一种降低负电流的电路和利用电路降低负电流的方法

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，特别是一种降低负电流的电路和利用降低负电流的电路降低负电流的方法。

背景技术

目前服务器板卡上的CPU(Central Processing Unit中央处理器)一般由Controller(控制器)发出PWM(Pulse width modulation脉冲宽度调制)波控制Phase(相)实现电压的调节。

而在CPU上电的过程中，为了使电压迅速稳定至目标电压值，一般会将所有的Phase均开启来使电压迅速爬升至目标电压值。但由于Buck电路(降压式变换电路)中的电感，在这个过程中可能会产生负电流，如果该负电流的电流值超过Buck电路中的开关管或者开关管内部元件的耐流值时，开关管就有可能被击穿、损坏，最终导致服务器板卡故障。因此亟需提出一种降低负电流的电路。

发明内容

鉴于上述问题，本发明提出了一种降低负电流的电路和利用降低负电流的电路降低负电流的方法。

第一方面，本发明实施例提供了一种降低负电流的电路，所述电路包括：控制模块、降压模块；所述控制模块包括：负电流检测单元、核心单元；

所述控制模块与所述降压模块连接，其中，所述负电流检测单元用于检测所述降压模块中相端的负电流值，以及向所述核心单元发送指示信号；所述核心单元用于根据所述指示信号产生控制信号，并向所述降压模块发送所述控制信号；

