电致发光器件及其制备方法、显示面板、显示设备

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体而言，本申请涉及一种电致发光器件及其制备方法、显示面板、显示设备。

背景技术

随着显示技术的发展，OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板由于具有亮度高、色彩饱和、轻薄、可弯曲等特点，越来越受到消费者的青睐。OLED显示面板的电致发光器件包括阳极层和空穴传输层，但是由于阳极层和空穴传输层之间的能级差异较大，因此通常需要在阳极层和空穴传输层之间设置空穴注入层，来降低从阳极层注入空穴的势垒，以来保证载流子的注入。

但是，现有电致发光器件中，载流子在空穴注入层中的横向传输现象比较严重，从而使得电致发光器件出现串扰的问题。

发明内容

本申请针对现有方式的缺点，提出一种电致发光器件及其制备方法、显示面板、显示设备，用以解决现有电致发光器件中容易出现载流子串扰的技术问题。

第一个方面，本申请实施例提供了一种电致发光器件，包括：阳极层、空穴注入层和空穴传输层，空穴注入层位于阳极层和空穴传输层之间；

空穴注入层包括至少两个子空穴注入层，靠近阳极层的子空穴注入层的电阻值，小于靠近空穴传输层的子空穴注入层的电阻值。

第二个方面，本申请实施例提供了一种电致发光器件的制备方法，包括：

在阳极层的一侧制备包括至少两个子空穴注入层的空穴注入层，在空穴注入层远离阳极层的一侧制备空穴传输层，且使得靠近阳极层的子空穴注入层的电阻值，小于靠近空穴传输层的子空穴注入层的电阻值。

第三个方面，本申请实施例提供了一种显示面板，包括：如上述第一个方面所提供的电致发光器件。

第四个方面，本申请实施例提供一种显示设备，包括：如上述第一个方面所提供的电致发光器件；或，包括：如上述第三个方面所提供的显示面板。

本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：

本申请实施例提供的电致发光器件中，通过设置多个子空穴注入层，一方面，空穴注入层中存在多个电阻阻值不同的子空穴注入层，空穴注入层的整体电阻值大于任一子空穴注入层的电阻值，本申请的空穴注入层的整体电阻值大于单层的空穴注入层的电阻值；另一方面，可以将靠近阳极层的子空穴注入层的电阻值设置得与单层的空穴注入层的电阻值一致，那么其它子空穴注入层的电阻值大于单层的空穴注入层的电阻值，其它子空穴注入层的横向传输通路的电阻值都大于单层的空穴注入层的横向传输通路的电阻值；从而能够在整体上增大空穴注入层横向传输通路的电阻值，从而能够降低载流子沿空穴注入层的横向传输，能够降低电致发光器件出现串扰问题的几率，进而能够保障电致发光器件的工作稳定性。

本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为现有电致发光器件中相邻两个像素的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的一种电致发光器件的结构示意图；

图3为本申请实施例提供的一种电致发光器件中相邻两个像素的结构示意图；

图4为本申请实施例提供的另一种电致发光器件的结构示意图。

附图标记说明：

101-基板；

102-驱动电路层；

103-反射层；

104-阳极层；

105-空穴注入层；1051-子空穴注入层；1052-第一子空穴注入层；1053-第二子空穴注入层；

106-空穴传输层；

107-电子阻挡层；

108-发光层；

109-空穴阻挡层；

110-电子传输层；

111-电子注入层；

112-阴极层；

113-光取出层。

具体实施方式

下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。

首先对本申请涉及的几个名词进行介绍和解释：

HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital，最高占据分子轨道)，即已占有电子的能级最高的轨道称为HOMO。

LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，最低未占分子轨道)，即未占有电子的能级最低的轨道。

能级：电子只能在原子核外特定的、分立的轨道上运动，各个轨道上的电子具有分立的能量，这些能量值即为能级。

本申请的发明人注意到，图1为现有电致发光器件中相邻两个像素的结构示意图，相邻两个像素中阳极层104与空穴注入层105之间的电阻R关系为：

R＝2R1+R2 公式(1)

