显示面板及其制作方法、显示装置

技术领域

本申请涉及显示领域，具体涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。

背景技术

近些年，LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide，低温多晶氧化物)显示面板越来越受到消费者的关注，LTPO显示面板同时采用了两种有源层，在多晶硅有源层的源漏极搭接孔形成后，由于多晶硅表面会形成氧化层，因此在与源漏极层搭接时会产生较大的接触阻抗，影响器件正常工作，因此通常使用酸液进行清洗，将多晶硅表面的氧化层通过化学反应去除，然而，酸液会迅速与金属氧化物有源层反应，将金属氧化物有源层刻蚀掉，影响金属氧化物有源层的性能，损坏显示面板。

因此，亟需一种显示面板及其制作方法、显示装置以解决上述技术问题。

发明内容

本申请提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，可以改善目前多晶硅有源层表面的氧化层影响接触电阻的技术问题。

本申请提供一种显示面板，包括衬底、及位于所述衬底上的多个第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；

所述第一薄膜晶体管包括第一有源层、位于所述第一有源层远离所述衬底一侧且与所述第一有源层直接接触的第一源漏极层；

所述第二薄膜晶体管包括第二有源层、位于所述第二有源层远离所述衬底一侧且与所述第二有源层直接接触的第二源漏极层；

其中，所述第一有源层包括多晶硅，所述第二有源层包括金属氧化物，所述第一源漏极层与所述第二源漏极层不同层设置，所述第一源漏极层与所述衬底之间的距离小于所述第二源漏极层与所述衬底之间的距离。

在一些实施例中，所述第一薄膜晶体管还包括第一栅极层和第二栅极层，所述第一栅极层位于所述第二栅极层与所述第一有源层之间；其中，所述第一源漏极层与所述第二栅极层同层设置且材料相同。

在一些实施例中，所述第二薄膜晶体管还包括位于所述第二有源层远离所述衬底一侧的第三栅极层；其中，所述第一源漏极层与所述第三栅极层同层设置且材料相同。

在一些实施例中，所述第一薄膜晶体管还包括第一连接部，所述第一连接部与所述第一源漏极层同层设置且材料相同，所述第一连接部通过过孔与所述第一有源层电连接；所述第二源漏极层位于所述第三栅极层远离所述衬底一侧；其中，所述第二源漏极层通过过孔与所述第一连接部电连接。

在一些实施例中，所述第一薄膜晶体管还包括第一栅极层和第二栅极层，所述第一栅极层位于所述第二栅极层与所述第一有源层之间；所述第二有源层位于所述第二栅极层远离所述衬底一侧；其中，所述第二薄膜晶体管还包括遮光功能层，所述遮光功能层与所述第二栅极层同层设置且材料相同。

在一些实施例中，所述第二薄膜晶体管还包括位于所述第二有源层远离所述衬底一侧的第三栅极层及第二连接部，所述第二连接部与所述第三栅极层同层设置且材料相同；其中，所述第二连接部与所述第三栅极层电连接，所述第二连接部通过过孔与所述遮光功能层电连接。

在一些实施例中，所述第二有源层位于所述第一有源层远离所述衬底一侧。

本申请还提供了一种显示面板的制作方法，包括：

提供一衬底；

在所述衬底一侧形成第一有源层；

在所述第一有源层远离所述衬底一侧形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成第一过孔，暴露所述第一有源层远离所述衬底一侧的表面氧化层；

利用酸液，通过所述第一过孔，去除裸露的所述第一有源层的所述表面氧化层；

在所述第一绝缘层上形成所述第一源漏极层；

在所述第一源漏极层远离所述衬底一侧形成第二有源层；

在所述第二有源层远离所述衬底一侧形成第二源漏极层；

其中，所述第一有源层包括多晶硅，所述第二有源层包括金属氧化物；

或者，所述显示面板的制作方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底一侧形成第一有源层；

在所述第一有源层远离所述衬底一侧形成第二有源层；

在所述第二有源层上形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上形成第二过孔，暴露所述第一有源层远离所述衬底一侧的表面氧化层；

