液晶介质

本申请是申请号为201580019512.5专利申请的分案申请。

本发明涉及包含式I的化合物的液晶介质，

该类型介质特别用于具有基于ECB效应的有源矩阵寻址的电光显示器并用于IPS(平面内切换)显示器或FFS(边缘场切换)显示器。

电控双折射，ECB效应亦或DAP(配向相变形)效应的原理首次描述于1971年(M.F.Schieckel和K.Fahrenschon,"Deformation of nematic liquid crystals withvertical orientation in electrical fields",Appl.Phys.Lett.19(1971),3912)。之后J.F.Kahn(Appl.Phys.Lett.20(1972),1193)和G.Labrunie和J.Robert(J.Appl.Phys.44(1973),4869)发表了论文。

J.Robert和F.Clerc(SID 80Digest Techn.Papers(1980),30),J.Duchene(Displays 7(1986),3)以及H.Schad(SID 82Digest Techn.Papers(1982),244)的论文显示液晶相必须具有高数值的弹性常数K

除了IPS(

该效应在电光显示器元件中的工业应用需要LC相，其必须满足多种要求。此处尤为重要的是化学抗湿、空气和物理影响，例如热、红外线、可见光和紫外辐射以及直流和交流电场。

此外，工业可用LC相需要在适合的温度范围和低粘度下具有液晶中间相。

迄今公开的具有液晶中间相的系列化合物均不包括符合全部这些要求的单一化合物。因此，通常制备2-25种，优选3-18种化合物的混合物以获得可用作LC相的物质。然而，还没有可能以该方式容易地制备最优相，因为目前还没有可用的具有显著负介电各向异性和适当长期稳定性的液晶材料。

已知矩阵液晶显示器(MLC显示器)。可用于单像素单转换的非线性元件为，例如，有源元件(即晶体管)。随后使用术语“有源矩阵”，其中以下两种类型可存在区别：

1.位于硅晶片(作为基板)上的MOS(金属氧化物半导体)晶体管

2.位于玻璃板(作为基板)上的薄膜晶体管(TFT)。

在类型1的情况下，所用的电光效应通常为动态散射或宾主效应。使用单晶硅作为基板材料限制了显示器的尺寸，因为多个部分显示器的平滑模块化装配在接合处存在问题。

在更加有前景的类型2(其为优选的)的情况下，所用的电光效应通常为TN效应。

两种技术之间存在区别：包含化合物半导体，例如，CdSe的TFT，或基于多晶或无定形硅的TFT。后一技术正于全球范围内集中研发中。

TFT矩阵应用于显示器一个玻璃板的内侧，同时另一个玻璃板于其内侧携带透明反电极。与像素电极的尺寸相比，TFT非常小并且对影像无实质的不利影响。该技术也可扩展至能全色可行(fully colour-capable)的显示器，其中红、绿和蓝色过滤器的镶嵌以如此方式设置以致过滤器元件相对于每个可转换像素。

术语“MLC显示器”在此处覆盖具有集成非线性元件的任何矩阵显示器，即除了有源矩阵外，还有具有无源元件的显示器，例如可变电阻或二极管(MIM＝金属-绝缘体-金属)。

该类型MLC显示器特别适用于TV应用(例如袖珍TV)或用于汽车或飞行器构造中的高信息显示器。除了关于对比度的角度依赖性和响应时间的问题之外，由于液晶混合物不足够高的比电阻，MLC显示器也存在问题[TOGASHI,S.,SEKIGUCHI,K.,TANABE,H.,YAMAMOTO,E.,SORIMACHI,K.,TAJIMA,E.,WATANABE,H.,SHIMIZU,H.,Proc.Eurodisplay84,9月，1984:A 210-288Matrix LCD Controlled by Double Stage Diode Rings,第141页,Paris；STROMER,M.,Proc.Eurodisplay 84,9月，1984:Design of Thin FilmTransistors for Matrix Addressing of Television Liquid Crystal Displays,第145页,Paris]。随着电阻的降低，MLC显示器的对比度变差。由于显示器内表面的相互作用，液晶混合物的比电阻通常在MLC显示器的寿命下降，因而高(初始)电阻对于经长期运行后必须具有可接受电阻值的显示器而言非常重要。

因而仍然非常需要具有快速响应时间同时具有宽工作温度范围和低阈值电压的MLC显示器，在其辅助下可产生多种灰阶。

经常使用的MLC-TN显示器的缺点在于它们比较低的对比度、相对高的视角依赖性和难于在这些显示器中产生灰阶。

VA显示器具有显著更好的视角依赖性并因此主要用于电视和监控器。然而，此处仍然需要改进响应时间，特别是对于具有大于60Hz帧速度(图像改变频率/重复率)的电视应用。然而，必须同时不影响例如低温稳定性的性能。

本发明基于提供基于ECB效应或IPS或FFS效应的液晶混合物，特别是用于监控器和TV应用的液晶混合物的目的，所述液晶混合物不具有以上所述缺点，或仅具有减少程度的以上所述缺点。特别地，对于监控器和电视而言必须确保它们也在非常高和非常低的温度下工作并同时具有非常短的响应时间和同时具有改进的可靠性行为，特别是展示出长期运行后无图像残留或显著降低的图像残留。

