显示面板

技术领域

本发明涉及显示面板，更加详细地涉及能够修复缺陷像素的显示面板。

背景技术

显示面板包括显示图像的多个像素。像素的每一个可以包括像素驱动电路以及连接于像素驱动电路的发光元件。像素驱动电路可以包括至少一个薄膜晶体管以及电容器。构成像素驱动电路的薄膜晶体管以及电容器可以根据从驱动电路提供的电信号来控制发光元件。

发明内容

本发明的目的在于提供针对缺陷像素的修复工艺的产出率得到提升的显示面板。

根据本发明的显示面板包括：基底层，包括显示区域以及非显示区域；修复电路，配置于所述非显示区域；像素，配置于所述显示区域，并包括像素电路以及电连接于所述像素电路的发光元件；以及修复线，电连接于所述修复电路，并从所述修复电路朝向所述像素延伸，所述像素电路包括：硅晶体管，包括：硅半导体图案，包括第一输入区域、第一沟道区域以及第一输出区域；以及第一栅极，配置于所述硅半导体图案上并重叠于所述第一沟道区域；氧化物晶体管，包括：遮光图案，配置于所述第一栅极上并配置于与所述修复线相同的层上；氧化物半导体图案，配置于所述遮光图案上并包括第二输入区域、第二沟道区域以及第二输出区域；以及第二栅极，配置于所述氧化物半导体图案上并重叠于所述第二沟道区域；以及桥接电极，配置于与所述第二栅极相同的层上，并重叠于所述修复线，并且电连接于所述发光元件以及所述硅晶体管。

可以是，其特征在于，所述显示面板还包括：第一连接电极，配置于所述第二栅极上，并连接于所述硅晶体管的所述第一输出区域以及所述桥接电极，并且电连接于所述发光元件。

可以是，其特征在于，所述显示面板还包括：第二连接电极，配置于所述第一连接电极上，并连接于所述第一连接电极以及所述发光元件。

可以是，其特征在于，所述显示面板还包括：第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层以及第五绝缘层，依次配置于所述基底层上，所述硅晶体管的所述硅半导体图案配置于所述基底层和所述第一绝缘层之间，所述硅晶体管的所述第一栅极配置于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间，所述氧化物晶体管的所述遮光图案以及所述修复线的每一个配置于所述第二绝缘层和所述第三绝缘层之间，所述氧化物晶体管的所述氧化物半导体图案配置于所述第三绝缘层和所述第四绝缘层之间，所述氧化物晶体管的所述第二栅极以及所述桥接电极的每一个配置于所述第四绝缘层和所述第五绝缘层之间，所述第一连接电极配置于所述第五绝缘层上，并通过贯通所述第五绝缘层形成的接触孔而与所述桥接电极连接。

可以是，其特征在于，所述遮光图案包括金属层，所述遮光图案电连接于所述第二栅极。

可以是，其特征在于，所述修复电路包括与所述硅晶体管相同的叠层结构的修复晶体管。

可以是，其特征在于，所述修复电路还包括配置于与所述第二栅极相同的层上并电连接于所述修复线以及所述修复晶体管的子桥接电极。

可以是，其特征在于，所述像素、所述修复电路以及所述修复线的每一个为多个，所述像素在第一方向以及与所述第一方向交叉的第二方向上排列，所述修复电路在所述第一方向以及所述第二方向中的任一个上排列，所述修复线的每一个从所述修复电路中的对应的修复电路在所述第一方向以及所述第二方向中的所述任一个和另一个上延伸。

根据本发明的显示面板包括：基底层，包括显示区域以及非显示区域；第一像素，配置于所述显示区域，并包括第一像素电路以及电连接于所述第一像素电路的第一发光元件；第二像素，配置于所述显示区域，并包括包含断线区域的第二像素电路以及第二发光元件；修复电路，配置于所述非显示区域；以及修复线，电连接于所述修复电路，并从所述修复电路朝向所述第二像素延伸，所述第二像素电路包括：硅晶体管，包括：硅半导体图案，包括第一输入区域、第一沟道区域以及第一输出区域；以及第一栅极，配置于所述硅半导体图案上并重叠于所述第一沟道区域；氧化物晶体管，包括：遮光图案，配置于所述第一栅极上并配置于与所述修复线相同的层上；氧化物半导体图案，配置于所述遮光图案上并包括第二输入区域、第二沟道区域以及第二输出区域；以及第二栅极，配置于所述氧化物半导体图案上并重叠于所述第二沟道区域；以及桥接电极，配置于与所述第二栅极相同的层上，并电连接于所述第二发光元件，所述修复线接通于所述桥接电极而将所述第二发光元件和所述修复电路电连接。

可以是，其特征在于，向所述第二发光元件提供驱动电流的所述硅晶体管的所述第一输出区域包括所述断线区域。

可以是，其特征在于，向所述第二发光元件提供所述驱动电流的所述硅晶体管的所述第一输入区域包括所述断线区域。

可以是，其特征在于，向所述第二发光元件的阳极提供初始化电压的所述硅晶体管的所述第一输入区域包括所述断线区域。

可以是，其特征在于，所述第二像素电路还包括接通于接收第一电源电压的第一电压线和基准节点之间的存储电容器，所述硅晶体管包括：第一晶体管，接通于所述第一电压线和所述第二发光元件之间；第二晶体管，接通于数据线和所述第一晶体管的所述第一输入区域之间；第五晶体管，接通于所述第一电压线和所述第一晶体管的所述第一输入区域之间；第六晶体管，接通于所述第二发光元件和所述第一晶体管的所述第一输出区域之间；第七晶体管，接通于接收第二初始化电压的第三电压线和所述第二发光元件之间；以及第八晶体管，接通于接收第三初始化电压的第四电压线和所述第一晶体管的所述第一输入区域之间，所述氧化物晶体管包括：第三晶体管，接通于所述基准节点和所述第一晶体管的所述第一输出区域之间；以及第四晶体管，接通于所述基准节点和接收第一初始化电压的第二电压线之间，在所述第六晶体管和所述第二发光元件之间以及所述第七晶体管和所述第二发光元件之间的每一个中界定所述断线区域。

可以是，其特征在于，所述修复电路包括：子像素电路，与所述第二像素电路的连接有所述断线区域的像素电路具有等效电路。

可以是，其特征在于，所述修复电路包括：子存储电容器，接通于接收第一电源电压的第一电压线和基准节点之间；第一子晶体管，接通于所述第一电压线和所述修复线之间；第二子晶体管，接通于数据线和所述第一子晶体管的所述第一输入区域之间；第三子晶体管，接通于所述基准节点和所述第一子晶体管的所述第一输出区域之间；第四子晶体管，接通于所述基准节点和接收第一初始化电压的第二电压线之间；第五子晶体管，接通于所述第一电压线和所述第一子晶体管的所述第一输入区域之间；第六子晶体管，接通于所述修复线和所述第一子晶体管的所述第一输出区域之间；第七子晶体管，接通于接收第二初始化电压的第三电压线和所述修复线之间；以及第八子晶体管，接通于接收第三初始化电压的第四电压线和所述第一子晶体管的所述第一输入区域之间。

