一种触控显示面板及触控显示装置

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种触控显示面板及触控显示装置。

背景技术

由于触控操作是一种简单、方便的人机交互方式，因此越来越多的产品将触控功能集成到显示面板中。触摸面板按照结构可以分为外挂式触摸面板(Add on Mode TouchPanel)、覆盖表面式触摸面板(On Cell Touch Panel)以及内嵌式触摸面板(In CellTouch Panel)。其中，内嵌式触摸面板是将触摸面板的触控电极设置在显示面板的内部，可以减薄模组整体的厚度，又可以大大降低触摸面板的制作成本，因此得到了广泛的应用。

在制备显示面板时，为了实现显示面板的窄边框设计，通常会在非显示区设置弯折区域，弯折区域的两侧设置转接孔将触控走线转接至另一膜层的转接走线。由于显示面板中某些无机层一般通过化学气相沉积(CVD)工艺形成，当显示面板的边框较窄时，CVD的边界可能会覆盖到转接孔，导致触控走线与转接走线的接触电阻变大，影响触控性能。

发明内容

本发明实施例提供一种触控显示面板及触控显示装置，该触控显示面板可以避免触控走线时电阻变大，提升触控性能。

第一方面，本发明实施例提供一种触控显示面板，包括：

基板，包括显示区和非显示区；

发光器件，位于所述显示区内；

封装层，覆盖所述发光器件及至少部分非显示区；

触控层，位于所述封装层远离所述发光器件的一侧，所述触控层包括多个触控电极；

多条触控走线，所述触控走线与所述触控电极直接电连接，所述触控走线延伸至所述非显示区；

所述非显示区包括第一区域和第二区域，所述第一区域内的至少部分膜层形成有通孔和/或凹槽，所述触控走线沿所述第一区域的表面延伸，且延伸至所述第二区域，所述第二区域位于所述第一区域远离所述显示区的一侧。

第二方面，基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种触控显示装置，包括上述的触控显示面板。

本发明实施例提供的触控显示面板，包括：基板，包括显示区和非显示区；发光器件，位于显示区内；封装层，覆盖发光器件及至少部分非显示区；触控层，位于封装层远离发光器件的一侧，触控层包括多个触控电极；多条触控走线，触控走线与触控电极直接电连接，触控走线延伸至非显示区；非显示区包括第一区域和第二区域，第一区域内的至少部分膜层形成有通孔和/或凹槽，触控走线沿第一区域的表面延伸，且延伸至第二区域，第二区域位于第一区域远离显示区的一侧。通过在封装层远离发光器件的一侧设置触控层，形成TPOT的内嵌式触控结构，有利于实现触控显示面板的轻薄化；通过在非显示区的第一区域内的至少部分膜层设置通孔和/或凹槽，触控走线沿第一区域的表面延伸，从而避免在CVD的边界附近设置转接孔，防止由于转接孔被无机层覆盖时导致触控走线电阻变大而影响触控性能，从而提升触控显示面板的触控性能。

附图说明

图1为相关技术中一种显示面板的结构示意图；

图2为图1中局部非显示区的平面示意图；

图3为沿图2中剖线AA'的一种剖面结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种触控显示面板的俯视结构示意图；

图5～图7分别为沿图4中剖线BB'的一种剖面结构示意图；

图8为沿图4中剖线CC'的一种剖面结构示意图；

图9为本发明实施例提供的一种触控层的俯视示意图；

图10为沿图4中剖线BB'的另一种剖面结构示意图；

图11为本发明实施例提供的一种第一有机层的俯视结构示意图；

图12为沿图11中剖线DD'的一种剖面结构示意图；

图13为本发明实施例提供的另一种第一有机层的俯视示意图；

图14为沿图4中剖线EE'的一种剖面结构示意图；

图15为沿图4中剖线EE'的另一种剖面结构示意图；

图16为一种触控显示面板的膜层堆叠示意图；

图17为沿图4中剖线BB'的又一种剖面结构示意图；

图18为本发明实施例提供的一种触控显示面板非显示区的透视示意图；

图19为本发明实施例提供的一种弯折区域走线的俯视示意图；

图20为本发明实施例提供的一种触控显示装置的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。需要注意的是，本发明实施例所描述的“上”、“下”、“左”、“右”等方位词是以附图所示的角度来进行描述的，不应理解为对本发明实施例的限定。此外在上下文中，还需要理解的是，当提到一个元件被形成在另一个元件“上”或“下”时，其不仅能够直接形成在另一个元件“上”或者“下”，也可以通过中间元件间接形成在另一元件“上”或者“下”。术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。在下面的示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系中的三个轴，并且可以以更宽的含义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。