所述降压模块包括：电感和至少一个开关管，所述电感与所述开关管的一端连接，所述开关管的另一端接地；

所述开关管的闭合或者断开受控于所述控制信号，其中，在所述开关管闭合时，所述电感接地形成电能泄放回路，降低所述负电流。

可选地，所述降压模块包括：电感、第一开关管、第二开关管以及电容；

所述第一开关管的第一端接收母线电压，第二端与所述第二开关管的第一端、所述电感的第一端、所述负电流检测单元分别连接；

所述电感的第二端与所述电容的第一端连接；

所述第二开关管的第二端与所述电容的第二端连接，并且接地；

其中，在所述第二开关管闭合时，所述第一开关管断开，所述电感接地形成电能泄放回路，降低所述负电流。

可选地，所述降压模块包括：电感、第一金属氧化物半导体场效应管、第二金属氧化物半导体场效应管以及电容；

所述第一金属氧化物半导体场效应管的漏极接收母线电压，源极与所述第二金属氧化物半导体场效应管的漏极、所述电感的第一端、所述负电流检测单元分别连接；

所述电感的第二端与所述电容的第一端连接；

所述第二金属氧化物半导体场效应管的源极与所述电容的第二端连接，并且接地；

所述第一金属氧化物半导体场效应管的栅极、所述第二金属氧化物半导体场效应管的栅极，均与所述控制模块连接；

其中，在所述第二金属氧化物半导体场效应管闭合时，所述第一金属氧化物半导体场效应管断开，所述电感接地形成电能泄放回路，降低所述负电流。

可选地，所述控制模块还包括：信号接口；

所述核心单元与所述信号接口连接，所述信号接口与所述降压模块中的开关管连接；

所述核心单元通过所述信号接口向所述降压模块发送所述控制信号。

可选地，所述负电流检测单元在检测到所述负电流值不小于第一预设值的情况下，向所述核心单元发送第一指示信号；

所述负电流检测单元在检测到所述负电流值小于第二预设值的情况下，向所述核心单元发送第二指示信号；

所述核心单元根据所述第一指示信号产生第一控制信号并发送至所述开关管，所述开关管在接收到所述第一控制信号后，所述开关管闭合；

所述核心单元根据所述第二指示信号产生第二控制信号并发送至所述开关管，所述开关管在接收所述第二控制信号后，所述开关管断开。

可选地，所述负电流检测单元在检测到所述负电流值不小于第一预设值的情况下，向所述核心单元发送所述指示信号；

所述核心单元根据所述指示信号产生所述控制信号并发送至所述开关管，所述开关管在接收到所述控制信号后闭合预设时间；

所述开关管在闭合预设时间后，自动断开。

可选地，在不影响电路中环路响应速度的情况下，增大所述电容的容值，以使得所述电容的存贮电能能力升高，降低所述负电流。

第二方面，本发明实施例还提供一种利用第一方面任一所述的电路降低负电流的方法，所述方法包括：

通过所述负电流检测单元检测所述负电流值；

根据所述负电流值和预设值的大小比对情况，通过所述负电流检测单元向所述核心单元发送指示信号；

利用所述核心单元和所述指示信号，产生并发送控制信号至所述开关管；

通过所述控制信号控制所述开关管闭合或断开，其中，在所述开关管闭合时，使得所述电感接地形成电能泄放回路，降低所述负电流。

可选地，所述预设值包括：第一预设值、第二预设值；

根据所述负电流值和预设值的大小比对情况，通过所述负电流检测单元向所述核心单元发送指示信号，包括：

在检测到所述负电流值不小于所述第一预设值的情况下，通过所述负电流检测单元向所述核心单元发送第一指示信号，所述第一指示信号用于指示所述核心单元产生控制所述开关管闭合的控制信号；

在检测到所述负电流值小于所述第二预设值的情况下，通过所述负电流检测单元向所述核心单元发送第二指示信号，所述第二指示信号用于指示所述核心单元产生控制所述开关管断开的控制信号。

可选地，所述预设值包括：第一预设值；

根据所述负电流值和预设值的大小比对情况，通过所述负电流检测单元向所述核心单元发送指示信号，包括：

在检测到所述负电流值不小于所述第一预设值的情况下，通过所述负电流检测单元向所述核心单元发送第一指示信号，所述第一指示信号用于指示所述核心单元产生控制所述开关管闭合的控制信号。

本发明提供的降低负电流的电路，包括：控制模块、降压模块；控制模块包括：负电流检测单元、核心单元。负电流检测单元用于检测降压模块中相端的负电流值，以及向核心单元发送指示信号；核心单元用于根据指示信号产生控制信号，并向降压模块发送控制信号。

降压模块包括：电感和至少一个开关管，电感与开关管的一端连接，开关管的另一端接地。由于开关管的闭合或者断开受控于控制信号，因此在开关管闭合时，即可使得电感接地形成电能泄放回路，从而降低了负电流。

本发明所提降低负电流的电路，创造性的提出使用负电流检测单元对负电流进行检测，并在负电流较大时导通开关管，以使得电感接地形成电能泄放回路，泄放了电感上积蓄的电能，降低了负电流。通过上述电路，不会产生过大的负电流，自然不会超过开关管或者开关管内部元件的耐流值，开关管不会被击穿、损坏，不会导致服务器板卡故障，具有较高的实用性。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1是现有PWM控制的VR电路结构图；

图2是本发明实施例中降低负电流的电路的模块化示意图；

图3是本发明实施例中降压模块的结构，结合控制模块的结构共同组成降低负电流的电路结构示意图；

图4是本发明实施例中以具体NMOS管作为开关管、PWM Controller作为控制模块的降低负电流的电路结构示意图；

图5是本发明实施例中利用降低负电流的电路降低负电流的方法流程图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，并不用于限定本发明。

发明人发现，目前为服务器板卡上的CPU提供输入电压VCCIN的方式，一般是使用VR(Voltage Regulation电压调节)芯片，由该芯片构成的模块也被称为电源模块。

由于输入电压VCCIN的电流过大，一般CPU的电压会基于多个Phase(相)来实现电压调节，可以由Controller(控制器)发出PWM(Pulse width modulation脉冲宽度调制)波实现电压的控制。这类发出PWM波的控制器即为PWM控制器(即PWM Controller)。

而在负载电流增大的情况下，一般会通过调高PWM占空比(PWM模式)或者调高PWM频率(COT模式)的方法来稳定电压。所谓COT是指Constant on time(恒定导通时间控制)。

在负载电流增大时，为了保持输出电压的稳定，通过调高PWM波的占空比提升电压。或者在负载电流增大时，为了保持输出电压的稳定，通过提高PWM波频率的方法来提升电压。

而在CPU上电的过程中，为了使电压迅速稳定至目标电压值(例如1.83V)，一般会将所有的Phase均开启来使电压迅速爬升至目标电压值，等到电压稳定至目标电压值之后，各Phase依次关断。

发明人进一步研究发现，由于Buck电路中的电感，在这上电过程中会积蓄能量，其在回路未导通时会产生负电流，如果该负电流的电流值超过Buck电路中的开关管或者开关管内部元件的耐流值时，开关管就有可能被击穿、损坏，最终导致服务器板卡故障。

