晶圆保护胶带

技术领域

本发明涉及晶圆保护胶带。更具体地，本发明涉及如下的晶圆保护胶带，即，可代替环氧密封剂起到保护半导体芯片的作用并实现薄型化及降低成本。

背景技术

最近，随着对半导体设备和其封装的薄型化及小型化的需求逐渐增加，对于半导体设备及其封装广泛使用以半导体芯片的焊盘与基板的电路图案相向的方式在基板固定半导体芯片的倒装芯片焊接方法。

以下，参照附图，对现有的芯片尺寸半导体封装进行说明。

图1为示出现有的芯片尺寸半导体封装的剖视图。

如图1所示，现有的芯片尺寸半导体封装1包括：基板10；至少一个半导体芯片20，安装在基板10上；环氧密封剂40，用于密封基板10的上表面及半导体芯片20。

其中，在基板10配置有电路图案12，在半导体芯片20配置有焊盘22。作为一例，基板10的电路图案12和半导体芯片20的焊盘22经由凸点30实现电连接，可通过填充在基板10与半导体芯片20之间的填充部件35实现物理连接的倒装芯片焊接。

并且，环氧密封剂40不仅覆盖基板10的上表面，而且，覆盖半导体芯片20的整个后表面。

在通常情况下，上述芯片尺寸半导体封装1可通过如下方式形成，即，使用环氧密封剂40覆盖基板10的上表面及半导体芯片20的整个后表面进行固化来形成。因此，普通的芯片尺寸半导体封装1不仅需要消耗大量的制备成本，而且，因使用环氧密封剂40覆盖基板10的上表面及半导体芯片20的整个后表面而需要形成确保规定厚度以上的结构，因此，存在难以实现薄型化的问题。

本发明的背景技术揭示在韩国授权专利第10-1074571号等。

发明内容

本发明的目的在于，提供如下的晶圆保护胶带，即，可代替环氧密封剂起到保护半导体芯片的作用并实现薄型化及降低成本。

并且，本发明的再一目的在于，提供如下的晶圆保护胶带，即，在550nm以下的波长中的透光率为2％以下，在1000nm～1500nm的波长中的透光率为5％～15％。

本发明的目的并不限定于以上提及的目的，可通过以下说明理解本发明未提及的其他目的及优点，可通过本发明实施例进一步明确理解。并且，本发明的目的及优点可通过发明要求保护范围所示的实施方式及其组合来轻松实现。

为了实现上述目的，本发明的晶圆保护胶带包括：离型层；软质粘结层，配置在上述离型层上；以及硬质层，配置在上述软质粘结层上，包含高分子树脂及着色剂，上述晶圆保护胶带满足如下式1：

式1：

0％≤│A+B│≤1.0％

在上述式1中，A表示将上述晶圆保护胶带在150℃的温度条件下加热1小时后的长度方向上的变化率(％)，B表示将上述晶圆保护胶带在150℃的温度条件下加热1小时后的宽度方向上的变化率(％)。

其中，上述离型层的厚度为25μm～50μm，上述软质粘结层的厚度为10μm～50μm，上述硬质层的厚度为10μm～50μm。

上述硬质层包含90重量百分比～95重量百分比的上述高分子树脂及5重量百分比～10重量百分比的着色剂。

上述高分子树脂包含选自由聚酰亚胺(PI，polyimide)、聚醚醚酮(PEEK，polyetherether ketone)及聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN，polyethylene naphthalate)中的一种以上。

上述着色剂包含选自炭黑、氧化铁、二氧化锰、苯胺黑及包含活性炭的黑色颜料中的一种以上。

并且，上述软质粘结层包含60重量百分比～75重量百分比的热塑性树脂、10重量百分比～25重量百分比的环氧树脂、2重量百分比～10重量百分比的固化剂、4重量百分比～15重量百分比的无机填充剂、0.1重量百分比～2重量百分比的固化促进剂及0.1重量百分比～4重量百分比的偶联剂。

