抗氧化导电膜及其制备方法

技术领域

本申请涉及薄膜制备技术领域，具体而言，涉及一种抗氧化导电膜及其制备方法。

背景技术

导电膜是指可以导电的复合薄膜，导电膜包括塑料材质的支撑层和设置在支撑层上的导电层。导电膜用途很广，比如可以用于电磁屏蔽中，也可以用于电池中等。用于电池中时，主要作为电池的正极集流体或者负极集流体使用。当前的导电膜包括支撑层和金属导电层，镀设在支撑层上的金属导电层是分多层层积在支撑层上的，不同金属形成的导电层具有不同的电极电位，电极电位不同的相邻金属导电层之间由于存在接触电阻，这将会加速具有低电极电位的导电层的氧化腐蚀。存在接触电阻的导电膜接触到腐蚀性电解质(比如空气、水)时，导电膜中低电极电位的金属导电层容易释放电子而被氧化腐蚀，这种腐蚀效应称为接触腐蚀。由此，导致导电膜在运输或者存放过程中金属导电层容易氧化变质，从而影响使用该导电膜的产品质量。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种抗氧化导电膜及其制备方法，以至少解决导电膜在运输或者存放过程中金属导电层容易氧化变质的问题。

根据本申请的一个方面，提供了一种抗氧化导电膜，包括：

支撑层，沿第一方向，所述支撑层包括第一表面和第二表面；

金属导电层，所述金属导电层设置于所述第一表面和所述第二表面两者至少之一上，其中，所述金属导电层包括沿远离所述支撑层的方向依次设置的至少两层金属主体层，且相邻所述金属主体层之间的电极电位不同；

非金属导电层，所述非金属导电层设置于相邻两层所述金属主体层之间。

进一步地，所述金属主体层包括：

第一金属主体层，所述第一金属主体层设置于所述支撑层和所述非金属导电层之间；

第二金属主体层，所述第二金属主体层设置于所述非金属导电层远离所述第一金属主体层的表面，且所述第二金属主体层的电极电位高于所述第一金属主体层的电极电位。

进一步地，所述第一金属主体层沿所述第一方向的厚度位于10nm至50nm之间。

进一步地，所述金属主体层包括：

金属导电颗粒，所述金属导电颗粒包括多颗，多颗所述金属导电颗粒嵌设于所述支撑层内，所述非金属导电层覆盖设置于所述支撑层和所述金属导电颗粒上；

第三金属主体层，所述第三金属主体层设置于所述非金属导电层远离所述支撑层的表面，且所述第三金属主体层的电极电位高于所述金属导电颗粒的电极电位。

进一步地，所述非金属导电层包括硅层、砷化镓层、碳化硅层、硒层、硼层、碲层中的任一种；和/或，所述非金属导电层沿所述第一方向的厚度位于50nm至1um之间。

进一步地，相邻两层所述金属主体层之间的电极电位之差的绝对值大于0.25V。

进一步地，相邻两层所述金属主体层中，电极电位较高的所述金属主体层包括铜层、金层、银层中的任一种，电极电位较低的所述金属主体层包括钕层、铝层、镁层、钛层、锰层、钨层、锌层、铬层、镍硼层中的任一种。

根据本申请的另一个方面，提供了一种抗氧化导电膜制备方法，所述方法用于制备所述的抗氧化导电膜。

进一步地，所述金属导电层包括金属导电颗粒和第三金属主体层，所述金属导电颗粒包括多颗，所述方法还包括：

步骤S11：将多颗所述金属导电颗粒嵌设于所述支撑层内后，采用表面处理工艺将所述金属导电颗粒凸出于所述支撑层表面的部位进行剔除处理，以使所述金属导电颗粒沿所述第一方向的两端均与所述支撑层表面平齐或均位于所述支撑层表面以内，或使所述金属导电颗粒沿第一方向的一端与支撑层表面平齐、另一端位于支撑层表面以内；

步骤S12：将所述非金属导电层覆盖设置于所述支撑层和所述金属导电颗粒上；

步骤S13：将所述第三金属主体层设置于所述非金属导电层远离所述支撑层的表面，且所述第三金属主体层的电极电位高于所述金属导电颗粒的电极电位。

进一步地，所述方法还包括：

采用铜、金、银中的任一种金属材料制成相邻两层金属主体层中电极电位较高的金属主体层，采用钕层、铝层、镁层、钛层、锰层、钨层、锌层、铬层、镍硼层中的任一种金属材料制成相邻两层所述金属主体层中电极电位较低的金属主体层。

