一种掩膜版及光学临近修正的方法

技术领域

本发明涉及光刻技术领域，尤其涉及一种掩膜版及光学临近修正的方法。

背景技术

随着对高分辨率显示的需求越来越高，集成电路的设计尺寸越来越小。由于光波通过掩膜版时会发生衍射和干涉，即光学临近效应(Optical Proximity Effect，OPE)，使实际投射到基板的光强分布为衍射光波和干涉光波的叠加，导致图形失真，这种失真会对影响产品尺寸和性能。

现有技术通过反复调整掩膜版的图案，来进行光学临近修正(Optical ProximityCorrection，OPC)，减小曝光失真，效率较低，成本较高。

发明内容

本发明实施例提供一种掩膜版及光学临近修正的方法，可以高效快速实现补偿失真的曝光图形，且成本低。

第一方面，本发明实施例提供了一种掩膜版，包括：至少一个图形对应区，

其中，任一图形对应区包括主区和位于主区周围的至少一个光学临近失真补偿区，主区的透光率、与图形对应区邻接的外围区域的透光率和光学临近失真补偿区的透光率不相等，且主区的透光率大于与图形对应区邻接的外围区域的透光率和光学临近失真补偿区的透光率中的较小值，主区的透光率小于与图形对应区邻接的外围区域的透光率和光学临近失真补偿区的透光率中的较大值。通过将掩膜版上的图形对应区中的主区和光学临近失真补偿区的透光率设置为不同的透光率，以使透过主区和光学临近失真补偿区照射至基板的光的能量不同，以抵消光学临近效应的影响，减小曝光失真，并可通过调整光源的光强，来降低曝光失真，相比于现有技术中通过反复调整掩膜版上的图形来减小失真的方式，可以提高光学临近修正的效率，降低成本。

进一步地，图形对应区为线条对应区或孔对应区。

进一步地，掩膜版用于对正性光刻胶进行光掩膜工艺，

与线条对应区邻接的外围区域的透光率大于线条对应区中的光学临近失真补偿区的透光率；

与孔对应区邻接的外围区域的透光率小于孔对应区中的光学临近失真补偿区的透光率。

正性光刻型掩膜版中的线条对应区中的光学临近失真补偿区的透光率小于线条对应区中的主区的透光率，相比于未采用光学临近修正的正性光刻型掩膜版，线条对应区中的光学临近失真补偿区透过的光能小于线条对应区中的主区透过的光能，可以使光刻完成后的基板上的线条的拐角处的膜层厚度相比于中间区域的膜层厚度增加，以使得光刻完成后的基板上的线条的拐角处的膜层厚度与中间区域的膜层厚度一致，从而减小图形失真，解决了现有技术中未采用光学临近修正的正性光刻型掩膜版时，由于光学临近效应，光刻完成后的基板上的线条的拐角处的膜层厚度远小于中间区域的膜层厚度，导致图形失真的问题。

正性光刻型掩膜版中的孔对应区中的光学临近失真补偿区的透光率大于孔对应区中的主区的透光率，相比于未采用光学临近修正的正性光刻型掩膜版，孔对应区中的光学临近失真补偿区透过的光能大于孔对应区中的主区透过的光能，可以使光刻完成后的基板的孔的外缘的厚度降低，以使得光刻完成后的基板上的孔的直径增大，从而减小图形失真，解决了现有技术中未采用光学临近修正的正性光刻型掩膜版时，由于光学临近效应，光刻完成后的基板上的孔直径小于预期直径，导致图形失真的问题。

进一步地，掩膜版用于对负性光刻胶进行光掩膜工艺，

与线条对应区邻接的外围区域的透光率小于线条对应区中的光学临近失真补偿区的透光率；

与孔对应区邻接的外围区域的透光率大于孔对应区中的光学临近失真补偿区的透光率。

负性光刻型掩膜版中的线条对应区中的光学临近失真补偿区的透光率大于线条对应区中的主区的透光率，相比于未采用光学临近修正的负性光刻型掩膜版，线条对应区中的光学临近失真补偿区透过的光能大于线条对应区中的主区透过的光能，可以使光刻完成后的基板上的线条的拐角处的膜层厚度相比于中间区域的膜层厚度增加，以使得光刻完成后的基板上的线条的拐角处的膜层厚度与中间区域的膜层厚度一致，从而减小图形失真，解决了现有技术中未采用光学临近修正的负性光刻型掩膜版时，由于光学临近效应，光刻完成后的基板上的线条的拐角处的膜层厚度远小于中间区域的膜层厚度，导致图形失真的问题。

