显示装置

技术领域

实施例总体上涉及一种显示装置。更具体地，实施例涉及一种提供视觉信息的显示装置。

背景技术

由于诸如重量轻和薄的特性，平板显示装置被用作替代阴极射线管显示装置的显示装置。这种平板显示装置的代表性示例是液晶显示装置(“LCD”)和有机发光显示装置(“OLED”)。

显示装置可以包括其中设置功能模块的模块对应区域以及围绕模块对应区域并且其中设置发射结构的显示区域。这里，功能模块可以设置在显示装置中包括的基板的下表面上。已经开发出能够通过在模块对应区域中布置发射结构来显示图像的显示装置。

发明内容

实施例提供一种具有提高的显示质量的显示装置。

一种显示装置的实施例包括：基板，包括(功能)模块对应区域、与模块对应区域相邻的显示区域和在显示区域的一侧的像素电路区域；无机绝缘层，在基板上、在显示区域中；(光)相位补偿层，在基板上、在模块对应区域中，并且与无机绝缘层包括相同的材料；信号线，在相位补偿层上、在模块对应区域中，并且从模块对应区域延伸到像素电路区域；以及有机绝缘层，在无机绝缘层上并且从显示区域延伸到模块对应区域以覆盖信号线和相位补偿层。

在实施例中，显示装置可以进一步包括：蚀刻停止层，在模块对应区域中，在基板与相位补偿层之间，并且包括透明材料。

在实施例中，蚀刻停止层的蚀刻速率可以小于相位补偿层的蚀刻速率。

在实施例中，蚀刻停止层可以包括氧化铟镓锌(“IGZO”)或非晶硅。

在实施例中，蚀刻停止层可以在整个模块对应区域中。

在实施例中，蚀刻停止层可以是与相位补偿层和信号线中的每一个重叠的图案。

在实施例中，信号线可以包括导电金属氧化物或透明导电材料。

在实施例中，透明导电材料可以包括氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)或氧化铟镓(“IGO”)。

在实施例中，无机绝缘层可以包括氧化硅或氮化硅。

在实施例中，有机绝缘层的折射率可以大于相位补偿层的折射率并且小于信号线的折射率。

在实施例中，信号线的折射率可以是大约1.9或更大。

在实施例中，显示装置可以在基板的下表面上进一步包括模块对应区域中的功能模块。

在实施例中，功能模块可以包括摄像头模块、面部识别传感器模块、瞳孔识别传感器模块、加速度传感器模块、接近传感器模块、红外传感器模块或照度传感器模块。

在实施例中，显示装置可以进一步包括：像素电路结构，在基板上、在像素电路区域中，并且包括半导体元件；以及发射结构，在基板上、在模块对应区域中。

在实施例中，信号线可以电连接像素电路结构和发射结构。

一种显示装置的实施例包括：基板，包括模块对应区域、与模块对应区域相邻的显示区域和在显示区域的一侧的像素电路区域；第一无机绝缘层，在基板上、在显示区域和模块对应区域上；第二无机绝缘层，在第一无机绝缘层上、在显示区域中；相位补偿层，在基板上、在模块对应区域中，并且与第二无机绝缘层包括相同的材料；信号线，在相位补偿层上、在模块对应区域中，并且从模块对应区域延伸到像素电路区域；以及有机绝缘层，在第二无机绝缘层上并且从显示区域延伸到模块对应区域以覆盖信号线和相位补偿层。

在实施例中，显示装置可以进一步包括：蚀刻停止层，在第一无机绝缘层上、在模块对应区域中，并且包括透明材料。

在实施例中，蚀刻停止层的蚀刻速率可以小于相位补偿层的蚀刻速率。

在实施例中，蚀刻停止层可以包括氧化铟镓锌或非晶硅。

在实施例中，第一无机绝缘层和第二无机绝缘层中的每一个可以包括氧化硅或氮化硅。

在显示装置的一个或多个实施例中，由于包括无机绝缘材料的光相位补偿层在功能模块区域中，因此可以减少光斑现象的发生。

另外，由于包括透明材料的蚀刻停止层在基板与相位补偿层之间的功能模块区域中，因此可以改善大面积显示装置中的相位补偿层的厚度的不均匀性。

附图说明

根据以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解说明性且非限制性的实施例。

图1和图2是图示显示装置的实施例的透视图。

图3是图示图1的显示装置的平面图。

图4和图5是图示图3的区域“A”的实施例的部分放大平面图。

图6是沿着图5的线I-I'和线II-II'截取的截面图。

图7、图8、图9、图10、图11、图12、图13、图14、图15和图16是图示由制造图6的显示装置的方法提供的结构的实施例的截面图。

图17是图示显示装置的实施例的截面图。

图18是图示显示装置的实施例的截面图。

图19是图示显示装置的实施例的截面图。

具体实施方式

在下文中，将参考附图详细说明本公开的实施例。相同的附图标记用于附图中的相同部件，并且将省略相同部件的冗余描述。

将理解，当元件被称为与另一元件相关，例如“在”另一元件“上”时，其可以直接在另一元件上，或者居间元件可以存在于其间。相反，当元件被称为与另一元件相关，例如“直接在”另一元件“上”时，不存在居间元件。