在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在本发明中能进行各种修改和变化，这对于本领域技术人员来说是显而易见的。因而，本发明意在覆盖落入所附权利要求(要求保护的技术方案)及其等同物范围内的本发明的修改和变化。需要说明的是，本发明实施例所提供的实施方式，在不矛盾的情况下可以相互组合。

图1所示为相关技术中一种显示面板的结构示意图，图2所示为图1中局部非显示区的平面示意图，图3所示为沿图2中剖线AA'的一种剖面结构示意图。参考图1，该显示面板包括显示区AA和非显示区NA，为了减小显示面板的边框，显示面板中的基板01被部分地弯曲。为了便于描述，图2示出处于非弯曲状态的非显示区。为了便于描述，涉及以下公开的示例性实施例的剖视图和平面图也示出处于非弯曲状态的非显示区。

如图1所示，显示面板的基板01被划分成设置有显示器件(图1中未示出)并显示图像的显示区域AA和围绕显示区域AA的非显示区NA。非显示区NA包括关于弯曲轴BAX而弯曲的弯折区域BA。弯折区域BA可以指具有曲率半径的弯折区域。弯折区域BA在第一方向(+y方向)上延伸，并且沿与第一方向相交的第二方向(+x方向)布置，同时分布在与第一方向和第二方向垂直的第三方向(+z方向)上。另外，基板01关于在第一方向(+y方向)上延伸的弯曲轴BAX弯曲，如图1中所示。基板01可以包括各种柔性的或可弯曲的材料，例如，聚合物树脂，诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或醋酸丙酸纤维素(CAP)。

显示图像的多个像素可以设置在基板01的显示区域AA中。显示区域AA可以包括例如发光器件、薄膜晶体管(TFT)和电容器Cst(图1中未示出)。显示区域AA还可以包括诸如驱动电源线、公共电源线等传送直流信号的信号布线，以及包括传输栅极信号的栅极线、传输数据信号的数据线等(图1中均未示出)。显示区域AA可以形成像素，并且像素可以基于连接到栅极线、数据线和驱动电源线的TFT、电容器、显示器件等的电组合而显示图像。像素的亮度可以与响应于根据被供应到像素的驱动电力和公共电力的数据信号而流过显示器件的驱动电流对应。

参考图2和图3，非显示区包括多条触控走线02，为了保证弯折区域BA的弯曲性能，弯折区域BA两侧设置有第一转接孔03和第二转接孔04，弯折区域BA设置有转接走线05，从显示区延伸出的触控走线02在弯折区域BA上方(以图2中的方向为参考)通过第一转接孔03换线至转接走线05，在弯折区域BA下方通过第二转接孔04再换线至触控走线02。其中触控走线02和转接走线05中间设置有绝缘层06，绝缘层06可以为一层或多层的有机层和/或无机层。在显示面板的制备过程中，由于第一转接孔03与显示区的距离比较近，利用CVD工艺制备无机层时其边界可能会部分覆盖到第一转接孔03，导致第一转接孔03无法完全刻开，触控走线02与转接走线05的接触电阻变大，影响触控性能。

有鉴于此，本发明实施例提供一种触控显示面板，包括：基板，包括显示区和非显示区；发光器件，位于显示区内；封装层，覆盖发光器件及至少部分非显示区；触控层，位于封装层远离发光器件的一侧，触控层包括多个触控电极；多条触控走线，触控走线与触控电极直接电连接，触控走线延伸至非显示区；非显示区包括第一区域和第二区域，第一区域内的至少部分膜层形成有通孔和/或凹槽，触控走线沿第一区域的表面延伸，且延伸至第二区域，第二区域位于第一区域远离显示区的一侧。

