磁体加工方法与磁体

技术领域

本申请涉及磁性材料的加工技术领域，尤其涉及一种磁体加工方法与磁体。

背景技术

在振动马达和扬声器中，通常会使用到磁体作为驱动元件，在制备体积较小的磁钢时，需切割体积较大的磁体原料，该过程中通常会使用到胶水固定以方便批量切割；切割完成后需要对磁体进行脱胶处理后才能用到产品制造中，现有脱胶工艺为使用高温碱性液体对磁材胶进行脱胶。但碱性液体(一般常用的是氢氧化钠)温度上限较低，很难超过120℃，胶水在此温度下很难融化变质，导致脱胶较困难；另外，针对粘结面积大的产品，碱性液体很难渗入，导致对胶水的腐蚀较弱，煮胶时间长达2h，甚至无法将产品全部脱胶，且长时间的煮胶会导致产品表面被碱液腐蚀，造成产品缺陷。

发明内容

鉴于此，本申请提供一种磁体加工方法与磁体，对切割后的磁体进行脱胶处理，通过控制脱胶处理的温度，能够有效去除磁体表面的磁材胶。

第一方面，本申请提供一种磁体加工方法，所述磁体加工方法包括如下步骤：

提供磁体坯体；

利用磁材胶将所述磁体坯体固定后进行切割处理，得到磁体薄片；

将所述磁体薄片在300℃～340℃下进行脱胶处理，得到磁体。

在一些实施方式中，所述磁体包括钕铁硼磁体、铁氧体磁体、铝镍钴永磁合金、钐钴永磁体中的至少一种。

在一些实施方式中，所述切割处理包括线切割、电火花切割和激光切割中的至少一种。

在一些实施方式中，在利用磁材胶将所述磁体坯体固定之前，还包括：对所述磁体坯体进行一次清洁处理。

在一些实施方式中，所述脱胶处理的时间为10min～25min。

在一些实施方式中，所述脱胶处理之后，还包括：对所述磁体薄片进行冷却处理。

在一些实施方式中，所述冷却处理之后，还包括：对所述磁体薄片进行二次清洁处理。

第二方面，本申请提供一种磁体，所述磁体由第一方面任一项所述的磁体加工方法制备。

与现有技术相比，本申请的技术方案至少具有如下有益效果：

本申请提供的磁体加工方法，通过对切割后的磁体进行脱胶处理，能够有效去除磁体表面的磁材胶。脱胶处理的温度控制在上述范围内，能够使得磁体表面的磁材胶汽化完全，提高磁体脱胶的效率和质量；同时，磁体无损伤，得到的产品质量与性能好。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。

图1为本申请提供的磁体加工方法的流程图。

具体实施方式

为了更好的理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。

应当明确，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其它含义。

应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

在振动马达和扬声器中，通常会使用到磁体作为驱动元件，在制备体积较小的磁钢时，需切割体积较大的磁体原料，该过程中通常会使用到胶水固定以方便批量切割；切割完成后需要对磁体进行脱胶处理后才能用到产品制造中，现有脱胶工艺为使用高温碱性液体对磁材胶进行脱胶。但碱性液体(一般常用的是氢氧化钠)温度上限较低，很难超过120℃，胶水在此温度下很难融化变质，导致脱胶较困难；另外，针对粘结面积大的产品，碱性液体很难渗入，导致对胶水的腐蚀较弱，煮胶时间长达2h，甚至无法将产品全部脱胶，且长时间的煮胶会导致产品表面被碱液腐蚀，造成产品缺陷。

鉴于此，本申请提供一种磁体加工方法，如图1所示，磁体加工方法包括如下步骤：

步骤S10，提供磁体坯体；

步骤S20，利用磁材胶将所述磁体坯体固定后进行切割处理，得到磁体薄片；

步骤S30，将所述磁体薄片在300℃～340℃下进行脱胶处理，得到磁体。

本申请提供的磁体加工方法，通过对切割后的磁体进行脱胶处理，能够有效去除磁体表面的磁材胶。脱胶处理的温度控制在上述范围内，能够使得磁体表面的磁材胶汽化完全，提高磁体脱胶的效率和质量；同时，磁体无损伤，得到的产品质量与性能好。

