废气处理设备及处理方法

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种废气处理设备及处理方法。

背景技术

制造芯片的半导体制作过程中包括许多制程工艺，例如形成薄膜的沉积制作工艺、对薄膜进行图案化的蚀刻制作工艺等等。在不同的制程工艺中，制程腔室中会产生一些废气，需输送到废气处理设备中处理。

目前，废气在输送过程中，废气易相互发生反应生成结晶，生成的结晶积聚在废气处理设备的管道的内壁上，导致废气处理设备的管道堵塞，管道压力增大至一定临界值时，废气处理装置会异常停机，容易发生安全事故。

发明内容

以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开提供了一种废气处理设备及处理方法。

根据本公开实施例的第一方面，提供一种废气处理设备，所述废气处理设备包括：

废气输送通道；

废气燃烧腔室；

连接通道，用于连通所述废气输送通道和所述废气燃烧腔室；

加热装置，设置于所述连接通道处，所述加热装置用于对所述连接通道中的废气进行加热。

根据本公开的一些实施例，所述加热装置包括气体提供装置和导流管，所述导流管的一端伸入至所述连接通道中并与所述连接通道连通，所述导流管的另一端与所述气体提供装置连通；

所述气体提供装置用于提供温度处于温度预设阈值内的加热气体，所述加热气体通过所述导流管输送至所述连接通道。

根据本公开的一些实施例，所述连接通道包括第一通道和第二通道，所述第一通道与所述废气输送通道连通，所述第二通道与所述废气燃烧腔室连通；

所述第二通道与所述废气输送通道错开设置。

根据本公开的一些实施例，所述气体提供装置包括控制器以及与所述控制器电连接的加热器和流量阀，所述加热器用于对所述加热气体加热，所述流量阀用于调节流入所述导流管的所述加热气体的流量；

所述控制器用于对所述加热器和所述流量阀进行控制，以控制所述加热气体的温度和流量。

根据本公开的一些实施例，所述加热气体包括氮气和/或惰性气体。

根据本公开的一些实施例，所述温度预设阈值的范围为170℃至200℃。

根据本公开的一些实施例，所述废气输送通道与半导体工艺腔室连通；和/或，

所述废气燃烧腔室与净化处理设备连通。

根据本公开的一些实施例，所述废气处理设备还包括刮刀以及与所述刮刀连接的驱动装置，所述刮刀与所述连接通道的内侧壁接触连接；

所述驱动装置用于带动所述刮刀在所述连接通道的延伸方向运动，和/或，用于带动所述刮刀自转。

根据本公开的一些实施例，所述刮刀包括至少一个支撑筋条和多个刮环，所述支撑筋条分别与多个所述刮环固定连接。

根据本公开的一些实施例，多个所述刮环的尺寸相同，多个所述刮环同轴设置；

沿所述刮环的轴向方向，多个所述刮环间隔设置。

根据本公开的一些实施例，所述支撑筋条与所述刮环的外表面光滑过渡连接。

根据本公开的一些实施例，所述支撑筋条的数量为多个，多个所述支撑筋条沿所述刮环的周向方向均布设置。

根据本公开的一些实施例，所述刮刀的材料包括淬火钢。

根据本公开实施例的第二方面，提供了一种废气处理方法，用于对如本公开实施例的第一方面提供的废气处理设备进行控制，废气处理方法包括：

检测所述废气处理设备的连接通道中的温度；

当所述温度低于第一预设阈值时，控制所述废气处理设备的加热装置对所述连接通道中的废气进行加热。

根据本公开的一些实施例，控制所述废气处理设备的加热装置对所述连接通道中的废气进行加热，包括：

控制所述加热装置的气体提供装置提供温度处于温度预设阈值内的加热气体，并以预设流量向所述加热装置的导流管输送所述加热气体。

本公开提供的废气处理设备及处理方法，通过在连接通道处设置加热装置，对连接通道中的废气进行加热，减少废气在连接通道中发生反应生成的结晶，同时可以消除部分已产生的结晶，避免连接通道堵塞，保证废气处理设备的正常运转，提升废气处理设备的安全性和可靠性。