可以是，其特征在于，所述修复电路还包括：保持电容器，接通于所述第一电压线和所述第七子晶体管的所述第一输入区域之间；以及第九子晶体管，接通于所述第六子晶体管的所述第一输出区域和所述第七子晶体管的所述第一输入区域之间。

可以是，其特征在于，所述显示面板还包括：第一连接电极，配置于所述第二栅极上，并连接于所述硅晶体管的所述第一输出区域以及所述桥接电极，并且电连接于所述第二发光元件；以及第二连接电极，配置于所述第一连接电极上，并连接于所述第一连接电极以及所述第二发光元件。

可以是，其特征在于，所述显示面板还包括：第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层以及第五绝缘层，配置于所述基底层上，并依次层叠，所述硅晶体管的所述硅半导体图案配置于所述基底层和所述第一绝缘层之间，所述硅晶体管的所述第一栅极配置于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间，所述氧化物晶体管的所述遮光图案以及所述修复线的每一个配置于所述第二绝缘层和所述第三绝缘层之间，所述氧化物晶体管的所述氧化物半导体图案配置于所述第三绝缘层和所述第四绝缘层之间，所述氧化物晶体管的所述第二栅极以及所述桥接电极的每一个配置于所述第四绝缘层和所述第五绝缘层之间，所述第一连接电极配置于所述第五绝缘层上，并通过贯通所述第五绝缘层形成的接触孔而与所述桥接电极连接。

根据本发明的显示面板包括：基底层，包括显示区域以及非显示区域；修复电路，配置于所述非显示区域；像素，配置于所述显示区域，并包括像素电路以及发光元件；修复线，电连接于所述修复电路，并从所述修复电路朝向所述像素延伸，所述像素电路包括：硅晶体管，包括：硅半导体图案，包括第一输入区域、第一沟道区域以及第一输出区域；以及第一栅极，配置于所述硅半导体图案上，并重叠于所述第一沟道区域；氧化物晶体管，包括：遮光图案，配置于所述第一栅极上；氧化物半导体图案，配置于所述遮光图案上，并包括第二输入区域、第二沟道区域以及第二输出区域；以及第二栅极，配置于所述氧化物半导体图案上，并重叠于所述第二沟道区域，并且配置于与所述修复线相同的层上；以及连接电极，配置于所述第二栅极上，并与所述修复线重叠配置，并且连接于所述硅晶体管的所述第一输出区域，并且与所述发光元件电连接，所述发光元件电连接于所述像素电路的所述硅晶体管或电连接于所述修复电路。

可以是，其特征在于，当所述发光元件电连接于所述修复电路时，所述修复线接通于所述连接电极。

根据本发明，显示面板包括像素驱动电路以及修复电路。包括缺陷的像素驱动电路的缺陷像素通过将修复电路与缺陷像素的发光元件电连接的修复工艺，能够正常地发光。

根据本发明，提升针对缺陷像素的修复工艺的产出率，能够提供可靠度得到改善的显示面板。

附图说明

图1是根据一实施例的显示面板的平面图。

图2是根据一实施例的显示面板的截面图。

图3a是根据一实施例的显示装置的框图。

图3b是根据一实施例的像素的等效电路图。

图3c是根据一实施例的用于驱动像素的驱动信号的波形图。

图4是根据一实施例的显示面板的截面图。

图5是根据一实施例的像素以及修复电路的等效电路图。

图6a是示出根据一实施例的显示面板的一部分的截面图。

图6b是示出根据一实施例的显示面板的一部分的截面图。

图7是示出根据一实施例的显示面板的一部分的截面图。

图8是示出根据一实施例的显示面板的一部分的截面图。

具体实施方式

在本说明书中，当提及某构成要件(或区域、层、部分等)“在”另外构成要件“上”、“连接于”或“结合于”另外构成要件时，意指某构成要件可以直接配置/连接/结合在另外构成要件上或者也可以在它们之间配置有第三构成要件。

相同的附图标记指代相同的构成要件。另外，在附图中，构成要件的厚度、比例及尺寸是为了技术内容的有效说明而放大的。“和/或”将关联的构成要件所能定义的一个以上的组合全部包括。

第一、第二等术语可用于说明各种构成要件，但所述构成要件并不被所述术语所限制。所述术语仅用于将一个构成要件与另外构成要件区分的目的。例如，在不脱离本发明的权利范围的情况下，第一构成要件可命名为第二构成要件，相似地，第二构成要件也可命名为第一构成要件。只要在文脉上没有明确表示为不同，单数表达包括复数表达。

另外，“下方”、“下侧”、“上方”、“上侧”等术语用于说明附图中示出的构成要件的关联关系。所述术语是相对性概念，以附图中表示的方向为基准进行说明。

“包括”或“具有”等术语应理解为用于指定说明书中所记载的特征、数字、步骤、工作、构成要件、部件或它们的组合的存在，并不是预先排除一个或其以上的其它特征或者数字、步骤、工作、构成要件、部件或它们的组合的存在或附加可能性。

只要没有不同地定义，本说明书中使用的所有术语(包括技术术语及科学术语)具有与本发明所属技术领域的技术人员通常所理解的含义相同的含义。另外，通常使用的词典中所定义的术语之类的术语应解释为与相关技术的脉络上具有的含义相同的含义，只要在此没有明确地定义，不应解释为太理想化或过于形式性的含义。

以下，参照附图来说明本发明的实施例。

图1是根据一实施例的显示面板的平面图。图2是根据一实施例的显示面板的截面图。

参照图1，显示面板100可以包括显示区域AA以及非显示区域NAA。可以是，在显示区域AA配置像素PX，在非显示区域NAA不配置像素PX。非显示区域NAA可以与显示区域AA相邻，并围绕显示区域AA的至少一部分。在非显示区域NAA的一侧可以配置数据驱动电路DDC(参照图3a)。

显示区域AA可以包括通过第一方向DR1以及第二方向DR2界定的平面。显示面板100的厚度方向可以与显示区域AA的法线方向即第三方向DR3平行。构成显示面板100的部件的前面(或者上面)和背面(或者下面)可以以第三方向DR3为基准进行界定。

显示面板100可以是发光型显示面板。例如，显示面板100可以是有机发光显示面板、无机发光显示面板、量子点显示面板、微型发光二极管显示面板或者纳米发光二极管显示面板。显示面板100可以是柔性(flexible)的。虽未图示，可以以至少一个折叠轴为基准折叠显示面板100。折叠区域可以横穿显示区域AA。

参照图2，显示面板100可以包括基底层110、电路层120、发光元件层130以及封装层140。与图示不同，在基底层110、电路层120、发光元件层130以及封装层140中的相邻的2个层之间也可以还配置又另一功能层。

基底层110可以提供被配置电路层120的基底面。基底层110可以是能够弯曲(bending)、折叠(folding)、卷曲(rolling)等的柔性(flexible)基板。基底层110可以是玻璃基板、金属基板或者聚合物基板等。然而，实施例不限于此，基底层110可以包括无机层、有机层或者复合材料层。

基底层110可以包括多层。例如，基底层110可以包括第一合成树脂层、多层或者单层的无机层、配置于所述多层或者单层的无机层上侧的第二合成树脂层。第一合成树脂层以及第二合成树脂层的每一个可以包含聚酰亚胺(polyimide)类树脂，不特别限定。