令人惊讶地，如果将式I的化合物用于液晶混合物，特别是具有负介电各向异性、优选用于VA、IPS和FFS显示器、此外用于PM(无源矩阵)-VA显示器的LC混合物中，可降低旋转粘度γ

令人惊讶地，式I的化合物同时具有非常低的旋转粘度和高的介电各向异性绝对值。因此可以制备具有非常短响应时间、同时具有良好相性能和良好低温行为的液晶混合物，优选VA、IPS和FFS混合物。

因此本发明涉及根据权利要求1包含式I的化合物的的液晶介质。

根据本发明的混合物优选地展示出非常宽的向列相范围、以及≥68℃、优选≥70℃的清亮点、非常有利的电容阈值值、相对高的保持率值和同时非常良好的-20℃和-30℃下的低温稳定性、以及低的旋转粘度值和短的响应时间。此外,根据本发明的混合物的特征在于：除了改进旋转粘度γ

根据本发明混合物的一些优选的实施方案阐述于下。

式I的化合物优选以基于整个混合物以≥1wt％，优选≥3wt％的量用于液晶介质。特别优选的是包含5-30wt％，非常特别优选5-15wt％的式I的化合物的液晶介质。

根据本发明的液晶介质的优选实施方案阐述于下：

a)额外包含一种或多种选自式IIA、IIB和IIC化合物的化合物的液晶介质，

其中

R

L

Z

p表示1或2，

q表示0或1，和

v表示1至6。

在式IIA和IIB化合物中，Z

在式IIA、IIB和IIC的化合物中，R

在式IIA和IIB的化合物中，L

如果，在式IIB中，Z

优选的式IIA、IIB和IIC化合物阐述于下：

其中alkyl和alkyl*各自彼此独立地表示具有1-6个C原子的直链烷基。

根据本发明的特别优选的混合物包含一种或多种式IIA-2、IIA-8、IIA-14、IIA-26、II-28、IIA-33、IIA-39、IIA-45、IIA-46、IIA-47、IIB-2、IIB-11、IIB-16和IIC-1的化合物。

整个混合物中式IIA和/或IIB化合物的比例优选为至少20wt％。

根据本发明的特别优选的介质包含至少一种式IIC-1化合物，

其中alkyl和alkyl*具有以上所述含义，优选量为>3wt％，特别是>5wt％和特别优选5-25wt％。

b)额外包含一种或多种式III化合物的液晶介质，

其中

R

Z

优选的式III化合物阐述于下：

其中

alkyl和alkyl*各自彼此独立地表示具有1-6个C原子的直链烷基。

根据本发明的介质优选包含至少一种式IIIa和/或式IIIb的化合物。

在整个混合物中,式III化合物的比例优选为至少5wt％。

c)额外包含一种或多种下式的四环化合物的液晶介质，

其中

R

w和x各自彼此独立地表示1至6。

特别优选的是包含至少一种式V-9化合物的混合物。

d)额外包含一种或多种式Y-1至Y-6化合物的液晶介质，

其中R

根据本发明的介质特别优选包含一种或多种式Y-1至Y-6化合物，优选量为≥5wt％。

e)额外包含一种或多种式T-1至T-21氟化三联苯的液晶介质，

其中

R表示具有1-7个C原子的直链烷基或烷氧基或具有2-7个C原子的烯基，和m＝0、1、2、3、4、5或6和n表示0、1、2、3或4。

R优选表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基。

根据本发明的介质优选以2-30wt％，特别是5-20wt％的量包含式T-1至T-21的三联苯。

特别优选的是式T-1、T-2、T-20和T-21的化合物。在这些化合物中，R优选表示烷基以及烷氧基，其各自具有1-5个C原子。在式T-20的化合物中，R优选表示烷基或烯基，特别是烷基。在式T-21的化合物中，R优选表示烷基。