负性光刻型掩膜版中的孔对应区中的光学临近失真补偿区的透光率小于孔对应区中的主区的透光率，相比于未采用光学临近修正的负性光刻型掩膜版，孔对应区中的光学临近失真补偿区透过的光能大于孔对应区中的主区透过的光能，可以使光刻完成后的基板的孔的外缘的厚度降低，以使得光刻完成后的基板上的孔的直径增大，从而减小图形失真，解决了现有技术中未采用光学临近修正的负性光刻型掩膜版时，由于光学临近效应，光刻完成后的基板上的孔直径小于预期直径，导致图形失真的问题。

进一步地，图形对应区为多个，多个图形对应区包括至少一个线条对应区和至少一个孔对应区；

线条对应区中的光学临近失真补偿区位于线条对应区的拐角处；

孔对应区为圆孔对应区或矩形孔对应区，圆孔对应区中的光学临近失真补偿区围绕圆孔对应区中的主区的外缘连续设置一圈；矩形孔对应区中的光学临近失真补偿区位于矩形孔对应区的拐角处。

进一步地，主区为半透光区，与图形对应区邻接的外围区域和光学临近失真补偿区中透光率较大的为全透光区；与图形对应区邻接的外围区域和光学临近失真补偿区中透光率较小的为遮光区。

进一步地，掩膜版包括透光基底、以及位于透光基底同一侧的半透光膜层和遮光膜层，半透光膜层覆盖半透光区，遮光膜层覆盖遮光区。

进一步地，掩膜版还包括保护层，保护层位于半透光膜层和遮光膜层远离透光基底的一侧。

进一步地，透光基底包括石英玻璃基底；半透光膜层包括下述至少一种：氧化钼硅化物膜层和氧化氮钼硅化物膜层；遮光膜层包括铬膜层。

第二方面，本发明实施例还提供了一种基于本发明任意实施例提供的掩膜版的光学临近修正的方法，包括：

光源发出的光经掩膜版照射至基板上；

比较经曝光、显影后的基板上的结果图形与预期图形；

若结果图形与预期图形的失真率高于预设阈值，则调整光源的光强，并更换基板，之后返回执行操作：光源发出的光经掩膜版照射至基板上；

若结果图形与预期图形的失真率低于预设阈值，则将光源的当前光强作为目标光强。

本发明实施例的技术方案中，掩膜版包括至少一个图形对应区，其中，任一图形对应区包括主区和位于主区周围的至少一个光学临近失真补偿区，主区的透光率、与图形对应区邻接的外围区域的透光率和光学临近失真补偿区的透光率不相等，且主区的透光率大于与图形对应区邻接的外围区域的透光率和光学临近失真补偿区的透光率中的较小值，主区的透光率小于与图形对应区邻接的外围区域的透光率和光学临近失真补偿区的透光率之间中的较大值。通过将掩膜版上的图形对应区中的主区和光学临近失真补偿区的透光率设置为不同的透光率，以使透过主区和光学临近失真补偿区的光的能量不同，以抵消光学临近效应的影响，使得最终照射至基板的图形设置区的光刻胶的光的能量近似相等，从而减小曝光失真，并可通过调整光源的光强，来降低曝光失真，相比于现有技术中通过反复调整掩膜版上的图形来减小失真的方式，可以提高光学临近修正的效率，降低成本。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种掩膜版的俯视结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种在基板上制作线条过程的剖面结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种基板在光刻完成后的俯视结构示意图；

