掩膜组件以及曝光显影方法

技术领域

本申请涉及显示面板制造技术领域，特别是涉及一种掩膜组件以及曝光显影方法。

背景技术

随着电子设备如手机、平板等的快速发展，用户对显示面板的提出了越来越多的需求。比如，随着车载显示和线上教学的发展，用户对大尺寸的显示面板的需求越来越高。大尺寸显示面板在制备的过程中，受掩膜板尺寸的限制，需要通过拼接掩膜板并多次曝光的方式，实现大尺寸显示面板的曝光显影，以形成特定的图形图案。

然而，在通过拼接掩膜板，并多次曝光的方式对显示面板进行曝光显影的过程中，会造成显示面板的制备良率下降的问题。

发明内容

本申请提供一种掩膜组件以及曝光显影方法，以提高大尺寸显示面板的制备良率。

第一方面，本申请实施例提供一种掩膜组件，包括至少一个掩膜板，掩膜板具有沿第一方向并排设置的拼接区和非重叠曝光区，掩膜板包括遮挡部和透光部；遮挡部包括位于拼接区的第一遮挡部和位于非重叠曝光区的第二遮挡部，第一遮挡部和第二遮挡部用于遮挡光线；透光部连接于遮挡部并用于曝光显影，透光部包括位于拼接区的第一透光部和位于非重叠曝光区的第二透光部，第一遮挡部位于第一透光部背离非重叠曝光区的一侧，其中，第一透光部的透光率大于零，且小于第二透光部的透光率。

在一些实施例中，第一透光部的透光率为第二透光部的透光率的一半。

在一些实施例中，同一掩膜板上，拼接区包括第一拼接子区和第二拼接子区，第一拼接子区和第二拼接子区分别设置于非重叠曝光区相对的两侧；第一拼接子区内第一透光部的透光率为a1，第二拼接子区内第一透光部的透光率为a2，非重叠曝光区内第二透光部的透光率为c，a1＞0，a2＞0，且a1+a2＝c。

在一些实施例中，a1＝a2＝c/2。

在一些实施例中，掩膜板包括第一掩膜板和第二掩膜板，拼接区包括位于第一掩膜板的第一拼接子区和位于第二掩膜板的第二拼接子区，其中，第一拼接子区内第一透光部的透光率为b1，第二拼接子区内第二透光部的透光率为b2，第一掩膜板和第二掩膜板的非重叠曝光区内的第二透光部的透光率均为d，b1+b2＝d。

在一些实施例中，b1＝b2＝d/2。

在一些实施例中，第一拼接子区内第一透光部和同一掩膜板上第二遮挡部的最小间距d1、第二拼接子区内第一透光部的宽度W2满足：d1≥W2。

在一些实施例中，第二拼接子区内第一透光部和同一掩膜板上第二遮挡部的最小间距d2、第一拼接子区内第一透光部的宽度W1满足：d2≥W1。

在一些实施例中，第一透光部与第二遮挡部的最小间距d1满足：d1≥2μm。

在一些实施例中，沿第一方向，第一透光部的宽度W1满足：W1≥0.6μm。

第二方面，本申请实施例提供一种曝光显影方法包括：提供基板，基板包括并排设置的第一曝光区、二次曝光区和第二曝光区，二次曝光区位于第一曝光区和第二曝光区之间；提供掩膜组件，掩膜组件包括至少一个掩膜板，掩膜板具有沿第一方向并排设置的拼接区和非重叠曝光区；掩膜板包括遮挡部和透光部，遮挡部包括位于拼接区的第一遮挡部和位于非重叠曝光区的第二遮挡部，第一遮挡部和第二遮挡部用于遮挡光线；透光部连接于遮挡部并用于曝光显影，透光部包括位于拼接区的第一透光部和位于非重叠曝光区的第二透光部，第一遮挡部位于第一透光部背离非重叠曝光区的一侧，其中，第一透光部的透光率大于零，且小于第二透光部的透光率；采用掩膜组件对第一曝光区和二次曝光区进行第一次曝光显影，掩膜板覆盖二次曝光区和第一曝光区；采用掩膜组件对第二曝光区和二次曝光区进行第二次曝光显影，掩膜板覆盖二次曝光区和第二曝光区，其中，第一次曝光显影和第二次曝光显影时，拼接区和非重叠曝光区的边界分别在基板的正投影的间距小于或者等于预设距离。

在一些实施例中，预设距离e满足：e≤1.4mm。

在一些实施例中，第一透光部的透光率为第二透光部的透光率的一半，采用掩膜组件对第二曝光区和二次曝光区进行第二次曝光显影，包括：将掩膜板沿平行于基板的方向旋转180°，并沿第一方向移动掩膜板，以使拼接区和非重叠曝光区覆盖二次曝光区和第二曝光区。

