高产率CuInP2S6量子点的制备

技术领域

本发明属于纳米材料制备技术领域，具体涉及高产率CuInP

背景技术

CuInP

目前，关于铁电CuInP

发明内容

为了克服上述现有技术的不足，本发明提出了一种高产率CuInP

为了实现上述目的，本发明所采用的技术方案是：

一种高产率CuInP

S1、将经研磨后的CuInP

S2、将步骤S1的产物经清洗后与水混匀，然后进行超声分散处理；

S3、对步骤S2的产物进行离心收集上清，上清兑入无水乙醇后离心收集沉淀，沉淀经清洗后再次兑入无水乙醇离心收集沉淀，最后将沉淀进行干燥得到CuInP

基于CuInP

优选地，步骤S1所述的CuInP

优选地，步骤S2所述清洗后的产物与水的质量比为1：(80-120)。进一步的，清洗后的产物与水的质量比为1：100。

优选地，步骤S3所述的上清液兑入同等体积的无水乙醇。

优选地，步骤S3所述清洗后的沉淀兑入的无水乙醇量与上清液兑入的无水乙醇量相同。

优选地，步骤S1所述研磨所采用的介质为玛瑙研钵，研磨的时间为10-60min。对CuInP

优选地，步骤S1所述锂的烷基衍生物包括但不限于正丁基锂的正己烷溶液。进一步的，所述正丁基锂在正己烷中的摩尔浓度为1mol/L。将研磨后的CuInP

优选地，步骤S1所述静置的温度为40℃-150℃，时间为1-24h。

优选地，步骤S2所述超声分散的时间为15-20min。将步骤S1经清洗后的产物和水混合，然后进行超声分散处理，可以利用锂和水的反应产生氢氧化锂和氢气，从而使材料破碎，便于后续的分离。

优选地，步骤S2所述清洗为采用正己烷进行清洗，所述清洗为不少于三次。步骤S1的产物用正己烷清洗，可以利用正己烷的溶解性和挥发性，不仅能去除剩余的正丁基锂，而且正己烷能挥发离开样品。

优选地，步骤S3所述再次兑入无水乙醇离心收集沉淀的过程重复不少于三次。

优选地，步骤S3所述干燥为真空冷冻干燥。

优选地，步骤S2所述水为去离子水。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

本发明提供一种高产率CuInP

附图说明

图1为CuInP

图2为CuInP

图3为CuInP

图4为CuInP

图5为CuInP

图6为CuInP

图7为CuInP

具体实施方式

下面对本发明的具体实施方式作进一步说明。在此需要说明的是，对于这些实施方式的说明用于帮助理解本发明，但并不构成对本发明的限定。此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。

下述实施例中的实验方法，如无特殊说明，均为常规方法，下述实施例中所用的试验材料，如无特殊说明，均为可通过常规的商业途径购买得到的。

实施例1高产率CuInP

根据图1的流程图，该制备方法包括以下步骤：

(1)将CuInP

(2)将步骤(1)的产物与正丁基锂的正己烷溶液(1mol/L)按1：2的质量比混合均匀，然后静置，温度为120℃，时间为2h；

(3)将步骤(2)中的产物用正己烷清洗三次，然后等待正己烷自然挥发；

(4)将步骤(3)中的产物和去离子水按1：100的质量比混合均匀，然后超声分散20min；

(5)将步骤(4)中的产物进行分离：首先，将产物进行离心分离，转速为1000rmp，离心时间为20min；完成后将上清液取出，兑入等体积的无水乙醇，然后进行离心分离，转速为15000rmp，离心时间为20min；完成后，收集沉淀物，并用去离子水洗涤，洗涤后再次兑入无水乙醇(无水乙醇的兑入量与上述的无水乙醇兑入量相同)进行离心分离；重复三次后，将沉淀物进行真空冷冻干燥；干燥完成后，即可得到CuInP

将上述所得的CuInP

将制备得到的CuInP

同时，将分散液滴到氧化硅衬底表面，在室温下进行干燥制备出用于原子力显微镜表征的样品，然后进行原子力显微镜表征。从图5-7的原子力显微镜可以看出，CuInP

实施例2高产率CuInP

根据图1的流程图，该制备方法包括以下步骤：

(1)将CuInP

(2)将步骤(1)的产物与正丁基锂的正己烷溶液(1mol/L)按1：1的质量比混合均匀，然后静置，温度为40℃，时间为1h；

(3)将步骤(2)中的产物用正己烷清洗三次，然后等待正己烷自然挥发；

(4)将步骤(3)中的产物和去离子水按1：80的质量比混合均匀，然后超声分散15min；

(5)将步骤(4)中的产物进行分离：首先，将产物进行离心分离，转速为800rmp，离心时间为10min；完成后将上清液取出，兑入等体积的无水乙醇，然后进行离心分离，转速为15000rmp，离心时间为10min；完成后，收集沉淀物，并用去离子水洗涤，洗涤后再次兑入无水乙醇(无水乙醇的兑入量与上述的无水乙醇兑入量相同)进行离心分离；重复三次后，将沉淀物进行真空冷冻干燥；干燥完成后，即可得到CuInP

将上述所得的CuInP

本实施例制备得到的CuInP

实施例3高产率CuInP

根据图1的流程图，该制备方法包括以下步骤：

(1)将CuInP

(2)将步骤(1)的产物与正丁基锂的正己烷溶液(1mol/L)按1：3的质量比混合均匀，然后静置，温度为150℃，时间为24h；

(3)将步骤(2)中的产物用正己烷清洗三次，然后等待正己烷自然挥发；

(4)将步骤(3)中的产物和去离子水按1：120的质量比混合均匀，然后超声分散17min；

(5)将步骤(4)中的产物进行分离：首先，将产物进行离心分离，转速为900rmp，离心时间为30min；完成后将上清液取出，兑入等体积的无水乙醇，然后进行离心分离，转速为16000rmp，离心时间为30min；完成后，收集沉淀物，并用去离子水洗涤，洗涤后再次兑入无水乙醇(无水乙醇的兑入量与上述的无水乙醇兑入量相同)进行离心分离；重复三次后，将沉淀物进行真空冷冻干燥；干燥完成后，即可得到CuInP

将上述所得的CuInP

本实施例制备得到的CuInP

采用本发明方法制备得到的CuInP

以上对本发明的实施方式作了详细说明，但本发明不限于所描述的实施方式。对于本领域的技术人员而言，在不脱离本发明原理和精神的情况下，对这些实施方式进行多种变化、修改、替换和变型，仍落入本发明的保护范围内。