玻璃封装基板的制作方法及玻璃封装基板、封装体

技术领域

本申请涉及封装技术领域，特别是涉及一种玻璃封装基板的制作方法及玻璃封装基板、封装体。

背景技术

封装是将集成电路裸片(Die)放在起到承载作用的基板上，然后将基板及集成电路裸片固定包装成一个整体，形成封装体，管脚从封装体引出。封装体起到芯片保护、电气互连、散热等功能。玻璃作为一种新兴的封装载板材料，具有低介电常数，低介电损耗，低成本等优势，得到众多芯片设计及封装厂家的广泛关注。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种玻璃封装基板的制作方法及玻璃封装基板、封装体，以改善玻璃封装基板的翘曲。具体技术方案如下：

本申请第一方面的实施例提供一种玻璃封装基板的制作方法，包括以下步骤：

提供玻璃芯板，玻璃芯板包括第一表面以及与其相对的第二表面；

在玻璃芯板上形成导电通孔；

在玻璃芯板的第一表面和第二表面上同时形成第一导电层；

在两个第一导电层的背离玻璃芯板的一侧同时形成至少一膜层结构，每一膜层结构包括ABF层和第二导电层，第二导电层位于ABF层的背离玻璃芯板的一侧；

在两个第二导电层上形成阻焊层和第三导电层。

在本申请的一些实施例中，在玻璃芯板上形成导电通孔的步骤，包括：

在玻璃芯板上形成通孔；

在通孔内填充导电结构。

在本申请的一些实施例中，在玻璃芯板上形成通孔的步骤，包括：

在玻璃芯板上通过激光改性再刻蚀的方式形成通孔；

或者，在玻璃芯板上，通过在第一表面和第二表面中的一者上进行刻蚀，在第一表面和第二表面的另一者上进行减薄，形成通孔；

又或者，在玻璃芯板上，通过在第一表面和第二表面上进行减薄，然后在第一表面和第二表面进行刻蚀，形成通孔。

在本申请的一些实施例中，在通孔内填充导电结构的步骤，包括：

在通孔内填满导电材料；

或者，在通孔的孔壁上形成第四导电层，在通孔的中心填充绝缘材料。

在本申请的一些实施例中，所述第四导电层的厚度在5um以上。

在本申请的一些实施例中，在玻璃芯板的第一表面和第二表面上同时形成第一导电层的步骤，包括：

在第一表面和第二表面上同时形成第一子导电层；

在两个第一子导电层的背离玻璃芯板的一侧同时形成第二子导电层，完成第一表面和第二表面上的第一导电层的初加工；

对初加工形成的两个第一导电层同时进行图案化处理。

在本申请的一些实施例中，在玻璃芯板的第一表面和第二表面上同时形成第一导电层的步骤，包括：

在第一表面和第二表面上同时形成第一子导电层；

在两个第一子导电层的背离玻璃芯板的一侧同时贴干膜，通过曝光、显影同时对两个干膜进行图案化处理，露出第一子导电层；

在露出的第一子导电层上同时形成第二子导电层；

去除干膜，完成两个第一导电层的初加工；

在初加工形成的两个第一导电层上同时进行刻蚀，完成两个第一导电层的图案化处理。

在本申请的一些实施例中，在两个第一导电层的背离玻璃芯板的一侧同时形成至少一膜层结构的步骤，包括：

在两个第一导电层的背离玻璃芯板的一侧同时形成ABF层；

在两个ABF层的背离玻璃芯板的一侧同时形成第二导电层。

在本申请的一些实施例中，在两个第一导电层的背离玻璃芯板的一侧同时形成ABF层的步骤，包括：

