集成电路

技术领域

本申请案是关于电路，且更特定而言，是关于布线系统及方法。

背景技术

将集成电路(integrated circuit,IC)小型化的最新趋势已导致更小的元件，其消耗更少功率，但以更高的速度提供更多功能。小型化制程亦已导致更严格的设计及制造规范以及可靠性挑战。各种电子设计自动化(electronic design automation,EDA)工具产生、最佳化并验证用于集成电路的标准单元布局图案，而同时确保符合标准单元布局设计及制造规范。

发明内容

根据本揭露的一些实施例，一种集成电路。此集成电路包括第一图案金属层，其包括在第一方向上延伸的复数个金属轨道。复数个金属轨道中的每一者与其相邻者通过第一间距分离开。此集成电路包括形成于第一图案金属层之上的第二图案金属层。第二图案金属层包括在第一方向上延伸的第二复数个金属轨道。复数个金属轨道中的每一者与其相邻者通过第二间距分离开。第二复数个金属轨道少于9个金属轨道。此集成电路包括安置在第一图案金属层与第二图案金属层之间的第三图案金属层。第三图案金属层包括在垂直于第一方向的第二方向上延伸的第一金属轨道区段。第一金属轨道区段与第一图案金属层的复数个金属轨道中的至少第一者重叠。第一金属轨道区段具有在第一方向上延伸的第一边缘。第三图案金属层包括在第二方向上延伸的第二金属轨道区段。第二金属轨道区段与第一图案金属层的复数个金属轨道中的至少第二者重叠。第二金属轨道区段具有面向第一金属轨道区段的第一边缘的第二边缘。第二金属轨道区段具有与第二边缘相对的第三边缘。第三图案金属层包括在第二方向上延伸的第三金属轨道区段。第三金属轨道区段与第一图案金属层的复数个金属轨道中的至少第三者重叠。第三金属轨道区段具有面向第二金属轨道区段的第三边缘的第四边缘。此集成电路在第二方向上由双单元高度限定。复数个金属轨道、第二复数个金属轨道中的每一者及第一金属轨道区段、第二金属轨道区段及第三金属轨道区段中的每一者的至少一部分是在此双单元高度以内。

附图说明

当结合随附诸图阅读时，得以自以下详细描述最佳地理解本揭示案的态样。应注意，根据行业上的标准实务，各种特征未按比例绘制。事实上，为了论述清楚，可任意地增大或减小各种特征的尺寸。

图1根据本揭示案的实施例绘示集成电路的实例布局设计；

图2根据本揭示案的实施例绘示集成电路的实例布局设计；

图3A根据本揭示案的一些实施例绘示多重布局设计；

图3B根据本揭示案的一些实施例绘示多重布局设计；

图4A根据本揭示案的一些实施例绘示多重布局设计；

图4B根据本揭示案的一些实施例绘示多重布局设计；

图5A根据本揭示案的一些实施例绘示多重布局设计；

图5B根据本揭示案的一些实施例绘示多重布局设计；

图6A根据本揭示案的一些实施例绘示多重布局设计；

图6B根据本揭示案的一些实施例绘示多重布局设计；

图7A根据本揭示案的一些实施例绘示布局设计；

图7B根据本揭示案的一些实施例绘示布局设计；

图8根据本揭示案的一些实施例绘示布局设计；

图9根据本揭示案的一些实施例绘示布局设计；

图10绘示根据布局设计形成集成电路的方法1000的流程图；

图11绘示根据布局设计形成集成电路的方法的流程图；

图12为根据一些实施例的用于设计并制造IC布局设计的系统的示意图；

图13为根据本揭示案的至少一个实施例的集成电路(IC)制造系统的方块图，及与其相关联的IC制造流程。

【符号说明】

100:布局设计

101A:布局图案

101B:布局图案

101C:布局图案

101D:布局图案

101E:布局图案

101F:布局图案

105:单元高度

200:布局设计

201A:布局图案

201B:布局图案

201C:布局图案

201D:布局图案

201E:布局图案

201F:布局图案

201G:布局图案

201H:布局图案

202A:第一单位区域

202B:第二单位区域

203A:金属轨道区段

203B:金属轨道区段

203C:金属轨道区段

204A:第一单元高度

204B:第二单元高度

206:双单元高度

207A:边缘

207B:边缘

207C:边缘

207D:边缘

209:中宽点

300A:布局设计

300B:布局设计

300C:布局设计

300D:布局设计

300E:布局设计

300F:布局设计

300G:布局设计

300H:布局设计

300I:布局设计

300J:布局设计

300K:布局设计

300L:布局设计

301A:布局图案

301B:布局图案

301C:布局图案

301D:布局图案

301E:布局图案

301F:布局图案

301G:布局图案

303A:布局图案

303AA:布局图案

303AB:布局图案

303AC:布局图案

303B:布局图案

303C:布局图案

303D:布局图案

303E:布局图案

303F:布局图案

303G:布局图案

303H:布局图案

303I:布局图案

303J:布局图案

303K:布局图案

303L:布局图案

303M:布局图案

303N:布局图案

303O:布局图案

303P:布局图案

303Q:布局图案

303R:布局图案

303S:布局图案

303T:布局图案

303U:布局图案

303V:布局图案

303W:布局图案

303X:布局图案

303Y:布局图案

303Z:布局图案

305A:布局图案

305B:布局图案

305C:布局图案

305D:布局图案

305E:布局图案

305F:布局图案

305G:布局图案

305H:布局图案

305I:布局图案

305J:布局图案

305K:布局图案

305L:布局图案

305M:布局图案

305N:布局图案

305O:布局图案

305P:布局图案

305Q:布局图案

305R:布局图案

305S:布局图案

305T:布局图案

305U:布局图案

307A:最小长度

307B:最小长度

309A:短边

309B:短边

311A:端至端间距

311B:端至端间距

313:短边

315:通孔外壳

317:边

319:布局图案

321:通孔外壳

323:距离

400A:布局设计

400B:布局设计

400C:布局设计

400D:布局设计

400E:布局设计

400F:布局设计

400G:布局设计

400H:布局设计

400I:布局设计

400J:布局设计

400K:布局设计

401A:布局图案

401B:布局图案

401C:布局图案

401D:布局图案

401E:布局图案

401F:布局图案

403A:布局图案

403B:布局图案

403C:布局图案

403D:布局图案

403E:布局图案

403F:布局图案

403G:布局图案

403H:布局图案

403I:布局图案

403J:布局图案

403K:布局图案

403L:布局图案

403M:布局图案

403N:布局图案

403O:布局图案

403P:布局图案

403Q:布局图案

403R:布局图案

403S:布局图案

403T:布局图案

403U:布局图案

403V:布局图案

403W:布局图案

403X:布局图案

403Y:布局图案

403Z:布局图案

405A:布局图案

405B:布局图案

405C:布局图案

405D:布局图案

405E:布局图案

405F:布局图案

405G:布局图案

405H:布局图案

405I:布局图案

405J:布局图案

405K:布局图案

405L:布局图案

405M:布局图案

405N:布局图案

405O:布局图案

405P:布局图案

405Q:布局图案

405R:布局图案

405S:布局图案

405T:布局图案

405U:布局图案

405V:布局图案

407A:最小长度

407B:最小长度

411A:端至端间距

415:通孔外壳

419:布局图案

421:通孔外壳

500A:布局设计

500B:布局设计

500C:布局设计

500D:布局设计

500E:布局设计

500F:布局设计

501A:布局图案

501B:布局图案

501C:布局图案

501D:布局图案

501E:布局图案

503A:布局图案

503B:布局图案

503C:布局图案

503D:布局图案

503E:布局图案

503F:布局图案

503G:布局图案

503H:布局图案

503I:布局图案

503J:布局图案

503K:布局图案

503L:布局图案

503M:布局图案

503N:布局图案

505A:布局图案

505B:布局图案

505C:布局图案

505D:布局图案

505E:布局图案

505F:布局图案

505G:布局图案

505H:布局图案

505I:布局图案

505J:布局图案

505K:布局图案

505L:布局图案

507A:最小长度

511A:端至端间距

515:通孔外壳

519:布局图案

521:通孔外壳

600A:布局设计

600B:布局设计

600C:布局设计

600D:布局设计

600E:布局设计

600F:布局设计

600G:布局设计

601A:布局图案

601B:布局图案

601C:布局图案

601D:布局图案

601E:布局图案

603A:布局图案

603B:布局图案

603C:布局图案

603D:布局图案

603E:布局图案

603F:布局图案

603G:布局图案

603H:布局图案

603I:布局图案

603J:布局图案

603K:布局图案

603L:布局图案

603M:布局图案

603N:布局图案

603O:布局图案

603P:布局图案

605A:布局图案

605B:布局图案

605C:布局图案

605D:布局图案

605E:布局图案

605F:布局图案

605G:布局图案

605H:布局图案

605I:布局图案

605J:布局图案

605K:布局图案

605L:布局图案

607A:最小长度

607B:最小长度

611:端至端间距

615:通孔外壳

700A:布局设计

700B:布局设计

701A:布局图案

701B:布局图案

701C:布局图案

701D:布局图案

701E:布局图案

702:M1间距

703A:布局图案

703B:布局图案

703C:布局图案

703D:布局图案

703E:布局图案

703F:布局图案

705A:布局图案

705B:布局图案

705C:布局图案

705D:布局图案

705E:布局图案

705F:布局图案

705G:布局图案

705H:布局图案

707A:切口

707B:切口

800:布局设计

801A:布局图案

801B:布局图案

801C:布局图案

801D:布局图案

801E:布局图案

802:多晶硅间距

803A:布局图案

803B:布局图案

805:最小长度

807:端至端间距

900:布局设计

901A:金属图案

901B:金属图案

901C:金属图案

901D:金属图案

901E:金属图案

901F:金属图案

902A:第一标准单元

902B:第二标准单元

903A:金属图案

903B:金属图案

904A:单元高度

904B:单元高度

905A:布局图案

905B:布局图案

907:最小长度

909:端至端间距

911:通孔外壳

1000:方法

1002～1014:操作

1100:方法

1102～1106:操作

1200:系统

1202:硬件处理器

1204:计算机可读储存媒体

1206:计算机程序码

1208:总线

1210:I/O接口

1212:网络接口

1214:网络

1216:布局设计

1218:使用者界面

1220:制造单元

1222:制造工具

1300:集成电路(IC)制造系统

1320:设计室

1322:IC设计布局

1330:遮罩室

1332:遮罩数据准备

1334:遮罩制造

1340:IC晶圆厂

1342:半导体晶圆

1360:IC元件

具体实施方式

以下揭示内容提供用于实施所提供标的的不同特征的许多不同实施例或实例。以下描述部件及布置的特定实例以简化本揭示案。当然，此些仅为实例，且并不意欲为限制性的。举例而言，在如下描述中第一特征在第二特征之上或在第二特征上形成可包括其中第一特征与第二特征形成为直接接触的实施例，且亦可包括其中额外特征可在第一特征与第二特征之间形成而使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。另外，本揭示案可在各种实例中重复元件符号及/或字母。此重复是出于简化及清楚目的，且其自身并不表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。