R2＝ρ×L/S 公式(2)

公式1中，R1表示阳极层104与空穴注入层105之间的界面电阻，R2表示的是空穴注入层105的电阻；公式2中，ρ表示空穴注入层105的电阻率，L表示相邻两个像素中同一空穴注入层105连接的两个阳极层104之间的距离，S表示空穴注入层105的横截面积。

根据公式2可知，当空穴注入层105的厚度以及与阳极层104的位置固定时，此时，距离L和横截面积S的数值固定，通过减小空穴注入层105的电阻率ρ，能够减小空穴注入层105的电阻R2。而且，当空穴注入层105的电阻率ρ减小时，界面电阻R1也会随之减小。根据公式1可知，随着空穴注入层105的电阻率ρ的减小，相邻两个像素中阳极层104与空穴注入层105之间的电阻R也随之减小。

本申请的发明人进行研究发现，当减小空穴注入层105的电阻率ρ时，界面电阻R1减小，相应的，阳极层104与空穴注入层105之间的势垒减小，从而有利于载流子的注入；但是，空穴注入层105的电阻率ρ减小时，空穴注入层105的电阻R2也随之减小，从而容易出现载流子在阳极层104和空穴注入层105之间界面横向传输的现象，即载流子从一个阳极层104通过空穴注入层105传输至另一个阳极层105，从而使得电致发光器件出现串扰的问题，随着空穴注入层105的电阻R2的减小，电致发光器件出现串扰问题的几率随之增大，这严重影响电致发光器件的正常工作。

本申请提供的电致发光器件及其制备方法、显示面板、显示设备，旨在解决现有技术的如上技术问题。

下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。

本申请实施例提供了一种电致发光器件，该电致发光器件的结构示意图如图2所示，包括：阳极层104、空穴注入层105和空穴传输层106。

空穴注入层位105于阳极层104和空穴传输层106之间。

空穴注入层105包括至少两个子空穴注入层1051，靠近阳极层104的子空穴注入层1051的电阻值，小于靠近空穴传输层106的子空穴注入层1051的电阻值。

本申请实施例提供的电致发光器件中，通过设置多个子空穴注入层1051，一方面，空穴注入层105中存在多个电阻阻值不同的子空穴注入层1051，空穴注入层105的整体电阻值大于任一子空穴注入层1051的电阻值，本申请的空穴注入层105的整体电阻值大于单层的空穴注入层105的电阻值；另一方面，可以将靠近阳极层104的子空穴注入层1051的电阻值设置得与单层的空穴注入层105的电阻值一致，那么其它子空穴注入层1051的电阻值大于单层的空穴注入层105的电阻值，其它子空穴注入层1051的横向传输通路的电阻值都大于单层的空穴注入层105的横向传输通路的电阻值；从而能够在整体上增大空穴注入层105横向传输通路的电阻值，从而能够降低载流子沿空穴注入层105的横向传输，从而能够降低电致发光器件出现串扰问题的几率，进而能够保障电致发光器件的工作稳定性。载流子包括空穴。

为了更好地说明本申请实施例提供的电致发光器件的原理，将结合图3进行说明，图3为本申请实施例提供的电致发光器件中相邻两个像素的结构示意图。为了便于说明，本申请实施例中，空穴注入层105包括两个子空穴注入层1051，可选地，如图3所示，空穴注入层105包括第一子空穴注入层1052和第二子空穴注入层1053，相邻两个像素中阳极层104与空穴注入层105之间的电阻R3关系为：

R3＝2R4+R5×R6/(R5+R6) 公式(3)

公式3中，R4表示阳极层104与第一子空穴注入层1052之间的界面电阻，R5表示第一子空穴注入层1052的电阻，R6表示第二子空穴注入层1053。

根据公式2可知，第一子空穴注入层1052的电阻R5和第二子空穴注入层1053的电阻R6，与各自的电阻率、横截面积S以及空穴注入层105连接的两个阳极层104之间的距离L有关。在横截面积以及空穴注入层105连接的两个阳极层104之间的距离l一定的情况下，通过控制第一子空穴注入层1052的电阻R5与第一子空穴注入层1052的电阻率ρ

