掌桥专利:专业的专利平台
掌桥专利
首页

印刷布线板

文献发布时间:2024-04-18 19:44:28


印刷布线板

技术领域

通过本说明书公开的技术涉及印刷布线板。

背景技术

专利文献1公开了具有绝缘层和形成在绝缘层上的导体电路的印刷布线板。绝缘层的表面被粗糙化。导体电路由追随绝缘层表面的粗糙化面而形成的无电镀膜和形成于无电镀膜上的电镀膜形成。

专利文献1:日本特开平11-214828号公报

专利文献1的课题

在专利文献1的技术中,如专利文献1的图9所示,无电镀膜的一部分进入到比绝缘层表面靠绝缘层的内侧的位置。在去除无电镀膜时,认为蚀刻量多。认为无电镀膜被过度地去除。认为难以将导体电路的宽度调整为设计值。认为无法提供具有高品质的印刷布线板。

发明内容

本发明的印刷布线板具有:第1导体层;第1树脂绝缘层,其形成在所述第1导体层上,具有第1面、与所述第1面相反侧的第2面以及使所述第1导体层露出的过孔导体用的开口;第2导体层,其形成在所述第1树脂绝缘层的所述第1面上;以及过孔导体,其形成在所述开口内,将所述第1导体层与所述第2导体层连接。所述第2导体层和所述过孔导体由晶种层和形成在所述晶种层上的电镀层形成。所述第2导体层中的与所述第1面对置的面沿着所述第1面的表面形状形成,所述第2导体层具有导体电路,所述晶种层具有第1层和形成在所述第1层上的第2层,所述导体电路从靠近所述第1树脂绝缘层的一方起依次由所述第1层、所述第2层、所述电镀层构成,在所述导体电路的截面中,所述第1层的宽度大于所述第2层的宽度,所述电镀层的宽度大于所述第1层的宽度。

在本发明的实施方式的印刷布线板中,第2导体层中的与第1面对置的面沿着所述第1面的表面形状形成。因此,第2导体层内的形成导体电路的晶种层不会进入到第1树脂绝缘层的内侧。在去除晶种层时,能够减少蚀刻量。导体电路难以被过度蚀刻。能够使导体电路的宽度接近设计值。通过将第1层的宽度形成得比第2层的宽度大,能够提高第2导体层与第1树脂绝缘层的密合性。能够提供具有高品质的印刷布线板。

附图说明

图1是示意性地示出实施方式的印刷布线板的剖视图。

图2是示意性地示出实施方式的印刷布线板的一部分的放大剖视图。

图3A是示意性地示出实施方式的印刷布线板的制造方法的剖视图。

图3B是示意性地示出实施方式的印刷布线板的制造方法的剖视图。

图3C是示意性地示出实施方式的印刷布线板的制造方法的剖视图。

图3D是示意性地示出实施方式的印刷布线板的制造方法的放大剖视图。

图3E是示意性地示出实施方式的印刷布线板的制造方法的剖视图。

图3F是示意性地示出实施方式的印刷布线板的制造方法的剖视图。

图3G是示意性地示出实施方式的印刷布线板的制造方法的剖视图。

图3H是示意性地示出实施方式的印刷布线板的制造方法的剖视图。

标号说明

2:印刷布线板;4:绝缘层;10:第1导体层;20:第1树脂绝缘层;22:第1面;24:第2面;26:开口;30:第2导体层;30a:晶种层;30b:电镀层;31a:第1层;31b:第2层;32:第1信号布线;40:第1过孔导体;120:第2树脂绝缘层;190:无机粒子;191:第1无机粒子;192:第2无机粒子;B:边界部分;L:激光;S:特定部分;θ1:第1角度;θ2:第2角度。

具体实施方式

实施方式

图1是示出实施方式的印刷布线板2的剖视图。图2是示出实施方式的印刷布线板2的一部分的放大剖视图。如图1所示,印刷布线板2具有绝缘层4、第1导体层10、第1树脂绝缘层20、第2导体层30、第1过孔导体40、第2树脂绝缘层120、第3导体层130以及第2过孔导体140。

绝缘层4使用树脂形成。绝缘层4也可以包含二氧化硅等无机粒子。绝缘层4可以包含玻璃布等加强材料。绝缘层4具有第3面6(图中的上表面)和与第3面6相反侧的第4面8(图中的下表面)。

