芯片封装结构及芯片封装方法

技术领域

本发明涉及芯片封装技术领域，特别涉及一种芯片封装结构及芯片封装方法。

背景技术

声表面波滤波器利用声波在芯片表面传输以实现其功能。故针对声表面波滤波器的封装，需要声表面波滤波器中的叉指换能器表面不接触其他物质，即需要芯片表面形成空腔，否则将影响信号传输。基于声表面波滤波器的芯片封装结构，其还可以包括天线开关、低噪放大器、电容、电感等常规的无需空腔即可工作的元件。

例如传统的分集接收(DRX)模组常采用覆膜的方式隔绝外面的塑封料以保障滤波器的表面形成空腔，而模组内的其它器件由于覆膜的影响也无法得到很好的底部填充，容易导致器件连锡短路。同时，非滤波器器件因为没有塑封料填充可靠性也无法保障。如何提高此类芯片封装结构的可靠性成了本领域技术人员需要解决的一个问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种芯片封装结构及芯片封装方法，以解决现有技术中芯片封装结构的可靠性不高的问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供一种芯片封装结构，所述芯片封装结构包括：

基板，所述基板包括滤波器承载区、非滤波器承载区以及围绕所述滤波器承载区和所述非滤波器承载区的过道区，所述基板上形成有第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘位于所述滤波器承载区，所述第二焊盘位于所述非滤波器承载区；

形成于所述基板上的第一阻挡层，所述第一阻挡层具有在厚度方向上贯穿的窗口和开口，所述窗口暴露出所述非滤波器承载区的所述基板及所述第二焊盘以及围绕所述非滤波器承载区的部分所述过道区的所述基板，所述开口暴露出所述第一焊盘；

形成于所述第一阻挡层上的第二阻挡层，所述第二阻挡层位于所述第一阻挡层靠近所述窗口的边缘位置；

对准所述滤波器承载区的滤波器芯片，所述滤波器芯片包括第一衬底、形成于所述第一衬底上的叉指换能器以及形成于所述第一衬底上的第一凸点，所述叉指换能器朝向所述第一阻挡层，所述第一凸点和所述第一焊盘电连接，所述滤波器芯片的下方形成有第一空腔；

对准所述非滤波器承载区的非滤波器芯片，所述非滤波器芯片包括第二衬底以及形成于所述第二衬底上的第二凸点，所述第二凸点和所述第二焊盘电连接，所述非滤波器芯片的下方形成有第二空腔，所述窗口和所述第二空腔连通；

覆盖所述滤波器芯片、所述非滤波器芯片、所述第一阻挡层和所述第二阻挡层表面的覆膜，所述覆膜封闭所述第一空腔并且在所述第二阻挡层靠近所述窗口处断开而形成断口；以及，

覆盖所述覆膜表面的塑封层，所述塑封层还经过所述断口填充所述窗口和所述第二空腔。

可选的，在所述的芯片封装结构中，所述非滤波器芯片在所述基板上的投影和所述非滤波器承载区重合，所述窗口的至少一条边界和所述非滤波器承载区的相应边界之间的距离大于或等于10μm。

可选的，在所述的芯片封装结构中，所述第二阻挡层围绕所述窗口呈环形。

可选的，在所述的芯片封装结构中，仅在对准所述过道区的所述第一阻挡层上形成有所述第二阻挡层，并且所述第二阻挡层沿着所述基板的表面的宽度小于所述过道区的宽度。

可选的，在所述的芯片封装结构中，所述第二阻挡层沿着所述基板的表面的宽度大于或等于50μm。

可选的，在所述的芯片封装结构中，所述第二阻挡层靠近所述窗口的边界和所述第一阻挡层靠近所述窗口的边界齐平。

可选的，在所述的芯片封装结构中，所述非滤波器芯片靠近所述基板的表面低于、等于或者高于所述第二阻挡层的表面。

可选的，在所述的芯片封装结构中，所述第二阻挡层的材质与所述第一阻挡层的材质相同或者不同。

可选的，在所述的芯片封装结构中，所述滤波器芯片和所述非滤波器芯片的数量分别为一个或者多个，所述滤波器承载区和所述非滤波器承载区的数量对应为一个或者多个。

本发明还提供一种芯片封装方法，所述芯片封装方法包括：

提供基板，所述基板包括滤波器承载区、非滤波器承载区以及围绕所述滤波器承载区和所述非滤波器承载区的过道区，所述基板上形成有第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘位于所述滤波器承载区，所述第二焊盘位于所述非滤波器承载区；