利用酸液，通过所述第二过孔，去除裸露的所述第一有源层的所述表面氧化层；

在所述第二绝缘层上形成所述第一源漏极层；

在所述第一源漏极层远离所述衬底一侧形成第二源漏极层；

其中，所述第一有源层包括多晶硅，所述第二有源层包括金属氧化物。

在一些实施例中，所述在形成所述第一源漏极层之前，所述显示面板的制作方法还包括：利用退火工艺，对所述第一有源层进行去氢处理。

本申请还提供了一种显示装置，包括如任一上述的显示面板或由如任一上述的显示面板的制作方法制得的显示面板。

本申请有益效果：本申请通过将多晶硅薄膜晶体管的源漏极层先形成于金属氧化物薄膜晶体管的源漏极层，从而在形成第一源漏极层的接触孔时，第二源漏极层的接触孔还未开启，在利用酸液对第一源漏极层的接触孔对应的多晶硅表面氧化层进行处理时，既不会损伤第二有源层，又可以降低第一源漏极层与第一有源层的接触电阻，保护显示面板，提升显示面板的性能。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的显示面板的第一种结构示意图；

图2是本申请实施例提供的显示面板的第二种结构示意图；

图3是本申请实施例提供的显示面板的第三种结构示意图；

图4是本申请实施例提供的显示面板的第一种制作方法的步骤流程图；

图5是本申请实施例提供的显示面板的第二种制作方法的步骤流程图；

图6A至图6F是本申请实施例提供的显示面板的第一种制作方法中对应于各流程的结构示意图；

图7A至图7F是本申请实施例提供的显示面板的第二种制作方法中对应于各流程的结构示意图；

图8是本申请实施例提供的移动终端的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。

近些年，LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide，低温多晶氧化物)显示面板越来越受到消费者的关注，LTPO显示面板同时采用了两种有源层，在多晶硅有源层的源漏极搭接孔形成后，由于多晶硅表面会形成氧化层，因此在与源漏极层搭接时会产生较大的接触阻抗，影响器件正常工作，因此通常使用酸液进行清洗，将多晶硅表面的氧化层通过化学反应去除，然而，酸液会迅速与金属氧化物有源层反应，将金属氧化物有源层刻蚀掉，影响金属氧化物有源层的性能，损坏显示面板。

请参阅图1至图3，本申请实施例提供一种显示面板100，包括衬底110、及位于所述衬底110上的多个第一薄膜晶体管101和第二薄膜晶体管102；

所述第一薄膜晶体管101包括第一有源层210、位于所述第一有源层210远离所述衬底110一侧且与所述第一有源层210直接接触的第一源漏极层220；

所述第二薄膜晶体管102包括第二有源层310、位于所述第二有源层310远离所述衬底110一侧且与所述第二有源层310直接接触的第二源漏极层320；

其中，所述第一有源层210包括多晶硅，所述第二有源层310包括金属氧化物，所述第一源漏极层220与所述第二源漏极层320不同层设置，所述第一源漏极层220与所述衬底110之间的距离小于所述第二源漏极层320与所述衬底110之间的距离。

本申请通过将多晶硅薄膜晶体管的源漏极层先形成于金属氧化物薄膜晶体管的源漏极层，从而在形成第一源漏极层的接触孔时，第二源漏极层的接触孔还未开启，在利用酸液对第一源漏极层的接触孔对应的多晶硅表面氧化层进行处理时，既不会损伤第二有源层，又可以降低第一源漏极层与第一有源层的接触电阻，保护显示面板，提升显示面板的性能。

现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。

本实施例中，请参阅图1，所述显示面板100包括衬底110、及位于所述衬底110上的多个第一薄膜晶体管101和第二薄膜晶体管102，所述第一薄膜晶体管101包括第一有源层210、位于所述第一有源层210远离所述衬底110一侧且与所述第一有源层210直接接触的第一源漏极层220，所述第二薄膜晶体管102包括第二有源层310、位于所述第二有源层310远离所述衬底110一侧且与所述第二有源层310直接接触的第二源漏极层320，其中，所述第一有源层210包括多晶硅，所述第二有源层310包括金属氧化物，所述第一源漏极层220与所述第二源漏极层320不同层设置，所述第一源漏极层220与所述衬底110之间的距离小于所述第二源漏极层320与所述衬底110之间的距离。