在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

附图说明

并入到说明书中并且构成说明书的一部分的附图示出了本公开的实施例，并且与描述一起用于解释本公开实施例的原理。在这些附图中，类似的附图标记用于表示类似的要素。下面描述中的附图是本公开的一些实施例，而不是全部实施例。对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是根据一示例性实施例示出的废气处理设备的示意图。

图2是根据一示例性实施例示出的废气处理设备的示意图。

图3是根据一示例性实施例示出的刮刀的示意图。

图4是根据一示例性实施例示出的刮刀的侧视图。

图5是根据一示例性实施例示出的废气处理方法的流程图。

附图标记：

100、废气处理设备；10、废气输送通道；11、气体输送装置；20、废气燃烧腔室；30、连接通道；31、第一通道；32、第二通道；40、加热装置；41、气体提供装置；411、控制器；412、加热器；413、流量阀；42、导流管；50、半导体工艺腔室；60、净化处理设备；70、刮刀；71、支撑筋条；72、刮环；80、驱动装置。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例中的附图，对公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

制造芯片的半导体制作过程中包括多个制程工艺，例如形成薄膜的沉积制作工艺、对薄膜进行图案化的蚀刻制作工艺等等。在不同的制程工艺中，制程设备的腔体中会产生一些废气，废气例如包括四氯化钛(TiCl

目前，废气在输送过程中，废气易相互发生反应生成结晶，例如，四氯化钛与氨气在低于160℃时，易发生反应生成大量TiCl

基于此，本公开提供了一种废气处理设备，包括废气输送通道、废气燃烧腔室、连接通道和加热装置，连接通道用于连通废气输送通道和废气燃烧腔室；加热装置设置于连接通道处，加热装置用于对连接通道中的废气进行加热。通过在连接通道处设置加热装置，对连接通道中的废气进行加热，减少废气在连接通道中发生反应生成的结晶，同时可以消除部分已产生的结晶，避免连接通道堵塞，保证废气处理设备的正常运转，提升废气处理设备的安全性和可靠性。

本公开一示例性的实施例中，如图1所示，示出了一种废气处理设备100，废气处理设备包括废气输送通道10、废气燃烧腔室20、连接通道30和加热装置40，连接通道30用于连通废气输送通道10和废气燃烧腔室20；加热装置40设置于连接通道30处，加热装置40用于对连接通道30中的废气进行加热。

由于半导体制作过程中包括多种制程工艺，例如可以包括涂布、显影、蚀刻、沉积、清洗等制程工艺，这些制程工艺中通常会使用不同的化学试剂对半导体进行加工，在此过程中，制程设备的腔室中会产生一些废气。废气输送通道10用于输送半导体制程工艺中制程设备产生的废气，不同制程工艺的制程设备可以分别通过不同的废气输送通道10对该制程工艺产生的废气进行输送。示例性地，废气输送通道10与半导体工艺腔室50连通，例如，在沉积工艺中，TEL-Trias设备机台的腔室中会产生废气，废气可以包括四氯化钛(TiCl

示例性地，每一个制程设备的腔室都可以连通一个废气输送通道10，腔室中产生的制程废气排入废气输送通道10中，废气输送通道10上可以设置气体输送装置11，如压缩机、真空泵等，以加速废气的输送速度。

连接通道30连通废气输送通道10和废气燃烧腔室20，以将废气进一步的输送至废气燃烧腔室20。连接通道30可以采用耐高温材料制成，还可以在管道的表面涂覆耐高温涂层，以提高废气处理设备100的使用寿命。不同的废气输送通道10中的废气可以均输送至连接通道30中，以进入废气燃烧腔室20进行处理；也可以分别输送至不同的连接通道30中，进入不同的废气燃烧腔室20进行处理。

