光学邻近修正方法、掩膜板及显示面板

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种光学邻近修正方法、掩膜板及显示面板。

背景技术

随着新型显示技术的快速发展，器件的高度集成化成为了未来显示技术的新增长点。现有的液晶显示器、有机发光二极管显示器或微型发光二极管显示器中的驱动电路控制系统或信号传输系统等都是集成在印制电路板或柔性电路板的硅基芯片上，再绑定连接到玻璃基板面板上。若将外挂芯片系统集成在玻璃基板面板上，则可以很大程度上节省材料成本。因此，开发玻璃基板集成电路意义重大。

然而，在玻璃基板上进行集成电路制作时，随着设计尺寸的不断缩小，图案化的线宽达到纳米级别，设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜板上的图案发生严重畸变，最终在玻璃基板上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，故需要对玻璃基板上的高分辨率图案区域进行光学邻近校正。

因此，如何对玻璃基板上的高分辨率图案区域进行光学邻近校正是亟需解决的问题。

发明内容

本申请提供一种光学邻近修正方法、掩膜板及显示面板，能够对玻璃基板上的高分辨率图案区域进行光学邻近校正。

第一方面，本申请实施例提供一种光学邻近修正方法，包括：获取目标刻蚀图形；对所述目标刻蚀图形进行补偿修正，得到补偿图形；获取所述补偿图形对应的初始掩膜板图形，对所述初始掩膜板图形进行光学邻近修正，得到目标掩膜板图形。

可选地，在本申请的一些实施例中，所述对所述目标刻蚀图形进行补偿修正，得到补偿图形的步骤，具体包括：将所述目标刻蚀图形的侧边分割为多个子侧边，所述子侧边包括沿第一方向延伸的第一类子侧边以及沿第二方向延伸的第二类子侧边；根据偏移补偿模型分别对所述第一类子侧边以及所述第二类子侧边进行补偿修正，得到补偿图形。

可选地，在本申请的一些实施例中，所述根据偏移补偿模型分别对所述第一类子侧边以及所述第二类子侧边进行补偿修正的步骤，具体包括：所述偏移补偿模型包括第一补偿模型和第二补偿模型，所述第一补偿模型用于获取所述第一类子侧边沿所述第二方向的第一偏移量，根据所述第一偏移量对所述第一类子侧边进行补偿修正；第二补偿模型用于获取所述第二类子侧边沿所述第一方向的第二偏移量，根据所述第二偏移量对所述第二类子侧边进行补偿修正。

可选地，在本申请的一些实施例中，所述获取所述补偿图形对应的初始掩膜板图形，对所述初始掩膜板图形进行光学邻近修正，得到目标掩膜板图形的步骤，具体包括：根据刻蚀偏移表获取补偿图形对应的初始掩膜板图形，所述初始掩膜板图形包括主图形，所述主图形包括长条形图形、矩形图形或者方形图形中的至少一种；根据光学临近修正模型对所述初始掩膜板图形进行修正，得到中间目标掩膜板图形；获取所述中间目标掩膜板图形和所述初始掩膜板图形之间的边缘放置误差；若所述边缘放置误差大于阈值，则根据光学临近修正模型对所述中间目标掩膜板图形进行修正直至边缘放置误差小于阈值；当所述边缘放置误差小于阈值时，将所述中间目标掩膜板图形作为目标掩膜板图形。

可选地，在本申请的一些实施例中，所述根据刻蚀偏移表获取补偿图形对应的初始掩膜板图形的步骤，具体包括：所述补偿图形包括多个子补偿图形，所述子补偿图形包括多个补偿分割边，获取子补偿图形在补偿分割边位置对应的宽度值、以及子补偿图形与相邻子补偿图形之间的间距值；获取刻蚀偏移表中与所述宽度值以及所述间距值对应的刻蚀偏移量值；沿垂直于所述补偿分割边的方向将所述补偿分割边平移所述刻蚀偏移量值，获得初始掩膜板图形。

可选地，在本申请的一些实施例中，所述根据光学临近修正模型对所述初始掩膜板图形进行修正，得到中间目标掩膜板图形的步骤之前还包括：在所述主图形周围设置辅助图形，对所述初始掩膜板图形进行补偿修正，得到中间目标掩膜板图形，其中，所述辅助图形为不可曝光图形。