电路层120可以配置于基底层110上。电路层120可以包括绝缘层、半导体图案、导电图案、信号线以及修复线等。

发光元件层130可以配置于电路层120上。发光元件层130可以包括发光元件。例如，发光元件可以包括有机发光物质、无机发光物质、有机-无机发光物质、量子点、量子棒、微型发光二极管或者纳米发光二极管。

封装层140可以配置于发光元件层130上。封装层140可以保护发光元件层130免受水分、氧气以及灰尘颗粒之类异物的影响。封装层140可以包括至少一个无机层。封装层140可以包括依次层叠无机层、有机层以及无机层的结构物。

图3a是根据一实施例的显示装置的框图。图3b是根据一实施例的像素的等效电路图。图3c是根据一实施例的用于驱动像素的驱动信号的波形图。

参照图3a，根据本发明的一实施例的显示装置DD可以是显示图像，并根据电信号激活的装置。例如，显示装置DD可以是平板、便携式电话、汽车导航仪、游戏机或者穿戴式装置，但不限于此。

显示装置DD可以包括在图2中所说明的显示面板100。显示面板100作为实质上生成图像的结构，显示装置DD可以显示从显示面板100生成的图像。

显示装置DD可以包括时序控制部TC、扫描驱动电路SDC、数据驱动电路DDC以及显示面板100。时序控制部TC、扫描驱动电路SDC以及数据驱动电路DDC中的至少一个可以以驱动芯片形式提供，或直接形成于显示面板100。

时序控制部TC可以接收输入图像信号，并以匹配于与扫描驱动电路SDC的接口规格方式将输入图像信号的数据格式转换而生成图像数据D-RGB。时序控制部TC输出图像数据D-RGB和各种控制信号DCS、SCS。

扫描驱动电路SDC可以从时序控制部TC接收扫描控制信号SCS。扫描控制信号SCS可以包括开始扫描驱动电路SDC的工作的垂直起始信号、确定信号的输出时机的时钟信号等。扫描驱动电路SDC可以生成多个扫描信号，并向对应的信号线SL1～SLn、GL1～GLn、HL1～HLn、GBL1～GBLn依次输出扫描信号。另外，扫描驱动电路SDC可以响应于扫描控制信号SCS而生成多个发光控制信号，并向对应的发光线EL1～ELn输出发光控制信号。

在图3a中示出为多个扫描信号和多个发光控制信号从一个扫描驱动电路SDC输出，但实施例不限于此。例如，扫描驱动电路可以提供为多个。可以是，多个扫描驱动电路将扫描信号分割生成后输出，并将多个发光控制信号分割生成后输出。另外，生成并输出多个扫描信号的驱动电路和生成并输出多个发光控制信号的驱动电路可以划分为分离。

数据驱动电路DDC可以从时序控制部TC接收数据控制信号DCS以及图像数据D-RGB。数据驱动电路DDC可以将图像数据D-RGB转换为数据信号，并将数据信号向后述的多个数据线DL1～DLm以及子数据线DLr输出。数据信号可以是与图像数据D-RGB的灰度级值对应的模拟电压。

显示面板100可以包括多个组的信号线。当多个组的信号线中的任一个定义为第一信号线时，另一个可以定义为第二信号线，又另一个可以定义为第三信号线。以下，为了区分多个组的信号线，定义信号线的名称。

多个组的信号线可以包括第一组的扫描线SL1～SLn、第二组的扫描线GL1～GLn、第三组的扫描线HL1～HLn、第四组的扫描线GBL1～GBLn、发光线EL1～ELn、数据线DL1～DLm、子数据线DLr、第一电压线PL1、第二电压线VL1、第三电压线VL2以及第四电压线PL2。

第一组的扫描线SL1～SLn、第二组的扫描线GL1～GLn、第三组的扫描线HL1～HLn、第四组的扫描线GBL1～GBLn以及发光线EL1～ELn可以在第一方向DR1上延伸，并在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上摆列。多个数据线DL1～DLm以及子数据线DLr可以与第一组的扫描线SL1～SLn、第二组的扫描线GL1～GLn、第三组的扫描线HL1～HLn、第四组的扫描线GBL1～GBLn以及发光线EL1～ELn绝缘地交叉。

第一电压线PL1、第二电压线VL1、第三电压线VL2以及第四电压线PL2的每一个可以包括在第一方向DR1上延伸的成分以及在第二方向DR2上延伸的成分中的至少一个。第一电压线PL1、第二电压线VL1、第三电压线VL2以及第四电压线PL2的每一个可以包括在第一方向DR1上延伸的成分以及在第二方向DR2上延伸的成分。第一电压线PL1、第二电压线VL1、第三电压线VL2以及第四电压线PL2的结构以及形状可以彼此独立地设计。

多个像素PX的每一个可以电连接于前述的信号线中的对应的信号线。根据像素PX的驱动电路的结构，像素PX和信号线的连接关系可以变更。

第一电压线PL1可以接收第一电源电压ELVDD。向显示面板100可以施加第二电源电压ELVSS。第二电源电压ELVSS可以具有比第一电源电压ELVDD低的电平。根据本实施例，第二电源电压ELVSS可以施加于像素PX的驱动电路。

第二电压线VL1可以接收第一初始化电压Vint。第一初始化电压Vint可以具有比第一电源电压ELVDD低的电平。第三电压线VL2可以接收第二初始化电压VAint。第二初始化电压VAint可以具有比第一电源电压ELVDD低的电平。第一初始化电压Vint和第二初始化电压VAint可以是具有一定电平的偏置电压。第一初始化电压Vint和第二初始化电压VAint可以具有彼此不同的电平。第二初始化电压VAint可以具有比第一初始化电压Vint低的电压。

第四电压线PL2可以接收第三初始化电压HVDD。第三初始化电压HVDD可以具有与第一电源电压ELVDD相同的电平。不过，不限于此，第三初始化电压HVDD可以具有比第一电源电压ELVDD低的电平。

根据本发明，显示装置DD可以包括多个像素PX、多个修复电路PC-S以及多个修复线RL1～RLn。

像素PX可以配置于显示区域AA。像素PX可以在第一方向DR1以及第二方向DR2上排列。像素PX可以包括在第一方向DR1上延伸且在第二方向DR2上摆列的多个像素行以及在第二方向DR2上延伸且在第一方向DR1上摆列的多个像素列。

像素PX可以包括生成彼此不同颜色的光的多个组。例如，像素PX可以包括生成红色光的红色像素、生成绿色光的绿色像素以及生成蓝色光的蓝色像素。红色像素的发光元件、绿色像素的发光元件以及蓝色像素的发光元件可以包括由彼此不同物质形成的发光层。

根据本实施例，像素PX可以包括第一像素PX1以及第二像素PX2。在本说明书中，可以是，第一像素PX1定义为正常像素，第二像素PX2定义为缺陷像素。

第一像素PX1可以包括第一像素电路以及第一发光元件。第一发光元件可以电连接于第一像素电路。在本说明书中，第一像素电路可以定义为能够向第一发光元件正常地提供驱动电流的电路。

第二像素PX2可以包括第二像素电路以及第二发光元件。在本说明书中，第二像素电路可以定义为在向第二发光元件提供驱动电流时产生缺陷的电路。根据一实施例，第二像素电路可以包括断线区域。由此，第二发光元件可以与第二像素电路电切断。后面叙述对此的详细说明。