在一些实施例中，同一掩膜板上，拼接区包括第一拼接子区和第二拼接子区，第一拼接子区和第二拼接子区分别设置于非重叠曝光区相对的两侧；第一拼接子区内第一透光部的透光率为a1，第二拼接子区内第一透光部的透光率为a2，非重叠曝光区内第二透光部的透光率为c，a1＞0，a2＞0，且a1+a2＝c；采用掩膜组件对第一曝光区和二次曝光区进行第一次曝光显影的步骤中，第一拼接子区和非重叠曝光区覆盖二次曝光区和第一曝光区；采用掩膜组件对第二曝光区和二次曝光区进行第二次曝光显影的步骤中，第二拼接子区和非重叠曝光区覆盖二次曝光区和第二曝光区。

在一些实施例中，掩膜板包括第一掩膜板和第二掩膜板，拼接区包括位于第一掩膜板的第一拼接子区和位于第二掩膜板的第二拼接子区，其中，第一拼接子区内第一透光部的透光率为b1，第二拼接子区内第二透光部的透光率为b2，第一掩膜板和第二掩膜板的非重叠曝光区内的第二透光部的透光率均为d，b1+b2＝d；采用掩膜组件对第一曝光区和二次曝光区进行第一次曝光显影的步骤中，采用第一掩膜板对第一曝光区和第二曝光区进行曝光显影，第一拼接子区和非重叠曝光区覆盖二次曝光区和第一曝光区；采用掩膜组件对第二曝光区和二次曝光区进行第二次曝光显影的步骤中，采用第二掩膜板对二次曝光区和第二曝光区进行显影曝光，第二拼接子区和非重叠曝光区覆盖二次曝光区和第二曝光区。

本申请实施例提供的掩膜组件及曝光显影方法，通过设置第一透光部的透光率大于零，且小于第二透光部的透光率，在对基板进行曝光显影的过程中，透过第一透光部照射到基板上的光照强度小于透过第二透光部照射到基板的光照强度。如此有利于减小透过第一透光部衍射到基板上被相邻第一遮挡部遮挡的区域的衍射光强度，降低基板上本该保留的图案被刻蚀掉的风险，即降低基板上的图案的线宽变细或者断线的风险。

附图说明

下面将参考附图来描述本申请示例性实施例的特征、优点和技术效果。在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制。

图1为相关技术中掩膜组件的结构示意图；

图2为采用相关技术中的掩膜板对基板进行第二次曝光显影的结构示意图；

图3为本申请实施例提供的一种掩膜组件的主视图；

图4为本申请实施例提供的另一种掩膜组件的主视图；

图5为本申请实施例提供的又一种掩膜组件的主视图；

图6为采用本申请实施例提供的掩膜组件进行曝光显影的基板的结构示意图；

图7为采用本申请实施例提供的掩膜组件进行第一次曝光显影和第二次曝光显影时，掩膜组件沿第一方向的相对位置关系的一种示意图；

图8为采用本申请实施例提供的掩膜组件进行第一次曝光显影和第二次曝光显影时，掩膜组件沿第一方向的相对位置关系的另一种示意图；

图9为采用本申请实施例提供的掩膜组件分别进行第一次曝光显影和第二次曝光显影时，掩膜组件沿第一方向的相对位置关系的又一种示意图；

图10为申请实施例提供的曝光显影方法的流程图。

附图标记说明：

100’、掩膜组件；110’、第一掩膜板；110a’、第一拼接线；111’、第一拼接子区；112’、第一非重叠曝光区；120’、第二掩膜板；120a’、第二拼接线；121’、第二拼接子区；122’、第二非重叠曝光区；130’、透光部；140’、遮挡部；200’、基板；

100、掩膜组件；110、掩膜板；110a、拼接线；111、第一掩膜板；111a、第一拼接线；112、第二掩膜板；112a、第二拼接线；

120、遮挡部；121、第一遮挡部；122、第二遮挡部；130、透光部；131、第一透光部；132、第二透光部；

AA、拼接区；AA1、第一拼接子区；AA2、第二拼接子区；NA、非重叠曝光区；X、第一方向；

200、基板；210、第一曝光区；220、二次曝光区；230、第二曝光区。

具体实施方式

下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本申请的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请的更好的理解。在附图和下面的描述中，至少部分的公知结构和技术没有被示出，以便避免对本申请造成不必要的模糊；并且，为了清晰，可能夸大了部分结构的尺寸。此外，下文中所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。