请参阅图1至图3，所述第一薄膜晶体管101还包括第一栅极层230和第二栅极层240，所述第一栅极层230位于所述第二栅极层240与所述第一有源层210之间；所述第二薄膜晶体管102还包括位于所述第二有源层310远离所述衬底110一侧的第三栅极层330；所述显示面板100还包括位于所述第一栅极层230与所述第一有源层210之间的第一栅极绝缘层130、位于所述第一栅极层230与所述第二栅极层240之间的第一绝缘层140、位于所述第二栅极层240与所述第二有源层310之间的第一层间绝缘层150、位于所述第二有源层310与所述第三栅极层330之间的第二绝缘层160、位于所述第三栅极层330上的第二层间绝缘层170、位于所述第二层间绝缘层170上的所述第一源漏极走线层260、位于所述第二源漏极层320上的第一平坦层180、位于所述第一平坦层180上的第二源漏极走线层270、位于所述第二源漏极走线层270上的第二平坦层190、及位于所述第二平坦层190上的像素电极层400。其中，第一源漏极走线层260与所述第二源漏极层320同层设置且材料相同。

请参阅图1至图3，所述第一薄膜晶体管101还包括所述第一源漏极走线层260和第二源漏极走线层270。

请参阅图1至图3，所述像素电极层400通过过孔与所述第二源漏极走线层270电连接，所述第二源漏极走线层270通过过孔与所述第一源漏极走线层260电连接，所述第一源漏极走线层260通过过孔与所述第一源漏极层220电连接。

第一薄膜晶体管101为多晶硅半导体薄膜晶体管，第二薄膜晶体管102为金属氧化物薄膜晶体管，所述第一源漏极层220较第二源漏极层320先形成，故在对第一源漏极层220与所述第一有源层210的连接处的表面氧化层进行酸液清洗时，所述第二有源层310还未形成，或者所述第二有源层310上的绝缘层未被打开，防止了酸液对第二有源层310的破坏，既不会损伤第二有源层310，又可以降低第一源漏极层220与第一有源层210的接触电阻，保护显示面板100，提升显示面板100的性能。

在一些实施例中，请参阅图1至图3，所述第一有源层210包括第一沟道段211、及与所述第一源漏极层220连接的第一导体段212，所述第二有源层310包括第二沟道段311、及与所述第二源漏极层320连接的第二导体段312。

在一些实施例中，请参阅图1至图3，可以利用所述第一栅极层230作自对准，对所述第一有源层210进行导体化掺杂，以形成所述第一导体段212和所述第一沟道段211，所述第一有源层210被所述第一栅极层230遮挡的部分形成第一沟道段211，所述第一有源层210为被所述第一栅极层230遮挡的部分形成第一导体段212。

在一些实施例中，请参阅图1、图2，所述第一源漏极层220与所述第二栅极层240同层设置且材料相同。

所述第一源漏极层220与所述第二栅极层240在同一道光罩制程形成，减少了光罩数量，节省了制程成本。

在一些实施例中，请参阅图1、图2，所述第一绝缘层140设置有多个第一过孔510，所述第一过孔510贯穿所述第一绝缘层140及所述第一栅极绝缘层130，使所述第一有源层210裸露(具体的为所述第一导体段212)，所述第一源漏极层220通过所述第一过孔510与所述第一有源层210(具体的为所述第一导体段212)电连接。

在一些实施例中，请参阅图3，所述第一源漏极层220与所述第三栅极层330同层设置且材料相同。

所述第一源漏极层220与所述第三栅极层330在同一道光罩制程形成，减少了光罩数量，节省了制程成本。

在一些实施例中，请参阅图3，所述第二绝缘层160设置有多个第二过孔520，所述第二过孔520贯穿所述第二绝缘层160、所述第一层间绝缘层150、第一绝缘层140及所述第一栅极绝缘层130，使所述第一有源层210裸露(具体的为所述第一导体段212)，所述第一源漏极层220通过所述第二过孔520与所述第一有源层210(具体的为所述第一导体段212)电连接。