在所述基板上形成第一阻挡层，所述第一阻挡层具有在厚度方向上贯穿的窗口和开口，所述窗口暴露出所述非滤波器承载区的所述基板及所述第二焊盘以及围绕所述非滤波器承载区的部分所述过道区的所述基板，所述开口暴露出所述第一焊盘；

在所述第一阻挡层上形成第二阻挡层，所述第二阻挡层位于所述第一阻挡层靠近所述窗口的边缘位置；

在所述滤波器承载区上连接滤波器芯片，所述滤波器芯片包括第一衬底、形成于所述第一衬底上的叉指换能器以及形成于所述第一衬底上的第一凸点，所述叉指换能器朝向所述第一阻挡层，所述第一凸点和所述第一焊盘电连接，所述滤波器芯片的下方形成有第一空腔；

在所述非滤波器承载区上连接非滤波器芯片，所述非滤波器芯片包括第二衬底以及形成于所述第二衬底上的第二凸点，所述第二凸点和所述第二焊盘电连接，所述非滤波器芯片的下方形成有第二空腔，所述窗口和所述第二空腔连通；

形成覆盖所述滤波器芯片、所述非滤波器芯片、所述第一阻挡层和所述第二阻挡层表面的覆膜，所述覆膜封闭所述第一空腔；以及，

形成覆盖所述覆膜表面的塑封层，其中，在所述塑封层的压力下，所述覆膜在所述第二阻挡层靠近所述窗口处断开而形成断口，所述塑封层还经过所述断口填充所述窗口和所述第二空腔。

在本发明提供的芯片封装结构及芯片封装方法中，第一阻挡层具有窗口，所述窗口暴露出非滤波器承载区的基板及第二焊盘以及围绕非滤波器承载区的部分过道区的基板，在第一阻挡层上形成有第二阻挡层并且第二阻挡层位于第一阻挡层靠近窗口的边缘位置，由此覆膜在第二阻挡层靠近窗口处的变形量将增大，从而在形成塑封层时，此处的覆膜将断开而形成断口，塑封层将经过所述断口填充所述窗口和第二空腔，即填充非滤波器芯片底部的空间，由此解决了非滤波器器件因为没有塑封料填充可靠性无法保障的问题，提高了芯片封装结构的可靠性。

附图说明

图1是本发明实施例的芯片封装方法的流程示意图。

图2是本发明实施例的形成了第一阻挡层和第二阻挡层的器件剖面示意图。

图3是本发明实施例的形成了第一阻挡层和第二阻挡层的器件俯视示意图。

图4是本发明实施例的连接了滤波器芯片和非滤波器芯片的器件剖面示意图。

图5是本发明实施例的形成了覆膜的器件剖面示意图。

图6是本发明实施例的芯片封装结构的剖面示意图。

其中，附图标记说明如下：

10-芯片封装结构；100-基板；110-滤波器承载区；120-非滤波器承载区；130-过道区；140-第一焊盘；150-第二焊盘；200-第一阻挡层；210-窗口；220-开口；300-第二阻挡层；400-滤波器芯片；410-第一衬底；420-叉指换能器；430-第一凸点；440-第一空腔；500-非滤波器芯片；510-第二衬底；520-第二凸点；530-第二空腔；600-覆膜；610-断口；700-塑封层。

H-距离；W-宽度。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明提出的芯片封装结构及芯片封装方法作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

本发明使用的术语仅仅是出于描述特定实施方式的目的，而非旨在限制本发明。除非本申请文件中另作定义，本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“多个”或者“若干”表示两个及两个以上。除非另行指出，“上/上层”和/或“下/下层”等类似词语只是为了便于说明，而并非限于一个位置或者一种空间定向。“包括”或者“包含”等类似词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者结构涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者结构及其等同，并不排除其他元件或者结构。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而且可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。在本发明说明书和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。

本发明的核心思想在于，提供一种芯片封装结构及芯片封装方法，第一阻挡层具有窗口，所述窗口暴露出非滤波器承载区的基板及第二焊盘以及围绕非滤波器承载区的部分过道区的基板，在第一阻挡层上形成有第二阻挡层并且第二阻挡层位于第一阻挡层靠近窗口的边缘位置，由此覆膜在第二阻挡层靠近窗口处的变形量将增大，从而在形成塑封层时，此处的覆膜将断开而形成断口，塑封层将经过所述断口填充所述窗口和第二空腔，即填充非滤波器芯片底部的空间，由此解决了非滤波器器件因为没有塑封料填充可靠性无法保障的问题，提高了芯片封装结构的可靠性。