此外，为了理解和易于描述，任意地示出图中所示的每个配置的尺寸和厚度，但是本申请构思不限于此。在图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板和区域等的厚度。在图中，为了更好理解和易于描述，放大了一些层和区域的厚度。

可以理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被描述为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在该另一元件上，或者还可以存在中间元件。相比之下，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。此外，在整个说明书中，词语“在”目标元件“上”表示定位在目标元件上方或下方，并且不必须表示基于重力方向定位“在上侧处”。

此外，除非明确地作出相反描述，否则词语“包括”将被理解为隐含包括所陈述的元件，但是不排除任何其它元件。

在制备大尺寸的电池设备，诸如手机和平板电脑等，通常采用拼接掩膜板的方式对基板进行多次曝光，以在基板上形成特定的图案。比如，可以使用掩膜组件对基板进行刻蚀，以刻蚀掉基板上的金属层的部分区域，而保留特定的金属图案。

如图1示出了相关技术中的采用的掩膜组件100’的结构示意图。掩膜组件100’包括第一掩膜板110’和第二掩膜板120’，第一掩膜板110’具有第一拼接子区111’和第一非重叠曝光区112’，第一掩膜板110’的第一拼接子区111’和第一非重叠曝光区112’的分界线为第一拼接线110a’。第二掩膜板120’具有第二拼接子区121’和第二非重叠曝光区122’，第二掩膜板120’的第二拼接子区121’和第二非重叠曝光区122’的分界线为第二拼接线120a’。第一掩膜板110’和第二掩膜板120’均包括透光部130’和遮挡部140’，第一拼接子区111’和第二曝光子区121’内均设置有透光部130’和遮挡部140’的一部分。

具体地，可以先使用第一掩膜板110’对基板进行第一次曝光显影，然后使用第二掩膜板120’对基板进行第二次曝光显影。并使第一拼接线110a’和第二拼接线120a’相对基板的位置尽可能重合。

如图2示出了相关技术中在完成采用第一掩膜板110’对基板200’的第一次曝光显影后，采用第二掩膜板120’对基板200’进行第二次曝光显影的结构示意图，其中箭头示意光的衍射方向。在对第二拼接线120’和第一拼接线110’进行拼接的过程中，二者可能会存在错位的现象，为了降低因第二拼接线120’相对第一拼接线110’错位而导致基板200’上附近的区域没有被曝光而导致刻蚀不干净的风险，通常在第一拼接子区111’内与第一拼接线110a’相邻的区域、第二拼接子区121’内与第二拼接线120a’相邻的区域均设置有透光部130’。如此，即使第二拼接线120’和第一拼接线110’存在一定的错位，也能够保证基板200’上第二拼接线120’和第一拼接线110’附近的区域得到刻蚀。

然而，如图2中的箭头所示，在曝光的过程中，由于光的衍射作用，会造成照射在第二拼接子区111’内的透光部130’上的光被衍射到基板200’上与遮挡部140’对应的区域，如此，易造成基板上与第一拼接子区111’的透光部130’相邻的图案的线宽变细甚至断线的问题，严重影响显示面板的成品率。

有鉴于此，本申请实施例提供一种掩膜组件及曝光显影方法，以下将结合附图对掩膜组件及曝光显影方法的各实施例进行说明。

如图3至图5分别示出了本申请实施例提供的三种不同的掩膜组件100的主视图。

如图3至图5所示，本申请实施例提供一种掩膜组件100，该掩膜组件100可以用于制备显示面板，显示面板可以是有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示面板。

根据本申请实施例提供的掩膜组件100包括至少一个掩膜板110，掩膜板110具有沿第一方向X并排设置的拼接区AA和非重叠曝光区NA。掩膜板110包括遮挡部120和透光部130，遮挡部120包括位于拼接区AA的第一遮挡部121和位于非重叠曝光区NA的第二遮挡部122，第一遮挡部121和第二遮挡部122用于遮挡光线。透光部130连接于遮挡部120并用于曝光显影，透光部130包括位于拼接区AA的第一透光部131和位于非重叠曝光区NA的第二透光部132，第一遮挡部121位于第一透光部131背离非重叠曝光区NA的一侧，其中，第一透光部131的透光率大于零，且小于第二透光部132的透光率。

具体地，在使用掩膜组件100对基板200进行曝光显影的过程中，可以设置基板200上被遮挡部120覆盖的部分得以保留，而与透光部130对应的部分被刻蚀掉，如此，基板200上仅保留有与遮挡部120覆盖的部分。通过设置遮挡部120的具体形状，实现基板200上相关膜层的图案化。

具体地，在使用掩膜组件100对基板200进行曝光的过程中，可以将拼接区AA和非重叠曝光区NA的边界作为拼接线110a，并尽量使相邻两次曝光采用的掩膜板110的拼接线110a相互重合。

