显示面板，所述显示面板包括多个子像素，所述多个子像素中的各个子像素包括n1个主发光元件和n2个辅助发光元件，n1≥1且n2≥1；为了显示第一帧图像，将所述各个子像素的发光控制为限制在所述n1个主发光元件和所述n2个辅助发光元件中的m个辅助发光元件中，0≤m≤n2；以及为了显示第二帧图像，将所述各个子像素的发光控制为限制在所述n1个主发光元件和所述n2个辅助发光元件中的m’个辅助发光元件中，0≤m’≤n2，并且m≠m’。

可选地，为了在第一模式中显示所述第一帧图像，所述各个子像素的发光被限制在所述n1个主发光元件中，m＝0；以及其中，为了在第二模式中显示所述第二帧图像，所述各个子像素的发光被限制在所述n1个主发光元件和所述n2个辅助发光元件中，m’＝n2。

可选地，在所述第一模式中，包括所述各个子像素的所述显示面板的至少一部分被配置为显示单色图像，或者所述第一帧图像与相邻子像素中的一帧图像相比具有高对比度；以及在所述第二模式中，包括所述各个子像素的所述显示面板的至少一部分被配置为显示彩色图像。

可选地，所述显示方法还包括，为了在第三模式下显示第三帧图像，将所述各个子像素的发光控制为限制在所述n1个主发光元件和所述n2个辅助发光元件中的m”个辅助发光元件中，1＜m”＜n2并且m＜m”＜m’。

可选地，所述显示方法包括：通过各个主像素驱动电路，驱动所述n1个主发光元件中的相应主发光元件发光；以及通过耦接到所述各个主像素驱动电路的相应辅助像素驱动电路，驱动所述n2个辅助发光元件中的相应辅助发光元件发光。

可选地，驱动所述相应辅助发光元件和所述相应主发光元件发光包括：向所述相应辅助像素驱动电路中的第二驱动晶体管的栅极和所述相应主像素驱动电路中的第一驱动晶体管的栅极提供同一电压信号。

可选地，所述显示方法还包括向所述相应辅助像素驱动电路提供控制信号，以控制所述同一电压信号到所述相应辅助像素驱动电路中的所述第二驱动晶体管的栅极的传输；其中，当所述控制信号是导通信号时，所述同一电压信号被传输到所述相应辅助像素驱动电路中的所述第二驱动晶体管的栅极，从而导通所述第二驱动晶体管；以及其中，当所述控制信号是截止信号时，所述相应辅助像素驱动电路中的所述第二驱动晶体管的栅极被配置为不接收所述同一电压信号，并且所述第二驱动晶体管截止。

可选地，所述显示方法包括向被配置为驱动所述相应主发光元件发光的所述相应主像素驱动电路提供数据信号，而不向被配置为驱动所述相应辅助发光元件发光的所述相应辅助像素驱动电路提供所述数据信号。

可选地，所述显示方法包括向所述相应主像素驱动电路中的第一发光控制晶体管和所述相应辅助像素驱动电路中的第二发光控制晶体管提供同一发光控制信号。

可选地，所述显示方法包括向所述相应主像素驱动电路中的数据写入晶体管和所述相应辅助像素驱动电路中的控制晶体管提供同一栅极扫描信号。

附图说明

根据各种公开的实施例，以下附图仅是用于说明目的的示例，并且不旨在限制本发明的范围。

图1是示出根据本公开的一些实施例中的发光基板的结构的示意图。

图2是根据本公开的一些实施例中的发光基板的电路图。

图3是根据本公开的一些实施例中的发光基板的截面图。

图4是根据本公开的一些实施例中的发光基板的截面图。

图5A示出根据本公开的一些实施例中的发光基板中在第一模式下的图像显示。

图5B示出根据本公开的一些实施例中的发光基板中在第二模式下的图像显示。

图6是根据本公开的一些实施例中的发光基板的截面图。

图7是示出根据本公开的一些实施例中的主像素驱动电路、辅助像素驱动电路、主发光元件和辅助发光元件的结构的电路图。

图8是根据本公开的一些实施例中操作发光基板的时序图。

图9是示出根据本公开的一些实施例中的主像素驱动电路、辅助像素驱动电路、第二辅助像素驱动电路、主发光元件、辅助发光元件和第二辅助发光元件的结构的电路图。

图10是根据本公开的一些实施例中的发光基板的截面图。

图11是示出根据本公开的一些实施例中的显示面板的结构的示意图。

图12A是根据本公开的一些实施例中的彩膜和发光元件的平面图。

图12B是根据本公开的一些实施例中的彩膜和发光元件的平面图。

图12C是根据本公开的一些实施例中的彩膜和发光元件的平面图。

具体实施方式

现在将参考以下实施例更具体地描述本公开。应当注意，本文中呈现的一些实施例的以下描述仅用于说明和描述的目的。其不是穷举的或限于所公开的精确形式。

本公开尤其提供了一种基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的发光基板、显示面板、显示设备和显示方法。在一个方面，本公开提供了一种显示方法。在一些实施例中，显示方法包括：提供显示面板，所述显示面板包括多个子像素，每个子像素包括n1个主发光元件和n2个辅助发光元件，n1≥1且n2≥1；为了显示第一帧图像，将所述子像素的发光控制为限制在所述n1个主发光元件和所述n2个辅助发光元件中的m个辅助发光元件中，0≤m≤n2；以及为了显示第二帧图像，将所述子像素的发光控制为限制在所述n1个主发光元件和所述n2个辅助发光元件中的m’个辅助发光元件中，0≤m’≤n2，并且m≠m’。

图1是示出根据本公开的一些实施例中的发光基板的结构的示意图。参照图1，在一些实施例中，发光基板包括显示区域DA和周边区域PA。如这里所使用的，术语“显示区域”是指显示面板中的发光基板的实际显示图像的区域。可选地，显示区域可以包括子像素区域和子像素间区域。子像素区域指的是子像素的发光区域，例如，对应于液晶显示器中的像素电极的区域或对应于有机发光二极管显示面板中的发光层的区域。子像素间区域是指相邻子像素区域之间的区域，例如对应于液晶显示器中的黑矩阵的区域或对应于有机发光二极管显示面板中的像素限定层的区域。可选地，所述子像素间区域是同一像素中的相邻子像素区域之间的区域。可选地，所述子像素间区域是两个相邻像素中的两个相邻子像素区域之间的区域。如这里所使用的，术语“周边区域”是指显示面板中的发光基板的区域，其中提供各种电路和布线以将信号传输到显示基板。为了增加显示设备的透明度，显示设备的非透明或不透明部件(例如，电池、印刷电路板、金属框架)可以被布置在周边区域中而不是在显示区域中。

