基板处理装置和基板处理方法

技术领域

本发明涉及用于对基板进行处理的基板处理装置和基板处理方法。基板例如可举出：半导体基板、FPD(Flat Panel Display；平板显示器)用的基板、光掩模用玻璃基板、光盘用基板、磁盘用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。FPD例如可举出：液晶显示装置、有机EL(electroluminescence；电致发光)显示装置等。

背景技术

基板处理装置具备：贮存纯水等处理液的处理槽、包围处理槽的腔室、保持基板的升降器、向腔室内供给氮气的氮气喷嘴、将异丙醇(IPA)的蒸气向腔室内供给的溶剂喷嘴、对腔室内进行排气减压的排气泵(例如参照日本特开2015－070148号公报)。

基板处理装置例如以如下方式工作(例如参照日本特开2015－070148号公报)。升降器使基板浸渍于处理槽内的处理液。之后从溶剂喷嘴供给IPA的蒸气而使腔室内成为IPA的蒸气的气氛。之后，升降器从处理槽内的处理液取出基板，并使基板向腔室内的干燥位置移动。之后排气泵使腔室内减压。由此使基板上附着的IPA等活性地挥发而对基板进行干燥处理。之后停止排气泵并且从氮气喷嘴供给氮气而使腔室内恢复大气压。

日本特开2008－251779号公报公开了具备贮存“酸性药液”或“碱性药液”的药液槽、和收纳药液槽的腔室的基板处理装置的中和清洗装置。中和清洗装置具备纯水喷嘴、循环喷嘴和循环配管。循环配管与循环喷嘴连接。纯水喷嘴和循环喷嘴各自朝向腔室的内壁与药液槽的外壁之间设置。中和清洗装置经由纯水喷嘴使纯水贮存于腔室的内部，之后经由循环配管使腔室的内部贮存的纯水循环。由此使得药液槽的外壁附着的药液成分因纯水的流动而从附着面游离。

日本特开2010－093097号公报公开了使用手持喷洒器向腔室内供给纯水而将稀盐酸的蒸气的凝结成分冲洗除去的情况。

日本特开2018－056155号公报公开了对基板的表面进行疎水化处理的工序。另外，日本特开2008－004874号公报公开了一种基板处理装置，即使在减压的溶剂气氛下也能够将处理液从腔室排出。

发明内容

发明要解决的课题

但是，现有的基板处理装置存在如下问题。由于装置的使用，会在腔室内的下部(包括处理槽的外壁)蓄积微小颗粒，造成汚染。若腔室内的下部被汚染，则例如在供给氮气时，氮气会使腔室内的下部的微小颗粒扬起，导致该微小颗粒附着于基板的问题。

本发明针对上述情况做出，其目的在于，提供一种基板处理装置和基板处理方法，能够防止微小颗粒附着于基板。

用于解决课题的方案

为了实现该目的，本发明采取如下结构。即，本发明的基板处理装置具备：处理槽，其贮存处理液；腔室，其包围所述处理槽；溶剂蒸气喷嘴，其向所述腔室内供给溶剂蒸气；清洗液喷嘴，其向所述腔室内供给清洗液；以及控制部，所述控制部在预先设定的期间进行浸渍处理和干燥处理，该浸渍处理使基板浸渍在贮存于所述处理槽的所述处理液中，该干燥处理使用从所述溶剂蒸气喷嘴供给的所述溶剂蒸气，使在所述处理液中被处理并被从所述处理槽提起的所述基板干燥，所述控制部从所述清洗液喷嘴向所述腔室内供给所述清洗液，并使所述处理槽浸渍在贮存于所述腔室的所述清洗液中，从而进行对包括所述处理槽的外壁的所述腔室内进行清洗的腔室清洗处理。

根据本发明的基板处理装置，从清洗液喷嘴向腔室内供给清洗液，使处理槽浸渍于腔室贮存的清洗液，从而进行对包括处理槽的外壁的腔室内进行清洗的腔室清洗处理。由此，不仅能够清洗处理槽的外壁而且能够对腔室内的侧壁和底壁附着的微小颗粒进行清洗。因此，能够防止腔室内的下部的微小颗粒扬起而附着于基板。

另外，在上述的基板处理装置中，优选，所述控制部在进行所述浸渍处理后进行所述腔室清洗处理，所述控制部在进行所述腔室清洗处理后进行所述干燥处理。由此，能够在一系列的基板处理的途中，进行腔室内的清洗处理。

另外，优选，上述的基板处理装置还具备斥水剂蒸气喷嘴，该斥水剂蒸气喷嘴向所述腔室内供给斥水剂蒸气，所述控制部在进行所述浸渍处理后，为了使所述基板为斥水性而进行从所述斥水剂蒸气喷嘴向所述腔室内供给所述斥水剂蒸气的斥水剂蒸气供给处理，所述控制部在进行所述斥水剂蒸气供给处理后进行所述腔室清洗处理。

用于使基板为斥水性的斥水剂蒸气供给处理会产生较多来自斥水剂的微小颗粒。该微小颗粒会蓄积于腔室内的下部。另外存在如下问题：腔室内的下部的微小颗粒被扬起，该微小颗粒附着于基板。根据本发明，能够在一系列的基板处理的途中，进行腔室内的清洗处理。因此，能够防止腔室内的下部的微小颗粒(包括来自斥水剂的微小颗粒)扬起而附着于基板。

另外，优选，上述的基板处理装置还具备排气泵，该排气泵对所述腔室内进行排气，所述清洗液喷嘴设置于所述腔室内的下部，并向所述腔室内供给所述清洗液，所述控制部在利用所述排气泵对所述腔室内进行了减压的状态下进行所述腔室清洗处理。

由此，能够在通过排气泵对腔室内进行了减压的状态下进行腔室内的清洗处理。另外，存在如下情况：在向处理槽供给清洗液的同时从处理槽溢出清洗液，在腔室内贮存清洗液。在腔室内进行了减压的状态下，存在如下问题：容易从处理槽中贮存的清洗液产生雾，产生的雾容易附着于基板。另外，附着的雾有可能对基板造成不良影响。根据本发明，能够从在腔室的下部设置的清洗液喷嘴向腔室内直接供给，因此能够使清洗液远离基板。因此，能够抑制产生的雾附着于基板。

另外，在上述的基板处理装置中，优选，所述排气泵通过设置在所述处理槽的侧方的所述腔室的侧壁的排气口对所述腔室内进行排气，所述控制部在利用所述排气泵对所述腔室内进行排气并使所述腔室内减压的状态下进行所述腔室清洗处理。即使从清洗液产生雾，也能够通过排气泵从排气口将雾排出。

另外，优选，上述的基板处理装置还具备遮蔽板，该遮蔽板设置于所述处理槽的外侧壁和所述腔室的内侧壁之间，并在所述腔室内的上部和所述腔室内的下部之间遮蔽气氛，且所述遮蔽板具有使从所述处理槽溢出的处理液向所述腔室内的下部流通的开口。由于具备遮蔽板，从而即使从腔室贮存的清洗液产生雾，也能够抑制雾从腔室的下部向上部移动。另外，能够抑制扬起的微小颗粒从腔室的下部向上部移动。

另外，在上述的基板处理装置中，优选，所述清洗液喷嘴设置于所述腔室内的底部且俯视与所述处理槽重叠的位置。由此，能够利用处理槽隐藏清洗液喷嘴。另外，由于能够更加远离腔室上部的基板，因此即使产生雾也能够抑制向基板附着。