本实施例提供的触控显示面板可以为有机发光显示面板，在有机发光显示面板中，为了防止水汽和氧影响有机发光器件，需要在有机发光器件上方利用薄膜封装(Thin-Film Encapsulation，TFE)工艺形成薄膜封装层，触控电极可以形成在薄膜封装层上方，形成TPOT(TP on TFE)结构。

本发明实施例的技术方案，通过在封装层远离发光器件的一侧设置触控层，形成TPOT的内嵌式触控结构，有利于实现触控显示面板的轻薄化；通过在非显示区的第一区域内的至少部分膜层设置通孔和/或凹槽，触控走线沿第一区域的表面延伸，从而避免在CVD的边界附近设置转接孔，防止由于转接孔被无机层覆盖时导致触控走线电阻变大而影响触控性能，从而提升触控显示面板的触控性能。

以上为本发明实施例的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。

示例性的，图4所示为本发明实施例提供的一种触控显示面板的俯视结构示意图，图5～图7所示分别为沿图4中剖线BB'的一种剖面结构示意图，参考图4～图7，本实施例提供的触控显示面板包括基板10，基板10包括显示区11和非显示区12；发光器件(图4中未示出)，位于显示区11内；封装层40，覆盖发光器件及至少部分非显示区12；封装层40可以为薄膜封装层，位于发光器件上方，包括沿远离基板10的方向依次设置的第一无机封装层41、有机封装层42以及第二无机封装层43，用于避免水氧腐蚀发光器件。其中第一无机封装层41可以包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的至少一种。由于第一无机封装层41沿其下方的结构形成，因此第一无机封装层41的上表面一般是不平坦的。与第一无机封装层41不同，覆盖第一无机封装层41的有机封装层42可以具有平坦的上表面。具体地，有机封装层42的与显示区域11对应的上表面可以是基本平坦的。有机封装层42可以包括从由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚酰亚胺(PI)、聚醚砜(PES)、聚甲醛(POM)、聚芳酯和六甲基二硅氧烷(HMDSO)组成的组中选择的至少一种。第二无机封装层43可以覆盖有机封装层42，并可以包括氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅中的至少一种。第二无机封装层43的位于显示区域11外部的外围可以接触第一无机封装层41，使得有机封装层42不暴露于外部。在其他实施例中，封装层40可以设置更多层的无机封装层和有机封装层。由于封装层40具有包括第一无机封装层41、有机封装层42和第二无机封装层43的多层结构，因此即使当封装层40中存在裂缝时，裂缝也不在第一无机封装层41与有机封装层42之间或有机封装层42与第二无机封装层43之间延伸。因此，可以防止外部湿气或氧渗透到显示区域11中。触控层，位于封装层40远离发光器件的一侧，触控层包括多个触控电极(图4中未使出)，具体实施时，触控层中的触控电极可以设置为单层，也可以设置为双层，可以利用氧化铟锡(ITO)等透明金属氧化物形成，也可以利用金属线形成的金属网格(metal mesh)本发明实施例对触控触控电极的设置方式不作限定。多条触控走线51，触控走线51可以与触控层同层设置，其中，触控走线51与触控电极直接电连接，触控走线51延伸至非显示区12；非显示区12包括第一区域121和第二区域122，参考图5，第一区域121内的膜层101形成有通孔，触控走线51沿通孔的侧壁和底面延伸，且延伸至第二区域122；参考图6，第一区域121内的膜层102形成有通孔，膜层103形成有凹槽，触控走线51沿通孔的侧壁、凹槽的侧壁和底面延伸，且延伸至第二区域122；参考图7，第一区域121内的膜层104形成有凹槽，触控走线51沿凹槽的侧壁和底面延伸，且延伸至第二区域122，从而取消转接孔的设置，可以避免无机封装层影响触控走线的电阻。继续参考图5～图7，第一区域121还设置有第一挡墙1211和第二挡墙1212，其中第一挡墙1211用于限定封装层40中有机封装层42的边界，第一无机封装层41和第二无机封装层43可以延伸至第二挡墙1212，进一步提升封装层40阻挡水氧的效果。第一挡墙1211和第二挡墙1212可以主要由有机层组成，示例性的，图5～图7中的第一挡墙1211可以包括层叠设置的像素定义层PDL和支撑层PS，第二挡墙1212可以包括层叠设置的有机绝缘层BPL和平坦化层PLN，其中像素定义层PDL、支撑层PS、有机绝缘层BPL和平坦化层PLN均是与显示区内膜层定义相同的膜层，均采用有机材料，其名称根据相应功能划分。需要说明的是，图5～图7仅示出了与本发明实施例的技术方案相关的膜层结构，以下附图与此类似，省略了部分膜层，在具体实施时，本领域技术人员可以根据现有工艺设置触控显示面板其他的膜层。