图2是根据本公开的一些实施例中的发光基板的电路图。参照图2，发光基板包括子像素阵列。每个子像素包括电子组件，例如发光元件。在一些实施例中，发光基板还包括由多个像素驱动电路驱动的多个发光元件。在一个示例中，发光元件由相应像素驱动电路驱动。发光基板包括多个栅线GL、多个数据线DL和多个电源电压线Vdd。各个子像素Sp的发光由各个像素驱动电路PDC驱动。在一个示例中，高电压信号通过多个电源电压线Vdd中的相应一个输入到连接至发光元件的阳极的相应像素驱动电路PDC；低电压信号(恒压电源线)被输入到发光元件的阴极。高电压信号(例如VDD信号)和低电压信号(例如VSS信号)之间的电压差是驱动电压ΔV，该电压ΔV驱动发光元件发光。

在一些实施例中，发光基板包括多个子像素。在一些实施例中，多个子像素包括第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素。可选地，发光基板的各个像素包括第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素。发光基板中的多个子像素呈阵列布置。在一个示例中，多个子像素的阵列包括S1-S2-S3-S4格式重复阵列，其中，S1代表第一子像素，S2代表第二子像素，S3代表第三子像素，S4代表第四子像素。在另一示例中，S1-S2-S3-S4格式为C1-C2-C3-C4格式，其中，C1代表第一颜色的第一子像素，C2代表第二颜色的第二子像素，C3代表第三颜色的第三子像素，C4代表第四颜色的第四子像素。在另一示例中，S1-S2-S3-S4格式为C1-C2-C3-C2’格式，其中，C1代表第一颜色的第一子像素，C2代表第二颜色的第二子像素，C3代表第三颜色的第三子像素，C2’代表第二颜色的第四子像素。在另一示例中，C1-C2-C3-C2’格式为R-G-B-G格式，其中各个第一子像素为红色子像素，各个第二子像素为绿色子像素，各个第三子像素为蓝色子像素，各个第四子像素为绿色子像素。

在本发光基板中可以使用各种适当的像素驱动电路。适当的驱动电路的示例包括3T1C、2T1C、4T1C、4T2C、5T2C、6T1C、7T1C、7T2C、8T1C和8T2C。在本发光基板中可以使用各种适当的发光元件。适当的发光元件的示例包括有机发光二极管、量子点发光二极管和微型发光二极管。可选地，发光元件为微型发光二极管。可选地，发光元件为包括有机发光层的有机发光二极管。

图3是根据本公开的一些实施例中的发光基板的截面图。参照图3，在一些实施例中，显示面板包括多个子像素。在一些实施例中，多个子像素中的各个子像素Sp包括n1个主发光元件和n2个辅助发光元件，n1≥1，和n2≥1。可选地，n1是整数。可选地，n2是整数。

在本发光基板中，术语“子像素”是指像素元件，子像素可以包括多个像素驱动电路和多个发光元件。然而，子像素中的多个发光元件发光，以实现像素元件所需的灰度。例如，像素可以包括三个子像素，红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。为了显示图像的像素，红色子像素发光以实现第一灰度，绿色子像素发光以实现第二灰度，蓝色子像素发光以实现第三灰度。从红色子像素中的多个发光元件发射的光一起实现第一灰度。从绿色子像素中的多个发光元件发射的光一起实现第二灰度。从蓝色子像素中的多个发光元件发射的光一起实现第三灰度。因此，多个像素驱动电路由至少一个同一控制信号控制。例如，来自发光控制信号线的信号可以同相地传输到多个像素驱动电路，作为多个像素驱动电路中的每一个的发光控制信号。在另一示例中，来自栅线的信号可以同相地传输到多个像素驱动电路，作为多个像素驱动电路中的每一个的栅极扫描信号。在另一示例中，仅一数据信号被传输至多个像素驱动电路，例如，数据信号被传输至多个像素驱动电路中的仅一个或两个。

再次参照图3，发光基板还包括像素驱动层DVL，其包括n1个主像素驱动电路和n2个辅助像素驱动电路，n1≥1，和n2≥1。可选地，n1是整数。可选地，n2是整数。n1个主像素驱动电路中的各个主像素驱动电路被配置为驱动n1个主发光元件中的各个主发光元件发光。n2个辅助像素驱动电路中的各个辅助像素驱动电路被配置为驱动n2个辅助发光元件中的各个辅助发光元件发光。

图4是根据本公开的一些实施例中的发光基板的截面图。参照图4，发光基板的像素包括三个子像素Sp1、Sp2和Sp3。每个子像素包括在像素驱动层DVL中的单个发光元件和单个像素驱动电路。在图4中标示了三个发光元件LE1、LE2和LE3。本公开的发明人发现，相邻子像素之间会发生串扰问题。例如，从第一发光元件LE1发射的光会进入第二子像素Sp2。为了减少串扰，发光基板包括在相邻子像素之间的子像素间区域中的黑矩阵BM。然而，本公开的发明人发现，黑矩阵BM通常吸收光，降低了发光基板中的光利用效率。当所有发光元件都是蓝色发光元件时，由于从蓝色发光元件发射的光的角度较宽，导致串扰问题特别突出。

本公开的发明人发现，根据本公开的发光基板的显示方法和复杂结构可以有效地防止子像素间的串扰，同时保持优异的光利用效率。本显示方法包括多个显示模式，其中同一子像素中的不同数量的发光元件被配置为发光。在一些实施例中，为了显示第一帧图像，该方法包括将各个子像素的发光控制为限制在n1个主发光元件和n2个辅助发光元件中的m个辅助发光元件中，0≤m≤n2。为了显示第二帧图像，将各个子像素的发光控制为限制在n1个主发光元件和n2个辅助发光元件中的m’个辅助发光元件中，0≤m’≤n2，并且m≠m’。

在一个示例中，为了在第一模式中显示第一帧图像，各个子像素的发光被限制在n1个主发光元件中，m＝0。为了在第二模式中显示第二帧图像，各个子像素的发光被限制在n1个主发光元件和n2个辅助发光元件中，m’＝n2。

图5A示出根据本公开的一些实施例中的发光基板中在第一模式下的图像显示。在图5A所示的示例中，n1＝1，n2＝3。参照图5A，在第一模式中，仅n1个主发光元件被配置为发光，而n2个辅助发光元件被配置为不发光。图5B示出根据本公开的一些实施例中的发光基板中在第二模式下的图像显示。参照图5B，在第二模式中，n1个主发光元件和n2个辅助发光元件都被配置为发光。