另外，在上述的基板处理装置中，优选，所述控制部在从所述溶剂蒸气喷嘴将所述溶剂蒸气向所述腔室内供给时进行所述腔室清洗处理。能够与将溶剂蒸气向腔室内供给的处理并行地进行腔室清洗处理，从而能够高效地处理基板。

另外，在上述的基板处理装置中，优选，所述控制部在利用所述排气泵对所述腔室进行了减压的状态下，进行从设置于所述腔室的排出口将所述清洗液排出的排出处理，所述控制部将所述腔室清洗处理和所述排出处理重复进行预先设定的次数。腔室清洗处理重复次数越多，就越能够良好地对腔室内进行清洗。

另外，优选，上述的基板处理装置还具备惰性气体喷嘴，该惰性气体喷嘴向所述腔室内供给惰性气体，所述控制部在进行所述干燥处理后，从所述惰性气体喷嘴向所述腔室内供给惰性气体，从而使减压状态的所述腔室内恢复为大气压。通过进行腔室内的清洗处理，从而能够减少被惰性气体扬起的微小颗粒。

另外，在上述的基板处理装置中，优选，以朝向所述处理槽的外壁的姿态配置有所述清洗液喷嘴，所述控制部在利用所述排气泵对所述腔室进行了减压的状态下，使所述清洗液接触所述处理槽的外壁并从所述清洗液喷嘴向所述腔室内供给所述清洗液。

由于在腔室内的底面比较多地流通液体，因此相对而言不易在腔室内的底面蓄积微小颗粒。但是，例如处理槽的外壁是即使附着浮游的微小颗粒也不易流通液体的部分，因此蓄积微小颗粒。由于使清洗液接触该部分并使清洗液贮存于腔室内，因此容易将处理槽的外壁附着的微小颗粒除去。

另外，在上述的基板处理装置中，优选，还具备喷嘴罩盖，该喷嘴罩盖以与所述清洗液喷嘴的向上的吐出口对置的方式设置在所述腔室内的底部，所述喷嘴罩盖具备：顶壁；以及多个侧壁，其与所述顶壁连接并且形成有流通所述清洗液的孔部。能够抑制雾的扩散并使清洗液贮存于腔室内。

另外，在上述的基板处理装置中，优选，所述清洗液喷嘴设置于所述处理槽内的底部，并向所述处理槽内供给所述清洗液，所述控制部以所述腔室内为大气压的状态从所述清洗液喷嘴向所述处理槽内供给所述清洗液，并使从所述处理槽溢出的所述清洗液贮存于所述腔室，而且使所述处理槽浸渍在贮存于所述腔室的所述清洗液中，从而进行对包括所述处理槽的外壁的所述腔室进行清洗的腔室清洗处理。由此，能够在腔室内为大气压的状态下进行腔室内的清洗处理。另外，由于也向处理槽供给清洗液，因此能够并行地进行处理槽的清洗处理和腔室内的清洗处理。

另外，在上述的基板处理装置中，优选，所述控制部每当针对预先设定的枚数或者预先设定的批次数的基板进行包含所述浸渍处理和所述干燥处理的一系列的基板处理时，在连续的两个所述一系列的基板处理之间进行所述腔室清洗处理。每当针对预先设定的枚数或者预先设定的批次数的基板进行一系列的基板处理时，能够在连续的两个一系列的基板处理之间进行腔室内的清洗处理。

另外，在上述的基板处理装置中，优选，所述清洗液喷嘴设置于所述处理槽内的底部，并向所述处理槽内供给所述清洗液，所述控制部以所述腔室内为大气压的状态从所述清洗液喷嘴向所述处理槽内供给所述清洗液，并且使从所述处理槽溢出的所述清洗液贮存于所述腔室。能够对处理槽和腔室同时进行清洗。

另外，本发明的基板处理方法是是基板处理装置的基板处理方法，该基板处理装置具备贮存处理液的处理槽和包围所述处理槽的腔室，所述基板处理方法具备：浸渍工序，在预先设定的期间使基板浸渍在贮存于所述处理槽的所述处理液中；干燥工序，使用从溶剂蒸气喷嘴供给的溶剂蒸气，使在所述处理液中被处理并被从所述处理槽提起的所述基板干燥；以及腔室清洗工序，从清洗液喷嘴向所述腔室内供给清洗液，并使所述处理槽浸渍在贮存于所述腔室的所述清洗液中，从而对包括所述处理槽的外壁的所述腔室进行清洗。

发明效果

根据本发明的基板处理装置和基板处理方法，能够防止微小颗粒附着于基板。

附图说明

虽然为了对发明进行说明而图示了当前适当的一些方式，但是发明不限于图示结构和方案。

图1是实施例1的基板处理装置的概要结构图。

图2是用于对实施例1的基板处理装置的动作进行说明的图。

图3是表示实施例1的基板处理装置的动作的时序图。

图4A是用于说明雾的问题的图，图4B是用于对基板处理装置1的效果进行说明的图。

图5是实施例2的基板处理装置的概要结构图。

图6是用于对实施例2的基板处理装置的动作进行说明的图。

图7是表示实施例2的基板处理装置的动作的时序图。

图8是用于对实施例3的基板处理装置的动作进行说明的图。

图9是表示实施例3的基板处理装置的动作(一系列的基板处理)的时序图。

图10是表示实施例3的基板处理装置的动作(腔室内的清洗)的时序图。

图11是表示变形例的具备喷嘴罩盖的腔室的图。

图12是表示变形例的具备两个清洗液喷嘴的腔室的图。

图13是表示变形例的具备两个清洗液喷嘴的腔室的图。

图中：

1—基板处理装置；2—处理槽；3—腔室；5—喷出管；14—QDR阀；16—清洗液喷嘴；25—惰性气体喷嘴；27—溶剂蒸气喷嘴；29—斥水剂蒸气喷嘴；43—排气口；47—排气泵；63—遮蔽板；G1、G2—间隙。

具体实施方式

[实施例1]

以下参照附图对本发明的实施例1进行说明。图1是实施例1的基板处理装置的概要结构图。

(1)基板处理装置1的结构

参照图1。基板处理装置1具备：贮存处理液的处理槽2、包围处理槽2的腔室3、以及升降器4。处理槽2构成为能够对处于立起姿态(铅垂姿态)的多枚基板W进行收纳。处理槽2配置为远离腔室3的底面。

升降器4具备：对以立起姿态在Y方向上等间隔排列的多枚基板W进行保持的保持部件4A、以及使保持部件4A沿上下方向(Z方向)升降的升降机构4B。升降机构4B例如具备电动马达或者气缸。升降机构4B使基板W在如下各位置之间升降，即：到达腔室3的上方的“待机位置H1”、在处理槽2的上方且在腔室3内的“干燥位置H2”、处理槽2的内部的“处理位置H3”。

在处理槽2内的底部设置有向处理槽2内供给处理液的两个喷出管5。各喷出管5沿着多枚基板W整齐排列的Y方向(纸面的进深近前方向)形成为直线状。各喷出管5具有在Y方向上排列的多个吐出口。