具体的，请参考图1，其为本发明实施例的芯片封装方法的流程示意图。如图1所示，在本申请实施例中，所述芯片封装方法具体包括如下步骤：

步骤S10：提供基板，所述基板包括滤波器承载区、非滤波器承载区以及围绕所述滤波器承载区和所述非滤波器承载区的过道区，所述基板上形成有第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘位于所述滤波器承载区，所述第二焊盘位于所述非滤波器承载区；

步骤S20：在所述基板上形成第一阻挡层，所述第一阻挡层具有在厚度方向上贯穿的窗口和开口，所述窗口暴露出所述非滤波器承载区的所述基板及所述第二焊盘以及围绕所述非滤波器承载区的部分所述过道区的所述基板，所述开口暴露出所述第一焊盘；

步骤S30：在所述第一阻挡层上形成第二阻挡层，所述第二阻挡层位于所述第一阻挡层靠近所述窗口的边缘位置；

步骤S40：在所述滤波器承载区上连接滤波器芯片，所述滤波器芯片包括第一衬底、形成于所述第一衬底上的叉指换能器以及形成于所述第一衬底上的第一凸点，所述叉指换能器朝向所述第一阻挡层，所述第一凸点和所述第一焊盘电连接，所述滤波器芯片的下方形成有第一空腔；

步骤S50：在所述非滤波器承载区上连接非滤波器芯片，所述非滤波器芯片包括第二衬底以及形成于所述第二衬底上的第二凸点，所述第二凸点和所述第二焊盘电连接，所述非滤波器芯片的下方形成有第二空腔，所述窗口和所述第二空腔连通；

步骤S60：形成覆盖所述滤波器芯片、所述非滤波器芯片、所述第一阻挡层和所述第二阻挡层表面的覆膜，所述覆膜封闭所述第一空腔；以及，

步骤S70：形成覆盖所述覆膜表面的塑封层，其中，在所述塑封层的压力下，所述覆膜在所述第二阻挡层靠近所述窗口处断开而形成断口，所述塑封层还经过所述断口填充所述窗口和所述第二空腔。

进一步的，请参考图2至图6，其中，图2是本发明实施例的形成了第一阻挡层和第二阻挡层的器件剖面示意图；图3是本发明实施例的形成了第一阻挡层和第二阻挡层的器件俯视示意图；图4是本发明实施例的连接了滤波器芯片和非滤波器芯片的器件剖面示意图；图5是本发明实施例的形成了覆膜的器件剖面示意图；图6是本发明实施例的芯片封装结构的剖面示意图。

如图2所示，在本申请实施例中，首先提供一基板100，所述基板100的材质例如可以为半导体、树脂、陶瓷或者玻璃等。在此，所述基板100包括用于承载滤波器芯片的滤波器承载区110、用于承载非滤波器芯片的非滤波器承载区120以及围绕所述滤波器承载区110和所述非滤波器承载区120的过道区130。在本申请实施例中，所述滤波器承载区110和所述非滤波器承载区120通过所述过道区130间隔，进一步的，所述滤波器承载区110位于所述过道区130中并且所述非滤波器承载区120位于所述过道区130中。如此，既可以保证后续连接滤波器芯片或者非滤波器芯片的便捷，同时也能提高连接的可靠性，便于后续形成的塑封层能够覆盖滤波器芯片和非滤波器芯片的表面，提高对于滤波器芯片和非滤波器芯片的保护。

进一步的，所述基板100可以包括一个或者多个所述滤波器承载区110，以相应连接一个或者多个滤波器芯片。相似的，所述基板100可以包括一个或者多个所述非滤波器承载区120，以相应连接一个或者多个非滤波器芯片。