如果混合物的Δn值≥0.1，则三联苯优选在根据本发明的混合物中采用。优选的混合物包含2-20wt％的一种或多种选自化合物T-1至T-21的三联苯化合物。

f)额外包含一种或多种式B-1至B-4联二苯的液晶介质，

其中

alkyl和alkyl*各自彼此独立地表示具有1-6个C原子的直链烷基，

alkenyl和alkenyl*各自彼此独立地表示具有2-6个C原子的直链烯基,和

alkoxy表示具有1-6个C原子的直链烷氧基。

在整个混合物中,式B-1至B-4的联二苯的比例优选为至少3wt％，特别是≥5wt％。

在式B-1至B-4的化合物中，特别优选式B-2的化合物。

特别优选的联二苯为

其中alkyl*表示具有1-6个C原子的烷基。根据本发明的介质特别优选包含一种或多种式B-1a和/或B-2c的化合物。

g)包含至少一种式Z-1至Z-7化合物的液晶介质，

其中

R表示具有1-7个C原子的直链烷基或烷氧基或具有2-7个C原子的烯基，

alkyl表示具有1-6个C原子的烷基，和

(O)alkyl表示烷基或O-烷基。

h)包含至少一种式O-1至O-17化合物的液晶介质，

其中R

优选的介质包含一种或多种式O-1、O-3、O-4、O-5、O-9、O-12、O-14、O-15、O-16和/或O-17的化合物。

根据本发明的混合物非常特别优选包含式O-9、O-12、O-16和/或O-17的化合物，特别地量为5-30wt％。

优选的式O-9和O-17的化合物阐述于下：

根据本发明的介质特别优选包含式O-9a和/或式O-9b的三环化合物以及一种或多种式O-17a至O-17d的双环化合物。式O-9a和/或O-9b化合物以及一种或多种选自式O-17a至O-17d双环化合物的化合物的总比例优选为5-40％，非常特别优选为15-35％。

非常特别优选的混合物包含化合物O-9a和O-17a：

化合物O-9a和O-17a优选以基于整个混合物15-35％，特别优选15-25％和尤其优选18-22％的浓度存在于混合物中。

非常特别优选的混合物包含化合物O-9b和O-17a：

化合物O-9b和O-17a优选以基于整个混合物15-35％，特别优选15-25％和尤其优选18-22％的浓度存在于混合物中。

非常特别优选的混合物包含以下三种化合物：

化合物O-9a、O-9b和O-17a优选以基于整个混合物15-35％，特别优选15-25％和尤其优选18-22％的浓度存在于混合物中。

此外，式O-17优选的化合物为选自下式化合物的化合物

优选在每种情况下，量为≥3wt％，特别是≥10wt％。

i)包含一种或多种式BA的化合物的液晶介质

其中

alkenyl和alkenyl*各自彼此独立地表示具有2-12个C原子的直链烯基，

Z

优选的式BA化合物阐述于下：

优选的混合物包含5-60wt％，优选10-55wt％，特别是20-50wt％的式O-17e的化合物。

液晶混合物优选还包含化合物O-17e

和化合物O-17i

j)优选的根据本发明的液晶介质包含一种或多种含有四氢化萘基或萘基单元的物质，例如式N-1至N-5的化合物，

其中R

Z

k)优选的混合物包含一种或多种选自式BC的二氟二苯并色满化合物、式CR的色满、式PH-1和PH-2的氟化菲、式BF-1和BF-2的氟化二苯并呋喃，和式BS-1和BS-2的氟化二苯并噻吩的化合物，

其中

R

根据本发明的混合物优选以3-20wt％的量，特别是以3-15wt％的量包含式BC、CR、PH-1、PH-2、BF-1、BF-2、BS-1和/或BS-2的化合物。

特别优选的式BC、CR、BF和BS的化合物为化合物BC-1至BC-7和CR-1至CR-5，

其中

alkyl和alkyl*各自彼此独立地表示具有1-6个原子的直链烷基，

alkenyl和alkenyl*各自彼此独立地表示具有2-6个C原子的直链烯基，和

alkenyloxy表示具有2-6个C原子的直链烯基氧基。

非常特别优选包含一种、两种或三种式BC-2和/或BF-1a的化合物。

l)优选的混合物包含一种或多种式In的茚化合物，

其中

R

R

i表示0、1或2。

优选的式In的化合物为阐述于下的式In-1至In-16的化合物：

特别优选的是式In-1、In-2、In-3和In-4的化合物。

式In和子式In-1至In-16的化合物优选以≥5wt％，特别是5-30wt％和非常特别优选5-25wt％的浓度在根据本发明的混合物中采用。

m)优选的混合物额外包含一种或多种式L-1至L-11的化合物，

其中

R、R

特别优选式L-1和L-4，特别是L-4的化合物。

式L-1至L-11化合物优选以5-50wt％，特别是5-40wt％和非常特别优选10-40wt％的浓度使用。

n)所述介质额外地包含一种或多种式EY的化合物

其中

R

L

在式EY的化合物中，R

o)所述介质额外地包含一种或多种选自下式的化合物：

在式Q-1至Q-9的化合物中，R

特别优选的混合物概念阐述于下：(所用缩写在表1-3和表A中解释。此处n和m各自彼此独立地表示1-6)。

根据本发明的混合物优选包含

-式I的化合物与一种或多种式O-17的化合物，优选与化合物CCH-23，

和/或

-式I的化合物与CCH-25、CCH-34和/或CCH-35，

和/或

-CPY-n-Om，特别是CPY-2-O2、CPY-3-O2和/或CPY-5-O2，优选浓度>5％，特别是10-30％，基于整个混合物，

和/或

-B-nO-Om，优选浓度为1-15，

和/或

-CY-n-Om，优选CY-3-O2、CY-3-O4、CY-5-O2和/或CY-5-O4，优选浓度为>5％，特别是15-50％，基于整个混合物，

和/或

-CCY-n-Om，优选CCY-4-O2、CCY-3-O2、CCY-3-O3、CCY-3-O1和/或CCY-5-O2，优选浓度为>5％，特别是10-30％，基于整个混合物，

