一种显示装置及其制备方法

技术领域

本申请涉及显示领域，具体涉及一种显示装置及其制备方法。

背景技术

目前纯氧化物有源矩阵有机发光二极体(AMOLED)器件的背板工艺制程一般依次包括制备遮光层、有源层、栅极、绝缘层、源漏极层、平坦层、阳极、像素定义层、发光结构等，其中，阳极一般是采用氧化铟锡(ITO)、银(Ag)、氧化铟锡(ITO)的三明治结构制成的，为顶发光模式，因为基板上各膜层的阻挡，又因为银的反射等，所以在背板侧并不能观察到显示画面，并不能实现透明显示。

发明内容

本申请的目的在于，提供一种显示装置及其制备方法，可以解决现有的纯氧化物显示器件并不能实现背板侧透明显示、不能实现双面显示功能等技术问题。

为实现上述目的，本申请提供一种显示装置，包括：背板；电极层，设于所述背板的一侧；无机膜层，设于所述背板的一侧，并覆盖所述电极层；以及发光结构，穿过所述无机膜层，连接至所述电极层。

进一步地，所述电极层包括：第一电极，用作遮光电极；第二电极，与所述第一电极同层且绝缘设置；以及第三电极，设于所述第一电极远离所述第二电极的一侧，与所述第一电极同层且绝缘设置。

进一步地，所述第二电极与所述第三电极分别作为源极和漏极；所述漏极还作为阳极，所述阳极与所述发光结构相对设置。

进一步地，所述无机膜层包括：缓冲层，设于所述背板的一侧，并覆盖所述电极层，所述缓冲层上开设有第一通孔，裸露出部分所述阳极；有源层设于所述缓冲层远离所述背板的一侧，并穿过所述缓冲层分别连接至所述第二电极以及所述第三电极；栅极绝缘层，设于所述缓冲层远离所述背板的一侧，并覆盖所述有源层，所述栅极绝缘层上开设有第二通孔，与所述第一通孔相对设置并相互连通；栅极层设于所述栅极绝缘层远离所述缓冲层的一侧，且与所述有源层相对设置；以及像素定义层，设于所述栅极绝缘层远离所述缓冲层的一侧，并覆盖所述栅极层，所述像素定义层上开设有第三通孔，与所述第二通孔相对设置并相互连通，所述第三通孔、所述第二通孔以及所述第一通孔形成一开孔。

进一步地，所述发光结构设于所述开孔内，连接至所述阳极。

进一步地，所述电极层的材质为透明氧化铟锡材料。

为实现上述目的，本申请还提供一种显示装置的制备方法，用于制备如前文所述的显示装置，所述制备方法包括：提供一背板；在所述背板上制备电极层；在所述电极层以及所述背板上制备无机膜层；在所述无机膜层上开设开孔，裸露出部分所述电极层；以及在所述开孔内制备发光结构。

进一步地，所述在所述背板上制备电极层的步骤包括：形成一层透明氧化铟锡膜层，对所述透明氧化铟锡膜层进行图案化处理，形成彼此绝缘的第一电极、第二电极以及第三电极；其中所述第一电极作为遮光电极，所述第二电极或所述第三电极中的一个作为阳极和漏极，或者作为源极。

进一步地，所述显示装置的制备方法还包括：在所述无机膜层内的缓冲层远离所述背板的一侧制备有源层，使得所述有源层连接至所述第二电极和所述第三电极；在所述无机膜层内的栅极绝缘层远离所述缓冲层的一侧制备栅极层，且所述栅极层与所述有源层相对设置。

进一步地，所述在所述无机膜层上开设开孔，裸露出部分所述电极层的步骤包括：在与所述阳极相对的位置处，在所述无机膜层上开设开孔，裸露出其下方的部分所述阳极。

本申请的技术效果在于，采用透明氧化铟锡作为阳极同时充当源漏极以及遮光电极，直接设于背板上，在背板侧可以实现透明显示，进而实现双面显示效果。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的显示装置的结构示意图；