本申请实施例中，图3中的距离L与图1中的距离L相同，图1中的空穴注入层105分割成图3中两个形状和体积大小等同的第一子空穴注入层1052和第二子空穴注入层1053，则第一子空穴注入层1052横截面积为S/2，第二子空穴注入层1053的横截面积为S/2，根据公式2可知，电阻R5为2ρ

根据上述分析可知，当与阳极层104直接连接接触的子空穴注入层1051的电阻值减小时，阳极层104与该子空穴注入层1051之间的势垒减小，从而有利于保障空穴载流子从阳极层104注入到该子空穴注入层1051，本申请实施例中，靠近阳极层104的子空穴注入层1051的电阻值，小于靠近空穴传输层106的子空穴注入层1051的电阻值，即保障各个子空穴注入层1051中，最靠近阳极层104的子空穴注入层1051的电阻值最小，从而能够保障载流子由阳极层104注入子空穴注入层1051中的注入效率。

本领域技术人员可以理解的是，通过控制各个子空穴注入层1051的电阻率，可以调控子空穴注入层1051的电阻，进而调控子空穴注入层1051的HOMO能级和空穴注入层105的整体电阻阻值。而且，通过控制最靠近阳极层104的子空穴注入层1051的电阻率可以保障空穴载流子的有效注入。

在本申请的一个实施例中，在从阳极层104指向空穴传输层106的方向上，各个子空穴注入层1051的电阻值台阶式增大。

可选地，空穴注入层105中可以存在至少相邻两个子空穴注入层1051的电阻值相同，只需确保在从阳极层104指向空穴传输层106的方向上，子空穴注入层1051的电阻值存在台阶式增大的趋势即可，这样可以保障空穴注入层105的整体电阻值大于任一子空穴注入层1051的电阻值，增大空穴注入层105中横向传输通路的电阻阻值，从而能够抑制载流子沿空穴注入层105的横向传输，能够降低电致发光器件出现串扰问题的几率，进而保障了电致发光器件的工作稳定性。

而且，通过保障各个子空穴注入层1051的电阻值台阶式增大，使得靠近阳极层104的子空穴注入层1051的电阻值小于相对远离阳极层104的子空穴注入层1051的电阻值，从而保障了载流子从阳极层104注入到靠近阳极层104的子空穴注入层1051的注入效率，注入的载流子会依次经过各个子空穴注入层1051，传输到空穴传输层106，从而保障了电致发光器件中载流子的有效注入和传输。

在本申请的一个实施例中，在从阳极层104指向空穴传输层106的方向上，至少两个子空穴注入层1051的电阻值逐层增大。本领域技术人员理解的是，在多个子空穴注入层1051中，可以存在至少两个相邻的子空穴注入层1051的电阻值相同，只需要保障在从阳极层104指向空穴传输层106的方向上，至少两个子空穴注入层1051的电阻值逐层增大即可。

可选地，在从阳极层104指向空穴传输层106的方向上，空穴注入层105中的所有子空穴注入层1051的电阻值依次逐层增大，这样设置可以保障空穴注入层105的整体电阻增大，使得空穴注入层105中横向传输通路的电阻阻值增大，从而能够抑制载流子沿空穴注入层105的横向传输，能够降低电致发光器件出现串扰问题的几率，保障电致发光器件的工作稳定性。而且，在从阳极层104指向空穴传输层106的方向上，保障了空穴注入层105的电阻值变化的均匀性，保障了载流子在该方向上传输的稳定性。