各喷出管5与处理液配管7的前端连接。处理液配管7的基端与处理液供给源9连接。处理液供给源9将作为处理液的纯水向处理液配管7输送。作为纯水例如可采用脱离子水(DIW：Deionized Water)。在处理液配管7上设置有开闭阀V1。开闭阀V1进行纯水的供给以及停止供给。具体而言，当开闭阀V1为开状态时，从两个喷出管5向处理槽2供给纯水。另外，当开闭阀V1为闭状态时，停止从两个喷出管5供给纯水。

另外，在两个喷出管5与开闭阀V1之间的处理液配管7上连接有第二处理液配管11的前端。第二处理液配管11的基端与第二处理液供给源13连接。第二处理液供给源13将作为第二处理液的以纯水(例如DIW)稀释的异丙醇液(即异丙醇与纯水的混合液)向第二处理液配管11输送。此外，以下将以纯水稀释的异丙醇液称为“稀释IPA液”。在第二处理液配管11上设置有开闭阀V2。开闭阀V2进行稀释IPA液的供给以及停止供给。两个喷出管5构成为能够利用两个开闭阀V1、V2选择性地供给纯水和稀释IPA液。

在处理槽2的底部设置有将处理槽2内的处理液向腔室3内的底面放出的QDR阀(开闭阀)14。当QDR阀14为开状态时，处理槽2内的处理液向腔室3内的底面急速放出。当QDR阀14为闭状态时，能够在处理槽2贮存处理液。

在腔室3的底部设置有两个清洗液喷嘴16。两个清洗液喷嘴16设置于俯视与处理槽2重叠的位置。此外，也可以设置为俯视来看两个清洗液喷嘴16整体与处理槽2重叠。两个清洗液喷嘴16向腔室3内直接供给清洗液。各清洗液喷嘴16与喷出管5同样地构成。即，各清洗液喷嘴16是沿着Y方向形成为直线状的管。各清洗液喷嘴16具有在Y方向上排列的多个吐出口。

两个清洗液喷嘴16与清洗液配管18的前端连接。清洗液配管18的基端与清洗液供给源20连接。清洗液供给源20将作为清洗液的纯水、稀释IPA液或者以纯水(例如DIW)稀释的过氧化氢水(以下成为“稀释H

腔室3收纳处理槽2。在腔室3的上表面具备开闭自如的上部罩盖23。在腔室3内设置有两个惰性气体喷嘴25、两个溶剂蒸气喷嘴27和两个斥水剂蒸气喷嘴29。在上部罩盖23与处理槽2之间从上到下依次配置有两个惰性气体喷嘴25、两个溶剂蒸气喷嘴27和两个斥水剂蒸气喷嘴29。

六个喷嘴25、27、29以沿着Y方向延伸的方式形成为直线状。两个惰性气体喷嘴25各自具有为了吐出惰性气体而沿着Y方向排列的多个吐出口(未图示)。同样地，四个喷嘴27、29也具有多个吐出口。

两个惰性气体喷嘴25各自向腔室3内供给惰性气体。各惰性气体喷嘴25与供给管31的前端连接。供给管31的基端与惰性气体供给源33连接。惰性气体供给源33将作为惰性气体的例如氮气向供给管31输送。在供给管31上设置有开闭阀V4。开闭阀V4进行惰性气体的供给以及停止供给。

两个溶剂蒸气喷嘴27各自向腔室3内供给溶剂蒸气。各溶剂蒸气喷嘴27与供给管35的前端连接。供给管35的基端与溶剂蒸气供给源37连接。溶剂蒸气供给源37将作为溶剂蒸气的例如异丙醇蒸气(以下称为“IPA蒸气”)向供给管35输送。溶剂蒸气可通过利用加热器使液体的溶剂蒸发而生成。溶剂蒸气可以包括作为载气的惰性气体(氮气)。在供给管35上设置有开闭阀V5。开闭阀V5进行溶剂蒸气的供给以及停止供给。

两个斥水剂蒸气喷嘴29各自向腔室3内供给斥水剂蒸气。各斥水剂蒸气喷嘴29与供给管39的前端连接。供给管39的基端与斥水剂蒸气供给源41连接。斥水剂蒸气供给源41将斥水剂蒸气向供给管39输送。斥水剂蒸气可通过利用加热器使液体的斥水剂蒸发而生成。斥水剂蒸气可以包括作为载气的惰性气体(氮气)。在供给管39上设置有开闭阀V6。开闭阀V6进行斥水剂蒸气的供给以及停止供给。

斥水剂(甲硅烷基化剂)是包括硅酮自身和含硅酮的化合物的疎水化的硅酮系斥水剂、或者使金属自身和含金属的化合物疎水化的金属系斥水剂。斥水剂优选以通过与IPA等亲水性有机溶剂具有相溶解性的溶剂稀释的状态使用。

金属系斥水剂例如包含具有疎水基的胺、和有机硅酮化合物的至少一个。

硅酮系斥水剂例如是硅烷耦合剂。硅烷耦合剂例如包含HMDS(六甲基二硅氨烷)、TMS(四甲基硅烷)、氟化烷基氯硅烷、烷基二硅氨烷、和非氯系斥水剂的至少一个。

在腔室3的侧壁设置有排气口43。排气口43配置于与处理槽2的外侧面2A对置的高度。换言之，排气口43配置于后述的遮蔽板63与处理槽2的下表面2B之间的高度。由此，能够在比排气口43低的位置贮存例如清洗液并对腔室3内的气体从排气口43进行排气。在排气口43连接有排气管45。在排气管45上从排气口43侧起依次设置有开闭阀V7和排气泵47。排气泵47对腔室3内的气体进行排气而使腔室3内减压。

此外，在腔室3的底壁设置有排出口49。在排出口49连接有排出管51的上端。排出管51的下端与排液箱53的上部外壁连接。在排出管51上设置有开闭阀V8。开闭阀V8用于将腔室3内的处理液或者清洗液等向排液箱53输送时。排液箱53是对从腔室3内排出的处理液进行贮存的容器。在排液箱53连接有排气管55。在排气管55上从排液箱53侧起依次设置有开闭阀V9和排气泵57。

另外，在排液箱53连接有气体配管59和排出管61。在气体配管59上设置有开闭阀V11。另外，在排出管61上设置有开闭阀V12。气体配管59将惰性气体(例如氮气)或者外部气体向排液箱53输送。开闭阀V11进行惰性气体等的供给以及停止供给。排出管61将排液箱53内的处理液等排出。

排液箱53在适当的时刻将处理液等排出。在将排液箱53贮存的处理液排出时，例如使开闭阀V8、V9、V12为闭状态并使开闭阀V11打开而使排液箱53内恢复大气压。之后，使开闭阀V8、V9为闭状态并使开闭阀V11、V12打开而将排液箱53内的处理液等排出。

另外，腔室3具备遮蔽板63。遮蔽板63从处理槽2的上缘(或者开口2C)起略向下方设置于处理槽2的外侧面2A的整周。换言之，遮蔽板63设置于处理槽2的外侧壁和腔室3的内侧壁之间。遮蔽板63在腔室3内的上部(上部空间)和腔室3内的下部(下部空间)之间遮蔽气氛。遮蔽板63具有使从处理槽2溢出的处理液向腔室3内的下部流通的间隙G1、G2(开口)。即，在遮蔽板63与处理槽2的外侧壁之间具有间隙G1，并且在遮蔽板63与腔室3的内侧壁之间具有间隙G2。此外，根据需要也可以不设置间隙G1、G2的一方。遮蔽板63可以安装于处理槽2的外侧壁或者腔室3的内侧壁。