和/或

-CLY-n-Om，优选CLY-2-O4、CLY-3-O2和/或CLY-3-O3，优选浓度>5％，特别是10-30％，基于整个混合物，

和/或

-CK-n-F，优选CK-3-F、CK-4-F和/或CK-5-F，优选>5％，特别是5-25％，基于整个混合物。

此外优选根据本发明的的混合物包含以下混合物概念：

(n和m各自彼此独立地表示1-6。)

-CPY-n-Om和CY-n-Om，优选浓度为10-80％，基于整个混合物，和/或

-CPY-n-Om和CK-n-F，优选浓度为10-70％，基于整个混合物，

和/或

-CPY-n-Om和PY-n-Om，优选CPY-2-O2和/或CPY-3-O2和PY-3-O2，优选浓度为10-40％，基于整个混合物，

和/或

-CPY-n-Om和CLY-n-Om，优选浓度为10-80％，基于整个混合物，

和/或

-CC-3-V1，优选量为3–15％

和/或

CC-V-V，优选量为5–60％

和/或

CC-3-V，优选量为5–60％

和/或

PGIY-n-Om，优选量为3-15％,

和/或

CC-n-2V1，优选量为3-20％。

此外本发明涉及基于ECB-、VA-、PS-VA、PVA-、PM-VA、SS-VA、IPS-、PS-IPS-、FFS效应，特别是UB-FFS或PS-FFS-效应、具有有源矩阵寻址的电光显示器，特征在于其含有根据权利要求1-14的一项或多项的液晶介质作为电介质。

根据本发明的液晶介质优选具有≤-20℃至≥70℃的向列相，特别优选≤-30℃至≥80℃，非常特别优选≤-40℃至≥90℃。

表述“具有向列相”此处一方面意指于低温下于相应温度下未观察到近晶相和结晶和另一方面意指自向列相加热未变得清亮。低温研究在流动粘度计中、于相应温度下进行并通过储存于具有相应于至少100小时电光用途的层厚度的测试盒中检验。如果-20℃温度下相应测试盒中的储存能力为1000h或更多，则该介质被称为于该温度下稳定。在-30℃或-40℃的温度下，相应时间分别为500h或250h。高温下，清亮点通过传统方法于毛细管中测量。

液晶混合物优选具有至少60K的向列相范围和于20℃下最多30mm

液晶混合物中双折射值Δn通常为0.07-0.16，优选0.08-0.13。

根据本发明的液晶混合物具有-0.5至-8.0的Δε，特别是-2.5至-6.0，其中Δε表示介电各向异性。20℃下旋转粘度γ

根据本发明的液晶介质具有相对低的阈值电压值(V

对于本发明，术语“阈值电压”涉及电容阈值(V

另外，根据本发明的液晶介质具有液晶盒中高电压保持率值。

通常，具有低寻址电压或阈值电压的液晶介质展示出比具有更高寻址电压或阈值电压的那些更低的电压保持率，反之亦然。

对于本发明，术语“正介电化合物”表示具有Δε>1.5的化合物，术语“中性介电化合物”表示其中-1.5≤Δε≤1.5的那些和术语“负介电化合物”表示具有Δε<-1.5的那些。此处，化合物的介电各向异性通过在至少一个测试盒中将10％的化合物溶于液晶主体并测定所得混合物的电容而测定，每种情况下测试盒具有20μm的层厚度并在1kHz下具有垂面和沿面表面取向。测量电压通常为0.5V-1.0V，但总是低于所研究的各液晶混合物的电容阈值。

本发明所述全部温度值以℃表示。

根据本发明的混合物适用于全部VA-TFT应用，例如，VAN、MVA、(S)-PVA、ASV、PSA(聚合物稳定VA)、SS(表面稳定化)-VA和PS-VA(聚合物稳定化VA)。此外它们适用于具有负Δε的IPS(

在根据本发明的显示器中的向列液晶混合物通常包含两种成分A和B，它们由一种或多种单独的化合物组成。

成分A具有显著负的介电各向异性并给予向列相≤-0.5的介电各向异性。除了一种或多种式I的化合物，其优选包含式IIA、IIB和/或IIC的化合物、以及式III的化合物。

成分A的比例优选为45-100％，特别是60-100％。

对于成分A，优选选择具有Δε≤-0.8值的一种(或多种)单独的化合物。在整个混合物中A的比例越小，则该值必须越负。

成分B具有显著的向列性(nematogeneity)和20℃下不大于30mm

本领域技术人员自文献可知多种适合的物质。特别优选的是式III的化合物。

成分B中特别优选的单个化合物为粘性非常低的向列性液晶，其于20℃下具有不大于18mm

成分B为单向转变或互相转变向列相，不具有近晶相并在液晶混合物中降至非常低温时能够防止近晶相的出现。例如，如果在每种情况下将多种高向列性材料加入近晶液晶混合物，则这些材料的向列性可通过所实现近晶相的抑制程度来进行比较。

