一种料山调控装置、窑炉及料山调控方法

技术领域

本发明涉及TFT液晶玻璃基板制造技术领域，具体为一种料山调控装置、窑炉及料山调控方法。

背景技术

在TFT液晶玻璃基板生产中，窑炉作为最为昂贵且最为重要的核心设备之一，它的主要任务是将配合料高温熔解，形成符合下道工序需求的优质玻璃液，玻璃液熔制质量的好坏，直接影响到生产线成品玻璃产品品质。

在TFT液晶玻璃基板制造过程中，窑炉下部采用与玻璃液直接接触的电加热为主，上部空间采用全氧天燃气燃烧为辅进行玻璃熔制，窑炉常采用在两侧胸墙上，同等高度下两侧胸墙相对应安装数对天然气燃枪，通过天然气燃烧在池炉内营造温度场来熔化玻璃原料。

在TFT液晶玻璃基板制造过程中，采用在窑炉前部安装两台螺旋供料式投料机持续向窑炉内投入玻璃配合料，刚进入窑炉内的玻璃配合料因为温度低，会在窑炉前区产生堆积产生料山，左右两个料山相互独立，单侧料山会向对应一侧的池壁砖倾斜，两料山呈八字形在窑炉内分布，料山前部因为温度高，会由粉末颗粒状逐步熔化成玻璃液，随着玻璃液的产生，会在窑炉前区形成对流。窑炉前区受投料影响，是玻璃配合料由粉态向液态转变区域。受投料和熔化状态的变化，会出现左右侧料山交叉或者一侧料山向另一侧料山偏移，料山偏移会使对流产生变化，窑炉内温度也会随之波动，料山的波动会造成熔制质量不良的玻璃流入下一工序，窑炉内温度的波动会造成熔解质量进一步恶化，从而在成品玻璃板上产生玻璃缺陷，给生产质量和成本管控到来严重影响。

发明内容

针对现有技术中存在的在TFT液晶玻璃基板制造过程中，由于料山受热不均及料山偏移导致的TFT液晶玻璃基板熔制质量差有缺陷的问题，本发明提供一种料山调控装置、窑炉及料山调控方法。

为达到上述目的，本发明采用以下技术方案予以实现：

本发明提供一种料山调控装置，包括设置在窑炉前墙上的若干安装口，所述安装口位于相邻两投料口之间，且安装口内设置有燃气装置，用于对料山进行加热修正；所述燃气装置连接窑炉燃烧控制系统。

优选地，所述安装口设置于以投料口向上沿8m，以投料口向下5m的区域内。

优选地，所述安装口的直径自窑炉前墙外壁至窑炉前墙内壁逐渐增大。

优选地，所述安装口位于相邻两投料口之间的中心线上。

优选地，所述安装口的上方设置有接尘砖。

优选地，所述接尘砖的宽度大于安装口的最大直径。

优选地，所述燃气装置的轴向长度小于窑炉前墙的厚度。

优选地，所述燃气装置的气量为0～20m

本发明提供一种窑炉，包括上述的料山调控装置。

一种利用上述装置的料山调控方法，包括以下步骤：

根据料山的大小及位置，获取目标火焰覆盖区域面积；

目标火焰覆盖区域面积，选择燃气装置枪头，并安装；

利用窑炉燃烧控制系统控制燃气装置进气量，控制燃气装置的火焰长度和温度，对料山进行调控，直至料山恢复正常，降低燃气装置进气量，直至燃气装置气量降至2.5m

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：

本发明提供一种料山调控装置，通过在窑炉前墙上的设置若干安装口，所述安装口位于相邻两投料口之间，安装口内设置有燃气装置，通过燃气装置的设置，可提高前区投料区域温度，在两料山中间形成高温区域，通过高温熔化两侧偏移至中间区域的料山，同时通过燃气装置的燃烧气流起到分料作用，形成热墙隔断左右两料山，使料山受热均匀，窑炉前区对流稳定，从而保证料山、窑炉温度长期稳定，防止料山受热不均，料山偏移，提高TFT液晶玻璃基板熔制质量。

进一步地，所述安装口设置为直径自窑炉前墙外壁至窑炉前墙内壁逐渐增大，可为燃气装置预留火焰辐射空间，防止燃气装置周围的耐火材料影响火焰辐射效果，保证燃气装置正常工作。

进一步地，安装口位置的设置可进一步保障对料山调整的作用效果，保证前区投料区域温度，进一步提升料山温度的稳定性。

进一步地，接尘砖的设置可有效防止TFT液晶玻璃基板熔制过程中，流淌物和挥发物掉落影响燃气装置的燃烧，从而保证燃气装置正常工作，提升燃气装置的使用寿命，减小维修成本。

进一步地，燃气装置的轴向长度小于窑炉前墙的厚度，防止燃气装置暴露在窑炉内部，确保燃气装置的安全，防止因燃气装置融化导致熔液污染影响TFT液晶玻璃基板熔制质量，确保燃气装置的使用寿命。