修复电路PC-S可以配置于非显示区域NAA(参照图1)。例如，修复电路PC-S可以与显示区域AA和非显示区域NAA的边界相邻地配置。

修复电路PC-S可以沿着最外围的像素行在第一方向DR1上排列或沿着最外围的像素列在第二方向DR2上排列。在图3a中，例示性示出修复电路PC-S在第二方向DR2上摆列的情况。以下，以修复电路PC-S在第二方向DR2上摆列的情况为基准进行说明。

修复线RL1～RLn可以从修复电路PC-S中的对应的修复电路朝向像素PX延伸。修复线RL1～RLn的每一个可以在第一方向DR1上延伸。即，修复线RL1～RLn可以沿着各个像素行排列。

根据本发明，可以进行第二像素PX2的修复工艺，以使第二像素PX2的第二发光元件LD2(参照图5)正常发光。在修复工艺前，像素PX和修复线RL1～RLn没有电连接，但在修复工艺后，第二像素PX2可以与修复线RL1～RLn中的对应的修复线电连接。由此，第二像素PX2可以通过对应的修复电路PC-S驱动而正常运行。后面叙述针对修复工艺的详细说明。

在图3b中例示性示出与第一组的扫描线SL1～SLn中的第一组的第i个扫描线SLi连接且与多个数据线DL1～DLm中的第j个数据线DLj连接的像素PXij。

图3b所示的像素PXij可以对应于第一像素PX1或者没有经过修复工艺的第二像素PX2。以下，为了便于说明，将能够与第一像素PX1的第一像素电路或者第二像素PX2的第二像素电路对应的结构以“像素电路PC”进行说明，将能够与第一像素PX1的第一发光元件或者第二像素PX2的第二发光元件对应的结构以“发光元件LD”进行说明。

在一实施例中，像素电路PC可以包括第一至第八晶体管T1～T8以及存储电容器Cst。第一晶体管T1、第二晶体管T2以及第五至第八晶体管T5、T6、T7、T8可以是P型的晶体管，第三晶体管T3以及第四晶体管T4可以是N型的晶体管。不过，不限于此，第一至第八晶体管T1～T8可以由P型的晶体管以及N型晶体管中的任一个实现。

以下，P型晶体管的输入区域(或者输入电极)以第一输入区域进行说明，N型晶体管的输入区域以第二输入区域进行说明，P型晶体管的输出区域以第一输出区域进行说明，N型晶体管的输出区域以第二输出区域进行说明。另外，P型晶体管的栅极以第一栅极进行说明，N型晶体管的栅极以第二栅极进行说明。另一方面，可以省略第一至第八晶体管T1～T8中的至少一个。

第一晶体管T1可以是驱动晶体管，第二晶体管T2可以是开关晶体管。存储电容器Cst可以电连接于接收第一电源电压ELVDD的第一电压线PL1和基准节点RN之间。存储电容器Cst可以包括电连接于基准节点RN的第一电极CE10以及电连接于第一电压线PL1的第二电极CE20。

第一晶体管T1可以电连接于第一电压线PL1和发光元件LD的一个电极(例如，阳极)之间。第一晶体管T1的第一输入区域S1可以与第一电压线PL1电连接。在本说明书中，“电连接于晶体管和信号线之间或者晶体管和晶体管之间”意指“晶体管的输入区域、输出区域、栅极与信号线具有一体的形状，或通过连接电极连接”。在第一晶体管T1的第一输入区域S1和第一电压线PL1之间可以配置其它晶体管或不设置单独的晶体管。

第一晶体管T1的第一输出区域D1可以与发光元件LD的阳极AE(参照图4)电连接。在第一晶体管T1的第一输出区域D1和发光元件LD的阳极AE之间可以配置其它晶体管或不设置单独的晶体管。第一晶体管T1的第一栅极G1可以电连接于基准节点RN。

第二晶体管T2可以电连接于第j个数据线DLj和第一晶体管T1的第一输入区域S1之间。第二晶体管T2的第一输入区域S2电连接于第j个数据线DLj，第二晶体管T2的第一输出区域D2电连接于第一晶体管T1的第一输入区域S1。第二晶体管T2的第一栅极G2可以电连接于第一组的第i个扫描线SLi。

第三晶体管T3可以电连接于基准节点RN和第一晶体管T1的第一输出区域D1之间。可以是，第三晶体管T3的第二输入区域D3电连接于第一晶体管T1的第一输出区域D1，第三晶体管T3的第二输出区域S3电连接于基准节点RN。

第三晶体管T3的栅极BML-3、G3可以电连接于第二组的第i个扫描线GLi。第三晶体管T3的栅极BML-3、G3可以包括遮光图案BML-3以及第二栅极G3。在图3b中，示出为第三晶体管T3包括多个栅极BML-3、G3，但实施例不限于此，第三晶体管T3也可以仅包括第二栅极G3。

第四晶体管T4可以电连接于基准节点RN和第二电压线VL1之间。可以是，第四晶体管T4的第二输入区域D4电连接于基准节点RN，第四晶体管T4的第二输出区域S4电连接于第二电压线VL1。

第四晶体管T4的栅极BML-4、G4可以电连接于第三组的第i个扫描线HLi。第四晶体管T4的栅极BML-4、G4可以包括遮光图案BML-4以及第二栅极G4。在图3b中，示出为第四晶体管T4包括多个栅极BML-4、G4，但实施例不限于此，第四晶体管T4也可以仅包括第二栅极G4。

第五晶体管T5可以电连接于第一电压线PL1和第一晶体管T1的第一输入区域S1之间。可以是，第五晶体管T5的第一输入区域S5电连接于第一电压线PL1，第五晶体管T5的第一输出区域D5电连接于第一晶体管T1的第一输入区域S1。第五晶体管T5的第一栅极G5可以电连接于第i个发光线ELi。

第六晶体管T6可以电连接于第一晶体管T1的第一输出区域D1和发光元件LD之间。可以是，第六晶体管T6的第一输入区域S6电连接于第一晶体管T1的第一输出区域D1，第六晶体管T6的第一输出区域D6电连接于发光元件LD的阳极AE(参照图4)。第六晶体管T6的第一栅极G6可以电连接于第i个发光线ELi。与此不同，第六晶体管T6的第一栅极G6也可以连接于第五晶体管T5的第一栅极G5和其它信号线。

第七晶体管T7可以电连接于第六晶体管T6的第一输出区域D6和第三电压线VL2之间。第七晶体管T7的第一输入区域S7电连接于第六晶体管T6的第一输出区域D6，第七晶体管T7的第一输出区域D7电连接于第三电压线VL2。第七晶体管T7的第一栅极G7可以电连接于第四组的第i个扫描线GBLi。

第八晶体管T8可以电连接于第一晶体管T1的第一输入区域S1和第四电压线PL2之间。第八晶体管T8的第一输入区域S8电连接于第四电压线PL2，第八晶体管T8的第一输出区域D8电连接于第一晶体管T1的第一输入区域S1。第八晶体管T8的第一栅极G8可以电连接于第四组的第i个扫描线GBLi。

