电容检测的方法、装置、芯片和电子设备

技术领域

本申请实施例涉及电容检测领域，并且更具体地，涉及一种电容检测的方法、装置、芯片和电子设备。

背景技术

电容检测装置通常设置于耳机、手机等电子设备中，其包括检测电极和相关的处理电路，以检测人体是否靠近或者离开检测电极，便于电子设备执行相应的操作。但是，环境温度的变化会对电容检测的结果造成影响，从而对导体靠近或者远离检测电极的状态造成误判。为此，如何消除环境对电容检测的影响，以提高电容检测的准确性，成为需要解决的问题。

发明内容

本申请实施例提供一种电容检测的方法、装置、芯片和电子设备，能够消除环境对电容检测的影响，以提高电容检测的准确性。

第一方面，提供一种电容检测的方法，所述方法包括：获取检测电极输出的检测信号的信号值；根据第N帧检测信号之前的M帧检测信号的信号值相对于基准值的偏差，确定所述第N帧检测信号的补偿量，其中，N为正整数，M为小于N的正整数；根据所述补偿量，对所述第N帧检测信号的信号值进行校准，得到所述第N帧检测信号的校准值。

在一种实现方式中，所述M帧检测信号满足预定条件时，所述M帧检测信号的基准值相等；所述M帧检测信号不满足所述预定条件时，所述M帧检测信号中第i+1帧检测信号的基准值等于所述M帧检测信号中第i帧检测信号的校准值，i从1至M-1。

在一种实现方式中，所述M帧检测信号中第1帧检测信号的基准值等于所述第1帧检测信号的信号值。

在一种实现方式中，所述预定条件包括：所述M帧检测信号中每帧检测信号与其之前间隔P帧的检测信号的信号值之间的差值，小于第一阈值，其中，P为小于N的正整数。

在一种实现方式中，所述补偿量为所述M帧检测信号中各帧检测信号的信号值与基准值之间的差值的平均值。

在一种实现方式中，所述根据所述补偿量，对所述第N帧检测信号的信号值进行校准，包括：根据所述补偿量，对所述第N帧检测信号至第N+M-1帧检测信号的信号值进行校准。

在一种实现方式中，所述装置还包括参考电极，所述获取检测电极输出的检测信号的信号值，包括：获取所述检测信号的原始值和所述参考电极输出的参考信号的原始值；根据所述参考信号的原始值，抵消所述检测信号的原始值中由环境变化引起的部分，得到所述检测信号的信号值。

在一种实现方式中，所述第N帧检测信号的信号值为所述第N帧检测信号的原始值与第N帧参考信号的变化量之间的差值，所述第N帧参考信号的变化量为所述第N帧参考信号的原始值与第1帧参考信号的原始值之间的差值的K倍，K为预设的系数。

在一种实现方式中，所述第N帧参考信号的原始值是对其前P帧参考信号的原始值进行滤波后得到的。

在一种实现方式中，所述方法还包括：所述第N帧检测信号的校准值与其基础值之间的差值大于第二阈值时，确定所述检测电极上发生导体靠近或者离开的事件，所述基础值为没有导体靠近或接触所述检测电极时所述检测信号的信号值；所述第N帧检测信号的校准值与其基础值之间的差值小于第二阈值时，确定所述检测电极上没有发生导体靠近或者离开的事件。

第二方面，提供一种电容检测的装置，所述装置包括：信号采集单元，用于获取检测电极输出的检测信号的信号值；处理单元，用于根据第N帧检测信号之前的M帧检测信号的信号值相对于基准值的偏差，确定所述第N帧检测信号的补偿量，其中，N为正整数，M为小于N的正整数；所述处理单元还用于，根据所述补偿量，对所述第N帧检测信号的信号值进行校准，得到所述第N帧检测信号的校准值。

在一种实现方式中，所述M帧检测信号满足预定条件时，所述M帧检测信号的基准值相等；所述M帧检测信号不满足所述预定条件时，所述M帧检测信号中第i+1帧检测信号的基准值等于所述M帧检测信号中第i帧检测信号的校准值，i从1至M-1。