图2是本申请实施例提供的显示装置的制备方法的流程图。

附图标记说明：

100、背板；200、电极层；300、无机膜层；400、有源层；500、栅极层；600、发光结构；

201、第一电极；202、第二电极；203、第三电极；

301、缓冲层；302、栅极绝缘层；303、像素定义层。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。

如图1至图2所示，本申请实施例提供一种显示装置及其制备方法。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。

如图1所示，本实施例所提供的显示装置包括：背板100、电极层200、无机膜层300、有源层400、栅极层500以及发光结构600。所述显示装置属于OLED显示器件，在本实施例中，所述显示装置以纯氧化物有源矩阵有机发光二极体(AMOLED)器件为例进行说明，并不表示只适用于AMOLED器件，也可适用于其他OLED显示器件。本实施例中的显示装置为顶栅显示器件。

所述背板100为衬底基板，一般为玻璃基板等硬质基板，在本申请的其他实施例中，如显示装置为柔性显示装置，所述背板100也可为柔性背板，在此不作限制。

所述电极层200设于所述背板100的一侧，在本实施例中，所述电极层200设于所述背板100的上表面。所述电极层200为图案化电极，包括第一电极201、第二电极202以及第三电极203，各电极为同层设置且相互绝缘。

所述第一电极201为遮光电极，所述遮光电极可以有效降低薄膜晶体管因为光照射所造成的负偏。

所述第二电极202和所述第三电极203分别设于所述第一电极201的两侧，所述第二电极202与所述第三电极203分别作为源极和漏极，在本实施例中，以所述第二电极202为源极，所述第三电极203为漏极为例进行示例说明。

所述电极层200所用材质为透明氧化铟锡材料，透明氧化铟锡作为电极材料在透明的同时，还具备电极的导电属性、驱动属性等，所以在本实施例中，采用透明氧化铟锡材料作为所述电极层200的材料，同层设置遮光电极与源漏电极，同时将漏极与阳极合二为一，不另外设置阳极层，所以，所述第三电极203既为漏极又是阳极。

所述无机膜层300设于所述背板100的一侧，并覆盖所述电极层200，在本实施例中，所述无机膜层300设于所述背板100的上表面，并覆盖所述电极层200。所述无机膜层300包括：缓冲层301、栅极绝缘层302以及像素定义层303等膜层结构，还可包括介电层、平坦层、钝化层、隔垫柱等膜层，所述无机膜层300主要是起到绝缘作用，隔绝其两侧导电膜层之间的电连接，防止出现串联短路等不良情况。

所述缓冲层301设于所述背板100的一侧，并覆盖所述电极层200，所述缓冲层301上开设有第一通孔(图未标示)，裸露出部分所述第三电极203(即漏极或阳极)，所述第一通孔用以容纳所述发光结构600。

所述有源层400设于所述缓冲层301远离所述背板的一侧，并穿过所述缓冲层301分别连接至所述第二电极202以及所述第三电极203。所述有源层400的材质为氧化铟镓锌(IGZO)等氧化物材料。

所述栅极绝缘层302设于所述缓冲层301远离所述背板100的一侧，并覆盖所述有源层400，所述栅极绝缘层302上开设有第二通孔(图未标示)，与所述第一通孔相对设置并相互连通，所述第二通孔用以容纳所述发光结构600。

所述栅极层500设于所述栅极绝缘层302远离所述缓冲层301的一侧，且与所述有源层400相对设置，所述栅极层500的材质为金属材料，所述栅极层500、所述有源层400以及所述第一电极201相对设置。

所述像素定义层303设于所述栅极绝缘层302远离所述缓冲层301的一侧，并覆盖所述栅极层500，所述像素定义层303上开设有第三通孔(图未标示)，与所述第二通孔相对设置并相互连通，所述第三通孔、所述第二通孔以及所述第一通孔形成一开孔，所述开孔用以容纳所述发光结构600。

所述发光结构600穿过所述无机膜层300，连接至所述电极层200，具体地，所述发光结构600设于所述开孔内，连接至所述阳极，所述阳极会给所述发光结构600发送驱动信号驱动使其发光。

因为所述发光结构600下方直接是由透明氧化铟锡制成的阳极，所述阳极下方直接是背板100，所述背板100也可以为透明的玻璃背板，所以从背板100一侧也能观察到显示的画面，达到透明显示或半透明显示的效果，即可实现双面显示功能。