在腔室3设置有对腔室3内的压力进行测量的压力传感器PS1。另外，在排液箱53设置有对排液箱53内的压力进行测量的压力传感器PS2。此外，在腔室3设置有对腔室3内贮存的例如清洗液的液面高度进行检测的液面传感器LS。压力传感器PS1、PS2测量的压力值、和液面传感器LS检出的液面高度值被发送至后述的控制部81。

基板处理装置1具备控制部81和存储部(未图示)。控制部81对基板处理装置1的各结构进行控制。控制部81例如具备中央运算处理装置(CPU)等一个或多个处理器。存储部例如具备ROM(Read-Only Memory；只读存储器)、RAM(Random-Access Memory；随机访问存储区)和硬盘的至少其一。存储部存储对基板处理装置1的各结构进行控制所需的计算机程序。

此外，基板处理装置1具备两个清洗液喷嘴16。关于这一点，基板处理装置1可以具备一个或三个以上的清洗液喷嘴16。对于两个喷出管5、两个惰性气体喷嘴25、两个溶剂蒸气喷嘴27和两个斥水剂蒸气喷嘴29而言也同样如此。

(2)基板处理装置1的动作

接下来参照图2、图3对基板处理装置1的动作进行说明。此外，在图2中省略了升降器4的图示。此外，在图2中将排气泵47等的排气动作用符号“VAC”表示。在图3中将稀释IPA液记为“dIPA液”。

[步骤S01]第一浸渍处理(基板向腔室的搬入)

在处理槽2内作为处理液而贮存有纯水。纯水从喷出管5进行供给。首先，上部罩盖23移动而使腔室3的上面开口开放。升降器4使被保持部件4A保持的基板W从待机位置H1向处理位置H3下降。即，升降器4以预先设定的时间使基板W整体浸渍于处理槽2贮存的纯水。通过使基板W浸渍于纯水来清洗基板W。在基板W浸渍于纯水后，上部罩盖23移动而封闭腔室3的上面开口。

[步骤S02]氮气的供给

之后，使开闭阀V4打开，从惰性气体喷嘴25向腔室3内供给氮气。此外，使排气泵47工作并使开闭阀V7打开，从而通过排气口43和排气管45对腔室3内的气体进行排气。由此，腔室3内成为比大气压低的压力即减压状态。

[步骤S03]第一IPA蒸气的供给(IPA蒸气的气氛的形成)

排气泵47等持续进行腔室3内的排气。关闭开闭阀V4，停止从惰性气体喷嘴25供给氮气。此外，使腔室3内为IPA蒸气的气氛，因此使开闭阀V5打开，从溶剂蒸气喷嘴27向腔室3内供给IPA蒸气。

[步骤S04]第一IPA蒸气的供给(IPA置换)

停止排气泵47并且关闭开闭阀V7。腔室3内为减压的状态。另外，持续从溶剂蒸气喷嘴27供给IPA蒸气。在该状态下，升降器4从处理槽2的纯水提起基板W并使基板W从处理位置H3向干燥位置H2上升。基板W暴露于IPA蒸气，基板W上附着的纯水被置换为IPA。此外，斥水剂与水接触则斥水剂的效力降低。但是通过进行IPA置换而能够防止效力降低。

[步骤S05]第一IPA蒸气的供给(处理液从处理槽的放出)

腔室3内为减压的状态。另外，持续从溶剂蒸气喷嘴27供给IPA蒸气。在该状态下，打开QDR阀14，从处理槽2内向腔室3内的底面急速放出纯水。之后，处理槽2内变空后，关闭QDR阀14。

[步骤S06]斥水剂蒸气的供给

通过使排气泵47工作并使开闭阀V7打开，从而对腔室3内的气体进行排气。由此，腔室3内减压。另外，关闭开闭阀V5，停止从溶剂蒸气喷嘴27供给溶剂蒸气。此外，使开闭阀V6打开，从斥水剂蒸气喷嘴29向腔室3内供给斥水剂蒸气。此时，基板W通过升降器4而在两个斥水剂蒸气喷嘴29之间上下移动。由此，向基板W整体均一地供给斥水剂蒸气。由此，将基板W上附着的IPA置换为斥水剂。利用斥水剂使基板W的表面改质。

[步骤S07]第二IPA蒸气的供给

排气泵47等持续进行腔室3内的排气。关闭开闭阀V6，停止从斥水剂蒸气喷嘴29供给斥水剂蒸气。另外，使开闭阀V5打开，从溶剂蒸气喷嘴27供给IPA蒸气。IPA蒸气的供给(利用IPA蒸气进行的冲洗)从步骤S07(本步骤)进行到步骤S11为止。由此，腔室3内的气氛从斥水剂蒸气置换为IPA蒸气。此外，当基板W暴露于IPA蒸气时，则会在基板W上附着液化的IPA。由此，基板W的表面附着的斥水剂被置换为IPA，且来自斥水剂的微小颗粒、和有机物被IPA从基板W冲洗掉。来自斥水剂的微小颗粒(異物)例如因水分与斥水剂直接接触而产生。

[步骤S08]第二IPA蒸气的供给、处理液向腔室外的排出

排气泵47等持续进行腔室3内的排气。另外，持续从溶剂蒸气喷嘴27供给IPA蒸气。在该状态下，为了进行腔室清洗而向腔室3的底部贮存的纯水向腔室3的外部排出。

具体地进行说明。在图1中，例如在排液箱53内的压力值P2比腔室3内的压力值P1高的情况使开闭阀V8打开，则会产生从排液箱53向腔室3的反向流动。因此，无法将腔室3内的纯水向排液箱53排出。因此，首先在三个开闭阀V8、V11、V12关闭的状态下使开闭阀V9打开，并且使排气泵57工作而对排液箱53内进行排气。

腔室3内的压力值P1通过压力传感器PS1进行测量。另外，排液箱53内的压力值P2通过压力传感器PS2进行测量。排气泵57以使得排液箱53内的压力值P2比腔室3内的压力值P1低的方式对排液箱53内进行排气。在排液箱53内的压力值P2变为比腔室3内的压力值P1低之后，使开闭阀V8打开而能够将腔室3内的纯水向排液箱53排出。

此外，腔室3内的压力值P1也可以通过排气泵47对排气的流量进行控制来进行控制。另外，腔室3内的压力值P1也可以通过开闭阀V7对通过排气管45的气体的流量进行控制来进行控制。另外，排液箱53的压力值P2也可以通过排气泵57对排气的流量进行控制来进行控制。另外，排液箱53的压力值P2也可以通过开闭阀V9对通过排气管55的气体的流量进行控制来进行控制。

[步骤S09]第二IPA蒸气的供给、处理液向腔室外的排出的停止

排气泵47等持续进行腔室3内的排气。另外，持续从溶剂蒸气喷嘴27供给IPA蒸气。当腔室3内变空时，则关闭开闭阀V8。

[步骤S10]第二IPA蒸气的供给、腔室内的清洗处理

控制部81在通过排气泵47对腔室3进行了减压的状态下从清洗液喷嘴16向腔室3内供给纯水(清洗液)，并通过使处理槽2浸渍于腔室3贮存的纯水而对包括处理槽2的外壁的腔室3内进行清洗。