进一步地，所述非金属导电层采用胶粘剂、溶剂以及非金属半导体材料按1:2:5的比例混合制成。

本申请通过在抗氧化导电膜的相邻金属主体层之间设置非金属导电层，非金属导电层无论与电极电位较高的金属主体层还是与电极电位较低的金属主体层之间，均不会产生接触电阻，也就不会产生接触腐蚀效应，从而保护金属主体层不被氧化腐蚀，也就确保了抗氧化导电膜在运输或者存放过程中不易氧化变质。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1为本发明一实施例提供的抗氧化导电膜的结构示意图；

图2为本发明一实施例提供的抗氧化导电膜的结构示意图；

图3为本发明一实施例提供的抗氧化导电膜制备方法的工艺流程图。

其中，上述附图包括以下附图标记：

10、支撑层；11、第一表面；12、第二表面；20、金属导电层；21、第一金属主体层；22、第二金属主体层；23、金属导电颗粒；24、第三金属主体层；30、非金属导电层。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。

需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。

除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本申请的范围。同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

针对导电膜在运输或者存放过程中其金属导电层20容易氧化变质的问题，本发明第一个实施例提供了一种抗氧化导电膜，该抗氧化导电膜包括支撑层10、金属导电层20以及非金属导电层30。具体地，沿第一方向，支撑层10包括第一表面11和第二表面12。金属导电层20设置于第一表面11和第二表面12两者至少之一上，其中，金属导电层20包括沿远离支撑层10的方向依次设置的至少两层金属主体层，且相邻金属主体层之间的电极电位不同。非金属导电层30设置于相邻两层金属主体层之间。

本发明实施例通过在抗氧化导电膜的相邻金属主体层之间设置非金属导电层30，非金属导电层30无论与电极电位较高的金属主体层还是与电极电位较低的金属主体层之间，均不会产生接触电阻，也就不会产生接触腐蚀效应，从而保护金属主体层不被氧化腐蚀，也就确保了抗氧化导电膜在运输或者存放过程中不易氧化变质。

本发明实施例提供的金属主体层包括第一金属主体层21和第二金属主体层22。第一金属主体层21设置于支撑层10和非金属导电层30之间。第二金属主体层22设置于非金属导电层30远离第一金属主体层21的表面，且第二金属主体层22的电极电位高于第一金属主体层21的电极电位。由此，本发明实施例中的非金属导电层30与第一金属主体层21和第二金属主体层22之间均不会产生接触电阻，则第一金属主体层21与第二金属主体层22也就不会被氧化腐蚀。且由于电极电位较高的第二金属主体层22是位于抗氧化导电膜的最表层的(即非金属导电层30远离第一金属主体层21的表面)，因此，在该抗氧化导电膜运输或存储过程中即使接触到空气、水等物质，暴露在外侧的第二金属主体层22也不会被氧化。也就是说，即使第一金属主体层21被氧化腐蚀，本发明实施例中的抗氧化导电膜由于第二金属主体层22不会被氧化，因此，仍然能够防止抗氧化导电膜的导电功能失效，确保导电膜能够正常使用。

为节约抗氧化导电膜的成本，本发明实施例中的第一金属主体层21沿第一方向的厚度位于10nm至50nm之间。如在支撑层10的表面设置10nm、20nm、30nm、40nm、50nm其中之一厚度值下的第一金属主体层21，由此，确保第一金属主体层21不会过厚，降低抗氧化导电膜的生产成本以及重量。

本发明实施例为提高具有较低电极电位的第一金属主体层21与支撑层10之间的结合力，可以对支撑层10的第一表面11和/或第二表面12采用表面处理工艺进行表面处理，如可以对支撑层10的第一表面11和/或第二表面12进行电晕处理、等离子处理等，来改变支撑层10表面张力，增加支撑层10和第一金属主体层21之间的结合力，提高抗氧化导电膜的使用寿命。本发明实施例还可以在支撑层10上层积一层可以提高第一金属主体层21与支撑层10之间的结合力的粘结力增强层，该粘结力增强层可包括氧化铝层、氮化硅层、碳化硅层、聚乙二醇层中的任一种。