在一些实施例中，请参阅图1至图3，所述第一薄膜晶体管101还包括第一连接部250，所述第一连接部250与所述第一源漏极层220同层设置且材料相同，所述第一连接部250通过过孔与所述第一有源层210电连接；所述第二源漏极层320位于所述第三栅极层330远离所述衬底110一侧；其中，所述第二源漏极层320通过过孔与所述第一连接部250电连接。

所述第一源漏极层220与所述第一连接部250在同一道光罩制程形成，减少了光罩数量，节省了制程成本。所述第一连接部250连接所述第一薄膜晶体管101与所述第二薄膜晶体管102，实现不同种类薄膜晶体管的连接配合。

在一些实施例中，请参阅图1至图3，所述第一薄膜晶体管101还包括第一栅极层230和第二栅极层240，所述第一栅极层230位于所述第二栅极层240与所述第一有源层210之间；所述第二有源层310位于所述第二栅极层240远离所述衬底110一侧；其中，所述第二薄膜晶体管102还包括遮光功能层340，所述遮光功能层340与所述第二栅极层240同层设置且材料相同。

所述遮光功能层340与所述第二栅极层240在同一道光罩制程形成，减少了光罩数量，节省了制程成本。金属氧化物半导体材料对光线较敏感，需要对其进行遮光保护。

在一些实施例中，请参阅图1至图3，所述第二薄膜晶体管102还包括位于所述第二有源层310远离所述衬底110一侧的第三栅极层330及第二连接部350，所述第二连接部350与所述第三栅极层330同层设置且材料相同；其中，所述第二连接部350与所述第三栅极层330电连接，所述第二连接部350通过过孔与所述遮光功能层340电连接。

所述第二连接部350与所述第三栅极层330同层，可以直接连接，所述第二连接部350连接了所述第三栅极层330和所述遮光功能层340，所述遮光功能层340的材料也为栅极材料，故所述遮光功能层340可以实现栅极的功能，所述遮光功能层340与所述第二连接部350形成上下连接双栅控制所述第二有源层310。其中，所述遮光功能层340与所述第二有源层310的所述第二沟道段311对应，图中不易同时画出上述对应关系和所述第二连接部350与所述遮光功能层340电连接的过孔，故图中仅是示意，所述遮光功能层340在所述第二有源层310上的正投影只需覆盖所述第二沟道段311即可，所述遮光功能层340在所述第二有源层310上的正投影位于所述第二导体段312外。

在一些实施例中，请参阅图2，所述第一源漏极层220与所述第二栅极层240同层设置且材料相同。所述第二连接部350与所述第二源漏极层320同层设置且材料相同。

若所述第一源漏极层220与所述第二栅极层240同层设置且材料相同，所述第一源漏极层220与所述第一有源层210的连接孔可以在所述第二栅极层240形成之前形成，故将所述第二连接部350与遮光功能层340的连接孔的形成时机，设置在第二源漏极层320与第二有源层310的连接孔形成时一同形成，可以避免增加光罩数量，控制制作成本。

在一些实施例中，请参阅图1至图3，所述第二有源层310位于所述第一有源层210远离所述衬底110一侧。

由于所述第一有源层210与所述第二有源层310对临近绝缘膜层中氢含量需求不同，第一有源层210相比第二有源层310需要更多氢，第二有源层310对氢很敏感，氢含量偏高很容易失效，因此不可以同层设计，有利于保护第二有源层310。

在一些实施例中，请参阅图1至图3，所述显示面板100还包括位于所述衬底110与所述第一有源层210之间的至少一层缓冲层120，在此不做具体限定。

在一些实施例中，请参阅图1至图3，所述第一有源层210的所述第一导体段212的导体化掺杂可以为P+掺杂，所述第二有源层310的所述第二导体段312的导体化可以为N+。

在一些实施例中，所述第一栅极层230、所述第二栅极层240、所述第三栅极层330的材料可以为Mo、Al、Cu、Ti中任一或者是合金等，厚度2000埃米至8000埃米。