根据本显示方法的不同显示模式可以用于不同的场景。在一个示例中，当包括各个子像素的显示面板的至少一部分被配置为显示单色图像时，使用第一模式。参照图5A和图5B，n1个主发光元件与黑矩阵BM相邻，这防止相应子像素与位于相应子像素的第一侧(左侧)的相邻的第一子像素之间的串扰。因为n2个辅助发光元件不发光，并且n1个主发光元件与位于第二侧(右侧)的相邻的第二子像素间隔开，所以也防止相应子像素与位于相应子像素的第二侧的相邻的第二子像素之间的串扰。

类似地，当各个子像素的第一帧图像与相邻子像素中的一帧图像相比具有高对比度时，可以使用第一模式。在一个示例中，当相邻子像素中的一帧图像的灰度比各个子像素的第一帧图像的灰度低时，使用第一模式。

在另一示例中，当包括各个子像素的显示面板的至少一部分被配置为显示彩色图像时，使用第二模式，对于该彩色图像，光利用效率变得更加重要。例如，为了在各个子像素中实现80尼特(nit)的亮度，n1个主发光元件可以被配置为贡献65尼特，而n2个辅助发光元件贡献15尼特，这可以显著提高发光基板中的光利用效率。

显示模式不限于第一模式和第二模式。在本显示方法中可以实现总共n2个模式。在一些实施例中，使用第三模式。为了在第三模式下显示第三帧图像，该方法包括将各个子像素的发光控制为限制在n1个主发光元件和n2个辅助发光元件中的m”个辅助发光元件中，1＜m”＜n2，并且m＜m”＜m’。

在一个示例中，n1＝1并且n2＝1。图6是根据本公开的一些实施例中的发光基板的截面图。参照图6，在一些实施例中，n1个主发光元件由单个主发光元件组成，n2个辅助发光元件由单个辅助发光元件组成，像素驱动层DVL中的n1个主像素驱动电路由单个主像素驱动电路组成，n2个辅助像素驱动电路由单个辅助像素驱动电路组成。

各种适当的实现方式可以用于实现该显示方法。在一些实施例中，可通过控制n1个主像素驱动电路和n2个辅助像素驱动电路来实现n2个模式中的每一个。在一些实施例中，该方法包括通过各个主像素驱动电路来驱动n1个主发光元件中的相应主发光元件发光；以及通过耦接到各个主像素驱动电路的相应辅助像素驱动电路来驱动n2个辅助发光元件中的相应辅助发光元件发光。

图7是示出根据本公开的一些实施例中的主像素驱动电路、辅助像素驱动电路、主发光元件和辅助发光元件的结构的电路图。在本发光基板中可以使用各种适当的像素驱动电路。用于各个主像素驱动电路和各个辅助像素驱动电路的适当驱动电路的示例包括3T1C、2T1C、4T1C、4T2C、5T2C、6T1C、7T1C、7T2C、8T1C和8T2C。在一个示例中，与各个主像素驱动电路相比，各个辅助像素驱动电路具有更简单的电路结构。在另一示例中，各个主像素驱动电路的晶体管总数大于各个辅助像素驱动电路的晶体管总数。

参照图7，在一个示例中，各个主像素驱动电路rmp是6T1C驱动电路。在一些实施例中，各个主像素驱动电路rmp包括第一存储电容器Cst，其包括第一电容器电极Ce1与第二电容器电极Ce2；第一驱动晶体管Td，其具有与第一电容器电极Ce1耦接的栅极，与电源电压信号线Vdd耦接的源极；第一晶体管T1，其具有耦接到复位控制信号线rst(n)的栅极、耦接到第一驱动晶体管Td的漏极的源极、以及耦接到第一驱动晶体管Td的栅极和第一电容器电极Ce1的漏极；第二晶体管T2，其具有耦接至栅线GL(n)的栅极，耦接至数据线DL(n)的源极，以及耦接至第二电容器电极Ce2的漏极；第三晶体管T3，其具有耦接到发光控制信号线em(n)的栅极、耦接到恒压电源线Vss的源极、以及耦接到第二电容器电极Ce2和第二晶体管T2的漏极的漏极；第四晶体管T4，其具有耦接到复位控制信号线rst(n)的栅极、耦接到恒压电源线Vss的源极、以及耦接到n1个主发光元件中的相应主发光元件LE的阳极的漏极；以及第一发光控制晶体管Te，其具有耦接到发光控制信号线em(n)的栅极、耦接到第一驱动晶体管Td的漏极和第一晶体管T1的源极的源极、以及耦接到相应主发光元件LE的阳极和第四晶体管T4的漏极的漏极。

参照图7，在一个示例中，各个辅助像素驱动电路rap是4T1C驱动电路。在一些实施例中，各个辅助像素驱动电路rap包括第二驱动晶体管Td’，其具有与电源电压信号线Vdd耦接的源极；第二发光控制晶体管Te’，其具有耦接到发光控制信号线em(n)的栅极、耦接到第二驱动晶体管Td’的漏极的源极、以及耦接到n2个辅助发光元件中的相应辅助发光元件LE’的阳极的漏极；开关晶体管Ts，其具有耦接到相应主像素驱动电路rmp的第一驱动晶体管Td和相应主像素驱动电路rmp的第一存储电容器Cst的第一电容器电极Ce1的源极，以及耦接到相应辅助像素驱动电路rap的第二驱动晶体管Td’的栅极的漏极；控制晶体管Tc，其具有耦接到栅线GL(n)的栅极、耦接到控制信号线CSL的源极、以及耦接到开关晶体管Ts的栅极的漏极；第二存储电容器Cst’，其具有耦接到开关晶体管Ts的栅极和控制晶体管Tc的漏极的第一电容器电极Ce1’，以及耦接到恒压供应线Vss的第二电容器电极Ce2’。

图8是根据本公开的一些实施例中操作发光基板的时序图。参照图8，在一些实施例中，关于各个子像素的图像显示阶段包括第一子阶段t1和第二子阶段t2。在第一子阶段T1，复位控制信号线rst(n)被配置为向各个主像素驱动电路中的第一晶体管T1和第四晶体管T4的栅极提供低电压信号，从而导通第一晶体管T1和第四晶体管T4。发光控制信号线em(n)被配置为向各个主像素驱动电路中的第三晶体管T3和第一发光控制晶体管Te的栅极提供低电压信号，从而导通第三晶体管T3和第一发光控制晶体管Te。发光控制信号线em(n)被配置为向各个辅助像素驱动电路中的第二发光控制晶体管Te’的栅极提供同一低电压信号，从而导通各个辅助像素驱动电路rap中的第二发光控制晶体管Te’。在第一子阶段t1，各个辅助像素驱动电路rap中的开关晶体管Ts截止。N1节点和N2节点处的电压电平被复位为恒压电源线Vss的低电压电平。