本实施例所述显示装置的技术效果在于，采用透明氧化铟锡作为阳极同时充当源漏极以及遮光电极，直接设于背板上，在背板侧可以实现透明显示，进而实现双面显示效果。

如图2所示，本实施例所提供的一种显示装置的制备方法用于制备如前文所述的显示装置，所述制备方法包括步骤S1～S。

S1提供一背板100，所述背板100为衬底基板，一般为玻璃基板等硬质基板，在本申请的其他实施例中，如显示装置为柔性显示装置，所述背板100也可为柔性背板，在此不作限制。

S2在所述背板100上制备电极层200，具体地，在所述背板100上溅镀或喷墨打印一层透明氧化铟锡膜层，对所述透明氧化铟锡膜层进行图案化处理，蚀刻出不同的电极图案，形成彼此绝缘的第一电极201、第二电极202以及第三电极203。其中所述第一电极201作为遮光电极，所述第二电极202或所述第三电极203中的一个作为阳极和漏极，或者作为源极，在本实施例中，以所述第二电极202为源极，所述第三电极203为漏极为例进行示例说明。

S3在所述电极层200以及所述背板100上制备无机膜层300、有源层400以及栅极层500。具体地，包括以下步骤：

在所述背板100的上表面沉积一层氮化硅或其他无机绝缘材料，形成所述缓冲层301。

在所述缓冲层301的上表面溅镀或喷墨打印一层氧化物半导体材料，对其两侧的边缘处进行导体化处理使其具有导电性能，其余中间部分仍旧保留半导体性能作为半导体沟道，形成所述有源层400，并穿过所述缓冲层301分别连接至所述第二电极202以及所述第三电极203。

在所述缓冲层301远离所述背板100的一侧即所述背板100的上表面沉积一层无机绝缘材料，并覆盖所述有源层400，形成所述栅极绝缘层302。

在所述栅极绝缘层302远离所述缓冲层301的一侧即所述栅极绝缘层302的上表面溅镀或喷涂一层金属材料，对其进行图案化处理后在与所述有源层400相对的位置处形成所述栅极层500，所述栅极层500、所述有源层400以及所述第一电极201相对设置。

在所述栅极绝缘层302远离所述缓冲层301的一侧即所述栅极绝缘层302的上表面沉积一层无机材料，并覆盖所述栅极层500，形成所述像素定义层303，所述像素定义层303用以定义发光区域的大小。

S4在所述无机膜层300上开设开孔，裸露出部分所述电极层200。可采用蚀刻的方式，在与所述第三电极203相对的位置处，从上而下依次对所述像素定义层303、所述栅极绝缘层302以及所述缓冲层301进行挖孔，裸露出其下方的部分所述第三电极203。分别在所述像素定义层303上形成第三通孔，在所述栅极绝缘层302上形成第二通孔，在所述缓冲层301上形成第一通孔，共同组成一通孔，所述通孔用于容纳后续的发光结构600。

在本申请的其他实施例中，对于开孔这个步骤，也可以在每次沉积无机膜层后直接开设，这样的话就需要注意通孔之间的对位问题，所以在本实施例中以最优的无机膜层一起开孔为例进行说明，当然，其他的开孔方式也都属于本申请的保护范围内。

S5在所述开孔内制备发光结构600。在所述开孔内依次制备出所述发光结构600所需的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层等膜层结构，形成所述发光结构600，具体的制程方式在本实施例中不作限制与指定。

因为所述发光结构600下方直接是由透明氧化铟锡制成的阳极，所述阳极下方直接是背板100，所述背板100也可以为透明的玻璃背板，所以从背板100一侧也能观察到显示的画面，达到透明显示或半透明显示的效果，即可实现双面显示功能。

本实施例所述显示装置的制备方法的技术效果在于，将由透明氧化铟锡制成的阳极改为背板后第一步制作，且透明氧化铟锡同时制成源漏极以及遮光电极，在背板侧可以实现透明显示，进而实现双面显示效果。

以上对本申请实施例所提供的一种显示装置及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。