另外，为了描述简单，可在本文中使用诸如“在……下面”、“在……下方”、“下部”、“在……上方”、“上部”及其类似术语的空间相对术语，以描述如诸图中所绘示的一个元件或特征与另一(另外)元件或特征的关系。除了诸图中所描绘的定向以外，此些空间相对术语意欲涵盖元件在使用中或操作中的不同定向。装置可以其他方式定向(旋转90度或以其他定向)，且可同样相应地解释本文中所使用的空间相对描述词。

半导体元件单元可包括晶体管，此些晶体管具有在晶体管上方的金属图案结构(例如，互连金属图案化、结构、层、标准单元)。金属图案结构包括(例如)用于将多晶硅结构互连的金属布线资源轨道(例如，轨道、路径、道、接线、平面)，以及用于向单元部件提供功率的功率金属轨道。单元可具有多个图案结构。举例而言，第一金属图案结构可指示将形成在单元晶体管之上的第一金属轨道，且第二金属图案结构可指示将形成在第一金属轨道之上的第二金属轨道。晶体管多晶硅结构横向于(例如，横向于、垂直于)第一金属图案结构及第二金属图案结构的资源轨道延伸。彼些资源轨道可彼此平行，或在不同的平行平面中彼此垂直。

随着晶体管密度增大，期望对金属图案结构进行缩放以向给定空间中增大的数目个晶体管提供足够功率及信号路径或资源路径。然而，由于制程成本及与批量生产、电迁移规则及其他技术问题相关联的限制，金属图案结构的金属间距并不随下伏晶体管大小一起缩放。因此，金属图案结构必须具有在给定单元高度内的减少的数目个金属轨道。因此，当单元高度降低(例如，至120nm)以容纳先进节点(例如，N2节点)时，金属图案结构的金属间距无法提供足够的布线资源(例如，在晶体管之间)。因此，由于金属图案结构限制而无法实现最小单元面积(及晶片面积)。

本揭示案提供根据布局设计而不违反设计规则的例示性电路及方法，用于提供足够的布线资源而同时容纳更短的单元高度。在一些实施例中，布局设计指示在单元高度内少于五个M2轨道的位置，而同时指示垂直于M2轨道且在两倍单元高度内的三个M1轨道区段的一行的位置。在一些实施例中，集成电路是由布局设计形成的，每个金属层使用一个遮罩而无用于切割金属层的额外遮罩。

图1根据本揭示案的实施例绘示集成电路的实例布局设计100。实例布局设计100包括布局图案101A至101F。布局设计100可为标准单元(例如，单位区域)，且可放置与路由多重(例如，复制品)布局设计100，以使得集成电路的不同区域可具有等同或类似的配置。布局图案101A至101F指示在基板之上的层(例如，M2层)中的一组金属轨道的位置。

布局图案101A至101F可在X方向上在标准单元的区域内延伸。布局图案101A至101F中的每一者可具有在Y方向上的宽度。101A至101F中的每对相邻布局图案可在Y方向上具有间距。在一个态样中，两个金属轨道之间的间距为两个金属轨道中的一者的半宽点与两个金属轨道中的另一者的半宽点之间的距离。举例而言，布局图案101B及101C根据间距203沿Y方向分离。

在一些实施例中，布局图案101A及101F中的每一者可耦合(例如，连接、供应、携载)接地或电源(例如，供应电压，VSS或VDD)，且布局图案101B至101E中的每一者可耦合信号(例如，除了接地或供应信号以外的信号)。布局图案101B至101E可具有第一宽度且布局图案101A及101F可具有第二宽度。在一些实施例中，第一宽度及第二宽度为不同的。在其他实施例中，其为相同的。布局图案中的其中两个布局图案包括101B至101E中的两者的相邻对可具有第一间距(例如，第一M2间距)，且布局图案的其中布局图案中的一者包括101A或101F的相邻对可具有第二间距(例如，第二M2间距)。在一些实施例中，第一M2间距及第二M2间距为不同的。在其他实施例中，其为相同的。

布局设计100可包括少于或大于四个的指示用以耦合信号的M2金属轨道(M2信号金属轨道)的布局图案。布局设计100可包括少于或大于两个的指示用以耦合电源或接地的M2金属轨道(M2电源/接地金属轨道)的布局图案。布局设计100可包括少于或大于六个的指示M2金属轨道的布局图案。

布局设计100的标准单元具有沿Y方向的单元高度105。在一些实施例中，此单元高度为120纳米(nm)或更少。在其中单元高度为120nm或更少的一些实施例中，指示M2信号金属轨道的布局图案的数目为4或更少。在一些实施例中，其中单元高度为120nm或更少。在一些实施例中，第一M2间距为20nm或更少。在其中第一M2间距等于第二M2间距的实施例中，可将标准单元中指示M2信号金属轨道的布局图案的数目确定为单元高度除以第一M2间距减去标准单元中指示M2电源/接地金属轨道的布局图案的数目。在一些实施例中，单元高度是自第一电源/接地金属轨道(例如，101A)的半宽点至第二电源/接地金属轨道(例如，101F)的半宽点。

图2根据本揭示案的实施例绘示集成电路的实例布局设计200。布局设计200具有第一单位区域202A(例如，第一部分、第一标准单元)，此第一单位区域202A具有第一单元高度204A。布局设计200具第二单位区域202B(例如，第二部分、第二标准单元)，此第二单位区域202B具有第二单元高度204B。布局设计200具有双单元高度206，其为单元高度204A与单元高度204B的总和。

布局设计200包括指示基板之上的第一层(例如，M0层)中的金属轨道的第一布局图案。第一布局图案包括布局图案201A至201H，其指示用于供应一或更多个信号及布局图案的金属轨道的位置。布局图案201A至201H在双单元高度206以内。布局图案201A至201D在单元高度204A以内。布局图案201E至201H在单元高度204B以内。

在一些实施例中，布局图案201B、201C、201F及201G用于供应一或更多个信号，且布局图案201A、201D、201E及201H用于供应一或更多个电源或接地。布局图案201A至201H在第一方向上(例如，X方向)延伸，且在第二方向上(例如，Y方向)彼此相邻(例如，布局图案201A与201B相邻，布局图案201B与201C相邻，布局图案201C与201D相邻，布局图案201D与201E相邻，布局图案201E与201F相邻，布局图案201F与201G相邻，且布局图案201G与201H相邻)。

布局设计200包括第二布局图案，其指示在第一层之上且比第一层更远离基板的第二层(例如，M1层)中的一组金属轨道区段203A至203C的位置。金属轨道区段203A至203C在第二方向上延伸。金属轨道区段203A具有在第一方向上延伸的边缘207A。金属轨道区段203B具有面向第一边缘207A的边缘207B及与边缘207B相对的边缘207C。金属区段203C具有面向边缘207C的边缘207D。换言之，第二金属轨道区段(例如，仅)在第二方向上偏离第一金属轨道区段，且第三金属轨道区段(例如，仅)在第二方向上偏离第一及第二金属轨道区段。因此，金属轨道区段203A至203C在第一方向上彼此对准(例如，其中宽点209对准，此些中宽点209在第二方向上形成行，通过每一区段之间及周围的空间分离开)。在一些实施例中，金属轨道区段203A至203C完全在双单元高度以内。在一些实施例中，金属轨道区段203A至203C中的每一者的至少一部分在双单元高度以内。

可使用第一制程(诸如，自然结束制程、1P1E(一次图案，一次蚀刻)自然结束制程或LSLE(微影-间隔物-微影-蚀刻)自然结束制程中的至少一者)形成根据多重布局设计300A至300H的第二布局图案所形成的在第二层中的金属轨道。在一些实施例中，自然结束制程为每个金属层使用一个遮罩而无用于切割金属层的额外遮罩的制程。在一些实施例中，可根据第一通孔外壳、端至端(end-to-end,E2E)间距及第二层中金属轨道的最小长度来形成使用第一制程所形成的金属轨道。

多重布局设计300A至300H中的每一者包括第三布局图案，其指示在安置于第一层与第二层之间的第三层中的一组通孔接触件(例如，通孔0)的位置。根据第三布局图案形成的通孔接触件中的每一者将根据布局图案301A至301G中的一者所形成的在第一层中的金属轨道中的一者耦合至根据第二布局图案中的一者所形成的在第二层中的金属轨道中的一者。

布局设计300A的第二布局图案包括布局图案303A至303B。布局图案303A的金属轨道区段(例如，根据布局图案303A形成的金属轨道)形成在布局图案301F至301G的金属轨道之上(例如，与布局图案301F至301G的金属轨道重叠，在X-Y平面上与布局图案301F至301G的金属轨道重叠，至少部分地形成于布局图案301F至301G的金属轨道之上)。布局图案303B的金属轨道区段形成在布局图案301A至301D的金属轨道之上。布局设计300A的第三布局图案包括布局图案305A至305B。布局图案305A的通孔接触件(例如，根据布局图案305A形成的通孔接触件)将布局图案301G的金属轨道耦合至布局图案303A的金属轨道区段。布局图案305B的通孔接触件将布局图案301D的金属轨道耦合至布局图案303B的金属轨道区段。

图3A根据本揭示案的一些实施例绘示多重布局设计300A至300H。多重布局设计300A至300H中的每一者包括指示基板之上的第一层(例如，M0层)中的金属轨道的第一布局图案。第一布局图案包括指示用于供应一或更多个信号的五个信号金属轨道的位置的布局图案301B至301F，及指示用于供应一或更多个电源或接地的两个电源/接地金属轨道的位置的布局图案301A及301G。

