具有精确温度和流量控制的多站腔室盖

技术领域

本公开内容的实施方式涉及处理腔室盖。特别是，本公开内容的实施方式涉及用于半导体基板晶片的多站处理的腔室盖。

背景技术

用于半导体制造的膜沉积方法是高度取决于温度。整个基板表面的温度变化会导致不均匀的沉积，并最终导致装置故障和/或降低产量。因此，需要在处理期间对整个基板表面进行均匀的温度控制。从一个处理环境传送到另一个处理环境的晶片也存在此种需求。

另外，某些处理在处理期间会从基板表面脱气物质。如果允许这些物质与基板表面反应，则这些物质可能劣化基板表面的质量。因此，需要能够在物质能够与基板表面反应之前快速且有效从基板表面移除经脱气物质的净化系统。

处理腔室设计的最新进展包括在单一处理腔室内的多个晶片处理环境。在此类型的处理环境中，晶片在腔室内的相邻的处理站之间移动。每个处理站经配置以进行晶片处理的一些方面。需要对晶片进行0.5℃的严密的温度控制，以实现均匀且可重复的处理。在站之间进行传送期间，晶片在盖下方移动最多花费总循环时间的50％。在处理站之间移动期间，晶片温度可能改变，需要额外的时间进行温度平衡，因此影响处理均匀性或产量。因此，在本领域中需要在单一处理腔室内能够隔离多个处理环境的温度控制和净化系统。

发明内容

一个或多个实施方式涉及一种处理腔室盖，该处理腔室盖包括具有顶表面和底表面的盖主体。多个站开口从顶表面通过盖主体延伸到底表面。每个开口具有外周边缘。站分离净化通道围绕多个站开口中的每一者的外周边缘延伸。站分离净化通道具有从站分离净化通道延伸到盖主体的底表面的多个孔。多个孔围绕多个站开口间隔开。多个成角度的净化通道从盖主体的中心部分延伸到相邻的站开口之间的盖主体的外周边缘部分。成角度的净化通道中的每一者包括从成角度的净化通道延伸到盖主体的底表面的多个间隔开的孔。

本公开内容的额外实施方式涉及一种处理方法。使净化气体流过站分离净化通道，站分离净化通道围绕多个站开口的外周边缘延伸。站分离净化通道具有多个孔，多个孔从站分离净化通道延伸到盖主体的底表面，以允许净化气体流进入围绕处理站的处理腔室的内部空间。使净化气体流过多个成角度的净化通道，多个成角度的净化通道从盖主体的中心部分延伸到相邻的站开口之间的盖主体的外周边缘部分。成角度的净化通道中的每一者包括从成角度的净化通道延伸到盖主体的底表面的多个间隔开的孔，以使净化气体流入在处理站之间的处理腔室的内部空间。

本公开内容的进一步实施方式涉及一种包括指令的非暂时性计算机可读介质，指令在由处理腔室的控制器执行时使处理腔室进行以下操作：使净化气体流过站分离净化通道，站分离净化通道围绕多个站开口的外周边缘延伸，站分离净化通道具有多个孔，多个孔从站分离净化通道延伸到盖主体的底表面并进入围绕处理站的处理腔室的内部空间；及使净化气体流过多个成角度的净化通道，多个成角度的净化通道从盖主体的中心部分延伸到相邻的站开口之间的盖主体的外周边缘部分，成角度的净化通道中的每一者包括从成角度的净化通道延伸到盖主体的底表面的多个间隔开的孔，以使净化气体流入在处理站之间的处理腔室的内部空间。

附图说明

因此，可详细理解本公开内容的上述特征的方式，可通过参考实施方式，对上文简要概述的本公开内容进行更具体的描述，其中一些实施方式在附图中示出。然而，应注意的是，附图仅示出了本公开内容的典型实施方式，并且因此不应被认为是对其范围的限制，因为本公开内容可允许其他等效的实施方式。在附图的图中，以示例而非限制的方式示出了本文所述的实施方式，在附图中，相似的附图标记指示相似的元件。

图1示出了根据本公开内容的一个或多个实施方式的处理腔室的横截面等角图；

图2示出了根据本公开内容的一个或多个实施方式的处理腔室的横截面图；

图3示出了根据本公开内容的一个或多个实施方式的用于处理腔室的顶板；

图4示出了根据本公开内容的一个或多个实施方式的处理腔室盖的部分横截面平行投影；

图5示出了图4的区域5的放大图；

图6示出了沿着线6-6’截取的图4的横截面图；

图7示出了根据本公开内容的一个或多个实施方式的处理腔室盖的示意图；

图8示出了根据本公开内容的一个或多个实施方式的处理腔室盖的横截面图；和

图9示出了图8的横截面图的区域9。

具体实施方式

在描述本公开内容的几个示例性实施方式之前，应理解的是，本公开内容不限于在以下描述中阐述的构造或处理步骤的细节。本公开内容能够具有其他实施方式并且能够以各种方法来实施或执行。