以图1所示的现有PWM控制的VR电路结构图为例，图1中示例性的以MOS(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET，一般缩写MOS，中文名：金属氧化物半导体场效应管)管10、MOS管20表示开关管，电源电压30，经过电感40后以及电容80后形成输入电压VCCIN(可简写为VIN)，MOS管10的一端接收输入电压VCCIN，MOS管10的另一端与MOS管20的一端串联，MOS管20的另一端接地90。

两个MOS管均受控于PWM Controller70发送的PWM信号。电感40、电容50以及MOS管10、MOS管20共同组成一个Buck电路结构，其作用是将输入电压VCCIN的高电压，降为CPU所需的低电压，电阻60用于分压，由Vout端输出至CPU。例如：输入电压VCCIN的高电压为12V，经过Buck电路降压之后，Vout端输出电压为1.83V。

在实际的CPU上电至稳定的这个过程中，因为电路结构和工作特性的影响，会有VDROOP(俗称掉电压，是指：当CPU负载增加时造成CPU会微量掉电压，这种情况称之为VDROOP)产生。

当出现这种情况时，一般会触发USR功能(是指负压过冲补偿功能)，这会导致PWMController70会错误的认为CPU电压过低，从而发出PWM波，导致几个或多个PWM波产生过度叠加。

而多个PWM波的叠加会导致产生过多的电能积蓄在电感40上，由于MOS管10和MOS管20的闭合或者断开受控于PWM Controller70发出的PWM波，所以在MOS管20关断且MOS管10还未导通的状态时(在实际工作过程中肯定会出现这个状态)，电感40上集聚的电能因没有电能释放回路，从而形成负电流。

基于上述原因形成的负电流值可能较大，也可能较小，目前对该负电流值的大小并没有任何监控或者检测，无法有效对负电流过大的情况做出反应。而当负电流过大时，可能会将MOS管20的body diode(体二极管)击穿、损坏，从而造成服务器板卡故障。

针对上述问题，发明人创造性的提出本发明的降低负电流的电路，以下对本发明所提降低负电流的电路进行详细解释和说明。

本发明所提降低负电流的电路包括：控制模块、降压模块；控制模块包括：负电流检测单元、核心单元。参照图2所示的模块化示意图：

控制模块与降压模块(即Buck电路)连接，其中，负电流检测单元用于检测降压模块中相端(即图1中电感40与两个MOS管10、20连接位置)的负电流值，以及向核心单元发送指示信号；核心单元用于根据指示信号产生控制信号，并向降压模块发送控制信号。

降压模块包括：电感和至少一个开关管，电感与开关管的一端连接，开关管的另一端接地；开关管的闭合或者断开受控于控制信号，其中，在开关管闭合时，电感通过开关管接地，形成了一个电能泄放回路，因此释放了电感上存贮的电能，从而降低了负电流。

本发明所提降低负电流的电路的结构，及时对负电流进行检测，从而有效的对负电流过大的情况做出反应，并在负电流值较大时导通开关管形成电能泄放回路，泄放了电感上积蓄的电能，降低了负电流，这样就不会产生过大的负电流，自然不会超过开关管或者开关管内部元件的耐流值，避免了开关管被击穿、损坏，也就不会导致服务器板卡故障。

在一些可能的实施例中，降压模块包括：电感、第一开关管、第二开关管以及电容；第一开关管的第一端接收母线电压(即输入电压VIN)，第二端与第二开关管的第一端、电感的第一端、负电流检测单元分别连接；电感的第二端与电容的第一端连接；第二开关管的第二端与电容的第二端连接，并且接地；其中，在第二开关管闭合时，第一开关管断开，电感接地形成电能泄放回路，降低负电流。

在一些可能的实施例中，开关管可以采用多种形式的元器件或者开关电路实现。作为开关管的一种较优的选择，可以采用金属氧化物半导体场效应管，即采用MOS管作为开关管。因此降压模块可以包括：电感、第一金属氧化物半导体场效应管、第二金属氧化物半导体场效应管以及电容。

由于集成电路芯片设计上的金属氧化物半导体场效应管为四端组件，所以除了源极(一般图示中用S表示)、漏极(一般图示中用D表示)、栅极(一般图示中用G表示)外，尚有一基极(Bulk或是Body)。