废气燃烧腔室20用于对各个废气输送通道10输送的废气进行废气燃烧处理，在废气燃烧腔室20中，废气可以进行燃烧氧化作用或者通过高温进行分解，以将废气转化为无害物或易于进一步处理和回收的物质。废气燃烧腔室20例如可以是焚烧炉或者高温回转窑等废气燃烧装置。示例性地，废气燃烧腔室20可以与净化处理设备60连通，净化处理设备60可以运用不同的工艺技术，通过回收或去除废气燃烧腔室20中燃烧完成的废气，减少其中的有害成分，以对环境和空气进行保护。净化处理设备60例如可以包括吸收设备、吸附设备、净化设备、治理设备等。

加热装置40例如可以包括设置有加热元件的电加热器或电加热装置，加热元件可以包括合金电加热丝或者正温度系数热敏电阻(Positive Temperature Coefficient，PTC)，通过将加热装置40接通电源，通过电阻加热、感应加热、电弧加热、电子束加热等方式产生高温。由于加热装置40设置于连接通道30处，使得加热装置40可以对经过连接通道30中的废气气流进行加热，从而抑制四氯化钛与氨气的反应，抑制TiCl

在一个示例性实施例中，如图1所示，加热装置40包括气体提供装置41和导流管42，导流管42的一端伸入至连接通道30中并与连接通道30连通，导流管42的另一端与气体提供装置41连通；气体提供装置41用于提供温度处于温度预设阈值内的加热气体，加热气体通过导流管42输送至连接通道30。

加热装置40包括气体提供装置41和导流管42，气体提供装置41例如可以外接装有压缩气体、液化气体或冷冻液化气体的气瓶，使得气体提供装置41可以提供气体。示例性地，气体提供装置41提供的气体例如可以是惰性气体，也可以是化学性质很不活泼的氮气(N

通过提供温度处于温度预设阈值内的加热气体，可以避免废气的温度过低导致废气发生反应产生固体结晶，同时避免温度过高，废气发生其它的化学反应生成其它固体结晶。示例性地，对于沉积工艺中所采用的TEL-Trias设备机台，由于其产生的废气包括四氯化钛和氨气，通过研究其化学性质发现，二者在低于160℃时易产生反应生成TiCl

TiCl

而在温度高于160℃时，TiCl

TiCl

在温度高于200℃时，废气处理设备100中的气密性密封圈可能失效，存在一定的安全隐患，同时，四氯化钛气体和氨气会发生反应生成氮化钛(TiN)固体结晶，反应方程式为：

TiCl

氮化钛是相当稳定的化合物，熔点高达2950℃，莫氏硬度为8-9，若生成氮化钛结晶，更不利于废气的输送处理。

由于加热气体是通过导流管42输送至连接通道30，加热气体在导流管42的输送过程中存在热量损失，因此，结合废气的化学特性和热量损失，温度预设阈值的范围可以为170℃至200℃，优选190℃，从而抑制废气在连接通道30中发生反应，抑制TiCl

导流管42可以是耐高温的管道，或者管道内壁涂覆耐高温涂层的管道，导流管42的一端与气体提供装置41连通，使得气体提供装置41提供的加热气体可以进入导流管42进行输送，导流管42的另一端伸入至连接通道30中并与连接通道30连通，导流管42中输送的加热气体可以通入连接通道30中，避免连接通道30中因废气温度过低，相互反应产生结晶而堵塞。

在一些可能的实施方式中，如图1所示，气体提供装置41包括控制器411以及与控制器411电连接的加热器412和流量阀413，加热器412用于对加热气体加热，流量阀413用于调节流入导流管42的加热气体的流量；控制器411用于对加热器412和流量阀413进行控制，以控制加热气体的温度和流量。