可以理解的是，掩膜板110的拼接区AA对应的基板200上的区域为相邻两次曝光的过程中都得到曝光的区域。由于相邻两次曝光的拼接区AA分别位于拼接线110a沿第一方向X的两侧，所以两次曝光的拼接区AA的第一透光部131并不是对应基板200的同一个区域。

可选地，掩膜组件100可以仅包括一个掩膜板110，也可以包括两个或者更多个掩膜板110。具体根据实际需求进行设置，这里不做限制。

在掩膜组件100包括一个掩膜板110的实施例中，可以在掩膜板110上设置一个拼接区AA和一个非重叠曝光区NA，在对基板200进行多次曝光的过程中，第二次曝光时，掩膜板110相对于前一次曝光时，沿以垂直于基板200表面的方向为旋转中心旋转180°，且相邻两次曝光掩膜板110的拼接线110a在基板200上的投影尽量重合。或者，可以在掩膜板110上沿第一方向X相对的两侧分别设置一个拼接区AA，则每一个拼接区AA与非重叠曝光区NA之间分别形成一个拼接线110a，相邻两次曝光分别使用其中一个拼接区AA，如此，第二次曝光时，掩膜板110相对于前一次曝光时的位置沿第一方向X平移，且相邻两次曝光的拼接线110a相对于基板200的位置尽量重合，也可以实现掩膜组件100对基板200的曝光显影目的。

示例性地，如图6所示，可以设置基板200包括第一曝光区210和第二曝光区230，以及位于第一曝光区210和第二曝光区230之间的二次曝光区220。在对基板200进行曝光显影的过程中，第一次曝光显影可以采用掩膜板110对第一曝光区210和二次曝光区220进行曝光，而在第二次曝光的过程中，可以采用掩膜板110对第二曝光区230和二次曝光区220进行曝光。

可以理解的是，在对基板200的第一曝光区210和第二曝光区230分别进行曝光显影的过程中，无法保证光线正好照射在掩膜板110的边缘，因此在拼接区AA设置第一遮挡部121，并设置第一遮挡部121位于第一透光部131背离拼接区AA的一侧，如此设置，可以在两次曝光中，对基板200上与第一透光部131相邻的区域进行保护，降低其因被曝光而部分或者全部被刻蚀掉的风险。

可选地，遮挡部120可以呈条形分布，也可以呈曲线形或者其它不规则形状分布，具体可以根据实际需求进行设置。

设置第一透光部131的透光率大于零，且小于第二透光部132的透光率，则在使用同样强度的光进行曝光的过程中，光能够透过第一透光部131对基板200进行刻蚀，且透过第一透光部131的光照强度小于透过第二透光部132的光照强度。如此，透过第一透光部131衍射到相邻的被第二遮挡部122遮挡的基板200上的金属的衍射光的强度也会减小。

本申请实施例提供的掩膜组件100，设置第一透光部131的透光率大于零，且小于第二透光部132的透光率，在对基板200进行曝光显影的过程中，透过第一透光部131照射到基板200上的光照强度小于透过第二透光部132照射到基板200的光照强度。如此有利于减小透过第一透光部131衍射到基板200上相邻被第二遮挡部122遮挡的区域的衍射光强度，降低基板200上本该保留的图案被刻蚀掉的风险，即降低基板200上的图案的线宽变细或者断线的风险。

可以理解的是，在相邻两次曝光中，对掩膜板110的拼接线110a进行拼接的过程中，并不能完全保证两次曝光的拼接线110a相对基板200的位置正好重合，存在拼接线110a相互间隔的可能性。而拼接线110a之间存在间隔也分两种情况，一种是第二次曝光的拼接线110a越过前次曝光的拼接线110a，另一种是第二次曝光的拼接线110a没有越过前次曝光的拼接线110a。

如图7至9所示，分别示出了采用本申请实施例提供的掩膜组件100在相邻两次曝光显影的拼接线110a沿第一方向X的相对位置关系，为了便于查看，将两次曝光中使用的掩膜板110沿垂直于第一方向X的方向错位设置，并不表示实际使用的过程中是如此放置的。其中，图7示出了两次曝光显影的拼接线110a重合的示意图，图8示出了两次曝光显影的拼接线110a沿第一方向X间隔设置，且第二次曝光显影的拼接线110a越过上次曝光显影的拼接线110a的示意图，图9示出了两次曝光显影的拼接线110a沿第一方向X间隔设置，且第二次曝光显影的拼接线110a没有越过上次曝光显影的拼接线110a的示意图。

