一种半导体铝板加工工艺

技术领域

本发明涉及半导体铝板技术领域，具体为一种半导体铝板加工工艺。

背景技术

半导体是一种电导率在绝缘体至导体之间的物质，其电导率容易受控制，可作为信息处理的元件材料，从科技或是经济发展的角度来看，半导体非常重要，很多电子产品，如计算机、移动电话、数字录音机的核心单元都是利用半导体的电导率变化来处理信息，常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种，硅基半导体自旋量子比特以其长量子退相干时间和高操控保真度，以及与现代半导体工艺技术兼容的高可扩展性，成为量子计算研究的核心方向之一。

现有的半导体方法在进行生产的时候，可能会由于粘合剂的粘合作用力不足导致化学稳定性下降，不能很好的进行粘合的作用，这样在进行生产完成之后可能会导致该半导体构件出现损坏的现象的问题。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种半导体铝板加工工艺，具备稳固性强、不易脱落等优点，解决了现有的半导体会由于粘合剂的粘合作用力不足导致化学稳定性下降的问题。

(二)技术方案

2.为实现上述稳固性强、不易脱落目的，本发明提供如下技术方案：一种半导体铝板加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：

1)将半导体基板固定在工作台上后，通过对半导体基板底部吹气，将半导体基板吹平；

2)通过将半导体基板加入到清洗液中清洗；

3)清洗完成后，将半导体基板放在烘箱中进行加热干燥处理；

4)干燥后，通过在半导体基板上进行涂胶，待其固化，将半导体基板在一定的压力以及温度的情况下，将载板于半导体基板键合在一体；

5)待其固化，待其固化后将胶上的薄膜进行除去；

6)将半导体基板与载板放置于高温炉中加热形成永久体。

优选的，所述步骤1)中通过惰性气体对半导体基板底部进行吹气，使其吹平，所述半导体基板材质为铝。

优选的，所述步骤2)清洗液为DIW。

优选的，所述步骤3)烘箱设置为80度，加热烘干时间为30min。

优选的，所述步骤4)胶为聚酰亚胺，所述聚酰亚胺的固化温度为350度。

优选的，所述步骤5)中通过氧气电浆或高极性溶剂溶解除去聚酰亚胺。

优选的，所述步骤6)同时半导体基板与载板键合的压力为5000N，温度为200度。

(三)有益效果

与现有技术相比，本发明提供了一种半导体铝板加工工艺，具备以下有益效果：

该半导体铝板加工工艺，通过分布均匀的惰性气流将半导体基板进行吹平，然后清洗液将半导体基板进行清洗，然后半导体基板放置于烘箱内部加热吹三十分钟烘干，然后将半导体基板顶部涂覆聚酰亚胺，对半导体基板进行应力调整，防止半导体基板再次发生翘曲，讲过通过氧气电浆除去聚酰亚胺，最后将聚酰亚胺与载板放置于高温炉中压力为5000N，温度200度，进行永久，从而达到粘接力较强的效果，使其稳固性变强。

具体实施方式

下面将结合本发明的实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一：一种半导体铝板加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：

1)将半导体基板固定在工作台上后，通过对半导体基板底部吹气，将半导体基板吹平；

2)通过将半导体基板加入到清洗液中清洗；

3)清洗完成后，将半导体基板放在烘箱中进行加热干燥处理；

4)干燥后，通过在半导体基板上进行涂胶，待其固化，将半导体基板在一定的压力以及温度的情况下，将载板于半导体基板键合在一体；

5)待其固化，待其固化后将胶上的薄膜进行除去；

6)将半导体基板与载板放置于高温炉中加热形成永久体。

所述1)中通过惰性气体对半导体基板底部进行吹气，使其吹平，所述半导体基板材质为铝。

所述步骤2)清洗液为DIW。

所述步骤3)烘箱设置为80度，加热烘干时间为30min。

所述步骤4)胶为聚酰亚胺，所述聚酰亚胺的固化温度为350度。

所述步骤5)中通过氧气电浆或高极性溶剂溶解除去聚酰亚胺。

所述步骤6)同时半导体基板与载板键合的压力为5000N，温度为200度。

实施例二：一种半导体铝板加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：

一种半导体铝板加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：

1)将半导体基板固定在工作台上后，通过对半导体基板底部吹气，将半导体基板吹平；

2)通过将半导体基板加入到清洗液中清洗；

3)清洗完成后，将半导体基板放在烘箱中进行加热干燥处理；

4)干燥后，通过在半导体基板上进行涂胶，待其固化，将半导体基板在一定的压力以及温度的情况下，将载板于半导体基板键合在一体；

5)待其固化，待其固化后将胶上的薄膜进行除去；

6)将半导体基板与载板放置于高温炉中加热形成永久体。

所述1)中通过惰性气体对半导体基板底部进行吹气，使其吹平，所述半导体基板材质为铝。

所述步骤2)清洗液为DIW。

所述步骤3)烘箱设置为90度，加热烘干时间为30min。

所述步骤4)胶为聚酰亚胺，所述聚酰亚胺的固化温度为400度。

所述步骤5)中通过氧气电浆或高极性溶剂溶解除去聚酰亚胺。

所述步骤6)同时半导体基板与载板键合的压力为5500N，温度为250度。

实施例三：一种半导体铝板加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：

1)将半导体基板固定在工作台上后，通过对半导体基板底部吹气，将半导体基板吹平；

2)通过将半导体基板加入到清洗液中清洗；

3)清洗完成后，将半导体基板放在烘箱中进行加热干燥处理；

4)干燥后，通过在半导体基板上进行涂胶，待其固化，将半导体基板在一定的压力以及温度的情况下，将载板于半导体基板键合在一体；

5)待其固化，待其固化后将胶上的薄膜进行除去；

6)将半导体基板与载板放置于高温炉中加热形成永久体。

所述1)中通过惰性气体对半导体基板底部进行吹气，使其吹平，所述半导体基板材质为铝。

所述步骤2)清洗液为DIW。

所述步骤3)烘箱设置为100度，加热烘干时间为30min。

所述步骤4)胶为聚酰亚胺，所述聚酰亚胺的固化温度为450度。

所述步骤5)中通过氧气电浆或高极性溶剂溶解除去聚酰亚胺。

所述步骤6)同时半导体基板与载板键合的压力为6000N，温度为300度。

本发明的有益效果是：通过分布均匀的惰性气流将半导体基板进行吹平，然后清洗液将半导体基板进行清洗，然后半导体基板放置于烘箱内部加热吹三十分钟烘干，然后将半导体基板顶部涂覆聚酰亚胺，对半导体基板进行应力调整，防止半导体基板再次发生翘曲，讲过通过氧气电浆除去聚酰亚胺，最后将聚酰亚胺与载板放置于高温炉中压力为5000N，温度200度，进行永久键合，从而达到粘接力较强的效果，使其稳固性变强。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。