在本发明一优选实施例中，金属主体层包括金属导电颗粒23和第三金属主体层24。金属导电颗粒23包括多颗，多颗金属导电颗粒23嵌设于支撑层10内，非金属导电层30覆盖设置于支撑层10和金属导电颗粒23上。本发明实施例可采用辊压的方式将金属导电颗粒23压入支撑体。第三金属主体层24设置于非金属导电层30远离支撑层10的表面，且第三金属主体层24的电极电位高于金属导电颗粒23的电极电位。由此，本发明实施例不仅能够通过非金属导电层30将金属导电颗粒23和第三金属主体层24隔离开，避免金属导电颗粒23和第三金属主体层24被氧化腐蚀。且由于非金属导电层30除与金属导电颗粒23接触外还与支撑层10的表面具有一定的接触面积，即使金属导电颗粒23产生接触腐蚀效应后，非金属导电层30和第三金属主体层24均不会脱落，从而使得抗氧化导电膜不会氧化变质的同时获得更长的使用寿命。

且本发明实施例还可以在支撑层10上层积一层可以提高非金属导电层30与支撑层10之间的结合力的粘结力增强层，该粘结力增强层可包括氧化铝层、氮化硅层、碳化硅层、聚乙二醇层中的任一种。从而进一步确保非金属导电层30不会脱落，延长抗氧化导电膜的使用寿命。

具体地，本发明实施例在将较低电极电位的金属导电颗粒23辊压嵌入到支撑层10中后，若该金属导电颗粒23沿第一方向的部位凸出于支撑层10表面，则对支撑层10表面(即第一表面11和/或第二表面12)采用表面处理工艺进行处理，将金属导电颗粒23的凸出部位处理掉。使金属导电颗粒23沿第一方向的两端均与支撑层10表面平齐或均位于支撑层10表面以内，或使金属导电颗粒23沿第一方向的一端与支撑层10表面平齐、另一端位于支撑层10表面以内，金属导电颗粒23位于支撑层10表面以内时金属导电颗粒23沿第一方向的两端均不会被支撑层10覆盖住，而是由后续镀设到支撑层10上的非金属导电层30覆盖住，确保整个抗氧化导电膜导电性能的同时，防止抗氧化导电膜被氧化腐蚀。该表面处理工艺如电晕处理、等离子表面处理机进行等离子处理等。本发明实施例可采用磁控溅射的方式在支撑层10上镀设非金属导电层30，最后再在非金属导电层30上溅射比金属导电颗粒23的电极电位更高的第三金属主体层24。

此外，由于本发明实施例中的非金属导电层30由于是具有导电性的导电层，对此，其不仅能够将第一金属主体层21和第二金属主体层22分隔开，保护第一金属主体层21和第二金属主体层22不被氧化腐蚀，还能增大抗氧化导电膜的方块电阻，从而增强抗氧化导电膜的导电性能。

具体地，本发明实施例提供的非金属导电层30包括硅层、砷化镓层、碳化硅层、硒层、硼层、碲层中的任一种。其中，非金属导电层30沿第一方向的厚度位于50nm至1um之间。如在相邻金属主体层之间具体设置50nm、100nm、200nm、400nm、600nm、800nm、1um等其中之一厚度值下的非金属导电层30。由此，在金属主体层包括第一金属主体层21和第二金属主体层22时，通过该非金属导电层30有效地将较低电极电位的第一金属主体层21和较高电极电位的第二金属主体层22隔离开，防止第一金属主体层21和第二金属主体层22直接接触产生接触腐蚀效应。在金属主体层包括第三金属主体层24以及嵌入在支撑层10中的金属导电颗粒23时，通过该非金属导电层30有效地将较低电极电位的金属导电颗粒23和较高电极电位的第三金属主体层24隔离开，防止金属导电颗粒23和第三金属主体层24直接接触产生接触腐蚀效应，从而确保获得的抗氧化导电膜不会被氧化腐蚀。

在本发明一优选实施例中，相邻两层金属主体层之间的电极电位之差的绝对值大于0.25V，由此，本发明实施例即可根据该差值选定相邻两层金属主体层各自的金属类型，并通过非金属导电层30将相邻两层金属主体层分隔开，从而保护至少一层金属主体层不被氧化腐蚀，即及时电极电位较低的金属主体层被氧化腐蚀，在对抗氧化导电膜进行抽真空生产相关成品(如电池电芯)之前，即抗氧化导电膜存储、运输过程中，电极电位较高的金属主体层也不会被氧化腐蚀，提升了抗氧化导电膜抗氧化性能的同时确保了抗氧化导电膜的导电性不会失效。