上述热塑性树脂的数均分子量为300000～1000000。

上述晶圆保护胶带在25℃的温度条件下的储能模量为3000MPa～8000MPa。

上述晶圆保护胶带在550nm以下的波长中的透光率为2％以下，在1000nm～1500nm的波长中的透光率为5％～15％。

并且，上述晶圆保护胶带还可包括保护层，配置在上述硬质层上。

本发明的晶圆保护胶带为在离型层上依次层叠有软质粘结剂层及硬质层的结构，软质粘结层及硬质层可代替环氧密封剂，因此，无需使用环氧密封剂。

并且，本发明的晶圆保护胶带不仅能够替代环氧密封剂起到保护半导体芯片的作用，而且，可通过在离型层上依次层叠软质粘结层及硬质层来形成超薄厚度。

结果，当制备作为最终产品的芯片尺寸半导体封装时，可通过附着本发明的晶圆保护胶带以选择性地仅保护半导体芯片的后表面来实现超薄型结构，而且，可代替环氧密封剂应用薄厚度的晶圆保护胶带大幅减少成本。

本发明的效果并不限定于以上提及的效果，本发明所属技术领域的普通技术人员可通过以下记载内容明确理解未提及的其他效果。

除了上述效果外，在说明用于实施以下发明的具体事项过程中，将一并说明本发明的具体效果。

附图说明

图1为示出现有的芯片尺寸半导体封装的剖视图。

图2为示出本发明实施例的芯片尺寸半导体封装的剖视图。

图3为示出本发明实施例的晶圆保护胶带的剖视图。

图4为示出本发明变形例的晶圆保护胶带的剖视图。

附图标记的说明

100：晶圆保护胶带

120：离型层

140：软质粘结层

160：硬质层。

具体实施方式

将参照附图对前述的目的、特征及优点进行详细说明，由此，本发明所属技术领域的普通技术人员可容易地实施本发明的技术思想。在说明本发明的过程中，若判断为对与本发明相关的公知技术的具体说明可能不必要地混淆本发明的主旨，则省略详细说明。如下，参照附图，对本发明的优选实施例进行详细的说明。在附图中，相同的附图标记用于表示相同或类似的结构要素。

在本说明书中，任意结构配置于结构要素的“上部(或下部)”或结构要素的“上(或下)”不仅意味着任意结构与上述结构要素的上部面(或下部面)相接触的配置，还意味着其他结构可介于上述结构要素与配置于上述结构要素上(或下)的任意结构之间。

除非本说明书中另有明确的提及，否则在本说明书中所使用的单数表达包括复数表达。在本申请中，“由……组成”或“包括”等术语不应被解释为必须包括说明书中记载的所有各种结构要素，应解释为可不包括其中部分结构要素，或还可包括额外的结构要素。

以下，参照附图说明本发明优选实施例的晶圆保护胶带。

图2为示出本发明实施例的芯片尺寸半导体封装的剖视图。

如图2所示，本发明实施例的芯片尺寸半导体封装300包括：基板210；至少一个半导体芯片220，安装在基板210上；以及晶圆保护胶带100，用于保护半导体芯片220。

其中，在基板210配置有电路图案212，在半导体芯片220配置有焊盘222。作为一例，基板210的电路图案212和半导体芯片220的焊盘222经由凸点30实现电连接，可通过填充在基板210与半导体芯片220之间的填充部件235实现物理连接的倒装芯片焊接。

不同于现有的环氧密封剂，本发明的晶圆保护胶带100仅覆盖半导体芯片220的后表面,相对于环氧密封剂的厚度，其厚度为约70％以下。

由此，本发明的晶圆保护胶带100不同于现有的环氧密封剂，晶圆保护胶带100未附着在基板210上，形成选择性地仅覆盖半导体芯片220的后表面的结构。因此，相比于现有的环氧密封剂，本发明的晶圆保护胶带100可显著减少其厚度及使用量。

当应用于芯片尺寸半导体封装300时，为了提高生产收率，上述晶圆保护胶带100在晶片级实现附着工作。

即，在附着于后表面研磨处理的半导体晶圆的后表面的状态下，晶圆保护胶带100被固化处理。随后，对附着在半导体晶圆的后表面的晶圆保护胶带100进行激光标记处理并在半导体晶圆的上部面附着锯带后，以切割成单个芯片的状态向基板210焊接倒装芯片来制备芯片尺寸半导体封装300。

其中，本发明的晶圆保护胶带100为两层结构，由软质粘结层140及硬质层160依次层叠而成。其中，晶圆保护胶带100的软质粘结层140接触附着在半导体芯片220的后表面。

如上所述，本发明实施例的芯片尺寸半导体封装300可代替环氧密封剂使用晶圆保护胶带100实现薄型化，上述晶圆保护胶带100不仅具备可保护半导体芯片220的后表面的机械强度，而且，具备优秀的激光标记特性。