可选地，在本申请的一些实施例中，所述在所述主图形周围设置辅助图形的步骤，具体包括：在所述主图形周围设置对应的预设辅助图形，所述预设辅助图形具有预设宽度，所述预设辅助图形与所述主图形之间具有预设距离，所述预设距离和所述预设宽度构成与所述主图形相对应的配置参数；获得每一所述主图形的配置参数，多种所述主图形对应的多个配置参数用于构成配置矢量，所述配置矢量与最佳焦平面偏移量具有对应关系；基于所述配置矢量与所述最佳焦平面偏移量的对应关系，对所述配置矢量进行优化处理，获得与最小的最佳焦平面偏移量对应的优化配置矢量；根据所述优化配置矢量对应的多个配置参数，在所述主图形周围设置辅助图形。

可选地，在本申请的一些实施例中，所述辅助图形包括散射条，所述散射条的尺寸介于100纳米至250纳米之间。

第二方面，本申请还提供一种掩膜板，所述掩膜板上设有如上所述的光学邻近修正方法得到的目标掩膜板图形。

另一方面，本申请还一种显示面板，包括玻璃基板以及集成电路，所述集成电路设于所述玻璃基板上，所述集成电路采用上述掩膜板制作而成。

本申请提供一种光学邻近修正方法、掩膜板及显示面板，所述光学邻近修正方法包括：获取目标刻蚀图形；对所述目标刻蚀图形进行补偿修正，得到补偿图形；获取所述补偿图形对应的初始掩膜板图形，对所述初始掩膜板图形进行光学邻近修正，得到目标掩膜板图形。该光学邻近修正方法能够对玻璃基板上的高分辨率图案区域进行光学邻近校正。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的光学邻近修正方法的流程示意图；

图2是本申请实施例提供的目标刻蚀图形的结构示意图；

图3是图1中步骤S20的子步骤流程示意图；

图4是图1中步骤S30的子步骤流程示意图之一；

图5是图4中步骤S302的子步骤流程示意图；

图6是本申请实施例提供的目标掩膜板图形的结构示意图之一；

图7是图1中步骤S30的子步骤流程示意图之二；

图8是图5中步骤S300的子步骤流程示意图；

图9是本申请实施例提供的目标掩膜板图形的结构示意图之二。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请实施例提供一种光学邻近修正方法、掩膜板及显示面板，该光学邻近修正方法能够对玻璃基板上的高分辨率图案区域进行光学邻近校正。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。术语“第一”、“第二”、“第三”等仅仅作为标示使用，其用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。

请参阅图1，图1是本申请实施例提供的光学邻近修正方法的流程示意图；图2是本申请实施例提供的目标刻蚀图形的结构示意图。如图1所示，本申请实施例提供一种光学邻近修正方法，包括以下步骤：

S10、获取目标刻蚀图形10。

在本申请实施例中，目标刻蚀图形10为待刻蚀材料层设计的刻蚀图形。目标刻蚀图形10可以为长条形图形、矩形图形或者方形图形中的至少一种。如图2中示例性的示出本申请提供的一种目标刻蚀图形10。具体地，本申请提供的光学临近修正方法适用于各类目标刻蚀图形10。

S20、对目标刻蚀图形10进行补偿修正，得到补偿图形。

请参阅图3，图3是图1中步骤S20的子步骤流程示意图。如图3所示，步骤S20具体包括：

S201、将目标刻蚀图形10的侧边分割为多个子侧边，子侧边包括沿第一方向延伸的第一类子侧边以及沿第二方向延伸的第二类子侧边。

S202、根据偏移补偿模型分别对第一类子侧边以及第二类子侧边进行补偿修正，得到补偿图形。

在本申请实施例中，偏移补偿模型包括第一补偿模型和第二补偿模型，第一补偿模型用于获取第一类子侧边沿第二方向的第一偏移量，根据第一偏移量对第一类子侧边进行补偿修正。第二补偿模型用于获取第二类子侧边沿第一方向的第二偏移量，根据第二偏移量对第二类子侧边进行补偿修正。需要说明的是，本实施例使用的偏移补偿模型的步骤与现有技术相同，因此不再赘述。

具体的，提供测试玻璃基板和测试掩膜板，测试玻璃基板表面具有若干第一标记，在测试玻璃基板表面形成测试初始材料膜，在测试初始材料膜表面形成测试光刻胶膜，对测试掩膜板进行实际曝光，并进行显影，使测试光刻胶膜形成测试光胶层。以测试光刻胶层为掩膜刻蚀测试初始材料膜，使测试初始材料膜形成测试材料层，测试材料层中具有测试目标刻蚀图形10，测试材料层中具有若干第二标记，第二标记的数量等于第一标记的数量，在理想情况下，第一标记和对应的第二标记之间的偏差应该为零；测试第一标记和第二标记的实际位置偏差；由此得到多组实际位置偏差测试数据、对应的第一标记的坐标和第二标记的坐标；将上述多组实际位置偏差测试数据和对应的第一标记的坐标和第二标记的坐标代入偏移补偿模型，进行拟合计算，即可得到具体的偏移补偿参数。