在两个第一导电层的背离玻璃芯板的一侧同时压合形成ABF层；

进行两个ABF层的固化；

在两个ABF层上开孔。

在本申请的一些实施例中，在两个ABF层的背离玻璃芯板的一侧同时形成第二导电层的步骤，包括：

在两个ABF层的背离玻璃芯板的一侧同时形成第三子导电层；

在两个第三子导电层的背离玻璃芯板的一侧同时贴干膜，通过曝光、显影同时对两个干膜进行图案化处理，露出第三子导电层；

在露出的第三子导电层上同时形成第四子导电层；

去除干膜，完成两个第二导电层的初加工；

在初加工形成的两个第二导电层上同时进行刻蚀，完成两个第二导电层的图案化处理。

在本申请的一些实施例中，在两个ABF层的背离玻璃芯板的一侧同时形成第二导电层的步骤，包括：

在两个ABF层的背离玻璃芯板的一侧同时形成第三子导电层；

在两个第三子导电层的背离玻璃芯板的一侧同时形成第四子导电层，完成两个ABF层的背离玻璃芯板的一侧的第二导电层的初加工；

对初加工形成的两个第二导电层同时进行图案化处理。

在本申请的一些实施例中，在两个第二导电层上形成阻焊层和第三导电层的步骤，包括：

在两个第二导电层通过贴膜或旋涂的方式形成阻焊层，

在阻焊层上，通过曝光、显影将连接焊盘的第二导电层露出；

在露出的第二导电层上形成第三导电层。

本申请第二方面的实施例提供一种玻璃封装基板，包括通过根据第一方面中任一项所述的制作方法制作而成的玻璃封装基板。

在本申请的一些实施例中，所述导电通孔包括形成于所述玻璃芯板上的通孔，以及填充于所述通孔内的导电结构，所述通孔采用圆柱形通孔、漏斗形通孔或沙漏形通孔。

在本申请的一些实施例中，所述导电结构包括导电体，所述导电体与所述通孔的形状相适配。

在本申请的一些实施例中，所述导电结构包括第四导电层和绝缘体，所述第四导电层设置在所述通孔的孔壁上，所述绝缘体设置在所述通孔的中心。

在本申请的一些实施例中，所述第四导电层的厚度在5um以上。

本申请第三方面的实施例提供一种封装体，包括根据第二方面中任一项所述的玻璃封装基板、裸芯片和焊球，所述裸芯片和焊球布置在所述玻璃封装基板的同侧或异侧，所述裸芯片的数量为一个或多个，所述多个裸芯片布置在所述玻璃封装基板的同侧或异侧。

本申请实施例有益效果：

本申请实施例提供的玻璃封装基板的制作方法中，膜层结构包括ABF层和第二导电层， ABF层的固化温度低，固化温度在200℃以内，可降低整个玻璃封装基板的制程温度，进而可降低第一导电层和第二导电层在玻璃芯板上产生的应力，改善玻璃封装基板的翘曲；另一方面，由于ABF层材料本身的特点，其可直接压合成膜于玻璃芯板上，因此可在玻璃芯板的两侧同时加工ABF层，进而可在玻璃芯板的两侧同时第二导电层；在玻璃芯板的第一表面和第二表面上同时加工第一导电层，两个第一导电层在玻璃芯板的第一表面和第二表面产生的应力方向相反，两个第一导电层在玻璃芯板产生的应力可至少部分抵消，在玻璃芯板的两侧同时加工第二导电层，两个第二导电层在玻璃芯板的两侧产生的应力方向相反，两个第二导电层在玻璃芯板的两侧产生的应力可至少部分抵消，从而可在很大程度上改善玻璃封装基板的翘曲。此外，在玻璃芯板的两侧同时加工第一导电层、膜层结构，可大大节省玻璃封装基板的制程时间，提高制作效率，降低封装成本。