在第二子阶段t2，复位控制信号线rst(n)被配置为向各个主像素驱动电路中的第一晶体管T1和第四晶体管T4的栅极提供低电压信号，从而导通第一晶体管T1和第四晶体管T4。发光控制信号线em(n)被配置为向各个主像素驱动电路rmp中的第三晶体管T3和第一发光控制晶体管Te的栅极提供高电压信号，从而截止第三晶体管T3和第一发光控制晶体管Te。发光控制信号线em(n)被配置为向各个辅助像素驱动电路中的第二发光控制晶体管Te’的栅极提供同一高电压信号，从而截止各个辅助像素驱动电路rap中的第二发光控制晶体管Te’。栅线GL(n)被配置为向各个主像素驱动电路rmp中的第二晶体管T2的栅极提供低电压信号，从而导通各个主像素驱动电路rmp中的第二晶体管T2。栅线GL(n)被配置为向各个辅助像素驱动电路rap中的控制晶体管Tc的栅极提供同一低电压信号，从而导通各个辅助像素驱动电路rap中的控制晶体管Tc。在第二子阶段t2，主像素驱动电路rmp中的第三晶体管T3截止。各个主像素驱动电路rmp中的第一晶体管T1和第二晶体管T2导通。各个主像素驱动电路rmp中的第一发光控制晶体管Te截止。N1节点对第一驱动晶体管Td的栅极充电，直到第一驱动晶体管Td的栅极处的电压电平达到电源电压信号线Vdd的电平加上第一驱动晶体管Td的阈值电压。N2节点被充电至数据线DL(n)的电平。各个辅助像素驱动电路rap中的控制晶体管Tc导通，N3节点被充电至控制信号线CSL的电平。控制信号线CSL被配置为提供高电压信号(VGH)或低电压信号(VGL)。

在第三子阶段t3，发光控制信号线em(n)被配置为向各个主像素驱动电路rmp中的第三晶体管T3和第一发光控制晶体管Te的栅极提供低电压信号，从而导通第三晶体管T3和第一发光控制晶体管Te。发光控制信号线em(n)被配置为向各个辅助像素驱动电路中的第二发光控制晶体管Te’的栅极提供同一低电压信号，从而导通各个辅助像素驱动电路rap中的第二发光控制晶体管Te’。栅线GL(n)被配置为向各个主像素驱动电路rmp中的第二晶体管T2的栅极提供高电压信号，从而截止各个主像素驱动电路rmp中的第二晶体管T2。栅线GL(n)被配置为向各个辅助像素驱动电路rap中的控制晶体管Tc的栅极提供同一高电压信号，从而截止各个辅助像素驱动电路rap中的控制晶体管Tc。复位控制信号线rst(n)被配置为向各个主像素驱动电路中的第一晶体管T1和第四晶体管T4的栅极提供高电压信号，从而截止第一晶体管T1和第四晶体管T4。N2节点处的电压电平从数据线DL(n)的电平改变到恒压供应线Vss的电平。N1节点处的电压电平从Vdd+Vth(电源电压信号线Vdd的电平加上第一驱动晶体管Td的阈值电压)变为Vdd+Vth+Vss-DL(n)(电源电压信号线Vdd的电平加上第一驱动晶体管Td的阈值电压，加上恒压电源线Vss的电平，减去数据线DL(n)的电平)。

如果在第二子阶段t2中控制信号线CSL被配置为提供高电压信号(VGH)，则在第三子阶段t3中截止开关晶体管Ts，并且在第三子阶段t3中各个辅助发光元件LE’不发光。

如果在第二子阶段t2中控制信号线CSL被配置为提供低电压信号(VGL)，则在第三子阶段t3中导通开关晶体管Ts。各个辅助像素驱动电路rap中的第二驱动晶体管Td’的栅极被充电至在N1节点处的同一电压电平，例如，Vdd+Vth+Vss-DL(n)，即，电源电压信号线Vdd的电平加上第一驱动晶体管Td的阈值电压，加上恒压电源线Vss的电平，减去数据线DL(n)的电平。因为在第三子阶段t3中各个辅助像素驱动电路rap中的第二发光控制晶体管Te’被导通，所以在第三子阶段t3中各个辅助发光元件LE’发光。

在一些实施例中，各个主像素驱动电路rmp包括补偿子电路CSC。可选地，补偿子电路CSC包括第一晶体管T1，其具有耦接到复位控制信号线rst(n)的栅极、耦接到第一驱动晶体管Td的漏极的源极、以及耦接到第一驱动晶体管Td的栅极和存储电容器Cst的第一电容器电极Ce1的漏极；第二晶体管T2，其具有耦接至栅线GL(n)的栅极，耦接至数据线DL(n)的源极以及耦接至存储电容器Cst的第二电容器电极Ce2的漏极；第三晶体管T3，其具有耦接到发光控制信号线em(n)的栅极、耦接到恒压电源线Vss的源极、以及耦接到存储电容器Cst的第二电容器电极Ce2和第二晶体管T2的漏极的漏极；以及第四晶体管T4，其具有耦接到复位控制信号线rst(n)的栅极、耦接到恒压电源线Vss的源极、以及耦接到n1个主发光元件中的相应主发光元件LE的阳极的漏极。

在一些实施例中，相应辅助像素驱动电路rap与相应主像素驱动电路rmp共用补偿子电路CSC。在一些实施例中，第一驱动晶体管Td与第二驱动晶体管Td’的阈值电压电平实质相同。可选地，第一驱动晶体管Td中的有源层的沟道宽度与沟道长度的比和第二驱动晶体管Td’中的有源层的沟道宽度与沟道长度的比基本相同。在一个示例中，在发光基板中制造第一驱动晶体管Td和第二驱动晶体管Td’，使得它们彼此接近，以确保它们的阈值电压电平基本相同。如本文所用，术语“基本相同”是指两个值之间的差不超过基值(例如，两个值中的一个)的10％，例如不超过基值的8％、不超过6％、不超过4％、不超过2％、不超过1％、不超过0.5％、不超过0.1％、不超过0.05％和不超过0.01％。

