一种薄膜及其制备方法、发光器件及其制备方法

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种薄膜的制备方法、发光器件及其制备方法。

背景技术

量子点电致发光显示技术，由于其波长可调、色彩饱和度高、材料稳定性高及制备成本低廉等优点，成为了下一代显示技术的最佳候选者。经过了将近二十几年的发展，量子点发光二极管的外量子效率已经由0.01％提升至超过20％，从器件效率方面，量子点发光二极管(QLED)已经相当接近有机发光二极管(OLED)。然而，尽管量子点器件拥有上述的优势，但目前器件的性能仍未完全达到产业化的要求，特别是对于蓝色QLED器件来说。

目前QLED的器件结构与OLED相似，通过空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层等构成类似p-i-n结的三明治结构，通过平衡电子和空穴的注入，达到高效发光的效果。由于蓝色量子点的带隙较红绿色量子点带隙宽，电子空穴更加难以注入，启动电压进一步增大，界面电荷积累更加严重，对器件的寿命和效率造成了很大影响。特别是，电子传输层和量子点界面间存在电荷转移现象且量子点对电子束缚能力低于对空穴的束缚，这导致了电子传输层和量子点界面处的严重的电荷转移现象，而且伴随着蓝色量子点的导带能级的提高，这种电荷转移更加严重。界面间的激发电子的转移不仅导致了界面处的电荷积累，而且极大提高了非辐射俄歇复合的概率，严重影响了器件的效率和寿命。所以，设计更加合理的器件结构、能级结构和引入稳定性更好的材料体系是进一步提高器件效率和寿命的关键。

因此，亟待提供一种可以提高电子注入效率的薄膜，进而提高器件发光效率。

发明内容

本申请的目的在于提供一种薄膜的制备方法，可以提高薄膜的电子态密度和电子迁移率。

本申请提供一种薄膜的制备方法，包括步骤：提供初始薄膜，在含有氧气的惰性气体氛围中对所述初始薄膜进行紫外照射；其中，所述电子传输层的材料包括纳米颗粒(NPs)。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述纳米颗粒包括氧化锌纳米颗粒(ZnO-NPs)、氧化钛纳米颗粒、氧化锡纳米颗粒、硫化锌纳米颗粒中的一种或多种。

可选的，在本申请的一些实施例中，在所述含有氧气的惰性气体氛围中，所述氧气的含量为10～100ppm。

可选的，在本申请的一些实施例中，在对所述电子传输层进行紫外照射的同时，对所述电子传输层进行热处理。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述热处理的温度为100～300℃。所述热处理的时间为5～30分钟。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述紫外照射的照射功率为50～300W/cm

可选的，在本申请的一些实施例中，所述纳米颗粒中掺杂有金属元素，所述金属元素包括Mg、Al、In、Li中的一种或多种。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述惰性气体选自氮气、氦气、氖气、氩气、氪气或氙气中的至少一种。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述纳米颗粒的粒径为1～60nm。

相应的，本申请还提供一种薄膜，由上述的方法制备而成。

此外，本申请还提供一种发光器件，包括阴极、阳极、设置在所述阴极与阳极之间的发光层以及设置在所述发光层与所述阴极之间的电子传输层，所述电子传输层包括如上所述的方法制备得到的薄膜，或所述电子传输层包括如上所述的薄膜。