当然，实施本申请的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的实施例。

图1为本申请一些实施例提供的一种玻璃封装基板的制作方法的方法流程图；

图2为本申请一些实施例提供的一种玻璃封装基板的制作方法的工艺流程图；

图3为本申请一些实施例中在玻璃芯板上形成导电通孔的方法流程图；

图4为本申请一些实施例中在玻璃芯板上形成导电通孔的工艺流程图；

图5为本申请一些实施例中玻璃芯板上的导电通孔的结构示意图(通孔为圆柱形通孔，导电结构为填满于通孔的导电材料)；

图6为本申请一些实施例中玻璃芯板上的导电通孔的结构示意图(通孔为漏斗形通孔，导电结构为填满于通孔的导电材料)；

图7为本申请一些实施例中玻璃芯板上的导电通孔的结构示意图(通孔为沙漏形通孔，导电结构为填满于通孔的导电材料)；

图8为本申请一些实施例中玻璃芯板上的导电通孔的结构示意图(通孔为圆柱形通孔，导电结构包括第四导电层和绝缘材料)；

图9为本申请一些实施例中玻璃芯板上的导电通孔的结构示意图(通孔为漏斗形通孔，导电结构包括第四导电层和绝缘材料)；

图10为本申请一些实施例中玻璃芯板上的导电通孔的结构示意图(通孔为沙漏形通孔，导电结构包括第四导电层和绝缘材料)；

图11为本申请一些实施例中在第一表面和第二表面上同时形成第一导电层的第一种方法流程图；

图12为本申请一些实施例中在第一表面和第二表面上同时形成第一导电层的第二种方法流程图；

图13为本申请一些实施例中在第一表面和第二表面上同时形成第一导电层的工艺流程图；

图14为本申请一些实施例中在两个第一导电层的背离玻璃芯板的一侧同时形成至少一膜层结构的方法流程图；

图15为本申请一些实施例中在两个第一导电层的背离玻璃芯板的一侧同时形成至少一膜层结构的工艺流程图；

图16为本申请一些实施例中在两个第一导电层的背离玻璃芯板的一侧同时形成ABF 层的方法流程图；

图17为本申请一些实施例中在两个第一导电层的背离玻璃芯板的一侧同时形成ABF 层的工艺流程图；

图18为本申请一些实施例中在两个ABF层的背离玻璃芯板的一侧同时形成第二导电层的第一种方法流程图；

图19为本申请一些实施例中在两个ABF层的背离玻璃芯板的一侧同时形成第二导电层的第二种方法流程图；

图20为本申请一些实施例中在两个第二导电层上形成阻焊层和第三导电层的方法流程图；

图21为本申请一些实施例中提供的一种玻璃封装基板的结构示意图；

图22为本申请一些实施例中提供的一种封装体的第一种结构示意图；

图23为本申请一些实施例中提供的一种封装体的第二种结构示意图；

图24为本申请一些实施例中提供的一种封装体的第三种结构示意图；

图25为本申请一些实施例中提供的一种封装体的第四种结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员基于本申请所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

应理解的是，文中使用的术语仅出于描述特定示例实施方式的目的，而无意于进行限制。除非上下文另外明确地指出，否则如文中使用的单数形式“一”、“一个”以及“所述”也可以表示包括复数形式。术语“包括”、“包含”、“含有”以及“具有”是包含性的，并且因此指明所陈述的特征、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但并不排除存在或者添加一个或多个其它特征、步骤、操作、元件、部件、和/或它们的组合。文中描述的方法步骤、过程、以及操作不解释为必须要求它们以所描述或说明的特定顺序执行，除非明确指出执行顺序。还应当理解，可以使用另外或者替代的步骤。

尽管可以在文中使用术语第一、第二、第三等来描述多个元件、部件、区域、层和/或部段，但是，这些元件、部件、区域、层和/或部段不应被这些术语所限制。这些术语可以仅用来将一个元件、部件、区域、层或部段与另一区域、层或部段区分开。除非上下文明确地指出，否则诸如“第一”、“第二”之类的术语以及其它数字术语在文中使用时并不暗示顺序或者次序。因此，以下讨论的第一元件、部件、区域、层或部段在不脱离示例实施方式的教导的情况下可以被称作第二元件、部件、区域、层或部段。

为了便于描述，可以在文中使用空间相对关系术语来描述如图中示出的一个元件或者特征相对于另一元件或者特征的关系，这些相对关系术语例如为“内部”、“外部”、“内侧”、“外侧”、“下面”、“下方”、“上面”、“上方”等。这种空间相对关系术语意于包括除图中描绘的方位之外的在使用或者操作中装置的不同方位。例如，如果在图中的装置翻转，那么描述为“在其它元件或者特征下面”或者“在其它元件或者特征下方”的元件将随后定向为“在其它元件或者特征上面”或者“在其它元件或者特征上方”。因此，示例术语“在……下方”可以包括在上和在下的方位。装置可以另外定向，例如旋转90度或者在其它方向，并且文中使用的空间相对关系描述符相应地进行解释。

需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。

相关技术中，玻璃封装基板包括玻璃芯板和其上下面堆叠的多层金属层和绝缘层，绝缘层一般采用有机树脂例如聚酰亚胺(PI)等。一方面，有机树脂的加工温度高，例如聚酰亚胺(PI)，聚酰亚胺的固化温度在250℃以上，这使得玻璃封装基板的制程温度非常高；另一方面，金属层与玻璃芯板之间的匹配性差，例如热膨胀系数差异大，金属层的热膨胀系数约为17ppm/℃，玻璃芯板的热膨胀系数约为4ppm/℃，这样二者在同样受热的情况下膨胀系数不一样。在玻璃封装基板在制作过程中，由于制程温度高，且金属层与玻璃芯板热膨胀系数差异大，玻璃封装基板中的金属层和玻璃芯板之间必然产生较大的热应力，从而导致玻璃芯板发生翘曲、甚至破损。