第1导体层10形成在绝缘层4的第3面6上。第1导体层10包含信号布线12和衬垫14。虽然未图示,但第1导体层10还包含信号布线12和衬垫14以外的导体电路。第1导体层10主要由铜形成。第1导体层10由绝缘层4上的晶种层10a和晶种层10a上的电镀层10b形成。晶种层10a由第3面6上的第1层11a和第1层11a上的第2层11b形成。第1层11a由包含铜和铜以外的金属的铜合金形成。第2层11b由铜形成。电镀层10b由铜形成。第1层11a与绝缘层4相接。

第1树脂绝缘层20形成在绝缘层4的第3面6和第1导体层10上。第1树脂绝缘层20具有第1面22(图中的上表面)和与第1面22相反侧的第2面24(图中的下表面)。第1树脂绝缘层20的第2面24与第1导体层10对置。第1树脂绝缘层20具有使衬垫14露出的开口26。第1树脂绝缘层20由树脂80和分散在树脂80内的多个无机粒子90形成。树脂80是环氧类树脂。树脂80的例子是热固化性树脂和光固化性树脂。无机粒子90例如为二氧化硅或氧化铝。无机粒子90的直径的范围为0.1μm以上且5.0μm以下,平均粒径为0.5μm。

如图1所示,无机粒子90包含形成开口26的内壁面27的第1无机粒子91和埋入树脂80内的第2无机粒子92。第2无机粒子92的形状为球。第1无机粒子91的形状通过用平面将球切断而得到。第1无机粒子91的形状通过用平面切断第2无机粒子92而得到。第1无机粒子91的形状与第2无机粒子92的形状不同。

如图1所示,第1树脂绝缘层20的第1面22几乎由树脂80形成。无机粒子90(第2无机粒子92)从第1面22少量露出。在第1树脂绝缘层20的第1面22未形成凹凸。第1面22未被粗糙化。第1面22平滑地形成。第1面22的算术平均粗糙度(Ra)为0.02μm以上且0.06μm以下。

开口26的内壁面27由树脂80和第1无机粒子91形成。第1无机粒子91具有平坦部。内壁面27由树脂80和第1无机粒子91的平坦部形成。内壁面27平滑地形成。

第1无机粒子91的平坦部与通过延长在第1无机粒子91的周围形成的树脂80的面(形成内壁面27的面)而得到的面大致一致。在图3E中示出了内壁面27。在图3E中示出了形成内壁面27的树脂的面80a和平坦部91a。在图3E中用实质的直线描绘的平坦部91a是指平面。在图3E所示的截面中,平坦部91a为平面。平坦部91a也可以不是完全的平面。平坦部91a是实质的平面,是大致平滑的面。

在图3E所示的截面中,开口26的形状表示为大致倒梯形。然而,实际的开口26的形状为大致倒圆锥梯形。因此,实际的开口26的内壁面(侧壁)27为大致曲面。即,由平坦部91a和树脂80形成的共同的面包含由大致曲面形成的内壁面(侧壁)27。

第2导体层30形成在第1树脂绝缘层20的第1面22上。第2导体层30包含第1信号布线32、第2信号布线34和焊盘36。虽然未图示,但第2导体层30还包含第1信号布线32、第2信号布线34以及焊盘36以外的导体电路。第1信号布线32和第2信号布线34形成了成对布线。第2导体层30主要由铜形成。第2导体层30由第1面22上的晶种层30a和晶种层30a上的电镀层30b形成。晶种层30a由第1面22上的第1层31a和第1层31a上的第2层31b形成。第1层31a由包含铜和铜以外的金属的铜合金形成。第2层31b由铜形成。电镀层30b由铜形成。第1层31a与第1面22相接。第2层31b与电镀层30b粘接。第2导体层30中的与第1树脂绝缘层20的第1面22对置的面沿着第1面22的表面形状形成。第2导体层30不进入第1树脂绝缘层20的第1面22的内侧。

第1过孔导体40形成于开口26内。第1过孔导体40将第1导体层10和第2导体层30连接。在图1中,第1过孔导体40将衬垫14与焊盘36连接。第1过孔导体40由晶种层30a和晶种层30a上的电镀层30b形成。形成第1过孔导体40的晶种层30a和形成第2导体层30的晶种层30a是共同的。第1层31a与内壁面27相接。

