供电电路及其驱动方法、电子烟

技术领域

本申请涉及供电领域，特别涉及一种供电电路、供电电路的驱动方法以及电子烟。

背景技术

目前市场上通常是用恒功率直流电对小电器产品进行电源控制，也就是说供电电路提供给小电器产品中各种加热组件，均是恒定电压和恒定电流。

在此恒定电压和恒定电流的情况下，加热组件的受热情况不太理想，小电器产品不能在加热装置的最优状态下工作，不仅影响小电器产品的使用性能，而且导致加热装置的寿命缩短。

发明内容

本申请实施例提供了一种供电电路、供电电路的驱动方法以及电子烟，能够使加热装置均匀受热，提升小电器产品的使用性能，延长加热装置的寿命。

本发明提供一种供电电路，所述供电电路包括微处理器、电压控制模块、正反接电流生成模块和加热模块；

所述微处理器用于控制所述电压控制模块和所述正反接电流生成模块；

所述电压控制模块用于将电源电压调节至第一目标电压和第二目标电压，并将所述第二目标电压耦合至所述正反接电流生成模块，所述第一目标电压用于控制所述正反接电流生成模块的开断；

所述正反接电流生成模块用于根据所述第二目标电压生成正接电流和反接电流，并将所述正接电流和所述反接电流在所述第二目标电压的同一个周期内的不同预设时长耦合到所述加热模块；

所述加热模块用于产生工作电流并据此进行加热，所述工作电流包括所述正接电流和所述反接电流。

可选地，所述正反接电流生成模块包括第一开关控制模块和第二开关控制模块；

所述第一开关控制模块用于在第一预设时长内导通，根据所述第二目标电压产生正接电流，并将所述正接电流耦合到所述加热模块，所述第一预设时长为所述第二目标电压在同一个电压信号周期内预设的第一个时长；

所述第二开关控制模块用于在第二预设时长内导通，根据所述第二目标电压产生所述反接电流，并将所述反接电流耦合到所述加热模块，所述第二预设时长为所述第二目标电压在同一个电压信号周期内的第二个预设时长，所述第一预设时长与所述第二预设时长的时长总和不超过所述同一个电压信号周期内的时长阈值。

可选地，所述第一开关控制模块包括：

第一晶体管，所述第一晶体管的第二极与所述加热模块的一端相连；

第二晶体管，所述第二晶体管的第一极接地，所述第二晶体管的第二极与所述加热模块的另一端相连；

第一开关控制元件，所述第一开关控制元件的第一极与所述第一晶体管的第三极相连，所述第一开关控制元件的第二极接地，所述第一开关控制元件的第三极与所述微处理器相连。

可选地，所述第二开关控制模块包括：

第三晶体管，所述第三晶体管的第二极与所述加热模块的另一端相连；

第四晶体管，所述第四晶体管的第一极接地，所述第四晶体管的第二极与所述加热模块的一端相连；

第二开关控制元件，所述第二开关控制元件的第一极与所述第三晶体管的第三极相连，所述第二开关控制元件的第二极接地，所述第二开关控制元件的第三极与所述微处理器相连。

可选地，所述电压控制模块包括：

升压控制电路，用于将所述电源电压升压后得到所述第一目标电压，并将所述第一目标电压分别传输给所第一开关控制模块以及所第二开关控制模块，所述升压控制电路的一端与所述第二晶体管的第三极记忆所述第四晶体管的第三极相连，所述升压控制电路的另一端与供电电源相连；

功率变换电路，用于调制所述电源电压至所述第二目标电压，所述功率变换电路的一端与所述第一晶体管的第一极以及所述第三晶体管的第一极分别相连，所述功率变换电路的另一端与所述供电电源相连。

可选地，所述正反接电流生成模块包括第三开关控制元件、第三开关控制子模块、第四开关控制子模块以及变压器；

所述第三开关控制元件用于将所述第二目标电压耦合至所述第三开关控制子模块、所述第四开关控制子模块以及所述变压器；

所述第三开关控制子模块用于在第一预设时长内导通，根据所述第二目标电压产生所述正接电流，并将所述正接电流耦合到所述变压器，所述第一预设时长为所述第二目标电压在同一个电压信号周期内预设的第一个时长；

所述第四开关控制子模块用于在第二预设时长内导通，根据所述第二目标电压产生所述反接电流，并将所述反接电流耦合到所述变压器，所述第二预设时长为所述第二目标电压在同一个电压信号周期内预设的第二个时长，所述第一预设时长与所述第二预设时长的时长总和不超过所述同一个电压信号周期的时长阈值；

所述变压器用于在所述第一预设时长内将所述正接电流耦合到所述加热模块，并在所述第二预设时长内将所述反接电流耦合到所述加热模块。

可选地，所述电压控制模块包括：

正接升压控制电路，用于控制所述第三开关控制子模块的导通和断开，在所述第一预设时长内将所述电源电压升压后得到所述第一目标电压，并将所述第一目标电压传输给所述第三开关控制子模块，所述正接升压控制电路的一端与所述第三开关控制子模块的一端相连，所述正接升压控制电路的另一端与所述微处理器的一端相连；

反接升压控制电路，用于控制所述第四开关控制子模块的导通和断开，在所述第二预设时长内将所述电源电压升压后得到所述第一目标电压，并将所述第一目标电压传输给所述第四开关控制子模块，所述反接升压控制电路的一端与所述第四开关控制子模块的一端相连，所述反接升压控制电路的另一端与所述微处理器的一端相连；

开关升压控制电路，用于将所述电源电压升压后得到所述第一目标电压，并将所述第一目标电压传输给所述开关控制元件，所述第三升压控制电路的一端与所述第三开关控制元件的一端相连，所述第三升压控制电路的另一端与所述微处理器的一端相连；

开关功率变换电路，用于调制所述电源电压至所述第二目标电压，所述开关功率变换电路的一端与所述第三开关控制元件的另一端相连，所述开关功率变换电路的另一端与所述微处理器的一端相连。

可选地，所述第三开关控制子模块包括第五晶体管，所述第五晶体管的第一极接地，所述第五晶体管的第二极与所述变压器的第一主线圈的一端相连，所述第五晶体管的第三极与所述正接升压控制电路的所述一端相连；

所述第四开关控制子模块包括第六晶体管，所述第六晶体管的第一极与所述第二升压控制电路的所述一端相连，所述第六晶体管的第二极与所述变压器的第二主线圈的一端相连，所述第六晶体管的第三极与所述反接升压控制电路的所述一端相连；