采用有机树脂作为绝缘层，由于材料本身的特点，绝缘层一般通过旋涂或喷墨的方式加工，为保证绝缘层的固化效果及其厚度的均匀性，绝缘层只能进行单侧加工，也就是说，在实际加工过程中，玻璃芯板单侧的所有膜层加工完成后，才可进行另一侧所有膜层的加工。又因加工过程中金属层和玻璃芯板之间必然产生较大的热应力，这样，玻璃芯板在单侧制程中就会累计多层金属层的应力，导致玻璃发生严重翘曲、甚至破损，而无论是玻璃的严重翘曲还是破损，都无法进行下一步制程，也就是说，无法进行玻璃芯板另一侧所有膜层的加工。

为改善玻璃封装基板的翘曲，本申请实施例提供了一种玻璃封装基板的制作方法及玻璃封装基板、封装体。下面将结合附图对本申请实施例提供的玻璃封装基板的制作方法及玻璃封装基板、封装模块进行说明。

如图1、图2所示，本申请第一方面的实施例提供了一种玻璃封装基板1的制作方法，其包括以下步骤：

步骤S101、提供玻璃芯板10，玻璃芯板10包括第一表面101以及与其相对的第二表面102；

步骤S102、在玻璃芯板10上形成导电通孔20；

步骤S103、在玻璃芯板10的第一表面101和第二表面102上同时形成第一导电层30；

步骤S104、在两个第一导电层30的背离玻璃芯板10的一侧同时形成至少一膜层结构40，每一膜层结构40包括ABF(英文全称为Ajinomoto Build-up Film，薄膜状层间绝缘材料)层401和第二导电层402，第二导电层402位于ABF层401的背离玻璃芯板的一侧；

步骤S105、在两个第二导电层402上形成阻焊层50和第三导电层60。

需要说明的是，文中提到的“同时”可指同步进行，也可指允许存在一定的时间延迟。

本申请实施例提供的玻璃封装基板的制作方法中，膜层结构40包括ABF层401和第二导电层402，ABF层的固化温度低，固化温度在200℃以内，可降低整个玻璃封装基板的制程温度，进而可降低第一导电层30和第二导电层402在玻璃芯板10上产生的应力，改善玻璃封装基板的翘曲。另一方面，ABF层401，由于材料本身的特点，其可直接压合成膜于玻璃芯板上，因此可在玻璃芯板10的两侧同时加工ABF层401，进而可在玻璃芯板10 的两侧同时第二导电层402，也就是说，可在玻璃芯板10的两侧同时加工膜层结构40；在玻璃芯板10的第一表面101和第二表面102上同时加工第一导电层30，两个第一导电层 30在玻璃芯板10的第一表面101和第二表面102产生的应力方向相反，两个第一导电层 30在玻璃芯板10的第一表面101和第二表面102产生的应力可至少部分抵消，在玻璃芯板 10的两侧同时加工第二导电层402，两个第二导电层402在玻璃芯板10的两侧产生的应力方向相反，两个第二导电层402在玻璃芯板10的两侧产生的应力可至少部分抵消，从而可在很大程度上改善玻璃封装基板的翘曲。此外，在玻璃芯板10的两侧同时加工第一导电层、膜层结构，可大大节省玻璃封装基板的制程时间，提高制作效率，降低封装成本。

在本申请的一些实施例中，如图3、图4所示，在步骤S102中，在玻璃芯板10上形成导电通孔20，包括以下步骤：

S1021、在玻璃芯板10上形成通孔201。

在一些实施例中，如图5、图8所示，在玻璃芯板10上形成通孔201，包括在玻璃芯板10 上通过激光改性再刻蚀的方式形成圆柱形通孔201。在本申请实施例中，通过激光照射玻璃芯板10，可将玻璃芯板10的各向同性改变为各向异性，以方便在玻璃芯板10上刻蚀加工出通孔，提高加工效率。