对于相邻两次曝光的拼接线110a重合，以及拼接线110a之间存在间隔且第二曝光的拼接线110a越过前次曝光的情况，即如图7和图8所示的情形，无论第一掩膜区的透光率是多少，在经历两次曝光后，都能保证基板200上各区域得到足够多的曝光量，因而不会产生刻蚀不干净的现象。

而对于两次曝光的拼接线110a之间有间隔，且第二次曝光的拼接线110a没有越过前次曝光的拼接线110a的情况，即如9所示的情形，两次曝光的拼接线110a之间对应的基板200的区域，都被第一透光部131覆盖，即相邻两次曝光的拼接线110a之间对应的基板200的区域，在两次曝光中都没有得到如第二掩膜区的光照强度。因此，为了保证两次曝光的拼接线110a之间对应基板200的区域能够被刻蚀干净，则需要满足两次曝光过程中通过第一透光部131照射到基板200的光照强度之和与单次曝光过程中第二透光部132的光照强度相当，如此，才能保证相邻两次曝光的拼接线110a之间对应基板200的区域得到足够的光照，以降低该区域存在刻蚀不干净的风险。

如图3至图5所示，在一些实施例中，第一透光部131的透光率为第二透光部132的透光率的一半。

如此设置，无论是对掩膜组件100包括一个掩膜板110，或者是掩膜组件100包括两个掩膜板110的情况，都可以保证相邻两次曝光的拼接线110a在任何情况下，基板200上与第一透光部131对应的区域得到足够的光照强度，在采用掩膜组件100对基板200进行曝光后，降低掩膜板110上与第一透光部131对应的区域刻蚀不干净而有残留的风险。

示例性地，如果第二透光部132的光照量正好能够将基板200上的相关膜层如金属刻蚀干净，则在相邻两次曝光的拼接线110a有间隔，且后一次曝光的拼接线110a没有越过前次曝光的拼接线110a的情况下，第一次曝光的过程中，将相邻两个拼接线110a之间对应的基板200上的金属刻蚀掉了一半，而第二次曝光的过程中，将上述区域的剩下的一半金属刻蚀掉。

如图4所示，在另一些实施例中，同一掩膜板110上，拼接区AA包括第一拼接子区AA1和第二拼接子区AA2，第一拼接子区AA1和第二拼接子区AA2分别设置于非重叠曝光区NA相对的两侧。第一拼接子区AA1内第一透光部131的透光率为a1，第二拼接子区AA2内第一透光部131的透光率为a2，非重叠曝光区NA内第二透光部132的透光率为c，a1＞0，a2＞0，且a1+a2＝c。

该实施例中，掩膜组件100可以仅包括一个掩膜板110，且同一掩膜板110上，拼接区AA包括位于非重叠曝光区NA沿第一方向X两侧的第一拼接子区AA1和第二拼接子区AA2。且第一拼接子区AA1和第二拼接子区AA2均设置有第一透光部131和第一遮挡部121。第一拼接子区AA1与非重叠曝光区NA的边界为第一拼接线111a，第二拼接子区AA2域非重叠曝光区NA的分界为第二拼接线112a。

在使用的过程中，先使用掩膜板110的第一拼接子区AA1和非重叠曝光区NA一起覆盖基板200的第一曝光区210和二次曝光区220，然后沿第一方向X平移掩膜板110，以使第二拼接子区AA2和非重叠曝光区NA一起覆盖第二曝光区230和二次曝光区220，且平移后第二拼接线112a与第一拼接线111a对应的基板200的位置对齐。

设置a1+a2＝c，则a1和a2分别有多种组合，比如，a1＝0.2c、a2＝0.8c，或者，a1＝0.3c、a2＝0.7c，或者，a1＝0.4c、a2＝0.6c，或者，a1＝0.5c、a2＝0.5c，当然也可以有别的组合方式。

如此设置，在相邻两次曝光的拼接线110a有间隔，且后一次曝光的拼接线110a没有越过前次曝光的拼接线110a的情况下，第一拼接线111a和第二拼接线112a之间对应的基板200的区域在经历两次曝光后，能够得到与第二透光部132对应的基板200的区域相当的曝光量，即有效地降低第一拼接线111a和第二拼接线112a之间对应的基板200的区域存在金属残留的风险。

在一些实施例中，a1＝a2＝c/2。即每次曝光时，第一透光部131的曝光量相当于第二透光部132的曝光量的一半，如此，在降低第一拼接线111a和第二拼接线112a之间对应的基板200的区域的金属残留的风险的同时，使得每次曝光时，第一透光部131的曝光量都降到最低，以在每次曝光的过程中，尽可能的降低透过第一透光部131的光照强度，以将从第一透光部131衍射到相邻的第一遮挡部121对应的基板200上的衍射光的强度降到最低，进而降低基板200上形成的图案的线宽降低或者断线的风险。