在一些实施例中，各个辅助像素驱动电路rap包括选择子电路SSC。可选地，选择子电路SSC包括开关晶体管Ts，其具有耦接到相应主像素驱动电路rmp的第一驱动晶体管Td和相应主像素驱动电路rmp的第一存储电容器Cst的第一电容器电极Ce1的源极，以及耦接到相应辅助像素驱动电路rap的第二驱动晶体管Td’的栅极的漏极；以及控制晶体管Tc，其具有耦接到栅线GL(n)的栅极、耦接到控制信号线CSL的源极、以及耦接到开关晶体管Ts的栅极的漏极。

参照图7，各个辅助像素驱动电路rap中的第二驱动晶体管Td’和各个主像素驱动电路rmp中的第一驱动晶体管Td的栅极共同耦接至N1节点。如上所述，当控制信号线CSL被配置为在第二子阶段t2提供导通电压时，各个辅助像素驱动电路rap中的第二驱动晶体管Td’的栅极被充电至在N1节点处同一电压电平，并且各个辅助发光元件LE’在第三子阶段t3发光。因此，在一些实施例中，显示方法包括向各个辅助像素驱动电路中的第二驱动晶体管Td’的栅极和各个主像素驱动电路中的第一驱动晶体管Td的栅极提供同一电压信号，从而驱动各个辅助发光元件和各个主发光元件发光。

在一些实施例中，显示方法包括向各个辅助像素驱动电路提供控制信号，以控制同一电压信号传输到各个辅助像素驱动电路中的第二驱动晶体管Td’的栅极。可选地，当所述控制信号为导通信号时，向所述各个辅助像素驱动电路中的第二驱动晶体管的栅极传输同一电压信号，从而导通所述第二驱动晶体管。各个辅助发光元件LE’发光。可选地，其中，所述控制信号为截止信号，所述各个辅助像素驱动电路中的第二驱动晶体管的栅极配置为不接收同一电压信号，所述第二驱动晶体管截止。各个辅助发光元件LE’不发光。

参照图7，用于各个子像素的数据信号仅被提供给各个主像素驱动电路rmp，而不提供给各个辅助像素驱动电路rap。具体地，用于各个子像素的数据信号被提供给各个主像素驱动电路rmp中的第二晶体管T2的源极。在一些实施例中，显示方法包括将数据信号提供给被配置为驱动各个主发光元件LE发光的各个主像素驱动电路rmp，而不将数据信号提供给被配置为驱动各个辅助发光元件LE’发光的各个辅助像素驱动电路rap。

在一些实施例中，显示方法包括向各个主像素驱动电路和各个辅助像素驱动电路中的发光控制晶体管提供同一发光控制信号。如图7所示，同一发光控制信号同相地提供给各个主像素驱动电路rmp中的第一发光控制晶体管Te和各个辅助像素驱动电路rap中的第二发光控制晶体管Te’。

在一些实施例中，显示方法包括将同一栅极扫描信号同相地提供到各个主像素驱动电路rmp中的数据写入晶体管(例如，第二晶体管T2)和各个辅助像素驱动电路rap中的控制晶体管Tc。

图9是示出根据本公开的一些实施例中的主像素驱动电路、辅助像素驱动电路、第二辅助像素驱动电路、主发光元件、辅助发光元件和第二辅助发光元件的结构的电路图。图9示出了n1＝1且n2＝2的示例。各个主像素驱动电路rmp和各个辅助像素驱动电路rap的结构与图7中所示的相同。第二辅助像素驱动电路rap’被配置为驱动第二辅助发光元件LE”发光。

参照图9，在一个示例中，第二辅助像素驱动电路rap’是4T1C驱动电路。在一些实施例中，第二辅助像素驱动电路rap’包括第三驱动晶体管Td”，其具有耦接到电源电压信号线Vdd的源极；第三发光控制晶体管Te”，其具有耦接到发光控制信号线em(n)的栅极、耦接到第三驱动晶体管Td”的漏极的源极、以及耦接到n2个辅助发光元件中的第二辅助发光元件LE”的阳极的漏极；开关晶体管Ts’，其具有耦接到各个主像素驱动电路rmp的第一驱动晶体管Td和各个主像素驱动电路rmp的第一存储电容器Cst的第一电容器电极Ce1的源极，以及耦接到第二辅助像素驱动电路rap’的第三驱动晶体管Td”的栅极的漏极；控制晶体管Tc’，其具有耦接到栅线GL(n)的栅极、耦接到第二控制信号线CSL’的源极、以及耦接到开关晶体管Ts’的栅极的漏极；第三存储电容器Cst”，其具有耦接到开关晶体管Ts’的栅极和控制晶体管Tc’的漏极的第一电容器电极Ce1”，以及耦接到恒压电源线Vss的第二电容器电极Ce2”。

在一些实施例中，被配置为向各个子像素传输信号的控制信号线的总数是n2。n2个辅助发光元件发光可以相对于每个单独的辅助发光元件被独立地控制。取决于传输到单独的辅助像素驱动电路的单独的控制信号(CSL

在一些实施例中，n2个辅助像素驱动电路中的第二驱动晶体管的栅极和n1个主像素驱动电路中的第一驱动晶体管的栅极共同耦接到N1节点。该显示方法包括提供同一电压信号(Vdd+Vth+Vss-DL(n))至n2个辅助像素驱动电路中的第二驱动晶体管的栅极和n1个主像素驱动电路中的第一驱动晶体管的栅极。

在一些实施例中，用于各个子像素的数据信号仅被提供给各个主像素驱动电路rmp，而不提供给n2个辅助像素驱动电路。具体地，用于各个子像素的数据信号被提供给各个主像素驱动电路rmp中的第二晶体管T2的源极。在一些实施例中，显示方法包括将数据信号提供给被配置为驱动各个主发光元件LE发光的各个主像素驱动电路rmp，而不将数据信号提供给被配置为驱动n2个辅助发光元件发光的n2个辅助像素驱动电路。

在一些实施例中，同一发光控制信号被提供给各个主像素驱动电路中的第一发光控制晶体管和n2个辅助像素驱动电路中的第二发光控制晶体管。

在一些实施例中，同一栅极扫描信号被提供给各个主像素驱动电路中的数据写入晶体管和n2个辅助像素驱动电路中的控制晶体管。

n1个主发光元件和n2个辅助发光元件可以具有各种适当的面积。在一个示例中，n1个主发光元件和n2个辅助发光元件具有同一均匀面积。在另一个示例中，n1个主发光元件中每个主发光元件的面积比n2个辅助发光元件中每个辅助发光元件的面积更大。在另一个示例中，n1个主发光元件中每个主发光元件的面积比n2个辅助发光元件中每个辅助发光元件的面积更小。