在一些实施例中，所述第一有源层210的材料包括为非晶硅，所述第二有源层310的材料可以包括IGZO，IZTO，IGZTO中任一种或多种的组合，在此制作举例，不做具体限定。

在一些实施例中，所述第二薄膜晶体管102可以作为所述第一薄膜晶体管101的开关晶体管，所述第二有源层310的材料包括金属氧化物，漏电流小，有利于提高显示效果。

在一些实施例中，本申请中的绝缘膜层，例如第一栅极绝缘层130、第一绝缘层140、第二绝缘层160、第一层间绝缘层150、第二层间绝缘层170等，其材料可以为SiOx或是SiNx或是多层结构薄膜。

在一些实施例中，所述第一平坦层180、第二平坦层190的材料可以为有机材料。

在一些实施例中，所述显示面板100可为液晶显示面板100，所述显示面板100还包括液晶层、彩膜层、及上下偏光层。所述显示模组还包括与显示面板100对应的背光单元。

在一些实施例中，所述显示面板100可为自发光式显示面板100，所述显示面板100还包括发光器件层。

在一些实施例中，所述发光器件层可以包括OLED(Organic Light-EmittingDiode，有机发光二极管)材料，也可以包括Micro LED或Mini LED，在此不做具体限定。

所述发光器件层可以包括OLED材料，所述发光器件层包括位于所述第三绝缘层上的阳极层、位于所述阳极层上的发光材料层及位于所述发光材料层上的阴极层，所述显示面板100还包括与所述发光材料层同层设置的像素定义层、位于所述发光器件层上的偏光层、位于所述偏光层上的柔性盖板，所述显示面板100还包括位于所述偏光层与所述柔性盖板之间对应粘结层。

本申请通过将多晶硅薄膜晶体管的源漏极层先形成于金属氧化物薄膜晶体管的源漏极层，从而在形成第一源漏极层的接触孔时，第二源漏极层的接触孔还未开启，在利用酸液对第一源漏极层的接触孔对应的多晶硅表面氧化层进行处理时，既不会损伤第二有源层，又可以降低第一源漏极层与第一有源层的接触电阻，保护显示面板，提升显示面板的性能。

本申请实施例还提供了一种显示面板100的制作方法。

请参阅图4、图6A至图6F，所述显示面板100的制作方法包括：

S100A、提供一衬底110；

S200A、在所述衬底110一侧形成第一有源层210；

S300A、在所述第一有源层210远离所述衬底110一侧形成第一绝缘层140；

S400A、在所述第一绝缘层140上形成第一过孔510，暴露所述第一有源层210远离所述衬底110一侧的表面氧化层；

S500A、利用酸液，通过所述第一过孔510，去除裸露的所述第一有源层210的所述表面氧化层；

S600A、在所述第一绝缘层140上形成所述第一源漏极层220；

S700A、在所述第一源漏极层220远离所述衬底110一侧形成第二有源层310；

S800A、在所述第二有源层310远离所述衬底110一侧形成第二源漏极层320；

其中，所述第一有源层210包括多晶硅，所述第二有源层310包括金属氧化物；

或者，请参阅图5、图7A至图7F，所述显示面板100的制作方法包括：

S100B、提供一衬底110；

S200B、在所述衬底110一侧形成第一有源层210；

S300B、在所述第一有源层210远离所述衬底110一侧形成第二有源层310；

S400B、在所述第二有源层310上形成第二绝缘层160；

S500B、在所述第二绝缘层160上形成第二过孔520，暴露所述第一有源层210远离所述衬底110一侧的表面氧化层；

S600B、利用酸液，通过所述第二过孔520，去除裸露的所述第一有源层210的所述表面氧化层；

S700B、在所述第二绝缘层160上形成所述第一源漏极层220；

S800B、在所述第一源漏极层220远离所述衬底110一侧形成第二源漏极层320；

其中，所述第一有源层210包括多晶硅，所述第二有源层310包括金属氧化物。

本申请通过将多晶硅薄膜晶体管的源漏极层先形成于金属氧化物薄膜晶体管的源漏极层，从而在形成第一源漏极层的接触孔时，第二源漏极层的接触孔还未开启，在利用酸液对第一源漏极层的接触孔对应的多晶硅表面氧化层进行处理时，既不会损伤第二有源层，又可以降低第一源漏极层与第一有源层的接触电阻，保护显示面板，提升显示面板的性能。