混合物也可任选包含成分C，其包含具有Δε≥1.5介电各向异性的化合物。这些所谓的正性化合物通常以基于整个混合物≤20wt％的量存在于负介电各向异性混合物中。

如果根据本发明的混合物包含一种或多种具有Δε≥1.5介电各向异性的化合物，则这些优选为一种或多种式P-1和/或P-2的化合物，

其中

R表示各自分别具有1或2至6个C原子的直链烷基、烷氧基或烯基，和

X表示F、Cl、CF

式P-1和/或P-2化合物优选以0.5-10wt％，特别是0.5-8wt％的浓度使用于根据本发明的混合物中。

特别优选下式的化合物

其优选以0.5-3wt％的量使用。

另外，这些液晶相也可包含大于18种成分，优选18-25种成分。

除一种或多种式I的化合物之外，该相优选还包含4-15种，特别是5-12种，和特别优选<10种的式IIA、IIB和/或IIC和任选III的化合物。

除式I的化合物和式IIA、IIB和/或IIC以及任选的式III的化合物之外，也可存在其它成分，例如以最多整个混合物的45％，但优选最多35％，特别是最多10％的量存在。

其它成分优选选自向列型或向列性物质，特别是已知物质，来自氧化偶氮苯、苯亚甲基苯胺、联二苯、三联苯、苯基或环己基苯甲酸酯、苯基或环己基环己烷羧酸酯、苯基环己烷、环己基联二苯、环己基环己烷、环己基萘、1,4-双环己基联二苯或环己基嘧啶、苯基-或环己基二氧杂环己烷、任选卤化的均二苯代乙烯、苄基苯基醚、二苯乙炔和取代的肉桂酸酯。

适合作为该类型液晶相成分的最重要化合物可以式IV表征

R

其中L和E各自表示选自1,4-二取代苯和环己烷环、4,4’-二取代联二苯、苯基环己烷和环己基环己烷体系、2,5-二取代嘧啶和1,3-二氧杂环己烷环、2,6-二取代萘、二和四氢化萘、喹唑啉和四氢化喹唑啉的碳环或杂环体系，

G表示-CH＝CH-、-N(O)＝N-、-CH＝CQ-、-CH＝N(O)-、-C≡C-、-CH

或C-C单键，Q表示卤素，优选氯，或-CN，且R

在这些化合物的大多数中，R

对于本领域技术人员不言而喻的是根据本发明的VA、IPS或FFS混合物也可包含其中例如H、N、O、Cl和F已被相应的同位素替代的化合物。

可聚合化合物，所谓的反应性介晶(RM)，例如U.S.6,861,107中所公开的，可进一步以基于混合物优选0.01-5wt％，特别优选0.2-2wt％的浓度加入至根据本发明的混合物中。这些混合物也可任选包含引发剂，如U.S.6,781,665中所描述的。引发剂，例如来自BASF的Irganox-1076，优选以0-1％的量加入至包含可聚合化合物的混合物中。该类型混合物可用于所谓的聚合物稳定化VA模式(PS-VA)或PSA(聚合物稳定VA)，其中反应性介晶的聚合意欲发生于液晶混合物中。前提是液晶混合物自身不包含任何可聚合成分，这些可聚合成分同样在式M的化合物聚合的条件下聚合。

所述聚合优选在以下条件下进行：可聚合成分使用在限定时间和施加电压下(通常10至30V交替电压，频率在60Hz至1kHz的范围内)限定强度的UV-A灯在盒中聚合。所采用的UV-A灯源通常是具有50mW/cm

其中n＝2、3、4、5或6，

在本发明的优选实施方案中，可聚合化合物选自式M的化合物

R

其中各基团具有以下含义：

R

P表示可聚合基团，

Sp表示间隔基团或单键，

A

L表示P、P-Sp-、OH、CH

Y

Z

R

R

m1表示0、1、2、3或4和

n1表示1、2、3或4，

其中所存在的基团R

特别优选的式M化合物为其中以下的那些

R

A

L表示P、P-Sp-、OH、CH

P表示可聚合基团，

Y

R

非常特别优选的是其中R

用于根据本发明的液晶介质和PS-VA显示器或PSA显示器的合适并优选的RM例如选自下式：

其中各基团具有以下含义：

P

Sp

R

R

R

Z

Z

L在每次出现时相同或不同地表示F、Cl、CN或具有1-12个C原子的直链或支链、任选单或多氟化的烷基、烷氧基、烯基、炔基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，优选F，