由此，本发明实施例的芯片尺寸半导体封装300不仅可代替环氧密封剂起到保护半导体芯片220的作用，而且，可实现依次层叠软质粘结层140及硬质层160的超薄厚度。

因此，本发明实施例的芯片尺寸半导体封装300可选择性地仅保护半导体芯片220的后表面，并且，具有超薄型结构，可通过应用晶圆保护胶带100代替环氧密封剂实现薄厚度来大幅减少成本。

以下，参照附图，进一步详细说明本发明实施例的晶圆保护胶带。

图3为示出本发明实施例的晶圆保护胶带的剖视图。

参照图3，本发明实施例的晶圆保护胶带100包括离型层120、软质粘结层140及硬质层160。

离型层120用于保护软质粘结层140。当粘结在半导体晶圆时，应去除上述离型层120。由此，晶圆保护胶带100经由软质粘结层140与半导体晶圆实现粘结。

优选地，离型层120的厚度为25μm～50μm，更优选地，其厚度为30μm～45μm。

上述离型层120用于从因刮痕等外部因素而引起的冲击(damage)中保护软质粘结层140。离型层120可由选自聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯类、聚酰亚胺类、聚酰胺酰亚胺类中的一种以上树脂制成。

软质粘结层140配置在离型层120上。除用于缓和冲击外，上述软质粘结层140用于与半导体晶圆的粘结。为此，优选地，在去除附着于软质粘结层140下部的离型层120的状态下，本发明实施例的晶圆保护胶带100应附着在半导体晶圆使用。

优选地，软质粘结层140的厚度为10μm～50μm，更优选地，其厚度范围可以为15μm～30μm。当软质粘结层140的厚度小于10μm时，存在无法充分确保耐冲击性的隐患。相反，当软质粘结层140的厚度大于50μm时，因过厚的设计而不利于实现薄型化。

软质粘结层140包含60重量百分比～75重量百分比的热塑性树脂、10重量百分比～25重量百分比的环氧树脂、2重量百分比～10重量百分比的固化剂、4重量百分比～15重量百分比的无机填充剂、0.1重量百分比～2重量百分比的固化促进剂及0.1重量百分比～4重量百分比的偶联剂。

其中，优选地，热塑性树脂的数均分子量为300000～1000000，更优选地，数均分子量的范围可以为700000～900000。当热塑性树脂的数均分子量小于300000时，可产生因耐热性不足而导致可靠性降低的问题。相反，当热塑性树脂的数均分子量大于1000000时，可产生因过大的凝聚力而导致初始附着特性降低的问题，因此，并不优选。

可作为上述热塑性树脂使用丙烯酸共聚物树脂，优选地，可使用玻璃转化温度为10℃～20℃的丙烯酸共聚物树脂，更优选地，可使用玻璃转化温度为12℃～18℃的丙烯酸共聚物树脂。丙烯酸共聚物树脂可以为丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸缩水甘油酯及丙烯腈的共聚物。在此情况下，作为共聚物的单体，丙烯酸缩水甘油酯及丙烯腈的共聚比例可以为6.5重量比～12重量比，更优选地，丙烯酸缩水甘油酯及丙烯腈的共聚比例可以为8重量比～10重量比。

优选地，相对于软质粘结层140的总重量，应添加60重量百分比～75重量百分比的热塑性树脂，更优选地，可添加62重量百分比～73重量百分比。当热塑性树脂的添加量小于60重量百分比时，可产生因软质粘结层140的固化粘弹性不足而导致粘结效果降低并难以制备的问题。相反，当热塑性树脂的添加量大于75重量百分比时，随着整体交联度的降低，待固化后，可产生附着力低下及耐热性不足的问题。

优选地，可作为环氧树脂使用以1：0.2～1：1.2的重量比混合双酚类环氧树脂及甲酚酚醛清漆类环氧树脂的混合物，更优选地，可以为1：0.6～1：1的重量比。在此情况下，当甲酚酚醛清漆类环氧树脂的使用量与双酚类环氧树脂的重量比小于0.2时，可因形成三维交联的交联点不足而导致耐热性降低，当甲酚酚醛清漆类环氧树脂的使用量与双酚类环氧树脂的重量比大于1.2时，可产生因过高的交联度而导致耐冲击性降低的问题。而且，优选地，可作为双酚类环氧树脂使用当量为400g/eq～500g/eq及软化点为57℃～70℃的双酚A环氧树脂，更优选地，应使用当量为440g/eq～495g/eq及软化点为60℃～68℃的双酚A环氧树脂。并且，优选地，可作为甲酚酚醛清漆类环氧树脂使用当量为150g/eq～250g/eq及软化点为48℃～54℃的甲酚酚醛清漆环氧树脂，更优选地，应使用当量为180g/eq～220g/eq及软化点为50℃～54℃的甲酚酚醛清漆环氧树脂。