具体地，相邻两层金属主体层中，电极电位较高的金属主体层包括铜层、金层、银层中的任一种，电极电位较低的金属主体层包括钕层、铝层、镁层、钛层、锰层、钨层、锌层、铬层、镍硼层中的任一种。各类型的金属主体层的电极电位即为该金属主体层的金属材料的电极电位，其中，铜层的电极电位为+0.337V(“V”为单位伏特的简写)，金层的电极电位为+1.692V(一阶金)或+1.498V(三阶金)，银层的电极电位为+0.799V。钕层的电极电位为-2.431V，铝层的电极电位为-1.663V，镁层的电极电位为-2.363V，钛层的电极电位为-1.630V，锰层的电极电位为-1.179V，钨层的电极电位为-1.05V，锌层的电极电位为-0.763V，铬层的电极电位为-0.74V，镍硼层的电极电位为-0.5V。本发明实施例中的电极电位较高的金属主体层除了上述的铜层、金层、银层中的任一种，还可以是锡层，由于锡层的电极电位为-0.136V，则电极电位较低的金属主体层选择比锡层的电极电位更低的金属层即可，如此时的电极电位较低的金属主体层可包括钕层、铝层、镁层、钛层、锰层、钨层、锌层等中的任一种。对此，本发明实施例中的相邻金属主体层的具体膜层类型根据相应金属主体层的电极电位而定，相邻金属主体层可不限于本发明上述列举的组合方式。

本发明第二个实施例提供了一种抗氧化导电膜制备方法，该方法用于制备本发明第一个实施例提供的抗氧化导电膜。本发明实施例提供的方法制备的抗氧化导电膜，由于抗氧化导电膜的相邻金属主体层之间设置有非金属导电层30，非金属导电层30无论与电极电位较高的金属主体层还是与电极电位较低的金属主体层之间，均不会产生接触电阻，则各金属主体层与非金属导电层30之间也就不会产生接触腐蚀效应，从而保护金属主体层不被氧化腐蚀，也就确保了抗氧化导电膜在运输或者存放过程中不易氧化变质。

其中，本发明实施例中的金属导电层20包括金属导电颗粒23和第三金属主体层24时，金属导电颗粒23包括多颗，本发明实施例提供的方法还包括：

步骤S11：将多颗金属导电颗粒23嵌设于支撑层10内后，采用表面处理工艺将金属导电颗粒23凸出于支撑层10表面的部位进行剔除处理，以使金属导电颗粒23沿第一方向的两端均与支撑层10表面平齐或均位于支撑层10表面以内，或使金属导电颗粒23沿第一方向的一端与支撑层10表面平齐、另一端位于支撑层10表面以内。这里的表面处理工艺如电晕处理、等离子处理等工艺。

步骤S12：将非金属导电层30覆盖设置于支撑层10和金属导电颗粒23上。

步骤S13：将第三金属主体层24设置于非金属导电层30远离支撑层10的表面，且第三金属主体层24的电极电位高于金属导电颗粒23的电极电位。

由此，本发明实施例通过非金属导电层30将金属导电颗粒23和第三金属主体层24隔离开，避免金属导电颗粒23和第三金属主体层24被氧化腐蚀。且由于非金属导电层30除与金属导电颗粒23接触外还与支撑层10的表面具有一定的接触面积，即使金属导电颗粒23产生接触腐蚀效应后，非金属导电层30和第三金属主体层24均不会脱落，从而使得抗氧化导电膜不会氧化变质的同时获得更长的使用寿命。

此外，由于将金属导电颗粒23凸出于支撑层10表面的部位进行剔除处理，并使金属导电颗粒23沿第一方向的两端均不会被支撑层10覆盖住，而是由后续镀设到支撑层10上的非金属导电层30覆盖住，实现通过非金属导电层30将金属导电颗粒23与第三金属主体层24隔离开，避免金属导电颗粒23凸出于支撑层10表面的部位在镀设非金属导电层30后接触到第三金属主体层24。从而确保整个抗氧化导电膜导电性能的同时，防止抗氧化导电膜被氧化腐蚀。