在本申请的一个实施例中，靠近阳极层104的子空穴注入层的电阻率，小于靠近空穴传输层106的子空穴注入层的电阻率。

可选地，本申请实施例中，第一子空穴注入层1052的电阻率小于第二子空穴注入层1053的电阻率，从而使得第一子空穴注入层1052的电阻R5小于第二子空穴注入层1053的电阻R6，保障了载流子的注入效率。而且，相较于只包括第一子空穴注入层1052或第二子空穴注入层1053的空穴注入层105而言，本申请实施例中，空穴注入层105的整体电阻阻值大于电阻R5和电阻R6，从而增大了空穴注入层105中横向传输通路的电阻阻值，降低了载流子沿空穴注入层105的横向传输，降低了电致发光器件出现串扰问题的几率，进而保障了电致发光器件的工作稳定性。

在本申请的一个实施例中，各子空穴注入层1051均包括第一空穴注入材料，且各子空穴注入层1051中第一空穴注入材料的含量，从阳极层104指向空穴传输层106的方向上减小。

可选地，如图4所示，从阳极层104指向空穴传输层106的方向上，包括依次设置的第一子空穴注入层1052和第二子空穴注入层1053，根据上述分析可知，通过控制第一子空穴注入层1052的电阻R5小于第二子空穴注入层1053的电阻R6，可以使得空穴注入层105中横向传输通路的电阻阻值增大，从而能够降低载流子沿空穴注入层105的横向传输，能够降低电致发光器件出现串扰问题的几率。

如图4所示，在第一子空穴注入层1052和第二子空穴注入层1053的横截面积以及与阳极层104的相对位置固定时，第一子空穴注入层1052和第二子空穴注入层1053电阻大小，均只与各自的电阻率有关。各子空穴注入层1051均包括第一空穴注入材料，且第一空穴注入材料的电阻率小于子空穴注入层1051中其它材料的电阻率，因此，当子空穴注入层1051中第一空穴注入材料的含量越大，该子空穴注入层1051的整体电阻率越小。

如图4所示，通过设置第一子空穴注入层1052中第一空穴注入材料的含量大于第二子空穴注入层1053中第一空穴注入材料的含量，从而使得第一子空穴注入层1052的电阻值小于第二子空穴注入层1053的电阻值。而且，由于第一空穴注入材料的HOMO能级深于子空穴注入层1051中其它材料的HOMO能级，因此，第一子空穴注入层1052的HOMO能级深于第二子空穴注入层1053的HOMO能级，相当于在阳极层104的HOMO能级与空穴传输层106的HOMO能级之间，插入第一子空穴注入层1052的HOMO能级和第二子空穴注入层1053的HOMO能级，使得任意相邻两层之间的HOMO能级差都小于阳极层104与空穴传输层106之间的HOMO能级差，有利于减小阳极层104和空穴传输层106之间的势垒，从而保障了载流子从阳极层104注入到靠近阳极层104的子空穴注入层1051的注入效率。

本领域技术人员可以理解的是，通过控制各个子空穴注入层1051中第一空穴注入材料的含量，可以调控各个子空穴注入层1051的HOMO能级，进而可以使得在从阳极层104指向空穴传输层106的方向上，各个子空穴注入层1051的HOMO能级台阶式上升；还可以使得在从阳极层104指向空穴传输层106的方向上，至少两个子空穴注入层1051的HOMO能级逐层上升。从而能够减小阳极层104和空穴传输层106之间的势垒，从而能够保障载流子从阳极层104注入到靠近阳极层104的子空穴注入层1051后，注入的载流子会依次经过各个子空穴注入层1051，传输到空穴传输层106，保障了载流子的注入效率。

在本申请的一个实施例中，各子空穴注入层1051均包括第一空穴注入材料和第二空穴注入材料，第一空穴注入材料的电阻率小于第二空穴注入材料的电阻率；各子空穴注入层1051中第一空穴注入材料与第二空穴注入材料的含量比值，从阳极层104指向空穴传输层105的方向上减小。