相应的，本申请还提供一种发光器件的制作方法，包括：

提供预制基板；

在所述预制基板上依次形成阳极、发光层、电子传输层，得到第一基板；

在含有氧气的惰性气体氛围中对所述第一基板进行紫外照射，得到第二基板；

再在所述第二基板上形成阴极；或者，

提供预制基板；

在所述预制基板上依次形成阴极、电子传输层，得到第三基板；

在含有氧气的惰性气体氛围中对所述第三基板进行紫外照射，得到第四基板；

再在所述第四基板上依次形成发光层、阳极。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一基板在惰性气体氛围中进行制作。也就是说，所述在所述预制基板上依次形成阳极、发光层、电子传输层得到第一基板，是在惰性气体氛围中进行制作的。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第三基板在惰性气体氛围中进行制作。也就是说，所述在所述预制基板上依次形成阴极、电子传输层得到第三基板，是在惰性气体氛围中进行制作的。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述电子传输层的材料包括纳米颗粒，所述纳米颗粒包括氧化锌纳米颗粒、氧化钛纳米颗粒、氧化锡纳米颗粒、硫化锌纳米颗粒中的一种或多种。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述在含有氧气的惰性气体氛围中对所述第一基板进行紫外照射得到第二基板的步骤中，在所述紫外照射的同时，还对所述电子传输层进行热处理。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述在含有氧气的惰性气体氛围中对所述第三基板进行紫外照射得到第四基板的步骤中，在所述紫外照射的同时，还对所述电子传输层进行热处理。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述紫外照射的照射功率为50～300W/cm

可选的，在本申请的一些实施例中，所述热处理的温度为100～300℃。所述热处理的时间为5～30分钟。

可选的，在本申请的一些实施例中，在所述含有氧气的惰性气体氛围中，氧气的含量为10～100ppm。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述惰性气体选自氮气、氦气、氖气、氩气、氪气或氙气中的至少一种。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述纳米颗粒中掺杂有金属元素，所述金属元素包括Mg、Al、In、Li中的一种或多种。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述电子传输层的厚度可以为40～60nm。

本申请的有益效果在于：

本申请中，在含有氧气的惰性气体氛围中用高能的紫外线对采用纳米颗粒制备的薄膜进行处理，可以氧化纳米颗粒表面的配体，缩短颗粒之间的距离，使纳米颗粒彼此聚集成团，形成类似多晶的结构，降低电子在纳米颗粒间的传输势垒，以提高薄膜的电子迁移率；此外，纳米颗粒表面的配体被氧化可以提高薄膜的缺陷态密度以及提高电子态密度，进而提高薄膜的电子传输效率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的发光器件的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。本申请的各种实施例可以以一个范围的型式存在；应当理解，以一范围型式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本申请范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。例如，应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所数范围内的单一数字，例如1、2、3、4、5及6，此不管范围为何皆适用。另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。

在对现有技术的研究和实践过程中，本申请的发明人发现，QLED器件是电子主导的器件，QLED器件中量子点的发光机制为电子先到达量子点发光层，使量子点带上负电后，降低空穴到达发光层需越过的势垒，吸引空穴到达量子点发光层，与电子复合发光。可见在QLED发光器件中，提高电子注入效率，是提高QLED发光器件发光效率的必要条件。

本申请实施例提供一种薄膜及其制备方法、发光器件及其制备方法。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。

本申请实施例提供一种薄膜的制备方法，包括步骤：提供初始薄膜，在含有氧气的惰性气体氛围中对所述初始薄膜进行紫外照射。所述电子传输层的材料包括纳米颗粒(NPs)。进一步地，所述纳米颗粒包括金属氧化物和/或金属硫化物。具体地，所述纳米颗粒包括氧化锌纳米颗粒(ZnO-NPs)、氧化钛纳米颗粒、氧化锡纳米颗粒、硫化锌纳米颗粒中的一种或多种。

本申请中，在含有氧气的惰性气体氛围中用高能的紫外线对纳米颗粒堆积而成的薄膜进行处理，可以氧化氧化锌颗粒表面的配体，进而缩短颗粒之间的间距，使纳米颗粒彼此聚集成团，形成类似多晶的结构，降低电子在纳米颗粒间的传输势垒；并且，纳米颗粒的表面配体被氧化后还可以提高纳米颗粒的缺陷态密度，提高氧化锌的电子态密度。

进一步地，所述纳米颗粒中掺杂有金属元素。更进一步地，所述金属元素包括Mg、Al、In、Li中的一种或多种。进一步地，所述电子传输层可通过溶液法制备而成：在氧化锌纳米颗粒沉积成膜、去除溶剂后，通过上述的处理步骤对氧化锌电子传输层进行处理，能够提高氧化锌的电子态密度和电子迁移率，提高QLED器件中电子传输层的电子传输效率。

进一步地，在所述含有氧气的惰性气体氛围中。例如，所述氧气的含量可以为10ppm、20ppm、30ppm、40ppm、50ppm、60ppm、70ppm、80ppm、90ppm或100ppm。需要说明的是，此处的氧气的含量指的是氧气在惰性气体氛围中的体积分数。本申请实施例中，若氧气含量过低，工艺的效果不明显；若氧气含量过高会损坏氧化锌下层的薄膜。