图4为本发明实施例提供的又一种掩膜版的俯视结构示意图；

图5为本发明实施例提供的一种在基板上制作孔过程的剖面结构示意图；

图6为本发明实施例提供的又一种基板在光刻完成后的俯视结构示意图

图7为本发明实施例提供的又一种掩膜版的俯视结构示意图；

图8为本发明实施例提供的又一种基板在光刻完成后的俯视结构示意图；

图9为本发明实施例提供的又一种掩膜版的俯视结构示意图；

图10为本发明实施例提供的又一种掩膜版的俯视结构示意图；

图11为本发明实施例提供的又一种在基板上制作线条过程的剖面结构示意图；

图12为本发明实施例提供的又一种掩膜版的俯视结构示意图；

图13为本发明实施例提供的又一种在基板上制作孔过程的剖面结构示意图；

图14为本发明实施例提供的一种掩膜版的剖面结构示意图；

图15为本发明实施例提供的一种光学临近修正的方法的流程图；

图16为现有技术中的未采用光学临近修正时所用的掩膜版的俯视结构示意图；

图17为现有技术中的基板在光刻完成后的俯视结构示意图；

图18为现有技术中通过调整掩膜版上的图形来实现光学临近修正时所用的掩膜版的俯视结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

本发明实施例提供一种掩膜版。图1为本发明实施例提供的一种掩膜版的俯视结构示意图。该掩膜版可用于光刻工艺中。该掩膜版1包括：至少一个图形对应区10。

其中，任一图形对应区10包括主区11和位于主区11周围的至少一个光学临近失真补偿区12，主区11的透光率、与图形对应区10邻接的外围区域13的透光率和光学临近失真补偿区12的透光率不相等，主区11的透光率大于与图形对应区10邻接的外围区域13的透光率和光学临近失真补偿区12的透光率中的较小值，且主区11的透光率小于与图形对应区10邻接的外围区域13的透光率和光学临近失真补偿区12的透光率之间中的较大值。

其中，图形对应区10可用于通过光刻工艺在基板上要制作与图形对应区10对应的线条、孔等元素。光源经图形对应区10照射至涂布有光刻胶的基板上，以改变曝光与未曝光的光刻胶在显影液中的溶解度，进而经显影、刻蚀后，可以在基板上形成对应的图形。需要说明的是，本发明实施例中，若掩膜版用于对正性光刻胶进行光掩膜工艺，则将其简称为正性光刻型掩膜版；若掩膜版用于对负性光刻胶进行光掩膜工艺，则将其简称为负性光刻型掩膜版。可选的，图形对应区10为线条对应区或孔对应区。光源经线条对应区照射至涂布有光刻胶的基板上，经显影、刻蚀后，可以在基板上形成线条，该线条可以包括导线等。光源经孔对应区照射至涂布有光刻胶的基板上，经显影后，可以在基板上形成孔。可根据需要设置主区11、光学临近失真补偿区12和与图形对应区10邻接的外围区域13的透光率的大小，本发明实施例对此不作限定。光学临近失真补偿区12对应光刻完成后的基板上的图形的因光学临近效应容易发生失真的区域。

图1示例性的画出掩膜版1为正性光刻型掩膜版，掩膜版1包括一个图形对应区10，图形对应区10为线条对应区的情况。图2为本发明实施例提供的一种在基板上制作线条过程的剖面结构示意图。图2示例性的画出掩膜版1为正性光刻型掩膜版，两个图形对应区10为线条对应区的情况。待光刻的基板20可包括基底23、待刻蚀层22和光刻胶层21，其中，待刻蚀层22位于基底23和光刻胶层21之间。采用正性光刻型掩膜版时，光刻胶层21为正性光刻胶层，其照到光的部分会溶于显影液，而没有照到光的部分不会溶于显影液。正性光刻胶层越薄，透过掩膜版照射至正性光刻胶层的光强越强，经曝光、显影后，正性光刻胶层将不会残留。正性光刻胶层越厚，透过掩膜版照射至正性光刻胶层的光强越弱，经曝光、显影后，正性光刻胶层残留的厚度越厚。可根据需要设置正性光刻胶层的厚度，本发明实施例对此不作限定。如图2所示，经过曝光、显影之后，与线条对应区相对的那部分光刻胶层21保留，与外围区域13相对的那部分光刻胶层21被去除；经过刻蚀、去胶之后，形成线条201。待光刻的基板20可以包括半导体基板、显示面板中的阵列基板等。图3为本发明实施例提供的一种基板在光刻完成后的俯视结构示意图。图1中的掩膜版1通过将主区11和光学临近失真补偿区12的透光率设置为不同的透光率，以使透过主区11和光学临近失真补偿区12的光的能量不同，以抵消光学临近效应的影响，使得最终照射至基板20的图形设置区的光刻胶的光的能量近似相等，从而减小曝光失真。若光刻完成后的基板上的实际图形与预期图形不一致，可通过调整光源的光强，以调整透过主区11和光学临近失真补偿区12的光的能量差，以实现降低光学临近效应的影响，使光刻完成后的基板上的线条的拐角处的膜层厚度与中间区域的膜层厚度一致或接近一致，基板上的孔的直径满足要求，从而减小曝光失真。通过调整光源的光强，来降低曝光失真，相比于现有技术中通过反复调整掩膜版上的图形来减小失真，需要反复制作新的掩膜版的方式，本实施例可以无需反复制作新的掩膜版，可以提高光学临近修正的效率，降低成本。