布局图案301A至301G在X方向上延伸且在Y方向上彼此相邻(例如，301A与301B相邻，301B与301C相邻，301C与301D相邻，301D与301E相邻，301E与301F相邻，301F与301G相邻)。

布局图案301B至301F具有第一宽度且布局图案301A及301G具有第二宽度。在一些实施例中，第一宽度及第二宽度为不同的。在其他实施例中，其为相同的。布局图案中的其中两个布局图案包括301B至301F中的两者的相邻对可具有第一间距(例如，第一M0间距)，且布局图案的其中布局图案中的一者包括301A或301G的相邻对可具有第二间距(例如，第二M0间距)。在一些实施例中，第一M0间距及第二M0间距为不同的。在其他实施例中，其为相同的。在一些实施例中，第一M0间距小于或等于20nm。在一些实施例中，第一M0间距与第一M2间距相同。

多重布局设计300A至300H中的每一者包括第二布局图案，其指示在第一层之上且比第一层更远离基板的第二层(例如，M1层)中的一组金属轨道区段的位置。第二布局图案在Y方向上延伸且在X方向上彼此对准(例如，其中宽点对准)。因此，第二布局图案在横向于(例如，垂直于)第一布局图案的方向上延伸。

可使用第一制程(诸如，自然结束制程、1P1E(一次图案，一次蚀刻)自然结束制程或LSLE(微影-间隔物-微影-蚀刻)自然结束制程中的至少一者)形成根据多重布局设计300A至300H的第二布局图案所形成的在第二层中的金属轨道区段。在一些实施例中，可根据第一通孔外壳、端至端(E2E)间距及第二层中金属轨道的最小长度来形成使用第一制程所形成的金属轨道区段。

多重布局设计300A至300H中的每一者包括第三布局图案，其指示在安置于第一层与第二层之间的第三层中的一组通孔接触件(例如，通孔0)的位置。根据第三布局图案形成的通孔接触件中的每一者将根据布局图案301A至301G中的一者所形成的在第一层中的金属轨道中的一者耦合至根据第二布局图案中的一者所形成的在第二层中的金属轨道区段中的一者。

布局设计300A的第二布局图案包括布局图案303A至303B。布局图案303A的金属轨道区段(例如，根据布局图案303A形成的金属轨道区段)形成在布局图案301F至301G的金属轨道之上(例如，与布局图案301F至301G的金属轨道重叠，在X-Y平面上与布局图案301F至301G的金属轨道重叠，至少部分地形成于布局图案301F至301G的金属轨道之上)。布局图案303B的金属轨道区段形成在布局图案301A至301D的金属轨道之上。布局设计300A的第三布局图案包括布局图案305A至305B。布局图案305A的通孔接触件(例如，根据布局图案305A形成的通孔接触件)将布局图案301G的金属轨道耦合至布局图案303A的轨道区段。布局图案305B的通孔接触件将布局图案301D的金属轨道耦合至布局图案303B的金属轨道区段。

每一矩形布局图案具有四个边(例如，侧、端部)，其包括两个短边及两个长边。在一些实施例中，两个短边在长度上小于两个长边。布局图案303A在Y方向上具有最小长度307A(例如，自短边309A至短边309B的距离)。布局图案303A及303B在Y方向上具有端至端间距311A(例如，布局图案303A的短边309B与布局图案303B的在Y方向上面向短边309B的短边313之间的距离)。布局图案305B在Y方向上具有通孔外壳315(例如，布局图案303B的短边313与布局图案303B的在Y方向上面向短边313的边317之间的距离)。布局图案305A及305B在其间具有距离323。在一些实施例中，距离323为端至端间距311A、通孔外壳315及与短边309B及布局图案305A相关联的第二通孔外壳的总和。

布局设计300B的第二布局图案包括布局图案303C至303D(其分别类似于布局设计300A的布局图案303A至303B)。布局设计300B的第三布局图案包括布局图案305C至305D(其分别类似于布局设计300A的第二布局图案305A至305B)。布局设计300B亦包括第四布局图案，其指示形成在第二层之上且比第二层更远离基板的一或更多个通孔接触件(例如，通孔1)的位置。布局设计300B的第四布局图案包括布局图案319。布局图案319的通孔接触件(例如，根据布局图案319形成的通孔接触件)耦合至布局图案303C的金属轨道区段。布局图案319的通孔接触件形成在布局图案301F的金属轨道之上。布局图案319具有通孔外壳321。

布局设计300C的第二布局图案包括布局图案303E至303F。布局图案303E的金属轨道区段形成在布局图案301E至301G的金属轨道之上。布局图案303F的金属轨道区段形成在布局图案301A至301C的金属轨道之上。布局设计300C的第三布局图案包括布局图案305E至305F。布局图案305E的通孔接触件将布局图案301F的金属轨道耦合至布局图案303E的金属轨道区段。布局图案305F的通孔接触件将布局图案301C的金属轨道耦合至布局图案303F的金属轨道区段。

布局设计300D的第二布局图案包括布局图案303G至303H。布局图案303G的金属轨道区段形成在布局图案301E至301G的金属轨道之上。布局图案303H的金属轨道区段形成在布局图案301A至301B的金属轨道之上。布局设计300D的第三布局图案包括布局图案305G至305H。布局图案305G的通孔接触件将布局图案301F的金属轨道耦合至布局图案303G的金属轨道区段。布局图案305H的通孔接触件将布局图案301B的金属轨道耦合至布局图案303H的金属轨道区段。因此，例如，布局图案303G及303H之间的E2E 311B小于第一M0间距的3倍(303G及303H均不形成在M0金属轨道301C或301D之上)。

布局设计300E的第二布局图案包括布局图案303I至303J。布局图案303I的金属轨道区段形成在布局图案301D至301G的金属轨道之上。布局图案303J的金属轨道区段形成在布局图案301A至301B的金属轨道之上。布局设计300E的第三布局图案包括布局图案305I至305J。布局图案305I的通孔接触件将布局图案301E的金属轨道耦合至布局图案303I的金属轨道区段。布局图案305J的通孔接触件将布局图案301B的金属轨道耦合至布局图案303J的金属轨道区段。

布局设计300F的第二布局图案包括布局图案303K至303M。布局图案303K的金属轨道区段形成在布局图案301G的金属轨道之上。布局图案303L的金属轨道区段形成在布局图案301C至301F的金属轨道之上。布局图案303M的金属轨道区段形成在布局图案301A至301B的金属轨道之上。布局设计300F的第三布局图案包括布局图案305K。布局图案305K的通孔接触件将布局图案301E的金属轨道耦合至布局图案303L的金属轨道区段。

布局设计300G的第二布局图案包括布局图案303N至303P。布局图案303N的金属轨道区段形成在布局图案301G的金属轨道之上。布局图案303O的金属轨道区段形成在布局图案301C至301E的金属轨道之上。布局图案303P的金属轨道区段形成在布局图案301A的金属轨道之上。布局设计300G的第三布局图案包括布局图案305L。布局图案305L的通孔接触件将布局图案301D的金属轨道耦合至布局图案303O的金属轨道区段。

布局设计300H的第二布局图案包括布局图案303Q至303S。布局图案303Q的金属轨道区段形成在布局图案301F至301G的金属轨道之上。布局图案303R的金属轨道区段形成在布局图案301B至301E的金属轨道之上。布局图案303S的金属轨道区段形成在布局图案301A的金属轨道之上。布局设计300H的第三布局图案包括布局图案305M。布局图案305M的通孔接触件将布局图案301C的金属轨道耦合至布局图案303R的金属轨道区段。

图3B根据本揭示案的一些实施例绘示多重布局设计300I至300L。多重布局设计300I至300L类似于多重布局设计300A至300H。可使用第二制程(例如，自然结束制程、1P1E自然结束制程、LSLE自然结束制程)形成根据多重布局设计300I至300L的第二布局图案所形成的在第二层中的金属轨道。在一些实施例中，可根据第二通孔外壳、端至端(E2E)间距及第二层中金属轨道的最小长度来形成使用第二制程所形成的金属轨道。第二通孔外壳、端至端(E2E)间距及最小长度小于(例如，小于、短于、窄于、紧于)第一通孔外壳、端至端(E2E)间距及最小长度。

布局设计300I的第二布局图案包括布局图案303T至303U。布局图案303T的金属轨道区段形成在布局图案301F至301G的金属轨道之上。布局图案303U的金属轨道区段形成在布局图案301A至301E的金属轨道之上。布局设计300I的第三布局图案包括布局图案305N至305O。布局图案305N的通孔接触件将布局图案301G的金属轨道耦合至布局图案303T的金属轨道区段。布局图案305O的通孔接触件将布局图案301E的金属轨道耦合至布局图案303U的金属轨道区段。

布局设计300J的第二布局图案包括布局图案303V至303X。布局图案303V的金属轨道区段形成在布局图案301F至301G的金属轨道之上。布局图案303W的金属轨道区段形成在布局图案301C至301E的金属轨道之上。布局图案303X的金属轨道区段形成在布局图案301A至301B的金属轨道之上。布局设计300J的第三布局图案包括布局图案305P至305R。布局图案305P的通孔接触件将布局图案301G的金属轨道耦合至布局图案303V的金属轨道区段。布局图案305Q的通孔接触件将布局图案301D的金属轨道耦合至布局图案303W的金属轨道区段。布局图案305R的通孔接触件将布局图案301A的金属轨道耦合至布局图案303X的金属轨道区段。

布局设计300K的第二布局图案包括布局图案303Y至303AA。布局图案303Y的金属轨道区段形成在布局图案301F至301G的金属轨道之上。布局图案303Z的金属轨道区段形成在布局图案301C至301E的金属轨道之上。布局图案303AA的金属轨道区段形成在布局图案301A至301B的金属轨道之上。布局图案303Z具有最小长度307B。布局设计300K的第三布局图案包括布局图案305S。布局图案305S的通孔接触件将布局图案301D的金属轨道耦合至布局图案303Z的金属轨道区段。