将理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在本文中用于描述各种元件、部件、区、层和/或部分，但是这些元件、部件、区、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区、层或部分与另一元件、部件、区、层或部分区分开。因此，可以将下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分称为第二元件、部件、区、层或部分，而不脱离本文的教导。

本文使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，而不旨在限制。如在本文中所使用的，“一”、“该”和“至少一个”不表示数量限制，并且除非上下文另外明确地指示，否则旨在包括单数和复数两者。例如，除非上下文另外明确指示，否则“一元件”与“至少一个元件”具有相同的含义。“至少一个”不应被解释为限制性的“一”。“或”意指“和/或”。如在本文中所使用的，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多个的任何和所有组合。将进一步理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”或“包含”指明所陈述的特征、区、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除存在或添加一个或多个其他特征、区、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组。

此外，诸如“下”或“底”和“上”或“顶”的相对术语可以在本文中用于描述附图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解，除了附图中所描绘的定向之外，相对术语旨在包含装置的不同定向。例如，如果将附图中的一个中的装置翻转，则被描述为在其他元件的“下”侧的元件将随之被定向在其他元件的“上”侧。因此，取决于图的特定定向，术语“下”可以包含“下”和“上”的定向。类似地，如果将附图中的一个中的装置翻转，则被描述为在其他元件的“下方”或“下面”的元件将随之被定向在其他元件的“上方”。因此，术语“下方”或“下面”可以包含上方和下方的定向。

考虑到所讨论的测量以及与特定量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)，如在本文中所使用的“大约”或“近似”包括所陈述的值并且意指在由本领域普通技术人员确定的该特定值的可接受的偏差范围内。例如，“大约”可以意指在一个或多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％或±5％内。除非另外定义，否则在本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解，诸如在通常使用的词典中定义的术语的术语应被解释为具有与其在相关领域和本公开的背景中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确如此定义，否则不会在理想化或过度正式的意义上来解释。

在本文中参考作为理想实施例的示意图的截面图示来描述实施例。因此，可预期作为例如制造技术和/或公差的结果的图示的形状的变化。因此，在本文中描述的实施例不应被解释为限于如在本文中所示的区域的特定形状，而是要包括例如由制造导致的形状的偏差。例如，被图示或描述为平坦的区通常可以具有粗糙和/或非线性特征。此外，图示出的尖角可以被倒圆。因此，附图中图示的区本质上是示意性的，并且它们的形状并不旨在图示区的精确形状并且不旨在限制所提出的权利要求的范围。

图1和图2是图示显示装置100的实施例的透视图。图3是图示图1的显示装置100的平面图。

参考图1、图2和图3，显示装置100可以包括显示区域10、模块对应区域20(例如，功能模块区域)和像素电路区域30。

显示区域10与模块对应区域20相邻并且可以围绕模块对应区域20的至少一部分。像素电路区域30可以定位在显示区域10的一侧。另外，像素电路区域30可以与模块对应区域20的一侧相邻。即，模块对应区域20的第一边至第三边可以与显示区域10相邻，并且模块对应区域20的第四边可以与像素电路区域30相邻，以被显示区域10与像素电路区域30一起围绕。

显示装置100可以被分为(或包括)第一表面S1和第二表面S2。第一表面S1可以与在其上显示图像的表面(例如，显示表面)相对应。第二表面S2可以与不在其上显示图像的表面相对应。模块对应区域20可以在显示区域10的一部分中并且形成显示区域10的一部分。可以在模块对应区域20处显示图像和/或可以发射光，但是不限于此。

显示装置100可以包括功能模块FM。功能模块FM可以被设置为在第二表面S2上与模块对应区域20重叠(或相对应)。在实施例中，可以在第一表面S1的与模块对应区域20重叠的部分和第一表面S1的与显示区域10重叠的部分两者处显示图像。在实施例中，例如，功能模块FM可以向显示装置100提供功能并且可以包括摄像头模块、面部识别传感器模块、瞳孔识别传感器模块、加速度传感器模块、接近传感器模块、红外传感器模块和照度传感器模块等。在实施例中，功能模块FM可以包括摄像头模块。在这种情况下，功能模块FM可以通过捕捉经由第一表面S1的与模块对应区域20重叠的部分入射到显示装置100的外部光来捕捉图像，以向显示装置100提供图像捕捉功能。

然而，尽管功能模块FM的形状被示出为具有矩形平面形状，但是功能模块FM的平面形状不限于此。在实施例中，例如，功能模块FM可以具有多边形平面形状(例如，三角形平面形状和菱形平面形状)、轨道型平面形状、圆形平面形状或椭圆形平面形状。另外，当改变功能模块FM的平面形状时，也可以根据功能模块FM的外部形状改变模块对应区域20的平面形状。

图4和图5是图示图3的区域“A”的实施例的部分放大平面图。

参考图4，显示区域10可以包括第二像素区域50(或与之相对应)，并且模块对应区域20可以包括透明区域21和第一像素区域40。另外，像素电路区域30可以包括被提供为多个的第一像素电路区域31以及被提供为多个的第二像素电路区域32。

第二像素区域50可以包括发射不同颜色的光的多个第二子像素区域51、52和53。第一像素区域40可以包括发射不同颜色的光的多个第一子像素区域41、42和43。不同颜色的光可以用于在显示区域10内显示图像，但是不限于此。另外，像素区域(或子像素区域)可以被称为发光区域。