因此，在一些实施例中，显示方法包括提供显示面板，该显示面板包括多个子像素，各个子像素包括n1个主发光区域和n2个辅助发光区域，n1≥1，和n2≥1。可选地，为了显示第一帧图像，将各个子像素的发光控制为限制在n1个主发光区域和n2个辅助发光区域中的m个辅助发光区域中，0≤m≤n2。可选地，为了显示第二帧图像，将各个子像素的发光控制为限制在n1个主发光区域和n2个辅助发光区域中的m’个辅助发光区域中，0≤m’≤n2，并且m≠m’。

在一些实施例中，为了在第一模式中显示第一帧图像，各个子像素的发光被限制在n1个主发光区域中，m＝0。可选地，为了在第二模式中显示第二帧图像，各个子像素的发光被限制在n1个主发光区域和n2个辅助发光区域中，m’＝n2。

在一些实施例中，在第一模式中，包括各个子像素的显示面板的至少一部分被配置为显示单色图像，或者第一帧图像与相邻子像素中的一帧图像相比具有高对比度。可选地，在第二模式中，包括各个子像素的显示面板的至少一部分被配置为显示彩色图像。

在一些实施例中，该显示方法还包括：为了在第三模式下显示第三帧图像，将各个子像素的发光控制为限制在n1个主发光区域和n2个辅助发光区域中的m”个辅助发光区域中，1＜m”＜n2并且m＜m”＜m’。

在另一方面，本公开提供一种具有多个子像素的发光基板。在一些实施例中，多个子像素中的各个子像素包括n1个主发光元件；n1个主像素驱动电路，其被配置为驱动n1个主发光元件发光；n2个辅助发光元件；以及n2个辅助像素驱动电路，其被配置为驱动n2个辅助发光元件发光。可选地，n1≥1，并且n2≥1。可选地，n1＝1，并且n2＝1。可选地，n1个主像素驱动电路中的各个主像素驱动电路包括第一存储电容器、第一驱动晶体管、第一发光控制晶体管和补偿子电路。可选地，n2个辅助像素驱动电路中的各个辅助像素驱动电路包括第二存储电容器、第二驱动晶体管、第二发光控制晶体管和选择子电路。可选地，所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管的阈值电压电平基本相同。

参照图7，在一些实施例中，n2个辅助像素驱动电路中的各个辅助像素驱动电路rap中的第二驱动晶体管Td’的栅极和n1个主像素驱动电路中的各个主像素驱动电路rmp中的第一驱动晶体管Td的栅极耦接至同一节点(N1节点)。可选地，n1个主像素驱动电路中的第一驱动晶体管的栅极和n2个辅助像素驱动电路中的第二驱动晶体管的栅极共同耦接到同一节点。在一些实施例中，各个主像素驱动电路包括第一存储电容器Cst，其包括耦接至所述同一节点的第一电容器电极Ce1。

在一些实施例中，第一驱动晶体管Td的栅极与第一存储电容器Cst的第一电容器电极Ce1连接至第一节点N1。可选地，第二驱动晶体管Td’的栅极和第二存储电容器Cst’的第一电容器电极Ce1’通过开关晶体管Ts连接到第一节点N1。

在一些实施例中，各个辅助像素驱动电路rap包括开关晶体管Ts，其耦接到各个辅助像素驱动电路rap的第二驱动晶体管Td’的栅极，并耦接到同一节点(N1节点)。可选地，开关晶体管Ts被配置为控制各个辅助像素驱动电路rap的第二驱动晶体管Td’的栅极与所述同一节点电连接或断开。

在一些实施例中，各个辅助像素驱动电路rap包括耦接到各个辅助像素驱动电路rap的开关晶体管Ts的控制晶体管Tc。各个辅助像素驱动电路rap的控制晶体管Tc的源极耦接到控制信号线CSL。各个辅助像素驱动电路rap的控制晶体管Tc的漏极耦接到各个辅助像素驱动电路rap的开关晶体管Ts的栅极。各个辅助像素驱动电路rap的控制晶体管Tc的栅极耦接到栅线GL(n)。各个辅助像素驱动电路rap的控制晶体管Tc的栅极被提供有提供给各个主像素驱动电路rmp中的数据写入晶体管(例如，T2)的同一栅极扫描信号。

在一些实施例中，控制信号线CSL被配置为提供控制信号。当控制信号是导通信号时，开关晶体管Ts导通，以允许各个辅助像素驱动电路rap中的第二驱动晶体管Td’的栅极和各个主像素驱动电路rmp中的第一驱动晶体管Td的栅极在同一节点接收同一电压信号。当控制信号是截止信号时，开关晶体管Ts截止，以将各个辅助像素驱动电路rap中的第二驱动晶体管Td’的栅极与同一节点断开。

在一些实施例中，发光基板包括被配置为独立地向n2个辅助像素驱动电路发送控制信号的n2个控制信号线。n2个控制信号线(CSL

在一些实施例中，各个辅助像素驱动电路rap还包括第二存储电容器Cst’，其包括第一电容器电极Ce1’与第二电容器电极Ce2’。第二存储电容器Cst’的第一电容器电极Ce1’耦接到开关晶体管Ts的栅极和控制晶体管Tc的漏极；第二存储电容器Cst’的第二电容器电极Ce2’耦接到恒压电源线Vss。

在一些实施例中，各个主像素驱动电路rmp包括补偿子电路CSC。可选地，补偿子电路CSC包括第一晶体管T1，其具有耦接到复位控制信号线rst(n)的栅极、耦接到第一驱动晶体管Td的漏极的源极、以及耦接到第一驱动晶体管Td的栅极和存储电容器Cst的第一电容器电极Ce1的漏极；第二晶体管T2，其具有耦接至栅线GL(n)的栅极，耦接至数据线DL(n)的源极，以及耦接至存储电容器Cst的第二电容器电极Ce2的漏极；第三晶体管T3，其具有耦接到发光控制信号线em(n)的栅极、耦接到恒压电源线Vss的源极、以及耦接到存储电容器Cst的第二电容器电极Ce2和第二晶体管T2的漏极的漏极；以及第四晶体管T4，其具有耦接到复位控制信号线rst(n)的栅极、耦接到恒压电源线Vss的源极、以及耦接到n1个主发光元件中的各个主发光元件LE的阳极的漏极。