参照图3b以及图3c，更加详细地说明像素PXij的工作。显示装置DD可以对每个帧区间显示图像。在各个帧区间期间，第一组的扫描线SL1～SLn、第二组的扫描线GL1～GLn、第三组的扫描线HL1～HLn、第四组的扫描线GBL1～GBLn以及发光线EL1～ELn的每一个信号线可以依次扫描。图3c示出任一个帧区间中的一部分。

参照图3c，信号EMi、GIi、GWi、GCi、GBi的每一个可以在一部分区间期间具有高电平(V-高)并在一部分区间期间具有低电平(V-低)。可以是，N型晶体管在对应的信号具有高电平(V-高)时导通，P型晶体管在对应的信号具有低电平(V-低)时导通。

当发光控制信号EMi具有高电平(V-高)时，第五晶体管T5以及第六晶体管T6可以截止。若第五晶体管T5和第六晶体管T6截止，则在第一电压线PL1和发光元件LD之间可以不形成电流通路。因此，第五晶体管T5和第六晶体管T6截止的区间可以定义为非发光区间。

当施加到第三组的第i个扫描线HLi的扫描信号GIi具有高电平(V-高)时，第四晶体管T4可以导通。若第四晶体管T4导通，则可以通过第一初始化电压Vint初始化基准节点RN。当施加到第一组的第i个扫描线SLi的扫描信号GWi具有低电平(V-低)，施加到第二组的第i个扫描线GLi的扫描信号GCi具有高电平(V-高)时，第二晶体管T2以及第三晶体管T3可以导通。

由于基准节点RN初始化为第一初始化电压Vint，第一晶体管T1可以是导通的状态。若第一晶体管T1导通，则对应于数据信号Dj(参照图3b)的电压提供于基准节点RN。此时，存储电容器Cst可以存储对应于数据信号Dj的电压。对应于数据信号Dj的电压可以是从数据信号Dj减小相当于第一晶体管T1的阈值电压(Threshold voltage，Vth)的电压。

当施加到第四组的第i个扫描线GBLi的扫描信号GBi具有低电平(V-低)时，第八晶体管T8可以导通。随着第八晶体管T8导通，第一晶体管T1的第一输入区域S1初始化为第三初始化电压HVDD。

若发光控制信号EMi具有低电平(V-低)，则第五晶体管T5以及第六晶体管T6可以导通。若第五晶体管T5导通，则第一电源电压ELVDD可以提供于第一晶体管T1。若第六晶体管T6导通，则第一晶体管T1和发光元件LD可以电连接。发光元件LD可以生成与接收的电流量对应的亮度的光。第五晶体管T5和第六晶体管T6导通的区间可以定义为发光区间。

根据本发明的另一实施例，在施加到第三组的第i个扫描线HLi的扫描信号GIi具有高电平(V-高)前，施加到第四组的第i个扫描线GBLi的扫描信号GBi可以追加地具有低电平(V-低)。

图4是根据一实施例的显示面板的截面图。

参照图4，显示面板100可以包括发光元件LD以及像素电路PC(参照图3b)，在本实施例中例示性示出像素电路PC中的两个晶体管、下连接电极CE1、上连接电极CE2、桥接电极BE以及修复线RL。

在图3b所示的等效电路中，第三及第四晶体管T3、T4可以是氧化物晶体管，剩余晶体管T1、T2、T5、T6、T7、T8可以是硅晶体管。在图4中，示出所述硅晶体管中的第六晶体管T6，示出所述氧化物晶体管中的第三晶体管T3。

基底层110可以提供被配置电路层120的基底面。

电路层120可以配置于基底层110上。根据一实施例，电路层120可以包括阻挡层BR、缓冲层BF、第六晶体管T6、第三晶体管T3、下连接电极CE1、上连接电极CE2、第一至第五绝缘层10、20、30、40、50以及第一及第二有机绝缘层60、70。

第六晶体管T6可以包括硅半导体图案SP1以及第一栅极G6。在图4中例示性示出硅晶体管中的第六晶体管T6，在剩余硅晶体管中也可以相同地适用。

第三晶体管T3可以包括遮光图案BML-3、氧化物半导体图案SP2以及第二栅极G3。在图4中例示性示出氧化物晶体管中的第三晶体管T3，在剩余氧化物晶体管中也可以相同地适用。以下，说明包括在电路层120中的结构的层叠关系。

在基底层110上可以配置阻挡层BR。阻挡层BR可以防止异物从外部流入。阻挡层BR可以包括至少一个无机层。例如，阻挡层BR可以包括氧化硅层及/或氮化硅层。氧化硅层以及氮化硅层的每一个可以提供为多个，氧化硅层和氮化硅层可以交替层叠。

在阻挡层BR上可以配置缓冲层BF。缓冲层BF可以防止金属原子或杂质从基底层110向配置于上侧的硅半导体图案SP1扩散的现象。缓冲层BF可以包括至少一个无机层。缓冲层BF可以包括氧化硅层及/或氮化硅层。

在缓冲层BF上可以配置硅半导体图案SP1。硅半导体图案SP1可以包含硅半导体。例如，硅半导体可以包含非晶硅、多晶硅等。更具体地，硅半导体图案SP1可以包含低温多晶硅。

图4示出硅半导体图案SP1的局部，在其它区域可以还配置硅半导体图案SP1。硅半导体图案SP1可以根据掺杂与否而电性质不同。硅半导体图案SP1可以包括导电率高的第一部分和导电率低的第二部分。第一区域可以用N型掺杂剂或者P型掺杂剂掺杂。可以是，P型的晶体管包括用P型掺杂剂掺杂的掺杂部分，N型的晶体管包括用N型掺杂剂掺杂的掺杂部分。第二部分可以是没有掺杂的部分，或是以比第一部分低的浓度掺杂的部分。

可以是，第一部分的导电性大于第二部分的导电性，第一部分实质上起到电极或者信号线的作用。第二部分可以实质上相当于晶体管的沟道区域(或者有源区域)。即，硅半导体图案SP1的局部可以是晶体管的沟道，另一局部可以是晶体管的源极或者漏极，又另一局部可以是连接电极或者连接信号线。

第六晶体管T6的第一输入区域S6、第一沟道区域A6(或者有源区域)以及第一输出区域D6可以从硅半导体图案SP1形成。第一输入区域S6以及第一输出区域D6可以在截面上从第一沟道区域A6向彼此相反方向延伸。

在缓冲层BF上可以配置第一绝缘层10。第一绝缘层10可以覆盖硅半导体图案SP1。第一绝缘层10可以是无机层。第一绝缘层10可以包含氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆以及氧化铪中的至少一种。第一绝缘层10可以是单层的氧化硅层。第一绝缘层10以及后述的第二至第五绝缘层20、30、40、50的每一个可以具有单层或者多层结构，并可以包含上述的物质中的至少一种，但不限于此。

在第一绝缘层10上可以配置第六晶体管T6的第一栅极G6。第一栅极G6可以是金属图案的局部。第一栅极G6重叠于第一沟道区域A6。在掺杂硅半导体图案SP1的工艺中第一栅极G6可以是掩模。第一栅极G6可以包含耐热性好的钼(Mo)、含有钼的合金、钛(Ti)、含有钛的合金等，但不限于此。