在实施例中，例如，第二子像素区域51、52和53可以包括其中设置有发射红光的红色发射结构R(例如，图6的第二发射结构400)的第二红色像素区域51、其中设置有发射绿光的绿色发射结构G的第二绿色像素区域52以及其中设置有发射蓝光的蓝色发射结构B的第二蓝色像素区域53。另外，第一子像素区域41、42和43可以包括其中设置有发射红光的红色发射结构R(例如，图6的第一发射结构300)的第一红色像素区域41、其中设置有发射绿光的绿色发射结构G的第一绿色像素区域42以及其中设置有发射蓝光的蓝色发射结构B的第一蓝色像素区域43。

可以在显示区域10中重复布置多个第二子像素区域51、52和53。可以在模块对应区域20中重复布置多个第一子像素区域41、42和43。即，可以在显示区域10中重复布置发射结构R、G和B，并且可以在模块对应区域20中重复布置发射结构R、G和B。

在模块对应区域20中，除了多个第一子像素区域41、42和43之外的部分(例如，模块对应区域20的剩余部分)可以被限定为透明区域21。可以将开口OP定位在透明区域21中。另外，功能模块FM可以收集经由开口OP从外部入射的光。

第一像素电路区域31可以在像素电路区域30中与显示区域10的第一部分(例如，定位到图4中的模块对应区域20的左侧的显示区域10)相邻定位，并且可以沿着第一方向D1布置。第二像素电路区域32可以在像素电路区域30中与显示区域10的第二部分(例如，定位到图4中的模块对应区域20的右侧的显示区域10)相邻定位，并且可以沿着第一方向D1布置。像素电路区域30可以沿着与第一方向D1交叉的第二方向D2与显示区域10和模块对应区域20两者相邻。显示装置100及其各种部件和层的厚度方向可以沿着与第一方向D1和第二方向D2中的每一个交叉的第三方向定义。

电连接到设置在模块对应区域20中的发射结构的像素电路结构(例如，图5的第一像素电路结构501)可以设置在第一像素电路区域31和第二像素电路区域32中。电连接到设置在显示区域10中的发射结构的像素电路结构(例如，图5的第二像素电路结构502)可以设置在显示区域10中。即，电连接到设置在模块对应区域20中的发射结构的像素电路结构可以不设置在模块对应区域20中(例如，可以从模块对应区域20排除)。

参考图5，第二像素电路结构502可以设置在显示区域10中。第二像素电路结构502可以包括至少一个半导体元件200(参见图6)和至少一个电容器等。第二像素电路结构502可以驱动发射结构(例如，图6的第二发射结构400)。第二像素电路结构502可以被设置为与发射结构重叠并且沿着显示装置100的厚度方向在发射结构之下。

第一像素电路结构501可以设置在第一像素电路区域31和第二像素电路区域32中。第一像素电路结构501可以包括至少一个半导体元件和至少一个电容器等。第一像素电路结构501可以驱动发射结构(例如，图6的第一发射结构300)。第一像素电路结构501和发射结构可以通过信号线185电连接。

图6是沿着图5的线I-I'和线II-II'截取的截面图。

参考图6，显示装置100可以包括功能模块FM、基板110、缓冲层120、半导体元件200、第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142、层间绝缘层170、相位补偿层175、信号线185、蚀刻停止层135、平坦化层210、像素限定层250、第一发射结构300、第二发射结构400和薄膜封装结构260。

这里，半导体元件200可以包括有源层130、第一栅电极150、第二栅电极160、源电极180和漏电极190。第一发射结构300可以包括第一下电极225、第一发射层235和上电极240。第二发射结构400可以包括第二下电极220、第二发射层230和上电极240。另外，薄膜封装结构260可以包括第一无机薄膜封装层261、有机薄膜封装层262和第二无机薄膜封装层263。

如图1中所示，由于显示装置100包括显示区域10、模块对应区域20和像素电路区域30，因此基板110也可以包括与上面描述的那些相对应的显示区域10、模块对应区域20和像素电路区域30。即，显示装置100的各种部件和层也可以包括与上面针对显示装置100描述的那些相对应的显示区域10、模块对应区域20和像素电路区域30。

基板110可以包括透明材料或不透明材料。在实施例中，例如，基板110可以包括石英基板、合成石英基板、氟化钙基板、掺氟石英基板和钠钙玻璃。基板110可以包括玻璃基板和无碱玻璃基板等。这些可以单独使用或彼此结合使用。在实施例中，基板110可以由柔性透明树脂基板形成(或包括柔性透明树脂基板)。在实施例中，例如，基板110可以具有其中顺序堆叠第一有机层、第一阻挡层、第二有机层和第二阻挡层的结构。第一阻挡层和第二阻挡层中的每一个可以包括诸如氧化硅的无机材料。第一有机层和第二有机层中的每一个可以包括诸如聚酰亚胺类树脂的有机绝缘材料，并且可以具有柔性。