进一步地，对燃气装置气量和枪头的设置，可保证燃烧火焰辐射的温度和辐射面积符合对料山调控的标准。

本发明还提供一种窑炉，包括上述料山调控装置，该窑炉受热均匀，温度保持长期稳定的特点，熔制的TFT液晶玻璃基板质量均匀，从而控制生产质量和生产成本，经济效益好，操作方便，结构简单，改造成本低。

本发明还提供一种利用上述装置的料山调控方法，该方法通过根据料山的大小及位置，确定目标火焰覆盖区域面积，选择燃气装置枪头，并安装，利用窑炉燃烧控制系统控制燃气装置进气量，控制燃气装置的火焰长度和温度，实现对料山进行调控，提高前区投料区域温度，在两料山中间形成高温区域，通过高温熔化两侧偏移至中间区域的料山，达到使料山受热均匀，窑炉前区对流稳定的目的，保证料山、窑炉温度长期稳定，方法简单，易操控，是TFT液晶玻璃基板制造技术领域前沿技术。

附图说明

图1为本发明的一种料山调控装置结构示意图。

图2为本发明的一种料山调控装置的主视图。

图3为本发明的一种料山调控装置的B-B向剖视图。

图4为本发明的一种料山调控装置的俯视图。

图5为本发明的一种料山调控装置的侧视图。

图6为本发明的料山调控方法流程图。

其中，1-安装口，2-燃气装置，3-投料口，4-窑炉前墙，5-接尘砖，6-料山，7-火焰燃烧区域，8-燃气装置安装区域。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本发明实施例的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、“水平”、“内”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

此外，若出现术语“水平”，并不表示要求部件绝对水平，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。

在本发明实施例的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，若出现术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

下面结合具体的实施例对本发明做进一步的详细说明，所述是对本发明的解释而不是限定。

参见图1至图5，本发明公开了一种料山调控装置，包括若干安装口1，所述安装口1设置在窑炉前墙4上相邻两投料口3之间；安装口内设置有燃气装置2，用于对料山6进行加热修正，所述燃气装置2的轴向长度小于窑炉前墙的厚度；所述燃气装置2连接窑炉燃烧控制系统；所述安装口1设置于以投料口3向上沿8m，以投料口3向下5m的燃气装置安装区域8内。所述安装口1的直径自窑炉前墙4外壁至窑炉前墙4内壁逐渐增大，且位于相邻两投料口3之间的中心线上。所述安装口1的上方设置有接尘砖5，所述接尘砖5的宽度大于安装口1的最大直径。优选地，所述燃气装置2的气量为0～20m

本发明提供一种窑炉，包括上述料山调控装置。该窑炉受热均匀，温度保持长期稳定的特点，熔制的TFT液晶玻璃基板质量均匀，从而控制生产质量和生产成本，经济效益好，操作方便，结构简单，改造成本低。

参见图6，本发明还提供一种利用上述装置的料山调控方法，包括以下步骤：

S1：根据料山6的大小及位置，获取目标火焰覆盖区域面积；根据燃气装置两侧料山交叉或者一侧料山向另一侧料山偏移的位置、大小，确定目标火焰覆盖区域面积。

S2：根据目标火焰覆盖区域面积，选择燃气装置2枪头，并安装；燃气装置2枪头直径的大小会影响火焰辐射面积大小，相同燃气量燃枪直径越小火焰辐射面积越小，反之枪头直径越大火焰辐射面积越大。根据燃气装置2两侧料山的大小和需要火焰覆盖的区域面积，选择相应的燃枪直径达到合理的火焰覆盖面积；在安装枪头时，先关闭天然气阀门，更换所需直径的枪头，开启天然气阀门，确认枪头的燃烧状态。

S3：利用窑炉燃烧控制系统控制燃气装置2进气量，控制燃气装置2的火焰长度和温度，对料山6进行调控，直至料山6恢复正常，降低燃气装置进气量，直至燃气装置2气量降至2.5m

实施例1

某窑炉一侧料山在距离前墙1m距离处出现向另一侧料山偏移异常，根据料山的大小和偏移位置，选择直径12mm的枪头，确保足够的火焰覆盖面积；开启燃气装置2，调节初始天然气量为3m

实施例2

某窑炉一侧侧料山在距离窑炉前墙4的2m出现向另一侧料山偏移异常，根据料山的大小和偏移位置，选择直径6mm的枪头，确保足够的火焰覆盖面积；开启燃气装置2，调节初始天然气量为3m

综上所述本发明提供一种料山调控装置、窑炉及料山调控方法，通过燃气装置的设置和对燃气量的调整，可提高前区投料区域温度，在两料山中间形成高温区域，通过高温熔化两侧偏移至中间区域的料山，同时通过燃气装置的燃烧气流起到分料作用，形成热墙隔断左右两料山，使料山受热均匀保证料山及窑炉温度长期稳定，防止料山受热不均，料山偏移，提高TFT液晶玻璃基板熔制质量。

以上所述的仅仅是本发明的较佳实施例，并不用以对本发明的技术方案进行任何限制，本领域技术人员应当理解的是，在不脱离本发明精神和原则的前提下，该技术方案还可以进行若干简单的修改和替换，这些修改和替换也均属于权利要求书所涵盖的保护范围之内。