加热器412例如可以是PTC加热元件、陶瓷、金属或厚膜加热元件，本实施例中的加热器412可以选用PTC加热元件，由于PTC加热元件加电后自热升温使阻值进入跃变区，恒温加热PTC加热元件，其表面温度将保持恒定值，因此，PTC加热元件具有恒温发热特性，使得加热器412可以对加热气体保持恒温加热，便于控制加热气体的温度处于温度预设阈值内。流量阀413例如可以是电动调节阀或者气动调节阀，通过控制流量阀413的开度，可以调节流入导流管42的加热气体的流量，进而调节输送至连接通道30的加热气体的流量，从而适应连接通道30中不同流量的废气，确保连接通道30中的废气的温度不会产生结晶。控制器411分别与加热器412和流量阀413电连接，使得控制器411可以通过电信号或电磁信号控制加热器412和流量阀413，实现对流入导流管42的加热气体的温度和流量的实时控制。控制器411例如可以是电气控制装置，可以包括逻辑控制器、微程序控制器等等，保证加热器412和流量阀413安全、可靠地运行。

在一些可能的实施方式中，如图1所示，连接通道30包括第一通道31和第二通道32，第一通道31与废气输送通道10连通，第二通道32与废气燃烧腔室20连通；第二通道32与废气输送通道10错开设置。

通过将连接通道30设置为分别与废气输送通道10连通的第一通道31和与废气燃烧腔室20连通的第二通道32，且第二通道32与废气输送通道10错开设置，可以减少废气燃烧腔室20中的高温传递至废气输送通道10中，避免结晶在废气输送通道10中产生，保证废气输送通道10的正常运作。

在一个示例性实施例中，如图2所示，废气处理设备100还包括刮刀70以及与刮刀70连接的驱动装置80，刮刀70与连接通道30的内侧壁接触连接；驱动装置80用于带动刮刀70在连接通道30的延伸方向运动，和/或，用于带动刮刀70自转。

刮刀70可以是金属刮刀，刮刀70与连接通道30的内侧壁接触连接，且与刮刀70连接的驱动装置80可以带动刮刀70在连接通道30中运动，以将连接通道30内壁的结晶进行清除，保证废气可以顺畅的输送至废气燃烧腔室20中进行处理。驱动装置80例如可以是电机或者气缸，以带动刮刀70在连接通道30中运动。示例性地，驱动装置80可以带动刮刀70在连接通道30的延伸方向运动，使得刮刀70与连接通道30的内侧壁反复轴向摩擦，以将连接通道30的内侧壁的结晶刮下掉入废气燃烧腔室20中进行处理；驱动装置80也可以带动刮刀70在连接通道30中自转，使得刮刀70与连接通道30的内侧壁反复周向摩擦，以将连接通道30的内侧壁的结晶刮下掉入废气燃烧腔室20中进行处理；驱动装置80还可以带动刮刀70在连接通道30中自转的同时，在连接通道30的延伸方向运动，以进一步提升清理连接通道30的内侧壁的结晶的效果。

示例性地，当连接通道30连通多个废气输送通道10时，不同的废气输送通道10中的废气可能会相互发生反应而产生其它结晶。例如，当连接通道30中同时存在三氟化氯气体(ClF

ClF

当连接通道30中同时存在氨气和氯化氢气体时，二者会反应产生氯化铵晶体，反应方程式为：

NH

当连接通道30中同时存在四氯化钛气体、氢气和氧气时，会反应产生二氧化钛(TiO

TiCl

设置刮刀70和驱动装置80，可以避免连接通道30中存在其它废气时产生结晶将连接通道30堵塞，同时，可以避免当加热气体抑制废气反应速率不佳，或者分解晶体速率不佳时，结晶堆积将连接通道30堵塞，刮刀70和驱动装置80配合，将连接通道30中的结晶进行及时清理，避免结晶将连接通道30堵塞使得废气无法及时传输而导致半导体制程设备宕机，保证废气处理设备100以及半导体工艺中制程设备的安全性。

本实施例中，由于刮刀70以及驱动装置80的设置，废气在连接通道30中的传输空间变小，在传输空间较小的位置，废气中的各种组分充分接触，更易产生大量结晶。因此，加热装置40的导流管42的位置可以设置在传输空间较小的位置，避免结晶大量产生以堵塞连接通道30。例如，将导流管42的出口设置在第二通道32的进气口的1/4圆环处，即驱动装置80与刮刀70的连杆处，在将加热气体输送至连接通道30的同时，减少连杆处的结晶的产生，保证驱动装置80和刮刀70的正常工作，保证废气正常传输至废气燃烧腔室20进行处理。