如图5所示，在一些实施例中，掩膜板110包括第一掩膜板111和第二掩膜板112，拼接区AA包括位于第一掩膜板111的第一拼接子区AA1和位于第二掩膜板112的第二拼接子区AA2，其中，第一拼接子区AA1内的第一透光部131的透光率为b1，第二拼接子区AA2内第二透光部132的透光率为b2，第一掩膜板111和第二掩膜板112的非重叠曝光区NA内的第二透光部132的透光率均为d，b1+b2＝d。

具体地，可以先使用第一掩膜板111对基板200的第一曝光区210和拼接区AA进行曝光，再使用第二掩膜板112对基板200的第二曝光区230和拼接区AA进行曝光。第一掩膜板111上的第一拼接子区AA1和非重叠曝光区NA的分界线可以为第一拼接线111a，第二掩膜板112上的第二拼接子区AA2和非重叠曝光区NA的分界线可以为第二拼接线112a。

设置b1+b2＝d，则b1和b2分别有多种组合，比如，b1＝0.2d、b2＝0.8d，或者，b1＝0.3d、b2＝0.7d，或者，b1＝0.4d、b2＝0.6d，或者，b1＝0.5d、b2＝0.5d，当然也可以有别的组合方式。

如此设置，在相邻两次曝光的拼接线110a有间隔，且后一次曝光的拼接线110a没有越过前次曝光的拼接线110a的情况下，第一拼接线111a和第二拼接线112a之间对应的基板200的区域在经历两次曝光后，能够得到与第二透光部132对应的基板200的区域相当的曝光量，即有效地降低第一拼接线111a和第二拼接线112a之间对应的基板200的区域存在金属残留的风险。

在一些可选的实施例中，b1＝b2＝d/2。即每次曝光时，第一透光部131的曝光量相当于第二透光部132的曝光量的一半，如此，在降低第一拼接线111a和第二片接线之间对应的基板200的区域的金属残留的风险的同时，使得每次曝光时，第一透光部131的曝光量都降到最低，以在每次曝光的过程中，尽可能的降低每次曝光的过程中透过第一透光部131的光照强度，进而将从第一透光部131衍射到相邻的第一遮挡部121对应的基板200上的衍射光的强度降到最低，进而降低基板200上图案的线宽降低或者断线的风险。

如图7所示，在一些实施例中，第一重叠子曝光区内第一透光部131和同一掩膜板110上第二遮挡部122的最小间距d1、第二拼接子区AA2内第一透光部131的宽度W2满足：d1≥W2。

第一拼接子区AA1内第一透光部131和同一掩膜板110上第二遮挡部122的最小间距即第一透光部131靠近非重叠曝光区NA一侧的边界到第二遮挡部122靠近第一拼接子区AA1一侧的边界的距离的最小值。

如此设置，在先使用第一拼接子区AA1和非重叠曝光区NA对基板200进行曝光，再使用第二拼接子区AA2和非重叠曝光区NA对进行曝光的过程中，第一拼接线111a和第二拼接线112a对齐放置后，由于d1≥W2，第二拼接子区AA2内的第一透光部131不会覆盖非重叠曝光区NA内的遮挡部120。

因此，设置d1≥W2，在先使用第一拼接子区AA1和非重叠曝光区NA、后使用第二拼接子区AA2和非重叠曝光区NA分别对基板200进行曝光的情况下，可以降低被非重叠曝光区NA内遮挡部120覆盖的基板200上的金属被刻蚀掉的风险，进一步提高显示面板的成品率。

如图8所示，在另一些实施例中，第二拼接子区AA2内第一透光部131和同一掩膜板110上第二遮挡部122的最小间距d2、所述第一拼接子区AA1内所述第一透光部131的宽度W1满足：d2≥W1。

第二拼接子区AA2内第一透光部131和同一掩膜板110上第二遮挡部122的最小间距，即为第二拼接子区AA2的第一透光部131靠近非重叠曝光区NA一侧的边界到第二遮挡部122靠近第一拼接子区AA1一侧的边界的距离的最小值。

如此设置，在先使用第二拼接子区AA2和非重叠曝光区NA对基板200进行曝光，再使用第一拼接子区AA1和非重叠曝光区NA对进行曝光的过程中，第一拼接线111a和第二拼接线112a对齐放置后，由于d2≥W1，第一拼接子区AA1内的第一透光部131不会覆盖非重叠曝光区NA内的遮挡部120。

因此，设置d2≥W1，在先使用第二拼接子区AA2和非重叠曝光区NA、后使用第一拼接子区AA1和非重叠曝光区NA分别对基板200进行曝光的情况下，可以降低被非重叠曝光区NA内遮挡部120覆盖的基板200上的金属被刻蚀掉的风险，有利于进一步提高显示面板的成品率。