优选地，相对于软质粘结层140的总重量，应添加10重量百分比～25重量百分比的环氧树脂，更优选地，可以为14重量百分比～19重量百分比。当环氧树脂的添加量小于10重量百分比时，可产生粘结力不足的问题。相反，当环氧树脂的添加量大于25重量百分比时，因前后的脆性强度较强而在切割时产生粘结效果降低的现象，在固化后，可产生耐冲击性层面上的问题。

作为固化剂，可使用所属领域中通常使用的固化剂，优选地，可使用OH当量为95g/eq～120g/eq及软化点为110℃～130℃的酚醛清漆树脂，更优选地，应使用OH当量为100g/eq～110g/eq及软化点为115℃～125℃的酚醛清漆树脂。

优选地，相对于软质粘结层140的总重量，应添加2重量百分比～10重量百分比的固化剂，更优选地，可以为4重量百分比～7重量百分比。当固化剂的添加量小于2重量百分比时，因固化后的交联密度过低，可存在粘结力不足的问题。当固化剂的添加量大于10重量百分比时，可引发因残留未反应固化剂而导致可靠性降低的问题。

无机填充剂起到弥补尺寸稳定性及耐热性的作用，可使用选自二氧化硅、氧化铝、炭黑、二氧化钛及钛酸钡中的一种以上。而且，优选地，无机填充剂的平均粒径为10nm～100nm，更优选地，可以为20nm～40nm。

优选地，相对于软质粘结层140的总重量，应添加4重量百分比～15重量百分比的无机填充剂，更优选地，可以为7重量百分比～12重量百分比。当无机填充剂的添加量小于4重量百分比时，随着热膨胀系数的上升，可产生因热膨胀及收缩而导致与半导体晶圆的粘结力降低的问题。相反，当无机填充剂的添加量大于15重量百分比时，可产生粘结力显著降低的问题。

将B阶段状态的软质层应用于半导体芯片后，当通过施加热进行固化时，固化促进剂起到促进固化的作用，可作为固化促进剂使用咪唑类固化促进剂或磷类固化促进剂，优选地，应使用咪唑类固化促进剂。在此情况下，上述咪唑类固化促进剂可包含选自四国公司的2E4MZ、2E4MZ-A、2E4MZ-CN、2PZ、2PZ-CN、2P4MZ、C11Z、C11Z-CN、C11Z-CNS、C17Z、2MZ、2MZ-H、2PHZ-S、2PHZ-PW、2P4MHZ-PW及TBZ中的一种以上。而且，上述磷类固化促进剂可包含选自三苯基膦、三丁基膦、三甲苯基膦、三二甲苯基膦、氧化膦、三苯基膦四苯基硼酸酯、四苯基膦及四苯基甲拌磷中的一种以上。

优选地，相对于软质粘结层140的总重量，应添加0.1重量百分比～2重量百分比的固化促进剂，更优选地，可以为0.3重量百分比～0.6重量百分比。当固化促进剂的添加量小于0.1重量百分比时，可产生因工序中产品固化时间过长而导致生产效率显著降低的问题。相反，当固化促进剂的添加量大于1重量百分比时，在过度添加的情况下，可产生因经时稳定性不足而导致使用时间缩短的问题。

偶联剂通过无机填充剂的表面与有机物质之间的化学键合来增加粘结力，可使用所属技术领域中通常使用的偶联剂，优选地，可使用硅烷偶联剂。

优选地，相对于软质粘结层140的总重量，应添加0.1重量百分比～4重量百分比的偶联剂，更优选地，可以为0.3重量百分比～2.0重量百分比。当偶联剂的添加量小于0.1重量百分比时，可产生因无法充分包围无机填充剂表面而导致粘结力降低的问题。相反，当偶联剂的添加量大于4重量百分比时，在过度添加的情况下，由于挥发性低分子物质的含量过高，可产生因残留的偶联剂而导致可靠性降低的问题。