对于显示区11中的结构，图8所示为沿图4中剖线CC'的一种剖面结构示意图，参考图8，该触控显示面板包括基板10；其中，基板10可以是柔性的，因而可伸展、可折叠、可弯曲或可卷曲，使得触控显示面板可以是可伸展的、可折叠的、可弯曲的或可卷曲的。基板10可以由具有柔性的任意合适的绝缘材料形成。基板10可用于阻挡氧和湿气，防止湿气或杂质通过基板10扩散，并且在基板10的上表面可形成平坦的表面。例如，可以由聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、多芳基化合物(PAR)或玻璃纤维增强塑料(FRP)等聚合物材料形成，基板10可以是透明的、半透明的或不透明的。可选的，触控显示面板还可以包括位于基板10上的缓冲层(图8中未示出)，缓冲层可以覆盖基板10的整个上表面。基板10也可以为刚性的，例如可以是玻璃基板，从而形成刚性的触控显示面板。

位于基板10一侧的阵列层20；具体的阵列层20位于基板10朝向触控显示面板显示面或触摸表面的一侧。阵列层20可以包括多个薄膜晶体管21(Thin Film Transistor，TFT)以及由薄膜晶体管21构成的像素电路，用于驱动显示层中的发光器件。示例性的，本实施例以顶栅型的薄膜晶体管为例进行的结构说明。薄膜晶体管层21包括：位于基板10上的有源层211；有源层211可以是非晶硅材料、多晶硅材料或金属氧化物材料等。其中有源层211采用多晶硅材料时可以采用低温非晶硅技术形成，即将非晶硅材料通过激光熔融形成多晶硅材料。此外，还可以利用诸如快速热退火(RTA)法、固相结晶(SPC)法、准分子激光退火(ELA)法、金属诱导结晶(MIC)法、金属诱导横向结晶(MILC)法或连续横向固化(SLS)法等各种方法。有源层211还包括通过掺杂N型杂质离子或P型杂质离子而形成的源极区域和漏极区域，在源极区域和漏极区域之间形成沟道区域。阵列层20还包括位于有源层211上的栅极绝缘层212；栅极绝缘层212包括诸如氧化硅、氮化硅的无机层，并且可以包括单层或多个层。薄膜晶体管层21还包括位于栅极绝缘层212上的栅极213；栅极213可以包括金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、钯(Pd)、铝(Al)、钼(MO)或铬(Cr)的单层或多层，或者诸如铝(Al)：钕(Nd)合金或钼(MO)：钨(W)合金，具体实施时可以根据实际情况选择。阵列层20还包括位于栅极213上的层间绝缘层214；层间绝缘层214可以包括无机材料或有机材料。无机材料可以包括从氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅中选择的至少一种。有机材料可以包括从丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯、乙烯基类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、纤维素类树脂和苝类树脂中选择的至少一种。薄膜晶体管层21还包括位于层间绝缘层214上的源电极2151和漏电极2152。源电极2151和漏电极2152可以分别通过接触孔电连接到源极区域和漏极区域，接触孔可以是通过选择性地去除栅极绝缘层212和层间绝缘层214而形成的。