可选的，第一空穴注入材料的电阻率小于第二空穴注入材料的电阻率，从而可以通过调整各子空穴注入层1051中第一空穴注入材料与第二空穴注入材料的含量比值，使得第一子空穴注入层1052的电阻率小于第二子空穴注入层1053的电阻率，继而可以使得第一子空穴注入层1052的电阻值小于第二子空穴注入层1053的电阻值。本申请实施例中，第二空穴注入材料与空穴传输层106的制备材料相同，从而可以降低电致发光器件的制造成本。

可选的，第一空穴注入材料的HOMO能级深于第二空穴注入材料的HOMO能级，从而保障空穴注入层105与空穴传输层106的HOMO能级相匹配，能够降低阳极层104和空穴传输层106之间的势垒，保障载流子的注入效率。

可选地，第二子空穴注入层1053位于第一子空穴注入层1052远离阳极层104的一侧，第一子空穴注入层1052中第一空穴注入材料的含量范围为2％-50％，第二子空穴注入层1053中所述第一空穴注入材料的含量范围为0.5％-2％。应当说明的是，第一子空穴注入层1052中第一空穴注入材料的含量范围包括端值50％，第二子空穴注入层1053中所述第一空穴注入材料的含量范围包括端值0.5％；当第一子空穴注入层1052中第一空穴注入材料的含量范围包括端值2％时，第二子空穴注入层1053中所述第一空穴注入材料的含量范围不包括端值2％，以确保第一子空穴注入层1052和第二子空穴注入层1053的电阻率不同，反之亦然。

可选地，本申请实施例中，第一空穴注入材料包括：NDP-2、NDP-9等P型掺杂材料，2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯(简称F4-TCNQ)，三(4-溴苯基)六氯锑酸铵(简称TBAHA)，酞菁铜(简称CuPc)中的至少一种。第二空穴注入材料包括N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺(简称NPB)、三苯基二胺衍生物(简称TPD)、TPTE和1,3,5-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)苯(简称TDAB)中的至少一种。

在本申请的一个实施例中，第一子空穴注入层1052的厚度为1-5纳米，第二子空穴注入层1053的厚度为2-10纳米。应当说明的是，第一子空穴注入层1052的厚度包括端值1nm和5nm，第二子空穴注入层1053的厚度包括端值2nm和10nm。

根据公式2和上述分析可知，还可以通过设置第一子空穴注入层1052和第二子空穴注入层1053的截面面积的大小，来控制第一子空穴注入层1052的电阻大小和第二子空穴注入层1053电阻大小，进而控制空穴注入层105的电阻阻值。

在本申请的一个实施例中，如图4所示，电致发光器件还包括发光层108和电子阻挡层107。电子阻挡层107位于空穴传输层106远离阳极层104的一侧，发光层108位于电子阻挡层107远离阳极层104的一侧；电子阻挡层107的HOMO能级位于空穴传输层106的HOMO能级与发光层108的HOMO能级之间，从而能够有利于降低阳极层104和空穴传输层106之间的势垒，保障载流子的注入。而且，电子阻挡层107的LUMO能级高于空穴传输层106的LUMO能级，从而阻挡电子的传输，避免电子从发光层108进入到空穴传输层106、甚至是进入到空穴注入层105中。

本申请实施例中，如图4所示，电致发光器件还包括基板101、驱动电路层102、反射层103、空穴阻挡层109、电子传输层110、电子注入层111、阴极层112和光取出层113。

基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种电致发光器件的制备方法，包括：

在基板101的一侧依次制备驱动电路层102、反射层103和阳极层104。

在阳极层104的一侧制备包括至少两个子空穴注入层1051的空穴注入层105，在空穴注入层105远离阳极层104的一侧制备空穴传输层106，且使得靠近阳极层104的子空穴注入层1051的电阻值，小于靠近空穴传输层106的子空穴注入层1051的电阻值。

可选地，采用真空蒸镀工艺在阳极层104的一侧依次制备第一子空穴注入层1052和第二子空穴注入层1053。第一子空穴注入层1052和第二子空穴注入层1053的制备材料均包括掺杂有第一空穴注入材料的第二空穴注入材料。通过采用掺杂有第一空穴注入材料的第二空穴注入材料蒸镀形成第一子空穴注入层1052和第二子空穴注入层1053，有效避免了单独蒸镀第一空穴注入材料导致的结晶问题。