所述第三开关控制元件包括第七晶体管，所述第七晶体管的第一极与所述变压器的所述第一主线圈的另一端以及所述第二主线圈的另一端相连，所述第七晶体管的第二极与所述开关功率变换电路的所述一端相连，所述第七晶体管的第三极与所述开关升压控制电路的所述一端相连；

所述变压器的所述第一主线圈的另一端和所述第二主线圈的另一端相连接于第一连接点，所述变压器的副线圈的一端与所述加热模块的一端相连，所述变压器的副线圈的另一端与所述加热模块的另一端相连。

可选地，所述第一主线圈与副线圈的同名端为第一同名端，所述第二主线圈与所述副线圈的同名端为第二同名端，其中，所述第一主线圈的所述第一同名端设置于所述第一主线圈的高电势的一端，所述高电势的一端位于所述第一连接点，所述第二主线圈的所述第二同名端设置于所述第二主线圈的低电势的一端，所述低电势的一端位于所述第二主线圈与所述第六晶体管的第二极相连接的一端，所述副线圈的所述第一同名端与所述第二同名端均位于所述副线圈的任意相同的一端。

可选地，所述第一晶体管至所述第四晶体管、所述第一开关控制元件、所述第二开关控制元件为金属半场效晶体管或者三极管。

可选地，所述第五晶体管至第七晶体管为金属半场效应晶体管或者三极管。

可选地，所述加热模块为加热电阻。

本申请实施例提供一种供电电路的驱动方法，包括：

提供供电电路，所述供电电路包括微处理器、电压控制模块、正反接电流生成模块和加热模块；

所述微处理器用于控制电压控制模块和所述正反接电流生成模块；

所述电压控制模块用于将电源电压调节至第一目标电压和第二目标电压，所述第一目标电压用于控制所述正反接电流生成模块的开断；

所述正反接电流生成模块用于根据所述第二目标电压生成正接电流和反接电流；

所述加热模块用于产生工作电流并据此进行加热，所述工作电流包括所述正接电流和所述反接电流；

其中，所述驱动方法包括：

所述电压控制模块将所述第二目标电压耦合至所述正反接电流生成模块；

所述正反接电流生成模块将所述正接电流和所述反接电流在所述第二目标电压的同一个电压信号周期内的不同预设时长耦合到所述加热模块。

可选地，所述正反接电流生成模块包括第一开关控制模块和第二开关控制模块；

其中，所述驱动方法包括：

所述第一开关控制模块在第一预设时长内导通，根据所述第二目标电压产生所述正接电流，并将所述正接电流耦合到所述加热模块，所述第一预设时长为所述第二目标电压在同一个电压信号周期内预设的第一个时长；

所述第二开关控制模块在第二预设时长内导通，根据所述第二目标电压产生所述反接电流，并将所述反接电流耦合到所述加热模块，所述第二预设时长为所述第二目标电压在同一个电压信号周期内的第二个预设时长，所述第一预设时长与所述第二预设时长总和不超过所述同一个电压信号周期的时长阈值。

可选地，所述第一开关控制模块包括：

第一晶体管，所述第一晶体管的第二极与所述加热模块的一端相连；

第二晶体管，所述第二晶体管的第一极接地，所述第二晶体管的第二极与所述加热模块的另一端相连；

第一开关控制元件，所述第一开关控制元件的第一极与所述第一晶体管的第三极相连，所述第一开关控制元件的第二极接地，所述第一开关控制元件的第三极与所述微处理器相连；

其中，所述驱动方法包括：

所述微处理器分别向升压控制电路以及所述第一开关控制元件传输所述电源电压。

可选地，所述第二开关控制模块包括：

第三晶体管，所述第三晶体管的第二极与所述加热模块的另一端相连；

第四晶体管，所述第四晶体管的第一极接地，所述第四晶体管的第二极与所述加热模块的一端相连；

第二开关控制元件，所述第二开关控制元件的第一极与所述第三晶体管的第三极相连，所述第二开关控制元件的第二极接地，所述第二开关控制元件的第三极与所述微处理器相连；

其中，所述驱动方法包括：

所述微处理器向所述第二开关控制元件传输所述电源电压。

可选地，所述电压控制模块包括：

升压控制电路，用于将所述电源电压升压后得到所述第一目标电压，所述升压控制电路的一端与所述第二晶体管的第三极以及所述第四晶体管的第三极分别相连，所述升压控制电路的另一端与供电电源相连；

功率变换电路，用于调制所述电源电压至所述第二目标电压，所述功率变换电路的一端与所述第一晶体管的第一极以及所述第三晶体管的第一极分别相连，所述功率变换电路的另一端与所述供电电源相连；

其中，所述驱动方法包括：

所述升压控制电路将所述第一目标电压传输至所述第二晶体管的第三极，所述功率变换电路将所述第二目标电压传输至所述第一晶体管的第一极；

在所述第一预设时长内，所述第一开关控制元件导通，所述第一晶体管和所述第二晶体管导通，所述正接电流耦合到所述加热模块，同时所述第二开关控制元件断开，所述第三晶体管和所述第四晶体管断开；

在所述第二预设时长内，所述第二开关控制元件导通，所述第三晶体管和所述第四晶体管导通，所述反接电流耦合到所述加热模块，同时所述第一开关控制元件断开，所述第一晶体管和所述第二晶体管断开。

可选地，所述正反接电流生成模块包括第三开关控制元件、第三开关控制子模块、第四开关控制子模块以及变压器；

其中，所述驱动方法包括：

所述第三开关控制元件将所述第二目标电压耦合至所述第三开关控制子模块、第四开关控制子模块以及变压器；

所述第三开关控制子模块在第一预设时长内导通，根据所述第二目标电压产生正接电流，并将所述正接电流耦合到所述变压器，所述第一预设时长为所述第二目标电压在同一个电压信号周期内预设的第一个时长；

所述第四开关控制子模块在第二预设时长内导通，根据所述第二目标电压产生所述反接电流，并将所述反接电流耦合到所述变压器，所述第二预设时长为所述第二目标电压在同一个电压信号周期内预设的第二个时长，所述第一预设时长与所述第二预设时长的时长总和不超过所述同一个电压信号周期的时长阈值；