然而，尽管基板110已经被描述为具有四层，但是基板110的构造不限于此。在实施例中，例如，基板110可以具有单层或多层。

功能模块FM可以设置在基板110的离各种发射结构最远的下表面上、在模块对应区域20中。功能模块FM可以直接接触基板110的下表面。由于直接接触，元件可以在其之间形成界面或边界，但是不限于此。在实施例中，例如，功能模块FM可以包括摄像头模块。摄像头模块可以收集从显示装置100的外部入射的光，并且显示装置100可以从摄像头模块获得图像。

缓冲层120可以设置在基板110上。即，缓冲层120可以设置在整个显示区域10和整个模块对应区域20中。缓冲层120可以防止来自基板110的金属原子或杂质扩散到半导体元件200。另外，当基板110的表面不均匀时，缓冲层120可以用于提高基板110的表面的平坦度。在实施例中，例如，缓冲层120可以包括氧化硅(SiO

有源层130可以设置在缓冲层120上、在显示区域10中。具体地，有源层130可以设置在显示区域10中包括的第二像素区域50中。有源层130可以包括金属氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅、多晶硅)或有机半导体。有源层130可以具有源区、漏区以及定位在源区与漏区之间的沟道区。

在实施例中，蚀刻停止层135可以设置在缓冲层120上、在模块对应区域20中。蚀刻停止层135可以设置在整个模块对应区域20中。另外，蚀刻停止层135可以与有源层130设置在同一层。即，蚀刻停止层135可以与有源层130包括相同的材料。由于在同一层，元件可以作为同一材料层的各个部分彼此在同一层中，可以与同一下层或上层形成界面等，但是不限于此。

蚀刻停止层135可以包括透明材料。在实施例中，蚀刻停止层135可以包括氧化铟镓锌(“IGZO”)和非晶硅等。这些可以单独使用或彼此结合使用。然而，蚀刻停止层135中包括的材料不限于此，并且蚀刻停止层135可以包括其他透明材料。

在实施例中，蚀刻停止层135的蚀刻速率可以小于相位补偿层175的蚀刻速率，这将在后面描述。

至少一个无机绝缘层(例如，第一栅绝缘层141)可以设置在缓冲层120上、在显示区域10中。第一栅绝缘层141可以在显示区域10中覆盖有源层130，并且可以不设置在模块对应区域20中。在实施例中，例如，第一栅绝缘层141可以充分覆盖缓冲层120上的有源层130，并且可以具有基本平坦的顶表面而不在有源层130周围产生台阶差。在实施例中，第一栅绝缘层141可以覆盖缓冲层120上的有源层130，并且可以以均匀的厚度沿着有源层130的轮廓设置。

第一栅绝缘层141可以包括无机绝缘材料。在实施例中，例如，第一栅绝缘层141可以包括氧化硅(SiO

第一栅电极150可以设置在第一栅绝缘层141上、在显示区域10中。具体地，第一栅电极150可以设置在显示区域10中包括的第二像素区域50中。第一栅电极150可以与有源层130的沟道区重叠。在实施例中，例如，第一栅电极150可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此结合使用。

至少一个无机绝缘层(例如，第二栅绝缘层142)可以设置在第一栅绝缘层141上、在显示区域10中。第二栅绝缘层142可以在显示区域10中覆盖第一栅电极150，并且可以不设置在模块对应区域20中。在实施例中，例如，第二栅绝缘层142可以充分覆盖第一栅绝缘层141上的第一栅电极150，并且可以具有基本平坦的顶表面而不在第一栅电极150周围产生台阶差。在实施例中，第二栅绝缘层142可以覆盖第一栅绝缘层141上的第一栅电极150并且可以以均匀的厚度沿着第一栅电极150的轮廓设置。

第二栅绝缘层142可以包括无机绝缘材料。在实施例中，例如，第二栅绝缘层142可以包括氧化硅、氮化硅、碳化硅、氧氮化硅和氧碳化硅等。这些可以单独使用或彼此结合使用。

第二栅电极160可以设置在第二栅绝缘层142上、在显示区域10中。具体地，第二栅电极160可以设置在显示区域10中包括的第二像素区域50中。第二栅电极160可以与第一栅电极150重叠。第一栅电极150和第二栅电极160可以一起充当电容器。在实施例中，例如，第二栅电极160可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此结合使用。

层间绝缘层170可以设置在第二栅绝缘层142上、在显示区域10中。层间绝缘层170可以在显示区域10中覆盖第二栅电极160。在实施例中，例如，层间绝缘层170可以充分覆盖第二栅绝缘层142上的第二栅电极160，并且可以具有基本平坦的顶表面而不在第二栅电极160周围产生台阶差。在实施例中，层间绝缘层170可以覆盖第二栅绝缘层142上的第二栅电极160，并且可以以均匀的厚度沿着第二栅电极160的轮廓设置。

层间绝缘层170可以包括无机绝缘材料。在实施例中，例如，层间绝缘层170可以包括氧化硅、氮化硅、碳化硅、氧氮化硅和氧碳化硅等。这些可以单独使用或彼此结合使用。这里，层间绝缘层170可以被称为无机绝缘层。

在传统的显示装置中，在入射在其中设置有功能构件(例如，摄像头模块)的传统模块对应区域上的光当中，可能发生穿过与信号线185重叠的部分的第一光L1和穿过不与信号线185重叠的部分的第二光L2之间的相位差。在这种情况下，可能发生由摄像头模块拍摄的图像显得模糊的光斑现象。