布局设计300L的第二布局图案包括布局图案303AB至303AC。布局图案303AB的金属轨道区段形成在布局图案301E至301G的金属轨道之上。布局图案303AC的金属轨道区段形成在布局图案301A至301D的金属轨道之上。布局设计300L的第三布局图案包括布局图案305T至305U。布局图案305T的通孔接触件将布局图案301F的金属轨道耦合至布局图案303AB的金属轨道区段。布局图案305U的通孔接触件将布局图案301D的金属轨道耦合至布局图案303AC的金属轨道区段。

图4A根据本揭示案的一些实施例绘示多重布局设计400A至400F。布局设计400A至400F的第一布局图案包括指示用于供应一或更多个信号的四个信号金属轨道的位置的布局图案401B至401E，及指示用于在第一层中供应一或更多个电源或接地的两个电源/接地金属轨道的位置的布局图案401A及401F。

布局图案401A至401F在X方向上延伸且在Y方向上彼此相邻(例如，401A与401B相邻，401B与401C相邻，401C与401D相邻，401D与401E相邻，401E与401F相邻)。

与布局图案401B至401E相关联的第一宽度及第一间距分别类似于与布局图案301B至301F相关联的第一宽度及第一间距。在一些实施例中，与布局图案401A及401F相关联的第二宽度及第二间距分别类似于与布局图案301A及301G相关联的第二宽度及第二间距。在其他实施例中，与布局图案401A及401F相关联的第二宽度及第二间距大于(例如，大于、宽于、长于，等)或小于(例如，小于、窄于、短于，等)分别与布局图案301A及301G相关联的第二宽度及第二间距。

布局图案400A至400F的第二布局图案指示在比第一层更远离基板的第二层中的在Y方向上延伸的金属轨道。可使用第一制程形成根据多重布局设计400A至400F的第二布局图案所形成的在第二层中的金属轨道。布局设计400A至400F的第三布局图案指示在安置于第一层与第二层之间的第三层中的通孔接触件。布局设计400A至400F的第四布局图案指示在比第二层更远离基板的第四层中的通孔接触件。

布局设计400A的第二布局图案包括布局图案403A至403B。布局图案403A的金属轨道区段形成在布局图案401E至401F的金属轨道之上。布局图案403B的金属轨道区段形成在布局图案401A至401D的金属轨道之上。布局设计400A的第三布局图案包括布局图案405A至405B。布局图案405A的通孔接触件将布局图案401F的金属轨道耦合至布局图案403A的金属轨道区段。布局图案405B的通孔接触件将布局图案401D的金属轨道耦合至布局图案403B的金属轨道区段。

布局图案403A在Y方向上具有最小长度407A。布局图案403A及403B在Y方向上具有端至端间距411A。布局图案405B在Y方向上具有通孔外壳415。

布局设计400B的第二布局图案包括布局图案403C至403D。布局图案403C的金属轨道区段形成在布局图案401E至401F的金属轨道之上。布局图案403D的金属轨道区段形成在布局图案401A至401C的金属轨道之上。布局设计400B的第三布局图案包括布局图案405C至405D。布局图案405C的通孔接触件将布局图案401E的金属轨道耦合至布局图案403C的金属轨道区段。布局图案405D的通孔接触件将布局图案401C的金属轨道耦合至布局图案403D的金属轨道区段。

布局设计400C的第二布局图案包括布局图案403E至403F。布局图案403E的金属轨道区段形成在布局图案401D至401F的金属轨道之上。布局图案403F的金属轨道区段形成在布局图案401A至401B的金属轨道之上。布局设计400C的第三布局图案包括布局图案405E至405F。布局图案405E的通孔接触件将布局图案401D的金属轨道耦合至布局图案403E的金属轨道区段。布局图案405F的通孔接触件将布局图案401B的金属轨道耦合至布局图案403F的金属轨道区段。

布局设计400D的第二布局图案包括布局图案403G至403H。布局图案403G的金属轨道区段形成在布局图案401E至401F的金属轨道之上。布局图案403H的金属轨道区段形成在布局图案401A至401B的金属轨道之上。布局设计400D的第三布局图案包括布局图案405G至405H。布局图案405G的通孔接触件将布局图案401E的金属轨道耦合至布局图案403G的金属轨道区段。布局图案405H的通孔接触件将布局图案401B的金属轨道耦合至布局图案403H的金属轨道区段。

布局设计400E的第二布局图案包括布局图案403I至403K。布局图案403I的金属轨道区段形成在布局图案401F的金属轨道之上。布局图案403J的金属轨道区段形成在布局图案401B至401D的金属轨道之上。布局图案403K的金属轨道区段形成在布局图案401A的金属轨道之上。布局设计400E的第三布局图案包括布局图案405I。布局图案405I的通孔接触件将布局图案401C的金属轨道耦合至布局图案403J的金属轨道区段。

布局设计400F的第二布局图案包括布局图案403L至403M。布局图案403L的金属轨道区段形成在布局图案401F的金属轨道之上。布局图案403M的金属轨道区段形成在布局图案401C至401E的金属轨道之上。布局图案403N的金属轨道区段形成在布局图案401A的金属轨道之上。布局设计400F的第三布局图案包括布局图案405J。布局图案405J的通孔接触件将布局图案401D的金属轨道耦合至布局图案403M的金属轨道区段。

图4B根据本揭示案的一些实施例绘示多重布局设计400G至400K。多重布局设计400G至400K类似于多重布局设计400A至400F。可使用第二制程形成根据多重布局设计400G至400K的第二布局图案所形成的在第二层中的金属轨道。

布局设计400G的第二布局图案包括布局图案403O至403P。布局图案403O的金属轨道区段形成在布局图案401F的金属轨道之上。布局图案403P的金属轨道区段形成在布局图案401A至401E的金属轨道之上。布局设计400G的第三布局图案包括布局图案405K至405L。布局图案405K的通孔接触件将布局图案401F的金属轨道耦合至布局图案403O的金属轨道区段。布局图案405L的通孔接触件将布局图案401E的金属轨道耦合至布局图案403P的金属轨道区段。

布局设计400H的第二布局图案包括布局图案403Q至403S。布局图案403Q的金属轨道区段形成在布局图案401F的金属轨道之上。布局图案403R的金属轨道区段形成在布局图案401C至401D的金属轨道之上。布局图案403S的金属轨道区段形成在布局图案401A的金属轨道之上。布局设计400H的第三布局图案包括布局图案405M至405O。布局图案405M的通孔接触件将布局图案401F的金属轨道耦合至布局图案403Q的金属轨道区段。布局图案405N的通孔接触件将布局图案401D的金属轨道耦合至布局图案403R的金属轨道区段。布局图案405O的通孔接触件将布局图案401A的金属轨道耦合至布局图案403S的金属轨道区段。

布局设计400I的第二布局图案包括布局图案403T至403V。布局图案403T的金属轨道区段形成在布局图案401F的金属轨道之上。布局图案403U的金属轨道区段形成在布局图案401C至401D的金属轨道之上。布局图案403V的金属轨道区段形成在布局图案401A的金属轨道之上。布局图案403U具有最小长度407B。布局设计400I的第三布局图案包括布局图案405P至405R。布局图案405P的通孔接触件将布局图案401F的金属轨道耦合至布局图案403T的金属轨道区段。布局图案405Q的通孔接触件将布局图案401C的金属轨道耦合至布局图案403U的金属轨道区段。布局图案405R的通孔接触件将布局图案401A的金属轨道耦合至布局图案403V的金属轨道区段。

布局设计400J的第二布局图案包括布局图案403W至403X。布局图案403W的金属轨道区段形成在布局图案401E至401F的金属轨道之上。布局图案403X的金属轨道区段形成在布局图案401A至401D的金属轨道之上。布局设计400J的第三布局图案包括布局图案405S至405T。布局图案405S的通孔接触件将布局图案401E的金属轨道耦合至布局图案403W的金属轨道区段。布局图案405T的通孔接触件将布局图案401D的金属轨道耦合至布局图案403X的金属轨道区段。

布局设计400K的第二布局图案包括布局图案403Y至403Z。布局图案403Y的金属轨道区段形成在布局图案401E至401F的金属轨道之上。布局图案403Z的金属轨道区段形成在布局图案401A至401D的金属轨道之上。布局设计400K的第三布局图案包括布局图案405U至405V。布局图案405U的通孔接触件将布局图案401F的金属轨道耦合至布局图案403Y的金属轨道区段。布局图案405V的通孔接触件将布局图案401D的金属轨道耦合至布局图案403Z的金属轨道区段。布局设计400K的第四布局图案包括布局图案419。布局图案419的通孔接触件耦合至布局图案405U。布局图案419具有通孔外壳421。

图5A根据本揭示案的一些实施例绘示多重布局设计500A至500C。布局设计500A至500C的第一布局图案包括指示用于供应一或更多个信号的三个信号金属轨道的位置的布局图案501B至501D，及指示用于在第一层中供应一或更多个电源或接地的两个电源/接地金属轨道的位置的布局图案501A及501E。

布局图案501A至501E在X方向上延伸且在Y方向上彼此相邻(例如，501A与501B相邻，501B与501C相邻，501C与501D相邻，且501D与501E相邻)。

与布局图案501B至501D相关联的的第一宽度及第一间距分别类似于与布局图案301B至301F相关联的的第一宽度及第一间距。在一些实施例中，与布局图案501A及501E相关联的第二宽度及第二间距分别类似于与布局图案301A及301G相关联的第二宽度及第二间距。在其他实施例中，与布局图案501A及501E相关联的第二宽度及第二间距分别不同于与布局图案301A及301G相关联的第二宽度及第二间距。

布局图案500A至500C的第二布局图案指示在比第一层更远离基板的第二层中的在Y方向上延伸的金属轨道。可使用第一制程形成根据多重布局设计500A至500C的第二布局图案所形成的在第二层中的金属轨道。布局设计500A至500C的第三布局图案指示在安置于第一层与第二层之间的第三层中的通孔接触件。布局设计500A至500C的第四布局图案指示在比第二层更远离基板的第四层中的通孔接触件。

布局设计500A的第二布局图案包括布局图案503A至503B。布局图案503A的金属轨道区段形成在布局图案501E的金属轨道之上。布局图案503B的金属轨道区段形成在布局图案501B至501C的金属轨道之上。布局设计500A的第三布局图案包括布局图案505A至505B。布局图案505A的通孔接触件将布局图案501E的金属轨道耦合至布局图案503A的金属轨道区段。布局图案505B的通孔接触件将布局图案501C的金属轨道耦合至布局图案503B的金属轨道区段。