所述变压器在所述第一预设时长内将所述正接电流耦合到所述加热模块，并在所述第二预设时长内将所述反接电流耦合到所述加热模块。

可选地，所述电压控制模块包括：

正接升压控制电路，用于控制所述第三开关控制子模块的导通和断开，所述正接升压控制电路的一端与所述第三开关控制子模块的一端相连，所述正接升压控制电路的另一端与所述微处理器的一端相连；

反接升压控制电路，用于控制所述第四开关控制子模块的导通和断开，所述反接升压控制电路的一端与所述第四开关控制子模块的一端相连，所述反接升压控制电路的另一端与所述微处理器的一端相连；

开关升压控制电路，用于将所述电源电压升压后得到所述第一目标电压，所述第三升压控制电路的一端与所述第三开关控制元件的一端相连，所述第三升压控制电路的另一端与所述微处理器的一端相连；

开关功率变换电路，用于调制所述电源电压至所述第二目标电压，所述功率变换电路的一端与所述第三开关控制元件的另一端相连，所述功率变换电路的另一端与所述微处理器的一端相连；

其中，所述驱动方法包括：

所述正接升压控制电路在所述第一预设时长内将所述电源电压升压后得到所述第一目标电压，并将所述第一目标电压传输给所述第三开关控制子模块；

所述反接升压控制电路在所述第二预设时长内将所述电源电压升压后得到所述第一目标电压，并将所述第一目标电压传输给所述第四开关控制子模块；

所述开关升压控制电路将所述第一目标电压传输给所述第三开关控制元件。

可选地，所述第三开关控制子模块包括第五晶体管，所述第五晶体管的第一极接地，所述第五晶体管的第二极与所述变压器的第一主线圈的一端相连，所述第五晶体管的第三极与所述正接升压控制电路的所述一端相连；

所述第四开关控制子模块包括第六晶体管，所述第六晶体管的第一极接地，所述第六晶体管的第二极与所述变压器的第二主线圈的一端相连，所述第六晶体管的第三极与所述反接升压控制电路的所述一端相连；

所述第三开关控制元件包括第七晶体管，所述第七晶体管的第一极与所述变压器的所述第一主线圈的另一端以及所述第二主线圈的另一端相连，所述第七晶体管的第二极与所述开关功率变换电路的所述一端相连，所述第七晶体管的第三极与所述开关升压控制电路的所述一端相连；

所述变压器的所述第一主线圈的另一端和所述第二主线圈的另一端相连接于第一连接点，所述变压器的副线圈的一端与所述加热模块的一端相连，所述变压器的副线圈的另一端与所述加热模块的另一端相连；

其中，所述驱动方法包括：

所述正接升压控制电路在所述第一预设时长内将所述第一目标电压传输给所述第五晶体管的第三极；

所述反接升压控制电路在所述第二预设时长内将所述第一目标电压传输给所述第六晶体管的第三极。

可选地，所述第一主线圈与副线圈的同名端为第一同名端，所述第二主线圈与所述副线圈的同名端为第二同名端，其中，所述第一主线圈的所述第一同名端设置于所述第一主线圈的高电势的一端，所述高电势的一端位于所述第一连接点，所述第二主线圈的所述第二同名端设置于所述第二主线圈的低电势的一端，所述低电势的一端位于所述第二主线圈与所述第六晶体管的第二极相连接的一端，所述副线圈的所述第一同名端与所述第二同名端均位于所述副线圈的任意相同的一端；

其中，所述驱动方法包括：

在所述第一预设时长内，所述第七晶体管和所述第五晶体管导通，所述正接电流耦合到所述第一主线圈，所述第一主线圈通过所述第一同名端将所述正接电流耦合到所述副线圈，所述副线圈通过所述第一同名端将所述正接电流耦合到所述加热模块，同时所述第六晶体管断开；

在所述第二预设时长内，所述第七晶体管和所述第六晶体管导通，所述反接电流耦合到所述第二主线圈，所述第二主线圈通过所述第二同名端将所述反接电流耦合到所述副线圈，所述副线圈通过所述第二同名端将所述反接电流耦合到加热模块，同时所述第五晶体管断开。

本申请实施例提供一种电子烟，所述电子烟包括本发明中所述的供电电路及其驱动方法。

从以上技术方案可以看出，本申请实施例具有以下优点：

由于微处理器控制电压模块和正反接电流生成模块，电压控制模块将电源电压调节至第一目标电压和第二目标电压，并将第二目标电压耦合至正反接电流生成模块，正反接电流生成模块根据第二目标电压生成正接电流和反接电流，并将正接电流和反接电流在第二目标电压的同一个电压信号周期内的不同预设时长耦合到加热模块，由此加热模块能够产生正反接工作电流，并在不同预设时长内通过正接电流和反接电流交替进行加热，这样能够使加热装置均匀受热，从而提升小电器产品的使用性能，延长加热装置的寿命。

附图说明

图1为本申请实施例中一个供电电路的结构示意图；

图2为本申请实施例中另一个供电电路的结构示意图；

图3为本申请实施例中另一个供电电路的等效示意图；

图4为本申请实施例中供电电路的一个驱动方法的流程示意图；

图5为本申请实施例中供电电路的另一个驱动方法的流程示意图；

图6为本申请实施例中供电电路的另一个驱动方法的流程示意图；

图7为本申请实施例中供电电路的一个驱动方法的时序图；

图8为本申请实施例中另一个供电电路的结构示意图；

图9为本申请实施例中另一个供电电路的结构示意图；

图10为本申请实施例中另一个供电电路的等效示意图；

图11为本申请实施例中供电电路的驱动方法的另一个流程示意图；

图12为本申请实施例中供电电路的驱动方法的另一个流程示意图；

图13为本申请实施例中供电电路的另一个驱动方法的时序图。

具体实施方式

本申请实施例提供了一种供电电路、供电电路的驱动方法以及电子烟，用于使加热装置均匀受热，提升小电器产品的使用性能，延长加热装置的寿命。

下面结合附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而非全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在不冲突的情况下，下述各个实施例及其技术特征可以相互组合。

请参阅图1，图1为本申请实施例中一个供电电路的结构示意图。

本申请实施例中提供一种供电电路，

本申请实施例中提供一种供电电路，该供电电路用于驱动加热装置加热，该供电电路包括电源装置101、微处理器102、电压控制模块103、正反接电流生成模块104和加热模块105；