在一些实施例中，各个辅助像素驱动电路rap与各个主像素驱动电路rmp共用补偿子电路CSC。在一些实施例中，第一驱动晶体管Td与第二驱动晶体管Td’的阈值电压电平实质相同。可选地，第一驱动晶体管Td中的有源层的沟道宽度与沟道长度的比和第二驱动晶体管Td’中的有源层的沟道宽度与沟道长度的比基本相同。在一个示例中，在发光基板中制造第一驱动晶体管Td和第二驱动晶体管Td’，使得它们彼此接近，以确保它们的阈值电压电平基本相同。

在一些实施例中，各个辅助像素驱动电路rap包括选择子电路SSC。可选地，选择子电路SSC包括开关晶体管Ts，其具有耦接到各个主像素驱动电路rmp的第一驱动晶体管Td和各个主像素驱动电路rmp的第一存储电容器Cst的第一电容器电极Ce1的源极，以及耦接到各个辅助像素驱动电路rap的第二驱动晶体管Td’的栅极的漏极；以及控制晶体管Tc，其具有耦接到栅线GL(n)的栅极、耦接到控制信号线CSL的源极、以及耦接到开关晶体管Ts的栅极的漏极。

在一些实施例中，n1个主发光元件和n2个辅助发光元件被配置为发射相同颜色的光。可选地，相同颜色的光具有在435nm至480nm范围内的波长，例如435nm至440nm、440nm至445nm、445nm至450nm、450nm至455nm、455nm至460nm、460nm至465nm、465nm至470nm、470nm至475nm或475nm至480nm。在一个示例中，相同颜色的光具有在450nm到460nm范围内的波长。

在一些实施例中，n1个主发光元件中的各个主发光元件具有第一发光区域；并且n2个辅助发光元件中的各个辅助发光元件具有第二发光区域。可选地，第一发光区域大于第二发光区域。

在一些实施例中，n1个主发光元件具有第一组合发光区域；并且n2个辅助发光元件具有第二组合发光区域。可选地，第一组合发光区域大于第二组合发光区域。

在另一方面，本发明提供一种显示面板。在一些实施例中，显示面板包括本文所述的或通过本文所述的方法制造的发光基板，以及彩膜。参照图3、图4与图6，在一些实施例中，显示面板还包括彩膜，其包括多个彩膜块CFB。多个彩膜块CFB中的各个彩膜块在基板BS上的正投影与n1个主发光元件在基板BS上的正投影至少部分重叠，并且与n2个辅助发光元件在基板BS上的正投影至少部分重叠。

参照图3、图4与图6，在一些实施例中，显示面板还包括封装多个发光元件的第一封装层EN1和封装多个彩膜块CFB的第二封装层EN2。

参照图3、图4和图6，在一些实施例中，显示面板还包括遍及多个子像素延伸的整体的阴极CD。

在一些实施例中，一个或多个辅助发光元件可以由多个彩膜块CFB中的相邻两个彩膜块共用。图10是根据本公开的一些实施例中的发光基板的截面图。参照图10，发光基板还包括在单独子像素Sp和相邻子像素Asp之间共用的共用发光元件SLE和共用像素驱动电路。共用像素驱动电路被配置为驱动共用发光元件SLE发光。共用发光元件SLE在基板BS上的正投影与多个彩膜块CFB中的单独彩膜块RCB在基板BS上的正投影至少部分重叠，并且与多个彩膜块CFB中的相邻彩膜块ACB在基板BS上的正投影至少部分重叠。单独彩膜块RCB和相邻彩膜块ACB彼此相邻。单独彩膜块RCB对应于单独子像素Sp，相邻彩膜块ACB对应于相邻子像素Asp。

在一个示例中，共用像素驱动电路耦接到单独子像素Sp中的各个主像素驱动电路，共用像素驱动电路中的驱动晶体管的栅极耦接到单独子像素Sp中的主像素驱动电路中的第一驱动晶体管的栅极。

在另一示例中，共用像素驱动电路耦接到相邻子像素Asp中的主像素驱动电路，共用像素驱动电路中的驱动晶体管的栅极耦接到相邻子像素Asp中的主像素驱动电路中的第一驱动晶体管的栅极。

图11是示出根据本公开的一些实施例中的显示面板的结构的示意图。参照图11，在一些实施例中，彩膜包括分别在多个透光区域TA中的多个彩膜块CFB。n1个主发光元件具有第一发光区域LA1。n2个辅助发光元件具有第二发光区域LA2。在一些实施例中，多个透光区域TA中的各个透光区域与n1个主发光元件的第一发光区域至少部分重叠，并且与n2个辅助发光元件的第二发光区域至少部分重叠。

在一些实施例中，显示面板还包括色转换层CCL。可选地，色转换层CCL包括多个第一颜色的色转换块CCP1、多个第二颜色的色转换块CCP2、以及多个透光块，并且可选地，包括多个透光块TP。在一个示例中，第一颜色是红色，第二颜色是绿色。多个透光块TP不将光转换成不同的波长。在另一示例中，多个透光块TP对应于蓝色子像素。

在一些实施例中，显示面板包括在发光基板上的第一包覆(capping)层CAP1；色转换层CCL，其位于第一包覆层CAP1远离发光基板的一侧；以及第二包覆层CAP2，其位于色彩转换层CCL远离第一包覆层CAP1的一侧。可选地，彩膜位于第二包覆层CAP2远离色转换层CCL的一侧。第一包覆层CAP1与第二包覆层CAP2可由无机绝缘材料制成，例如二氧化硅、氮化硅和氮氧化硅。

图12A是根据本公开的一些实施例中的彩膜和发光元件的平面图。参照图12A，多个彩膜块CFB中的各个彩膜块位于多个透光区域中的相应透光区域(例如，图11中的“TA”)中。在一些实施例中，多个透光区域中的相应透光区域与n1个主发光元件的发光区域至少部分重叠，并且与n2个辅助发光元件的发光区域至少部分重叠。可选地，多个透光区域中的相应透光区域完全覆盖n1个主发光元件的发光区域，且与n2个辅助发光元件的发光区域至少部分重叠。

在一些实施例中，多个彩膜块CFB中的各个彩膜块在基板上的正投影与n1个主发光元件在基板上的正投影至少部分重叠，并且与n2个辅助发光元件在基板上的正投影至少部分重叠。可选地，多个彩膜块CFB中的各个彩膜块在基板上的正投影完全覆盖n1个主发光元件在基板上的正投影，且与n2个辅助发光元件在基板上的正投影至少部分重叠。