现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。

本实施例中，请参阅图4，所述显示面板100的制作方法，包括：

S100A、提供一衬底110，请参阅图6A。

在一些实施例中，所述衬底110的材料可以为硬质材料，例如玻璃，也可以为柔性材料，例如聚酰亚胺，在此不做具体限定。

S200A、在所述衬底110一侧形成第一有源层210，请参阅图6A。

S300A、在所述第一有源层210远离所述衬底110一侧形成第一绝缘层140，请参阅图6B。

在一些实施例中，步骤S300A包括：

S310A、在所述第一有源层210上形成第一栅极绝缘层130，请参阅图6B。

S320A、在所述第一栅极绝缘层130上形成第一栅极层230，请参阅图6B。

S330A、在所述第一栅极层230上形成第一绝缘层140，请参阅图6B。

在一些实施例中，第一栅极绝缘层130、第一绝缘层140材料可以为SiOx或是SiNx或是多层结构薄膜。

S400A、在所述第一绝缘层140上形成第一过孔510，暴露所述第一有源层210远离所述衬底110一侧的表面氧化层，请参阅图6C。

在一些实施例中，步骤S400A包括：

S410A、在所述第一绝缘层140上形成第一过孔510及第三过孔530，暴露所述第一有源层210远离所述衬底110一侧的表面氧化层，请参阅图6C。

S500A、利用酸液，通过所述第一过孔510，去除裸露的所述第一有源层210的所述表面氧化层，请参阅图6C。

在一些实施例中，步骤S500A包括：

S510A、利用酸液，通过所述第一过孔510和所述第三过孔530，去除裸露的所述第一有源层210的所述表面氧化层，请参阅图6C。

在一些实施例中，酸液可以为HF；或者酸液还可以为BOE(buffered oxide etch)药液，其成分为HF及NH

S600A、在所述第一绝缘层140上形成所述第一源漏极层220，请参阅图6D。

在一些实施例中，步骤S600A包括：

S610A、在所述第一绝缘层140上形成第二栅极材料层。

S620A、利用图案化处理，将第二栅极材料层形成第二栅极层240和第一源漏极层220，请参阅图6D。

所述第一源漏极层220与所述第二栅极层240在同一道光罩制程形成，减少了光罩数量，节省了制程成本。

请参阅图1，第一薄膜晶体管101为多晶硅半导体薄膜晶体管，第二薄膜晶体管102为金属氧化物薄膜晶体管，所述第一源漏极层220较第二源漏极层320先形成，故在对第一源漏极层220与所述第一有源层210的连接处的表面氧化层进行酸液清洗时，所述第二有源层310还未形成，或者所述第二有源层310上的绝缘层未被打开，防止了酸液对第二有源层310的破坏，既不会损伤第二有源层310，又可以降低第一源漏极层220与第一有源层210的接触电阻，保护显示面板100，提升显示面板100的性能。

在一些实施例中，步骤S620A包括：

S621A、利用图案化处理，将第二栅极材料层形成第二栅极层240、第一源漏极层220、第一连接部250和遮光功能层340，请参阅图6D。

在一些实施例中，请参阅图1，所述第一薄膜晶体管101还包括第一连接部250，所述第一连接部250与所述第一源漏极层220同层设置且材料相同，所述第一连接部250通过所述第三过孔530与所述第一有源层210电连接。

所述遮光功能层340与所述第二栅极层240在同一道光罩制程形成，减少了光罩数量，节省了制程成本。金属氧化物半导体材料对光线较敏感，需要对其进行遮光保护。

S700A、在所述第一源漏极层220远离所述衬底110一侧形成第二有源层310，请参阅图6E。

在一些实施例中，所述第一有源层210的材料包括为非晶硅，所述第二有源层310的材料可以包括IGZO，IZTO，IGZTO中任一种或多种的组合，在此制作举例，不做具体限定。