在一种实现方式中，所述M帧检测信号中第1帧检测信号的基准值等于所述第1帧检测信号的信号值。

在一种实现方式中，所述预定条件包括：所述M帧检测信号中每帧检测信号与其之前间隔P帧的检测信号的信号值之间的差值，小于第一阈值，其中，P为小于N的正整数。

在一种实现方式中，所述补偿量为所述M帧检测信号中各帧检测信号的信号值与基准值之间的差值的平均值。

在一种实现方式中，所述处理单元具体用于：根据所述补偿量，对所述第N帧检测信号至第N+M-1帧检测信号的信号值进行校准。

在一种实现方式中，所述信号采集单元具体用于：获取所述检测信号的原始值和参考电极输出的参考信号的原始值；所述处理单元还用于，根据所述参考信号的原始值，抵消所述检测信号的原始值中由环境变化引起的部分，得到所述检测信号的信号值。

在一种实现方式中，所述第N帧检测信号的信号值为所述第N帧检测信号的原始值与第N帧参考信号的变化量之间的差值，所述第N帧参考信号的变化量为所述第N帧参考信号与第1帧参考信号的原始值之间的差值的K倍，K为预设的系数。

在一种实现方式中，所述第N帧参考信号的原始值是对其前P帧参考信号的原始值进行滤波后得到的。

在一种实现方式中，所述处理单元还用于：所述第N帧检测信号的校准值与其基础值之间的差值大于第二阈值时，确定所述检测电极上发生导体靠近或者离开的事件，所述基础值为没有导体靠近或接触所述检测电极时所述检测信号的信号值；所述第N帧检测信号的校准值与其基础值之间的差值小于第二阈值时，确定所述检测电极上没有发生导体靠近或者离开的事件。

第三方面，提供一种电容检测的芯片，所述芯片包括处理器和存储器，所述存储器用于存储指令，所述处理器用于执行所述指令，以实现第一方面或第一方面的任一实现方式中所述的电容检测的方法。

第四方面，提供一种电子设备，所述电子设备包括第二方面或第二方面的任一实现方式中所述的电容检测的装置，或者包括第三方面所述的电容检测的芯片。

基于上述技术方案，通过当前第N帧检测信号之前的M帧检测信号的信号值相对于基准值的偏差，确定第N帧检测信号的补偿量，以对第N帧检测信号的信号值进行校准。相当于将每帧检测信号的信号值均朝向基准值的方向校准，减小了检测信号的波动，使其信号值更加平整，有效避免了电容检测过程中的误判。

附图说明

图1是本申请实施例的电容检测的装置的示意性结构图。

图2是检测信号和参考信号的变化规律的示意图。

图3是本申请实施例的电容检测的方法的示意性流程图。

图4是有事件发生且温度变化时检测信号的信号值及其P点差分变化量随检测帧数变化的示意图。

图5是没有事件发生且温度变化时检测信号的信号值及其P点差分变化量随检测帧数变化的示意图。

图6是本申请实施例的检测信号和参考信号的信号值随检测帧数变化的示意图。

图7是检测信号的信号值和校准值的示意图。

图8是本申请实施例的电容检测的装置的示意性框图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行描述。

图1示出了本申请实施例的电容检测的装置的示意性结构图。如图1所示，电容检测的装置200包括检测电极210、与检测电极210连接的模拟前端(Analog Front End，AFE)电路220、以及处理单元230，其中，AFE电路220包括放大器(Amplifier，AMP)221和模数转换器(Analog to Digital Converter，ADC)222。检测电极210与地之间形成电容Cs。当有导体靠近或者远离检测电极210时，电容Cs会发生变化，AMP 221将其电容信号转换为电压信号，并由ADC 222对该电压信号进行模数转换后送入处理单元230进行相应的数据处理。这样，便可以电容Cs的变化判断是否有导体靠近或者离开的事件发生，从而执行相应的操作，例如，当装置200应用于耳机中，可以方便地检测耳机的佩戴和脱落；又例如，当该装置200应用于手机中，在手机的特定吸收率(Specific Absorption Rate，SAR)检测场景中可以判断是否有人体接近从而调整天线发射功率。