一些实施例中，如图6、图9所示，在玻璃芯板10上形成通孔201，包括在玻璃芯板10上，通过在第一表面101和第二表面102中的一者上进行刻蚀，在第一表面101和第二表面102的另一者上进行减薄，形成漏斗形通孔201。本实施例中，通过刻蚀和减薄两种加工方式的配合使用，可减小通孔201的加工难度，提高加工效率，降低加工成本。需要说明的是，在玻璃芯板10的第一表面101和第二表面102上的减薄和刻蚀可同时进行，也可分开进行。

一些实施例中，如图7、图10所示，在玻璃芯板10上形成通孔201，包括在玻璃芯板10 上，通过在第一表面101和第二表面102上进行减薄，然后在第一表面101和第二表面102进行刻蚀，形成沙漏形通孔201。本实施例中，先对第一表面101和第二表面102上进行减薄，然后在第一表面101和第二表面102进行刻蚀，可减小在玻璃芯板上加工通孔的难度，尤其是针对厚度较大的玻璃芯板，可明显提高加工效率，降低加工成本。需要说明的是，可在第一表面101和第二表面102上同时进行减薄，可在第一表面101和第二表面102上同时进行刻蚀。

S1022、在通孔201内填充导电结构202。

一些实施例中，如图5至图7所示，在通孔201内填充导电结构202，包括在通孔201内填满导电材料，导电材料可为金属，优选为铜。在本实施例中，通过在通孔201内直接填满导电材料，形成填充于通孔201内的导电结构202，操作简单易行，提高加工效率。

一些实施例中，如图8至图10所示，在通孔201内填充导电结构202，包括在通孔201的孔壁上形成第四导电层2021，在通孔201的中心填充绝缘材料，第四导电层2021可为金属层，优选为铜层，可通过电镀的方式形成于通孔201的孔壁上，绝缘材料可为有机树脂。在本实施例中，在通孔201的孔壁上形成第四导电层2021，在通孔201的中心填充绝缘材料，通过第四导电层2021实现玻璃芯板10两侧的膜层间的电气互连，可节省金属材料的用量，降低加工成本，提高加工效率。

一些实施例中，第四导电层2021的厚度在5um以上，在通过201的孔壁形成5um以上的第四导电层2021，以保证玻璃芯板10两侧的膜层间的有效电气互连，进而保证玻璃封装基板对高频信号的传递。

在本申请实施例中，通过在玻璃芯板10上形成通孔201，在通孔201内填充导电结构202，以实现玻璃芯板10两侧的膜层间的电气互连，进而保证玻璃封装基板对高频信号的传递。

在本申请的一些实施例中，如图11、图13所示，在步骤S103中，在玻璃芯板10的第一表面101和第二表面102上同时形成第一导电层30，包括：

步骤S1031、在第一表面101和第二表面102上同时形成第一子导电层。

在第一表面101和第二表面102上，可通过磁控溅射的方式同时形成第一子导电层，第一子导电层可为金属层，金属层可包括钛层和铜层。

步骤S1032、在两个第一子导电层的背离玻璃芯板10的一侧同时形成第二子导电层，完成第一表面101和第二表面102上的第一导电层30的初加工。

在第一子导电层上，可通过电镀的方式形成第二子导电层，第二子导电层可为金属层，优选为铜层。

步骤S1033、对初加工形成的两个第一导电层30同时进行图案化处理。

在初加工形成的两个第一导电层30上，通过贴干膜、曝光、显影、刻蚀，完成图案化处理。

第一导电层30的厚度较大，一般在1um以上，很难通过磁控溅射的方式一次加工成型，而玻璃芯板10为绝缘材料，无法直接电镀第一导电层30，为此，本实施例通过将磁控溅射和电镀两种加工工艺配合来加工第一导电层30，这样，即可方便第一导电层30的加工，又能保证第一导电层30的厚度。