其中，所述滤波器承载区110与所要连接的滤波器芯片在所述基板100上的投影相同；或者大于所要连接的滤波器芯片在所述基板100上的投影，即所要连接的滤波器芯片在所述基板100上的投影的每一边界和所述滤波器承载区110的相应边界重合或者位于所述滤波器承载区110内。相似的，所述非滤波器承载区120与所要连接的非滤波器芯片在所述基板100上的投影相同；或者大于所要连接的非滤波器芯片在所述基板100上的投影，即所要连接的非滤波器芯片在所述基板100上的投影的每一边界和所述非滤波器承载区120的相应边界重合或者位于所述非滤波器承载区120内。在本申请实施例中，所述滤波器承载区110与所要连接的滤波器芯片在所述基板100上的投影相同，即两者相重合；所述非滤波器承载区120与所要连接的非滤波器芯片在所述基板100上的投影相同，即两者相重合。

请继续参考图2，在本申请实施例中，所述基板100上形成有第一焊盘140和第二焊盘150，其中，所述第一焊盘140位于所述滤波器承载区110，所述第二焊盘150位于所述非滤波器承载区120。其中，所述基板100包括多个所述滤波器承载区110或者多个所述非滤波器承载区120时，各所述滤波器承载区110均形成有所述第一焊盘140，各所述非滤波器承载区120均形成有所述第二焊盘150。所述第一焊盘140和所述第二焊盘150的材质为金属，例如所述第一焊盘140和所述第二焊盘150的材质均为锡。进一步的，各所述滤波器承载区110上所述第一焊盘140的数量可以为多个并可以按照需要的方式排布，各所述非滤波器承载区120上所述第二焊盘150的数量也可以为多个并可以按照需要的方式排布，本申请对此不作限定。

请结合参考图3，在本申请实施例中，所述第一焊盘140和所述第二焊盘150的形状均为圆形，在本申请的其他实施例中，也可以为别的形状，如方形等。在此，所述滤波器承载区110上形成有四个所述第一焊盘140，四个所述第一焊盘140呈矩形排布；所述非滤波器承载区120上形成有四个所述第二焊盘150，四个所述第二焊盘150也呈矩形排布，在本申请的其他实施例中，所述第一焊盘140和所述第二焊盘150也可以呈其他形式排布，本申请对此不作限定。

请继续参考图2，接着，在所述基板100上形成第一阻挡层200，所述第一阻挡层200具有在厚度方向上贯穿的窗口210和开口220，所述窗口210暴露出所述非滤波器承载区120的所述基板100及所述第二焊盘150以及围绕所述非滤波器承载区120的部分所述过道区130的所述基板100，所述开口220暴露出所述第一焊盘140。即所述窗口210较所述非滤波器承载区120大，在本申请实施例中，所述非滤波器承载区120的各边界均位于所述窗口210内。

进一步的，请参考图3，一个所述窗口210对应一个所述非滤波器承载区120。相应的，所述基板100包括多个所述非滤波器承载区120时，所述第一阻挡层200中形成有多个所述窗口210，所述窗口210和所述非滤波器承载区120一一对应。优选的，所述窗口210暴露出对应的所述非滤波器承载区120上的所有所述第二焊盘150。

优选的，所述窗口210的至少一条边界和所述非滤波器承载区120的相应边界之间的距离H大于或等于10μm。更优的，所述窗口210的各条边界和所述非滤波器承载区120的对应边界之间的距离H均大于或等于10μm。如图3所示，在本申请实施例中，所述非滤波器承载区120和所述窗口210均呈矩形。其中，所述窗口210和所述非滤波器承载区120的各组对应边界之间的距离可以相等也可以不等，在本申请实施例中，所述窗口210和所述非滤波器承载区120的各组对应边界之间的距离均相等。

如图2和图3所示，在此，所述开口220的数量为多个，一个所述开口220对应暴露出一个所述第一焊盘140。其中，所述开口220可以暴露出对应的所述第一焊盘140的部分或者全部。在本申请实施例中，各所述开口220暴露出并且仅暴露出对应的所述第一焊盘140的部分或者全部。

在本申请实施例中，具体的，可以先形成一第一阻挡材料层(图中未示出)，所述第一阻挡材料层覆盖所述基板100的整个上表面；接着，可通过刻蚀、灰化等半导体工艺去除部分的所述第一阻挡材料层以形成所述窗口210和所述开口220，从而得到所述第一阻挡层200。其中，所述第一阻挡层200的材质优选为阻焊层；在本申请的其他实施例中，所述第一阻挡层200的材质也可以为其他材料，例如介质材料等。

