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番茄红素在墨兰根状茎增殖培养中的应用

文献发布时间:2024-01-17 01:17:49



技术领域

本发明涉及农业生物技术中植物组织培养的方法,具体地说,涉及番茄红素在墨兰根状茎增殖培养中的应用。

背景技术

兰花根状茎是由原球茎或类原球茎继续发育、伸长、分支形成的丛生型类原球茎,具有明显可见的茎节以及顶芽、腋芽等特征,其外韧型维管束散生在基本组织中,具有典型的单子叶植物茎的结构特点。根状茎增殖源于茎节部的薄壁细胞脱分化形成胚性愈伤组织或节间的表皮或皮层细胞不断分裂形成侧生分生组织。根状茎在无外源激素条件下即可伸长生长而实现增殖,但增殖速度较慢;在添加少量外源细胞分裂素或生长素的培养基中,根状茎更易伸长并形成分枝,增殖效率显著提高;而在同时添加外源细胞分裂素和生长素更利于根状茎的增殖。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中的不足,提供番茄红素在墨兰根状茎增殖培养中的应用。

本发明是通过以下技术方案实现:番茄红素在墨兰根状茎增殖培养中的应用,将墨兰根状茎培养含有番茄红素(CAS号为:502-65-8)培养基中进行继代培养。

本发明一个实施例中,增殖培养基每升含有番茄红素1-3克、6-苄氨基嘌呤0.1-0.5毫克、1-萘乙酸1.0-2.0毫克、蔗糖20-30克、琼脂粉5-7克,余量为MS培养基,pH值为5.4-6.0。

所述的继代培养条件为:将墨兰根状茎接种在增殖培养基中,首先在培养温度为8~10℃进行黑暗培养10-15天,然后转至培养温度为25℃,光照强度为1000-1500lx,光照时间为12小时/天,培养30-40天。

所述的墨兰根状茎是指墨兰品种‘企剑白墨墨兰’长度为1.0-2.0厘米、去除茎尖的根状茎。

墨兰根状茎在离体培养过程中,根状茎在离体操作过程常伴随着物理损伤,并激活一系列防卫反应的重要内源信号分子,产生一些有害物质如活性氧,影响墨兰根状茎的生长发育。本发明将墨兰根状茎培养在含有番茄红素成分的增殖培养基中,可以缓解活性氧物质对根状茎的损害,利于根状茎的生长,提高增殖系数,缩短繁殖周期。

本发明使用继代培养基独特,成本低,繁殖系数高,继代周期短,根状茎品质好,具有很好的应用前景。

具体实施方式

下面结合具体实施方式,对本发明的技术方案作进一步的详细说明,但不构成对本发明的任何限制。

实施例1

将长度为1.0-2.0厘米、去除茎尖的墨兰品种‘企剑白墨墨兰’根状茎分别培养在增殖培养基1~3组别中,首先在培养温度为8℃进行黑暗培养10天,然后转至培养温度为25℃,光照强度为1000lx,光照时间为12小时/天,培养30天,在增殖培养基1~3培养的‘企剑白墨墨兰’根状茎增殖系数分别为2.89、0.53和1.68。其中,增殖培养基1的培养基成分为MS+1g/L番茄红素+0.1mg/L 6-BA+1.0mg/L NAA+20g/L蔗糖+5g/L琼脂,pH值为5.4;增殖培养基2的培养基成分为MS+0.1mg/L 6-BA+1.0mg/L NAA+0g/L蔗糖+5g/L琼脂,pH值为5.4;增殖培养基3的培养基成分为MS+0.5g/L番茄红素+0.1mg/L 6-BA+1.0mg/L NAA+0g/L蔗糖+5g/L琼脂,pH值为5.4。

实施例2

将长度为1.0-2.0厘米、去除茎尖的墨兰品种‘企剑白墨墨兰’根状茎分别培养在增殖培养基4~5组别中,首先在培养温度为9℃进行黑暗培养13天,然后转至培养温度为25℃,光照强度为1300lx,光照时间为12小时/天,培养35天,在增殖培养基4~5培养的‘企剑白墨墨兰’根状茎增殖系数分别为3.01和0.68。其中,增殖培养基4的培养基成分为MS+2g/L番茄红素+0.3mg/L 6-BA+1.5mg/L NAA+25g/L蔗糖+6g/L琼脂,pH值为5.7;增殖培养基5的培养基成分为MS+2g/L番茄红素+0.3mg/L 6-BA+1.5mg/L NAA+25g/L蔗糖+6g/L琼脂,pH值为5.7。

实施例3

将长度为1.0-2.0厘米、去除茎尖的墨兰品种‘企剑白墨墨兰’根状茎分别培养在增殖培养基6~8组别中,首先在培养温度为10℃进行黑暗培养15天,然后转至培养温度为25℃,光照强度为1500lx,光照时间为12小时/天,培养40天,在增殖培养基6~8培养的‘企剑白墨墨兰’根状茎增殖系数分别为3.34、0.59和2.57。其中,增殖培养基6的培养基成分为MS+3g/L番茄红素+0.5mg/L 6-BA+2.0mg/L NAA+30g/L蔗糖+7g/L琼脂,pH值为6.0;增殖培养基7的培养基成分为MS+0.5mg/L 6-BA+2.0mg/L NAA+30g/L蔗糖+7g/L琼脂,pH值为6.0;增殖培养基8的培养基成分为MS+3.5g/L番茄红素+0.5mg/L 6-BA+2.0mg/L NAA+30g/L蔗糖+7g/L琼脂,pH值为6.0。

上述实施例为本发明较佳的实施方式,但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制,其它的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化,均应为等效的置换方式,都包含在本发明的保护范围之内。

相关技术
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技术分类

06120116115870