可选地，装置200还可以包括参考电极240、以及与参考电极240连接的AFE电路250，其中，AFE电路250包括AMP 251和ADC 252。参考电极240与地之间形成电容Cr。电容Cr仅用于反应环境变化对电容检测的影响，由于检测电极210和参考电极240处于相同环境中，二者受环境的影响相同，利用参考电极240上产生的参考信号，便可以抵消检测电极210上产生的检测信号中由环境变化引起的部分。

由于通常环境中的温度变化对检测结果的影响最大，以下，均以温度的影响为例，对电容检测的过程进行描述。

例如，如图2所示，当检测电极210和参考电极240能够完全匹配时，参考信号能够完全反映检测信号中所受的温度影响，对检测信号与参考信号之间作差，便可以消除掉检测信号中受温度影响的部分，得到：

RawDataNew＝RawData-RefData (1)；

其中，RawData为检测信号的原始值，例如是与检测电极210连接的AFE电路220输出的信号值；RefData为参考信号的原始值，例如是与参考电极240连接的AFE电路250输出的信号值；利用参考信号消除了检测信号的原始值中由温度变化引起的部分之后得到的RawDataNew称为该检测信号的信号值。根据该检测信号的信号值，便可以确定当前是导体是否靠近。

由于结构设计、以及检测电极210和参考电极240本身的电容存在偏差等原因，检测电极210和参考电极240无法完全匹配，为此，可以通过系数K来减小检测电极210和参考电极240之间的不匹配对检测结果的影响。这时，该检测信号的信号值例如可以为：

RawDataNew(N)＝RawData(N)-K*[RefData(N)-RefData(1)] (2)；

其中，N为检测帧数，RefData(1)为第1帧参考信号的原始值，例如装置200上电时参考信号的初始值，RefData(N)为第N帧参考信号的原始值，RawData(N)为第N帧检测信号的原始值，RawDataNew(N)为利用参考信号消除温度影响后第N帧检测信号的信号值。

可选地，可以在最大温差环境下进行测试，得到检测信号的原始值的变化量和参考信号的原始值的变化量，从而K等于检测信号的原始值的变化量与参考信号的原始值的变化量之间的比值。例如，在温度快速上升和温度快速下降的场景中分别进行测试，得到两个K值，并从中选择检测信号变化量与参考信号变化量之间差异更大时对应的K值作为后续使用的K值，即K值大于1时取两个K值中较大的，K值小于1时取两个K值中较小的。

在公式(2)中，RefData(N)-RefData(1)反映了采集第N帧参考信号和采集第1帧参考信号时温度不同所引起的信号变化量，由于检测信号和参考信号随温度变化而变化的规律是一致的，因此，理论上检测信号中由温度变化引起的信号变化量也应等于RefData(N)-RefData(1)，但实际考虑到检测电极210和参考电极240无法完全匹配，因此利用系数K对RefData(N)-RefData(1)进行调整，之后再对检测信号的原始值与调整后的该信号变化量作差，从而粗略地消除检测信号受温度的影响。

如果检测电极210和参考电极240之间的匹配性较差，那么，在温度剧烈变化的场景中，例如循环升降温测试的场景、室内外温差突变的场景、手机应用中功率放大设备的温度变化较大的场景中，系数K也无法有效地消除检测电极210和参考电极240之间的不匹配对检测结果的影响。例如，K如果设置的较小，则可能因噪声而误判为有导体靠近的事件发生；K如果设置的较大，则可能在当前有导体靠近的事件发生时判断为导体远离。这种误判在特定应用下会带来较大的影响，例如，耳机的入耳检测功能(In Ear Detection，IED)会误判为佩戴或者脱落，手机的SAR检测场景中的误判会引起天线发射功率的误调整从而对整机功能造成影响。

为此，本申请实施例提供一种电容检测方案，旨在解决如何消除环境对电容检测的影响以提高电容检测的准确性的问题。利用检测信号本身的变化趋势实时计算补偿量，用以对检测信号进行校准，有效提高了电容检测的准确性。