如图2所示，接着，在所述第一阻挡层200上形成第二阻挡层300，所述第二阻挡层300位于所述第一阻挡层200靠近所述窗口210的边缘位置。在本申请实施例中，所述第二阻挡层300呈环形并且围绕所述窗口210，在此，所述第二阻挡层300呈方环形。在本申请的其他实施例中，所述第二阻挡层300也可以呈其他形状，例如所述第二阻挡层300呈不规则形，其具有一开窗，所述开窗对准所述窗口210。其中，所述第二阻挡层300的边界可以位于所述过道区130上的所述第一阻挡层200上，也可以延伸至所述滤波器承载区110上的所述第一阻挡层200的表面，本申请对此不作限定。

在本申请实施例中，仅在对准所述过道区130的所述第一阻挡层200上形成有所述第二阻挡层300，并且所述第二阻挡层300沿着所述基板100的表面的宽度小于对应位置的所述过道区130的宽度。即，仅在部分所述过道区130的所述第一阻挡层200上形成有所述第二阻挡层300，并且相较于所述滤波器承载区110，所述第二阻挡层300靠近所述非滤波器承载区120。其中，所述第二阻挡层300沿着所述基板100的表面的宽度W大于或等于50μm，从而提高所述第二阻挡层300和所述第一阻挡层200之间的粘附性。

请继续参考图2，在本申请实施例中，所述第二阻挡层300靠近所述窗口210的边界和所述第一阻挡层200靠近所述窗口210的边界齐平。从而增加了所述第二阻挡层300和所述第一阻挡层200之间的接触面积，提高了两者之间的粘附性。

在本申请的其他实施例中，所述第二阻挡层300靠近所述窗口210的边界可以相对于所述第一阻挡层200靠近所述窗口210的边界内凹或者外凸。

其中，所述第二阻挡层300靠近所述窗口210的边界相对于所述第一阻挡层200靠近所述窗口210的边界内凹时，所述第二阻挡层300暴露出所述第一阻挡层200靠近所述窗口210的部分。优选的，所述第二阻挡层300暴露出所述第一阻挡层200靠近所述窗口210的部分的截面宽度小于所述第二阻挡层300的截面宽度。

所述第二阻挡层300靠近所述窗口210的边界相对于所述第一阻挡层200靠近所述窗口210的边界外凸时，所述第二阻挡层300包括凸出于所述第一阻挡层200的第一部分(图中未示出)以及覆盖所述第一阻挡层200的第二部分(图中未示出)，其中所述第一部分的截面宽度小于所述第二部分的截面宽度。由此，可以保证所述第二阻挡层300和所述第一阻挡层200之间的接触面积，保证两者之间的粘附性。

在本申请实施例中，所述第二阻挡层300的材质为阻焊层，例如为绿油。优选的，所述第一阻挡层200的材质也为阻焊层，如为绿油，从而可以进一步提高所述第二阻挡层300和所述第一阻挡层200之间的粘附性，从而提高所形成的芯片封装结构的质量与可靠性。

优选的，所述第二阻挡层300的厚度和所述第一阻挡层200的厚度相同，或者，所述第二阻挡层300的厚度较所述第一阻挡层200的厚度厚。从而使得后续形成覆膜时，所述覆膜在所述第二阻挡层和所述窗口的交界位置更加容易断开。

接着，请参考图4，在所述滤波器承载区110上连接滤波器芯片400以及在所述非滤波器承载区120上连接非滤波器芯片500。其中，在所述滤波器承载区110上连接滤波器芯片400可以和在所述非滤波器承载区120上连接非滤波器芯片500同时执行，也可以在所述滤波器承载区110上连接滤波器芯片400先于在所述非滤波器承载区120上连接非滤波器芯片500执行，或者，在所述滤波器承载区110上连接滤波器芯片400后于在所述非滤波器承载区120上连接非滤波器芯片500执行。

具体的，所述滤波器芯片400包括第一衬底410、形成于所述第一衬底410上的叉指换能器420以及形成于所述第一衬底410上的第一凸点430，所述第一凸点430和所述叉指换能器420位于所述第一衬底410的同一表面。所述叉指换能器420朝向所述第一阻挡层200，所述第一凸点430和所述第一焊盘140电连接，所述滤波器芯片400的下方形成有第一空腔440。其中，所述第一凸点430的材质为金属，例如所述第一凸点430可以是铜柱、金球或者锡球等。所述第一凸点430可以通过焊接的方式和所述第一焊盘140电连接。