具体地进行说明。排气泵47等持续进行腔室3内的排气。另外，持续从溶剂蒸气喷嘴27供给IPA蒸气。在该状态下，通过使开闭阀V3打开而从清洗液喷嘴16向腔室3内供给纯水(清洗液)。当液面传感器LS检出纯水的液面到达比排气口43略下的高度时，则关闭开闭阀V3而停止从清洗液喷嘴16供给纯水。

在预先设定的期间浸渍处理槽2的外壁。能够利用在腔室3内的下部贮存的纯水对腔室3内的下部(处理槽2的外侧面2A和下表面2B、以及腔室3的内侧面3A)进行清洗。

在此对利用清洗液喷嘴16向腔室3直接供给纯水(清洗液)的效果进行说明。为了向腔室3内的下部供给纯水(清洗液)，有从喷出管5向处理槽2供给纯水并使从处理槽2溢出的纯水向腔室3的下部输送的方法。此时，如图4A所示，在比大气压低的减压状态下，从处理槽2贮存的纯水产生的雾容易附着于基板W。当雾附着于基板W时，则会由于雾的水分与斥水剂直接接触而使斥水剂的效力降低，另外，有产生微小颗粒(异物)的风险。因此，在基板W上附着雾是不良情况。

因此，在腔室3的底部设置有清洗液喷嘴16。由此，即使在腔室3贮存纯水，也会由于纯水的水面与基板W较远，即使产生雾，也能够抑制雾附着于基板W(参照图4B)。另外，利用遮蔽板63阻挡雾向腔室3的上部移动。另外，腔室3内通过排气泵47进行排气。因此，雾从排气口43排出。另外，IPA蒸气从溶剂蒸气喷嘴27供给到腔室3的上部，并通过排气泵47进行排气。因此，在遮蔽板63的间隙G1、G2产生向下的气流，能够阻挡雾向腔室3的上部移动。

[步骤S11]第二IPA蒸气的供给、清洗液向腔室外的排出

控制部81在通过排气泵47对腔室3进行了减压的状态下进行从设置于腔室3的底壁的排出口49将纯水(清洗液)排出的排出处理。即，排气泵47等持续进行腔室3内的排气。另外，持续从溶剂蒸气喷嘴27供给IPA蒸气。在该状态下，使开闭阀V8打开，将腔室3内的纯水向排液箱53排出。此时，通过排气泵57使排液箱53内的压力值P2比腔室3内的压力值P1低。当腔室3内变空时，则关闭开闭阀V8。

另外，两个步骤S10、S11可以重复进行预先设定的次数(1次或2次以上)。即，步骤S10和步骤S11交替进行。此外，也可以是步骤S10、S11各自仅进行1次，不重复进行步骤S10、S11。

[步骤S12]处理槽的清洗(氮气供给)

停止排气泵47并且关闭开闭阀V7。另外，关闭开闭阀V5，停止从溶剂蒸气喷嘴27供给IPA蒸气。此外，使开闭阀V4打开，从惰性气体喷嘴25供给氮气。由此，使腔室3内从减压状态恢复大气压。

[步骤S13]处理槽的清洗(清洗液的供给)

持续从惰性气体喷嘴25供给氮气。在该状态下，使开闭阀V1打开，从喷出管5向处理槽2内供给纯水而作为清洗液。利用处理槽2贮存的纯水对处理槽2内进行清洗。此外，当在处理槽2内贮存纯水时，可以使从喷出管5向处理槽2内供给的纯水从处理槽2溢出。

[步骤S14]处理槽的清洗(清洗液的排出)

持续从惰性气体喷嘴25供给氮气。在该状态下，打开QDR阀14，从处理槽2内向腔室3内的底面急速放出纯水。另外，使开闭阀V8打开，将腔室3内的底部贮存的纯水(清洗液)向排液箱53排出。当处理槽2内变空后，关闭QDR阀14。另外，当腔室3内变空后，关闭开闭阀V8。

[步骤S15]第二浸渍处理

持续从惰性气体喷嘴25供给氮气。在该状态下，使开闭阀V2打开，从喷出管5向处理槽2内供给稀释IPA液。当处理槽2贮存预先设定的量的稀释IPA液时，则升降器4使基板W从干燥位置H2向处理位置H3下降，从而在预先设定的期间使基板W浸渍于处理槽的稀释IPA液。由此对基板W进一步进行清洗。在稀释IPA液的供给后关闭开闭阀V2。

[步骤S16]第三IPA蒸气的供给(干燥处理)

通过使排气泵47工作并使开闭阀V7打开，从而对腔室3内的气体进行排气。由此，腔室3内减压。另外，使开闭阀V5打开，从溶剂蒸气喷嘴27供给IPA蒸气。并且，腔室3内成为IPA蒸气的气氛后，升降器4从处理槽2的稀释IPA液将基板W取出，并使基板W从处理位置H3向干燥位置H2上升。由此，基板W上附着的稀释IPA液置换为IPA。

在排气泵47等持续进行腔室3内的排气的状态下，关闭开闭阀V5而停止从溶剂蒸气喷嘴27供给IPA蒸气。停止IPA蒸气的供给，并且腔室3内减压，从而使基板W上附着的IPA活性地挥发而对基板W进行干燥处理。此外，如图3的符号NS所示，在IPA蒸气的供给停止后，可以从惰性气体喷嘴25供给氮气。

[步骤S17]氮气的供给

使排气泵47停止，并且关闭开闭阀V7。另外，使开闭阀V4打开，从惰性气体喷嘴25供给氮气。由此，使腔室3内从减压状态恢复大气压。

此外，当腔室3内汚染时，若以腔室3内为大气压的状态供给氮气，则腔室3内的下部的微小颗粒扬起，尽管设置有遮蔽板63，但是通过间隙G1、G2的微小颗粒有可能附着于基板W。通过对腔室3进行清洗处理，能够使因氮气而扬起的微小颗粒减少，其结果是能够防止微小颗粒附着于基板。

[步骤S18]基板从腔室的搬出

上部罩盖23移动而使腔室3的上面开口开放。升降器4使被保持部件4A保持的基板W从干燥位置H2向待机位置H1上升。上升到待机位置H1的基板W通过未图示的输送机器人向下一目的地移动。

此外，在步骤S10、S11中，腔室3的清洗处理和清洗液的排出处理与第二IPA蒸气的供给处理并行地进行。关于这一点，可以在步骤S07～S11的第二IPA蒸气的供给处理后，进行步骤S10、S11的腔室3的清洗处理和清洗液的排出处理。通过并行地进行处理而能够使一系列的基板处理高效地进行。

即，控制部81当从溶剂蒸气喷嘴27向腔室3内供给溶剂蒸气时(步骤S10、S11)，进行腔室清洗处理。能够与将溶剂蒸气向腔室3内供给的处理并行地进行腔室清洗处理，从而能够高效地对基板W进行处理。

根据本实施例，从清洗液喷嘴16向腔室3内供给清洗液，并通过使处理槽2浸渍于腔室3贮存的清洗液而进行对包括处理槽2的外壁的腔室3内进行清洗的腔室清洗处理。由此，不仅能够对处理槽2的外壁(包括外侧面2A和下表面2B)进行清洗而且能够对腔室3内的侧壁和底壁上附着的微小颗粒进行清洗。因此，能够防止腔室3内的下部的微小颗粒扬起而附着于基板W。