本实施例的技术方案中，掩膜版包括至少一个图形对应区，其中，任一图形对应区包括主区和位于主区周围的至少一个光学临近失真补偿区，主区的透光率、与图形对应区邻接的外围区域的透光率和光学临近失真补偿区的透光率不相等，且主区的透光率大于与图形对应区邻接的外围区域的透光率和光学临近失真补偿区的透光率中的较小值，主区的透光率小于与图形对应区邻接的外围区域的透光率和光学临近失真补偿区的透光率中的较大值。通过将掩膜版上的图形对应区中的主区和光学临近失真补偿区的透光率设置为不同的透光率，以使透过主区和光学临近失真补偿区的光的能量不同，以抵消光学临近效应的影响，使得最终照射至基板的图形设置区的光刻胶的光的能量近似相等，从而减小曝光失真，并可通过调整光源的光强，来降低曝光失真，相比于现有技术中通过反复调整掩膜版上的图形来减小失真的方式，可以提高光学临近修正的效率，降低成本。

可选的，在上述实施例的基础上，继续参见图1和图2，掩膜版1为正性光刻型掩膜版，与线条对应区邻接的外围区域13的透光率大于线条对应区中的光学临近失真补偿区12的透光率。可选的，线条对应区中的光学临近失真补偿区12位于线条对应区的拐角处。线条对应区中的光学临近失真补偿区12可为矩形等。所有图形对应区10可均为线条对应区。正性光刻型掩膜版中的线条对应区中的光学临近失真补偿区12的透光率小于线条对应区中的主区11的透光率，相比于未采用光学临近修正的正性光刻型掩膜版，本实施例中的线条对应区中的光学临近失真补偿区12透过的光能小于线条对应区中的主区11透过的光能，可以弥补光学临近失真补偿区12所对应光刻胶的失真，使得该部分光刻胶厚度与线条对应区中主区11所对应的光学胶厚度一致或接近一致，此时通过光刻胶对待刻蚀层22进行刻蚀，不会因光刻胶拐角失真而造成刻蚀后形成的线条拐角处膜层缺失，从而减小图形失真，解决了现有技术中未采用光学临近修正的正性光刻型掩膜版时，由于光学临近效应，光刻完成后的基板上的线条的拐角处的膜层厚度远小于中间区域的膜层厚度，导致图形失真的问题。

需要说明的是，若曝光比例是1：1，则掩膜版1上的线条对应区中的主区在基板上的投影与基板上的线条设置区的重叠部分的尺寸和形状，和掩膜版1上的线条对应区中的主区的尺寸和形状相同。如图1和图3所示，若曝光比例是1：1，则掩膜版1上的线条对应区中的主区11的宽度等于基板上线条201的宽度，均为D1。