如本文所用的“基板”是指任何基板或任何在制造处理期间在其上进行膜处理的基板上形成的材料表面。例如，取决于应用，可在其上执行处理的基板表面包括诸如硅、氧化硅、应变硅、绝缘体上硅(SOI)、碳掺杂的氧化硅、非晶硅、掺杂的硅、锗、砷化镓、玻璃、蓝宝石的材料，及诸如金属、金属氮化物、金属合金及其他导电材料的任何其他材料。基板包括但不限于半导体晶片。可将基板暴露于预处理工艺，以抛光、蚀刻、还原、氧化、羟基化、退火和/或烘烤基板表面。除了直接在基板本身的表面上进行膜处理外，在本公开内容中，还可在形成于基板上的底层上进行所公开的任何膜处理步骤(如下文更详细地公开)，并且术语“基板表面”意欲包括这样的底层(如上下文指示)。因此，例如，在膜/层或部分膜/层已经沉积在基板表面上的情况下，新沉积的膜/层的暴露表面成为基板表面。

如用于本说明书和所附的权利要求书，术语“前驱物”、“反应物”、“反应气体”等可以互换使用，是指可与基板表面反应的任何气态物质。

本公开内容的一些实施方式涉及一种受热控制以最小化在腔室盖下方处理的晶片的温度漂移的腔室盖。腔室盖包括多个处理区域和围绕腔室盖的周边的加热元件，加热元件围绕处理区域。加热元件能够维持大约150℃+/-10℃的盖温度以及<0.5℃的经处理晶片的温度均匀性。在一些实施方式中，加热元件经配置以将盖温度维持在大约75℃至大约175℃的范围内。

本公开内容的一个或多个实施方式涉及具有递归路径的腔室盖，递归路径用于围绕处理站进行均匀的净化分配，以有效分离处理站。在一些实施方式中，腔室盖通过在晶片传送期间提供成角度的净化以携带经脱气颗粒，来最小化膜劣化。在一些实施方式中，将腔室盖加热到预定设定点，以最小化或防止在晶片上出现温度偏差。在一些实施方式中，递归流动路径经配置以在没有气体喷射的情况下，实现小于1％的气体分配不均匀性。在一些实施方式中，递归流动路径提供有效的气体分离和均匀的分配。

本公开内容的一些实施方式涉及一种将多个处理区域的处理流分离的腔室盖。腔室盖包括围绕每个处理区域的圆形净化通道，净化通道连接到中央净化进料。一些实施方式有效防止在处理区域之间的串扰(cross-talk)，使得邻近处理区域中的反应物的质量分数在间隙间隔的范围内小于1e-6。在一些实施方式中，当反应物用于一个站时，该反应物在邻近的(相邻的)站中的浓度小于1ppm或100ppb或10ppb或1ppb。

本公开内容的进一步实施方式涉及一种移除在处理区域之间的经脱气物质的腔室盖。腔室盖包括在处理区域之间的成角度的净化通道。当晶片在处理区域之间移动时，成角度的净化通道从基板表面移除经脱气物质。在一些实施方式中，成角度的净化通道能够在少于0.5秒的时间内移除经脱气物质，以致能较短的循环时间。

本公开内容的一些实施方式涉及具有多个处理站的处理腔室。处理站可具有相同或不同的热环境，使得处理站之间的移动可对处理产生短暂影响。在一些实施方式中，处理腔室具有在大约两个至大约八个的范围内的处理站。

本公开内容的一些实施方式有利地提供了将前驱物约束到特定处理站并防止或最小化串扰的设备和方法。一些实施方式有利地提供了通过优化净化气体流动路径以达到效率来最小化总净化气体流量的设备和方法。

站之间的前驱物扩散会随着较高的盖顶板间隙距离和某些前驱物(例如NH

图1和图2示出了根据本公开内容的一个或多个实施方式的处理腔室100。图1示出了根据本公开内容的一个或多个实施方式的以横截面等角图示出的处理腔室100。图2以横截面示出了根据本公开内容的一个或多个实施方式的处理腔室100。因此，本公开内容的一些实施方式涉及结合有支撑组件200和顶板300的处理腔室100。