可以是，在第一绝缘层10上配置第二绝缘层20，第二绝缘层20覆盖第一栅极G6。

在第二绝缘层20上可以配置遮光图案BML-3。遮光图案BML-3可以在氧化物半导体图案SP2的下方与氧化物半导体图案SP2重叠配置。与图示不同，也可以省略遮光图案BML-3。或者，遮光图案BML-3也可以延伸配置至第六晶体管T6的下方。

根据本实施例，在第二绝缘层20上可以配置修复线RL。修复线RL可以配置于与第三晶体管T3的遮光图案BML-3相同的层上。即，修复线RL可以配置于与氧化物晶体管的遮光图案相同的层上。

在第二绝缘层20上可以配置第三绝缘层30。氧化物半导体图案SP2可以配置于第三绝缘层30上。氧化物半导体图案SP2可以包括第三晶体管T3的第二沟道区域A3。氧化物半导体图案SP2可以包含氧化物半导体。氧化物半导体图案SP2可以包含铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、锌氧化物(ZnO

氧化物半导体可以包括根据透明导电性氧化物是否还原而区分的多个区域。透明导电性氧化物还原的区域(以下，还原区域)具有比不那样的区域(以下，非还原区域)大的导电性。还原区域实质上具有晶体管的源极/漏极或者信号线的作用。非还原区域实质上相当于晶体管的半导体区域(或者沟道)。即，氧化物半导体图案SP2的一部分区域可以是晶体管的半导体区域，另一部分区域可以是晶体管的源极区域/漏极区域，又另一局部可以是信号传送区域。

在第三绝缘层30上可以配置第四绝缘层40。第四绝缘层40可以覆盖氧化物半导体图案SP2。在第四绝缘层40上配置第三晶体管T3的第二栅极G3。第二栅极G3可以与遮光图案BML-3重叠。

在一实施例中，第三晶体管T3可以包括2个栅极，2个栅极可以是配置于第二绝缘层20上的遮光图案BML-3和配置于第四绝缘层40上的第二栅极G3。此时，遮光图案BML-3可以包括金属层。遮光图案BML-3可以通过贯通第三绝缘层30以及第四绝缘层40的接触孔(未图示)与第二栅极G3电连接。

第三晶体管T3的第二栅极G3可以是金属图案的局部。第三晶体管T3的第二栅极G3重叠于第二沟道区域A3。第二栅极G3可以包含耐热性好的钼(Mo)、含有钼的合金、钛(Ti)、含有钛的合金等。第二栅极G3可以包括钛层以及配置于所述钛层上侧的钼层。

根据本实施例，在第四绝缘层40上可以配置桥接电极BE。桥接电极BE可以配置于与第三晶体管T3的第二栅极G3相同的层上。即，桥接电极BE可以配置于与氧化物晶体管的第二栅极相同的层上。

桥接电极BE可以与修复线RL的至少一部分重叠配置。在经过修复工艺前，桥接电极BE可以通过第三及第四绝缘层30、40与修复线RL绝缘地配置。此后，在经过修复工艺后，桥接电极BE和修复线RL可以连接。后面叙述对此的详细说明。

可以是，在第四绝缘层40上配置第五绝缘层50，第五绝缘层50覆盖第二栅极G3。第一至第五绝缘层10～50的每一个可以是无机层。

在第五绝缘层50上可以配置下连接电极CE1。下连接电极CE1可以包括第一下连接电极C1-A、C1-B以及第二下连接电极C1-C、C1-D。第一下连接电极C1-A、C1-B可以分别连接于硅半导体图案SP1的第一输出区域D6以及第一输入区域S6。第一下连接电极C1-A、C1-B可以分别通过贯通第一至第五绝缘层10～50形成的第一接触孔CT1连接于硅半导体图案SP1的第一输出区域D6以及第一输入区域S6。

在本说明书中，一构件与配置于另一层上的另一构件“连接”意指，通过贯通在一构件和另一构件之间配置的绝缘层形成的接触孔而直接接触来连接。另一方面，一构件与配置于另一层上的另一构件“电连接”意指，一构件和另一构件没有彼此直接接触，但通过一个以上的第三构件连接。

第二下连接电极C1-C、C1-D可以分别连接于氧化物半导体图案SP2的第二输入区域D3以及第二输出区域S3。第二下连接电极C1-C、C1-D可以分别通过贯通第四及第五绝缘层40、50形成的第二接触孔CT2连接于氧化物半导体图案SP2的第二输入区域D3以及第二输出区域S3。

根据本实施例，第一下连接电极C1-A、C1-B中的与硅半导体图案SP1的第一输出区域D6连接的第一下连接电极C1-A可以还连接于桥接电极BE。所述第一下连接电极C1-A可以通过贯通第五绝缘层50形成的第三接触孔CT3与桥接电极BE连接。

在第五绝缘层50上可以配置有机绝缘层60、70。可以是，在第五绝缘层50上配置第一有机绝缘层60，在第一有机绝缘层60上侧配置第二有机绝缘层70。

第一有机绝缘层60可以去除配置于第一有机绝缘层60下侧的第五绝缘层50等的台阶，形成平坦的上面。第一有机绝缘层60以及第二有机绝缘层70的每一个可以包含BCB(Benzocyclobutene；苯并环丁烯)、聚酰亚胺(polyimide)、HMDSO(Hexamethyldisiloxane；六甲基二硅氧烷)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)之类通用聚合物、具有酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸基聚合物、酰亚胺基聚合物、芳醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物或者它们的共混物等。

在第一有机绝缘层60上可以配置上连接电极CE2。上连接电极CE2可以通过贯通第一有机绝缘层60形成的第四接触孔CT4与第一下连接电极C1-A、C1-B中的与第六晶体管T6的第一输出区域D6以及桥接电极BE连接的第一下连接电极C1-A连接。

发光元件层130可以配置于电路层120上。发光元件层130可以包括发光元件LD以及像素界定膜PDL，发光元件LD可以包括阳极AE、发光层EML以及阴极CE(或者公共电极)。阴极CE可以公共地提供于多个发光元件。

发光元件LD的阳极AE可以配置于第二有机绝缘层70上。阳极AE可以是透明电极、半透明电极或者反射电极。阳极AE可以包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或者它们的化合物等形成的反射层和形成于反射层上的透明或者半透明电极层。透明或者半透明电极层可以包含从包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、氧化锌(ZnO)或者铟氧化物(In

阳极AE可以与上连接电极CE2连接。具体地，阳极AE可以通过贯通第二有机绝缘层70形成的第五接触孔CT5与上连接电极CE2连接。由此，包括在像素电路PC中的硅晶体管以及桥接电极BE的每一个可以与阳极AE，即发光元件LD电连接。

像素界定膜PDL可以配置于第二有机绝缘层70上。像素界定膜PDL可以具有透明的性质，或具有吸收光的性质。例如，吸收光的像素界定膜PDL可以包含黑色成分(blackcoloring agent)。黑色成分可以包括黑色染料或者黑色颜料。黑色成分可以包含炭黑、铬之类金属或者它们的氧化物。像素界定膜PDL可以相当于具有遮光特性的遮蔽图案。

在像素界定膜PDL中可以界定使阳极AE的局部暴露的开口PDL-OP。因此，像素界定膜PDL可以覆盖阳极AE的局部。像素界定膜PDL可以增加阳极AE的边缘和阴极CE的距离。因此，通过像素界定膜PDL可以起到防止在阳极AE的边缘产生电弧等的作用。