在本申请的一些实施例中，如图12、图13所示，在步骤S103中，在玻璃芯板10的第一表面101和第二表面102上同时形成第一导电层30，包括：

步骤S103-1、在第一表面101和第二表面102上同时形成第一子导电层；

在第一表面101和第二表面102上，可通过磁控溅射的方式同时形成第一子导电层，第一子导电层可为金属层，金属层可包括钛层和铜层。

步骤S103-2、在两个第一子导电层的背离玻璃芯板10的一侧同时贴干膜，通过曝光、显影同时对两个干膜进行图案化处理，露出第一子导电层；

步骤S103-3、在露出的第一子导电层上同时形成第二子导电层；

在第一子导电层上，可通过电镀的方式形成第二子导电层，第二子导电层可为金属层，优选为铜层。

步骤S103-4、去除干膜，完成两个第一导电层30的初加工；

步骤S103-5、在初加工形成的两个第一导电层30上同时进行刻蚀，完成两个第一导电层 30的图案化处理。

在本申请的实施例中，在第一子导电层上贴干膜，对干膜进行图案化处理，然后再露出的第一子导电层上形成第二子导电层，这样第二子导电层不会铺满整个第一子导电层，可节省电镀材料，降低制作成本；另外，由于第二子导电层不会铺满整个第一子导电层，在对初加工的第一导电层30进行图案化处理时，部分图案会直接在第一子导电层上刻蚀，这样，刻蚀的厚度减小，可提高图案化的精度，节省刻蚀时间，提高制作效率。

在本申请的一些实施例中，如图14、图15所示，在步骤S104中，在两个第一导电层30 的背离玻璃芯板10的一侧同时形成至少一膜层结构40，包括：

步骤S1041、在两个第一导电层30的背离玻璃芯板10的一侧同时形成ABF层401。

步骤S1042、在两个ABF层401的背离玻璃芯板10的一侧同时形成第二导电层402。

第二导电层402可为金属层，优选为铜层。

相关技术的玻璃封装基板制程中，玻璃芯板单侧的所有膜层加工完成后，才可进行另一侧所有膜层的加工，又因加工过程中金属层和玻璃芯板之间必然产生较大的热应力，这样，当玻璃芯板两侧的金属层的层数越多，玻璃芯板在单侧制程中就会累计多层金属层的应力，导致玻璃发生严重翘曲、甚至破损，无论是玻璃发生严重翘曲还是破损，都无法进行下一步制程，也就是说，无法进行玻璃芯板另一侧所有膜层的加工，因此，现有的玻璃封装基板的工艺制程很难制备多层玻璃封装基板。而在本申请的实施例中，ABF材料具有可压合成膜的特性，因此在两个第一导电层30的背离玻璃芯板10的一侧同时形成ABF层，进而可在玻璃芯板10的两侧同时形成第二导电层402；由于两个第二导电层402同时形成于玻璃芯板10的两侧，两个第二导电层402在玻璃芯板10的两侧产生的应力方向相反，两个第二导电层402在玻璃芯板10的两侧产生的应力可至少部分抵消，因此，在两个第一导电30的背离玻璃芯板10的一侧同时形成多个膜层结构40时，施加于玻璃芯板10两侧的应力均可至少部分抵消，从而克服相关技术中金属层的层数越多，玻璃芯板10发生严重翘曲、甚至破损的几率越大的问题，使得本申请实施例的工艺制程可用于制备多层玻璃封装基板。

在本申请的一些实施例中，如图16、图17所示，在步骤S1041中，在两个第一导电层30 的背离玻璃芯板10的一侧同时形成ABF层401，包括：

步骤S1041-1、在两个第一导电层30的背离玻璃芯板10的一侧同时压合形成ABF层401。

步骤S1041-2、进行两个ABF层401的固化。

步骤S1041-3、在两个ABF层401上开孔。

可通过激光烧蚀的方式在两个ABF层401上开孔。

在本申请的一些实施例中，如图18所示，在步骤S1042中，在两个ABF层401的背离玻璃芯板10的一侧同时形成第二导电层402，包括：

步骤S1042-1、在两个ABF层401的背离玻璃芯板10的一侧同时形成第三子导电层。

在两个ABF层401的背离玻璃芯板10的一侧，通过磁控溅射的方式形成第三子导电层，第三子导电层可为金属层，金属层可包括钛层和铜层。

步骤S1042-2、在两个第三子导电层的背离玻璃芯板10的一侧同时贴干膜，通过曝光、显影同时对两个干膜进行图案化处理，露出第三子导电层。

步骤S1042-3、在露出的第三子导电层上同时形成第四子导电层。

在第三子导电层上，通过电镀的方式形成第四子导电层，第四子导电层可为金属层，优选为铜层。

步骤S1042-4、去除干膜，完成两个第二导电层402的初加工。

步骤S1042-5、在初加工形成的两个第二导电层402上同时进行刻蚀，完成两个第二导电层40的图案化处理。

在本申请的实施例中，在第三子导电层上贴干膜，对干膜进行图案化处理，然后再露出的第三子导电层上形成第四子导电层，这样第四子导电层不会铺满整个第三子导电层，可节省电镀材料，降低制作成本；另外，由于第四子导电层不会铺满整个第三子导电层，在对初加工的第二导电层402进行图案化处理时，部分图案会直接在第三子导电层上刻蚀，这样，刻蚀的厚度减小，可提高图案化的精度，节省刻蚀时间，提高制作效率。