进一步地，“惰性气体”是指化学性质不活泼，且不会与混合物中各个组分发生反应的一类气体，惰性气体包括但不限于是氮气、氦气、氖气、氩气、氪气或氙气中的至少一种。

在本申请的一些实施例中，所述紫外照射的照射功率可以为50W/cm

本申请实施例中，在含有少量氧气的环境中，用高能的紫外线对纳米颗粒堆积而成的氧化锌薄膜进行处理，可以氧化氧化锌表面的配体，缩短氧化锌纳米颗粒的颗粒间距，使氧化锌纳米颗粒彼此聚集成团，形成类似多晶的结构，降低电子在纳米颗粒间的传输势垒，提高氧化锌电子传输层的电子迁移率；同时配体被氧化锌可以提高氧化锌电子传输层的中的氧化锌的缺陷态密度，提高氧化锌的电子态密度，进一步提高了氧化锌电子传输层的电子传输效率。

在一些实施例中，在对所述电子传输层进行紫外照射的同时，对所述电子传输层进行热处理。例如，所述热处理的温度可以为100℃、120℃、150℃、170℃、200℃、220℃、240℃、250℃、280℃、290℃或300℃。例如，所述热处理的时间可以为5min、6min、8min、10min、12min、15min、17min、20min、23min、25min、28min或30min。进一步地，本申请实施例中，热处理与紫外照射是同步进行的，即热处理的时间与紫外照射的时间相同。本申请实施例中，若热处理的温度过低，工艺的效果不明显；若热处理的温度过高，则会损坏薄膜及其下层薄膜。

本申请中的纳米颗粒的表面的配体主要包括羟基，羟基配体氧化后易产生水，通过热处理可以使得在前述紫外照射过程中产生的水快速挥发。同时，热处理的高温也有利于纳米颗粒的聚集，提高纳米颗粒的结晶性。

例如，氧化锌纳米颗粒表面的配体主要为羟基，配体氧化后主要产生水，通过热处理可以使得在紫外照射过程中产生的水快速挥发；同时高温也有利于氧化锌纳米颗粒的聚集，提高氧化锌电子传输层的结晶性，进一步提高电子传输层的电子迁移率。

本申请还提供一种通过上述的方法制得的薄膜。

本申请实施例还提供一种发光器件，包括阴极、阳极、设置在所述阴极与阳极之间的发光层以及设置在所述发光层与所述阴极之间的电子传输层，所述电子传输层包括如上所述的方法制备得到的薄膜，或所述电子传输层包括如上所述的薄膜。进一步地，所述阳极与所述发光层之间还包括空穴功能层。所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层。

例如，请参阅图1，本申请实施例提供一种发光器件100，包括：

衬底基板10，及设置在衬底基板10上的阳极层20；

空穴功能层30，设置在阳极层20上；

发光层40，设置在空穴功能层30上；

电子传输层50，设置在发光层40上；

阴极层60，设置在电子传输层50上。

本申请实施例中，所述发光器件可以为QLED器件。

本申请实施例还提供一种发光器件的制作方法，包括在预制基板上制备阳极、发光层、电子传输层、阴极；其中，所述电子传输层在发光层或阴极上制备得到。在发光层或阴极上形成电子传输层薄膜可参见本申请前述的薄膜的制备方法。通过本申请的薄膜的制备方法制备得到的电子传输层可以提高电子传输层电子态密度和电子迁移率。

例如，所述发光器件的制作方法，包括：

提供预制基板；

在所述预制基板上依次形成阳极、发光层、电子传输层，得到第一基板；

对所述第一基板在含有氧气的惰性气体氛围中进行紫外照射，得到第二基板；

再在所述第二基板上形成阴极。

例如，所述发光器件的制作方法，包括：

提供预制基板；

在所述预制基板上依次形成阴极、电子传输层，得到第三基板；

对所述第三基板在含有氧气的惰性气体氛围中进行紫外照射，得到第四基板；

再在所述第四基板上依次形成发光层、阳极。

进一步地，所述电子传输层的材料包括纳米颗粒，所述纳米颗粒包括氧化锌纳米颗粒、氧化钛纳米颗粒、氧化锡纳米颗粒、硫化锌纳米颗粒中的一种或多种。更进一步地，所述纳米颗粒中掺杂有金属元素，所述金属元素包括Mg、Al、In、Li中的一种或多种。