电源装置101用于向微处理器102供电；

微处理器102用于控制电压控制模块103和正反接电流生成模块104；

电压控制模块103用于将电源电压调节至第一目标电压和第二目标电压，并将第二目标电压耦合至正反接电流生成模块104，第一目标电压用于控制正反接电流生成模块的开断；

正反接电流生成模块104用于根据第二目标电压生成正接电流和反接电流，并将正接电流和反接电流在第二目标电压的同一个信号周期内的不同预设时长耦合到加热模块105；

加热模块105用于产生工作电流并据此进行加热，工作电流包括正接电流和反接电流。

需要说明的是，本申请实施例中的加热模块可以为加热电阻，具体此处不做限定。

本申请实施例中的供电电路，由于微处理器控制电压控制模块和正反接电流生成模块，电压控制模块将电源电压调节至第一目标电压和第二目标电压，并将第二目标电压耦合至正反接电流生成模块，正反接电流生成模块根据第二目标电压生成正接电流和反接电流，并将正接电流和反接电流在第二目标电压的同一个电压信号周期内的不同预设时长耦合到加热模块，由此加热模块能够产生正反接工作电流，并在不同预设时长内通过正接电流和反接电流进行加热，这样能够使加热装置均匀受热，从而提升了小电器产品的使用性能，并延长了加热装置的寿命。

以上对本申请实施例中一个供电电路的结构进行了说明。

本申请实施例中，进一步地，正反接电流生成模块的具体结构可以为以下两种构造：

第一种构造，正反接电流生成模块可以包括第一开关控制模块和第二开关控制模块。

第二种构造，正反接电流生成模块可以包括第三开关控制元件、第三开关控制子模块、第四开关控制子模块以及变压器。

下面，首先针对具有第一种正反接电流生成模块的具体结构的实施例以及基于该具体结构的供电电路的驱动方法进行详细说明。

一、在正反接电流生成模块的具体结构为第一种的构造的情况下，即，正反接生成模块包括第一开关控制模块和第二开关控制模块。

请参阅图2，图2为本申请实施例中另一个供电电路的结构示意图。

本申请实施例的供电电路包括电源装置201、微处理器202、电压控制模块203、第一开关控制模块204、第二开关控制模块205和加热模块206。

本申请实施例中，第一开关控制模块204用于在第一预设时长内导通，根据第二目标电压产生正接电流，并将正接电流耦合到加热模块，第一预设时长为第二目标电压在同一个电压信号周期内预设的第一个时长。

第二开关控制模块205用于在第二预设时长内导通，根据第二目标电压产生反接电流，并将反接电流耦合到加热模块，第二预设时长为第二目标电压在同一个电压信号周期内预设的第二个时长，第一预设时长与第二预设时长的时长总和不超过同一个电压信号周期的时长阈值。

进一步地，第一开关控制模块可以包括：

第一晶体管，该第一晶体管的第二极与加热模块的一端相连；

第二晶体管，该第二晶体管的第一极接地，第二晶体管的第二极与加热模块的另一端相连；

第一开关控制元件，该第一开关控制元件的第一极与第一晶体管的第三极相连，第一开关控制元件的第一极与第一晶体管的第三极相连，第一开关控制元件的第二极接地，第一开关控制元件的第三极与微处理器相连。

第二开关控制模块可以包括：

第三晶体管，该第三晶体管的第二极与加热模块的另一端相连；

第四晶体管，该第四晶体管的第一极接地，第四晶体管的第二极与加热模块的一端相连；

第二开关控制元件，该第二开关控制元件的第一极与第三晶体管的第三极相连，第二开关控制元件的第二极接地，第二开关控制元件的第三极与微处理器相连。

进一步地，电压控制模块可以包括：

升压控制电路，用于将电源电压升压后得到第一目标电压，并将第一目标电压分别传输给第一开关控制模块以及第二开关控制模块，升压控制电路的一端与第二晶体管的第三极以及第四晶体管的第三极分别相连，升压控制电路的另一端与供电电源相连；

功率变换电路，用于调制电源电压至第二目标电压吗，功率变换电路的一端与第一晶体管的第一极以及第三晶体管的第一极分别相连，功率变换电路的另一端与供电电源相连。

需要说明的是，第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管均可以为金属半场效应晶体管或者三极管，具体此处不做限定。

第一开关控制元件以及第二开关控制元件均可以为金属半场效应晶体管或者三极管，具体此处不做限定。

当第一晶体管至第四晶体管均为场效应管时，第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管的第一极均可以为源极S，第二极均可以为漏极D，第三极均可以为栅极G。也就是说，第一晶体管和第三晶体管可以是P型金属氧化物半导体(Positive channelMetal Oxide Semiconductor,PMOS管)，同时第二晶体管和第四晶体管可以是N型金属氧化物半导体(Nagative channel Metal Oxide Semiconductor,NMOS管)，反之，第一晶体管和第三晶体管可以是NMOS管，同时第二晶体管和第四晶体管可以是PMOS管，具体此处不做限定。

进一步地，PMOS管的个数可以是3个或者更多，NMOS管的个数可以是3个或者更多，并且，PMOS管的个数可以和NMOS管的个数相同，也可以不同，具体此处不做限定。

当第一晶体管至第四晶体管均为三极管时，第一晶体管和第三晶体管可以是NPN型三极管(N-P-N semiconductor triode)，同时第二晶体管和第四晶体管可以是PNP型三极管(P-N-P semiconductor triode)，反之，第一晶体管和第三晶体管可以是PNP型，第二晶体管和第四晶体管可以是NPN型，具体此处不做限定。

需要说明的是，第一开关控制元件以及第二开关控制元件的第一极均可以为源极S，第二极均可以为漏极D，第三极均可以为栅极G。也就是说，第一开关控制元件以及第二开关控制元件可以均是NPN型，也可以均是PNP型，具体此处不做限定。