处理腔室100具有壳体102，壳体102具有壁104和底部106。壳体102与顶板300一起界定了内部空间109，还称为处理空间。

处理腔室100包括多个处理站110。处理站110位于壳体102的内部空间109中，并且以圆形布置围绕支撑组件200的旋转轴211定位。处理站110在空间上围绕处理腔室100的内部空间109布置。每个处理站110包括具有正面114的气体注入器112。在一些实施方式中，每个气体注入器112的正面114是基本上共面的。在一些实施方式中，气体注入器112的正面114是非共面的，从而在正面114与支撑表面231之间形成不同的间隙。将处理站110界定为其中可进行处理的区域。例如，可由加热器230的支撑表面231和气体注入器112的正面114界定处理站110。

处理站110可经配置以进行任何合适的处理并提供任何合适的处理条件。所使用的气体注入器112的类型将取决于例如所进行的处理的类型和喷头或气体注入器的类型。例如，经配置以操作为原子层沉积设备的处理站110可具有喷头或涡旋型气体注入器。然而，经配置以操作为等离子体站的处理站110可具有一个或多个电极和/或接地板的配置以产生等离子体，而同时允许等离子体气体流向晶片。图2所示的实施方式在图的左侧(处理站110a)与在图的右侧(处理站110b)具有不同类型的处理站110。合适的处理站110包括但不限于热处理站、微波等离子体、三电极CCP、ICP、平行板CCP、UV曝光、激光处理、泵送腔室、退火站和计量站。

支撑组件200包括可旋转中心基座210。可旋转中心基座210可具有对称或不对称的形状并界定旋转轴211。旋转轴211沿着第一方向延伸，该第一方向可称为垂直方向或沿着z轴；然而，应理解的是，以此种方式使用的术语“垂直”不限于相对于重力的方向。

在一些实施方式中，支撑组件200包括至少两个支撑臂220，支撑臂220连接到中心基座210并且从中心基座210延伸。支撑臂220具有内端221和外端222。内端221与中心基座210接触，使得当中心基座210绕旋转轴211旋转时，支撑臂220也会旋转。支撑臂220可通过紧固件(例如，螺栓)或通过与中心基座210一体形成来在内端221处连接到中心基座210。

支撑组件200中的支撑臂220的数量可以改变。在一些实施方式中，有至少两个、三个、四个、五个、六个、七个或八个支撑臂220。在一些实施方式中，有三个支撑臂220。在一些实施方式中，有四个支撑臂220。在一些实施方式中，支撑臂220的数量与处理站110的数量相同。

支撑臂220可围绕中心基座210对称地布置。例如，在具有四个支撑臂220的支撑组件200中，每个支撑臂220围绕中心基座210以90°的间隔定位。在具有三个支撑臂220的支撑组件200中，支撑臂220围绕中心基座210以120°的间隔定位。换句话说，在具有四个支撑臂220的实施方式中，支撑臂经布置以提供围绕旋转轴211的四重对称性。在一些实施方式中，支撑组件200具有n个支撑臂220，并且该n个支撑臂220经布置以提供围绕旋转轴211的n重对称性。

加热器230定位在支撑臂220的外端222处。在一些实施方式中，每个支撑臂220具有加热器230。加热器230的中心位于与旋转轴211相距一定距离，使得一旦中心基座210旋转时，加热器230以圆形路径移动。

加热器230具有可支撑晶片的支撑表面231。在一些实施方式中，加热器230支撑表面231是基本上共面的。以此种方式使用的“基本上共面”是指由各个支撑表面231形成的平面是在由另一支撑表面231形成的平面的±5°、±4°、±3°、±2°或±1°之内。

在一些实施方式中，加热器230直接定位在支撑臂220的外端222上。在一些实施方式中，如图所示，加热器230由加热器支架234而升高到支撑臂220的外端222上方。加热器支架234可以是任意的尺寸和长度，以增加加热器230的高度。

在一些实施方式中，通道236形成在中心基座210、支撑臂220和/或加热器支架234中的一者或多者中。通道236可用于路由电性连接或提供气流。

加热器可以是本领域技术人员所已知的任何合适类型的加热器。在一些实施方式中，加热器是在加热器主体内具有一个或多个加热元件的电阻加热器。一些实施方式的加热器230包括额外的部件。例如，加热器可包括静电卡盘。静电卡盘可包括各种导线和电极，使得当加热器移动时，定位于加热器支撑表面231上的晶片可保持在适当位置。这允许晶片在处理开始时卡在加热器上，并且在晶片移动到不同的处理区域时，保持在该相同加热器上的该相同位置。在一些实施方式中，导线和电极路由通过在支撑臂220中的通道236。