S30、获取补偿图形对应的初始掩膜板图形，对初始掩膜板图形进行光学邻近修正，得到目标掩膜板图形20。

请参阅图4，图4是图1中步骤S30的子步骤流程示意图之一。如图4所示，步骤S30具体包括：

S301、根据刻蚀偏移表获取补偿图形对应的初始掩膜板图形，初始掩膜板图形包括主图形10，主图形10包括长条形图形、矩形图形或者方形图形。

在本申请实施例中，补偿图形包括多个子补偿图形，子补偿图形包括多个补偿分割边，获取子补偿图形在补偿分割边位置对应的宽度值、以及子补偿图形与相邻子补偿图形之间的间距值。获取刻蚀偏移表中与宽度值以及间距值对应的刻蚀偏移量值。沿垂直于补偿分割边的方向将补偿分割边平移刻蚀偏移量值，获得初始掩膜板图形。

S302、根据光学临近修正模型对初始掩膜板图形进行修正，得到中间目标掩膜板图形。

请参阅图5，图5是图4中步骤S302的子步骤流程示意图。如图5所示，步骤S302具体包括：

S3021、提供测试掩膜板，测试掩膜板中具有多个测试图形，对测试图形进行曝光，得到曝光图形，并对曝光图形的尺寸进行测量，获得第一测试数据。

S3022、对测试图形进行模拟曝光，获得测试模拟曝光图形，并对测试模拟曝光图形的尺寸进行测量，获得第二测试数据。

S3023、将第一测试数据和第二测试数据进行比较和拟合计算，得到光学临近修正模型，并根据光学临近模型对初始掩膜板图形进行修正。

S303、获取中间目标掩膜板图形和初始掩膜板图形之间的边缘放置误差。若边缘放置误差大于阈值，则根据光学临近修正模型对中间目标掩膜板图形进行修正直至边缘放置误差小于阈值。当边缘放置误差小于阈值时，将中间目标掩膜板图形作为目标掩膜板图形20。

请参阅图6，图6是本申请实施例提供的目标掩膜板图形的结构示意图之一。具体地，采用上述光学邻近修正方法得到的目标掩膜板图形20制作掩膜板，对掩膜板曝光后获得图2中所示的目标刻蚀图形10，由于目标刻蚀图形10避免了光学临近现象，进而有利于提高图像分辨率。

作为本申请的一种具体实施方式，请参阅图7，图7是图1中步骤S30的子步骤流程示意图之二。如图7所示，步骤S30在子步骤S301与子步骤S302之间还包括以下步骤：

S300、在主图形10周围设置辅助图形30，对初始掩膜板图形进行补偿修正，得到中间目标掩膜板图形，其中，辅助图形30为不可曝光图形。

在本申请实施例中，初始掩膜板图形包括多个主图形10，光源经过主图形10对玻璃基板上的光刻胶进行曝光，以形成玻璃基板上各芯片区域的光刻胶图形，以在玻璃基板上形成集成电路。图6中示例性的示出了目标掩膜板图形包括一个主图形10。

在本申请实施例中，主图形10具有目标特征尺寸和目标间距，多种类型的主图形10的目标特征尺寸和目标间距可以相同也可以不同。多种主图形10的形状也可以相同或不同。

在本申请实施例中，至少一个主图形10包括第一子图形11、第二子图形12以及第三子图形13，其中，第一子图形11与第二子图形12平行，且分别沿第一方向延伸。第三子图形13沿第二方向延伸，第三子图形13的一端与第一子图形11连通，第二子图形12与第三子图形13的中部连通。其中，第一子图形11、第二子图形12以及第三子图形13均为条形。进一步地，第一子图形11、第二子图形12以及第三子图形13还可以为矩形、方形或圆形。

请参阅图8，图8是图5中步骤S300的子步骤流程示意图。如图8所示，步骤S300中在主图形10周围设置辅助图形30的步骤，具体包括：

S3001、在主图形10周围设置对应的预设辅助图形30，预设辅助图形30具有预设宽度，预设辅助图形30与主图形10之间具有预设距离，预设距离和预设宽度构成与主图形10相对应的配置参数。