此处，第一开关控制元件以及第二开关控制元件，可以其中一个是NPN型，另一个是PNP型，具体此处不做限定。

功率变换电路可以为全桥式功率变换电路、半桥式功率变换电路或推挽式功率变换电路，具体此处不做限定。

优选地，实现本申请上述实施例的具体方案如下：

请参见图3，图3为本申请实施例的另一个供电电路的等效示意图。

实现本申请实施例中的一个供电电路的具体方案为：

供电电路的第一开关控制模块31包括：

第一PMOS管Q1，第一PMOS管Q1的漏极D1与雾化器中的加热电阻的一端相连；

第二NMOS管Q6，第二NMOS管Q6的源极S6接地，第二NMOS管Q6的漏极D6与雾化器的加热电阻的另一端相连；

第一三极管Q2，该第一三极管Q2的集电极C2与第一PMOS管Q1的栅极G1相连，第一三极管Q2的发射极E2接地，第一场效应管Q2的基极B2与微处理器相连。

供电电路的第二开关控制模块32包括：

第三PMOS管Q4，该第三PMOS管Q4的漏极D4与雾化器的加热电阻的另一端相连；

第四NMOS管Q3，该第四NMOS管Q3的源极S3接地，第四NMOS管Q3漏极D3与雾化器的加热电阻的一端相连；

第二三极管Q5，该第二三极管Q5的集电极C5与第三PMOS管Q4的栅极G4相连，第二三极管Q5的发射极E5接地，第二三极管Q5的基极B5与微处理器相连。

供电电路的电压控制模块33包括：

升压控制电路，将电源电压升压后得到第一目标电压，并将第一目标电压分别传输给第一开关控制模块以及第二开关控制模块，升压控制电路的一端与第二NMOS管Q6的栅极G6以及第四NMOS管Q3的栅极G3分别相连，升压控制电路的另一端与供电电源相连；

功率变换电路，调制电源电压至第二目标电压，功率变换电路的一端与第一PMOS管Q1的源极S1以及第三NMOS管Q4的源极S4分别相连，功率变换电路的另一端与供电电源相连。

需要说明的是，本申请实施例中，第一三极管Q1和第三三极管Q4也可以是PMOS管，第二三极管Q3和第四三极管Q6也可以是NMOS管，具体此处不做限定。

需要说明的是，本申请实施例中，第一三极管Q2和第二三极管Q5可以都是NPN型，也可以都是PNP型，也可以一个是NPN型，一个是PNP型，具体此处不做限定。

本申请实施例中，请参见图3，虽然第一NMOS管至第四NMOS管的源极均有3个引脚、漏极均有4个引脚，但每个NMOS管的源极和漏极并不限定引脚个数，也可以为1个引脚、2个引脚或多个引脚，多引脚的其中一个好处是便于NMOS管散热，不容易被烧坏。此外，图3中所示电阻R5、R6、R9、R19、R20为各个三极管和MOS管的辅助性电阻，具体此处不做赘述。

以上对本申请实施例中的供电电路的具体实施例进行了详细说明。

本申请实施例还提供上述供电电路的驱动方法的实施方式。

请参见图4，图4为本申请实施例中供电电路的驱动方法的一个流程示意图。

根据前述供电电路，本实施例的驱动方法包括：

401、电压控制模块将第二目标电压耦合至正反接电流生成模块；

402、正反接电流生成模块将正接电流和反接电流在第二目标电压的同一个电压信号周期内的不同预设时长耦合到加热模块。

本申请实施例中，工作电流可以包括正接电流和反接电流。本实施例中描述的“正接电流”和“反接电流”是指该两种电流的电流方向刚好相反，也可以称为正向电流和反向电流，具体此处不做限定。

本申请实施例中，由于正反接电流生成模块能够根据第二目标电压生成正接电流和反接电流，由此加热模块能够产生正反接工作电流交替进行加热，这样能够使加热装置均匀受热，从而提升小电子产品的使用性能，延长加热装置的寿命。

请参见图5，图5为本申请实施例中供电电路的驱动方法的另一个流程示意图。

根据前述供电电路中正反接电流生成模块的第一种构造，本申请实施例的驱动方法包括：

501、微处理器分别向电压控制模块、第一开关控制模块和第二开关控制模块传输电源电压；

502、电压控制模块将电源电压调节至第一目标电压和第二目标电压；

503、电压控制模块将第二目标电压耦合至第一开关控制模块和第二开关控制模块；

504、第一开关控制模块在第一预设时长T1内导通，根据第二目标电压产生正接电流，并将正接电流耦合到加热模块；

505、第二开关控制模块在第二预设时长T2内导通，根据第二目标电压产生反接电流，并将反接电流耦合到加热模块。

需要说明的是，本申请实施例中，第一目标电压用于控制第一开关控制模块和第二开关控制模块的开断。

本申请实施例中，第一开关控制模块和第二开关控制模块可以在同一个电压信号周期内的不同时长内，交替生成正接电流和反接电流，从而交替使加热模块加热并均匀受热，提升小电子产品的性能，延长加热模块的寿命。

更进一步地，请参见图3、图6和图7，图6为本申请实施例中供电电路的驱动方法的另一个流程示意图，图7为本申请实施例中供电电路的一个驱动方法的时序图。

需要说明的是，图7中从上至下所示的时序图分别为第一NPN型三极管Q2、第一PMOS管Q1、第二NMOS管Q6、第二NPN型三极管Q5、第三PMOS管Q4、第四NMOS管Q3的驱动方法的时序图，横轴表示电压周期的时长，纵轴表示电压幅度。

本申请实施例中供电电路的驱动方法可以为以下具体步骤流程：

601、微处理器分别向升压控制电路、功率变换电路传输电源电压，升压控制电路将电源电压调节至第一目标电压，功率变换电路将电源电压调节至第二目标电压；

本实施例中，第一目标电压的电压阈值和第二目标电压的电压阈值可以相同，也可以不相同，具体此处不做限定。

602、升压控制电路将第一目标电压传输至第二NMOS管Q6的栅极G6和第四NMOS管Q3的栅极G3，功率变换电路将第二目标电压传输至第一PMOS管Q1的源极和第三PMOS管Q3的源极；

603、在第一预设时长T1内，微处理器向第一NPN型三极管Q2的基极B2传输高电平电压，同时向第二NPN型三极管Q5的基极B5传输低电平电压，则第一NPN型三极管Q2导通，第一PMOS管Q1和第二NMOS管Q6导通，同时第二NPN型三极管Q5断开；

604正接电流耦合到雾化器的加热电阻，同时第三PMOS管Q4和第四NMOS管Q3断开；

605、在第二预设时长T2内，微处理器向第二NPN型三极管Q5的基极B5传输高电平电压，同时向第一NPN型三极管Q2传输低电平电压，则第二NPN型三极管Q5导通，第三PMOS管Q4和第四NMOS管Q3导通，同时第一NPN型三极管Q2断开；