阵列层20还可以包括钝化层22。可选的，钝化层22位于薄膜晶体管21的源电极2151和漏电极2152上。钝化层22可以由氧化硅或氮化硅等的无机材料形成，也可以由有机材料形成。触控显示面板还可以包括平坦化层23。可选的，平坦化层23位于钝化层22上。平坦化层23可以包括亚克力、聚酰亚胺(PI)或苯并环丁烯(BCB)等的有机材料，平坦化层23具有平坦化作用。

位于阵列层20背离基板10一侧的显示层30，显示层30包括多个发光器件31。可选的，显示层30位于平坦化层23上。显示层30包括沿远离基板10的方向依次设置的阳极层311、中间层312以及阴极层313。阳极层311可以由各种导电材料形成。例如，阳极层311可以根据它的用途形成为透明电极或反射电极。当阳极形成为透明电极时，可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In

当中间层312包括高分子材料时，中间层312可以包括HTL和EML。HTL可以包括PEDOT，EML可以包括聚苯撑乙烯撑(PPV)类和聚芴类高分子材料。中间层320可以通过丝网印刷、喷墨印刷或激光诱导热成像(LITI)等来形成。

然而，中间层312不限于上面的示例。中间层312可以包括横跨多个阳极层311的单层或相对于阳极层311中的每个被图案化的多个层。显示层30还包括位于阳极层311远离阵列层20一侧的像素定义层32。像素定义层32可以由诸如聚酰亚胺(PI)、聚酰胺、苯并环丁烯(BCB)、压克力树脂或酚醛树脂等的有机材料形成，或由诸如SiNx的无机材料形成。当阴极层313形成为透明电极时，具有诸如锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、镁(Mg)或它们的组合的功函数小的化合物可以通过蒸发初始沉积在发光层上，并且诸如ITO、IZO、ZnO或In

可选的，阳极层311包括多个与像素一一对应的阳极图案，阳极层311中的阳极图案通过平坦化层23上的过孔与薄膜晶体管21的源电极2151或漏电极2152连接。像素定义层32包括多个暴露阳极层311的开口，并且像素定义层32可以覆盖阳极层311图案的边缘。中间层312至少部分填充在像素定义层32的开口内，并与阳极层311接触。

可选的，每个像素定义层32的开口所限定的阳极层311、中间层312以及阴极层313组成发光器件31(即图8中虚线框内所示)，每个发光器件31根据不同的中间层312能够发出不同颜色的光线，每个发光器件31构成一个子像素，多个子像素共同进行画面的显示。

可选的，触控显示面板还包括位于显示层30上的封装层40并完全覆盖显示层30，以密封显示层30。其中，为了实现显示层30的平坦化，显示层30上方还克设置有平坦化层33。可选的，封装层40可以为薄膜封装层，位于平坦化层33上，包括沿远离基板10的方向依次设置的第一无机封装层、有机封装层以及第二无机封装层(图8中未示出封装层40的具体膜层)，用于避免水氧腐蚀发光器件31。当然，在本发明其他可选实施例中，封装层40根据需要可以包括任意数量层叠的有机材料和无机材料，但至少包括一层有机材料和至少一层无机材料交替沉积，且最下层与最上层为无机材料构成。

触控显示面板还包括位于封装层40上的触控层50，触控层50包括多个触控电极，用于实现触控功能具体实施时可以采用自电容方式或者互电容方式，触控层50可以设置单层触控电极也可以设置双层触控电极，还可以设置金属网状的触控电极，金属网状的触控电极包括多条沿着两个相互交叉方向延伸的金属线，不同方向延伸的金属线交叉形成网，具体实施时可以根据实际情况选择。示例性的，图9所示为本发明实施例提供的一种触控层的俯视示意图，以互电容方式为例，触控层包括多个触控驱动电极501和触控感应电极502，每个触控感应电极501和触控感应电极502分别与一条触控走线51直接电连接。

触控显示面板还包括位于显示层30上的保护层60。可选的，保护层60为触控显示面板最外侧的一层膜层，可以为保护盖板或保护膜。保护层60可以通过光学透明胶OCA(Optically Clear Adhesive)与相邻的触控显示面板内部的膜层粘合，保护层60的表面为显示面板触控的操作面。