具体地，将预设辅助图形30分别设置在第一子图形11远离第三子图形13的一端、第二子图形12远离第三子图形13的一端以及第三子图形13远离第一子图形11的一端。

S3002、获得每一主图形10的配置参数，多种主图形10对应的多个配置参数用于构成配置矢量，配置矢量与最佳焦平面偏移量具有对应关系。

在本申请实施例中，每一主图形10都具有对应的最佳焦平面。其中，最佳焦平面偏移量指的是：对于多种主图形10分别对应的多个最佳焦平面，获得多个最佳焦平面数值中的最大值和最小值，其最大值与最小值的差值为多种主图形10之间的最佳焦平面偏移量。

在本申请实施例中，最佳焦平面偏移量与配置矢量之间存在着映射关系，也就是说，当对配置矢量对应的多个配置参数进行赋值时，对于每一个配置矢量，按照某个确定的法则，都有唯一确定的最佳焦平面偏移量与配置矢量相对应。

在本申请实施例中，主图形10之间的最佳焦平面偏移量越小，主图形10之间的最佳焦平面越接近，主图形10之间的共同焦深相应越大，进而光刻的共同工艺窗口就越大。

S3003、基于配置矢量与最佳焦平面偏移量的对应关系，对配置矢量进行优化处理，获得与最小的最佳焦平面偏移量对应的优化配置矢量。具体地，可采用数值优化器，对配置矢量进行优化处理。

S3004、根据优化配置矢量对应的多个配置参数，在主图形10周围设置辅助图形30。

在本申请实施例中，根据优化配置矢量对应的多个配置参数，在主图形10周围设置辅助图形30，有利于保证根据优化配置矢量对应的多个配置参数设置辅助图形30后，曝光制程中不同类型的主图形10之间的最佳焦平面偏移量较小，也就是说，不同类型的主图形10之间的最佳焦平面较为接近，有利于使得不同种类的主图形10之间的焦深重合部分最大化，从而有利于获得最大化的光刻工艺的共同工艺窗口。

请参阅图9，图9是本申请实施例提供的目标掩膜板图形的结构示意图之二。如图9所示，辅助图形30包括散射条30。其中，散射条30的尺寸介于100纳米至250纳米之间。散射条30是一种亚分辨率辅助图形30，设置散射条30能够感受光刻图案的轮廓线宽，改善光强对比，减小边缘放置误差；其次，能够提高焦深，从而改善光刻工艺窗口。如图9所示，在第一子图形11远离第三子图形13的一端设置三个散射条30，其中两个散射条30平行设置于第一子图形11的相对两侧，另一散射条30设置于第一字图形11的端末并与另外两个散射条30垂直。在第二子图形12远离第三子图形13的一端设置一个散射条30，并在第三子图形13远离第一子图形11的一端设置一个散射条30。通过对图9中示意的目标掩膜板图形20进行曝光即可获得图2中的目标刻蚀图形10。

在本申请实施例中，散射条30的尺寸比设计尺寸有所增大。具体地，散射条30的尺寸包括100纳米、110纳米、120纳米、130纳米、140纳米、150纳米、160纳米、170纳米、180纳米或、190纳米、200纳米、210纳米、220纳米、230纳米、240纳米或者250纳米，根据德国捷欧公司（JEOL）的JBX30系列的曝光机的偏移量曲线，对散射条30的尺寸减去曝光机的偏移量进行修正。也即，可以通过以设计的散射条30的尺寸减去曝光机的偏移量的方式，实现因光学邻近效应造成的散射条30辅助图形30的歪曲现象进行修正。

在本申请实施例中，每个散射条30的长度、宽度相同。这样的设计有利于减少工艺制程，且有利于提升光学邻近修正精度。

本申请还提供一种掩膜板，掩膜板上设有如上所述的光学邻近修正方法得到的目标掩膜板图形。

另一方面，本申请还一种显示面板，包括玻璃基板以及集成电路，集成电路设于玻璃基板上，集成电路采用上述的掩膜板制作而成。区别于现有技术中应用于半导体领域的硅基芯片，本申请中的集成电路设于玻璃基板上，应用于显示技术领域，也即实现了将外挂芯片系统集成在玻璃基板上，有利于提升产品的竞争力，且采用上述掩膜板制成的显示面板，图像分辨率更高。

本申请提供一种光学邻近修正方法、掩膜板及显示面板，该光学邻近修正方法能够对玻璃基板上的高分辨率图案区域进行光学邻近校正。

以上对本申请实施例所提供的一种光学邻近修正方法、掩膜板及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。