在实施例中，相位补偿层175可以设置在蚀刻停止层135上、在模块对应区域20中。具体地，相位补偿层175可以设置在模块对应区域20中包括的透明区域21中。相位补偿层175(例如，光相位补偿层)可以用于补偿入射在模块对应区域20上的光(例如，外部光)当中的穿过与信号线185重叠的部分的第一光L1和穿过不与信号线185重叠(例如，与信号线185相邻或间隔开)的部分的第二光L2之间的相位差。因此，可以减少光斑现象的发生。

相位补偿层175可以与层间绝缘层170包括相同的材料。即，相位补偿层175可以包括无机绝缘材料。在实施例中，相位补偿层175可以包括氧化硅和氮化硅等。当相位补偿层175包括氧化硅时，相位补偿层175的折射率可以是大约1.5。当相位补偿层175包括氮化硅时，相位补偿层175的折射率可以是大约1.8至大约2.0。

源电极180和漏电极190可以设置在层间绝缘层170上、在显示区域10中。具体地，源电极180和漏电极190可以设置在显示区域10中包括的第二像素区域50中。源电极180可以经由通过去除第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142和层间绝缘层170的第一部分而形成(或提供)的第一接触孔连接到有源层130的源区。漏电极190可以经由通过去除第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142和层间绝缘层170的第二部分而形成的第二接触孔连接到有源层130的漏区。源电极180和漏电极190中的每一个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此结合使用。

信号线185可以设置在相位补偿层175上。信号线185可以与相位补偿层175重叠。如图5中所示，信号线185可以经由通过去除定位在模块对应区域20中的平坦化层210的一部分而形成的接触孔电连接到第一下电极225。信号线185可以从模块对应区域20延伸到像素电路区域30，以电连接到第一像素电路结构501。即，信号线185将第一发射结构300连接到像素电路区域30。

信号线185沿着厚度方向的厚度可以小于源电极180和漏电极190中的每一个的厚度。在实施例中，例如，信号线185可以是基本上透明的。

信号线185可以包括导电金属氧化物和透明导电材料等。可以用于信号线185的材料的示例可以是氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化铟镓(“IGO”)、氧化锡(“SnO

平坦化层210可以设置在设置于显示区域10中的源电极180和漏电极190上以及设置于模块对应区域20中的蚀刻停止层135上。即，平坦化层210可以从显示区域10延伸到模块对应区域20。平坦化层210可以在显示区域10中覆盖源电极180和漏电极190，并且可以在模块对应区域20中覆盖相位补偿层175和信号线185。平坦化层210可以具有相对大的厚度。平坦化层210可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。在实施例中，平坦化层210可以包括有机绝缘材料。可以用于平坦化层210的有机绝缘材料的示例可以是光致抗蚀剂、聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂、丙烯酸树脂和环氧类树脂等。这些可以单独使用或彼此结合使用。在平坦化层210包括基本上透明的硅氧烷类树脂的情况下，平坦化层210可以被称为有机绝缘层。

在实施例中，平坦化层210的折射率可以大于相位补偿层175的折射率并且小于信号线185的折射率。在实施例中，例如，平坦化层210的折射率可以是大约1.65。在这种情况下，相位补偿层175可以包括氧化硅，并且信号线185可以包括氧化铟锡锌。

第二下电极220可以设置在平坦化层210上、在显示区域10中。具体地，第二下电极220可以设置在显示区域10中包括的第二像素区域50中。第二下电极220可以经由通过去除平坦化层210的一部分而形成的接触孔连接到漏电极190。第二下电极220可以电连接到半导体元件200。第二下电极220可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此结合使用。例如，第二下电极220可以具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。

第一下电极225可以设置在平坦化层210上、在模块对应区域20中。具体地，第一下电极225可以设置在模块对应区域20中包括的第一像素区域40中。如上所述，第一下电极225可以经由通过去除平坦化层210的一部分而形成的接触孔连接到信号线185(参见图5)。第一下电极225可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此结合使用。另外，第一下电极225可以与第二下电极220具有相同的结构。在实施例中，第一下电极225可以具有与第二下电极220的结构不同的结构。

像素限定层250可以设置在平坦化层210上、在显示区域10的一部分和模块对应区域20的一部分中。即，像素限定层250可以不设置在透明区域21中。像素限定层250可以将显示区域10中的第二下电极220的一部分暴露到像素限定层250的外部，并且可以将模块对应区域20中的第一下电极225的一部分暴露到像素限定层250的外部。另外，将透明区域21中的层暴露到像素限定层250的外部的开口OP可以形成在像素限定层250中(或由像素限定层250限定)。像素限定层250可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。在实施例中，像素限定层250可以包括有机绝缘材料。

第二发射层230可以设置在第二下电极220上。第一发射层235可以设置在第一下电极225上。第一发射层235和第二发射层230中的每一个可以使用根据子像素发射不同颜色的光(例如，红光、绿光和蓝光等)的发射材料中的至少一种形成。

上电极240可以设置在基板110上、在整个显示区域10和整个模块对应区域20中。上电极240可以沿着第一发射层235、第二发射层230和像素限定层250的轮廓被设置。上电极240可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此结合使用。