在一些可能的实施方式中，如图3所示，刮刀70包括至少一个支撑筋条71和多个刮环72，支撑筋条71分别与多个刮环72固定连接。

刮环72为圆环状，圆环状的刮环72的外表面便于与连接通道30的内侧壁接触连接，以提高刮刀70清理连接通道30内侧壁的结晶的效率，同时，刮环72的空心部分便于废气通过，不会影响废气传输至废气燃烧腔室20中。多个刮环72可以提高刮刀70的清理效率，支撑筋条71为长条状，一个或多个支撑筋条71分别与多个刮环72固定连接，使得多个刮环72可以得到支撑并固定，以降低刮刀70出现变形的风险和几率。

示例性地，刮刀70的材料可以选用硬度、强度和耐磨性良好的材料，以避免刮刀70的运动过程中产生损坏，例如可以包括不锈钢、工具钢、淬火钢等等。刮刀70的材料例如可以选用淬火钢，淬火钢是指金属经过淬火后，组织为马氏体，硬度大于HRC50的钢，淬火钢硬度和强度较高，可以提高结晶的清理效率，且可以减少刮刀70受热而造成的形变，易于清理，提高刮刀70的使用周期，以节约成本。

在一些可能的实施方式中，如图3所示，多个刮环72的尺寸相同，多个刮环72同轴设置；沿刮环72的轴向方向，多个刮环72间隔设置。

多个刮环72的尺寸相同，且多个刮环同轴设置，使得刮刀70在连接通道30的延伸方向运动和/或自转时，每个刮环72受到的力相同，且每个刮环72均可与连接通道30的内侧壁接触，提高刮刀70清理结晶的效率以及清理洁净度。沿刮环72的轴向方向，多个刮环72间隔设置，在确保刮刀70的清理效果的同时，可以确保废气的正常传输，且便于刮刀70的拆卸和清理。

在一些可能的实施方式中，结合图3和图4所示，支撑筋条71与刮环72的外表面光滑过渡连接。支撑筋条71与刮环72的外表面光滑过渡连接，使得当刮刀70自转运动时，支撑筋条71可以与连接通道30的内侧壁接触，以将连接通道30的内侧壁的结晶刮下进行清理；当刮刀70在连接通道30的延伸方向运动时，每一个刮环72的外表面均可与连接通道30的内侧壁接触，以将连接通道30的内侧壁的结晶刮下。支撑筋条71与刮环72的外表面光滑过渡连接，使得刮刀70的各种运动方式均可对连接通道30的内侧壁上的结晶进行有效清理，提升废气处理设备100以及半导体制程设备的安全性，保证半导体制程的正常进行。

在一些可能的实施方式中，如图3所示，支撑筋条71的数量为多个，多个支撑筋条71沿刮环72的周向方向均布设置。支撑筋条71的数量为多个，例如可以是3个、5个支撑筋条71，多个支撑筋条71分别与多个刮环72固定连接，且多个支撑筋条71沿刮环72的周向方向均布设置，可以提升刮刀70的受力均匀性，有利于刮刀70的稳定性，延长刮刀70的使用周期。

本公开一示例性实施例还提供了一种废气处理方法，该废气处理方法用于对上述实施例提供的废气处理设备进行控制，如图5所示，废气处理方法包括：

S100、检测废气处理设备的连接通道中的温度；

S200、当温度低于第一预设阈值时，控制废气处理设备的加热装置对连接通道中的废气进行加热。

在步骤S100中，废气处理设备的连接通道中可以设置温度传感器，温度传感器可以是电阻温度计、温差电偶温度计等接触式温度传感器，也可以是辐射温度计等非接触式温度传感器。连接通道中的温度可以是温度传感器通过实时检测获取的，也可以是间隔一定预设时间检测获取的。