第2树脂绝缘层120形成在第1树脂绝缘层20的第1面22和第2导体层30上。第2树脂绝缘层120具有第5面122(图中的上表面)和与第5面122相反侧的第6面124(图中的下表面)。第2树脂绝缘层120的第6面124与第2导体层30对置。第2树脂绝缘层120具有使焊盘36露出的开口126。第2树脂绝缘层120由树脂180和分散在树脂180内的多个无机粒子190形成。树脂180、无机粒子190与第1树脂绝缘层20的树脂80、无机粒子90相同。无机粒子190含有形成开口126的内壁面127的第1无机粒子191和埋在树脂180内的第2无机粒子192。第2无机粒子192的形状为球。第1无机粒子191的形状通过用平面切割球来获得。第1无机粒子191的形状与第1无机粒子91的形状相同。

第2树脂绝缘层120的第5面122几乎由树脂180形成。无机粒子190(第2无机粒子192)从第5面122少量露出。在第2树脂绝缘层120的第5面122未形成凹凸。第5面122未被粗糙化。第5面122平滑地形成。

开口126的内壁面127由树脂180和第1无机粒子191形成。内壁面127由树脂180和第1无机粒子191的平坦部形成。内壁面127平滑地形成。第1无机粒子191的平坦部与第1无机粒子91的平坦部91a相同。

第3导体层130形成在第2树脂绝缘层120的第5面122上。第3导体层130包含第1信号布线132、第2信号布线134和焊盘136。虽然未图示,但第3导体层130还包含第1信号布线132、第2信号布线134和焊盘136以外的导体电路。第1信号布线132和第2信号布线134形成了成对布线。第3导体层130主要由铜形成。第3导体层130由第5面122上的晶种层130a和晶种层130a上的电镀层130b形成。晶种层130a、电镀层130b与第2导体层30的晶种层30a、电镀层30b相同。晶种层130a由第5面122上的第1层131a和第1层131a上的第2层131b形成。第1层131a由包含铜和铜以外的金属的铜合金形成。第2层131b由铜形成。电镀层130b由铜形成。第1层131a与第5面122相接。第3导体层130中的与第2树脂绝缘层120的第5面122对置的面沿着第5面122的表面形状形成。第3导体层130不进入第2树脂绝缘层120的第5面122的内侧。

第2过孔导体140形成在开口126内。第2过孔导体140将第2导体层30和第3导体层130连接。在图1中,第2过孔导体140将焊盘36和焊盘136连接。第2过孔导体140由晶种层130a和晶种层130a上的电镀层130b形成。形成第2过孔导体140的晶种层130a和形成第3导体层130的晶种层130a是共同的。第1层131a与内壁面127接触。

图2示出第2导体层30的第1信号布线32的放大剖视图。如图2所示,第1信号布线32由第1树脂绝缘层20的第1面22上的晶种层30a和晶种层30a上的电镀层30b形成。晶种层30a具有第1面22上的第1层31a和第1层31a上的第2层31b。第1层31a与第1面22相接。与第1面22对置的第1层31a的面沿着第1面22的表面形状形成。第2层31b与电镀层30b粘接。电镀层30b形成在第2层31b的正上方。

如图2所示,第1信号布线32的晶种层30a的宽度(图中左右方向的长度)比电镀层30b的宽度小。第1信号布线32的宽度在晶种层30a与电镀层30b的边界部分B处最小。第1层31a的宽度D2大于第2层31b的宽度D3,电镀层30b的宽度D1大于第1层31a的宽度D2。在第1信号布线32的截面中,晶种层30a的侧面与第1面22之间的第1角度θ1大于从电镀层30b的侧面下端部朝向边界部分B的直线与第1面22之间的第2角度θ2。

如图2所示,宽度D1是第1信号布线32的侧面间的距离。在第1信号布线32的上表面附近测定宽度D1。第1信号布线32的上表面为远离第1面22的面。宽度D2在第1面22上测定。在第2层31b与电镀层30b之间的界面测定宽度D3。

在第2树脂绝缘层120中的配置于第1信号布线32的晶种层30a的侧方且电镀层30b与第1面22之间的特定部分S包含第2无机粒子192。特定部分S所包含的第2无机粒子192的直径小于其他部分所包含的第2无机粒子192的直径。特定部分S所包含的第2无机粒子192的直径例如为1.0μm以下。特定部分S的宽度相当于图2的C。特定部分S的宽度为1.0μm左右。(参照图2)