图1中所示的装置200是以自电容的检测为例，本申请实施例的电容检测方案可以应用于自电容检测、互电容检测等各种基于电容检测的场景及应用中。

图3示出了本申请实施例的电容检测的方法100，方法100可以由图1中所示的电容检测的装置200执行，装置200包括检测电极210，方法100用于检测是否有导体靠近或者离开检测电极210的事件发生。如图3所示，方法100包括以下步骤中的部分或全部。

在步骤110中，获取检测电极210输出的检测信号的信号值。

在步骤120中，根据第N帧检测信号之前的M帧检测信号的信号值相对于基准值的偏差，确定第N帧检测信号的补偿量，其中，N为正整数，M为小于N的正整数。

在步骤130中，根据该补偿量，对第N帧检测信号的信号值进行校准，得到第N帧检测信号的校准值。

可见，通过当前第N帧检测信号之前的M帧检测信号的信号值相对于基准值的偏差，确定第N帧检测信号的补偿量，以对第N帧检测信号的信号值进行校准。这相当于将每帧检测信号的信号值均朝向基准值的方向校准，减小了检测信号的波动，使其信号值更加平整，有效避免了电容检测过程中的误判。

进一步地，可选地，方法100还包括：在第N帧检测信号的校准值与其基础值之间的差值大于第二阈值TH2时，确定检测电极210上发生导体靠近或者离开的事件；在第N帧检测信号的校准值与其基础值之间的差值小于第二阈值TH2时，确定检测电极210上没有发生导体靠近或者离开的事件。其中，该基础值(base值)为没有导体靠近或接触检测电极210时检测电极210输出的检测信号的信号值。或者说是，该基础值为导体远离检测电极210后该检测信号的信号值。

可以理解，在进行电容检测之前，可以事先获取没有导体靠近或接触检测电极210时检测电极210输出的检测信号的信号值作为该基础值。于是，在后续进行电容检测时，便可以根据检测信号的校准值和该基准值之差与第二阈值TH2之间的大小关系，确定是否发生导体靠近或者离开的事件。

第N帧检测信号的补偿量由第N帧检测信号之前的M帧检测信号的信号值相对于基准值的偏差来确定，例如，在一种实现方式中，该补偿量为M帧检测信号中各帧检测信号的信号值与基准值之间的差值的平均值。即，

其中，δ

在得到δ

Raw(N)＝RawDataNew(N)-δ

其中，Raw(N)为第N帧检测信号的校准值，RawDataNew(N)为第N帧检测信号的信号值，δ

可选地，在步骤130中，根据该补偿量，对第N帧检测信号的信号值进行校准，包括：根据该补偿量，对第N帧检测信号至第N+M-1帧检测信号的信号值进行校准。也就是说，可以每M帧更新一次该补偿量，即，将前M帧检测信号的变化量的均值，作为后M帧检测信号的补偿量。

以下，也将这种补偿方式称为最小偏差补偿。

上述的基准值TempBase仅对导体靠近或远离检测电极210的事件引起的信号值的变化进行跟随，而不对温度引起的信号值的变化进行跟随。也就是说，在电容检测的过程中，如果检测到的信号值的变化可能是由导体靠近或远离的事件引起时，该基准值随着检测帧数而跟随变化；如果检测到的信号值的变化可能仅由温度变化引起，该基准值保持不变。

本申请实施例中可以通过设置预定条件来判断当前信号值的变化可能由导体靠近或远离的事件引起，还是由温度变化引起。例如，该M帧检测信号满足预定条件时，M帧检测信号的基准值相等；M帧检测信号不满足预定条件时，M帧检测信号中第i+1帧检测信号的基准值等于所述M帧检测信号中第i帧检测信号的校准值，i从1至M-1。M帧检测信号中第1帧检测信号的基准值例如可以等于该第1帧检测信号的信号值，这时默认该第1帧检测信号的补偿量为0，因此第1帧检测信号的校准值也即其信号值。

温度变化引起的检测信号的信号值的变化通常都是缓慢且平稳的，发生导体靠近或者远离的事件时检测信号的信号值会出现阶跃变化的特征，因此，可以通过差分方式，初步识别当前信号值的变化是由事件发生引起的还是温度变化引起的。