布局图案503A在Y方向上具有最小长度507A。布局图案503A及503B在Y方向上具有端至端间距511A。布局图案505B在Y方向上具有通孔外壳515。

布局设计500B的第二布局图案包括布局图案503C至503D。布局图案503C的金属轨道区段形成在布局图案501D至501E的金属轨道之上。布局图案503D的金属轨道区段形成在布局图案501A至501B的金属轨道之上。布局设计500B的第三布局图案包括布局图案505C至505D。布局图案505C的通孔接触件将布局图案501D的金属轨道耦合至布局图案503C的金属轨道区段。布局图案505D的通孔接触件将布局图案501B的金属轨道耦合至布局图案503D的金属轨道区段。

布局设计500C的第二布局图案包括布局图案503E至503F。布局图案503E的金属轨道区段形成在布局图案501E的金属轨道之上。布局图案503F的金属轨道区段形成在布局图案501B至501D的金属轨道之上。布局图案503G的金属轨道区段形成在布局图案501A的金属轨道之上。布局设计500C的第三布局图案包括布局图案505E。布局图案505E的通孔接触件将布局图案501C的金属轨道耦合至布局图案503F的金属轨道区段。

图5B根据本揭示案的一些实施例绘示多重布局设计500D至500F。多重布局设计500D至500F类似于多重布局设计500A至500C。可使用第二制程形成根据多重布局设计500D至500F的第二布局图案所形成的在第二层中的金属轨道。

布局设计500D的第二布局图案包括布局图案503H至503J。布局图案503H的金属轨道区段形成在布局图案501E的金属轨道之上。布局图案503J的金属轨道区段形成在布局图案501B至501C的金属轨道之上。布局图案503J的金属轨道区段形成在布局图案501A的金属轨道之上。布局设计500D的第三布局图案包括布局图案505F至505H。布局图案505F的通孔接触件将布局图案501E的金属轨道耦合至布局图案503H的金属轨道区段。布局图案505G的通孔接触件将布局图案501C的金属轨道耦合至布局图案503I的金属轨道区段。布局图案505H的通孔接触件将布局图案501A的金属轨道耦合至布局图案503J的金属轨道区段。

布局设计500E的第二布局图案包括布局图案503K至503L。布局图案503K的金属轨道区段形成在布局图案501E的金属轨道之上。布局图案503L的金属轨道区段形成在布局图案501A至501D的金属轨道之上。布局设计500E的第三布局图案包括布局图案505I至505J。布局图案505I的通孔接触件将布局图案501E的金属轨道耦合至布局图案503K的金属轨道区段。布局图案505J的通孔接触件将布局图案501D的金属轨道耦合至布局图案503L的金属轨道区段。

布局设计500F的第二布局图案包括布局图案503M至503N。布局图案503M的金属轨道区段形成在布局图案501D至501E的金属轨道之上。布局图案503N的金属轨道区段形成在布局图案501A至501C的金属轨道之上。布局设计500F的第三布局图案包括布局图案505K至505L。布局图案505K的通孔接触件将布局图案501E的金属轨道耦合至布局图案503M的金属轨道区段。布局图案505L的通孔接触件将布局图案501C的金属轨道耦合至布局图案503N的金属轨道区段。布局设计500F的第四布局图案包括布局图案519。布局图案519的通孔接触件耦合至布局图案503M。布局图案519具有通孔外壳521。

图6A根据本揭示案的一些实施例绘示多重布局设计600A至600F。布局设计600A至600F的第一布局图案包括指示用于在第一层(例如，M0)中供应一或更多个信号的在标准单元中的四个信号金属轨道的位置的布局图案601A至601D，及指示用于在此第一层中供应信号的在相邻标准单元中的信号金属轨道的位置的布局图案601E。在一些实施例中，第一布局图案不指示第一层中的任何电源/接地金属轨道的位置。

布局图案601A至601E在X方向上延伸且在Y方向上彼此相邻(例如，601A与601B相邻，601B与601C相邻，601C与601D相邻，且601D与601E相邻)。在一些实施例中，与布局图案601A至601E相关联的第一宽度及第一间距分别类似于与布局图案301B至301F相关联的第一宽度及第一间距。在一些实施例中，与布局图案601A至601E相关联的第一宽度及第一间距分别并非均匀的宽度及间距。

布局图案600A至600F的第二布局图案指示在比第一层更远离基板的第二层中的在Y方向上延伸的金属轨道。可使用第一制程形成根据多重布局设计600A至600F的第二布局图案所形成的在第二层中的金属轨道。布局设计600A至600F的第三布局图案指示在安置于第一层与第二层之间的第三层中的通孔接触件。

布局设计600A的第二布局图案包括布局图案603A至603B。布局图案603A的金属轨道区段形成在布局图案601D至601E的金属轨道之上。布局图案603B的金属轨道区段形成在布局图案601A至601B的金属轨道之上。布局设计600A的第三布局图案包括布局图案605A至605B。布局图案605A的通孔接触件将布局图案601D的金属轨道耦合至布局图案603A的金属轨道区段。布局图案605B的通孔接触件将布局图案601B的金属轨道耦合至布局图案603B的金属轨道区段。

布局图案603A在Y方向上具有最小长度607A。布局图案603A及603B在Y方向上具有端至端间距611。布局图案605B在Y方向上具有通孔外壳615。

布局设计600B的第二布局图案包括布局图案603C至603D。布局图案603C的金属轨道区段形成在布局图案601C至601E的金属轨道之上。布局图案603D的金属轨道区段形成在布局图案601A的金属轨道之上。布局设计600B的第三布局图案包括布局图案605C至605D。布局图案605C的通孔接触件将布局图案601C的金属轨道耦合至布局图案603C的金属轨道区段。布局图案605D的通孔接触件将布局图案601A的金属轨道耦合至布局图案603D的金属轨道区段。

布局设计600C的第二布局图案包括布局图案603E至603F。布局图案603E的金属轨道区段形成在布局图案601D至601E的金属轨道之上。布局图案603F的金属轨道区段形成在布局图案601A的金属轨道之上。布局设计600C的第三布局图案包括布局图案605E至605F。布局图案605E的通孔接触件将布局图案601D的金属轨道耦合至布局图案603E的金属轨道区段。布局图案605F的通孔接触件将布局图案601A的金属轨道耦合至布局图案603F的金属轨道区段。

布局设计600D的第二布局图案包括布局图案603G至603I。布局图案603G的金属轨道区段形成在布局图案601E的金属轨道之上。布局图案603H的金属轨道区段形成在布局图案601A至601C的金属轨道之上。布局图案603I的金属轨道区段形成为使得其在X-Y平面中与布局图案601A的金属轨道邻接。布局图案603H具有最小长度607B。布局设计600D的第三布局图案包括布局图案605G。布局图案605G的通孔接触件将布局图案601C的金属轨道耦合至布局图案603H的金属轨道区段。

布局设计600E的第二布局图案包括布局图案603J至603L。布局图案603J的金属轨道区段形成在布局图案601E的金属轨道之上。布局图案603K的金属轨道区段形成在布局图案601A至601C的金属轨道之上。布局图案603L的金属轨道区段形成为使得其在X-Y平面中与布局图案601A的金属轨道邻接。布局设计600E的第三布局图案包括布局图案605H。布局图案605H的通孔接触件将布局图案601B的金属轨道耦合至布局图案603K的金属轨道区段。

布局设计600F的第二布局图案包括布局图案603M至603N。布局图案603M的金属轨道区段形成在布局图案601E的金属轨道之上。布局图案603N的金属轨道区段形成在布局图案601A至601D的金属轨道之上。布局设计600F的第三布局图案包括布局图案605I至605J。布局图案605I的通孔接触件将布局图案601E的金属轨道耦合至布局图案603M的金属轨道区段。布局图案605J的通孔接触件将布局图案601D的金属轨道耦合至布局图案603N的金属轨道区段。

图6B根据本揭示案的一些实施例绘示多重布局设计600G。多重布局设计600G类似于多重布局设计600A至600F。可使用第二制程形成根据多重布局设计600G的第二布局图案所形成的在第二层中的金属轨道。

布局设计600G的第二布局图案包括布局图案603O至603P。布局图案603O的金属轨道区段形成在布局图案601D至601E的金属轨道之上。布局图案603P的金属轨道区段形成在布局图案601A至601C的金属轨道之上。布局设计600G的第三布局图案包括布局图案605K至605L。布局图案605K的通孔接触件将布局图案601D的金属轨道耦合至布局图案603O的金属轨道区段。布局图案605L的通孔接触件将布局图案601C的金属轨道耦合至布局图案603P的金属轨道区段。

图7A根据本揭示案的一些实施例绘示布局设计700A。布局设计700A包括布局图案701A至701E，其指示在Y方向上延伸且在X方向上彼此相邻的在基板上方的M1层中的金属轨道的位置。布局图案701A至701E具有M1间距702。布局设计700A包括M2金属布局图案703A至703D，其指示在X方向上延伸的在比M1层更远离基板的M2层中的M2金属轨道的位置，布局图案703A及703B在Y方向上彼此对准，布局图案703C及703D在Y方向上彼此对准，布局图案703A在Y方向上与布局图案703C相邻，且布局图案703B在Y方向上与703D相邻。

布局设计700A包括通孔接触件布局图案705A至705D，其指示在M1层与M2层之间的通孔2层中的通孔接触件的位置。布局图案705A的通孔接触件将布局图案703A的M2金属轨道耦合至布局图案701A的M1金属轨道。布局图案705B的通孔接触件将布局图案703B的M2金属轨道耦合至布局图案701D的M1金属轨道。布局图案705C的通孔接触件将布局图案703C的M2金属轨道耦合至布局图案701A的M1金属轨道。布局图案705D的通孔接触件将布局图案703D的M2金属轨道耦合至布局图案701D的M1金属轨道。

使用自然结束制程形成布局设计700A的M2金属轨道。在一些实施例中，通孔接触件布局图案705A及705B之间的距离为M1间距的3倍。在一些实施例中，通孔接触件布局图案705C及705D之间的距离为M1间距的3倍。