电镀层30b的侧面假想地延长至第1面22。侧面是用于测定宽度D1的面。通过延长而得到的面被称为假想的面。假想的面不包含电镀层30b的侧面。由假想的面、第1面22和第1信号布线32的侧面包围的部分为特定部分S。

图2例示第1信号布线32,但第2导体层30内的其他导体电路(第2信号布线34和焊盘36)也具有与第1信号布线32相同的结构。第3导体层130内的导体电路(第1信号布线132、第2信号布线134、焊盘136)也具有与第1信号布线32同样的结构。

实施方式的印刷布线板2的制造方法

图3A至图3H示出了实施方式的印刷线路板2的制造方法。图3A至图3C、图3E至图3H为剖视图。图3D是放大剖视图。图3A示出绝缘层4和形成在绝缘层4的第3面6上的第1导体层10。第1导体层10通过半加成法形成。第1层11a和第2层11b通过溅射形成。电镀层10b通过电镀形成。

如图3B所示,在绝缘层4和第1导体层10上形成第1树脂绝缘层20和保护膜50。第1树脂绝缘层20的第2面24与绝缘层4的第3面6对置。在第1树脂绝缘层20的第1面22上形成有保护膜50。第1树脂绝缘层20具有树脂80和无机粒子90(第2无机粒子92)。无机粒子90埋入树脂80内。

保护膜50完全覆盖第1树脂绝缘层20的第1面22。保护膜50的例子是聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)制的膜。在保护膜50与第1树脂绝缘层20之间形成有脱模剂。

如图3C所示,从保护膜50上照射激光L。激光L同时贯通保护膜50和第1树脂绝缘层20。形成到达第1导体层10的衬垫14的过孔导体用的开口26。激光L例如是UV激光、CO

图3D示出激光照射后的开口26的内壁面27b。内壁面27b由树脂80和从树脂80突出的无机粒子90形成。为了控制内壁面的形状,激光照射后的内壁面27b被处理。优选选择性地去除从树脂80突出的无机粒子90。由此,由无机粒子90形成第1无机粒子91。例如,通过用药品处理激光照射后的内壁面27b,选择性地去除从树脂80突出的无机粒子90。或者,通过用等离子体处理激光照射后的内壁面27b,选择性地去除从树脂80突出的无机粒子90。关于选择性地去除,包含无机粒子90的蚀刻速度比树脂80的蚀刻速度大。例如,两者的蚀刻速度差为10倍以上。或者,两者的蚀刻速度差为50倍以上。或者,两者的蚀刻速度差为100倍以上。通过对激光照射后的内壁面27b进行处理,得到具有平坦部的第1无机粒子91(参照图1)。通过控制用于处理激光照射后的内壁面27b的条件,能够控制内壁面27的形状。条件的例子是温度、浓度、时间、气体的种类、压力。控制无机粒子90的蚀刻速度和树脂的蚀刻速度。

通过对第1树脂绝缘层20照射激光L,填埋在树脂80中的第2无机粒子92的一部分形成激光照射后的内壁面27b。如图3D所示,形成激光照射后的内壁面27b的第2无机粒子92由从树脂80突出的突出部分P和埋入树脂80的部分E形成。激光照射后的内壁面27b被处理。例如,利用包含四氟化甲烷的气体的等离子体对内壁面27b进行处理。突出部分P被选择性地去除,形成实施方式的内壁面27。由第2无机粒子92形成第1无机粒子91。如图3E所示,通过选择性地去除突出部分P,形成具有平坦部91a的第1无机粒子91。平坦部91a为平面。当具有球的形状的第2无机粒子92被平面切断时,得到第1无机粒子91的形状。内壁面27由平坦部91a和树脂80的面80a形成,平坦部91a的露出面91b和树脂80的面80a位于大致同一平面上。例如,若通过溅射在内壁面27b上形成晶种层30a,则突出部分P阻碍溅射膜的生长。例如,不形成在内壁面27b上连续的晶种层30a。或者,必须增大晶种层30a的厚度。无法形成微细的导体电路。在实施方式中,突出部分P被去除。能够使通过溅射形成的晶种层30a的厚度变薄。即使通过溅射形成的晶种层30a的厚度薄,也能够得到连续的晶种层30a。若内壁面27由平坦部91a的露出面91b和树脂80的面80a形成,则能够形成具有较薄的厚度的第1层31a和第2层31b。由于第1层31a的厚度和第2层31b的厚度较薄,因此能够容易地控制宽度D1和宽度D2、宽度D3。宽度D1和宽度D2、宽度D3如目标那样形成。