另外，基板处理装置1还具备向腔室3内供给斥水剂蒸气的斥水剂蒸气喷嘴29。控制部81在进行浸渍处理(步骤S01)后为了使基板W为斥水性而进行从两个斥水剂蒸气喷嘴29向腔室3内供给斥水剂蒸气的斥水剂蒸气供给处理(步骤S06)。控制部81在进行斥水剂蒸气供给处理后进行腔室清洗处理(步骤S10)。

由此，能够在一系列的基板处理(步骤S01～S18)的途中进行腔室3的清洗处理。另外，用于使基板W为斥水性的斥水剂蒸气供给处理(步骤S06)会产生较多的来自斥水剂的微小颗粒。该微小颗粒在腔室3内的下部蓄积。并且，扬起腔室3内的下部的微小颗粒，存在微小颗粒附着于基板W的问题。根据本实施例，能够在一系列的基板处理的途中进行腔室3的清洗处理。因此，能够防止腔室3内的下部的微小颗粒(包括来自斥水剂的微小颗粒)扬起而附着于基板W。

另外，基板处理装置1还具备对腔室3内进行排气的排气泵47。清洗液喷嘴16设置于腔室3内的下部并向腔室3内供给清洗液。控制部81在通过排气泵47对腔室3内进行了减压的状态下进行腔室清洗处理。

由此，能够在通过排气泵47对腔室3内进行排气而使腔室3减压的状态下进行腔室3的清洗处理。另外，向处理槽2供给清洗液并使清洗液从处理槽2溢出，并使清洗液贮存于腔室3内。此时存在如下问题：在腔室3减压的状态下，容易从处理槽2贮存的清洗液产生雾，产生的雾容易附着于基板W。例如，若雾的水分与基板W上附着的斥水剂直接触，则有可能导致斥水剂的效力降低。另外，若水分与斥水剂直接接触，则有可能产生微小颗粒。另外，有可能因其他的微小颗粒导致附着。根据本实施例，从在腔室3的下部设置的清洗液喷嘴16向腔室3内直接供给，因此能够使清洗液远离基板W。因此，能够抑制产生的雾附着于基板。

另外，排气泵47通过在处理槽2的侧方的腔室3的侧壁设置的排气口43对腔室3内进行排气。控制部81在通过排气泵47对腔室3内进行排气而使腔室3内减压的状态下进行腔室清洗处理。即使从清洗液产生雾，也能够通过排气泵47从排气口43将雾排出。

另外，基板处理装置1具备在处理槽2的外侧壁和腔室3的内侧壁之间设置并在腔室3内的上部和腔室3内的下部之间遮蔽气氛的遮蔽板63。遮蔽板63具有使从处理槽2溢出的处理液向腔室3内的下部流通的间隙(开口)G1、G2。由于具备遮蔽板63，即使从腔室3贮存的清洗液产生雾，也能够抑制雾从腔室3的下部向上部移动。另外，能够抑制扬起的微小颗粒从腔室3的下部向上部移动。

另外，清洗液喷嘴16在腔室3内的底部设置于俯视与处理槽2重叠的位置。由此，能够利用处理槽2隐藏清洗液喷嘴16。另外，由于能够更加远离腔室3上部的基板W，因此即使产生雾也能够抑制向基板W附着。

另外，控制部81在通过排气泵47对腔室3进行了减压的状态下进行从设置于腔室3的排出口49将清洗液排出的排出处理。控制部81使腔室清洗处理(步骤S10)和排出处理(步骤S11)重复进行预先设定的次数。腔室清洗处理重复进行的次数越多，就越能够对腔室3内更加良好地进行清洗。

另外，基板处理装置1还具备向腔室3内供给惰性气体的惰性气体喷嘴25。控制部81在进行干燥处理(步骤S16)后通过从惰性气体喷嘴25向腔室3内供给惰性气体而使减压状态的腔室3内恢复大气压(步骤S17)。由于进行腔室3的清洗处理，因此能够减少因惰性气体而扬起的微小颗粒。

[实施例2]

接下来参照附图对本发明的实施例2进行说明。此外，省略了与实施例1重复的说明。在实施例1中，在图2的步骤S01～S18所示的一系列的基板处理的途中，与第二IPA蒸气的供给(步骤S07～S11)并行地以腔室3内减压的状态进行腔室3的清洗。关于这一点，在实施例2中，与处理槽2的清洗(步骤S28～S31)并行地以腔室3内为大气压的状态进行腔室3的清洗。

图5是实施例2的基板处理装置1的概要结构图。图5所示的基板处理装置1与图1所示的实施例1的基板处理装置1有所不同，没有设置在腔室3的底部设置的清洗液喷嘴16等。除此以外的结构与实施例1的基板处理装置1相同。此外，喷出管5相当于本发明的清洗液喷嘴。

(3)基板处理装置1的动作

接下来，参照图6、图7对基板处理装置1的动作进行说明。此外，图6所示的步骤S21～S27、S32～S35与图2所示的实施例1的步骤S01～S07、S15～S18相同，对于这些的详细说明省略。此外，在步骤S27中充分进行IPA蒸气的供给。

升降器4使基板W浸渍于处理槽2内贮存的纯水(步骤S21)。之后，在上部罩盖23关闭的状态下从惰性气体喷嘴25供给氮气(步骤S22)。之后，从溶剂蒸气喷嘴27供给IPA蒸气(步骤S23)。之后，升降器4从处理槽2将基板W取出，并使基板W暴露于IPA蒸气的气氛(步骤S24)。之后，打开QDR阀14而将处理槽2内的纯水向腔室3的下表面放出(步骤S25)。

之后，从斥水剂蒸气喷嘴29供给斥水剂蒸气，使基板W为斥水性(步骤S26)。之后，从溶剂蒸气喷嘴27供给IPA蒸气，利用IPA蒸气将基板W的表面附着的斥水剂和来自斥水剂的微小颗粒等冲洗掉(步骤S27)。此外，步骤S22、S23、S26、S27通过排气泵47对腔室3内进行排气、减压。另外，在步骤S22～S27中，腔室3内为减压状态。

[步骤S28]处理槽的清洗(氮气供给)和处理液的排出

使排气泵47停止，并且关闭开闭阀V7。另外，关闭开闭阀V5，停止从溶剂蒸气喷嘴27供给IPA蒸气。此外，使开闭阀V4打开，从惰性气体喷嘴25供给氮气。由此，使腔室3内从减压状态恢复大气压。

在使腔室3内恢复大气压后，使开闭阀V8打开而将腔室3内贮存的纯水(处理液)向排液箱53排出。当腔室3内贮存的纯水全部排出时即液面传感器LS检出腔室3内变空时关闭开闭阀V8。

[步骤S29]处理槽的清洗(清洗液向处理槽的供给)

之后，持续从惰性气体喷嘴25供给氮气。腔室3内为大气压的状态。在该状态下，使开闭阀V1打开，从喷出管5向处理槽2内供给纯水而作为清洗液。纯水贮存于处理槽2。

[步骤S30]处理槽的清洗(清洗液向腔室的供给、腔室内的清洗)

之后，从喷出管5供给纯水并使从处理槽2的开口2C溢出的纯水贮存于腔室3。此外，在处理槽2的侧方设置有遮蔽板63。遮蔽板63的间隙G1、G2使从处理槽2溢出的纯水向腔室3内的下部流通。在处理槽2的开口2C的略下，具体而言是到遮蔽板63的略下位置贮存纯水。当液面传感器LS检出到达预先设定的液面高度时，则关闭开闭阀V1而停止从喷出管5供给纯水。并且，以预先设定的时间保持在处理槽2和腔室3贮存纯水的状态。