L'和L"各自彼此独立地表示H、F或Cl，

r表示0、1、2、3或4，

s表示0、1、2或3，

t表示0、1或2，和

x表示0或1。

合适的可聚合化合物列于例如表D中。

根据本申请的液晶介质优选包含总计0.1-10％，优选0.2-4.0％，特别优选0.2-2.0％的可聚合化合物。

特别优选的是式M和式RM-1至RM-102的可聚合化合物。

根据本发明的混合物可进一步包含常规添加剂，例如稳定剂、抗氧化剂、UV吸收剂、纳米颗粒、微粒等。

根据本发明的液晶显示器的结构符合通常的几何学，如例如EP-A 0 240 379中所描述的。

以下实施例意欲解释本发明而非对其进行限制。上下文中，百分数数据表示重量百分数；全部温度以摄氏度表示。

贯穿本申请，1,4-亚环己环和1,4-亚苯基环描绘于下：

亚环己基环为反式-1,4-亚环己基环。

贯穿本专利申请和工作实施例，液晶化合物的结构通过缩写的方式表达。除非另有说明，依据表1-3转变为化学式。全部基团C

除式IIA和/或IIB和/或IIC的化合物和一种或多种式I的化合物之外，根据本发明的混合物还优选包含一种或多种来自以下所指出的表A的化合物。

使用了以下缩写：

(n,m,m’,z：各自彼此独立地为1、2、3、4、5或6；

(O)C

AIK-n-F

AIY-n-Om

AY-n-Om

B-nO-Om

B-n-Om

B(S)-nO-Om

B(S)-n-Om

CB(S)-n-(O)m

CB-n-m

CB-n-Om

PB-n-m

PB-n-Om

BCH-nm

BCH-nmF

CY(Cl,F)-n-Om

CCY-n-Om

CAIY-n-Om

CCY(F,Cl)-n-Om

CCY(Cl,F)-n-Om

CCY-n-m

CCY-V-m

CCY-Vn-m

CCY-n-OmV

CBC-nmF

CBC-nm

CCP-V-m

CCP-Vn-m

CCP-nV-m

CCP-n-m

CPYP-n-(O)m

CYYC-n-m

CCYY-n-(O)m

CCY-n-O2V

CCH-nOm

CY-n-m

CCH-nm

CC-n-V

CC-n-V1

CC-n-Vm

CC-2V-V2

CC-V-V

CC-V-V1

CVC-n-m

CC-n-mV

CCOC-n-m

CP-nOmFF

CH-nm

CEY-n-Om

CEY-V-n

CVY-V-n

CY-V-On

CY-n-O1V

CY-n-OC(CH

CCN-nm

CY-n-OV

CCPC-nm

CCY-n-zOm

CPY-n-Om

CPY-n-m

CPY-V-Om

CQY-n-(O)m

CQIY-n-(O)m

CCQY-n-(O)m

CCQIY-n-(O)m

CPQY-n-(O)m

CPQIY-n-(O)m

CPYG-n-(O)m

CCY-V-Om

CCY-V2-(O)m

CCY-1V2-(O)m

CCY-3V-(O)m

CCVC-n-V

CPYG-n-(O)m

CPGP-n-m

CY-nV-(O)m

CENaph-n-Om

COChrom-n-Om

COChrom-n-m

CCOChrom-n-Om

CCOChrom-n-m

CONaph-n-Om

CCONaph-n-Om

CCNaph-n-Om

CNaph-n-Om

CETNaph-n-Om

CTNaph-n-Om

CK-n-F

CLY-n-Om

CLY-n-m

LYLI-n-m

CYLI-n-m

LY-n-(O)m

COYOICC-n-m

COYOIC-n-V

CCOY-V-O2V

CCOY-V-O3V

COY-n-Om

CCOY-n-Om

D-nOmFF

PCH-nm

PCH-nOm

PGIGI-n-F

PGP-n-m

PGIY-n-Om

PP-n-m

PP-n-Om

PP-n-2V1

PP-n-mVk

PPGU-n-F

PYP-n-mV

PYP-n-m

PYP-n-Om

PPYY-n-m

YPY-n-m

YPY-n-mV

PY-n-Om

PY-n-m

PY-V2-Om

C-DFDBF-n-(O)m

COY-1V-Om

COY-V-Om

CCOY-V-Om

CCOY-1V-Om

B-n-m

DFDBC-n(O)-(O)m

Y-nO-Om

Y-nO-OmV

Y-nO-OmVm'

YG-n-Om

YG-nO-Om

YGI-n-Om

YGI-nO-Om

YY-n-Om

YY-nO-Om

YG-VnO-Om

YG-nO-OmV

YY-VnO-Om

根据本发明可使用的液晶混合物以本身常规的方式制备。通常，将以较小量使用的组分的所需量溶解在构成主要成分的组分中，有利地在升高的温度下进行。也可以在有机溶剂中混合组分的溶液，所述有机溶剂例如为在丙酮、氯仿或甲醇中，并在充分混合之后再次移除溶剂，例如通过蒸馏。

通过合适的添加剂，根据本发明的液晶相以它们可在任意类型例如迄今已经公开的ECB-、VAN-、IPS-、GH-或ASM-VA LCD-显示器中使用的方式来改良。

电介质也可进一步包含本领域技术人员已知和描述于文献中的添加剂，例如UV吸收剂、抗氧化剂、纳米颗粒和自由基净化剂。例如，可加入0-15％多色性染料、稳定剂或手性掺杂剂。用于根据本发明混合物的合适稳定剂特别为表B中所列的那些。

例如，可加入0-15％多色性染料以及可加入导电盐，优选乙基二甲基十二烷基4-己氧基苯甲酸铵、四丁基四苯基硼烷酸铵或冠醚的复合盐(参见，例如，Haller等,Mol.Cryst.Liq.Cryst.,Volume