本发明实施例提供的方法还包括：采用铜、金、银中的任一种金属材料制成相邻两层金属主体层中电极电位较高的金属主体层，采用钕层、铝层、镁层、钛层、锰层、钨层、锌层、铬层、镍硼层中的任一种金属材料制成相邻两层金属主体层中电极电位较低的金属主体层。由此，本发明实施例通过非金属导电层30将相邻两层金属主体层隔离开，避免相邻两层金属主体层产生接触腐蚀效应，从而保护金属主体层不被氧化腐蚀，也就确保了抗氧化导电膜在运输或者存放过程中不易氧化变质。

本发明实施例中的非金属导电层30采用胶粘剂、溶剂以及非金属半导体材料按1:2:5的比例混合制成。其中，胶粘剂可包括聚偏氟乙烯PVDF、羧甲基纤维素CMC、丁苯橡胶SBR乳液中的任一种，溶剂可为水，非金属半导体材料可包括硅、砷化镓、碳化硅、硒、硼、碲中的任一种。采用上述胶粘剂、溶剂以及非金属半导体材料制成的非金属导电层30不仅能够在胶粘剂的作用下更好地层积到第一金属主体表面，或支撑层10和金属导电颗粒23的表面，且由于非金属半导体材料的占比更多，确保了非金属导电层30在抗氧化导电膜中的导电作用。

本发明第三个实施例在上述两个实施例的基础上，结合附图1至图3，介绍了一种抗氧化导电膜的应用实施例。该应用实施例中，抗氧化导电膜包括支撑层10和金属导电层20，支撑层10的第一表面11和第二表面12均设置有金属导电层20。金属导电层20包括第一金属主体层21和第二金属主体层22，且第一金属主体层21的电极电位低于第二金属主体层22，第一金属主体层21设置在支撑层10上，第一金属主体层21远离支撑层10的表面设置有非金属导电层30，第二金属主体层22设置在非金属导电层30远离第一金属主体层21的表面。

第一金属主体层21和第二金属主体层22之间若未设置非金属导电层30，则在抗氧化导电膜接触腐蚀性电解质溶液时，电极电位较低的第一金属主体层21会优先被腐蚀，这种效应称为接触腐蚀效应。这里的腐蚀性电解质比如水。而本应用实施例在第一金属主体层21和第二金属主体层22之间设置非金属导电层30后，得到的抗氧化导电膜在运输存储过程中，第一金属主体层21不易被氧化，最外层电极电位较高的第二金属主体层22也不会被氧化，而第二金属主体层22作为抗氧化导电膜主要进行导电的一层，可以防止抗氧化导电膜失效。

其中，电极电位较高的第二金属主体层22包括铜层、金层、银层中的任一种，电极电位较低的第一金属主体层21包括钕层、铝层、镁层、钛层、锰层、钨层、锌层、铬层、镍硼层中的任一种。本应用实施例中的非金属导电层30与第二金属主体层22之间以及和第一金属主体层21之间均不会形成接触电阻，从而防止第一金属主体层21和第二金属主体层22产生接触腐蚀效应而被氧化腐蚀。

由于抗氧化导电膜的主要导电功能层为具有较高电极电位的第二金属主体层22，因此，当在运输过程中即使接触到微量空气，第二金属主体层22也不会被腐蚀，因而得以维持抗氧化导电膜的导电作用，避免抗氧化导电膜失效。

本应用实施例中的支撑层10的材质可包括聚对苯二甲酸丁二醇酯层、聚萘二甲酸乙二醇酯层、聚酰亚胺层、聚偏氟乙烯层、聚四氟乙烯层、聚苯硫醚层、聚酰胺层、聚乙烯及其共聚物层、聚丙烯及其共聚物层、聚对苯硫醚层、聚氯乙烯层、聚偏氯乙烯层、聚醚醚酮层、聚甲醛层、聚苯醚层、硅橡胶层、聚碳酸酯层、聚丙烯酸酯层、聚苯乙烯层、聚乳酸层、纤维素层、ABS层。ABS为丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物Acrylonitrile Butadiene Styrene的简称。

其中，支撑层10沿第一方向的厚度为3um至8um，这个厚度可以最大限度给抗氧化导电膜减重，同时不会影响抗氧化导电膜的拉伸强度等物理性能。第一金属主体层21沿第一方向的厚度为10nm至50nm，该厚度范围下的第一金属主体层21节约成本，且不会使抗氧化导电膜的重量过重。非金属导电层30沿第一方向的厚度为50nm至1um，非金属导电层30主要作用是将第一金属主体层21和第二金属主体层22隔离开，防止第一金属主体层21和第二金属主体层22直接接触产生接触腐蚀效应，实现抗氧化腐蚀的目的。