本申请中，在含有氧气的惰性气体氛围中用高能的紫外线对纳米颗粒堆积而成的薄膜进行处理，可以氧化氧化锌颗粒表面的配体，缩短颗粒之间的间距，使氧化锌纳米颗粒彼此聚集成团，形成类似多晶的结构，降低电子在氧化锌纳米颗粒间的传输势垒，以提高电子传输层的电子迁移率。同时，氧化锌的表面配体被氧化，还可以提高电子传输层的中的氧化锌的缺陷态密度，提高氧化锌的电子态密度，进一步提高了氧化锌电子传输层的电子传输效率。

另外，本申请中的纳米颗粒的表面的配体主要为羟基，配体氧化后主要产生水，通过热处理可以使得在紫外照射过程中产生的水快速挥发；同时高温也有利于氧化锌纳米颗粒的聚集，提高氧化锌电子传输层的结晶性，进一步提高电子传输层的电子迁移率。

本申请中的氧化锌表面的配体主要为羟基，配体氧化后主要产生水，通过热处理可以使得在紫外照射过程中产生的水快速挥发；同时高温也有利于氧化锌纳米颗粒的聚集，提高氧化锌电子传输层的结晶性，进一步提高电子传输层的电子迁移率。

进一步地，所述第一基板在惰性气体氛围中进行制作。所述第三基板在惰性气体氛围中进行制作。

进一步地，所述第一基板在惰性气体氛围中进行制作。所述第三基板在惰性气体氛围中进行制作。

进一步地，在所述阳极与所述发光层之间还包括空穴功能层的形成。

本申请的发光器件中的电子传输层的材料可以通过溶液法制备而成。例如氧化锌纳米颗粒通过溶液法制备而成。在上述纳米颗粒沉积成膜，去除溶剂后，通过本申请提供的处理条件对薄膜/电子传输层进行处理，提高电子传输层的电子态密度和电子迁移率，提高发光器件中电子传输层的电子传输效率。

进一步地，在所述含有氧气的惰性气体氛围中，氧气的含量为10～100ppm。更进一步地，所述紫外照射的照射功率为50～300W/cm

在一些实施例中，所述形成电子传输层的步骤中，在所述紫外照射的同时，还对所述电子传输层进行热处理。所述热处理的温度为100～300℃。

进一步地，所述惰性气体选自氮气、氦气、氖气、氩气、氪气或氙气中的至少一种。

进一步地，所述电子传输层的厚度可以为40nm、45nm、50nm、55nm或60nm。

在一些实施例中，所述掺杂金属元素包括Mg、Al、In、Li中的一种或多种。

在一些实施例中，所述发光器件的制作方法，包括如下步骤：

在衬底基板上形成阳极层；

在所述阳极层上形成空穴功能层；

在所述空穴功能层上形成发光层；

在所述发光层上形成电子传输层；包括在含有氧气的惰性气体氛围中进行紫外照射处理及热处理；

在所述电子传输层上形成阴极层。

在一些实施例中，所述发光器件的制作方法，包括如下步骤：

在衬底基板上形成阴极层；

在所述阴极层上形成电子传输层；包括在含有氧气的惰性气体氛围中进行紫外照射处理及热处理；

在所述电子传输层上形成发光层；

在所述发光层上形成空穴功能层；

在所述空穴功能层上形成阳极层。

在一实施例中，形成电子传输层的步骤，包括：在惰性气体氛围中，采用非掺杂氧化锌纳米颗粒或掺杂金属元素的氧化锌纳米颗粒沉积，去除溶剂；后在氧气含量为10～100ppm的惰性气体氛围中进行紫外照射处理，照射功率为50～300W/cm

在另一实施例中，形成电子传输层的步骤，包括：在惰性气体氛围中，采用非掺杂氧化锌纳米颗粒或掺杂金属元素的氧化锌纳米颗粒沉积，去除溶剂；后在氧气含量为10～100ppm的惰性气体氛围中进行紫外照射处理，照射功率为50～300W/cm