在一些实施方式中，支撑板245由支撑柱227支撑。当使用单一部件平台时，支撑柱227可用于防止支撑板245的中心下垂。在一些实施方式中，支撑柱227是用于支撑板245的主要支撑。

参照图3至图9，本公开内容的一些实施方式涉及用于多站处理腔室的顶板300。顶板300包括盖主体307，该盖主体307具有界定盖的厚度的顶表面301和底表面302以及一个或多个边缘303。顶板300包括透过其厚度延伸的至少一个开口310。开口310经尺寸化以允许增加气体注入器112(参见图1)，该气体注入器112可形成处理站110。在一些实施方式中，有在2个至6个的范围内的站开口310。在一些实施方式中，每个站开口310具有大约相同的直径。以此种方式使用的术语“大约相同的直径”意味着每个直径相对于平均直径是在±1％或0.5％以内。在一些实施方式中，有至少两个不同直径的开口310。

顶板300中的开口310可均匀尺寸化或具有不同的尺寸。在一些实施方式中，站分离净化通道329围绕每个开口310。站分离净化通道329可以是任何合适的形状或尺寸。在一些实施方式中，站分离净化通道329是在顶板300中形成的具有插入件的凹槽，以在其中形成密封空间。在所示的实施方式中，站分离净化通道329包括定位成与净化气体源(未示出)流体连通的泵/净化插入件330，以提供净化气体的正流，以防止处理气体从处理腔室泄漏。站分离净化通道329的特征的参照包括其中具有泵/净化插入件330的实施方式。例如，在站分离净化通道329包括入口339的情况下，本领域技术人员将认识到入口339可位于泵/净化插入件330之内，泵/净化插入件330反而位于站分离净化通道329之内。

在一些实施方式中，如图3和4所示，站分离净化通道329包括围绕站开口310的多个圆形部分341。在一些实施方式中，站分离净化通道329的多个圆形部分341中的每个圆形部分通过一个或多个连接器段342连接到相邻的圆形部分341。如图3和图4的实施方式所示，每个圆形部分341通过两个连接器段342连接到两个相邻的圆形部分341。两个连接器段342在毂(hub)343处连接，入口339位于毂343中。

在一些实施方式中，站分离净化通道329的圆形部分341的直径独立于站开口310的直径。圆形部分341的直径是在通道的最内侧壁335相对于开口310的外周壁313之间测量的。换句话说，圆形部分341的直径是在最靠近特定圆形部分341围绕的开口310的壁之间测量的。在一些实施方式中，每个圆形部分341具有大约相同的直径。在一些实施方式中，每个圆形部分341的直径取决于站开口310的直径。例如，每个圆形部分的直径比每个开口310的直径大在大约0.5mm至大约50mm或在大约1mm至大约25mm的范围内的量D(参见图6)。

图4示出了根据本公开内容的一个或多个实施方式的顶板300的横截面图。图5示出了区域5的放大图，该放大图示出了泵/净化插入件330的一部分。图6示出了图4的顶板300的一部分沿着线6-6'截取的横截面图，其中泵/净化插入件330与站分离净化通道329分离。在所示的实施方式中，泵/净化插入件330包括气体增压室336，气体增压室336在泵/净化插入件330的底部333中具有至少一个开口338。气体增压室336在泵/净化插入件330的顶部331或侧壁335附近具有入口339。

在一些实施方式中，增压室336可通过入口339充入净化或惰性气体，该净化或惰性气体可穿过在泵/净化插入件330的底部333中的开口338。通过开口338的气流可帮助产生气幕式屏障，以防止处理气体从处理腔室的内部泄漏。

在一些实施方式中，增压室336连接到真空源或与真空源流体连通。在这样的实施方式中，气体流过泵/净化插入件330的底部333中的开口338进入增压室336。可将气体从增压室排空以排出。这样的布置可在使用期间用于从处理站110排空气体。在一些实施方式中，如图4所示，泵/净化插入件330具有至少一个入口339和至少一个出口339a。在一些实施方式中，净化气体可通过入口339流入增压室336中，并切换到连接到出口339a的真空源，以从增压室336移除气体。在一些实施方式中，每个开口用作入口。在一些实施方式中，每个开口用作出口。在一些实施方式中，每个开口连接到可切换气体源和真空源，以允许将气体源或真空源连接到增压室336。在一些实施方式中，在站分离净化通道中的入口339的数量与站开口310相同。在一些实施方式中，站分离净化通道中的每个入口339连接到站分离净化通道的两个相邻的圆形部分。