在一些实施例中，第一透光部131与第二遮挡部122的最小间距d满足：d≥2μm。

在掩膜组件100包括第一拼接子区AA1和第二拼接子区AA2的实施例中，第一透光部131可以是第一拼接子区AA1内的第一透光部131，或者可以是第二拼接子区AA2内的第一透光部131。第一透光部131与第二遮挡部122的最小间距，可以为第一透光部131与最接近的第二遮挡部122的最小间距。

可以理解的是，设置d≥2μm，则在第二次曝光的过程中，拼接区AA对应的基板200上的区域与前一次曝光的第二遮挡区对应的基板200上的区域具有足够的间隔，在两次曝光的拼接线110a的位置偏差在误差允许的范围内的情况下，该间隔可以有效地降低第二遮挡区覆盖的基板200的区域被刻蚀的风险。

在一些实施例中，沿第一方向X，第一透光部131的宽度W满足：W≥0.6μm。

在掩膜板110包括第一拼接子区AA1和第二曝光区230的实施例中，可以设置第一拼接子区AA1的宽度满足上述条件，或者设置第二拼接子区AA2的宽度满足上述条件，或者，同时设置第一拼接子区AA1和第二拼接子区AA2的宽度满足上述条件。

可以理解的是，设置第一透光部131的宽度W满足上述条件，则在相邻两次曝光的拼接线110a的位置存在偏差的情况下，基板200上与拼接线110a对应的位置的附近也能够得到刻蚀，以降低因相邻两次曝光的拼接线110a的位置偏差而造成拼接线110a附近的区域无法得到足够的光照而存在金属残留的问题。

如图10示出了本申请实施例提供的曝光显影方法的流程图。

如图10所示，根据本申请实施例提供的曝光显影方法包括：

S10、提供基板200，基板200包括并排设置的第一曝光区210、二次曝光区220和第二曝光区230，二次曝光区220位于第一曝光区210和第二曝光区230之间。

S20、提供掩膜组件100，掩膜组件100包括至少一个掩膜板110，掩膜板110具有沿第一方向X并排设置的拼接区AA和非重叠曝光区NA。掩膜板110包括遮挡部120和透光部130，遮挡部120包括位于拼接区AA的第一遮挡部121和位于非重叠曝光区NA的第二遮挡部122，第一遮挡部121和第二遮挡部122用于遮挡光线。透光部130连接于遮挡部120并用于曝光显影，透光部130包括位于拼接区AA的第一透光部131和位于非重叠曝光区NA的第二透光部132，第一遮挡部121位于第一透光部131背离非重叠曝光区NA的一侧，其中，第一透光部131的透光率大于零，且小于第二透光部132的透光率。

S30、采用掩膜组件100对第一曝光区210和二次曝光区220进行第一次曝光显影，掩膜板110覆盖第一曝光区210和二次曝光区220。

S40、采用掩膜组件100对第二曝光区230和二次曝光区220进行第二次曝光显影，掩膜板110覆盖二次曝光区220和第二曝光区230，其中，第一次曝光显影和第二曝光显影时，拼接区AA和非重叠曝光区NA的边界分别在基板200的正投影的间距小于或者等于预设距离。

在S30步骤中，采用掩膜板110对第一曝光区210和二次曝光区220进行曝光的过程中，掩膜板110的非重叠曝光区NA可以覆盖第一曝光区210的全部和二次曝光区220的一部分，掩膜板110的拼接区AA可以覆盖二次曝光区220的另一部分。而在S40步骤中，掩膜板110的非重叠曝光区NA可以覆盖第二曝光区230的全部和二次曝光区220的一部分，掩膜板110的拼接区AA覆盖第一曝光区210的另一部分。

可选地，掩膜板110“覆盖”二次曝光区220和第一曝光区210，可以是掩膜板110沿垂直于基板200的方向在基板200上的投影与二次曝光区220和第一曝光区210重合。同理，掩膜板110“覆盖”二次曝光区220和第二曝光区230，可以是掩膜板110沿垂直于基板200的方向在基板200上的投影与二次曝光区220和第二曝光区230重合。

第一次曝光显影和第二次曝光显影时，拼接区AA和非重叠曝光区NA的边界分别在基板200的正投影的间距小于或者等于预设距离，即设置相邻两次曝光时，拼接线110a在基板200上的正投影的间距满足预设距离，如此，可以降低因两次曝光的拼接线110a错位太多而导致基板200上与遮挡部120对应的区域被刻蚀掉的风险。