例如，该预定条件可以是，第N帧检测信号之前的M帧检测信号中每帧检测信号与其之前间隔P帧的检测信号的信号值之间的差值，小于第一阈值TH1，其中，P为小于N的正整数。在本申请实施例中，P和M的值可以独立进行选择；或者，优选地，也可以选择P≥M。

以M帧检测信号中的第i帧检测信号为例，i从1至M，第i帧检测信号相对于第i-P帧检测信号的信号值的变化量为：

DiffChange(i)＝|RawDataNew(i)-RawDataNew(i-P)| (5)；

其中，RawDataNew(i)为第i帧检测信号的信号值，RawDataNew(i-P)为第i-P帧检测信号的信号值。DiffChange(i)为第i帧检测信号相对于第i-P帧检测信号的信号值的变化量，以下也称为P点差分变化量。

P值的选择通常与环境温度变化的速率相关。考虑到环境中噪声的影响以及导体靠近或远离检测电极的事件发生的较为缓慢的情况，设置P＞1能够有效消除部分噪声的影响，并且在导体较为缓慢地靠近或远离检测电极的情况下依然能够较为准确地获取到差分变化量。以下，结合图4和图5进行具体说明。

图4中的(a)示出了有导体靠近或远离的事件发生且温度变化的情况下，检测信号的信号值随检测帧数的变化；图4中的(b)示出了这种情况下P＝1时DiffChange随检测帧数的变化；图4中的(c)示出了这种情况下P＝5时DiffChange随检测帧数的变化。P越小，DiffChange受噪声的影响越明显，例如，如图4的(b)和(c)中的虚线框所示，(c)中所示的P＝5时DiffChange的值更大，且抖动更小，即纵坐标的数值波动更小，表明DiffChange受噪声影响较小；而(b)中所示的P＝1时DiffChange的值更小，且抖动更明显，即纵坐标的数值波动更大，表明DiffChange受噪声影响较大。

图5中的(a)示出了没有导体靠近或远离的事件发生且温度变化的情况下，检测信号的信号值随检测帧数的变化；图5中的(b)示出了这种情况下P＝1时DiffChange随检测帧数的变化；图5中的(c)示出了这种情况下P＝5时DiffChange随检测帧数的变化。P越小，DiffChange受噪声的影响越明显，图5的(a)中温度对检测信号的影响导致其信号值在A点处下降，图5的(c)中虚线框内的DiffChange也能够反映出这种变化，而图5的(b)中虚线框内的DiffChange无法很好的反映这种变化。

根据公式(5)，若DiffChange(i)大于或等于第一阈值TH1，表明当前信号值的变化可能由导体靠近或远离的事件引起；若DiffChange(i)小于第一阈值TH1，表明当前信号值的变化可能仅由温度变化引起。

那么，当DiffChange(i)≥TH1时，该基准值随着检测帧数而跟随变化，M帧检测信号中第1帧检测信号的基准值可以是该第1帧检测信号的信号值，这时默认δ

在得到M帧检测信号的基准值后，基于前述的公式(3)和公式(4)，便可以计算第N帧检测信号的补偿量δ

本申请实施例的电容检测的方法100可以应用于没有参考电极240的场景下，也可以应用于有参考电极240的场景下。需要说明的是，在没有参考电极240的场景下，前述的检测信号的信号值即为该检测信号的原始值，例如，RawDataNew(N)＝RawData(N)；在有参考电极240的场景下，参考电极240输出的参考信号用于抵消检测信号中由环境变化引起的部分，前述的检测信号的信号值即为利用该参考信号消除该检测信号的原始值中受温度影响的部分而得到的，例如，RawDataNew(N)＝RawData(N)-K*[RefData(N)-RefData(1)]。

对于有参考电极240的场景，在一种实现方式中，在步骤110中，获取检测电极210输出的检测信号的信号值，包括：获取该检测信号的原始值和该参考信号的原始值；根据该参考信号的原始值，抵消该检测信号的原始值中由环境变化引起的部分，得到该检测信号的信号值。

例如，可以参考前述公式(2)，第N帧检测信号的信号值为第N帧检测信号的原始值与第N帧参考信号的变化量之间的差值，第N帧参考信号的变化量为第N帧参考信号与第1帧参考信号的原始值之间的差值的K倍，K为预设的系数。