S800A、在所述第二有源层310远离所述衬底110一侧形成第二源漏极层320，请参阅图6F。

在一些实施例中，步骤S800A包括：

S810A、在所述第二有源层310远离所述衬底110一侧形成第二源漏极材料层。

S820A、利用图案化处理，将所述第二源漏极材料层形成第一源漏极走线层260、第二源漏极层320和第二连接部350，请参阅图6F。

若所述第一源漏极层220与所述第二栅极层240同层设置且材料相同，所述第一源漏极层220与所述第一有源层210的连接孔可以在所述第二栅极层240形成之前形成，故将所述第二连接部350与遮光功能层340的连接孔的形成时机，设置在第二源漏极层320与第二有源层310的连接孔形成时一同形成，可以避免增加光罩数量，控制制作成本。

本实施例中，请参阅图5、所述显示面板100的制作方法，包括：

S100B、提供一衬底110，请参阅图7A。

在一些实施例中，所述衬底110的材料可以为硬质材料，例如玻璃，也可以为柔性材料，例如聚酰亚胺，在此不做具体限定。

S200B、在所述衬底110一侧形成第一有源层210，请参阅图7A。

在一些实施例中，所述第一有源层210的材料包括为非晶硅。

S300B、在所述第一有源层210远离所述衬底110一侧形成第二有源层310，请参阅图7C。

在一些实施例中，步骤S300B包括：

S310B、在所述第一有源层210上形成第一栅极绝缘层130，请参阅图7B。

S320B、在所述第一栅极绝缘层130上形成第一栅极层230，请参阅图7B。

S330B、在所述第一栅极层230上形成第一绝缘层140，请参阅图7B。

S340B、在所述第一绝缘层140上形成第二栅极层240，请参阅图7C。

S350B、在所述第二栅极层240上形成第一层间绝缘层150，请参阅图7C。

S360B、在所述第一层间绝缘层150上形成第二有源层310，请参阅图7C。

在一些实施例中，所述第二有源层310的材料可以包括IGZO，IZTO，IGZTO中任一种或多种的组合，在此制作举例，不做具体限定。

在一些实施例中，步骤S340B包括：

S341B、在所述第一绝缘层140上形成第二栅极材料层。

S342B、利用图案化处理，将所述第二栅极材料层形成第二栅极层240和遮光功能层340，请参阅图7C。

所述遮光功能层340与所述第二栅极层240在同一道光罩制程形成，减少了光罩数量，节省了制程成本。金属氧化物半导体材料对光线较敏感，需要对其进行遮光保护。

S400B、在所述第二有源层310上形成第二绝缘层160，请参阅图7D。

S500B、在所述第二绝缘层160上形成第二过孔520，暴露所述第一有源层210远离所述衬底110一侧的表面氧化层，请参阅图7D。

在一些实施例中，步骤S500B包括：

S510B、在所述第二绝缘层160上形成第二过孔520、第四过孔540和第五过孔550，第二过孔520和所述第四过孔540暴露所述第一有源层210远离所述衬底110一侧的表面氧化层，所述第五过孔550暴露所述遮光功能层340，请参阅图7D。

S600B、利用酸液，通过所述第二过孔520，去除裸露的所述第一有源层210的所述表面氧化层，请参阅图7D。

在一些实施例中，步骤S600B包括：

S610B、利用酸液，通过所述第二过孔520和所述第四过孔540，去除裸露的所述第一有源层210的所述表面氧化层，请参阅图7D。

在一些实施例中，酸液可以为HF；或者酸液还可以为BOE(buffered oxide etch)药液，其成分为HF及NH

S700B、在所述第二绝缘层160上形成所述第一源漏极层220，请参阅图7E。

在一些实施例中，步骤S700B包括：

S710B、在所述第二绝缘层160上形成第三栅极材料层。

S720B、利用图案化处理，将第三栅极材料层形成第三栅极层330和第一源漏极层220，请参阅图7E。

所述第一源漏极层220与所述第三栅极层330在同一道光罩制程形成，减少了光罩数量，节省了制程成本。

请参阅图3，第一薄膜晶体管101为多晶硅半导体薄膜晶体管，第二薄膜晶体管102为金属氧化物薄膜晶体管，所述第一源漏极层220较第二源漏极层320先形成，故在对第一源漏极层220与所述第一有源层210的连接处的表面氧化层进行酸液清洗时，所述第二有源层310还未形成，或者所述第二有源层310上的绝缘层未被打开，防止了酸液对第二有源层310的破坏，既不会损伤第二有源层310，又可以降低第一源漏极层220与第一有源层210的接触电阻，保护显示面板100，提升显示面板100的性能。