如图4至图5和图7至图9所示，顶板300的一些实施方式包括从盖主体307的中心部分305延伸到盖主体307的外周边缘部分309的多个成角度的净化通道380。成角度的净化通道380在相邻的站开口310之间延伸。图4示出了顶板300的实施方式沿着成角度的净化通道380中的两者通过盖主体307的中心部分305截取的横截面等角图。图5示出了图4的区域5的放大图，该放大图示出了靠近盖主体307的外周边缘部分309的成角度的净化通道380的一部分。图7示出了顶板300的实施方式的示意图，该示意图示出了各种气体通路。本领域技术人员将理解的是，在顶板300的俯视图中看不见所有示出的气体通路，并且所述图以线框图标出了所述通路。图8示出了图4的横截面而没有部分等角图。图9示出了图8的区域9的放大部分。

每个成角度的净化通道380包括多个间隔开的孔382。间隔开的孔从成角度的净化通道380延伸到盖主体307的底表面302。尽管间隔开的孔382的形状示出为圆柱形，但是本领域技术人员将理解的是，其他形状也是在本公开内容的范围内。例如，一些实施方式的孔具有连接到成角度的净化通道380的上部，该上部具有比连接到底表面302的下部更宽的直径。从较宽的直径到较窄的直径的转换可以是线性的、梯度的或阶梯的。

在一些实施方式中，每个成角度的净化通道380连接到单独的入口。在一些实施方式中，所有成角度的净化通道380都连接到位于盖主体307的中心部分305中的单一入口384。在一些实施方式中，入口384位于盖主体307的顶表面301附近。在一些实施方式中，入口384具有与盖主体307的顶表面301相邻的球形部分。倾斜部分386从与顶表面301相邻的球形部分到与盖主体307的底表面302相邻的成角度的净化通道380成角度。倾斜部分386在球形部分与成角度的净化通道380之间提供流体连通。

再次参照图2和图3，顶板300的一些实施方式包括盖支撑梁360，盖支撑梁360越过顶板300的中心部分305。盖支撑梁360可使用连接器367来连接到在中心附近的顶板300。连接器367可用于施加正交于顶板300的力，以补偿由于压力差或由于顶板300的重量而导致的顶板300中的弯曲。在一些实施方式中，盖支撑梁360和连接器367能够补偿在具有宽度大约1.5m和厚度高达或等于大约100毫米的顶板的中心处的高达或等于大约5mm、4mm、3mm、2mm或1.5mm的挠曲。在一些实施方式中，盖支撑梁经配置以对盖主体提供变形补偿，以补偿高达大约5mm的挠曲。

一些实施方式包括连接到盖支撑梁360的马达/致动器365。马达365或致动器通过任何合适的连接类型连接到连接器367，并且可引起施加至顶板300的方向力上的变化。马达365或致动器可支撑在盖支撑梁360上。所示的盖支撑梁360在两个位置处与顶板300的边缘接触。然而，本领域技术人员将理解的是，可存在一个连接位置或多于两个连接位置。在一些实施方式中，盖支撑梁包括与控制器390连通的马达/致动器，该控制器390经配置以在盖的中心部分上提供顶表面或底表面的指向力。顶表面或底表面的指向力是指连接器367相对于盖主体307的连接应力点。

再次参照图2，一些实施方式的支撑组件200包括至少一个马达250。至少一个马达250连接到中心基座210，并经配置以使支撑组件200围绕旋转轴211旋转。在一些实施方式中，至少一个马达经配置以使中心基座210沿着旋转轴211的方向移动。例如，在图2中，马达255连接到马达250，并且可使支撑组件200沿着旋转轴211移动。换句话说，所示的马达255可使支撑组件200沿着z轴、垂直或正交于由马达250所引起的移动来移动。在一些实施方式中，如图所示，有第一马达250使支撑组件200围绕旋转轴211旋转，并且有第二马达255使支撑组件200沿着旋转轴211(即，沿着z轴或垂直)移动。

如图3和图7所示，顶板300的一些实施方式包括一个或多个传感器388。一些实施方式的一个或多个传感器388定位于顶板300中的开口389中。传感器388可以是本领域技术人员所已知的可与顶板300和处理腔室100一起使用的任何合适的传感器。在一些实施方式中，传感器388包括温度传感器(例如，高温计)、距离传感器、水平仪或计量传感器(例如，近红外线)的一者或多者。