优选的，所述第一空腔440的高度小于或者等于20μm，即所述叉指换能器420和所述第一阻挡层200之间的距离大于0且小于或者等于20μm。从而既可以实现空腔的形成，又能够提高所述滤波器芯片400和所述基板100之间的连接可靠性，并且还可以使得所形成的芯片封装结构小型化。

所述非滤波器芯片500包括第二衬底510以及形成于所述第二衬底510上的第二凸点520，所述第二凸点520和所述第二焊盘150电连接，所述非滤波器芯片500的下方形成有第二空腔530，所述窗口210和所述第二空腔530连通。在本申请实施例中，所述窗口210涵盖所述第二空腔530，也即所述第二空腔530在所述基板100上的投影位于所述窗口210在所述基板100上的投影内。

其中，所述第二凸点520的材质为金属，例如所述第二凸点520可以是铜柱、金球或者锡球等。所述第二凸点520可以通过焊接的方式和所述第二焊盘150电连接。所述非滤波器芯片500具体例如可以是天线开关、低噪放大器、电容、电感等常规的无需空腔即可工作的元件，本申请对此并不作限定。

其中，所述非滤波器芯片500靠近所述基板100的表面低于、等于或者高于所述第二阻挡层300的表面。具体的，例如可以通过调整所述第二凸点520的高度以调整所述非滤波器芯片500的下表面和所述第二阻挡层300的上表面之间的关系；或者还可以调整所述第二焊盘150的高度，所述第一阻挡层200、所述第二阻挡层300的厚度等。

接着，如图5所示，形成覆盖当前器件表面的覆膜600，具体的，所述覆膜600覆盖所述滤波器芯片400、所述非滤波器芯片500、所述第一阻挡层200和所述第二阻挡层300的表面，并且所述覆膜600封闭所述第一空腔440。其中，所述覆膜600的材质例如可以为PI基或者环氧树脂基的干膜材料。优选的，所述覆膜600的厚度不小于所述第一空腔440的高度，更优的，所述覆膜600的厚度和所述第一空腔440的高度相同，从而既能够保证所述第一空腔440的稳定性，又能够便于在后续形成的塑封层的压力下，所述第二阻挡层300在靠近所述窗口210的位置断开而形成断口。

请结合参考图5和图6，在本申请实施例中，由于在所述第一阻挡层200上形成有第二阻挡层300并且所述第二阻挡层300位于所述第一阻挡层200靠近所述窗口210的边缘位置，由此所述覆膜600在所述第二阻挡层300靠近所述窗口210处的变形量将进一步增大，此处所述覆膜600将变薄，从而此处的覆膜600将易于断开而形成断口。

请参考图6，接着，形成覆盖所述覆膜600表面的塑封层700。由于所述覆膜600在所述第二阻挡层300靠近所述窗口210处的变形量增大而变薄，由此，在所述塑封层700的压力下，所述覆膜600在所述第二阻挡层300靠近所述窗口210位置断开而形成断口610。从而，所述塑封层700还经过所述断口610填充所述窗口210和所述第二空腔530，即填充所述非滤波器芯片500和所述基板100之间的空腔，从而解决了所述非滤波器器件因为没有塑封料填充可靠性无法保障的问题了，提高了芯片封装结构的可靠性。

其中，由于所述第二阻挡层300的存在，所述覆膜600在所述第二阻挡层300靠近所述窗口210处的变形量将增加并且膜层将变薄，由此，在所述覆膜600上形成塑封层700后，将在所述第二阻挡层300靠近所述窗口210处发生断开而形成所述断口610，从而使得所述塑封层700经过所述断口610填充所述窗口210和所述第二空腔530。

进一步的，在本申请实施例中，所述第二阻挡层300围绕所述窗口210呈环形，也即所述覆膜600在整个靠近所述窗口210的边界位置都将发生变形量增大以及变薄，由此，只要在靠近所述窗口210的一侧形成断口610，即可使得所述塑封层700经过所述断口610填充所述窗口210和所述第二空腔530。

优选的，所述塑封层700填满所述第二空腔530，以极大地提高所述非滤波器芯片500和所述基板100的连接可靠性。但是，即使所述塑封层700没有填满所述第二空腔530，相对于现有技术中非滤波器器件没有塑封料填充的情况，本申请实施例提供的芯片封装方法，由于至少一定程度填充了所述第二空腔530，也能够有效地提高所形成的芯片封装结构的可靠性。