在一些实施例中，n1个主发光元件在基板上的正投影的中心C1与所述多个彩膜块中的各个彩膜块在基板上的正投影的中心C2基本重叠。如本文所用，术语“基本重叠”是指两个点(例如，“中心”)间隔开不超过1000μm，例如，不超过900μm、不超过800μm、不超过700μm、不超过600μm、不超过500μm、不超过400μm、不超过300μm、不超过200μm、不超过100μm、不超过90μm、不超过80μm、不超过70μm、不超过60μm、不超过50μm、不超过40μm、不超过30μm、不超过20μm、不超过10μm、不超过5μm、不超过4μm、不超过3μm、不超过2μm或不超过1μm。

图12B是根据本公开的一些实施例中的彩膜和发光元件的平面图。参照图12B，多个透光区域中的各个透光区域完全覆盖n1个主发光元件的发光区域，并完全覆盖n2个辅助发光元件的发光区域。可选地，多个彩膜块CFB中的各个彩膜块在基板上的正投影完全覆盖n1个主发光元件在基板上的正投影，且完全覆盖n2个辅助发光元件在基板上的正投影。可选地，n1个主发光元件在基板上的正投影的中心C1与所述多个彩膜块中的各个彩膜块在基板上的正投影的中心C2基本重叠。在图12B中，各个主发光元件的发光区域大于各个辅助发光元件的发光区域。

图12C是根据本公开的一些实施例中的彩膜和发光元件的平面图。参照图12C，各个主发光元件的各个发光区域与各个辅助发光元件的各个发光区域基本相同。

如本文所用，术语“中心”是指例如几何中心(尤其是对于规则形状)、近似几何中心、等效中心，如质心或重心(尤其是对于不规则形状)。

在另一方面，本发明提供一种显示设备，包括在此描述的或通过在此描述的方法制造的发光基板，以及连接到发光基板的一个或多个集成电路。适当的显示设备的示例包括但不限于电子纸、移动电话、平板计算机、电视、监视器、笔记本计算机、数字相册、GPS等。可选地，所述显示设备是有机发光二极管显示设备。可选地，所述显示设备是液晶显示设备。

在一些实施例中，所述显示设备包括一个或多个处理器，其被配置为确定所述显示设备中的所述多个子像素中的各个子像素的显示模式。在一些实施例中，所述一个或多个处理器被配置为从印刷电路接收用于在所述显示面板中进行图像显示的数据信号，所述一个或多个处理器还被配置为基于所述数据信号来确定包括各个子像素的所述显示面板的至少一部分是否被配置为显示单色图像。可选地，在确定了包括各个子像素的显示面板的至少一部分被配置为显示单色图像时，所述一个或多个处理器被配置为向各个子像素发送一个或多个信号，以将各个子像素的发光控制为限制在n1个主发光元件和n2个辅助发光元件中的m个辅助发光元件中，0≤m≤n2。

在一些实施例中，一个或多个处理器被配置为接收一帧图像的数据信号，一个或多个处理器还被配置为基于数据信号，确定各个子像素的第一帧图像与相邻子像素中的一帧图像相比是否具有高对比度。可选地，在确定了所述各个子像素的所述第一帧图像与相邻子像素中的所述一帧图像相比具有高对比度时，所述一个或多个处理器被配置为向所述各个子像素发送一个或多个信号，以将所述各个子像素的发光控制为限制在n1个主发光元件和n2个辅助发光元件中的m个辅助发光元件中，0≤m≤n2。

在一些实施例中，一个或多个处理器被配置为接收一帧图像的数据信号，所述一个或多个处理器还被配置为确定包括各个子像素的所述显示面板的至少一部分是否被配置为显示彩色图像。可选地，在确定了包括各个子像素的显示面板的至少一部分被配置为显示彩色图像时，一个或多个处理器被配置为向各个子像素发送一个或多个信号，以将各个子像素的发光控制为限制在n1个主发光元件和n2个辅助发光元件中的m’个辅助发光元件中，0≤m’≤n2，并且m≠m’。

在一些实施例中，一个或多个处理器被配置为接收一帧图像的数据信号，一个或多个处理器还被配置为将一个或多个信号传输到各个子像素，以将各个子像素的发光控制为限制在n1个主发光元件和n2个辅助发光元件中的m”个辅助发光元件中，1＜m”＜n2，并且m＜m”＜m’。

在另一方面，本发明提供一种制造发光基板的方法。在一些实施例中，该方法包括形成多个子像素。在一些实施例中，形成多个子像素的各个子像素包括形成n1个主发光元件；形成n1个主像素驱动电路，其被配置为驱动所述n1个主发光元件发光；形成n2个辅助发光元件；以及形成n2个辅助像素驱动电路，其被配置为驱动所述n2个辅助发光元件发光。可选地，n1≥1且n2≥1。可选地，n2个辅助像素驱动电路中的各个辅助像素驱动电路中的第二驱动晶体管的栅极和n1个主像素驱动电路中的各个主像素驱动电路中的第一驱动晶体管的栅极耦接到同一节点。

为了说明和描述的目的，已经给出了本发明的实施例的上述描述。其不是穷举的，也不是要将本发明限制为所公开的精确形式或示例性实施例。因此，前面的描述应当被认为是说明性的而不是限制性的。显然，许多修改和变化对于本领域技术人员将是显而易见的。选择和描述实施例是为了解释本发明的原理及其最佳模式实际应用，从而使得本领域技术人员能够理解本发明的各种实施例以及适合于所考虑的特定使用或实现的各种修改。本发明的范围旨在由所附权利要求及其等价物来限定，其中除非另有说明，否则所有术语都意味着其最广泛的合理意义。因此，术语“本发明(the invention、the presentinvention)”等不一定将权利要求范围限制为特定实施例，并且对本发明的示例性实施例的引用不意味着对本发明的限制，并且不应推断出这样的限制。本发明仅由所附权利要求的精神和范围来限定。此外，这些权利要求可能涉及使用“第一”、“第二”等，随后是名词或元素。这些术语应当被理解为命名法，并且不应当被解释为对由这些命名法所修改的元件的数量进行限制，除非已经给出了特定的数量。所描述的任何优点和益处可能不适用于本发明的所有实施例。应当理解，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下，本领域技术人员可以对所描述的实施例进行改变。此外，本公开中的元件和组件都不是要贡献给公众，无论该元件或组件是否在所附权利要求中明确叙述。