图7B根据本揭示案的一些实施例绘示布局设计700B。布局设计700B包括M1金属布局图案701A至701D。布局设计700B包括M2金属布局图案703E至703F，其指示在X方向上延伸的在比M1层更远离基板的M2层中的M2金属轨道的位置，布局图案703E在Y方向上与布局图案703F相邻。

布局设计700B包括通孔接触件布局图案705E至705H，其指示在M1层与M2层之间的通孔2层中的通孔接触件的位置。布局图案705E的通孔接触件将布局图案703E的M2金属轨道耦合至布局图案701A的M1金属轨道。布局图案705F的通孔接触件将布局图案703E的M2金属轨道耦合至布局图案701C的M1金属轨道。布局图案705G的通孔接触件将布局图案703F的M2金属轨道耦合至布局图案701B的M1金属轨道。布局图案705H的通孔接触件将布局图案703F的M2金属轨道耦合至布局图案701D的M1金属轨道。因此，布局图案705E至705F的通孔接触件相对于布局图案705G至705H的通孔接触件以交错方式布置。

使用切割制程形成布局设计700B的M2金属轨道。切口为707A至707B。在一些实施例中，通孔接触件布局图案705E及705F之间的距离为M1间距的2倍。在一些实施例中，通孔接触件布局图案705G及705H之间的距离为M1间距的2倍。

图8根据本揭示案的一些实施例绘示布局设计800。布局设计800包括布局图案801A至801E，其指示在Y方向上延伸且在X方向上彼此相邻的在基板上方的多晶硅层中的多晶硅轨道的位置。多晶硅图案具有多晶硅间距802。布局设计800包括M2金属布局图案803A至803B，其指示在X方向上延伸的在比多晶硅层更远离基板的M2层中的M2金属轨道的位置。布局图案803A及803B在Y方向上彼此对准。布局图案803A具有最小长度805。布局图案803A及803B具有端至端间距807。

图9根据本揭示案的一些实施例绘示布局设计900。布局设计900包括M2金属图案901A至901F，其指示在X方向上延伸且在Y方向上彼此相邻的在基板上方的M2层中的M2金属轨道的位置。M2金属图案901A至901C指示在第一标准单元902A内的用于供应信号的一组M2金属轨道。M2金属图案901D至901F指示在第二标准单元902B内的用于供应信号的一组M2金属轨道。在一些实施例中，标准单元包括指示用于供应电源/接地的一组M2金属轨道的M2金属图案。标准单元902A具有单元高度904A。标准单元902B具有单元高度904B。

布局设计900包括M3金属图案903A至903B，其指示在Y方向上延伸且在X方向上彼此对准的在比M2层更远离基板上方的M3层中的M3金属轨道的位置。M3金属图案903A具有小于单元高度904B的最小长度907。M3金属图案903A及M3金属图案903B具有端至端间距909。

布局设计900包括通孔接触件布局图案905A至905B。布局图案905A的通孔接触件将布局图案910D的M2金属轨道耦合至金属图案903A的M3金属轨道。布局图案905B的通孔接触件将金属图案901B的M2金属轨道耦合至金属图案903B的M3金属轨道。布局图案905A具有通孔外壳911。

在一些实施例中，布局设计700A至700B、800或900中的至少一者的M2层类似于布局设计100的M2层。在一些实施例中，布局设计300A至300L、400A至400K、500A至500F及600A至600G中的至少一者的第一层、第二层、第三层及第四层是安置在布局设计700A至700B、800或900中的至少一者的多晶硅层及M2层之间。在一个态样中，可根据布局设计100、300A至300L、400A至400K、500A至500F、600A至600G、700A至700B、800或900中的一或更多者制造或形成集成电路。

已产生了各种技术来实施双重或多重图案化。一种技术为LSLE技术。在LSLE技术中，将图案划分成两个部分，在IC元件制造制程期间使用两个图案化步骤依序实施此两个部分，其中每一图案化步骤之后为对应的蚀刻(移除)制程。执行移除制程，以移除下伏材料层(例如，金属层(M0至MX)、层间介电质(ILD)及/或其他材料)的部分，以便实现期望的元件形貌。

在一些实施例中，以图案-蚀刻(pattern-etch,1P1E)制程来替代LSLE技术，由于减少了处理步骤的数目，因此图案-蚀刻(1P1E)制程将提高晶圆厂生产资源的利用率及/或提高要制造的IC元件的良率。

多重图案化(或多图案化)制程包括已经开发用以允许使更小的金属图案成像的一组技术及方法，用于增大布局中的特征密度，使其超过使用单个遮罩制造集成电路期间可达到的密度。双重图案化是为微影开发的技术，用以增强集成电路中的特征密度，但在IC元件的生产中所利用的每一额外遮罩增大了制造成本，降低了晶圆厂的生产能力，及/或增大了引入一或更多个缺陷的可能性。在一些实施例中，已通过将极紫外线(extremeultraviolet,EUV)曝光波长用于微影制程并对应地使用EUV图案及遮罩而形成更小的特征大小。通过减少用于制造IC元件的生产流程中的图案化操作的数目，本文所揭示的技术及方法改良了接触存取，简化了设计制程，简化了制造制程，提高了制造良率及/或减少了制造成本。

图10绘示根据布局设计形成集成电路的方法1000的流程图。取决于实例，可在方法1000中执行额外的、更少的或不同的操作。方法1000可应用于图2至图9的电路及系统，但亦可应用于其他适当电路及系统。可使用(例如)制造设施的处理器、元件或部件或用于形成集成电路的任何适当处理器、元件或部件来实施方法1000。

处理器决定M1间距是否小于阈值间距(例如，40nm)(操作1002)。若M1间距小于阈值间距，则处理器基于短金属图案通过使用自然结束制程形成M1金属轨道(操作1004)。处理器使用M2金属图案及M2规则要求形成M2金属轨道(操作1006)。处理器使用M2金属图案及M3规则要求形成M3金属轨道(操作1008)。若M1间距大于阈值间距，则处理器基于长金属图案使用切割制程形成M1金属轨道(操作1010)。处理器使用M2金属图案及M2规则要求形成M2金属轨道(操作1012)。处理器使用M2金属图案及M3规则要求形成M3金属轨道(操作1014)。

图11绘示根据布局设计形成集成电路的方法1100的流程图。取决于实例，可在方法1100中执行额外的、更少的或不同的操作。方法1100可应用于图2至图9的电路及系统，但亦可应用于其他适当电路及系统。可使用(例如)制造设施的处理器、元件或部件或用于形成集成电路的任何适当处理器、元件或部件来实施方法1100。

处理器形成包括在第一方向上延伸的复数个金属轨道的第一图案金属层，其中复数个金属轨道中的每一者通过第一间距与复数个金属轨道中的其相邻者分离开(操作1102)。处理器形成形成于第一图案金属层之上的第二图案金属层，其中第二图案金属层包括在第一方向上延伸的第二复数个金属轨道，其中复数个金属轨道中的每一者通过第二间距与复数个金属轨道中的其相邻者分离开，且其中第二复数个金属轨道少于9个(操作1104)。处理器形成安置在第一图案金属层与第二图案金属层之间的第三图案金属层，第三图案金属层包括在垂直于第一方向的第二方向上延伸的第一金属轨道区段；在第二方向上延伸的第二金属轨道区段，其中第二金属轨道区段在第二方向上偏离第一金属轨道区段；及在第二方向上延伸的第三金属轨道区段，其中第三金属轨道区段在第二方向上偏离第一及第二金属轨道区段，其中集成电路在第二方向上由双单元高度所限定，且其中复数个金属轨道、第二复数个金属轨道中的每一者及第一金属轨道区段、第二金属轨道区段及第三金属轨道区段中的每一者的至少一部分是在此双单元高度以内，其中双单元高度小于或等于240nm(操作1106)。

在一些实施例中，使用自然结束制程形成第二图案金属层。在一些实施例中，使用一次遮罩/图案(例如，1P1E)形成第二图案金属层。在一些实施例中，使用一次以上遮罩/图案(例如，LSLE)形成第二图案金属层。在一些实施例中，第二图案金属层为M1层。

在一些实施例中，处理器形成形成于第二图案金属层之上的第三图案金属层，此第三图案金属层包括在第二方向上延伸的第二复数个金属轨道。在一些实施例中，使用切割制程形成第三图案金属层。在一些实施例中，使用一次遮罩/图案(例如，1P1E)形成第三图案金属层。在一些实施例中，使用一次以上遮罩/图案(例如，LSLE)形成第三图案金属层。在一些实施例中，第三图案金属层为M2层。

图12为根据一些实施例的用于设计并制造IC布局设计的系统1200的示意图。在一些实施例中，系统1200产生或放置本文所述的一或更多个IC布局设计。在一些实施例中，系统1200基于本文所述的一或更多个IC布局设计制造一或更多个IC。系统1200包括硬件处理器1202及非暂时性的计算机可读储存媒体1204，此计算机可读储存媒体1204编码有(例如，储存)计算机程序码1206(例如，一组可执行指令)。计算机可读储存媒体1204用于与用于生产集成电路的制造机器接口连接。处理器1202经由总线1208电耦接至计算机可读储存媒体1204。处理器1202亦经由总线1208电耦接至I/O接口1210。网络接口1212亦经由总线1208电连接至处理器1202。网络接口1212连接至网络1214，使得处理器1202及计算机可读储存媒体1204能够经由网络1214连接至外部元件。处理器1202用以执行编码于计算机可读储存媒体1204中的计算机程序码1206，以便使系统1200可用于执行如方法1000或1100中所述的操作的一部分或全部。

在一些实施例中，处理器1202为中央处理单元(CPU)、多处理器、分散式处理系统、特殊应用集成电路(ASIC)及/或适当的处理单元。

在一些实施例中，计算机可读储存媒体1204为电子的、磁性的、光学的、电磁的、红外线的及/或半导体的系统(或装置或设备)。举例而言，计算机可读储存媒体1204包括半导体或固态的记忆体、磁带、可移除计算机磁盘、随机存取记忆体(RAM)、只读记忆体(ROM)、刚性磁盘及/或光盘。在使用光盘的一些实施例中，计算机可读储存媒体1204包括压缩光盘只读记忆体(CD-ROM)、压缩光盘-读取/写入(CD-R/W)及/或数字视频光盘(DVD)。