第一无机薄膜封装层261可以设置在上电极240上。第一无机薄膜封装层261可以设置在整个显示区域10和整个模块对应区域20中。第一无机薄膜封装层261可以防止(或减少)第一发射结构300和第二发射结构400由于湿气和氧气等的渗透而劣化。另外，第一无机薄膜封装层261还可以起到保护第一发射结构300和第二发射结构400免受外部冲击的作用。在实施例中，例如，第一无机薄膜封装层261可以包括具有柔性的无机绝缘材料。

有机薄膜封装层262可以设置在第一无机薄膜封装层261上。有机薄膜封装层262可以设置在整个显示区域10和整个模块对应区域20中。有机薄膜封装层262可以提高显示装置100的平坦度，并且可以与第一无机薄膜封装层261一起保护第一发射结构300和第二发射结构400。有机薄膜封装层262可以包括具有柔性的有机绝缘材料。

第二无机薄膜封装层263可以设置在有机薄膜封装层262上。第二无机薄膜封装层263可以设置在整个显示区域10和整个模块对应区域20中。第二无机薄膜封装层263可以与第一无机薄膜封装层261一起使用，以防止第一发射结构300和第二发射结构400由于湿气和氧气等的渗透而劣化。

另外，第二无机薄膜封装层263还可以执行与第一无机薄膜封装层261和有机薄膜封装层262一起保护第一发射结构300和第二发射结构400免受外部冲击的功能。在实施例中，例如，第二无机薄膜封装层263可以包括具有柔性的无机绝缘材料。

在显示装置100的一个或多个实施例中，由于包括无机绝缘材料的相位补偿层175设置在蚀刻停止层135上、在模块对应区域20中，因此可以减少光斑现象的发生。

然而，在相对大面积的显示装置中，在对相位补偿层175进行图案化的工艺中，相位补偿层175的厚度可能变得不均匀。

在显示装置100的一个或多个实施例中，由于包括透明材料的蚀刻停止层135设置在基板110与相位补偿层175之间、在模块对应区域20中，因此可以改善大面积显示装置中的相位补偿层175的厚度不均匀性。

图7、图8、图9、图10、图11、图12、图13、图14、图15和图16是图示由制造图6的显示装置100的方法提供的结构的实施例的截面图。

参考图7，包括透明材料的基板110可以形成在刚性玻璃基板105(例如，基底层)上。基板110可以使用柔性透明树脂基板形成。在实施例中，基板110可以使用石英基板、合成石英基板和玻璃基板等形成。在这种情况下，可以省略刚性玻璃基板105。

在实施例中，例如，当基板110包括透明材料时，由于基板110是薄且柔性的，因此基板110可以形成在刚性玻璃基板105上以支持半导体元件200、第一发射结构300、第二发射结构400和薄膜封装结构260等的形成。如稍后将描述的，在形成薄膜封装结构260之后，可以去除刚性玻璃基板105。

基板110可以包括显示区域10、模块对应区域20和像素电路区域30。

缓冲层120可以形成在基板110上。缓冲层120可以形成在整个显示区域10和整个模块对应区域20中。根据基板110的类型，可以在基板110上形成两个或更多个缓冲层120，或者可以不形成缓冲层120。缓冲层120可以使用氧化硅和氮化硅等形成。

有源层130可以形成在缓冲层120上、在显示区域10中。有源层130可以使用金属氧化物半导体、无机半导体或有机半导体形成。有源层130可以包括源区、漏区和定位在源区与漏区之间的沟道区。

参考图8，蚀刻停止层135可以形成在缓冲层120上、在模块对应区域20中。即，蚀刻停止层135可以与有源层130形成在同一层。另外，蚀刻停止层135可以形成在整个模块对应区域20中。在实施例中，例如，蚀刻停止层135可以使用透明材料形成。在实施例中，蚀刻停止层135可以使用氧化铟镓锌和非晶硅等形成。

蚀刻停止层135可以与有源层130在同一工艺中形成。即，蚀刻停止层135可以与有源层130使用相同的材料同时形成。在实施例中，蚀刻停止层135可以在与有源层130的工艺不同的工艺中形成。在实施例中，例如，在形成有源层130之后，可以形成蚀刻停止层135。在这种情况下，蚀刻停止层135可以使用与有源层130的材料不同的材料形成。

参考图9，第一栅绝缘层141可以形成在缓冲层120上。第一栅绝缘层141可以在显示区域10中覆盖有源层130并且可以延伸到模块对应区域20。即，第一栅绝缘层141可以形成在整个显示区域10和整个模块对应区域20中。第一栅绝缘层141可以使用氧化硅、氮化硅和氧氮化硅等形成。

第一栅电极150可以形成在第一栅绝缘层141上、在显示区域10中。第一栅电极150可以被形成为与有源层130的沟道区重叠。第一栅电极150可以使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等形成。

第二栅绝缘层142可以形成在第一栅绝缘层141上。第二栅绝缘层142可以在显示区域10中覆盖第一栅电极150并且可以延伸到模块对应区域20。即，第二栅绝缘层142可以形成在整个显示区域10和整个模块对应区域20中。第二栅绝缘层142可以使用氧化硅、氮化硅和氧氮化硅等形成。