[步骤S31]处理槽的清洗(清洗液的排出)

之后，持续从惰性气体喷嘴25供给氮气。使开闭阀V8打开，将腔室3内贮存的纯水向排液箱53排出。此外，打开QDR阀14，从处理槽2内向腔室3内的底面放出纯水。处理槽2内的纯水也经由排出管51向排液箱53排出。当处理槽2内变空后，关闭QDR阀14。另外，当腔室3内变空后，关闭开闭阀V8。此外，为了保持处理槽2的清洁度，可以最初将腔室3内的纯水向排液箱53排出，之后将处理槽2内的纯水向排液箱53排出。

另外，三个步骤S29～S31可以重复进行预先设定的次数(1次或2次以上)。使步骤S29、30的处理槽2和腔室3的清洗处理、和步骤S31的排出处理重复进行预先设定的次数。此外，也可以是，步骤S29～S31各自仅进行1次，不重复进行步骤S29～S31。

之后，从喷出管5向处理槽2内供给稀释IPA液，并使基板W浸渍于处理槽2贮存的稀释IPA液(步骤S32)。之后，使用从溶剂蒸气喷嘴27供给的IPA蒸气使在纯水中进行了处理的基板W干燥(步骤S33)。之后，供给氮气而使腔室3内恢复大气压(步骤S34)。之后，将基板W从腔室3取出并向下一目的地移动(步骤S35)。

根据本实施例，喷出管5设置于处理槽2内的底部。喷出管5向处理槽2内供给清洗液，并经由处理槽2向腔室3内供给清洗液。控制部81以腔室3内为大气压的状态从喷出管5向处理槽2内供给清洗液，并且使从处理槽2溢出的清洗液贮存于腔室3，并且通过使处理槽2浸渍于腔室3贮存的清洗液来进行对包括处理槽2的外壁的腔室3进行清洗的腔室清洗处理。由此，能够在腔室3内为大气压的状态下进行腔室3的清洗处理。因此，能够防止腔室3内的下部的微小颗粒扬起而附着于基板W。另外，由于也向处理槽2供给清洗液，因此能够并行地进行处理槽2的清洗处理和腔室3的清洗处理。

此外，在步骤S29～S31中，清洗液向处理槽2的供给、清洗液向腔室3的供给(腔室3的清洗)和清洗液的排出与处理槽2的清洗并行地进行。关于这一点，可以在进行处理槽2的清洗的前后向腔室3供给清洗液(进行腔室3的清洗)等。通过并行地进行处理，从而能够高效地进行一系列的基板处理。

[实施例3]

接下来参照附图对本发明的实施例3进行说明。此外，省略对于和实施例1、2重复的说明。在实施例1中，在图2的步骤S01～S18所示的一系列的基板处理的途中进行腔室3的清洗。关于这一点，在实施例3中在连续的两个一系列的基板处理之间进行腔室3的清洗。

实施例3的基板处理装置1的结构与图5所示的实施例2的基板处理装置1的结构相同。

(4)基板处理装置1的动作

接下来参照图8～图10对基板处理装置1的动作进行说明。图8是用于对实施例3的基板处理装置的动作进行说明的图。图9是表示实施例3的基板处理装置的动作(一系列的基板处理)的时序图。图10是表示实施例3的基板处理装置的动作(腔室3的清洗)的时序图。

在本实施例中，腔室3的清洗处理在预定的一系列的基板处理(图9的步骤S41～S54)、和后续的一系列的基板处理(图9的步骤S41～S54)之间进行。另外，腔室3的清洗处理每当针对预先设定的枚数或者预先设定的批次数的基板W进行包含浸渍(步骤S41)和干燥处理(步骤S52)的一系列的基板处理(步骤S41～S54)时进行。

基板W的处理以批次单位进行。例如将用于输送基板W的载具中收纳的25枚的基板W作为一个批次进行处理。

在图9所示的一系列的基板处理中，图9所示的步骤S41～S54与图3所示的实施例1的步骤S01～S07、S13～S18、和图7所示的实施例2的步骤S28相同，因此省略对于这些的说明。此外，在步骤S47中充分进行IPA蒸气的供给。

接下来，对本实施例的腔室3的清洗处理进行说明。参照图8、图10。控制部81例如对进行一系列的基板处理的基板W的枚数进行计数。并且，当进行预定(例如第5次)的一系列的基板处理时，进行一系列的基板处理的基板W的枚数为预先设定的枚数以上。此时，控制部81在该预定(第5次)的一系列的基板处理与后续(第6次)的一系列的基板处理之间进行腔室3的清洗处理。此外，使基板W的枚数的计数个数复位(为0枚)。在批次数的情况下也同样如此。即，控制部81对进行一系列的基板处理的批次数进行计数。并且，当进行预定(例如第5次)的一系列的基板处理时，进行一系列的基板处理的批次数为预先设定的批次数以上。此时，控制部81在该预定(第5次)的一系列的基板处理与后续(第6次)的一系列的基板处理之间进行腔室3的清洗处理。

[步骤S61]清洗的准备

腔室3内为大气压的状态。此外，从步骤S61到步骤S65的期间，腔室3内为大气压的状态。另外，在步骤S61中，腔室3内为未贮存处理液等的空状态。

[步骤S62]清洗液的供给

之后，在QDR阀14和开闭阀V7、V8关闭的状态下，使开闭阀V2打开，从喷出管5向处理槽2供给例如稀释IPA液作为清洗液。此外，使稀释IPA液从处理槽2的开口2C溢出，将从处理槽2溢出的稀释IPA贮存于腔室。并且，若液面传感器LS检出腔室3内的稀释IPA到达预先设定的液面高度，则关闭开闭阀V2而停止供给稀释IPA液。之后，以预先设定的时间保持在处理槽2和腔室3贮存稀释IPA液的状态。在本实施例中，作为清洗液供给稀释IPA液，关于这一点，也可以是稀释H

[步骤S63]清洗液的排出

之后，使开闭阀V8打开，将腔室3内贮存的稀释IPA液向排液箱53排出。此外，打开QDR阀14，从处理槽2内向腔室3内的底面放出稀释IPA液。处理槽2内的稀释IPA液也经由排出管51向排液箱53排出。当处理槽2内变空后，关闭QDR阀14。另外，当腔室3内变空后，关闭开闭阀V8。

这些步骤S62、S63可以重复进行预先设定的次数(1次或多次)。此外，根据需要，也可以是，步骤S62、S63分别进行1次，不重复进行步骤S62、S63。

[步骤S64]冲洗液的供给

在步骤S63后，以QDR阀14和开闭阀V7、V8关闭的状态使开闭阀V1打开，从喷出管5向处理槽2供给例如纯水作为冲洗液。此外，使纯水从处理槽2的开口2C溢出，使从处理槽2溢出的纯水贮存于腔室3。并且，当液面传感器LS检出腔室3内的纯水到达预先设定的液面高度时，则关闭开闭阀V1而停止纯水的供给。之后，以预先设定的时间保持在处理槽2和腔室3贮存纯水的状态。