表B显示了通常加入根据本发明混合物的可能的掺杂剂。混合物优选包含0-10wt％，特别是0.01-5wt％和特别优选0.01-3wt％的掺杂剂。如果所述混合物仅包含一种掺杂剂，其以0.01-4wt％的量，优选0.1-1.0wt％的量采用。

可例如以0-10wt％的量加入根据本发明混合物的稳定剂示于下。

根据本发明的介质特别优选包含

表D显示了可优选用作根据本发明的LC介质中反应性介晶化合物的示例化合物。如果根据本发明的混合物包含一种或多种反应性化合物，则它们优选以0.01-5wt％的量使用。也可能需要加入引发剂或两种或更多种引发剂的混合物用于聚合。引发剂或引发剂混合物优选以基于混合物0.001-2wt％的量加入。合适的引发剂例如为Irgacure(BASF)或Irganox(BASF)。

在优选实施方案中，根据本发明的混合物包含一种或多种可聚合化合物，优选选自式RM-1至RM-102的可聚合化合物。该类型介质是适合的，特别是，适合用于PS-FFS和PS-IPS应用。表D所示反应性介晶之中，特别优选化合物RM-1、RM-2、RM-3、RM-4、RM-5、RM-9、RM-17、RM-42、RM-48、RM-68、RM-87、RM-91、RM-98、RM-99和RM-101。

此外，式M和式RM-1至RM-102的反应性介晶或可聚合化合物适用作稳定剂。在这种情况下，可聚合的化合物不聚合，而相反以>1％的浓度添加至液晶介质。

本发明还涉及以下优选的实施方案：

1.基于极性化合物的混合物的液晶介质，其特征在于其包含式I的化合物，

2.根据编号1的液晶介质，其特征在于其额外地包含一种或多种选自式IIA、IIB和IIC的化合物的化合物，

其中

R

L

Z

p表示1或2，

q表示0或1，和

v表示1-6。

3.根据编号1或2的液晶介质，其特征在于所述介质额外地包含一种或多种式III的化合物，

其中

R

Z

4.根据编号1-3的一项或多项的液晶介质，其特征在于所述介质额外地包含一种或多种式L-1至L-11的化合物，

其中

R、R

s表示1或2。

5.根据编号1-4的一项或多项的液晶介质，其特征在于所述介质额外地包含一种或多种式T-1至T-21的三联苯，

其中

R表示具有1-7个C原子的直链烷基或烷氧基或具有2-7个C原子的直链烯基，和

m表示1-6。

6.根据编号1-5的一项或多项的液晶介质，其特征在于所述介质额外地包含一种或多种式O-1至O-17的化合物，

其中

R

7.根据编号1-6的一项或多项的液晶介质，其特征在于所述介质额外地包含一种或多种式In的茚化合物，

其中

R

R

i表示0、1或2。

8.根据编号1-7的一项或多项的液晶介质，其特征在于在整个混合物中式I的化合物的比例为1-30wt％。

9.根据编号1-8的一项或多项的液晶介质，其特征在于其额外地包含一种或多种下式化合物的化合物

10.根据编号1-9的一项或多项的液晶介质，其特征在于其额外地包含选自以下组的化合物

11.根据编号1-10的一项或多项的液晶介质，其特征在于其额外地包含一种或多种选自式BC、CR、PH-1、PH-2、BF-1、BF-2、BS-1和BS-2的化合物的化合物

其中

R

c表示0、1或2，

d表示1或2，

R

12.根据编号1-11的一项或多项的液晶介质，其特征在于所述介质包含至少一种可聚合化合物(反应性介晶)。

13.根据编号1-12的一项或多项的液晶介质，其特征在于所述介质包含一种或多种添加剂。

14.根据编号1-13的一项或多项的液晶介质，其特征在于所述添加剂选自自由基净化剂、抗氧化剂和/或UV稳定剂。

15.制备根据编号1-14的一项或多项的液晶介质的方法，其特征在于将至少一种式I的化合物与至少一种其它液晶化合物混合，并且任选地加入一种或多种添加剂和任选地至少一种可聚合化合物(反应性介晶)。

16.根据编号1-14的一项或多项的液晶介质在电光显示器中的用途。

17.具有有源矩阵寻址的电光显示器，其特征在于其含有根据权利要求1-14的一项或多项的液晶介质作为电介质。

18.根据编号17的电光显示器，其特征在于其为VA、PSA、PS-VA、PALC、IPS、PS-IPS、SS-VA、PM-VA、FFS或PS-FFS显示器。

以下实施例意欲解释本发明而非对其进行限制。实施例中，m.p.表示熔点和C表示液晶物质以摄氏度表示的清亮点；沸腾温度表示为m.p。此外：C表示晶体固态，S表示近晶相(指数表示相类型)，N表示向列相，Ch表示胆甾相，I表示各向同性相，T

用于测定式I的化合物光学各向异性Δn的主体混合物为商购混合物ZLI-4792(Merck KGaA)。介电各向异性Δε使用商购混合物ZLI-2857测定。待研究化合物的物理数据获自主体混合物在加入待研究化合物之后介电常数的改变并外推至100％所用的化合物。通常，取决于溶解度，将10％待研究化合物溶于主体混合物。