在上述实施例的基础上，继续参考图5～图7，可选的，非显示区12包括弯折区域BA，弯折区域BA位于第一区域121内。通过在非显示区12设置弯折区域BA，可以将非显示区12的第二区域122弯折至触控显示面板出光面的对侧，从而减小触控显示面板的边框。

具体实施时，基板10可以包括诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或醋酸丙酸纤维素(CAP)等材料，具体实施时可以根据实际需求灵活选择，本发明实施例对此不作限定。

图10所示为沿图4中剖线BB'的另一种剖面结构示意图，参考图10，可选的，非显示区12还包括第一有机层105，第一有机层105覆盖第一区域121的触控走线51。

可以理解的是，有机层的膜层厚度一般比较厚，且具有良好的弯折性能，通过设置覆盖触控走线51的第一有机层105，可以起到保护触控走线51的作用，降低触控走线51在弯折时发生断裂的风险。在具体实施时，弯折区域BA在弯折时，第一有机层105不同区域内部的应力可能会有差异，为了有利于释放弯折应力，可选的，第一有机层还包括多个第一凹槽，第一凹槽位于第一区域内。

示例性的，图11所示为本发明实施例提供的一种第一有机层的俯视结构示意图，图12所示为沿图11中剖线DD'的一种剖面结构示意图，参考图11和图12，第一有机层105设置有多个第一凹槽1051，通过设置第一凹槽1051，从而有利于弯折区域的应力释放，提升弯折区域的可靠性。

可以理解的是，在具体实施时，对第一凹槽1051的形状、位置、数量等均不做限定，第一凹槽1051的深度也不做限定，最深可以贯穿第一有机层105，即形成通孔。示例性的，图13所示为本发明实施例提供的另一种第一有机层的俯视示意图，与图12不同的是，该实施例中不同行的第一凹槽1051错位设置，以进一步均匀释放弯折时弯折区域的内部应力。

可选的，本实施例提供的触控显示面板还包括阵列层，阵列层位于基板和发光器件之间；阵列层包括多条信号走线，至少部分信号走线延伸至非显示区。

可以理解的是，阵列层包括多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)以及由薄膜晶体管构成的像素电路，用于驱动显示层中的发光器件。像素电路中一般设置有多层由金属形成的信号走线(例如与栅极同层设置的扫描信号线、与源极同层的数据信号线等)，部分信号走线延伸至非显示区，用于连接到驱动芯片、移位寄存器等电路。

可选的，触控走线在第一区域的侧壁和底面延伸，位于第一区域的底面的触控走线与延伸至非显示区的信号走线同层。

可以理解的是，第一区域的侧壁和底面可以包括形成有凹槽的膜层的凹槽侧壁以及凹槽底面，例如图7中膜层104的凹槽的侧壁和底面，还可以包括形成有通孔的膜层的侧壁以及下方膜层的底面(例如图5)，还可以包括通孔侧壁、凹槽侧壁以及凹槽底面(例如图6)。示例性的，图14所示为沿图4中剖线EE'的一种剖面结构示意图，参考图14，第一区域设置有多条触控走线51和多条信号走线201，触控走线51和信号走线201同层设置。其中绝缘层202可以为有机层，例如可以是平坦化层。可选的，触控走线51与信号走线201采用相同材料形成。在具体实施时，还可以设置触控走线51所在区域和信号走线201所在区域其他膜层的材料和厚度均相同，触控走线51和信号走线201采用相同材料和工艺形成，从而使不同区域的中性面不变，避免不同区域弯折时应力分布不均。

在其他实施例中，触控走线51和信号走线201也可以采用不同的材料，具体实施时可以根据实际情况选择。

在其他实施例中，可选的，触控走线在第一区域的侧壁和底面延伸，位于第一区域的底面的触控走线与延伸至非显示区的信号走线位于不同的膜层。

可以理解的是，第一区域的侧壁和底面可以包括形成有凹槽的膜层的凹槽侧壁以及凹槽底面，例如图7中膜层104的凹槽的侧壁和底面，还可以包括形成有通孔的膜层的侧壁以及下方膜层的底面(例如图5)，还可以包括通孔侧壁、凹槽侧壁以及凹槽底面(例如图6)。示例性的，图15所示为沿图4中剖线EE'的另一种剖面结构示意图，参考图15，第一区域设置有多条触控走线51和多条信号走线201，触控走线51和信号走线201位于不同的膜层。通过触控走线51和信号走线201异层设置，可以增大走线的布线空间，提升抗干扰性能。可选的，触控走线51与信号走线201采用相同材料形成，这样有利于简化工艺，降低制作成本。