可选的，在上述实施例的基础上，图4为本发明实施例提供的又一种掩膜版的俯视结构示意图，图5为本发明实施例提供的一种在基板上制作孔过程的剖面结构示意图，图6为本发明实施例提供的又一种基板在光刻完成后的俯视结构示意图，掩膜版1用于对正性光刻胶进行光掩膜工艺，与孔对应区邻接的外围区域13的透光率小于孔对应区中的光学临近失真补偿区12的透光率。所有图形对应区10可均为孔对应区。正性光刻型掩膜版中的孔对应区中的光学临近失真补偿区12的透光率大于孔对应区中的主区11的透光率，相比于未采用光学临近修正的正性光刻型掩膜版，本实施例中的孔对应区中的光学临近失真补偿区12透过的光能大于孔对应区中的主区11透过的光能，可以弥补光学临近失真补偿区12所对应光刻胶的失真，使得该部分光刻胶厚度降低，此时通过光刻胶对待刻蚀层22进行刻蚀，可以使光刻完成后的基板的孔202的外缘的厚度降低，以使得光刻完成后的基板上的孔202的直径增大，从而减小图形失真，解决了现有技术中未采用光学临近修正的正性光刻型掩膜版时，由于光学临近效应，光刻完成后的基板上的孔直径小于预期直径，导致图形失真的问题。如图5所示，经过曝光、显影之后，与孔对应区相对的那部分光刻胶层21被去除，与外围区域13相对的那部分光刻胶层21保留；经过刻蚀、去胶之后，形成孔202。

可选的，在上述实施例的基础上，继续参见图4，孔对应区为圆孔对应区。可选的，圆孔对应区中的光学临近失真补偿区12围绕圆孔对应区中的主区11的外缘连续设置一圈。圆孔对应区中的主区11可为圆形。圆孔对应区中的光学临近失真补偿区12的外缘轮廓可为矩形，例如可以是正方形。

需要说明的是，如图4和图6所示，若曝光比例是1：1，则掩膜版1上的圆孔对应区中的光学临近失真补偿区12的正方形外缘轮廓的边长等于基板上圆孔202的直径，均为D2。

可选的，在上述实施例的基础上，图7为本发明实施例提供的又一种掩膜版的俯视结构示意图，图8为本发明实施例提供的又一种基板在光刻完成后的俯视结构示意图，孔对应区为矩形孔对应区。可选的，矩形孔对应区中的光学临近失真补偿区12位于矩形孔对应区的拐角处。矩形孔对应区中的光学临近失真补偿区12可为矩形等。

需要说明的是，若曝光比例是1：1，则掩膜版1上的矩形孔对应区中的主区在基板上的投影与基板上的矩形孔设置区的重叠部分的尺寸和形状，和掩膜版1上的矩形孔对应区中的主区的尺寸和形状相同。如图7和图8所示，若曝光比例是1：1，则掩膜版1上的矩形孔对应区中的主区11的宽度等于基板上矩形孔202的宽度，均为D3；掩膜版1上的矩形孔对应区中的主区11的长度等于基板上矩形孔202的长度，均为D4。

可选的，在上述实施例的基础上，图9为本发明实施例提供的又一种掩膜版的俯视结构示意图，图形对应区10为多个，多个图形对应区10包括至少一个线条对应区和至少一个孔对应区。图9示例性的画出掩膜版1为正性光刻型掩膜版，多个图形对应区包括线条对应区10-3、圆孔对应区10-1和矩形孔对应区10-2的情况。与线条对应区10-3邻接的外围区域13-1的透光率可等于孔对应区中的光学临近失真补偿区12。与孔对应区邻接的外围区域13-2的透光率可等于线条对应区10-3中的光学临近失真补偿区12。