形成开口26包含形成具有突出部分P的无机粒子(第2无机粒子92)90。突出部分P从形成开口26的内壁面27的树脂80突出。第1无机粒子91通过去除无机粒子(第2无机粒子92)90的突出部分P而形成。开口26的内壁面27包含第1无机粒子91的露出面91b。第1无机粒子91的露出面91b通过去除突出部分P而形成。

通过用平面切断具有球的形状的第2无机粒子92而得到第1无机粒子91的形状包含去除无机粒子90的突出部分P。实际的开口26的内壁面27为大致曲面。通过去除突出部分P而形成平坦部91a,因此平坦部91a的露出面91b包含曲面。即,关于由平坦部91a和树脂80形成共同的面,包含形成由实质的曲面形成的内壁面27。

在内壁面27上没有形成凹凸。内壁面27平滑地形成。通过控制用于处理激光照射后的内壁面27b的条件,来控制凹凸的大小。

对开口26内进行清洗。通过对开口26内进行清洗,去除在形成开口26时产生的树脂残渣。开口26内的清洗通过等离子体进行。即清洗在干式工艺中进行。干式工艺的气体种类为卤素系气体(氟系气体、氯系气体等)与O

在对激光照射后的内壁面27b进行处理包含对开口26内进行清洗的情况下,能够删除对开口26内进行清洗。

如图3E所示,在清洗开口26内之后,从第1树脂绝缘层20去除保护膜50。在对激光照射后的内壁面27b进行处理包含对开口26内进行清洗的情况下,在对激光照射后的内壁面27b进行处理之后,从第1树脂绝缘层20去除保护膜50。在激光照射后的内壁面27b被处理时,保护膜50覆盖第1树脂绝缘层20的第1面22。在去除保护膜50后,不对第1树脂绝缘层20的第1面22进行粗糙化。因此,第1面22平滑地形成。第1面22的算术平均粗糙度(Ra)为0.02μm以上且0.06μm以下。

如图3F所示,在第1树脂绝缘层20的第1面22上形成晶种层30a。晶种层30a通过溅射形成。晶种层30a的形成通过干式工艺进行。晶种层30a具有第1层31a和在第1层31a上由与第1层31a不同的材料形成的第2层31b。第1层31a和第2层31b由不同材料的铜合金的组合、或者铜合金和铜的组合构成。第1层31a由铜合金形成。铜合金与第1树脂绝缘层20的密合强度大于铜与第1树脂绝缘层20的密合强度。第2层31b由铜合金或铜形成。铜合金中的铜的含有量为90wt%以上。铜的含有量越高,越能够降低电阻,因此连接可靠性提高。晶种层30a的厚度为0.02μm以上且1μm以下,优选为0.03μm以上且0.5μm以下,进一步优选为0.05μm以上且0.3μm以下。第1面22的算术平均粗糙度(Ra)为0.02μm以上且0.06μm以下。晶种层30a的厚度为0.02μm以下时,难以在第1树脂绝缘层20的整个表面均匀地形成晶种层30a。若厚度为1.0μm以上,则在去除晶种层时,难以控制电镀层30b的布线宽度。第1层31a通过溅射形成在第1面22上。第1层31a的厚度为0.01μm以上且0.5μm以下,优选为0.02μm以上且0.3μm以下,进一步优选为0.03μm以上且0.1μm以下。第1层31a为0.01μm以下时,第1层31a与第1树脂绝缘层20间的密合性降低。第1层31a为0.5μm以上时,布线电阻值变高。第2层31b通过溅射形成在第1层31a上。第2层31b的厚度为0.01μm以上且0.9μm以下,优选为0.02μm以上且0.3μm以下,进一步优选为0.03μm以上且0.2μm以下。第2层31b为0.01μm以下时,布线电阻值变高。第2层31b为0.9μm以上时,第1层31a形成得较薄,因此布线与第1树脂绝缘层20间的密合性降低。晶种层30a沿着第1面22的表面形状形成。第2导体层30内的形成导体电路(第1信号布线32、第2信号布线34和焊盘36)的晶种层30a不进入第1树脂绝缘层20的内侧。在去除晶种层30a时,能够减小蚀刻量。导体电路难以被过度蚀刻。能够使导体电路的宽度接近设计值。晶种层30a也形成于衬垫14的从开口26露出的上表面和开口26的内壁面27。第1层31a由包含铜和铜以外的金属的铜合金形成。第2层31b由铜形成。