以下结合实施例具体解释本申请的制备方法：

步骤S10，提供磁体坯体。

在一些实施方式中，磁体坯体包括钕铁硼磁体、铁氧体磁体、铝镍钴永磁合金、钐钴永磁体中的至少一种。优选地，磁体为钕铁硼磁体。

步骤S20，利用磁材胶将所述磁体坯体固定后进行切割处理，得到磁体薄片。

在一些实施方式中，在利用磁材胶将所述磁体坯体固定之前，还包括：对磁体坯体进行一次清洁处理。可以理解地，对磁体坯体进行一次清洁处理，可以去除磁体坯体表面的污垢和杂质，提高磁体坯体与磁材胶之间的黏附力和接触性能，提高固定效果，提高磁体的加工精度。

在一些实施方式中，切割处理包括线切割、电火花切割和激光切割中的至少一种。其中，线切割采用线切割机将磁体坯体进行切割；电火花切割使用钼丝电极在磁体胚体上产生高频电火花，使其局部熔化，且由计算机控制，使电极线按预定的轨迹进行切割加工；激光切割采用激光束汇聚于磁体胚体上，磁体胚体熔融气化，消失区域形成切缝。可根据实际需要选择切割处理的方式，在此不做限定。

步骤S30，将磁体薄片在300℃～340℃下进行脱胶处理，得到磁体。

上述方案通过对磁体薄片进行加热，汽化凝固的磁材胶，使得磁体薄片表面的磁材胶能够完全脱落。上述脱胶处理工艺简单、脱胶效率高且成本低。此外，直接使用高温加热汽化脱胶，不需要使用腐蚀液体，可以防止产品表面被腐蚀。

可选地，脱胶处理的温度具体可以是300℃、310℃、315℃、320℃、330℃、335℃或340℃等，当然也还可以是范围内的其他数值，在此不做限定。可以理解地，脱胶处理的温度控制在上述范围内，可以提高脱胶效果、保证磁体质量、稳定加工质量，并节省能源和成本。脱胶处理的温度过低，磁材胶难以被充分破坏和脱离磁体表面，从而影响脱胶效果；同时过低的温度可能需要延长脱胶时间，增加加工周期和成本。脱胶处理的温度过高，可能会导致磁体材料的热损伤，使其结构和性能发生变化，甚至引起磁体材料的氧化、熔化或变形等问题，从而影响磁体的质量和性能；另外，过高的温度需要消耗更多的能源来维持，这会增加脱胶过程的成本和能源消耗。

在一些实施方式中，脱胶处理的时间为10min～25min，具体可以是10min、12min、15min、16min、18min、20min、22min、23min或25min等，当然也还可以是上述范围内其他值，在此不做限定。可以理解地，脱胶处理的时间在上述范围内，能够保证磁体脱胶彻底，且脱胶处理消耗的成本低。

在一些实施方式中，脱胶处理之后，还包括：对磁体薄片进行冷却处理。

在一些实施方式中，冷却处理之后，还包括：对磁体薄片进行二次清洁处理。可以理解地，二次清洁处理可以去除磁体表面的污垢和残留物，提高磁体表面的光洁度和平整度，从而提高磁体的质量和性能。

第二方面，本申请提供一种磁体，磁体由第一方面任一项所述的磁体加工方法制备。

下面分多个实施例对本发明实施例进行进一步的说明。其中，本发明实施例不限定于以下的具体实施例。在不变主权利的范围内，可以适当的进行变更进行。

实施例1

(1)将钕铁硼磁体坯体进行一次清洁处理后，利用磁材胶将钕铁硼磁体坯体固定后进行切割处理，得到磁体薄片；

(2)将磁体薄片置于烘箱300℃下加热15min进行脱胶处理；然后将磁体薄片从烘箱取出，待冷却至室温后，对磁体薄片进行二次清洁处理，得到磁体。

本实施例中磁体表面磁材胶的残留量为1.5％，且磁体表面无损伤。

实施例2

与实施例1不同之处在于，步骤(2)中脱胶处理的温度为320℃。

本实施例磁体表面磁材胶的残留量为0.3％，且磁体表面无损伤。

实施例3

与实施例1不同之处在于，步骤(2)中脱胶处理的温度为340℃。

本实施例中磁体表面磁材胶的残留量为0.5％，且磁体表面无损伤。

对比例1

与实施例1不同之处在于，步骤(2)中脱胶处理的温度为260℃。

本实施例中磁体表面磁材胶的残留量为4％。

对比例2

与实施例1不同之处在于，步骤(2)中脱胶处理的温度为380℃。

本实施例中磁体表面磁材胶的残留量为0.1％，但磁体表面有损伤。

对比例3

采用碱性液体进行脱胶处理。

磁体表面磁材胶的残留量为20％，且磁体表面被腐蚀。

以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。