除非另有说明，份数或百分数数据表示以重量计的份数或以重量计的百分数。

上下文中，符号和缩写具有以下含义：

V

Δn 20℃和589nm下测量的光学各向异性

Δε 20℃和1kHz下的介电各向异性

cl.p. 清亮点[℃]

K

K

γ

LTS 低温稳定性(向列相)，测试盒中测定。

用于测量所述阈值电压的显示器具有间隔为20μm的两个平面平行的外板和在外板的内侧顶部的具有包含SE-1211(Nissan Chemicals)的取向层的电极层，其影响液晶的垂面取向。

除非另有明确说明，本申请中所有浓度涉及相应的混合物或混合物组分。所有物理性质根据“Merck Liquid Crystals,Physical Properties of Liquid Crystals”,Status November 1997,Merck KGaA,Germany测定，并应用于20℃的温度，除非另有说明。

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M1的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M1的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.8％的根据实施例M1的混合物与0.2％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M1的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M1的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M1的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.8％的根据实施例M1的混合物与0.2％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.8％的根据实施例M1的混合物与0.2％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M2的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M2的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M2的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M2的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M2的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M2的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M2的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M2的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M3的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.8％的根据实施例M3的混合物与0.2％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M3的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M3的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M3的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M3的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M4的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M4的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M4的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M4的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M4的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M4的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M5的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M5的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.8％的根据实施例M5的混合物与0.2％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M5的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M5的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M5的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M5的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M6的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M6的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M6的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M7的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M7的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M7的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M7的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M51的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M54的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M58的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M60的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M62的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M68的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合

为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.75％的根据实施例M70的混合物与0.25％的下式的可聚合化合物混合

为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.7％的根据实施例M70的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合

为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.7％的根据实施例M70的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合。

根据实施例M73的混合物优选适用于PS-VA应用，特别是2D和3D TV应用。

以上提及的用于PS-VA应用的混合物实施例当然也适用于PS-IPS和PS-FFS应用。

为了改进可靠性，根据实施例M1至M69的混合物可以额外地使用一种或两种选自以下提及的化合物a)至h)的稳定剂稳定：

a)

b)

c)

d)

e)

f)

g)

h)

其中在每种情况下，稳定剂以0.01-0.04％的量加入，基于混合物。

为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M60的混合物与0.25％的下式的可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M87的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M89的混合物与0.25％的下式的可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M89的混合物与0.25％的下式的可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M6的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合

实施例M95的混合物额外地包含0.001％的下式的化合物

根据实施例M97的混合物额外地使用0.01％的下式的化合物稳定

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M99的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M77的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M102的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M102的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M7的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合

实施例M108的混合物额外地包含0.001％的下式的化合物

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M109的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M108的混合物与0.25％的下式的可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M113的混合物与0.25％的下式的可聚合化合物混合

为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.7％的根据实施例M70的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合

为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M113的混合物与0.25％的下式的可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M117的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M117的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M120的混合物与0.25％的下式的可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M122的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M122的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M125的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合

为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.7％的根据实施例M127的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M127的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合

为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.99％的根据实施例M130的混合物与0.01％的下式的可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M134的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M136的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M136的混合物与0.25％的下式的可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M136的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合

根据实施例M140的混合物额外地包含0.03％的

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M144的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M144的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M147的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M149的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合

为了制备PS-FFS混合物，将99.7％的根据实施例M152的混合物与0.3％的下式可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合

根据实施例M152的混合物额外地包含0.04％的下式化合物

以及0.02％的下式化合物

根据实施例M156的混合物额外地包含0.03％的下式的化合物

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M156的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合

根据实施例M160的混合物额外地包含0.03％的下式化合物

为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.7％的根据实施例M160的混合物与0.3％的下式可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合。

为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.7％的根据实施例M163的混合物与0.3％的下式可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合。

根据实施例M163的混合物额外地包含0.03％的下式化合物

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M166的混合物与0.3％的下式可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合

为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.99％的根据实施例M168的混合物与0.01％的下式可聚合化合物混合。

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M168的混合物与0.3％的下式可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合。

为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.99％的根据实施例M171的混合物与0.1％的下式的可聚合化合物混合

为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.7％的根据实施例M173的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合

为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.7％的根据实施例M186的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合

为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.7％的根据实施例M190的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合

为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.7％的根据实施例M192的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合

为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.7％的根据实施例M194的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合

为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.8％的根据实施例M194的混合物与0.2％的下式的可聚合化合物混合

为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.7％的根据实施例M197的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合

为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.8％的根据实施例M197的混合物与0.2％的下式的可聚合化合物混合

根据实施例M188的混合物额外地包含0.03％的下式的化合物

根据实施例M188的混合物额外地包含0.04％的下式的化合物

以及0.02％的下式的化合物

根据实施例M99的混合物额外地包含0.03％的下式的化合物

根据实施例M99的混合物额外地包含0.04％的下式的化合物

以及0.02％的下式的化合物

根据实施例M204的混合物额外地包含0.03％的下式的化合物

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M207的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M209的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合

为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M151的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合