如图3G所示,在晶种层30a上形成抗镀剂60。抗镀剂60具有用于形成第1信号布线32、第2信号布线34和焊盘36(图1)的开口。

如图3H所示,在从抗镀剂60露出的晶种层30a上形成电镀层30b。电镀层30b由铜形成。电镀层30b填充开口26。通过第1面22上的晶种层30a和电镀层30b,形成第1信号布线32、第2信号布线34和焊盘36。形成第2导体层30。利用开口26内的晶种层30a和电镀层30b形成第1过孔导体40。第1过孔导体40将衬垫14与焊盘36连接。第1信号布线32和第2信号布线34形成了成对布线。

去除抗镀剂60。通过蚀刻去除从电镀层30b露出的晶种层30a。同时形成第2导体层30和第1过孔导体40。第1层31a的宽度大于第2层31b的宽度,电镀层30b的宽度大于第1层31a的宽度。晶种层30a的蚀刻速度比电镀层30b的蚀刻速度大。晶种层的蚀刻速度为电镀层的蚀刻速度的1.1倍至1.5倍。通过溅射形成的晶种层30a与电镀层30b相比,无定形结构部相对于金属结晶部的比例高。通常,无定形结构部具有许多结晶缺陷。具有结晶缺陷越多,蚀刻速度越大。晶种层30a的蚀刻速度比电镀层30b的蚀刻速度大。因此,在晶种层30a被去除时,电镀层30b的蚀刻量较小。导体电路难以被过度蚀刻。能够使导体电路的宽度接近设计值。当通过蚀刻去除晶种层30a时,第2导体层30的导体电路(第1信号布线32、第2信号布线34、焊盘36)的晶种层30a的宽度比电镀层30b的宽度小。若第1层31a由铜合金形成,第2层31b由铜形成,则仅第1层31a为合金。因此,能够增大两者的蚀刻速度差。作为用于去除晶种层30a的蚀刻液,优选与第1层31a相比更溶解第2层31b的蚀刻液。布线的宽度(布线的侧壁间的距离)在第2层31b与电镀层30b的边界部分B最小。由于在边界部分B应力最大,因此第1层31a与第1树脂绝缘层20的密合性提高。

由于第1无机粒子91的平坦部91a形成内壁面27,因此能够减小第1层31a的厚度。第1层31a的厚度比电镀层30b的厚度足够薄。因此,形成第1层31a的粒子的取向性容易变得比形成电镀层30b的粒子的取向性小。或者,第1层31a的密度容易变得比电镀层30b的密度小。或者,第1层31a的结晶性容易变得比电镀层30b的结晶性小。第1无机粒子91的平坦部91a形成内壁面27,因此能够减小第2层31b的厚度。第2层31b的厚度比电镀层30b的厚度足够薄。因此,形成第2层31b的粒子的取向性容易变得比形成电镀层30b的粒子的取向性小。或者,第2层31b的密度容易变得比电镀层30b的密度小。或者,第2层31b的结晶性容易变得比电镀层30b的结晶性小。因此,第1层31a和第2层31b的蚀刻速度比电镀层30b的蚀刻速度大。当从电镀层30b露出的晶种层30a被去除时,电镀层30b的宽度D1大于第1层31a的宽度D2。电镀层30b的宽度D1大于第2层31b的宽度D3。电镀层30b的蚀刻速度比晶种层30a的蚀刻速度小。因此,为了溶解电镀层30b而消耗的蚀刻液中的溶解成分的量较小。根据实施方式,溶解成分充分地到达晶种层30a。晶种层30a有效地溶解。能够形成具有目标值的宽度的信号布线。第1层31a被第2层31b覆盖。为了溶解第2层31b而消耗溶解成分。因此,能够使第1层31a的溶解量小于第2层31b的溶解量。当从电镀层30b露出的晶种层30a被去除时,第1层31a的宽度D2大于第2层31b的宽度D3。