硬质层160配置在软质粘结层140上，包含高分子树脂及着色剂。

优选地，上述硬质层160的厚度为10μm～50μm，更优选地，其厚度可以为12.5μm～25μm。当硬质层160的厚度小于10μm时，可产生难以充分确保耐久性及强度的问题。相反，当硬质层160的厚度大于50μm时，因厚度变厚而不利于实现薄型化及轻量化。

上述硬质层160包含90重量百分比～95重量百分比的高分子树脂及5重量百分比～10重量百分比的着色剂。

高分子树脂包含选自聚酰亚胺(PI，polyimide)、聚醚醚酮(PEEK，polyetheretherketone)及聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN，polyethylene naphthalate)中的一种以上，其中，优选使用聚酰亚胺(PI)。

着色剂包含选自炭黑、氧化铁、二氧化锰、苯胺黑及包含活性炭的黑色颜料中的一种以上。

其中，相对于硬质层160的总重量，当着色剂的添加量小于5重量百分比时，可因透射率的增加而导致激光标记性能降低，因此，可产生难以代替环氧密封剂使用的问题。相反，相对于硬质层160的总重量，当着色剂的添加量大于10重量百分比时，在过度添加的情况下，随着膜的硬度(hardness)增加，可产生因无法实现红外透射而难以检查最终产品的问题。

尤其，聚酰亚胺(PI，polyimide)材料的高分子树脂，硬质层160可通过利用强度及硬度相对优秀的高分子树脂来获得能够保护半导体芯片的后表面的机械强度并具备优秀的激光标记特性。

其结果，当本发明实施例的晶圆保护胶带100经由软质粘结层140粘结在半导体晶圆的后表面时，配置在软质粘结层140上的硬质层160可通过形成保护膜来代替环氧密封剂起到从外部冲击中保护半导体芯片的作用，由此，可应用薄厚度并实现薄型化。

并且，本发明实施例的晶圆保护胶带100不仅可代替环氧密封剂起到保护半导体芯片的作用，而且，可通过在离型层120上依次层叠软质粘结层140及硬质层160来实现超薄厚度。由此，当制备作为最终产品的芯片尺寸半导体封装时，由于本发明实施例的晶圆保护胶带100可选择性地仅保护半导体芯片的后表面，因此，不仅可具有超薄型结构，而且，在结构层面上，具有可代替环氧密封剂应用晶圆保护胶带100大幅减少成本的优点。

并且，本发明实施例的晶圆保护胶带100满足以下式1。

式1：

0％≤│A+B│≤1.0％

其中，A表示上述晶圆保护胶带在150℃的温度条件下加热1小时后的长度方向(MD方向)上的变化率(％)，B表示上述晶圆保护胶带在150℃的温度条件下加热1小时后的宽度方向(TD方向)上的变化率(％)。

如上所述，本发明实施例的晶圆保护胶带100可实现依次层叠软质粘结层140及硬质层160的层叠结构，以下，通过实验针对即使在高温环境下也不会变化的收缩率进行验证。

并且，本发明实施例的晶圆保护胶带100在25℃的温度条件下的储能模量为3000MPa～8000MPa。

并且，本发明实施例的晶圆保护胶带100在550nm以下的波长中的透光率为2％以下，在1000nm～1500nm的波长中的透光率为5％～15％。

另一方面，图4为示出本发明变形例的晶圆保护胶带的剖视图。

如图4所示，除额外包括配置在硬质层160上的保护层180外，本发明变形例的晶圆保护胶带100与参照图3说明的实施例中的晶圆保护胶带实质具有相同结构。

其中，保护层180用于保护硬质层160。与离型层120相同，应附着在半导体晶圆时，应去除上述保护层180。

与离型层120相同，优选地，保护层180的厚度为25μm～50μm，更优选地，其厚度为30μm～45μm。

上述保护层180用于从因刮痕等外部因素而引起的冲击(damage)中保护硬质层160。与离型层120相同，上述保护层180可由选自聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯类、聚酰亚胺类、聚酰胺酰亚胺类中的一种以上树脂制成。

至此可见，本发明实施例的晶圆保护胶带为在离型层上依次层叠软质粘结层及硬质层的结构，其中，由于软质粘结层及硬质层可代替环氧密封剂，因此，可去除环氧密封剂。

由此，本发明实施例的晶圆保护胶带不仅可代替环氧密封剂起到保护半导体芯片的作用，而且，可实现在离型层上依次层叠软质粘结层及硬质层的超薄厚度。

其结果，当制备作为最终产品的芯片尺寸半导体封装时，可通过附着本发明实施例的晶圆保护胶带以选择性地仅保护半导体芯片的后表面来实现超薄型结构，而且，可代替环氧密封剂应用薄厚度的晶圆保护胶带大幅减少成本。