在一些实施例中，所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层。

在一些实施例中，所述阳极层的材料可以为ITO。所述空穴注入层的材料可以为PEDOT。所述发光层为量子点发光层；进一步地，所述发光层包括红色量子点、绿色量子点和蓝色量子点。所述空穴传输层的材料可以为TFB。所述阴极层的材料可以为Ag。

在一实施例中，所述QLED器件的制作方法，包括如下步骤：

步骤一：在衬底基板上沉积ITO形成阳极层；

步骤二：在ITO上沉积PEDOT形成空穴注入层，退火；该步骤在空气中进行；

步骤三：在空穴注入层上沉积TFB形成空穴传输层，退火；该步骤在氮气(N

步骤四：在空穴传输层上沉积红色量子点形成发光层，退火；该步骤在N

步骤五：在量子点发光层上沉积氧化锌纳米颗粒形成电子传输层，退火；该步骤在N

步骤六：将步骤五的器件转移到氧气含量为10～100ppm的N

步骤七：在电子传输层上蒸镀Ag形成阴极层。

在另一实施例中，所述QLED器件的制作方法，包括如下步骤：

步骤一：在衬底基板上沉积ITO形成阳极层；

步骤二：在ITO上沉积PEDOT形成空穴注入层，退火；该步骤可在空气中进行；

步骤三：在空穴注入层上沉积TFB形成空穴传输层，退火；该步骤可在N

步骤四：在空穴传输层上沉积红色量子点形成发光层，退火；该步骤可在N

步骤五：在量子点发光层上沉积氧化锌纳米颗粒形成电子传输层，退火；该步骤可在N

步骤六：将器件转移到氧气含量为10～100ppm的N

步骤七：在电子传输层上蒸镀Ag形成阴极层。

本申请先后进行过多次试验，现举一部分试验结果作为参考对发明进行进一步详细描述，下面结合具体实施例进行详细说明。

实施例1：

本实施例提供一种所述QLED器件的制作方法，包括如下步骤：

步骤一：在玻璃基板上沉积40nm ITO做阳极层；

步骤二：在ITO上沉积20nm PEDOT做空穴注入层，之后在150℃下加热15min，该步骤在空气中进行；

步骤三：在空穴注入层上沉积30nm TFB做空穴传输层，之后在150℃下加热30min，该步骤在N

步骤四：在空穴传输层上沉积20nm红色量子点做发光层，之后在100℃下加热5min，该步骤在N

步骤五：在量子点发光层上沉积50nm厚氧化锌纳米颗粒做电子传输层，之后在80℃下加热30min，该步骤在N

步骤六：将器件转移到氧气含量为30ppm的N

步骤七：在电子传输层上蒸镀100nm Ag做阴极层。

实施例2

本实施例提供一种所述QLED器件的制作方法，包括如下步骤：

步骤一：在玻璃基板上沉积40nm ITO做阳极层；

步骤二：在ITO上沉积20nm PEDOT做空穴注入层，之后在150℃下加热15min，该步骤在空气中进行；

步骤三：在空穴注入层上沉积30nm TFB做空穴传输层，之后在150℃下加热30min，该步骤在N

步骤四：在空穴传输层上沉积20nm红色量子点做发光层，之后在100℃下加热5min，该步骤在N

步骤五：在量子点发光层上沉积50nm氧化锌纳米颗粒做电子传输层，之后在80℃下加热30min，该步骤在N

步骤六：将器件转移到氧气含量为30ppm的N

步骤七：在电子传输层上蒸镀100nm Ag做阴极层。

实施例3：

本实施例提供一种所述QLED器件的制作方法，包括如下步骤：

步骤一：在玻璃基板上沉积40nm ITO做阳极层；

步骤二：在ITO上沉积20nm PEDOT做空穴注入层，之后在150℃下加热15min，该步骤在空气中进行；

步骤三：在空穴注入层上沉积30nm TFB做空穴传输层，之后在150℃下加热30min，该步骤在N

步骤四：在空穴传输层上沉积20nm红色量子点做发光层，之后在100℃下加热5min，该步骤在N

步骤五：在量子点发光层上沉积50nm氧化锌纳米颗粒做电子传输层，之后在80℃下加热30min，该步骤在N