606、反接电流耦合到雾化器的加热电阻，同时第一PMOS管Q1和第二PMOS管Q4断开。

需要说明的是，在同一个电压周期中，第一时长和第二时长可以相同，也可以不相同，具体此处不做限定。

此外，第二目标电压的同一个电压周期中，可以生成多个正接电流和多个反接电流，具体此处不做限定。

此外，同一个电压周期中的正接电流和反接电流的大小可以不同，也可以相同，具体此处不做限定。

反复循环执行上述步骤601至步骤607，由于供电电路能够通过正反接电流生成模块生成正接电流和反接电流，从而实现对加热模块交替加热，使加热模块能够均匀受热，提升了加热模块的使用性能，相应地提升雾化器的使用性能，改善电子烟的口感，并能延长设置有加热电阻的雾化器的使用寿命。

本申请实施例中，由于供电电路能够通过第一NPN型三极管Q2和第二NPN型三极管Q5交替地导通和闭合，生成正接电流和反接电流，从而实现对雾化器的加热电阻交替加热，使雾化器能够均匀受热，提升了雾化器的使用性能，并能延长设置有加热电阻的雾化器的使用寿命。

以上针对具有第一种正反接电流生成模块的具体结构的实施例以及基于该具体结构的供电电路的驱动方法进行了详细说明。

以下针对具有第二种正反接电流生成模块的具体结构的实施例以及基于该具体结构的供电电路的驱动方法进行详细描述。

二、在正反接电流生成模块的具体结构为第二种的构造的情况下，即，正反接生成模块包括第三开关控制元件、第三开关控制子模块、第四开关控制子模块以及变压器。

请参阅图8，图8为本申请实施例中另一个供电电路的结构示意图。

本申请实施例的供电电路包括电源装置801、微处理器802、电压控制模块803、第三开关控制元件804、第三开关控制子模块805、第四开关控制子模块806、变压器807以及加热模块808。

本申请实施例中，第三开关控制元件804用于将第二目标电压耦合至第三开关控制子模块805、第四开关控制子模块806以及变压器807。

第三开关控制子模块805用于在第一预设时长内导通，根据第二目标电压产生正接电流，并将正接电流耦合到变压器807，第一预设时长为第二目标电压在同一个电压信号周期内预设的第一个时长。

第四开关控制子模块806用于在第二预设时长内导通，根据第二目标电压产生反接电流，并将反接电流耦合到变压器807，第二预设时长为第二目标电压在同一个电压信号周期内预设的第二个时长，第一预设时长与第二预设时长的时长总和不超过同一个电压信号周期的时长阈值。

变压器807用于在第一预设时长内将正接电流耦合到加热模块808。

进一步地，请参阅图9，图9为本申请实施例的另一个供电电路的结构示意图。

如图9所示，前述实施例中的电压控制模块可以包括：

正接升压控制电路903，用于控制第三开关控制子模块904的导通和断开，在第一预设时长内将电源电压升压后得到第一目标电压，并将第一目标电压传输给第三开关控制子模块904，该正接升压控制电路的一端与第三开关控制子模块904的一端相连，正接升压控制电路903的另一端与微处理器相连。

反接升压控制电路905，用于控制第四开关控制子模块906的导通和断开，在第二预设时长内将电源电压升压后得到电源电压升压后得到第一目标电压，并将第一目标电压传输给第四开关控制子模块906，该反接升压控制电路的一端与第四开关控制子模块906的一端相连，反接升压控制电路905的另一端与微处理器902的一端相连。

开关升压控制电路907，用于将电源电压升压后得到第一目标电压，并将第一目标电压传输给第三开关控制元件804，该开关升压控制电路907的一端与第三开关控制元件908的一端相连，开关升压控制电路907的另一端与微处理器902的一端相连。

开关功率变换电路909，用于调制电源电压至第二目标电压，该开关功率变换电路909的一端与第三开关控制元件908的另一端相连，开关功率变换电路908的另一端与微处理器902的一端相连。

除此之外，本申请实施例中还包括与前述实施例类似的电源装置901、变压器910以及加热模块911。其中，电源装置901与微处理器902的另一端相连，变压器910的一侧分别与第三开关控制子模块904、第三开关控制元件908、第四开关控制子模块906相连，变压器910的另一侧与加热模块911相连。

进一步地，本申请实施例中，第三开关控制子模块可以包括第五晶体管，该第五晶体管的第一极接地，第五晶体管的第二极与变压器的第一主线圈的一端相连，第五晶体管的第三极与正接升压控制电路的一端相连；

第四开关控制子模块可以包括第六晶体管，该第六晶体管的第一极与反接升压控制电路的一端相连，第六晶体管的第二极与变压器的第二主线圈的一端相连，第六晶体管的第三极与反接升压控制电路的一端相连；

第三开关控制元件可以包括第七晶体管，该第七晶体管的第一极与变压器的第一主线圈的另一端以及第二主线圈的另一端相连，第七晶体管的第二极与开关功率变换电路的一端相连，第七晶体管的第三极与开关升压控制电路的一端相连；

变压器的第一主线圈的另一端和第二主线圈的另一端连接于第一连接点，变压器的副线圈的一端与加热模块的一端相连，变压器的副线圈的另一端与加热模块的另一端相连。

需要说明的是，第五晶体管、第六晶体管以及第七晶体管可以均为场效应管，也可以均为三极管，或者还可以第五晶体管和第六晶体管为场效应管，第七晶体管为三极管，具体此处不做限定。

进一步地，如果该三个晶体管均为场效应管，则该三个晶体管可以均为NMOS管，当NMOS管的栅极G接入高电平时，NMOS管导通，当NMOS管的栅极G接入低电平时，NMOS管断开。也可以第五晶体管和第六晶体管均为PMOS管，第七晶体管为NMOS管，具体此处不做限定。PMOS管的特点是，当PMOS管的栅极G接入低电平时，PMOS管导通，当PMOS管的栅极G接入高电平时，PMOS管断开。

如果该三个晶体管均为三极管，则该三个三极管可以均为NPN型三极管，当NPN型三极管的基极B接入高电平时，NPN型三极管导通，当NPN型三极管的基极B接入低电平时，NPN型三极管断开。除此之外，该三个晶体管也可以均为PNP型三极管，或者可以第五晶体管和第六晶体管均为NPN型晶体管，第七晶体管为PNP型晶体管，具体此处不做限定。

进一步地，第三开关控制子模块中可以有两个或更多的晶体管，第四开关控制子模块也可以有两个或更多的晶体管，并且第三开关控制子模块中的晶体管数目可以和第四开关控制子模块中的晶体管数目相同，也可以不相同，具体此处不做限定。