参照图3和图6，一些实施方式包括加热器347。在一些实施方式中，加热器347包括围绕顶板300的外周延伸的加热器电缆。加热器347可位于主体307内的任何距离处。例如，加热器347可位于主体307的厚度内或顶表面301上。

如图3所示，一些实施方式包括至少一个控制器390。控制器390耦接于马达/致动器365、加热器347、净化气体源(未示出)、真空源(未示出)或传感器388中的一者或多者。控制器950可以是任何形式的通用计算机处理器、微控制器、微处理器等中的一者，其可在工业环境中用于控制各种部件。

至少一个控制器390可具有处理器392、耦接于处理器392的存储器394、耦接于处理器392的输入/输出装置396及支持电路398，以在不同电子部件之间进行通信。存储器394可包括暂时性存储器(例如，随机存取存储器)和非暂时性存储器(例如，存储装置)中的一者或多者。

处理器的存储器394或计算机可读介质可以是一个或多个随时可用的存储器，诸如随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、软盘、硬盘或任何其他形式的本地或远程的数字存储装置。存储器394可保留可由处理器392操作以控制处理腔室100的参数和部件的指令集。支持电路398耦接于处理器392，以习知方式支持处理器。电路可包括例如高速缓存、电源、时钟电路、输入/输出电路系统、子系统等。

通常可将处理作为软件例程而存储在存储器中，该软件例程在由处理器执行时使处理腔室进行本公开内容的处理。软件例程还可由第二处理器(未示出)来存储和/或执行，该第二处理器位于远离由处理器控制的硬件的位置。本公开内容的一些或全部方法还可在硬件中进行。因此，处理可以软件来实现并可使用计算机系统以硬件(例如，专用集成电路或其他类型的硬件实现)或者以硬件或软件的组合来执行。软件例程在由处理器执行时将通用计算机转换成控制腔室操作以执行处理的专用计算机(控制器)。

在一些实施方式中，控制器390具有一个或多个配置，以执行个别处理或子处理。控制器390可连接到并配置以操作中间部件，以进行方法的功能。例如，控制器390可连接到并配置以控制气体阀、致动器、马达、狭缝阀、真空控制等中的一者或多者。

一些实施方式的控制器390具有选自以下项目的一个或多个配置：供电加热器的配置；从温度传感器读取温度的配置；基于从温度传感器读取的温度来对加热器提供功率的配置；操作马达/致动器以使腔室盖水平的配置；对站分离净化通道提供气体流的配置或对多个成角度的净化通道提供气体流的配置。

除非本文另外指示或与上下文明显矛盾，否则在描述本文所讨论的材料和方法的上下文中(特别是在随附权利要求书的上下文中)的术语“一(a)”和“一(an)”和“该”以及类似指称的使用应解释为涵盖单数形式和复数形式。除非本文另外指示，否则本文的数值范围的记载仅意欲用作分别引用落入范围内的每个单独的值的速记方法，并且将每个单独的值并入说明书中，就如同其在本文分别叙述一样。除非本文另外指示或与上下文明显矛盾，否则本文描述的所有方法可以任何合适的顺序进行。除非另外请求，否则本文提供的任何和所有示例或示例性语言(例如，“诸如”)的使用仅意欲更佳阐明材料和方法，并且不对范围构成限制。说明书中的任何语言均不应解释为指示任何未请求的要件对于实施所公开的材料和方法必不可少。

在整个说明书中，对“一个实施方式”、“某些实施方式”、“一个或多个实施方式”或“一实施方式”的引用是指结合该实施方式描述的特定特征、结构、材料或特性是包括在本公开内容的至少一个实施方式中。因此，在整个说明书的各个地方中出现诸如“在一个或多个实施方式中”、“在某些实施方式中”、“在一个实施方式中”或“在一实施方式中”的短语不一定是指本公开内容的相同实施方式。此外，在一个或多个实施方式中，可以任何合适的方式来组合特定的特征、结构、材料或特性。

尽管已参考特定实施方式描述了本公开内容，但是应理解的是，这些实施方式仅说明本公开内容的原理和应用。对于本领域技术人员将显而易见的是，在不脱离本公开内容的精神和范围的情况下，可以对本公开内容的方法和设备进行各种修改和变化。因此，意欲的是，本公开内容包括在随附权利要求书和其等同物的范围内的修改和变化。