虽未图示，在阳极AE和发光层EML之间可以配置空穴传输层。另外，在阳极AE和空穴传输层之间可以配置空穴注入层。在发光层EML和阴极CE之间可以配置电子传输层。在电子传输层和阴极CE之间可以配置电子注入层。空穴传输层、空穴注入层、电子传输层以及电子注入层的每一个可以公共地形成于多个像素PX(参照图1)中的以一个行排列的像素。

封装层140可以配置于发光元件层130上。封装层140可以包括依次层叠的无机封装层141、有机封装层142以及无机封装层143，但构成封装层140的层不限于此。

可以是，无机封装层141、143保护发光元件层130免受水分以及氧气的影响，有机封装层142保护发光元件层130免受灰尘颗粒之类异物的影响。无机封装层141、143可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或者氧化铝层等。有机封装层142可以包括丙烯酸系列有机层，且不限于此。

图5是根据一实施例的像素以及修复电路的等效电路图。图6a是示出根据一实施例的显示面板的一部分的截面图。图6b是示出根据一实施例的显示面板的一部分的截面图。图7是示出根据一实施例的显示面板的一部分的截面图。

参照图5，显示面板100(参照图1)可以包括像素PX(参照图3a)、修复电路PC-S以及修复线RL1～RLn(参照图3a)。图5示出像素PX(参照图3a)中的第二像素PX2(参照图3a)，示出修复电路PC-S中的配置于与第二像素PX2相同行的修复电路，示出修复线RL1～RLn(参照图3a)中的与所述修复电路连接的修复线RLi。另外，图5示出经过修复工艺后的第二像素PX2以及修复电路PC-S的等效电路图。

根据本实施例，第二像素PX2可以包括缺陷的第二像素电路PC2以及由于缺陷的第二像素电路PC2而不被传送驱动电流的第二发光元件LD2。第二像素电路PC2可以是在像素电路PC(参照图3b)的工艺过程或者显示面板100(参照图1)的使用中产生缺陷的电路。

根据一实施例，修复电路PC-S可以包括子像素电路SPC以及初始化电路INC。

子像素电路SPC可以是与在图3b中说明的像素电路PC具有等效电路的电路。即，可以是与第二像素电路的连接有断线区域的像素电路具有等效电路的电路。子像素电路SPC可以包括子存储电容器Cst'以及修复晶体管Tr，修复晶体管Tr可以包括第一至第八子晶体管T1'～T8'。

子像素电路SPC的子存储电容器Cst'可以与像素电路PC的存储电容器Cst对应。子像素电路SPC的第一至第八子晶体管T1'～T8'可以分别与像素电路PC的第一至第八晶体管T1～T8(参照图3b)对应。

即，构成子像素电路SPC的电容器以及晶体管的接通关系与构成第二像素电路PC2的电容器以及晶体管的接通关系相同，因此对此的详细说明参照图3b。另外，第一至第八子晶体管T1'～T8'分别具有与第一至第八晶体管T1～T8相同的叠层结构，因此对此的详细说明参照图4。

不过，在子像素电路SPC的第二子晶体管T2'的第一输入区域S2可以连接子数据线DLr。子数据线DLr可以学习成为修复工艺的对象的第二像素PX2的坐标信息，传送与相应坐标有关的数据信号Dr。初始化电路INC可以包括保持电容器Ccomp以及第九子晶体管T9'。保持电容器Ccomp电连接于接收第一电源电压ELVDD的第一电压线PL1和第七子晶体管T7'的第一输入区域S7以及第九子晶体管T9'的第一输出区域D9之间的节点。保持电容器Ccomp可以包括电连接于第七子晶体管T7'的第一输入区域S7和第九子晶体管T9'的第一输出区域D9之间的节点的第三电极CE30以及电连接于第一电压线PL1的第四电极CE40。

第九子晶体管T9'可以电连接于第七子晶体管T7'的第一输入区域S7和第六子晶体管T6'的第一输出区域D6之间。第九子晶体管T9'的第一输出区域D9可以电连接于第七子晶体管T7'的第一输入区域S7。第九子晶体管T9'的第一输入区域S9可以电连接于第六子晶体管T6'的第一输出区域D6。第九子晶体管T9'的第一栅极G9可以电连接于第i个发光线ELi。

修复线RLi可以连接于第六子晶体管T6'的第一输出区域D6和第九子晶体管T9'的第一输入区域S9之间。因此，修复线RLi可以与修复工艺前后无关地电连接于修复电路PC-S。

另外，修复线RLi可以连接于第九子晶体管T9'的第一输出区域D9和第七子晶体管T7'的第一输入区域S7之间的节点，即与保持电容器Ccomp的第三电极CE30连接的节点。

根据一实施例，在修复工艺过程中，可以使第一连接部分P-A短路，以使修复线RLi与从第九子晶体管T9'的第一输出区域D9和第七子晶体管T7'的第一输入区域S7之间的节点，即与保持电容器Ccomp的第三电极CE30连接的节点延伸的布线彼此连接。

根据本发明，在修复工艺后，修复线RLi可以电连接于第二像素PX2的第二发光元件LD2。根据一实施例，在修复工艺过程中，可以使第二连接部分P-B短路，以使修复线RLi电连接于第二发光元件LD2。后面叙述对此的详细说明。

另外，在修复工艺后，第二像素电路PC2中的第六晶体管T6和第二发光元件LD2之间以及第七晶体管T7和第二发光元件LD2之间的每一个可以电切断。

根据一实施例，硅晶体管中的一部分可以包括断线区域OA1、OA2、OA3。断线区域OA1、OA2、OA3可以包括第一断线区域OA1、第二断线区域OA2以及第三断线区域OA3。

第一断线区域OA1可以包括在第六晶体管T6的第一输出区域D6中。即，第一断线区域OA1可以包括在硅晶体管中的提供第二发光元件LD2的驱动电流的硅晶体管的第一输出区域D6中。

第二断线区域OA2可以包括在第七晶体管T7的第一输入区域S7中。即，第二断线区域OA2可以包括在硅晶体管中的向第二发光元件LD2的阳极提供第二初始化电压VAint的硅晶体管的第一输入区域S7中。

第三断线区域OA3可以包括在第六晶体管T6的第一输入区域S6中。即，第三断线区域OA3可以包括在硅晶体管中的提供第二发光元件LD2的驱动电流的硅晶体管的第一输入区域S6中。

由此，第六晶体管T6和第二发光元件LD2之间以及第七晶体管T7和第二发光元件LD2之间的每一个可以电切断。

第六晶体管T6在第一输出区域D6以及第一输入区域S6全部中包括断线区域OA1、OA3，从而能够使第六晶体管T6和第二发光元件LD2之间完全断线，能够防止驱动电流微量流动。不过，根据本发明的另一实施例，可以省略第三断线区域OA3。

根据本发明，在修复工艺前，第二像素PX2可能由于缺陷的第二像素电路PC2不能向第二发光元件LD2提供驱动电流而不发光。不过，通过修复工艺，切断缺陷的第二像素电路PC2和第二发光元件LD2之间的电连接，将修复线RLi电连接于第二像素PX2的第二发光元件LD2，从而进行了修复工艺的第二像素PX2的第二发光元件LD2能够从修复线RLi接收驱动电流而以正常元件运行。