本应该实施例在制备该抗氧化导电膜时，首先取提前制备好的支撑层10，然后将支撑层10放于真空腔体内(如磁控溅射腔体内)，在支撑层10的第一表面11和/或第二表面12溅射具有较低电极电位的第一金属主体层21，从而在支撑层10上形成厚度位于10nm至50nm范围下的第一金属主体层21。同时，通过控制磁控溅射腔体中支撑层10的运输速度和磁控溅射设备轰击靶材的气体量等，来决定磁控溅射几遍金属溅射粒子得到预定厚度的第一金属主体层21。

将镀完第一金属主体层21的支撑层10放于磁控或者蒸镀腔体内，在第一金属主体层21的表面形成非金属导电层30，然后在非金属导电层30的表面采用磁控溅射或者真空蒸镀的镀膜方式形成第二金属主体层22。进而获得本应用实施例提出的抗氧化导电膜。

为提高第一金属主体层21与支撑层10之间的结合力，可以对支撑层10的表面进行表面处理，如可以进行电晕处理、等离子处理等，从而改变支撑层10表面张力，增加支撑层10和第一金属主体层21之间的结合力，避免第一金属主体层21脱落。

为提高第一金属主体层21与支撑层10之间的结合力，本应用实施例还可以在支撑层10上层积一些可以提高第一金属主体层21与支撑层10之间的结合力的粘结力增强层，该粘结力增强层可为氧化铝层、氮化硅层、碳化硅层、聚乙二醇层其中之一。

本应用实施例中的金属导电层20还可以包括金属导电颗粒23和第三金属主体层24，第三金属主体层24的电极电位高于金属导电颗粒23的电极电位。金属导电颗粒23可包括钕颗粒、铝颗粒、镁颗粒、钛颗粒、锰颗粒、钨颗粒、锌颗粒、铬颗粒、镍硼颗粒中的任一种，第三金属主体层24可包括铜层、金层、银层中的任一种。金属导电颗粒23的具体类型可视第三金属主体层24而定，只要选择比第三金属主体层24的电极电位更低的金属颗粒即可，因此，金属导电颗粒23和第三金属主体层24的具体材质类型可不限于上述的类型，对此，本应用实施例在此不在一一枚举。

当金属导电层20的金属主体层包括金属导电颗粒23时，抗氧化导电膜的支撑层10的结构可以为多孔结构，可在该多孔结构的支撑层10中设置具有较低电极电位的金属导电颗粒23。优选地，本应用实施例可直接通过辊压的方式将具有较低电极电位的金属导电颗粒23辊压嵌入到支撑层10中，加工效率高。辊压后，由于该金属导电颗粒23的部分在支撑层10中、部分露出于支撑层10表面，此时，需对支撑层10的表面进行电晕处理，将金属导电颗粒23露出支撑层10表面的部分处理掉，然后再在支撑层10上以磁控溅射的方式镀设上非金属导电层30，以使非金属导电层30覆盖于支撑层10和金属导电颗粒23上。最后再在非金属导电层30的表面溅射电极电位比金属导电颗粒23更高的第三金属主体层24。由此，本应该实施例不仅通过非金属导电层30将金属导电颗粒23和第三金属主体层24隔离开，实现了抗氧化腐蚀的目的，且可使得抗氧化导电膜的寿命更长，这是由于非金属导电层30与支撑层10之间也具有一定的接触面积，即使金属导电颗粒23因产生接触腐蚀效应而被腐蚀，非金属导电层30和第三金属主体层24也不会脱落。

本应用实施例提供的非金属导电层30优选为混合有胶粘剂的导电层，也就是说非金属导电层30是将加入了溶剂的胶粘剂混合进非金属半导体材料即可获得，具体地，胶粘剂、溶剂以及非金属半导体材料按1:2:5的比例混合制成非金属导电层30。这个比例主要因为，半导体材料需要多点，非金属导电层30才能在抗氧化导电膜中发挥导电作用。

为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。

此外，需要说明的是，使用“第一”、“第二”等词语来限定零部件，仅仅是为了便于对相应零部件进行区别，如没有另行声明，上述词语并没有特殊含义，因此不能理解为对本申请保护范围的限制。

以上仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。