在其他实施例中，触控走线51和信号走线201也可以采用不同的材料，具体实施时可以根据实际情况选择。

可选的，非显示区包括弯折区域，弯折区域位于第一区域内；弯折区域的中性面根据下式设计：

其中n表示层叠的膜层数量，n为大于或等于2的整数，E

示例性的，图16所示为一种触控显示面板的膜层堆叠示意图，可以理解的是，如果当触控走线所在位置和阵列层中的信号走线所在位置的堆叠材料或者堆叠膜厚发生变化时，不同区域的中性面位置发生变化，走线所在膜层应力将有所变化，可以根据公式(1)进行膜厚调节，实现弯折区多中性面设计，保证弯折性能。具体实施时，可以利用模拟软件进行各个膜层设计。

在其他实施例中，若弯折区域内触控走线和信号走线的宽度、厚度、间距等参数不同，还可以调整走线形状均衡弯折区域的应力。可选的，非显示区包括弯折区域，弯折区域位于第一区域内；位于第一区域的底面的触控走线与延伸至非显示区的信号走线的厚度不同，触控走线和/或信号走线在弯折区域沿曲线延伸。图19所示为本发明实施例提供的一种弯折区域走线的俯视示意图，示意性的，为了平衡弯折区域弯曲时的应力，触控走线51设置为弯曲形状，信号走线201为直线形状。在其他实施例中，也可以设置触控走线为直线形状，信号走线为弯曲形状，或者二者均为弯曲形状，但弯曲程度不同。通过设计触控走线和/或信号走线采用曲线延伸形式、调整膜层堆叠等方式均衡不同区域的弯折应力，以提升弯折区域的可靠性。

本发明实施例提供的触控显示面板，由于在弯折区域取消了触控走线的换线设计，因此在某些实施例中，可能存在触控走线较长时容易导致静电积累的问题，为了进行静电释放，可以在弯折区域远离显示区的一侧设置换线孔进行换线设计。示例性的，图17所示为沿图4中剖线BB'的又一种剖面结构示意图，参考图17，可选的，第二区域122包括多条与触控走线51一一对应的第一走线52，第一走线52通过位于第二区域122的过孔53与触控走线51电连接。由于过孔53距离CVD的边界较远，无机封装层不会对过孔53产生影响。

可选的，本实施例提供的触控显示面板还包括阵列层，阵列层位于基板和发光器件之间；阵列层包括多条信号走线，第一走线与部分信号走线同层。具体实施时，第一走线可以与部分信号走线(例如扫描信号线或数据信号线等，具体实施时可以根据实际情况选择)同层并利用同一工艺同时形成，以降低触控显示面板的制作难度。

图18所示为本发明实施例提供的一种触控显示面板非显示区的透视示意图，参考图18，可选的，第二区域122包括多个信号端子70，信号端子70包括第一信号端子71和第二信号端子72；第一信号端子71与触控走线51连接，第二信号端子72与信号走线201连接。

其中，第一信号端子71可以连接至触控驱动芯片，第二信号端子72可以连接至显示驱动芯片，在其他实施例中，第一信号端子71和第二信号端子72可以连接至触控与显示驱动器集成(Touch and Display Driver Integration，TDDI)芯片，以简化面板结构。可以理解的是，图18中示出的信号走线201位于中间区域，触控走线51位于两侧区域只是示意性的，并不是对本发明实施例的限定。

图20为本发明实施例提供的一种触控显示装置的结构示意图。参考图20，该触控显示装置1包括本发明实施例提供的任意一种触控显示面板2。该触控显示装置1具体可以为手机、电脑以及智能可穿戴设备等。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。