[步骤S65]冲洗液的排出

之后，使开闭阀V8打开，将腔室3内贮存的纯水向排液箱53排出。此外，打开QDR阀14，从处理槽2内向腔室3内的底面放出纯水。处理槽2内的纯水也经由排出管51向排液箱53排出。当处理槽2内变空后，关闭QDR阀14。另外，当腔室3内变空后，关闭开闭阀V8。

这些步骤S64、S65可以重复进行预先设定的次数(1次或多次)。此外，根据需要，可以是，步骤S64、S65分别进行1次，不重复进行步骤S64、S65。

在进行步骤S61～S65的腔室3的清洗处理之后，进行后续的一系列的基板处理(S41～S54)。

根据本实施例，控制部81每当针对预先设定的枚数或者预先设定的批次数的基板W进行包含浸渍和干燥处理的一系列的基板处理时在连续的两个一系列的基板处理之间进行腔室清洗处理。每当针对预先设定的枚数或者预先设定的批次数的基板W进行一系列的基板处理时，能够在连续的两个一系列的基板处理之间进行腔室3的清洗处理。因此，能够防止腔室3内的下部的微小颗粒扬起而附着于基板W。

另外，喷出管5设置于处理槽2内的底部并向处理槽2内供给清洗液。控制部81以腔室3内为大气压的状态从喷出管5向处理槽2内供给清洗液，并且使从处理槽2溢出的清洗液贮存于腔室3，并通过使处理槽2浸渍于腔室3贮存的清洗液而对包括处理槽2的外壁的腔室3内进行清洗。由此，能够对处理槽2和腔室3同时进行清洗。

本发明不限于上述实施方式，能够以下述方式变形实施。

(1)在上述实施例3中，在步骤S62中从喷出管5供给稀释IPA液作为清洗液。当作为清洗液使用纯水时可以省略步骤S64、S65。

(2)在上述实施例1、2中，在连续的两个一系列的基板处理之间不进行腔室3的清洗处理。这一点在实施例1、2各自中可以是，除了在一系列的基板处理的途中进行腔室3的清洗处理之外，如实施例3那样在连续的两个一系列的基板处理之间进行腔室3的清洗处理。

即，在图8、图10中，一系列的基板处理(步骤S41～S54)可以置换为一系列的基板处理(图2、图3所示的步骤S01～S18)。另外，一系列的基板处理(步骤S41～S54)可以置换为一系列的基板处理(图6、图7所示的步骤S21～S35)。

(3)在上述实施例2、3中，清洗液仅从喷出管5供给(参照图5)。关于这一点，可以在腔室3的底部设置图1所示的清洗液喷嘴16。当供给清洗液(例如纯水)时，可以从喷出管5和清洗液喷嘴16分别向处理槽2和腔室3供给清洗液。由此，能够缩短供给清洗液的时间。

另外，在实施例3中，可以从喷出管5和清洗液喷嘴16分别向处理槽2和腔室3供给冲洗液。

(4)在上述的实施例1和变形例(2)、(3)中，清洗液喷嘴16以无遮挡状态向腔室3内供给清洗液(例如纯水)。关于这一点，可以如图11所示，以与清洗液喷嘴16的向上的吐出口16A对置的方式，在腔室3内的底部设置覆盖清洗液喷嘴16的喷嘴罩盖71。喷嘴罩盖71可以安装于腔室3内的底部。

喷嘴罩盖71的下表面开口且为箱状的部件。喷嘴罩盖71具备：顶壁71A、以及与顶壁71A连接的多个(例如两张或四张)侧壁71B。在顶壁71A未形成孔部71C，但在侧壁71B形成有供清洗液通过的孔部71C。侧壁71B以在Y方向上延伸的方式形成为较长。孔部71C的面积比吐出口16A大。

清洗液喷嘴16的吐出口例如向上，向上吐出的清洗液被顶壁71A遮蔽，但是从侧壁71B的孔部71C向喷嘴罩盖71的外部供给清洗液。当腔室3内减压时，清洗液喷嘴16容易成为雾的发生源。因此，清洗液喷嘴16的吐出口16A与喷嘴罩盖71对置。因此，即使在清洗液喷嘴16附近产生雾，也能够利用喷嘴罩盖71进行保持，能够抑制雾的扩散并使清洗液贮存于腔室3内。另外，由于从侧壁71B的孔部71C流通清洗液，从而能够抑制清洗液的流动的势头。

此外，为了避免腔室3的底面妨碍流动，可以在喷嘴罩盖71、与腔室3的底面之间形成间隙G3。

(5)在上述的实施例1和各变形例(2)～(4)中，两个清洗液喷嘴16各自在腔室3内的底部设置于俯视与处理槽2重叠的位置。关于这一点，两个清洗液喷嘴16各自可以如图12所示设置于腔室3的下部的角落。设置于角落的清洗液喷嘴16可以朝向横向形成吐出口。因此，从清洗液喷嘴16向横向吐出清洗液。

(6)在上述的实施例1和各变形例(2)～(4)中，两个清洗液喷嘴16各自设置于腔室3的底部或者腔室3内的底面。关于这一点，可以如图13所示那样，两个清洗液喷嘴16各自设置为远离腔室3内的底面。另外，两个清洗液喷嘴16各自可以在比遮蔽板63靠下的位置设置于比腔室3内的底面靠上的位置的腔室3的内侧壁。即，两个清洗液喷嘴16各自可以设置于腔室3内的下部。此外，各清洗液喷嘴16以朝向处理槽2的外壁的姿态配置。

另外，控制部81可以在通过排气泵对腔室3进行了减压的状态下使清洗液接触处理槽2的外壁并从清洗液喷嘴16向腔室3内供给清洗液。由于在腔室3内的底面流通液体，因此相对而言不易在腔室3内的底面蓄积微小颗粒。但是，例如处理槽2的外壁是即使附着浮游的微小颗粒也不易流通液体的部分，因此蓄积微小颗粒。使清洗液与该部分接触并使清洗液贮存于腔室3内，从而容易将处理槽2的外壁附着的微小颗粒除去。

(7)在上述的各实施例和各变形例中，基板处理装置1具备两个排气泵47、57。关于这一点，基板处理装置1例如可以不具备排气泵57。即，排气泵47可以经由排气管45对腔室3内进行排气并且经由排气管55对排液箱53内进行排气。

例如开闭阀V7构成为能够对通过排气管45的气体的流量进行控制。另外，开闭阀V9构成为能够对通过排气管55的气体的流量进行控制。并且，控制部81通过对两个开闭阀V7、V9进行操作，从而对通过两个排气管45、55的气体的流量进行控制。由此，使得排液箱53内的压力值P2比腔室3内的压力值P1小。

(8)在上述的各实施例和各变形例中说明了：腔室3内的下部的微小颗粒的扬起当供给氮气而在腔室3内恢复大气压时发生(步骤S17、S34、S53)。关于这一点，例如在步骤S12、S28、S48等中也有可能发生微小颗粒的扬起。

(9)在上述的各实施例和各变形例中，例如在图2所示的步骤S06中，供给斥水剂的蒸气而使基板W为斥水性。关于这一点，当不必使基板W为斥水性时，可以省略供给斥水剂的蒸气的步骤S06及其关联步骤。对于图6的步骤S26和图9的步骤S46而言也同样如此。

本发明能够在不脱离其思想或本质的范围内以其他具体形式实施，因此发明范围不限于以上说明而应当参照所附权利要求。