步骤六：将器件转移到氧气含量为30ppm的N

步骤七：在电子传输层上蒸镀100nm Ag做阴极层。

实施例4：

本实施例提供一种所述QLED器件的制作方法，包括如下步骤：

步骤一：在玻璃基板上沉积40nm ITO做阳极层；

步骤二：在ITO上沉积20nm PEDOT做空穴注入层，之后在150℃下加热15min，该步骤在空气中进行；

步骤三：在空穴注入层上沉积30nm TFB做空穴传输层，之后在150℃下加热30min，该步骤在N

步骤四：在空穴传输层上沉积20nm红色量子点做发光层，之后在100℃下加热5min，该步骤在N

步骤五：在量子点发光层上沉积50nm氧化锌纳米颗粒做电子传输层，之后在80℃下加热30min，该步骤在N

步骤六：将器件转移到氧气含量为30ppm的N

步骤七：在电子传输层上蒸镀100nm Ag做阴极层。

实施例5

本实施例提供一种所述QLED器件的制作方法，包括如下步骤：

步骤一：在玻璃基板上沉积40nm ITO做阳极层；

步骤二：在ITO上沉积20nm PEDOT做空穴注入层，之后在150℃下加热15min，该步骤在空气中进行；

步骤三：在空穴注入层上沉积30nm TFB做空穴传输层，之后在150℃下加热30min，该步骤在N

步骤四：在空穴传输层上沉积20nm红色量子点做发光层，之后在100℃下加热5min，该步骤在N

步骤五：在量子点发光层上沉积50nm厚氧化锌纳米颗粒做电子传输层，之后在80℃下加热30min，该步骤在N

步骤六：将器件转移到氧气含量为10ppm的N

步骤七：在电子传输层上蒸镀100nm Ag做阴极层。

实施例6：

本实施例提供一种所述QLED器件的制作方法，包括如下步骤：

步骤一：在玻璃基板上沉积40nm ITO做阳极层；

步骤二：在ITO上沉积20nm PEDOT做空穴注入层，之后在150℃下加热15min，该步骤在空气中进行；

步骤三：在空穴注入层上沉积30nm TFB做空穴传输层，之后在150℃下加热30min，该步骤在N

步骤四：在空穴传输层上沉积20nm红色量子点做发光层，之后在100℃下加热5min，该步骤在N

步骤五：在量子点发光层上沉积50nm厚氧化锌纳米颗粒做电子传输层，之后在80℃下加热30min，该步骤在N

步骤六：将器件转移到氧气含量为100ppm的N

步骤七：在电子传输层上蒸镀100nm Ag做阴极层。

实施例7：

本实施例提供一种所述QLED器件的制作方法，包括如下步骤：

步骤一：在玻璃基板上沉积40nm ITO做阳极层；

步骤二：在ITO上沉积20nm PEDOT做空穴注入层，之后在150℃下加热15min，该步骤在空气中进行；

步骤三：在空穴注入层上沉积30nm TFB做空穴传输层，之后在150℃下加热30min，该步骤在N

步骤四：在空穴传输层上沉积20nm红色量子点做发光层，之后在100℃下加热5min，该步骤在N

步骤五：在量子点发光层上沉积50nm厚氧化锌纳米颗粒做电子传输层，之后在80℃下加热30min，该步骤在N

步骤六：将器件转移到氧气含量为200ppm的N

步骤七：在电子传输层上蒸镀100nm Ag做阴极层。

实施例8

本实施例提供一种所述QLED器件的制作方法，包括如下步骤：

步骤一：在玻璃基板上沉积40nm ITO做阳极层；

步骤二：在ITO上沉积20nm PEDOT做空穴注入层，之后在150℃下加热15min，该步骤在空气中进行；

步骤三：在空穴注入层上沉积30nm TFB做空穴传输层，之后在150℃下加热30min，该步骤在N

步骤四：在空穴传输层上沉积20nm红色量子点做发光层，之后在100℃下加热5min，该步骤在N

步骤五：在量子点发光层上沉积50nm氧化锌纳米颗粒做电子传输层，之后在80℃下加热30min，该步骤在N

步骤六：将器件转移到氧气含量为10ppm的N