金属氧化物半导体场效应管电路符号中，从沟道往右延伸的箭号方向则可表示此组件为N型或是P型的金属氧化物半导体场效应管。箭头方向永远从P端指向N端，所以箭头从沟道指向基极端的为P型的金属氧化物半导体场效应管，或简称PMOS(代表此组件的沟道为P型)；反之则代表基极为P型，而沟道为N型，此组件为N型的金属氧化物半导体场效应管，简称NMOS。

在一般分散式金属氧化物半导体场效应管组件中，通常把基极和源极接在一起，故分散式金属氧化物半导体场效应管通常示出为三端组件。而在集成电路中的金属氧化物半导体场效应管通常因为使用同一个基极(common bulk)，所以不标示出基极的极性，而在PMOS管图示的栅极端多加一个圆圈以示区别。

本发明实施例中以NMOS管为例：第一金属氧化物半导体场效应管的漏极接收母线电压，源极与第二金属氧化物半导体场效应管的漏极、电感的第一端、负电流检测单元分别连接。

电感的第二端与电容的第一端连接；第二金属氧化物半导体场效应管的源极与电容的第二端连接，并且接地；第一金属氧化物半导体场效应管的栅极、第二金属氧化物半导体场效应管的栅极，均与控制模块连接；其中，在第二金属氧化物半导体场效应管闭合时，第一金属氧化物半导体场效应管断开，电感接地形成电能泄放回路，降低负电流。本领域技术人员在NMOS管结构电路基础上，经过简单变换，即可得到PMOS管结构对应的电路，不再单独解释和说明。

一般情况下，控制模块(PWM Controller可以理解为控制模块的一种)通过信号接口向开关管发送相关控制信号。因此控制模块还包括：信号接口；核心单元与信号接口连接，信号接口与降压模块中的开关管连接；核心单元通过信号接口向降压模块发送控制信号。

基于上述降压模块的结构，结合控制模块的结构共同组成了本发明所提降低负电流的电路。为了更好的解释和说明上述两个模块组成的降低负电流的电路，参照图3所示，示例性的以PWM Controller300作为控制模块为例，PWM Controller300中包括：负电流检测单元3001、核心单元3002、信号接口3003。

负电流检测单元3001检测相端400(图3中用400表示图1中电感40和电容50的电路结构)的负电流值，负电流检测单元3001根据负电流值的大小，决定是否向核心单元3002发送指示信号(图3中用3004表示负电流值超限，发送指示信号)。核心单元3002接收指示信号后，根据指示信号产生对应的控制信号，并通过信号接口3003发送至两个开关管(图3中用100、200表示两个开关管)。图3中200对应图1中的MOS管20，在开关管200接收到控制信号后闭合，则电感上集聚的电能由开关管200流向地，从而降低甚至消除负电流。

在一些可能的实施例中，考虑到开关管控制的特性，可以采用两种方式降低负电流。一种方式为：

负电流检测单元在检测到负电流值不小于第一预设值的情况下，向核心单元发送第一指示信号。负电流检测单元在检测到负电流值小于第二预设值的情况下，向核心单元发送第二指示信号。

所谓第一预设值可以根据开关管或者开关管中元件的耐流值，留取一定裕量后得到。例如：假设NMOS管中体二极管的耐流值为30mA，裕量为5mA，那么第一预设值为：30mA-5mA＝25mA；即认为当负电流值达到或者超过25mA时，就需要电感释放电能，降低负电流的电流值。

而第二预设值可以根据实际需求或者专业技术人员的经验去设定。例如：认为负电流值在5mA或者5mA以下为最优状态，那么设定第二预设值为5mA；当负电流值没有超过5mA时，就不需要电感释放电能，负电流的电流值在最优的范围。

核心单元接收到第一指示信号后，根据第一指示信号产生第一控制信号并发送至开关管，开关管在接收到第一控制信号后，开关管闭合；核心单元接收到第二指示信号后，根据第二指示信号产生第二控制信号并发送至开关管，开关管在接收第二控制信号后，开关管断开。

结合前面描述内容可知：开关管闭合后，电感通过开关管接地，形成了一个电能泄放回路，因此释放了电感上存贮的电能，从而降低了负电流；开关管断开后，电感无法通过开关管接地，并且另一个开关管也是断开的，自然无法形成了一个电能泄放回路，不能释放电感上存贮的电能。