采用真空蒸镀工艺，利用第二空穴注入材料蒸镀形成空穴传输层106。

采用真空蒸镀工艺，在空穴传输层106的一侧制备电子阻挡层107。电子阻挡层107的HOMO能级位于空穴传输层106的HOMO能级与发光层108的HOMO能级之间，且电子阻挡层107的LUMO能级高于空穴传输层107的LUMO能级。可选地，电子阻挡层107的制备材料包括2-(4-叔丁基苯基)-5-(4-联苯基)1,3,4-二唑、3(联苯基)-4-苯-5-(4-叔丁基苯基)-4H-1,2,4-三唑中的至少一种。本申请实施例中，电子阻挡层107厚度范围5～10nm，包括端值5nm和10nm。

采用真空蒸镀工艺，在电子阻挡层107的一侧制备第一子发光层1081和第二子发光层1082。

采用真空蒸镀工艺，在第二子发光层1082的一侧依次制备空穴阻挡层109、电子传输层110、电子注入层111和阴极层112。

可选地，空穴阻挡层109的制备材料包括1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，空穴阻挡层109厚度范围1～10nm，包括端值1nm和10nm。电子传输层110的制备材料包括2-(4-联苯基)-5-苯基恶二唑(简称PBD、2,5-二(1-萘基)-1,3,5-恶二唑(简称BND)和2,4,6-三苯氧基-1,3,5-三嗪(简称TRZ)中的至少一种；电子传输层110厚度范围10～40nm，包括端值10nm和40nm。电子注入层111的制备材料包括碱金属氟化物MF、Li2O和LiBO2中的至少一种，其中，MF中的M可以选择Li(锂)、Na(钠)、K(钾)、Rb(铷)、Cs(铯)；电子传输层110厚度范围5～10nm，包括端值5nm和10nm。阴极层112的制备材料包括Mg(镁)、Ag(银)、Al(铝)、Li(锂)、K(钾)、Ca(钙)等金属材料，以及Mg、Ag、Al、Li、K、Ca等的合金；阴极层112厚度范围10～20nm，包括端值10nm和20nm。

采用真空蒸镀工艺或者喷墨打印工艺，在阴极层112的一侧依次制备光取出层113。

基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种显示面板，包括：如上述各个实施例所提供的电致发光器件。

在本实施例中，由于显示面板采用了前述各实施例提供的任一种电致发光器件，其原理和技术效果请参阅前述各实施例，在此不再赘述。

基于同一发明构思，本申请实施例提供一种显示设备，包括：如上述各个实施例所提供的电致发光器件；或，包括：如上述实施例所提供的显示面板。

在本实施例中，由于显示装置采用了前述各实施例提供的任一种电致发光器件，或是前述实施例提供的显示面板，其原理和技术效果请参阅前述各实施例，在此不再赘述。

应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：

本申请实施例提供的电致发光器件中，通过设置多个子空穴注入层1051，一方面，空穴注入层105中存在多个电阻阻值不同的子空穴注入层1051，空穴注入层105的整体电阻值大于任一子空穴注入层1051的电阻值，本申请的空穴注入层105的整体电阻值大于单层的空穴注入层105的电阻值；另一方面，可以将靠近阳极层104的子空穴注入层1051的电阻值设置得与单层的空穴注入层105的电阻值一致，那么其它子空穴注入层1051的电阻值大于单层的空穴注入层105的电阻值，其它子空穴注入层1051的横向传输通路的电阻值都大于单层的空穴注入层105的横向传输通路的电阻值；从而能够在整体上增大空穴注入层105横向传输通路的电阻值，从而能够降低载流子沿空穴注入层105的横向传输，从而能够降低电致发光器件出现串扰问题的几率，进而能够保障电致发光器件的工作稳定性。

本技术领域技术人员可以理解，本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本申请中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。