在本申请的一些实施例中，如图19所示，在步骤S1042中，在两个ABF层401的背离玻璃芯板的一侧同时形成第二导电层402，包括：

步骤S10421、在两个ABF层401的背离玻璃芯板10的一侧同时形成第三子导电层。

在两个ABF层401的背离玻璃芯板10的一侧，通过磁控溅射的方式形成第三子导电层，第三子导电层可为金属层，金属层可包括钛层和铜层。

步骤S10422、在两个第三子导电层的背离玻璃芯板10的一侧同时形成第四子导电层，完成两个ABF层401的背离玻璃芯板10的一侧的第二导电层402的初加工。

在第三子导电层上，通过电镀的方式形成第四子导电层，第四子导电层可为金属层，优选为铜层。

步骤S10423、对初加工形成的两个第二导电层402同时进行图案化处理。

在初加工形成的两个第二导电层402上，通过贴干膜、曝光、显影、刻蚀，完成图案化处理。

第二导电层402的厚度较大，一般在1um以上，很难通过磁控溅射的方式一次加工成型，而玻璃芯板10为绝缘材料，无法直接电镀第二导电层402，为此，本实施例通过将磁控溅射和电镀两种加工工艺配合来加工第二导电层402，这样，即可方便第二导电层402的加工，又能保证第二导电层402的厚度。

在本申请的一些实施例中，如图20所示，在步骤105中，在两个第二导电层402上形成阻焊层50和第三导电层60的步骤，包括：

步骤1051、在两个第二导电层402通过贴膜或旋涂的方式形成阻焊层50。

阻焊层50可采用绝缘层。

步骤1052、在阻焊层50上，通过曝光、显影将连接焊盘位置的第二导电层402露出。

步骤1053、在露出的第二导电层402上形成第三导电层60。

在露出的第二导电层402上通过化学镀的方式形成第三导电层60，第三导电层60采用金属层，优选的，金属层包括镍层和金层，或者金属层包括镍层、钯层和金层。

如图21所示，本申请第二方面的实施例提供一种玻璃封装基板，包括通过第一方面中任意实施例中的制作方法制作而成的玻璃封装基板1。

本申请实施例的玻璃封装基板，通过上述任意实施例中的制作方法制作而成，因此，本申请实施例的玻璃封装基板的翘曲可得到极大改善，而且，玻璃封装基板的制程时间短，制作效率提高，可降低封装成本。

在本申请的一些实施例中，如图5至图10所示，导电通孔20包括形成于玻璃芯板10上的通孔201，以及填充于通孔201内的导电结构202，通孔201采用圆柱形通孔、漏斗形通孔或沙漏形通孔。

在本申请的一些实施例中，如图5至图7所示，导电结构202包括导电体，导电体与通孔 201的形状相适配，导电体采用金属材料制成，优选为铜。通过在通孔201内直接填充导电体，操作简单易行，可提高加工效率。

在本申请的一些实施例中，如图8至图10所示，导电结构202包括第四导电层2021和绝缘体，第四导电层2021设置在通孔201的孔壁上，绝缘体设置在通孔201的中心，第四导电层采用金属材料制成，优选为铜，绝缘体采用有机树脂制成。通过第四导电层2021实现玻璃芯板10两侧的膜层间的电气互连，可节省金属材料的用量，降低加工成本，提高加工效率。

在本申请的一些实施例中，第四导电层2021的厚度在5um以上，以保证玻璃芯板10两侧的膜层间的有效电气互连，进而保证玻璃封装基板对高频信号的传递。

如图22至图25所示，本申请第三方面的实施例提供一种封装体，包括第二方面中任意实施例中的玻璃封装基板1、裸芯片2和焊球3，所述裸芯片2和焊球3布置在所述玻璃封装基板1的同侧或异侧，所述裸芯片2的数量为一个或多个，所述多个裸芯片2布置在所述玻璃封装基板1的同侧或异侧。

在一些实施例中，多个裸芯片2的种类可相同，也可不同，可根据功能需要来设置。

以上所述仅为本申请的较佳实施例，并非用于限定本申请的保护范围。凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本申请的保护范围内。