降低负电流的另一种方式为：负电流检测单元在检测到负电流值不小于第一预设值的情况下，向核心单元发送指示信号；核心单元根据指示信号产生控制信号并发送至开关管，开关管在接收到控制信号后闭合预设时间；开关管在闭合预设时间后，自动断开。

后一种方式相较于前一种方式，虽然同样可以降低负电流值，但对负电流值的降低程度相对不够精准，因为预设时间是一个经验值，是经过大量实验、测试得到的一个普遍适用值，而元器件制作误差，电路结构误差以及电压波动等因素，均可能导致预设时间内负电流不能降低到期望值或者最优值。不过后一种方式的控制逻辑上相对更为简洁，少了一次指示信号、控制信号的产生和发送，变相降低了控制模块的运算量，即减少了控制模块的能耗，提升了控制模块的效率。两种方式各有利弊，但核心思想相同，在实际使用时本领域技术人员可以根据实际需求进行选择。

此外，考虑到电容的特性，在不影响降低负电流的电路中环路响应速度的情况下，可以适当增大电容的容值，以使得电容的存贮电能能力升高，具有更多储能电能的空间，可以更好的存贮电感上积蓄的电能，这样采用双重保险的方式，进一步降低负电流。

增大电容容值的方式可以为：选取相对容值更大的电容，或者并联电容，或者使用由浸入电解质中的金属电极组成的超级电容器等。

为了更好的解释和说明本发明所提降低负电流的电路，参照图4所示，以具体NMOS管作为开关管、PWM Controller(图4中用PWMC表示)作为控制模块为例，图4中省略了PWMController中的核心单元。

在具体的电路结构上，第一金属氧化物半导体场效应管Q1的漏极接收母线电压VIN(母线电压VIN通过电容C1实现稳压)，第一金属氧化物半导体场效应管Q1的源极与第二金属氧化物半导体场效应管Q2的漏极、电感L的第一端、PWMC中的负电流检测单元RDSCS分别连接。第一金属氧化物半导体场效应管Q1中包含体二极管D1；第二金属氧化物半导体场效应管Q2中包含体二极管D2。

电感L与第一金属氧化物半导体场效应管Q1的源极、第二金属氧化物半导体场效应管Q2的漏极连接处即为相端，负电流检测单元RDSCS检测此处的负电流。

电感L的第二端与电容C2的第一端连接；第二金属氧化物半导体场效应管Q1的源极与电容C2的第二端连接，并且接地；第一金属氧化物半导体场效应管Q1的栅极、第二金属氧化物半导体场效应管Q2的栅极，均与PWMC中的信号接口PWMI连接，接收其发送的控制信号。

在CPU上电至稳定的这个过程中，在第二金属氧化物半导体场效应管Q2已经关断，但第一金属氧化物半导体场效应管Q1仍未导通的情况下，负电流检测单元RDSCS检测负电流值。

当负电流值不小于第一预设值的情况下，负电流检测单元RDSCS向核心单元发送第一指示信号，核心单元接收到第一指示信号后，根据第一指示信号产生第一控制信号并通过信号接口PWMI发送至第二金属氧化物半导体场效应管Q2，第二金属氧化物半导体场效应管Q2在接收到第一控制信号后，闭合导通，此时电感L通过第二金属氧化物半导体场效应管Q2接地，形成了一个电能泄放回路(图4中用S表示泄放回路)，因此释放了电感上存贮的电能，从而降低了负电流。

负电流检测单元RDSCS持续检测负电流，在检测到负电流值小于第二预设值的情况下，向核心单元发送第二指示信号，核心单元接收到第二指示信号后，根据第二指示信号产生第二控制信号并通过信号接口PWMI发送至第二金属氧化物半导体场效应管Q2，第二金属氧化物半导体场效应管Q2在接收第二控制信号后断开，电感L上存贮的电能不再释放。

当然，也可以是：负电流检测单元RDSCS检测负电流值。当负电流值不小于第一预设值的情况下，负电流检测单元RDSCS向核心单元发送第一指示信号，核心单元接收到第一指示信号后，根据第一指示信号产生第一控制信号并通过信号接口PWMI发送至第二金属氧化物半导体场效应管Q2，第二金属氧化物半导体场效应管Q2在接收到第一控制信号(第一控制信号的低电平持续时长与预设时间的时长相同)后，闭合导通预设时间，在预设时间内，电感L通过第二金属氧化物半导体场效应管Q2接地，形成了一个电能泄放回路S，因此释放了电感上存贮的电能，从而降低了负电流，在预设时间后，第二金属氧化物半导体场效应管Q2自动断开。