图6a示出将修复工艺后的显示面板100的一部分放大的截面图，示出进行了修复工艺的修复线RL'和第二发光元件LD2之间，即第二连接部分P-B的连接关系。参照图6a，在修复工艺后，修复线RL'可以接通于桥接电极BE。此时，修复线RL'和桥接电极BE之间的连接关系可以相同地还适用于第一连接部分P-A，在图6a中重点说明第二连接部分P-B。

根据一实施例，修复工艺通过使用激光装置LB，在基底层110的下方，向从基底层110的下面朝向修复线RL(参照图4)的方向，照射激光LS的方法进行。修复线RL中的被照射激光LS的部分可以熔化，一部分熔化的修复线RL可以使相邻的第三及第四绝缘层30、40的一部分熔化。熔化的修复线RL可以穿过第三及第四绝缘层30、40中的熔化部分而接通于桥接电极BE。

由此，可以是，修复线RL'连接于桥接电极BE，通过桥接电极BE电连接于第一下连接电极C1-A，通过第一下连接电极C1-A与上连接电极CE2以及第二发光元件LD2的阳极AE电连接。

与本实施例不同，当没有桥接电极BE时，修复线RL'需要直接接通于第一下连接电极C1-A。此时，仅在第三至第五绝缘层30～50全部充分熔化的情况下，修复线RL'可以穿过第三至第五绝缘层30～50而接通于第一下连接电极C1-A。

不过，第三至第五绝缘层30～50随着具有比较大厚度而可能不充分熔化。即，修复线RL'不能全部穿过第三至第五绝缘层30～50，可能不能接通于第一下连接电极C1-A。因此，针对缺陷像素的修复工艺的产出率可能低。

根据本发明的实施例，将与第一下连接电极C1-A连接的桥接电极BE还配置于与第二栅极G3相同的层上，从而修复线RL'能够穿过充分熔化的第三及第四绝缘层30、40而与桥接电极BE更容易地接通。即，随着修复线RL'需要穿过的绝缘层的厚度变薄，能够提高针对缺陷像素的修复工艺的产出率。由此，能够提高可靠度得到改善的显示面板100。

图6b示出沿着修复线RL'的延伸方向截取的截面图。参照图6b，修复线RL'可以与包括在修复电路PC-S中的第六子晶体管T6'的第一输出区域D6电连接地配置。

根据一实施例，修复电路PC-S可以包括配置于第四绝缘层40上的子桥接电极BE-S。子桥接电极BE-S可以通过贯通第三及第四绝缘层30、40形成的第一子接触孔CT1-S与修复线RL'连接。

修复电路PC-S可以包括配置于第五绝缘层50上的子连接电极CE-S1、CE-S2。子连接电极CE-S1、CE-S2可以分别通过贯通第一至第五绝缘层10～50形成的第二子接触孔CT2-S而连接于第六子晶体管T6'的第一输出区域D6以及第一输入区域S6。

子连接电极CE-S1、CE-S2中的与第六子晶体管T6'的第一输出区域D6连接的子连接电极CE-S1可以通过贯通第五绝缘层50形成的第三子接触孔CT3-S而还连接于修复线RL'。

所述子连接电极CE-S1连接于子桥接电极BE-S以及第六子晶体管T6'的第一输出区域D6，从而修复线RL'可以与修复电路PC-S的第六子晶体管T6'电连接。

不过，修复线RL'连接于修复电路PC-S的结构不限于此，修复线RL'也可以通过贯通第三至第五绝缘层30～50以及第一有机绝缘层60形成的接触孔而直接连接于与第六子晶体管T6'的第一输出区域D6连接的所述子连接电极CE-S1。

图7示出在图5中说明的第一至第三断线区域OA1、OA2、OA3中的第一及第二断线区域OA1、OA2的截面。如第六晶体管T6那样，第七晶体管T7的第一输入区域S7、第一沟道区域A7(或者有源区域)以及第一输出区域D7可以从硅半导体图案SP1形成。第一断线区域OA1可以包括在第二像素电路PC2(参照图5)中的第六晶体管T6的第一输出区域D6中。第二断线区域OA2可以包括在第二像素电路PC2(参照图5)中的第七晶体管T7的第一输入区域S7中。

根据一实施例，在修复工艺过程中，可以用激光LS切割第六晶体管T6的第一输出区域D6的一部分以及第七晶体管T7的第一输入区域S7的一部分的每一个。

使用激光装置LB，向观看基底层110的下面的方向，将激光LS照射到第六晶体管T6的第一输出区域D6，从而可以将第六晶体管T6的第一输出区域D6的一部分熔化并切割。向观看基底层110的下面的方向，将激光LS照射到第七晶体管T7的第一输入区域S7，从而可以将第七晶体管T7的第一输入区域S7的一部分熔化并切割。

在图7中仅示出第一及第二断线区域OA1、OA2，但是第三断线区域OA3的切割形式也可以与第一及第二断线区域OA1、OA2的切割形式相似。

图8是根据一实施例的显示面板的一部分的截面图。另外，图8示出针对没有进行修复工艺的显示面板100-1的截面。针对与在图1至图7中说明的结构相同/相似的结构，使用相同/相似的附图标记，省略重复的说明。

参照图8，显示面板100-1可以包括发光元件LD以及像素电路PC(参照图3b)，根据本实施例的像素电路PC可以包括硅晶体管、氧化物晶体管、下连接电极CE1、上连接电极CE2以及修复线RL-1。在图8中示出硅晶体管中的第六晶体管T6，示出氧化物晶体管中的第三晶体管T3。

根据本实施例，修复线RL-1可以配置于第四绝缘层40上，并被第五绝缘层50覆盖。修复线RL-1可以配置于与第三晶体管T3的第二栅极G3相同层上。即，修复线RL-1可以配置于与氧化物晶体管的第二栅极G3相同层上。

在修复工艺时，可以通过在基底层110的下方，向从基底层110的下面朝向修复线RL-1的方向，照射激光的方法进行。修复线RL-1中的被照射激光的部分可以熔化，一部分熔化的修复线RL-1可以使相邻的第五绝缘层50的一部分熔化。

熔化的修复线RL-1可以穿过熔化的第五绝缘层50而接通于第一下连接电极C1-A1。第一下连接电极C1-A1连接于上连接电极CE2，从而修复线RL-1可以与第二发光元件LD2的阳极AE电连接。

根据本实施例，在修复线RL-1和第一下连接电极C1-A1之间不配置单独的桥接电极BE(参照图4)，能够将修复线RL-1直接接通于第一下连接电极C1-A1。将修复线RL-1与第一下连接电极C1-A1相邻配置，从而能够使得修复线RL-1需要穿过的绝缘层的厚度更薄，能够提高针对缺陷像素的修复工艺的产出率。由此，能够提供可靠度得到改善的显示面板100-1。

以上，参照本发明的优选实施例进行了说明，但对于本技术领域的熟练人员或者在本技术领域中具有通常知识的人员来说，能够理解可以在不超出所附的权利要求书中记载的本发明的构思以及技术领域的范围内对本发明进行各种修改及变更。因此，本发明的技术范围并非由说明书的详细说明中记载的内容来限定，而是应通过权利要求书来确定。