请继续参考图6，相应的，本申请实施例还提供一种芯片封装结构10，所述芯片封装结构10包括：基板100，所述基板100包括滤波器承载区110、非滤波器承载区120以及围绕所述滤波器承载区110和所述非滤波器承载区120的过道区130，所述基板100上形成有第一焊盘140和第二焊盘150，所述第一焊盘140位于所述滤波器承载区110，所述第二焊盘150位于所述非滤波器承载区120；形成于所述基板100上的第一阻挡层200，所述第一阻挡层200具有在厚度方向上贯穿的窗口210和开口220，所述窗口210暴露出所述非滤波器承载区120的所述基板100及所述第二焊盘150以及围绕所述非滤波器承载区120的部分所述过道区130的所述基板100，所述开口220暴露出所述第一焊盘140；形成于所述第一阻挡层200上的第二阻挡层300，所述第二阻挡层300位于所述第一阻挡层200靠近所述窗口210的边缘位置；对准所述滤波器承载区110的滤波器芯片400，所述滤波器芯片400包括第一衬底410、形成于所述第一衬底410上的叉指换能器420以及形成于所述第一衬底410上的第一凸点430，所述叉指换能器420朝向所述第一阻挡层200，所述第一凸点430和所述第一焊盘140电连接，所述滤波器芯片400的下方形成有第一空腔440；对准所述非滤波器承载区120的非滤波器芯片500，所述非滤波器芯片500包括第二衬底510以及形成于所述第二衬底510上的第二凸点520，所述第二凸点520和所述第二焊盘150电连接，所述非滤波器芯片500的下方形成有第二空腔530，所述窗口210和所述第二空腔530连通；覆盖所述滤波器芯片400、所述非滤波器芯片500、所述第一阻挡层200和所述第二阻挡层300表面的覆膜600，所述覆膜600封闭所述第一空腔440并且在所述第二阻挡层300靠近所述窗口210处断开而形成断口610；以及，覆盖所述覆膜600表面的塑封层700，所述塑封层700还经过所述断口610填充所述窗口210和所述第二空腔530。

进一步的，所述非滤波器芯片500在所述基板100上的投影和所述非滤波器承载区120重合，所述窗口210的边界和所述非滤波器承载区120的边界之间的距离H大于或等于10μm。

优选的，所述第二阻挡层300围绕所述窗口210呈环形。仅在对准所述过道区130的所述第一阻挡层200上形成有所述第二阻挡层300，并且所述第二阻挡层300沿着所述基板100的表面的宽度W小于所述过道区130对应位置处的宽度。所述第二阻挡层300沿着所述基板100的表面的宽度W大于或等于50μm。

其中，所述第二阻挡层300靠近所述窗口210的边界和所述第一阻挡层200靠近所述窗口210的边界齐平。或者，所述第二阻挡层300靠近所述窗口210的边界相对于所述第一阻挡层200靠近所述窗口210的边界内凹或者外凸。

综上可见，在本申请实施例提供的芯片封装结构及芯片封装方法中，第一阻挡层具有窗口，所述窗口暴露出非滤波器承载区的基板及第二焊盘以及围绕非滤波器承载区的部分过道区的基板，在第一阻挡层上形成有第二阻挡层并且第二阻挡层位于第一阻挡层靠近窗口的边缘位置，由此覆膜在第二阻挡层靠近窗口处的变形量将增大，从而在形成塑封层时，此处的覆膜将断开而形成断口，塑封层将经过所述断口填充所述窗口和第二空腔，即填充非滤波器芯片底部的空间，由此解决了非滤波器器件因为没有塑封料填充可靠性无法保障的问题，提高了芯片封装结构的可靠性。

在本申请中，对“一个实施例”、“一些实施例”的提及意味着结合该实施例描述的特征、结构或特性包含在本申请的至少一个实施例、至少一些实施例中。因此，短语“在一个实施例中”、“在一些实施例中”在本申请的各处的出现未必是指同一个或同一些实施例。此外，在一个或多个实施例中，可以任何合适的组合和/或子组合来组合特征、结构或特性。

虽然已经通过示例对本申请的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本申请的范围。本申请的各实施例可以任意组合，而不脱离本申请的精神和范围。本领域的技术人员还应理解，可以对实施例进行多种修改而不脱离本申请的范围和精神。本申请的范围由所附权利要求来限定。