同时，在降低负电流的电路设计时，在不会影响环路响应速度的前提下，适当增多输出电容的放置(即增大电容C2的容值)，使得在电感积蓄电量时，后端输出电容可以提供更多储存能量的空间，作为双重保险降低了负电流值。

基于上述降低负电流的电路，本发明还提供一种利用上述降低负电流的电路降低负电流的方法，参照图5所示的方法流程图，所述方法包括：

步骤501：通过负电流检测单元检测负电流值；

步骤502：根据负电流值和预设值的大小比对情况，通过负电流检测单元向核心单元发送指示信号；

步骤503：利用核心单元和指示信号，产生并发送控制信号至开关管；

步骤504：通过控制信号控制开关管闭合或断开，其中，在开关管闭合时，使得电感通过开关管接地形成电能泄放回路，降低负电流。

本发明所提降低负电流的方法，是基于前述降低负电流的电路实现的。可以通过负电流检测单元检测相端的负电流值，根据负电流值和预设值的大小比对情况，通过负电流检测单元向核心单元发送指示信号，该指示信号用于指示核心单元产生控制开关管闭合或者断开的控制信号。最后通过控制信号控制开关管闭合或断开，其中，在开关管闭合时，电感通过开关管接地形成电能泄放回路，释放电感上存贮的电能，降低了负电流。

可选地，本发明一种实施例中的预设值包括：第一预设值、第二预设值；步骤502：根据负电流值和预设值的大小比对情况，通过负电流检测单元向核心单元发送指示信号的一种具体方法包括：

在检测到负电流值不小于第一预设值的情况下，通过负电流检测单元向核心单元发送第一指示信号，第一指示信号用于指示核心单元产生控制开关管闭合的控制信号；在检测到负电流值小于第二预设值的情况下，通过负电流检测单元向核心单元发送第二指示信号，第二指示信号用于指示核心单元产生控制开关管断开的控制信号。

在核心单元产生控制开关管闭合的控制信号或者控制开关管断开的控制信号后，发送至开关管，开关管根据控制信号闭合或者断开。

可选地，本发明另一实施例中的预设值包括：第一预设值；步骤502：根据负电流值和预设值的大小比对情况，通过负电流检测单元向核心单元发送指示信号的另一种具体方法包括：

在检测到负电流值不小于第一预设值的情况下，通过负电流检测单元向核心单元发送第一指示信号，第一指示信号用于指示核心单元产生控制开关管闭合的控制信号。

在核心单元产生控制开关管闭合的控制信号后，发送至开关管，开关管根据控制信号闭合预设时间，之后再自动断开。

上述步骤501～步骤504的方法，在前述内容已经结合附图进行了详细的解释和说明，参照前述内容对应的部分即可理解，不再过多赘述。

综上所述，本发明所提降低负电流的电路，包括：控制模块、降压模块；控制模块包括：负电流检测单元、核心单元。负电流检测单元用于检测降压模块中相端的负电流值，以及向核心单元发送指示信号；核心单元用于根据指示信号产生控制信号，并向降压模块发送控制信号。

降压模块包括：电感和至少一个开关管，电感与开关管的一端连接，开关管的另一端接地。由于开关管的闭合或者断开受控于控制信号，因此在开关管闭合时，即可使得电感接地形成电能泄放回路，从而降低了负电流。

本发明所提降低负电流的电路，创造性的提出使用负电流检测单元对负电流进行检测，并在负电流较大时导通开关管，以使得电感接地形成电能泄放回路，泄放了电感上积蓄的电能，降低了负电流。同时在降低负电流的电路设计时，在不会影响环路响应速度的前提下，适当增大电容的容值，使得在电感积蓄电量时，后端输出电容可以提供更多储存能量的空间，作为双重保险进一步的降低了负电流值。通过上述电路，不会产生过大的负电流，自然不会超过开关管或者开关管内部元件的耐流值，开关管不会被击穿、损坏，不会导致服务器板卡故障，具有较高的实用性。

尽管已描述了本发明实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。

上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本发明的保护之内。