一种超厚高低频金属外壳的封接方法

技术领域

本发明涉及玻璃封接与电子封装技术领域，具体而言涉及一种超厚高低频金属外壳的封接方法。

背景技术

随着通信技术的迅速发展，电子设备及系统的集成度越来越高。对于金属外壳也逐渐提出了小型化、集成化、模块化等方面的高要求。混合混装玻璃封接金属外壳、高低频混装连接器已广泛应用于各领域。

在封接过程中，对于常规封接厚度(1～2.5mm)的金属外壳较为容易实现封接，一旦封接厚度大于4mm，其封接难度大大提高。通常采用多节玻璃坯组合使用，或用玻璃管进行封接。其中，多节玻璃坯组合封接易导致玻璃严重外溢，而玻璃管则粒重与高度不能很好的满足需求，常出现高度合适，粒重不足在封接后出现玻璃下陷的情况，当满足所需粒重时，出现因高度超出范围而无法装配封接。

因此，有必要开发一种超厚高低频金属外壳的封接方法来解决上述技术问题。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种超厚高低频金属外壳的封接方法，为超厚高低频金属外壳以及其他金属外壳的生产制造奠定基础。

本发明解决技术问题所采用的技术方案是：一种超厚高低频金属外壳的封接方法，所述封接方法为将壳体、引线、玻璃进行装配后置于选定气氛中进行；具体包括以下步骤：

步骤1)、将原料进行预氧化和检验，得到待装配的壳体、引线和玻璃；

步骤2)、先将一节玻璃与壳体、引线装配好后，将石墨柱套在引线上给玻璃压力，组装好后将整体置于选定气氛中，在800～1200℃进行第一次封接；

步骤3)、第一次封接完成后，拆下模具与石墨柱，将封接后的高低频金属外壳在稀释的氢氟酸中处理数十秒；

步骤4)、在步骤3)处理后的高低频金属外壳上装配第二节玻璃，装配好后置于选定气氛中，在800～1200℃进行第二次封接；

步骤5)、将封接后的高低频金属外壳进行镀覆处理。

进一步地，所述壳体的材质为4J29可伐合金、4J33可伐合金、碳钢、不锈钢或钛壳。

进一步地，所述引线的材质为4J29可伐合金、4J29铜芯复合、4J50合金或4J50铜芯复合。

进一步地，所述玻璃为BH玻璃、ELAN玻璃或CORN玻璃。

进一步地，所述步骤2)和步骤4)中，选定气氛的气体为氮气、氦气、氢气、氧气的任意一种或两种以上组合。

进一步地，所述步骤2)中，第一次封接的时间为10～40min；所述步骤4)中，第二次封接的时间为10～40min。

进一步地，所述步骤5)中，高低频金属外壳的镀覆方式为镀金、镀镍、镀铜的任意一种或两种以上组合。

本发明的有益效果是：与现有技术相比，本发明提供的一种超厚高低频金属外壳的封接方法，具有以下几点优势：

1)、本发明提供的一种超厚高低频金属外壳的封接方法是利用两节玻璃分步封接取代常规的两节玻璃一步封接，其流程简单，具有外观与性能均佳，且不良率低；分步封接时，在一步封接后测试电阻存在导通，剖样后两节玻璃之间存在空腔；这是因为玻璃坯中的有机高分子在高温下成为气体挥发；一节玻璃封接时会通过玻璃上下面同时逸散，进而保证气体充分排出；在一节玻璃完成封接后，再进行第二节玻璃的封接，可避免这种空腔的形成，进而保证高的绝缘电阻和击穿电压，有效提升了高低频金属外壳的品质；

而现有的两节玻璃一步封接时，在两节玻璃交界处由于气体逸散受阻，无法充分排出，形成空腔，该气体可能为CH

2)、本发明提供的一种超厚高低频金属外壳的封接方法，可为其他超厚的金属外壳生产制备提供技术支持。

附图说明

图1为实施例提供的封接方法的结构示意图。

图2为实施例提供的封接方法封接得到的金属外壳剖样后的图片。

图3为对比例提供的封接方法的结构示意图。

图4为对比例提供的封接方法封接得到的金属外壳剖样后的图片。

其中，1-引线；2-石墨柱；3-壳体；4-玻璃。

具体实施方式

下面通过具体实施例来进一步说明本发明。但这些实例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。

实施例

如图1所示，一种超厚高低频金属外壳的封接方法，所述封接方法为将壳体、引线、玻璃进行装配后置于选定气氛中进行；具体包括以下步骤：

步骤1)、将原料进行预氧化和检验，得到待装配的壳体、引线和玻璃；

步骤2)、先将一节玻璃与壳体、引线装配好后，将石墨柱套在引线上给玻璃压力，组装好后将整体置于选定气氛中，在800～1200℃进行第一次封接；

步骤3)、第一次封接完成后，拆下模具与石墨柱，将封接后的高低频金属外壳在稀释的氢氟酸中处理数十秒；用于处理掉第一次封接过程中，玻璃表面粘附的石墨，避免二次封接时熔进玻璃，导致电阻下降或者导通；

步骤4)、在步骤3)处理后的高低频金属外壳上装配第二节玻璃，装配好后置于选定气氛中，在800～1200℃进行第二次封接；

步骤5)、将封接后的高低频金属外壳进行镀覆处理。

所述壳体的材质为4J29可伐合金、4J33可伐合金、碳钢、不锈钢或钛壳。所述引线的材质为4J29可伐合金、4J29铜芯复合、4J50合金或4J50铜芯复合。所述玻璃为BH玻璃、ELAN玻璃或CORN玻璃。

所述步骤2)和步骤4)中，选定气氛的气体为氮气、氦气、氢气、氧气的任意一种或两种以上组合。

所述步骤2)中，第一次封接的时间为10～40min；所述步骤4)中，第二次封接的时间为10～40min。

所述步骤5)中，高低频金属外壳的镀覆方式为镀金、镀镍、镀铜的任意一种或两种以上组合。

上述方法得到的高低频金属外壳外观良好，剖样后玻璃间没有空洞(如图2所示)，电阻与耐电压测试后均满足要求(DC500V 1GΩ、AC 1000V漏电流不超过1mA)。

对比例

一种超厚高低频金属外壳的封接方法，包括：将壳体、引线、玻璃进行装配后置于选定气氛中进行所述的封接；将所述原料进行预氧化和检验，得到待装配的壳体、引线和玻璃；其中，所述壳体材质为4J29可伐合金、4J33可伐合金、碳钢、不锈钢或钛壳；所述引线材质为4J29可伐合金、4J29铜芯复合、4J50合金或4J50铜芯复合，所述玻璃为BH玻璃、ELAN玻璃、CORN玻璃；封接温度为800～1200℃，时间为10～40min；所述高低频金属外壳的镀覆方式为镀金、镀铜、镀镍中的任意一种或两种以上组合。

所述封接方式为两节玻璃一步封接；所述一步封接如图3所示，将两节玻璃同时与壳体、引线装配好后置于选定气氛中，在800～1200℃进行封接。所述选定气氛的气体为氮气、氦气、氢气、氧气的任意一种或两种以上组合；

所述方法得到的高低频金属外壳外观良好，但剖样后玻璃间出现如图4所示的空洞，电阻测试后呈现为导通现象(DC500V 1GΩ)、耐电压测试后出现击穿现象(AC 1000V漏电流不超过1mA)。

以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应由权利要求限定。