在步骤S200中，第一预设阈值可以是技术人员通过研究不同的制程工艺产生的废气的化学性质设置的温度阈值。当连接通道中的温度低于第一预设阈值时，废气易发生反应生成大量结晶，以堵塞连接通道，使得废气处理设备和半导体制程设备宕机，因此，本实施例中，需控制废气处理设备的加热装置对连接通道中的废气进行加热。示例性地，对于沉积工艺中所采用的TEL-Trias设备机台，由于其产生的废气包括四氯化钛和氨气，通过研究其化学性质发现，二者在低于160℃时易产生反应生成TiCl

加热装置可以设置于连接通道处，加热装置例如可以包括设置有加热元件的电加热器或电加热装置，加热元件可以包括合金电加热丝或者正温度系数热敏电阻，通过将加热装置接通电源，通过电阻加热、感应加热、电弧加热、电子束加热等方式产生高温，以对经过连接通道中的废气气流进行加热。可以通过控制废气处理设备中的控制器对加热装置进行控制，例如控制加热装置的功率或控制施加给加热装置的电压，以控制加热装置运行，以抑制固体结晶的生成，同时消除部分已产生的固体结晶，避免连接通道堵塞，保证废气处理设备和半导体制程设备的正常运转，提升废气处理设备和半导体制程设备的安全性。

在一些可能的实施方式中，步骤S200中，控制废气处理设备的加热装置对连接通道中的废气进行加热，包括：

S210、控制加热装置的气体提供装置提供温度处于温度预设阈值内的加热气体，并以预设流量向加热装置的导流管输送加热气体。

本实施例中，加热装置可以包括气体提供装置和导流管，气体提供装置例如可以外接装有压缩气体、液化气体或冷冻液化气体的气瓶，使得气体提供装置可以提供气体。气体例如可以是惰性气体，也可以是化学性质很不活泼的氮气，以避免气体提供装置提供的气体与连接通道中的废气发生反应，产生结晶。气体提供装置可以包括控制器以及与控制器电连接的加热器和流量阀，通过控制器控制气体提供装置的加热器可以控制加热装置的气体提供装置提供温度处于温度预设阈值内的加热气体。

温度预设阈值可以是技术人员通过研究不同的制程工艺产生的废气的化学性质设置的温度阈值。通过提供温度处于温度预设阈值内的加热气体，可以避免废气的温度过低导致废气发生反应产生固体结晶，同时避免温度过高，废气发生其它的化学反应生成其它固体结晶。对于沉积工艺中所采用的TEL-Trias设备机台，温度预设阈值可以是170℃至200℃，优选190℃，从而抑制废气在连接通道中发生反应，抑制TiCl

在半导体制程工艺的制程中，不同的制程设备具有不同的运行时段，其产生的废气的流量也会不同。通过控制器控制气体提供装置的流量阀，可以控制气体提供装置提供的加热气体以预设流量向加热装置的导流管输送，加热气体的预设流量可以依据连接通道中的废气的实际流量进行调节。废气流量较小时，加热气体的流量调小，废气流量较大时，加热气体的流量调大，以使得不同流量的废气可以采用相应流量的加热气体对其进行加热，确保连接通道中的废气的温度不会产生结晶以堵塞连接通道。

本说明书中各实施例或实施方式采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分相互参见即可。

在本说明书的描述中，参考术语“实施例”、“示例性的实施例”、“一些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”等的描述意指结合实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本公开的至少一个实施方式或示例中。

在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。

在本公开的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。

可以理解的是，本公开所使用的术语“第一”、“第二”等可在本公开中用于描述各种结构，但这些结构不受这些术语的限制。这些术语仅用于将第一个结构与另一个结构区分。

在一个或多个附图中，相同的元件采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的多个部分没有按比例绘制。此外，可能未示出某些公知的部分。为了简明起见，可以在一幅图中描述经过数个步骤后获得的结构。在下文中描述了本公开的许多特定的细节，例如器件的结构、材料、尺寸、处理工艺和技术，以便更清楚地理解本公开。但正如本领域技术人员能够理解的那样，可以不按照这些特定的细节来实现本公开。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本公开的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本公开进行了详细的说明，本领域技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本公开各实施例技术方案的范围。