在一些实施例中，储存媒体1204储存计算机程序码1206，此计算机程序码1206使系统1200执行方法1000或1100。在一些实施例中，储存媒体1204亦储存用于执行方法1000或1100所需的信息以及在执行方法1000或1100期间所产生的信息(诸如，布局设计1216及使用者界面1218以及制造单元1220)，及/或用以执行方法1000或1100的操作的一组可执行指令。在一些实施例中，布局设计1216包括用于布局设计100至900中的一者的一或更多个布局图案。

在一些实施例中，储存媒体1204储存用于与制造机器接口连接的指令(例如，计算机程序码1206)。此些指令(例如，计算机程序码1206)使得处理器1202能够产生可由制造机器读取的制造指令，以在制造制程期间有效地实施方法1000或1100。

系统1200包括I/O接口1210。I/O接口1210耦接至外部电路系统。在一些实施例中，I/O接口1210包括键盘、小键盘、鼠标、轨迹球、触控板及/或游标方向键，以用于将信息及命令传达至处理器1202。

系统1200亦包括耦接至处理器1202的网络接口1212。网络接口1212允许系统1200与网络1214通讯，一或更多个其他计算机系统连接至此网络1214。网络接口1212包括无线网络接口，诸如，蓝牙、WIFI、WIMAX、GPRS或WCDMA；或有线网络接口，诸如，以太网络、USB或IEEE-13154。在一些实施例中，在两个或更多个系统1100中实施方法1000或1100，且由网络1204在不同系统1100之间交换诸如布局设计、使用者界面及制造单元的信息。

系统1200用以经由I/O接口1210或网络接口1212接收与布局设计有关的信息。通过总线1208将信息传送至处理器1202，以决定用于产生IC的布局设计。此布局设计接着作为布局设计1216被储存在计算机可读媒体1204中。系统1200用以经由I/O接口1210或网络接口1212接收与使用者界面有关的信息。此信息作为使用者界面1218被储存在计算机可读媒体1204中。系统1200用以经由I/O接口1210或网络接口1212接收与制造单元有关的信息。此信息作为制造单元1220被储存在计算机可读媒体1204中。在一些实施例中，制造单元1220包括系统1200所利用的制造信息。

在一些实施例中，系统1200亦可与各种制造工具1222相关联。其中，制造工具1222可用以基于由标准单元布局应用程序135创建的标准单元布局来准备及制造一组遮罩。此组遮罩可限定在电路的半导体制造期间所使用的光微影步骤的几何形状。

为了准备此组遮罩，制造工具1222可用以将电路的标准单元布局转译成代表性数据文件(“RDF”)。RDF可接着用以制造一组实体遮罩，以便制造电路。

在一些实施例中，准备此组遮罩可包括在标准单元布局中执行光学邻近校正(OPC)，其使用微影增强技术来补偿影像误差，诸如，可能由绕射、干涉、其他制程效应及其类似者所引起的彼些影像误差。在一些实施例中，制造工具1222的遮罩规则检查器(MRC)可检查标准单元布局，此标准单元布局已在OPC中通过一组遮罩创建规则进行了处理。遮罩创建规则可含有某些几何形状及/或连接性限制，以确保足够的容限，以便考虑到半导体制造制程中的易变性，及其类似者。在一些实施例中，MRC可修改标准单元布局，以补偿此组遮罩的制造期间的限制。在一些实施例中，准备此组遮罩可包括解析度增强技术(RET)，诸如，离轴照射、次解析度辅助特征、相转移遮罩、其他适当技术，及其类似者或其组合。

在一些实施例中，此组遮罩的准备可进一步包括微影制程检查(LPC)，其可模拟实施为制造电路的制程。LPC可基于标准单元布局模拟此些制程，以创建电路的模拟制造的元件。LPC可考虑到各种因素，诸如，空间影像对比度、焦深(“DOF”)、遮罩误差增强因素(“MEEF”)、其他适当因素，及其类似者或其组合，以便模拟电路的制造。在一些实施例中，在LPC已创建了模拟制造的元件之后，若已模拟元件的形状不满足某些设计规则，则可重复OPC及/或MRC以进一步改进标准单元布局。

为了制造此组遮罩，遮罩写入机可将RDF转换成基板(诸如，遮罩(主光罩)或半导体晶圆)上的影像。在一些实施例中，可使用电子束(electron-beam,e-beam)或多电子束机制以在半导体晶圆上形成遮罩图案，从而形成遮罩。在一些实施例中，遮罩图案可包括一或更多个不透明区域及一或更多个透明区域。用以曝光已涂布在半导体晶圆上的影像敏感材料层(例如，光阻剂)的辐射束(诸如，紫外线(UV)光束)可被不透明区域阻挡并透射经过透明区域。在一个实例中，遮罩图案可包括透明基板(例如，熔融石英)及涂布在不透明区域中的不透明材料(例如，铬)，以形成遮罩。在其他实施例中，可使用其他或额外技术来制造遮罩。

在制造了遮罩之后，制造实体(例如，制造设施或半导体代工厂)可使用已制造的遮罩来制造电路。在一些实施例中，制造电路可涉及使用(若干)遮罩将一或更多种材料沉积在半导体晶圆中/半导体晶圆上。半导体晶圆可包括硅基板或其上形成有材料层的其他基板。半导体晶圆可进一步包括使用遮罩中的一或更多者形成的各种掺杂区域、介电特征、多层级互连件及其类似者中的一或更多者。

在一些实施例中，将方法1000或1100实施为用于由处理器执行的独立软件应用程序。在一些实施例中，将方法1000或1100实施为是额外软件应用程序的一部分的软件应用程序。在一些实施例中，将方法1000或1100实施为软件应用程序的插件。在一些实施例中，将方法1000或1100实施为是EDA工具的一部分的软件应用程序。在一些实施例中，将方法1000或1100实施为由EDA工具使用的软件应用程序。在一些实施例中，使用EDA工具产生集成电路元件的布局设计。在一些实施例中，将布局设计储存在非暂时性的计算机可读媒体上。在一些实施例中，使用诸如可购自CADENCE设计系统有限公司的

图13为根据本揭示案的至少一个实施例的集成电路(IC)制造系统1300的方块图，及与其相关联的IC制造流程。

在图13中，IC制造系统1300包括在与制造IC元件1360有关的设计、开发及制造循环及/或服务中彼此交互的实体，诸如，设计室1320、遮罩室1330及IC制造商/制造者(“晶圆厂”)1340。系统1300中的实体通过通讯网络进行连接。在一些实施例中，通信网络为单个网络。在一些实施例中，通讯网络为多种不同网络，诸如，内部网络及网际网络。通讯网络包括有线的及/或无线的通讯通道。每一实体与其他实体中的一或更多者交互，并向其他实体中的一或更多者提供服务及/或自其他实体中的一或更多者接收服务。在一些实施例中，设计室1320、遮罩室1330及IC晶圆厂1340中的两者或更多者由单个较大的公司拥有。在一些实施例中，设计室1320、遮罩室1330及IC晶圆厂1340中的两者或更多者在共用设施中共存且使用共用资源。

设计室(或设计团队)1320产生IC设计布局1322。IC设计布局1322包括为IC元件1360设计的各种几何形状图案。几何形状图案对应于构成待制造的IC元件1360的各种部件的金属、氧化物或半导体层的图案。各种层组合以形成各种IC特征。举例而言，IC设计布局1322的一部分包括待形成在半导体基板(诸如，硅晶圆)中的各种IC特征，诸如，主动区域、闸电极、源电极与汲电极、层间互连的金属接线或通孔接触件，以及用于接合衬垫的开口；以及安置在半导体基板上的各种材料层。设计室1320实施适当的设计程序以形成IC设计布局1322。此设计程序包括逻辑设计、实体设计或放置与路由中的一或更多者。IC设计布局1322呈现在具有几何形状图案的信息的一或更多个数据文件中。举例而言，IC设计布局1322可以GDSII文件格式或DFII文件格式来表述。

遮罩室1330包括遮罩数据准备1332及遮罩制造1334。遮罩室1330使用IC设计布局1322来制造一或更多个遮罩，以用于根据IC设计布局1322来制造IC元件1360的各种层。遮罩室1330执行遮罩数据准备1332，其中IC设计布局1322被转译为代表性数据文件(“RDF”)。遮罩数据准备1332将RDF提供给遮罩制造1334。遮罩制造1334包括遮罩写入机。遮罩写入机将RDF转换为基板(诸如，遮罩(主光罩)或半导体晶圆)上的影像。遮罩数据准备1332操纵设计布局以符合遮罩写入机的特定特性及/或IC晶圆厂1340的要求。在图13中，将遮罩数据准备1332及遮罩制造1334绘示为单独元件。在一些实施例中，可将遮罩数据准备1332及遮罩制造1334统称为遮罩数据准备。

在一些实施例中，遮罩数据准备1332包括光学邻近校正(OPC)，其使用微影增强技术来补偿影像误差，诸如，可能由绕射、干涉、其他制程效应及其类似者所引起的影像误差。OPC调整IC设计布局1322。在一些实施例中，遮罩数据准备1332包括其他解析度增强技术(RET)，诸如，离轴照射、次解析度辅助特征、相转移遮罩、其他适当技术，及其类似者或其组合。在一些实施例中，亦使用反向微影技术(ILT)，其将OPC视为反向成像问题。

在一些实施例中，遮罩数据准备1332包括遮罩规则检查器(MRC)，其通过一组遮罩创建规则来检查已经历OPC中的处理的IC设计布局，此些遮罩创建规则含有某些几何形状及/或连接性限制，以确保足够的容限，考虑到半导体制造制程中的易变性，及其类似者。在一些实施例中，MRC修改IC设计布局，以补偿遮罩制造1334期间的限制，此可撤销OPC所执行的修改的一部分以便符合遮罩创建规则。

在一些实施例中，遮罩数据准备1332包括微影制程检查(LPC)，其模拟将由IC晶圆厂1340实施以制造IC元件1360的处理。LPC基于IC设计布局1322来模拟此处理，以产生模拟制造的元件，诸如，IC元件1360。LPC模拟中的处理参数可包括与IC制造循环的各种制程相关联的参数、与用于制造IC的工具相关联的参数及/或制造制程的其他态样。LPC考虑到了各种因素，诸如，空间影像对比度、焦深(“DOF”)、遮罩误差增强因素(“MEEF”)、其他适当因素，及其类似者或其组合。在一些实施例中，在LPC已创建了模拟制造的元件之后，若模拟的元件的形状不够接近以致不满足设计规则，则重复OPC及/或MRC以进一步改进IC设计布局1322。