为了消除噪声，在一种实现方式中，第N帧参考信号的原始值是对其前P帧参考信号的原始值进行滤波后得到的。例如，可以对第N帧参考信号之前的P帧参考信号的原始值进行滤波处理，得到第N帧参考信号的原始值为：

RefDataNew(N)＝filter[RefData(N-1),…,RefData(N-P)](6)；

其中，RefDataNew(N)滤波后的第N帧参考信号的原始值，RefData(N-1)至RefData(N-P)分别为第N帧参考信号之前的P帧参考信号的原始值。

将公式(2)中的RefData(N)替换为RefDataNew(N)，可以得到：

RawDataNew(N)＝RawData(n)-K*[RefDataNew(N)-RefData(1)](7)；

其中，RefData(1)为上电时参考信号的初始值，RefDataNew(N)为滤波后第N帧参考信号的原始值，RawData(N)为第N帧检测信号的原始值，RawDataNew(N)为利用参考信号消除温度影响后第N帧检测信号的信号值。

根据公式(6)和公式(7)，可以将参考信号的变化量换算到检测信号中，从而消除检测信号受温度的影响。但由于前述匹配性的原因，系数K并不为1，而是基于检测电极210和参考电极240之间的差异而设定，但是系数K又无法完全消除环境对检测信号的影响，只能在一定程度上减小检测信号的温度漂移。也就是说，利用参考信号只能够对检测信号进行初步补偿。

而本申请实施例中，在初步补偿之后，还会实时对检测信号进行最小偏差补偿，即，通过当前第N帧检测信号之前的M帧检测信号的信号值相对于基准值的偏差，确定第N帧检测信号的补偿量，以对第N帧检测信号的信号值进行校准。通过初步补偿和最小偏差补偿后，基本上能够完全消除环境对检测信号的影响。

如图6所示的检测信号和参考信号的信号值随检测帧数的变化，其中，曲线D表示参考信号的原始值，曲线E表示检测信号的原始值，曲线F表示检测信号的基准值，曲线Q表示初步补偿后检测信号的信号值。在位置B之前，检测电极210和参考电极240受温度影响的程度相同，因此曲线Q为水平的，而在位置B之后，检测电极210和参考电极240受温度影响的程度出现差异，因此曲线Q也出现波动，即经过初步补偿后无法完全消除环境对检测信号的影响。但采用本申请实施例的方法100时，可以将曲线Q拉至与曲线F重合，即经过初步补偿和最小偏差补偿后，基本上能够完全消除环境对检测信号的影响。也就是说，利用参考信号进行初步补偿后，曲线E被拉到曲线Q的位置；再利用前M帧检测信号的变化量计算补偿量进行最小偏差补偿，可以将曲线Q拉至与曲线F的位置。

再如图7所示，在实际测试中，若不进行最小偏差补偿，检测信号的信号值为曲线E，进行最小偏差补偿后，检测信号的信号值为曲线Q所示的校准值，曲线F为检测信号的基准值，可以看出，曲线Q与曲线F基本重合。可见，通过方法100能够有效减小环境变化对检测信号的影响，使校准后的检测信号的信号值趋于平稳，不受温度的影响而波动。

本申请实施例中，利用参考信号对当前帧的检测信号进行初步补偿后，根据P点差分变化量判断当前信号值的变化是由事件引起还是由温度引起，并基于此选择合适基准值，从而根据前M帧检测信号的信号值与基准值之间的变化量，对当前帧的检测信号的信号值进行校准，更准确地消除了环境变化而保留了有效信号，优化了环境变化对检测信号的影响，有效地提高了电容检测的准确性。

图8示出了本申请实施例的电容检测的装置的示意性框图。如图8所示，电容检测的装置200包括信号采集单元201和处理单元230。其中，信号采集单元201例如可以包括图1中所示的AFE电路220和AFE电路250，装置200还可以包括与信号采集单元201连接的检测电极210，进一步地，还可以包括与信号采集单元201连接的参考电极240。