步骤七：在电子传输层上蒸镀100nm Ag做阴极层。

实施例9：

本实施例提供一种所述QLED器件的制作方法，包括如下步骤：

步骤一：在玻璃基板上沉积40nm ITO做阳极层；

步骤二：在ITO上沉积20nm PEDOT做空穴注入层，之后在150℃下加热15min，该步骤在空气中进行；

步骤三：在空穴注入层上沉积30nm TFB做空穴传输层，之后在150℃下加热30min，该步骤在N

步骤四：在空穴传输层上沉积20nm红色量子点做发光层，之后在100℃下加热5min，该步骤在N

步骤五：在量子点发光层上沉积50nm氧化锌纳米颗粒做电子传输层，之后在80℃下加热30min，该步骤在N

步骤六：将器件转移到氧气含量为100ppm的N

步骤七：在电子传输层上蒸镀100nm Ag做阴极层。

实施例10：

本实施例提供一种所述QLED器件的制作方法，包括如下步骤：

步骤一：在玻璃基板上沉积40nm ITO做阳极层；

步骤二：在ITO上沉积20nm PEDOT做空穴注入层，之后在150℃下加热15min，该步骤在空气中进行；

步骤三：在空穴注入层上沉积30nm TFB做空穴传输层，之后在150℃下加热30min，该步骤在N

步骤四：在空穴传输层上沉积20nm红色量子点做发光层，之后在100℃下加热5min，该步骤在N

步骤五：在量子点发光层上沉积50nm氧化锌纳米颗粒做电子传输层，之后在80℃下加热30min，该步骤在N

步骤六：将器件转移到氧气含量为200ppm的N

步骤七：在电子传输层上蒸镀100nm Ag做阴极层。

对比例1：

本实施例提供一种所述QLED器件的制作方法，包括如下步骤：

步骤一：在玻璃基板上沉积40nm ITO做阳极层；

步骤二：在ITO上沉积20nm PEDOT做空穴注入层，之后在150℃下加热15min，该步骤在空气中进行；

步骤三：在空穴注入层上沉积30nm TFB做空穴传输层，之后在150℃下加热30min，该步骤在N

步骤四：在空穴传输层上沉积20nm红色量子点做发光层，之后在100℃下加热5min，该步骤在N

步骤五：在量子点发光层上沉积50nm氧化锌纳米颗粒做电子传输层，之后在80℃下加热30min，该步骤在N

步骤六：在电子传输层上蒸镀100nm Ag做阴极层。

试验例1

本试验例对实施例1至实施例7及对比例1的器件进行性能检测，检测结构请详见表1所示。

表1

根据表1可知，将实施例1～10与对比例1器件性能比较可以发现，本申请实施例1～10的器件性能均明显优于对比例1的器件，可见，使用本申请提出制作方法来处理器件，能够有效提高器件性能。本申请实施例的器件的外量子效率可高达20.4％，寿命可高达10510小时，具有优异的性能，有益效果显著。

将实施例1与实施例2器件性能比较可以发现，实施例2的器件性能要优于实施例1，由此可知在制作方法中添加对薄膜的热处理步骤能够提高器件的效率和寿命。

综上所述，本申请提供一种提高发光器件中电子传输层的电子传输效率的工艺条件。本申请通过在含氧环境中使用高能的紫外光照射氧化锌纳米颗粒沉积形成的电子传输层，提高其导电率，优化了发光器件的性能。并且，本申请在紫外光照射的同时进行热处理，热处理不仅可以去除配体氧化产生的水，还有利于纳米颗粒的聚集，提高纳米颗粒薄膜的结晶性，进而提高薄膜的电子传输效率，以及提高发光器件的效率和寿命。

本申请在含氧的环境中用高能的紫外光对氧化锌进行处理，实现了通过简单的工艺在控制成本的基础上提高发光器件电子传输层的电子传输效率，提高发光器件的发光效率，为电致发光器件的商业化铺平道路。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

以上对本申请实施例所提供的一种薄膜及其制备方法、发光器件及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。