参考图10，可以去除设置在模块对应区域20中的第一栅绝缘层141和第二栅绝缘层142。从模块对应区域20去除第一栅绝缘层141和第二栅绝缘层142将蚀刻停止层135暴露到第一栅绝缘层141和第二栅绝缘层142的外部。

参考图11，第二栅电极160可以形成在第二栅绝缘层142上、在显示区域10中。第二栅电极160可以与第一栅电极150重叠。第二栅电极160可以使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等形成。

层间绝缘层170可以设置在第二栅绝缘层142上。层间绝缘层170可以在显示区域10中覆盖第二栅电极160并且可以延伸到模块对应区域20。即，层间绝缘层170可以形成在整个显示区域10和整个模块对应区域20中。层间绝缘层170可以使用氧化硅、氮化硅和氧氮化硅等形成。

参考图12，源电极180和漏电极190可以形成在层间绝缘层170上、在显示区域10中。源电极180可以经由通过去除第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142和层间绝缘层170中的每一个的第一部分而形成的第一接触孔连接到有源层130的源区。漏电极190可以经由通过去除第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142和层间绝缘层170中的每一个的第二部分而形成的第二接触孔连接到有源层130的漏区。源电极180和漏电极190中的每一个可以使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等形成。

因此，包括有源层130、第一栅电极150、第二栅电极160、源电极180和漏电极190的半导体元件200可以形成在第二像素区域50中。

导电膜184可以形成在层间绝缘层170上、在模块对应区域20中。导电膜184可以使用导电金属氧化物和透明导电材料等形成。在实施例中，例如，导电膜184可以使用ITO、IZO、IGO、SnO

参考图12和图13，信号线185可以通过图案化导电膜184(例如，信号线材料层)来形成。在实施例中，信号线185、源电极180和漏电极190可以形成在同一层，但是不限于此，并且可以使用彼此不同的材料在不同的工艺中形成。在实施例中，例如，在形成源电极180和漏电极190之后，可以形成信号线185。

参考图13和图14，相位补偿层175可以通过图案化设置在模块对应区域20中的层间绝缘层170来形成。具体地，相位补偿层175可以使用信号线185作为掩模，形成在与信号线185相对应的位置处。即，在形成相位补偿层175(例如，相位补偿图案)之后，在模块对应区域20中蚀刻停止层135的不与信号线185重叠的上表面可以被暴露到层间绝缘层170(或相位补偿图案)和信号线185的外部。然而，在实施例中，层间绝缘层170的不与信号线185重叠的部分可以保留在模块对应区域20中。

在实施例中，例如，相位补偿层175可以使用氧化硅和氮化硅等形成。即，相位补偿层175可以与层间绝缘层170使用相同的材料形成。

参考图15，平坦化层210可以形成在层间绝缘层170和蚀刻停止层135上。即，平坦化层210可以在显示区域10中覆盖源电极180和漏电极190，并且可以延伸到模块对应区域20。平坦化层210可以在模块对应区域20中覆盖相位补偿层175和信号线185。平坦化层210可以使用光致抗蚀剂、聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂、丙烯酸树脂和环氧类树脂等形成。平坦化层210可以使用基本上透明的硅氧烷类树脂形成。

参考图16，第二下电极220可以形成在平坦化层210上、在显示区域10中。第一下电极225可以形成在平坦化层210上、在模块对应区域20中。第二下电极220可以经由通过去除平坦化层210的一部分而形成的接触孔连接到漏电极190。第一下电极225可以经由通过去除平坦化层210的一部分(参见图5中围绕“x”的框)而形成的接触孔连接到信号线185。第一下电极225和第二下电极220中的每一个可以使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等形成。在实施例中，例如，第一下电极225和第二下电极220中的每一个可以具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。

像素限定层250可以形成在平坦化层210上、在显示区域10和模块对应区域20的一部分中。像素限定层250可以在显示区域10中暴露第二下电极220的一部分，并且可以在模块对应区域20中暴露第一下电极225的一部分。另外，暴露透明区域21中的层的开口OP可以形成在像素限定层250中。像素限定层250可以使用有机绝缘材料形成。

第二发射层230可以形成在第二下电极220上，并且第一发射层235可以形成在第一下电极225上。第一发射层235和第二发射层230中的每一个可以使用能够根据子像素发射不同颜色的光的发射材料中的至少一种形成。

上电极240可以形成在基板110上、在整个显示区域10和整个模块对应区域20中。上电极240可以沿着第一发射层235、第二发射层230和像素限定层250的轮廓形成。上电极240可以使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等形成。

因此，包括第二下电极220、第二发射层230和上电极240的第二发射结构400可以形成在第二像素区域50中，并且包括第一下电极225、第一发射层235和上电极240的第一发射结构300可以形成在第一像素区域40中。

第一无机薄膜封装层261可以形成在上电极240上、在显示区域10和模块对应区域20中。在实施例中，例如，第一无机薄膜封装层261可以使用具有柔性的无机绝缘材料形成。有机薄膜封装层262可以形成在第一无机薄膜封装层261上、在显示区域10和模块对应区域20中。在实施例中，例如，有机薄膜封装层262可以使用具有柔性的有机绝缘材料形成。第二无机薄膜封装层263可以形成在有机薄膜封装层262上。第二无机薄膜封装层263可以使用具有柔性的无机绝缘材料形成。