本申请实施例中，在第一预设时长内，第五晶体管和第七晶体管均导通，且第六晶体管断开，电流由第七晶体管流经变压器和第五晶体管，形成正接电流，变压器将该正接电流耦合至加热模块；在第二预设时长内，第六晶体管和第七晶体管均导通，且第五晶体管断开，电流由第七晶体管流经变压器和第六晶体管，形成反接电流，变压器将该反接电流耦合至加热模块，如此形成正反接电流交替对加热模块加热，从而使设置有加热模块的加热装置均匀受热，提升小电子产品的使用性能，延长加热装置的寿命。

进一步地，本申请实施例中，第一主线圈与副线圈的同名端为第一同名端，第二主线圈与副线圈的同名端为第二同名端，其中，第一主线圈的第一同名端设置于第一主线圈的高电势的一端，该高电势的一端位于第一连接点处，第二主线圈的第二同名端设置于第二主线圈的低电势的一端，该低电势的一端位于第二主线圈与第六晶体管的第二极相连接的一端，副线圈的第一同名端与第二同名端位于副线圈的任意相同的一端。

优选地，实现本申请上述实施例的具体方案如下：

请参见图10，图10为本申请实施例的另一个供电电路的等效示意图。

实现本申请实施例中的一个供电电路的具体方案为：

供电电路的第三开关控制子模块包括NMOS管Q1’，NMOS管Q1’的源极S1’接地，NMOS管Q1’的漏极D1’与变压器的第一主线圈L的一端相连，NMOS管Q1’的栅极G1’与正接升压控制电路的一端相连；

供电电路的第四开关控制子模块包括NMOS管Q2’，NMOS管Q2’的源极S2’与反接升压控制电路的一端相连，NMOS管Q2’的漏极D2’与变压器的第二主线圈L’的一端相连，NMOS管Q2’的栅极G2’与反接升压控制电路的一端相连；

第三开关控制元件包括NMOS管Q3’，NMOS管Q3’的源极S3’与变压器的第一主线圈L的另一端以及第二主线圈L’的另一端相连，NMOS管Q3’的漏极D3’与开关功率变换电路的一端相连，NMOS管Q3’的栅极G3’与开关升压控制电路的一端相连；

变压器的第一主线圈L的另一端和第二主线圈L’的另一端相连接于第一连接点C，变压器的副线圈L1的一端与雾化器的加热电阻RL的一端相连，变压器的副线圈L1的另一端与雾化器的加热电阻RL的另一端相连。

第一主线圈L的T3与副线圈L1的T2为第一同名端，第二主线圈L’的T1与副线圈的T2为第二同名端，其中，第一主线圈L的T3设置于第一主线圈L的高电势的一端，该高电势的一端位于第一连接点C处，第二主线圈L’的T1设置于第二主线圈L’的低电势的一端，该低电势的一端位于第二主线圈L’与NMOS管Q2’的漏极D2’相连接的一端，副线圈L1的第一同名端与第二同名端均位于副线圈L1的上端T2处。

需要说明的是，副线圈L1的第一同名端与第二同名端也可以均位于副线圈L1的下端处，具体此处不做限定。

需要说明的是，本申请实施例的供电电路中，图10中标示有电容C1与变压器的副线圈L1以及加热电阻RL连接，该电容C1具有存储电荷的功能，不过，本申请实施例的供电电路中，变压器也可以不连接电容，而仅连接加热电阻RL，在变压器和加热电阻RL之间形成电流回路。

本申请实施例中，在第一预设时长内，NMOS管Q3’和NMOS管Q1’导通，NMOS管Q2’断开，正接电流通过变压器的第一主线圈L耦合到变压器的副线圈L1上，接着正接电流从上至下流经电容C1和雾化器的加热电阻C1；在第二预设时长内，NMOS管Q3’和NMOS管Q2’导通，NMOS管Q1’断开，反接电流通过变压器的第二主线圈L’耦合到变压器的副线圈L1上，接着反接电流从下至上流经电容C1和雾化器的加热电阻C1，从而实现对雾化器的加热电阻C1的正反向的交替加热，使雾化器的加热电阻均匀受热，提升雾化器的使用性能，延长雾化器的寿命。

本申请实施例中，请参见图10，虽然各个NMOS管的源极和漏极均有多个引脚，但每个NMOS管的源极和漏极的引脚并不限定个数，也可以为1个、2个或多个。

以上对本申请实施例中正反接电流生成模块具有前述第二种构造的供电电路进行了详细描述。

基于前述正反接电流生成模块具有第二种构造的供电电路，本申请实施例还提供具有该供电电路的驱动方法的实施方式。

请参见图11，图11为本申请实施例中供电电路的驱动方法的另一个流程示意图。

根据前述具有第二种正反接电流生成模块构造的供电电路，本申请实施例的驱动方法包括：

1101、微处理器分别向电压控制模块、第三开关控制元件、第三开关控制子模块、第四开关控制子模块传输电源电压；

1102、电压控制模块将电源电压调节至第一目标电压和第二目标电压；

1103、在第一预设时长T1内，第三开关控制元件导通和第三开关控制子模块导通，并根据第二目标电压产生正接电流，耦合到变压器；

本申请实施例中，如前所述，第一预设时长为第二目标电压在同一个电压信号周期内预设的第一个时长。

1104、在第一预设时长T1内，变压器将正接电流耦合到加热电阻；

1105、在第二预设时长T2内，第三开关控制元件和第四开关控制子模块导通，并根据第二目标电压产生反接电流，耦合到变压器；

本申请实施例中，如前所述，第二预设时长为第二目标电压在同一个电压信号周期内的第二个预设时长，第一预设时长与第二预设时长总和不超过同一个电压信号周期的时长阈值。

1106、在第二预设时长T2内，变压器将反接电流耦合到加热电阻。

需要说明的是，本申请实施例中，第一目标电压用于控制第三开关控制子模块和第四开关控制子模块的开断。

本申请实施例中，第三开关控制元件、第三开关控制子模块和第四开关控制子模块可以在第二目标电压的同一个电压信号周期内的不同时长内，交替生成正接电流和反接电流，从而交替使加热电阻加热并均匀受热，提升小电子产品的性能，延长加热电阻的寿命。