在一些实施例中，步骤S720B包括：

S721B、利用图案化处理，将第三栅极材料层形成第三栅极层330、第一源漏极层220、第一连接部250和第二连接部350，请参阅图7E。

在一些实施例中，请参阅图3，所述第一薄膜晶体管101还包括第一连接部250，所述第一连接部250与所述第一源漏极层220同层设置且材料相同，所述第一连接部250通过所述第四过孔540与所述第一有源层210电连接。

所述第二连接部350与所述第三栅极层330同层，可以直接连接，所述第二连接部350通过所述第五过孔550连接所述第三栅极层330和所述遮光功能层340，所述遮光功能层340的材料也为栅极材料，故所述遮光功能层340可以实现栅极的功能，所述遮光功能层340与所述第二连接部350形成上下连接双栅控制所述第二有源层310。

S800B、在所述第一源漏极层220远离所述衬底110一侧形成第二源漏极层320，请参阅图7F。

在一些实施例中，所述在形成所述第一源漏极层220之前，所述显示面板100的制作方法还包括：利用退火工艺，对所述第一有源层210进行去氢处理。

请参阅图6C或图7D，通过所述第一过孔510或所述第二过孔520，对所述第一有源层210(具体为所述第一导体段212)进行去氢处理，活化和氢化，利用绝缘膜层中的氢，修复多晶硅本身中的缺陷，有利于降低所述第一导体段212的电阻；由于过多的氢又会形成游离的Si-H键，会影响器件长时间工作的稳定性，排出多余的氢，有利于提高器件长时间的稳定性。同时进行去氢处理时，所述第二有源层310上的绝缘层未被打开，氢很难扩散至第二有源层310中，避免了对第二有源层310的影响。

本申请通过将多晶硅薄膜晶体管的源漏极层先形成于金属氧化物薄膜晶体管的源漏极层，从而在形成第一源漏极层的接触孔时，第二源漏极层的接触孔还未开启，在利用酸液对第一源漏极层的接触孔对应的多晶硅表面氧化层进行处理时，既不会损伤第二有源层，又可以降低第一源漏极层与第一有源层的接触电阻，保护显示面板，提升显示面板的性能。

请参阅图8，本发明实施例还提供了一种显示装置10，包括如任一上述的显示面板100或由任一上述的显示面板100的制作方法制得的显示面板100。

所述显示面板100的具体结构请参阅任一上述显示面板100的实施例及附图，在此不再赘述。

在一些实施例中，所述显示装置10还包括装置主体20，所述装置主体20与所述显示面板100组合为一体。

在一些实施例中，所述装置主体20可以包括中框、框胶等，所述显示装置10可以为手机、平板、电视、巨幕、桌上型显示器，商用显示器等显示终端，在此不做限定。

本申请实施例公开了一种显示面板及其制作方法、显示装置；该显示面板包括衬底、多个第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管包括第一有源层和第一源漏极层，该第二薄膜晶体管包括第二有源层和第二源漏极层，该第一有源层包括多晶硅，该第二有源层包括金属氧化物，该第一源漏极层与该衬底之间的距离小于该第二源漏极层与该衬底之间的距离；本申请通过将多晶硅薄膜晶体管的源漏极层先形成于金属氧化物薄膜晶体管的源漏极层，在形成第一源漏极层的接触孔时，第二源漏极层的接触孔还未开启，在利用酸液对多晶硅表面氧化层进行处理时，既不会损伤第二有源层，又可以降低第一源漏极层与第一有源层的接触电阻。

以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制作方法、显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。