一种植物照明用深红色荧光陶瓷及其制备方法

技术领域

本发明属于发光材料技术领域，涉及一种荧光陶瓷，具体涉及一种植物照明用深红色荧光陶瓷及其制备方法。

背景技术

LED灯具能够产生高亮度的光照，同时具有较低的能耗和热量产生，因此被广泛应用于植物照明领域。此外，LED灯具还能够发出不同波长的光线，以适应不同植物的需求。蓝色光线可以促进植物生长，而红色光线则可以促进植物开花和果实生长。因此，在植物照明中使用LED灯具可以更好地控制植物的生长和发育。

与传统的白光或单一波长的蓝光或红光相比，深红色荧光陶瓷寿命长、能量利用率高、热量产生少，并且当Cr

发明内容

本发明的目的之一是提供一种植物照明用深红色荧光陶瓷，能量利用率高，可实现高效深红光发射。

本发明的目的之二是提供上述植物照明用深红色荧光陶瓷的制备方法，环保节能，易于实现工业化生产。

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：一种植物照明用深红色荧光陶瓷，该荧光陶瓷的化学通式为：

Y

其中，x为Ce

本发明提供的荧光陶瓷在460nm蓝光激发下发射深红光，发射波长范围在650～800nm之间。

另一方面，本发明提供上述植物照明用深红色荧光陶瓷的制备方法，具体包括以下步骤：

(1)按照化学式Y

(2)将步骤(1)得到的混合料浆置于干燥箱中干燥，再将干燥后的混合粉体过筛；

(3)将步骤(2)过筛后的粉体放入磨具中干压成型，再进行冷等静压成型，得到相对密度为50％～55％的素坯；

(4)将步骤(3)所得素坯置于真空炉中烧结，烧结温度1600℃～1820℃，保温时间8h～24h，烧结真空度不低于10

(5)将步骤(4)所得荧光陶瓷在空气中退火处理，退火温度1300～1450℃，保温时间8h～24h，得到相对密度为99.5％～99.9％的荧光陶瓷。

优选的，步骤(1)中，所述球磨介质是无水乙醇，原料粉体与球磨介质的质量体积比为1g：(2～4)mL。

优选的，步骤(1)中，所述球磨转速为180r/min～220r/min，球磨时间为12h～18h。

优选的，步骤(2)中，所述干燥时间为20h～25h，干燥温度为75℃～85℃。

优选的，步骤(2)中，所述过筛的筛网目数为50目～200目，过筛次数为1～3次。

优选的，步骤(3)中，所述冷等静压保压压力150～200Mpa，保压时间200～400s。

优选的，步骤(4)中，真空烧结阶段的升温速率为1～10℃/min，烧结完毕后降温速率为1～10℃/min。

与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：

1.本发明采用Cr

2.本发明采用Cr

3.本发明荧光陶瓷的最强发射峰位于710nm深红光波段，可以为植物提供更为适宜的光谱环境，从而促进植物的生长和发育。

4.本发明采用Sc

附图说明

图1为本发明实施例1至3制得的荧光陶瓷的XRD图。

图2为本发明实施例1制得的荧光陶瓷的发射光谱图。

图3为本发明实施例3制得的荧光陶瓷的电致发光图谱。

图4为本发明实施例1至3制得的荧光陶瓷的发光效率图。

图5为本发明实施例1制得的荧光陶瓷的变温发射光谱图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。

以下实施例所用的原料粉体均为市售商品，原料粉体的粒径为60～80nm，纯度为99.99％。

实施例1：制备化学式为Y

(1)按照化学式Y

(2)将步骤(1)得到的混合料浆置于80℃干燥箱中干燥20h，再将干燥后的混合粉体用100目筛网过筛3次；

(3)将步骤(2)过筛后的粉体放入磨具中干压成型，再进行200Mpa冷等静压成型200s；

(4)将步骤(3)所得素坯置于真空炉中烧结，烧结温度1700℃，保温时间10h，烧结真空度不低于10Pa，得到荧光陶瓷；

(5)将步骤(4)所得荧光陶瓷在空气中退火处理，退火温度1450℃，保温时间10h。

本实例中得到的Y

实施例2：制备化学式为Y

(1)按照化学式Y

(2)将步骤(1)得到的混合料浆置于80℃干燥箱中干燥20h，再将干燥后的混合粉体用100目筛网过筛3次；

(3)将步骤(2)过筛后的粉体放入磨具中干压成型，再进行200Mpa冷等静压成型200s；

(4)将步骤(3)所得素坯置于真空炉中烧结，烧结温度1720℃，保温时间10h，烧结真空度不低于10Pa，得到荧光陶瓷；

(5)将步骤(4)所得荧光陶瓷在空气中退火处理，退火温度1450℃，保温时间10h。

本实例中得到的Y

实施例3：制备化学式为Y

(1)按照化学式Y

(2)将步骤(1)得到的混合料浆置于80℃干燥箱中干燥20h，再将干燥后的混合粉体用100目筛网过筛3次；

(3)将步骤(2)过筛后的粉体放入磨具中干压成型，再进行200Mpa冷等静压成型200s；

(4)将步骤(3)所得素坯置于真空炉中烧结，烧结温度1740℃，保温时间10h，烧结真空度不低于10Pa，得到荧光陶瓷；

(5)将步骤(4)所得荧光陶瓷在空气中退火处理，退火温度1450℃，保温时间10h。

本实例中得到的Y

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，都应涵盖在本发明的保护范围之内。