应理解，出于清楚目的，已简化了遮罩数据准备1332的以上描述。在一些实施例中，遮罩数据准备1332包括诸如逻辑运算(LOP)的额外特征，以根据制造规则来修改IC设计布局。另外，可以多种不同次序来执行在遮罩数据准备1332期间应用于IC设计布局1322的制程。

在遮罩数据准备1332之后且在遮罩制造1334期间，可基于已修改的IC设计布局来制造遮罩或遮罩的群组。在一些实施例中，使用电子束(e-beam)或多电子束的机制基于已修改的IC设计布局在遮罩(光罩或主光罩)上形成图案。可以各种技术形成遮罩。在一些实施例中，使用二元技术形成遮罩。在一些实施例中，遮罩图案包括不透明区域及透明区域。用以曝光已涂布在晶圆上的影像敏感材料层(例如，光阻剂)的辐射束(诸如，紫外线(UV)光束)被不透明区域阻挡并透射经过透明区域。在一个实例中，二元遮罩包括透明基板(例如，熔融石英)及涂布在此遮罩的不透明区域中的不透明材料(例如，铬)。在另一实例中，使用相转移技术形成遮罩。在相转移遮罩(PSM)中，形成在遮罩上的图案中的各种特征用以具有合适的相位差，以便增强解析度及成像品质。在各种实例中，相转移遮罩可为衰减PSM或交替PSM。通过遮罩制造1334产生的(若干)遮罩用于多种制程中。举例而言，此(此些)遮罩用于离子布植制程中以在半导体晶圆中形成各种掺杂区域，用于蚀刻制程中以在半导体晶圆中形成各种蚀刻区域，及/或用在其他适当制程中。

IC晶圆厂1340为IC制造实体，其包括用于制造多种不同IC产品的一或更多个制造设施。在一些实施例中，IC晶圆厂1340为半导体代工厂。举例而言，可能存在用于多个IC产品的前端制造(前工序(FEOL)制造)的制造设施，而第二制造设施可提供用于IC产品的互连及封装的后端制造(后工序(BEOL)制造)，且第三制造设施可为代工厂实体提供其他服务。

IC晶圆厂1340使用由遮罩室1330制造的(若干)遮罩来制造IC元件1360。因此，IC晶圆厂1340至少间接地使用IC设计布局1322来制造IC元件1360。在一些实施例中，由IC晶圆厂1340使用(若干)遮罩来制造半导体晶圆1342以形成IC元件1360。半导体晶圆1342包括硅基板或其上形成有材料层的其他合适基板。半导体晶圆进一步包括各种掺杂区域、介电特征、多层级互连及其类似者(在后续制造步骤中形成)中的一或更多者。

系统1300被示为具有作为单独部件或实体的设计室1320、遮罩室1330或IC晶圆厂1340。然而，应理解，设计室1320、遮罩室1330或IC晶圆厂1340中的一或更多者为同一部件或实体的一部分。

本描述的一个态样是关于一种集成电路。此集成电路包括第一图案金属层，其包括在第一方向上延伸的复数个金属轨道。复数个金属轨道中的每一者与其相邻者通过第一间距分离开。此集成电路包括形成于第一图案金属层之上的第二图案金属层。第二图案金属层包括在第一方向上延伸的第二复数个金属轨道。复数个金属轨道中的每一者与其相邻者通过第二间距分离开。第二复数个金属轨道少于9个金属轨道。此集成电路包括安置在第一图案金属层与第二图案金属层之间的第三图案金属层。第三图案金属层包括在垂直于第一方向的第二方向上延伸的第一金属轨道区段。第一金属轨道区段与第一图案金属层的复数个金属轨道中的至少第一者重叠。第一金属轨道区段具有在第一方向上延伸的第一边缘。第三图案金属层包括在第二方向上延伸的第二金属轨道区段。第二金属轨道区段与第一图案金属层的复数个金属轨道中的至少第二者重叠。第二金属轨道区段具有面向第一金属轨道区段的第一边缘的第二边缘。第二金属轨道区段具有与第二边缘相对的第三边缘。第三图案金属层包括在第二方向上延伸的第三金属轨道区段。第三金属轨道区段与第一图案金属层的复数个金属轨道中的至少第三者重叠。第三金属轨道区段具有面向第二金属轨道区段的第三边缘的第四边缘。此集成电路在第二方向上由双单元高度限定。复数个金属轨道、第二复数个金属轨道中的每一者及第一金属轨道区段、第二金属轨道区段及第三金属轨道区段中的每一者的至少一部分是在此双单元高度以内。在本揭露的一些实施例中，双单元高度小于或等于240纳米。第一金属轨道区段的第一边缘及第二金属轨道区段的第二边缘沿第二方向通过一距离分离开，其中距离与第一间距的一比率小于或等于一预定阈值。预定阈值为1。集成电路进一步包括一图案通孔层，安置在第一图案金属层与第三图案金属层之间。图案通孔层包括一第一通孔、一第二通孔以及一第三通孔。第一通孔将第三图案金属层的第一金属轨道区段耦合至第一图案金属层的该些金属轨道中的第一者。第二通孔将第三图案金属层的第二金属轨道区段耦合至第一图案金属层的该些金属轨道中的第二者。第三通孔将第三图案金属层的第三金属轨道区段耦合至第一图案金属层的该些金属轨道中的第三者。该些金属轨道中的第一者及该些金属轨道中的第二者用于信号连接。该些金属轨道中的第一者用于信号连接，且该些金属轨道中的第二者用于电源或接地连接。该些金属轨道中的第一者的第一宽度小于该些金属轨道中的第二者的第二宽度。复数个间距包括针对该些金属轨道中的每一者的第一间距，其中该些间距小于双单元高度。第二复数个金属轨道少于7个。集成电路进一步包括一图案多晶硅层，其包括在第二方向上延伸的复数个多晶硅轨道，其中该些多晶硅轨道中的每一者与其相邻者通过一多晶硅间距分离开，其中第二复数个金属轨道中的每一者包括复数个金属轨道区段，其中该些金属轨道区段中的至少一者具有在第一方向上的一长度，且其中长度与多晶硅间距的一比率小于一第二预定阈值。集成电路进一步包括一第四图案金属层，其形成在第二图案金属层上方，其中第四图案金属层包括在第二方向上延伸的一第四金属轨道区段，第四金属轨道区段具有在第二方向上的一长度，长度与单元高度的一比率小于一第二预定阈值。

本描述的一个态样是关于一种用于形成集成电路的方法。此方法包括形成第一图案金属层，其包括在第一方向上延伸的复数个金属轨道。复数个金属轨道中的每一者与其相邻者通过第一间距分离开。此方法包括形成形成于第一图案金属层之上的第二图案金属层。第二图案金属层包括在第一方向上延伸的第二复数个金属轨道。复数个金属轨道中的每一者与其相邻者通过第二间距分离开。第二复数个金属轨道少于9个金属轨道。此方法包括形成安置在第一图案金属层与第二图案金属层之间的第三图案金属层。第三图案金属层包括在垂直于第一方向的第二方向上延伸的第一金属轨道区段，及在第二方向上延伸的第二金属轨道区段。第二金属轨道区段在第二方向上偏离第一金属轨道区段。第三图案金属层包括在第二方向上延伸的第三金属轨道区段。第三金属轨道区段在第二方向上偏离第一及第二金属轨道区段。此集成电路在第二方向上由双单元高度限定。复数个金属轨道、第二复数个金属轨道中的每一者及第一金属轨道区段、第二金属轨道区段及第三金属轨道区段中的每一者的至少一部分是在此双单元高度以内。此双单元高度小于或等于240nm。在本揭露的一些实施例中，第三图案金属层是使用少于两个遮罩形成的。第三图案金属层是使用至少两个遮罩形成的，其中该等遮罩中的一者定义出切割第三图案金属层的复数个位置。第二图案金属层是使用少于两个遮罩形成的。第二图案金属层是使用至少两个遮罩形成的，其中该等遮罩中的一者定义出切割第二图案金属层的复数个位置。该些金属轨道用于信号连接。

本描述的一个态样是关于一种集成电路。此集成电路包括第一图案金属层，其形成为包括在第一方向上延伸的复数个金属轨道。复数个金属轨道中的每一者与其相邻者通过第一间距分离开。此复数个金属轨道少于9个金属轨道。此集成电路包在第一图案金属层下方的第二图案金属层。第二图案金属层包括在垂直于第一方向的第二方向上延伸的第一金属轨道区段。第一金属轨道区段具有在第一方向上延伸的第一边缘。第二图案金属层包括在第二方向上延伸的第二金属轨道区段。第二金属轨道区段具有面向第一金属轨道区段的第一边缘的第二边缘。第二金属轨道区段具有与第二边缘相对的第三边缘。第二图案金属层包括在第二方向上延伸的第三金属轨道区段。第三金属轨道区段具有面向第二金属轨道区段的第三边缘的第四边缘。此集成电路在第二方向上由双单元高度限定。复数个金属轨道中的每一者及第一金属轨道区段、第二金属轨道区段及第三金属轨道区段中的每一者的至少一部分是在此双单元高度以内。此双单元高度小于或等于240nm。在本揭露的一些实施例中，集成电路进一步包括在第二图案金属层下方的一第三图案金属层，第三图案金属层包括在一第一方向上延伸的第二复数个金属轨道，其中该些金属轨道中的每一者与其相邻者通过一第二间距分离开。

前文概述了若干实施例的特征，使得熟悉此项技术者可较佳地理解本揭示案的态样。熟悉此项技术者应了解，他们可容易地使用本揭示案作为设计或修改用于实现相同目的及/或达成本文中所介绍的实施例的相同优势的其他制程及结构的基础。熟悉此项技术者亦应认识到，此些等效构造不脱离本揭示案的精神及范畴，且他们可在不脱离本揭示案的精神及范畴的情况下在本文作出各种改变、代替及替换。