因此，可以形成包括第一无机薄膜封装层261、有机薄膜封装层262和第二无机薄膜封装层263的薄膜封装结构260。在形成薄膜封装结构260之后，可以将玻璃基板105从基板110去除以暴露基板110的下表面。

返回参考图6，功能模块FM可以形成在基板110的下表面上、在模块对应区域20中。在实施例中，例如，功能模块FM可以包括摄像头模块等。

因此，可以提供图1、图2、图3、图4、图5和图6中示出的显示装置100。

图17是图示显示装置1000的实施例的截面图。

参考图17，显示装置1000可以包括功能模块FM、基板110、缓冲层120、半导体元件200、第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142、层间绝缘层170、相位补偿层175、信号线185、蚀刻停止层135、平坦化层210、像素限定层250、第一发射结构300、第二发射结构400和薄膜封装结构260。除了蚀刻停止层135之外，图17的显示装置1000可以与参考图6描述的显示装置100基本上相同或相似。在下文中，将省略重复的描述。

蚀刻停止层135可以设置在缓冲层120上、在模块对应区域20中。在实施例中，蚀刻停止层135可以被图案化以限定与相位补偿层175和信号线185中的每一个重叠的蚀刻停止图案。在这种情况下，蚀刻停止层135可以包括非晶硅。在模块对应区域20内，缓冲层120可以被暴露到相位补偿层175、信号线185和蚀刻停止层135的外部。

尽管蚀刻停止层135和有源层130形成在同一层，但是本发明不限于此，并且蚀刻停止层135和有源层130可以使用不同的材料并且在不同的工艺中形成。在实施例中，例如，在形成有源层130之后，可以形成蚀刻停止层135。具体地，在相位补偿层175被图案化以提供相位补偿图案之后，蚀刻停止层135可以被图案化以提供蚀刻停止图案。

图18是图示显示装置1100的实施例的截面图。

参考图18，显示装置1100可以包括功能模块FM、基板110、缓冲层120、半导体元件200、第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142、层间绝缘层170、相位补偿层175、信号线185、蚀刻停止层135、平坦化层210、像素限定层250、第一发射结构300、第二发射结构400和薄膜封装结构260。除了设置在模块对应区域20中的第一栅绝缘层141和第二栅绝缘层142之外，图18的显示装置1100可以与参考图6描述的显示装置100基本上相同或相似。在下文中，将省略重复的描述。

至少一个无机绝缘层(例如，第一栅绝缘层141和第二栅绝缘层142等)可以设置在缓冲层120上。在实施例中，例如，第一栅绝缘层141可以设置在缓冲层120上，并且第二栅绝缘层142可以设置在第一栅绝缘层141上。在实施例中，第一栅绝缘层141和第二栅绝缘层142可以设置在整个显示区域10和整个模块对应区域20中。即，模块对应区域20中的第一栅绝缘层141和第二栅绝缘层142可以保留在基板110上，而不被去除。在实施例中，第一栅绝缘层141和第二栅绝缘层142中的每一个可以具有包括多个绝缘层的多层结构。

蚀刻停止层135可以设置在第二栅绝缘层142上、在模块对应区域20中。另外，蚀刻停止层135可以设置在整个模块对应区域20中以面对基板110，第一栅绝缘层141和第二栅绝缘层142两者在蚀刻停止层135与基板110之间。

在实施例中，蚀刻停止层135可以在与有源层130的工艺不同的工艺中形成。在实施例中，例如，在形成有源层130之后，可以形成蚀刻停止层135。在这种情况下，蚀刻停止层135和有源层130可以包括不同的材料。

图19是图示显示装置1200的实施例的截面图。

参考图19，显示装置1200可以包括功能模块FM、基板110、缓冲层120、半导体元件200、第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142、层间绝缘层170、相位补偿层175、信号线185、蚀刻停止层135、平坦化层210、像素限定层250、第一发射结构300、第二发射结构400和薄膜封装结构260。除了设置在模块对应区域20中的蚀刻停止层135之外，图19的显示装置1200可以与参考图18描述的显示装置1100基本上相同或相似。在下文中，将省略重复的描述。

蚀刻停止层135可以设置在第二栅绝缘层142上、在模块对应区域20中。另外，返回参考图17，蚀刻停止层135可以被图案化以与相位补偿层175和信号线185中的每一个重叠。

本公开的一个或多个实施例可以应用于可以包括图像生成装置的各种显示装置。在实施例中，例如，本公开可以应用于高分辨率智能电话、移动电话、智能平板、智能手表、平板个人计算机、车载导航系统、电视机、计算机监视器和笔记本计算机等。

前述内容是对实施例的说明，而不应被解释为对其进行限制。尽管已经描述了实施例，但是本领域技术人员将容易理解，可以对实施例进行许多修改，而不实质背离本发明的新颖教导和优点。因此，所有这些修改旨在被包括在权利要求书中限定的本发明的范围内。因此，应该理解，前述内容是对各种实施例的说明并且不应被解释为限于所公开的实施例，并且对所公开的实施例的修改以及其他实施例旨在被包括在所附权利要求书的范围内。