信号采集单元201用于获取检测电极210输出的检测信号的信号值。

处理单元230用于根据第N帧检测信号之前的M帧检测信号的信号值相对于基准值的偏差，确定第N帧检测信号的补偿量，其中，N为正整数，M为小于N的正整数；处理单元230还用于，根据补偿量，对第N帧检测信号的信号值进行校准，得到第N帧检测信号的校准值。

在一种实现方式中，M帧检测信号满足预定条件时，M帧检测信号的基准值相等；M帧检测信号不满足预定条件时，M帧检测信号中第i+1帧检测信号的基准值等于M帧检测信号中第i帧检测信号的校准值，i从1至M-1。

在一种实现方式中，M帧检测信号中第1帧检测信号的基准值等于第1帧检测信号的信号值。

在一种实现方式中，该预定条件包括：M帧检测信号中每帧检测信号与其之前间隔P帧的检测信号的信号值之间的差值，小于第一阈值，其中，P为小于N的正整数。

在一种实现方式中，该补偿量为该M帧检测信号中各帧检测信号的信号值与基准值之间的差值的平均值。

在一种实现方式中，处理单元230具体用于：根据该补偿量，对第N帧检测信号至第N+M-1帧检测信号的信号值进行校准。

在一种实现方式中，信号采集单元201具体用于：获取检测信号的原始值和参考电极240输出的参考信号的原始值；处理单元230还用于，根据该参考信号的原始值，抵消该检测信号的原始值中由环境变化引起的部分，得到该检测信号的信号值。

在一种实现方式中，第N帧检测信号的信号值为第N帧检测信号的原始值与第N帧参考信号的变化量之间的差值，第N帧参考信号的变化量为第N帧参考信号的原始值与第1帧参考信号的原始值之间的差值的K倍，K为预设的系数。

在一种实现方式中，第N帧参考信号的原始值是对其前P帧参考信号的原始值进行滤波后得到的。

在一种实现方式中，处理单元230还用于：第N帧检测信号的校准值与其基础值之间的差值大于第二阈值时，确定检测电极210上发生导体靠近或者离开的事件；第N帧检测信号的校准值与其基础值之间的差值小于该第二阈值时，确定检测电极210上没有发生导体靠近或者离开的事件，其中，该基础值为没有导体靠近或接触检测电极210时检测信号的信号值。

应理解，装置200进行电容检测的具体细节，可以参考前述针对方法100的描述，为了简洁，这里不再赘述。

本申请还提供一种电容检测的芯片，该芯片包括处理器和存储器，存储器用于存储指令，处理器用于执行指令，以实现上述任一实施例中所述的电容检测的方法。

本申请还提供一种电子设备，该电子设备包括上述任一实施例中所述的电容检测的装置，或者包括上述任一实施例中所述的电容检测的芯片。

作为示例而非限定，本申请实施例中的电子设备可以为终端设备、手机、平板电脑、笔记本电脑、台式机电脑、游戏设备、车载电子设备或穿戴式智能设备等便携式或移动计算设备，以及电子数据库、汽车、银行自动柜员机(Automated Teller Machine，ATM)等其他电子设备。该穿戴式智能设备包括功能全、尺寸大、可不依赖智能手机实现完整或部分功能的设备，例如智能手表或智能眼镜等，以及包括只专注于某一类应用功能并且需要和其它设备如智能手机配合使用的设备，例如各类进行体征监测的智能手环、智能首饰等设备。

需要说明的是，在不冲突的前提下，本申请描述的各个实施例和/或各个实施例中的技术特征可以任意的相互组合，组合之后得到的技术方案也应落入本申请的保护范围。

本申请实施例中所揭露的系统、装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的方法实施例的一些特征可以忽略或者不执行。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，单元的划分仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统。另外，各单元之间的耦合或各个组件之间的耦合可以是直接耦合，也可以是间接耦合，上述耦合包括电的、机械的或其它形式的连接。

本领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，上述描述的装置和设备的具体工作过程以及产生的技术效果，可以参考前述方法实施例中对应的过程和技术效果，在此不再赘述。

应理解，本申请实施例中的具体的例子只是为了帮助本领域技术人员更好地理解本申请实施例，而非限制本申请实施例的范围，本领域技术人员可以在上述实施例的基础上进行各种改进和变形，而这些改进或者变形均落在本申请的保护范围内。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。