更进一步地，请参见图10、图12和图13，图12为本申请实施例中供电电路的驱动方法的另一个流程示意图，图13为本申请实施例中供电电路的另一个驱动方法的时序图。

需要说明的是，图13中从上至下所示的时序图分别为NMOS管Q3’、NMOS管Q1’、NMOS管Q2’和变压器副线圈L1的驱动方法的时序图，横轴表示电压周期的时长，纵轴表示电压幅度。

本申请实施例中供电电路的驱动方法可以为以下具体步骤流程：

1201、微处理器分别对正接升压控制电路、反接升压控制电路、开关升压控制电路以及开关功率变换电路进行控制；

1202、在第一预设时长T1内，正接开关控制电路向NMOS管Q1’的栅极G1’接入第一目标电压，开关升压控制电路向NMOS管Q3’的栅极G3’接入第一目标电压，反接开关控制电路向NMOS管Q2’的栅极G2’接入低电平电压，开关功率变换电路向NMOS管Q3’的漏极D3’接入第二目标电压；

本实施例中，第一目标电压即为高电平电压。在第二目标电压的同一个电压信号周期的第一预设时长T1内，NMOS管Q3’和Q1’导通，NMOS管Q2’断开。在此导通期间，变压器的第一主线圈L和第二主线圈L’的第一连接点C的电压高于第一主线圈L的另一端的电压。NMOS管Q3’和Q1’根据第二目标电压产生正接电流，正接电流由下至上流经变压器的第一主线圈L，即，正接电流从第一连接点C流经第一主线圈L和NMOS管Q1’。

1203、在第一预设时长T1内，第一主线圈L在第一同名端T3将正接电流耦合到副线圈L1的第一同名端T2；

本实施例中，在第一预设时长T1内，第一主线圈L在第一同名端T3的电压即为第一连接点C的电压，也就是说，此时，第一主线圈L的第一同名端T3的电压为高电压，因此，耦合到副线圈L1的第一同名端T2的电压也为高电压。

1204、在第一预设时长T1内，正接电流从副线圈L1的第一同名端T2从上至下流向雾化器的加热电阻RL和电容C1；

本实施例中，电容C1用于整流和存储电荷。

1205、在第二预设时长T2内，正接开关控制电路向NMOS管Q1’的栅极G1’接入低电平电压，开关升压控制电路向NMOS管Q3’的栅极G3’接入第一目标电压，反接开关控制电路向NMOS管Q2’的栅极G2’接入第一目标电压，开关功率变换电路向NMOS管Q3’的漏极D3’接入第二目标电压；

本实施例中，在第二目标电压的同一个电压信号周期的第二预设T2内，NMOS管Q3’和Q2’导通，NMOS管Q1’断开，NMOS管Q3’和Q2’根据第二目标电压产生反接电流，反接电流由上至下流经变压器的第二主线圈L’，即，反接电流从变压器的第一主线圈L和第二主线圈L’的第一连接点C流经第二主线圈L’和NMOS管Q2’。

1206、在第二预设时长T1内，第二主线圈L’在第二同名端T1将反接电流耦合到副线圈L1的第一同名端T2；

本实施例中，在第二预设时长T1内，第二主线圈L’在第二同名端T1的电压为低电压，也就是说，此时，第二主线圈L’的第二同名端T1的电压为低电压，因此，耦合到副线圈L1的第二同名端T2的电压也为低电压。

本申请实施例中，由于供电电路能够在第二目标电压的同一个电压信号周期的第一预设时长内，通过NMOS管Q3’和Q1’的导通产生正接电流，并通过变压器将该正接电流由上至下耦合至雾化器的加热电阻，并在第二目标电压的同一个电压信号周期的第二预设时长内，通过NMOS管Q3’和Q2’的导通产生反接电流，并通过变压器将将反接电流由下至上耦合至雾化器的加热电阻，从而实现对雾化器的加热电阻交替加热，使雾化器能够均匀受热，提升了雾化器的使用性能，并能延长设置有加热电阻的雾化器的使用寿命。

1207、在第二预设时长T2内，反接电流从副线圈L1的第二同名端T2从下至上流向雾化器的加热电阻RL和电容C1。

本申请实施例中，由于供电电路能够通过变压器的副线圈L的第一同名端T2在第一预设时长将正接电流从上至下耦合到雾化器的加热电阻，并在第二预设时长将反接电流从下至上耦合到雾化器的加热电阻，从而实现对雾化器的加热电阻交替加热，使加热电阻和雾化器能够均匀受热，提升了雾化器的使用性能，并能延长设置有加热电阻的雾化器的使用寿命。

本申请实施例还提供了一种电子烟。该电子烟包括至少一个供电电路，该供电电路包括：

提供供电电路，供电电路包括微处理器、电压控制模块、正反接电流生成模块和加热模块；

微处理器用于控制电压控制模块和正反接电流生成模块；

电压控制模块用于将电源电压调节至第一目标电压和第二目标电压；

正反接电流生成模块用于根据第二目标电压生成正接电流和反接电流；

加热模块用于产生工作电流并据此进行加热，工作电流包括正接电流和反接电流；

其中，驱动方法包括：

所述电压控制模块将第二目标电压耦合至正反接电流生成模块；

正反接电流生成模块将正接电流和反接电流在第二目标电压的同一个电压信号周期内的不同预设时长耦合到雾化器的加热电阻。

本申请实施例中，由于供电电路能够通过正反接电流生成模块生成正接电流和反接电流，从而实现对的加热模块交替加热，使加热模块能够均匀受热，提升了加热模块的使用性能，相应地提升雾化器的使用性能，改善电子烟的口感，并能延长设置有加热电阻的雾化器的使用寿命。

尽管已经相对于一个或多个实现方式示出并描述了本申请，但是本领域技术人员基于对本说明书和附图的阅读和理解将会想到等价变型和修改。本申请包括所有这样的修改和变型，并且仅由所附权利要求的范围限制。特别地关于由上述组件执行的各种功能，用于描述这样的组件的术语旨在对应于执行所述组件的指定功能(例如其在功能上是等价的)的任意组件(除非另外指示)，即使在结构上与执行本文所示的本说明书的示范性实现方式中的功能的公开结构不等同。

即，以上所述仅为本申请的实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，例如各实施例之间技术特征的相互结合，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

在以上描述中，为了解释的目的而列出了各个细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本申请。在其它实施例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本申请的描述变得晦涩。因此，本申请并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本申请所公开的原理和特征的最广范围相一致。