可选的，在上述实施例的基础上，图10为本发明实施例提供的又一种掩膜版的俯视结构示意图，图11为本发明实施例提供的又一种在基板上制作线条过程的剖面结构示意图，掩膜版1用于对负性光刻胶进行光掩膜工艺，与线条对应区邻接的外围区域13的透光率小于线条对应区中的光学临近失真补偿区12的透光率。采用负性光刻型掩膜版时，光刻胶层21为负性光刻胶层，其照到光的部分不会溶于显影液，而没有照到光的部分会溶于显影液。透过掩膜版照射至负性光刻胶层的光强越强，经曝光、显影后，负性光刻胶层残留的厚度越厚。负性光刻胶层越薄，透过掩膜版照射至负性光刻胶层的光强越弱，经曝光、显影后，负性光刻胶层将不会残留。可根据需要设置负性光刻胶层的厚度，本发明实施例对此不作限定。结合图10和图11所示，经过曝光、显影之后，与线条对应区相对的那部分光刻胶层21保留，与外围区域13相对的那部分光刻胶层21被去除；经过刻蚀、去胶之后，形成线条201。负性光刻型掩膜版中的线条对应区中的光学临近失真补偿区12的透光率大于线条对应区中的主区11的透光率，相比于未采用光学临近修正的负性光刻型掩膜版，本实施例中的线条对应区中的光学临近失真补偿区12透过的光能大于线条对应区中的主区11透过的光能，可以弥补光学临近失真补偿区12所对应光刻胶的失真，使得该部分光刻胶厚度与线条对应区中主区11所对应的光学胶厚度一致或接近一致，此时通过光刻胶对待刻蚀层22进行刻蚀，不会因光刻胶拐角失真而造成刻蚀后形成的线条拐角处膜层缺失，可以使光刻完成后的基板上的线条的拐角处的膜层厚度增加，以使得光刻完成后的基板上的线条的拐角处的膜层厚度与中间区域的膜层厚度一致，从而减小图形失真，解决了现有技术中未采用光学临近修正的负性光刻型掩膜版时，由于光学临近效应，光刻完成后的基板上的线条的拐角处的膜层厚度远小于中间区域的膜层厚度，导致图形失真的问题。

可选的，在上述实施例的基础上，图12为本发明实施例提供的又一种掩膜版的俯视结构示意图，图13为本发明实施例提供的又一种在基板上制作孔过程的剖面结构示意图，掩膜版1为负性光刻型掩膜版，与孔对应区邻接的外围区域13的透光率大于孔对应区中的光学临近失真补偿区12的透光率。负性光刻型掩膜版中的孔对应区中的光学临近失真补偿区12的透光率小于孔对应区中的主区11的透光率，相比于未采用光学临近修正的负性光刻型掩膜版，本实施例中的孔对应区中的光学临近失真补偿区12透过的光能小于孔对应区中的主区11透过的光能，可以弥补光学临近失真补偿区12所对应光刻胶的失真，使得该部分光刻胶厚度降低，此时通过光刻胶对待刻蚀层22进行刻蚀，可以使光刻完成后的基板的孔202的外缘的厚度降低，以使得光刻完成后的基板上的孔202的直径增大，从而减小图形失真，解决了现有技术中未采用光学临近修正的负性光刻型掩膜版时，由于光学临近效应，光刻完成后的基板上的孔直径小于预期直径，导致图形失真的问题。

可选的，在上述实施例的基础上，掩膜版1为负性光刻型掩膜版，图形对应区10为多个，多个图形对应区10包括至少一个线条对应区和至少一个孔对应区。与线条对应区邻接的外围区域13的透光率可等于孔对应区中的光学临近失真补偿区12。与孔对应区邻接的外围区域13的透光率可等于线条对应区中的光学临近失真补偿区12。

可选的，主区11为半透光区。可选的，与图形对应区邻接的外围区域13和光学临近失真补偿区12中透光率较大的一者为全透光区。可选的，与图形对应区邻接的外围区域13和光学临近失真补偿区12中透光率较小的一者为遮光区。

其中，遮光区的透光率可接近于或等于0。全透光区的透光率可接近或等于100％。示例性的，如图1和图2所示，正性光刻型掩膜版的线条对应区中的光学临近失真补偿区12为遮光区，与线条对应区邻接的外围区域13为全透光区。如图4、图5和图7所示，正性光刻型掩膜版的孔对应区中的光学临近失真补偿区12为全透光区，与孔对应区邻接的外围区域13为遮光区。如图10和图11所示，负性光刻型掩膜版的线条对应区中的光学临近失真补偿区12为全透光区，与线条对应区邻接的外围区域13为遮光区。如图12和图13所示，负性光刻型掩膜版的孔对应区中的光学临近失真补偿区12为遮光区，与孔对应区邻接的外围区域13为全透光区。

可选的，在上述实施例的基础上，继续参见图2、图5、图11和图13，掩膜版包括透光基底101、以及位于透光基底101同一侧的半透光膜层102和遮光膜层103，半透光膜层102覆盖半透光区，遮光膜层103覆盖遮光区。