本申请实施例提供的曝光显影方法，由于采用了本申请实施例提供的掩膜组件100，第一透光部131的透光率小于第二透光部132的透光率，则在对基板200进行曝光显影的过程中，从第一透光部131入射的光的轻度小于从第二透光部132入射的光的强度，如此，光线透光第一透光部131衍射到被相邻的遮挡部120覆盖的基板200上的图案的衍射光的强度也会降低，如此能够降低基板200上的图案的线宽降低或者断线的风险。

在一些实施例中，预设距离e满足：e≤1.4mm。

如此，相邻两次曝光的掩膜板110的拼接线110a在基板200上的正投影的间距的最大值为1.4mm。

如此设置，可以降低相邻两次曝光的拼接线110a在基板200上的正投影错位太多而到这基板200上的图案的线宽变细或者断线的风险。

对于掩膜组件100的不同结构型式，掩膜组件100在第一次曝光时和第二次曝光时分别相对于基板200的位置以及在两次曝光之间掩膜组件100的位置变换的方式也不一样。

在一些实施例中，第一透光部131的透光率为第二透光部132的透光率的一半，步骤S40、采用掩膜组件100对第二曝光区230和二次曝光区220进行第二次曝光显影，具体包括：

将掩膜板110沿平行于基板200的方向旋转180°，并沿第一方向X移动掩膜板110，以使拼接区AA和非重叠曝光区NA覆盖二次曝光区220和第二曝光区230。

也就是说，对于掩膜组件100仅包括一个掩膜板110，且掩膜板110仅一侧设置拼接区AA，两次曝光过程中均需要用到整个掩膜板110，则此时需要将掩膜板110以垂直于基板200的方向为旋转中心旋转180°。然后再平移掩膜板110，以使两次曝光的拼接线110a的间距满足预设距离。

在一些实施例中，同一所述掩膜板110上，拼接区AA包括第一拼接子区AA1和第二拼接子区AA2，第一拼接子区AA1和第二拼接子区AA2分别设置于非重叠曝光区NA相对的两侧。第一拼接子区AA1内第一透光部131的透光率为a1，第二拼接子区AA2内第一透光部131的透光率为a2，非重叠曝光区NA内第二透光部132的透光率为c，a1＞0，a2＞0，且a1+a2＝c。S30、采用掩膜组件100对第一曝光区210和二次曝光区220进行第一次曝光显影的步骤中，第一拼接子区AA1和非重叠曝光区NA覆盖二次曝光区220和第一曝光区210。S40、采用掩膜组件100对第二曝光区230和二次曝光区220进行第二次曝光显影的步骤中，第二拼接子区AA2和非重叠曝光区NA覆盖二次曝光区220和第二曝光区230。

也就是说，对于掩膜组件100包括一个掩膜板110，且一个掩膜板110上沿第一方向X相对的两侧分别设置有第一拼接子区AA1和第二拼接子区AA2的实施例，在采用掩膜组件100对基板200进行曝光显影的过程中，第一次曝光显影使用第一拼接子区AA1和非重叠曝光区NA进行曝光，而第二次曝光显影则使用第二拼接子区AA2和非重叠曝光区NA进行曝光。

在第一次曝光完成后，可以采用使掩膜板110沿第一方向X平移的方式，以为第二次曝光显影做准备。

在一些实施例中，掩膜板110包括第一掩膜板111和第二掩膜板112，拼接区AA包括位于第一掩膜板111的第一拼接子区AA1和位于第二掩膜板112的第二拼接子区AA2，其中，第一拼接子区AA1内第一透光部131的透光率为b1，第二拼接子区AA2内第二透光部132的透光率为b2，第一掩膜板111和第二掩膜板112的非重叠曝光区NA内的第二透光部132的透光率均为d，b1+b2＝d。S30、采用掩膜组件100对第一曝光区210和二次曝光区220进行第一次曝光显影的步骤中，采用第一掩膜板111对第一曝光区210和第二曝光区230进行曝光显影，第一拼接子区AA1和非重叠曝光区NA覆盖二次曝光区220和第一曝光区210。S40、采用掩膜组件100对第二曝光区230和二次曝光区220进行第二次曝光显影的步骤中，采用第二掩膜板112对二次曝光区220和第二曝光区230进行显影曝光，第二拼接子区AA2和非重叠曝光区NA覆盖二次曝光区220和第二曝光区230。

也就是说，对于掩膜组件100包括第一掩膜板111和第二掩膜板112的实施例中，在第一次曝光显影和第二次曝光显影的过程中，可以分别使用第一掩膜板111和第二掩膜板112对基板200进行显影曝光。

虽然已经参考优选实施例对本申请进行了描述，但在不脱离本申请的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本申请并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。