在第1信号布线32的截面中,晶种层30a的侧面与第1面22之间的第1角度θ1大于从电镀层30b的侧面下端部朝向边界部分B的直线与第1面22之间的第2角度θ2。晶种层30a的蚀刻速度比电镀层30b的蚀刻速度大,因此第1角度θ1比第2角度θ2大。其结果,能够减小边界部分B的深度。因此,能够缓和应力集中。

在第2树脂绝缘层120中的、配置于第1信号布线32的晶种层30a的侧方且电镀层30b与第1面22之间的特定部分S中包含第2无机粒子192。特定部分S所包含的第2无机粒子192的直径小于其他部分所包含的第2无机粒子192的直径。特定部分S所包含的第2无机粒子192的直径例如为1.0μm以下。特定部分S被具有小直径的第2无机粒子192和第2树脂绝缘层120的树脂180填充。形成于特定部分S的树脂绝缘层内的树脂的含有量大于这以外的部分的树脂绝缘层内的树脂的含有量。因此,在晶种层30a与电镀层30b之间的界面产生的应力被缓和。

之后,在第2导体层30和第1面22上形成第2树脂绝缘层120、第3导体层130和第2过孔导体140。第2树脂绝缘层120、第3导体层130和第2过孔导体140通过与第1树脂绝缘层20、第2导体层30和第1过孔导体40同样的方法形成。得到实施方式的印刷布线板2(图1)。

在实施方式的印刷布线板2中,第2导体层30中的与第1面22对置的面沿着第1面22的表面形状形成。因此,第2导体层30内的形成导体电路(第1信号布线32、第2信号布线34、焊盘36)的晶种层30a不会进入到比第1树脂绝缘层20的第1面22靠内侧的位置。能够使晶种层30a变薄。能够减小晶种层30a的厚度的偏差。在去除晶种层30a时,蚀刻量小。导体电路难以被过度蚀刻。能够使导体电路的宽度接近设计值。本发明提供具有高品质的印刷布线板2。

在实施方式的印刷布线板2中,第1树脂绝缘层20的第1面22几乎由树脂80形成。在第1面22,无机粒子90少量露出。同样地,第2树脂绝缘层120的第5面122几乎由树脂180形成。在第5面122,无机粒子190少量露出。在第1面22、第5面122未形成凹凸。抑制第1树脂绝缘层20的第1面22附近部分的相对介电常数的标准偏差变大。抑制第2树脂绝缘层120的第5面122附近部分的相对介电常数的标准偏差变大。第1面22、第5面122的相对介电常数不会因位置而大幅变化。即使第1信号布线32和第2信号布线34与第1面22相接,也能够减小第1信号布线32与第2信号布线34之间的电信号的传播速度之差。同样地,即使第1信号布线132和第2信号布线134与第5面122相接,也能够减小第1信号布线132与第2信号布线134之间的电信号的传播速度之差。因此,在实施方式的印刷布线板2中抑制了噪声。即使在实施方式的印刷布线板2安装有逻辑IC,由第1信号布线32、132传递的数据和由第2信号布线34、134传递的数据也几乎没有延迟地到达逻辑IC。能够抑制逻辑IC的误动作。即使第1信号布线32、132的长度和第2信号布线34、134的长度为5mm以上,也能够减小两者的传播速度之差。即使第1信号布线32、132的长度和第2信号布线34、134的长度为10mm以上且20mm以下,也能够抑制逻辑IC的误动作。本发明提供具有高品质的印刷布线板2。

实施方式的另一例

在实施方式的另一例中,晶种层10a、30a、130a的第1层11a、31a、131a由硅、铝、钛、镍、铬、碳、氧、锡、钙、镁、铁、钼、银中的任意1种金属形成。第2层11b、31b、131b由铜形成。在与实施方式不同的例子中,在第2层11b、31b、131b由铜形成的情况下,铜的含有量(原子量%)为99.9%以上。优选99.95%以上。

相关技术
  • 多层印刷布线板的制造方法及多层印刷布线板
  • 集合印刷基板、印刷布线板的制造方法
  • 树脂组合物及树脂片、预浸料坯、层叠板、金属基板、印刷配线板和功率半导体装置
  • 印刷配线板用基板、制作印刷配线板用基板的方法、印刷配线板、制作印刷配线板的方法以及树脂基材
  • 印刷配线板用基板、制作印刷配线板用基板的方法、印刷配线板、制作印刷配线板的方法以及树脂基材
技术分类

06120116304633