可选的，透光基底101包括石英玻璃基底。石英玻璃基底具有较高的透光率。可选的，半透光膜层102包括下述至少一种：氧化钼硅化物膜层和氧化氮钼硅化物膜层。可选的，遮光膜层103包括铬膜层。铬膜层的遮光效果较好。

可选的，在上述实施例的基础上，图14为本发明实施例提供的一种掩膜版的剖面结构示意图，掩膜版还包括保护层104，保护层104位于半透光膜层102和遮光膜层103远离透光基底101的一侧。其中，保护层可以包括有机聚合物薄膜等。保护层104可保护半透光膜层102和遮光膜层103不易损伤。

本发明实施例提供一种光学临近修正的方法。图15为本发明实施例提供的一种光学临近修正的方法的流程图。该光学临近修正的方法基于本发明任意实施例提供的掩膜版实现。在上述实施例的基础上，该光学临近修正的方法包括：

步骤110、光源发出的光经掩膜版照射至基板上。

其中，光源可以是面光源。光源向掩膜版1的各位置发出的光的光强可相等。基板20可以是半导体基板、显示面板、阵列基板等。基板20的表面上设置有光刻胶层21。继续参见图2、图5、图11和图13，掩膜版的透光基底101远离半透膜层102和遮光膜层103的一侧靠近光源，即使掩膜版1靠近光源的一侧沾有灰尘颗粒等小杂质时，由于透光基底101具有一定厚度，光到达基板时基本不会被灰尘颗粒遮住，不影响曝光。

步骤120、比较经曝光、显影后的基板上的结果图形与预期图形。

其中，结果图形可包括线条或孔。示例性的，如图3、图6和图8等，比较基板上形成的线条201与其预期图形是否相同，比较基板上形成的孔202与其预期图形是否相同。

步骤130、若结果图形与预期图形的失真率高于预设阈值，则调整光源的光强，并更换基板。

其中，失真率可根据结果图形与预期图形的尺寸和形状的相似度等确定。可在当前光强得到的结果图形基础上，依据结果图形的失真区域，以及光刻胶层与光强的关系，去调整光源的光强，使失真区域得以补偿，得到与预期图形相同的结果图形。执行完步骤130之后，可返回执行步骤110。

步骤140、若结果图形与预期图形的失真率低于预设阈值，则将光源的当前光强作为目标光强。

其中，可采用目标强度制作产品，以提高产品的合格率。

本发明实施例提供的光学临近修正的方法基于本发明任意实施例提供的掩膜版实现，因此本发明实施例提供的光学临近修正的方法也具备上述实施例中所描述的有益效果，此处不再赘述。

图16为现有技术中的未采用光学临近修正时所用的掩膜版的俯视结构示意图，图17为现有技术中的基板在光刻完成后的俯视结构示意图，图16中的掩膜版为正性光刻型掩膜版，应用于在基板上制作线条过程中，图16中的掩膜版的图形对应区30为遮光区，图16中的掩膜版的图形对应区30的外围区域33为全透光区，由于光学临近效应，导致图17中的基板40上形成的线条401的拐角4011处厚度较小，小于线条401的中间区域的厚度，导致曝光失真。图18为现有技术中通过调整掩膜版上的图形来实现光学临近修正时所用的掩膜版的俯视结构示意图。图18中的掩膜版为正性光刻型掩膜版，应用于在基板上制作线条过程中，图18中的掩膜版的图形对应区50为遮光区，图18中的掩膜版的图形对应区50的外围区域53为全透光区，图18中的掩膜版中的图形对应区50设置有辅助图形区501，图18中的掩膜版中的图形对应区50包括透光率相同的主区(可与基板上要制作的线条等元素的期望图形相同)和位于主区周围的多个辅助图形区501，若基板上形成的图形的实际尺寸与预期尺寸不同，可通过增加辅助图形区501的个数，以及调整辅助图形区501的尺寸和位置，直至得到与图3所示的相同或类似的形状的线条，故需要反复制作新的掩膜版，以减小失真，效率较低，成本高。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。