以下，通过本发明优选实施例进一步详细说明本发明的结构及作用。但应当理解的是，本发明的优选实施例仅为示例，不应以任何含义限定本发明。

由于本发明所属技术领域的普通技术人员可推导出本说明书中未记载的内容，因此，将省略其说明。

制备例

1.制备晶圆保护胶带

实施例1

通过混合作为热塑性树脂使用67重量百分比的数均分子量为800000、玻璃转化温度为15℃、含3重量百分比的丙烯酸缩水甘油酯的丙烯酸共聚物(N公司，商品名称：SG-P3)；8重量百分比的当量为475g/eq、软化点为65℃的双酚A环氧树脂(K化学公司，商品名称：YD-011)；8重量百分比的当量为200g/eq、软化点为52℃的甲酚酚醛清漆环氧树脂(K化学公司，商品名称：YDCN1P)；作为固化剂使用6重量百分的OH当量为106g/eq、软化点为120℃的酚醛清漆树脂(科隆公司，商品名称：KPH-F2004)、9.5重量百分比的平均粒径为15nm～17nm的二氧化硅(E公司的Aerosil R972)；作为固化促进剂使用0.5重量百分比的咪唑类化合物(四国化学公司的Qazole 2PH)；以及1重量百分比的硅烷偶联剂(信越的KBM-303)来制备软质粘结剂组合物。

接着，将通过上述方法制备的软质粘结剂组合物浇铸在厚度为25μm且由添加黑色颜料的聚酰亚胺材料制成的硬质层的一面后，在140℃的温度条件下，通过热风干燥5分钟形成20μm厚度的软质层来制备晶圆保护胶带。其中，相对于100重量百分比的硬质膜，添加7重量百分比的黑色颜料。

实施例2～实施例5及比较例1～比较例2

除作为硬质层使用表1所示的材料外，通过与实施例1相同方法分别制备实施例2～实施例5及比较例1～比较例2的晶圆保护胶带。

表1

2.物性评估

表2为对于通过实施例1～实施例5及比较例1～比较例2制备的晶圆保护胶带的物性评估结果。

1)储能模量

使用动态热机械分析装置(Perkin Elmer公司，Diamond DMA)并按照测定方法以－30℃～300℃的温度条件(升温速率为10℃/min)、10Hz的测定频率测定层叠50层的20mm×5mm(长×宽)尺寸的试片在25℃温度条件中的储能模量值。

2)透射率

使用紫外线可见光分光谱分析仪(Perkin Elmer公司，Lambda 1050+)以2500nm～250nm的测定范围、1nm的测定间隔及284.37nm/min的测定速度等条件测定在532nm及1260nm中的透射率值。

3)收缩率

将100mm×100mm(长×宽)尺寸的试片在150℃的温度条件下加热1小时后，使用三维扫描仪测定加热前后的长度方向上的收缩率及宽度方向上的收缩率。

表2

如表2所示，可确认到通过实施例1～实施例5制备的晶圆保护胶带均符合相应目标值，即，在25℃的温度条件下的储能模量为3000MPa～8000MPa、在550nm以下波长中的透光率为2％以下、在1000nm～1500nm波长中的透光率为5％～15％。

并且，在长度方向上的变化率(A)及宽度方向上的变化率层面上，通过实施例1～实施例5制备的晶圆保护胶带并没有大变化，其结果，收缩率│A+B│为1.0％以下，更具体为0.11以下。

与此相反，通过比较例1制备的晶圆保护胶带在25℃温度条件下的储能模量及收缩率符合目标值，但是，在532nm及1260nm波长中的透光率均未符合目标值。

而且，通过比较例2制备的晶圆保护胶带在532nm及1260nm波长中的透光率符合目标值，但是，在25℃温度条件下的储能模量及收缩率均未符合目标值。

3.性能评估

表3为对于通过实施例1～实施例5及比较例1～比较例2制备的晶圆保护胶带的性能评估结果。

1)耐冲击性

向9mm×12mm×300μm(长×宽×厚度)尺寸的硅晶圆芯片附着晶圆保护胶带并固化后，从250mm高处自由落下直径50mm、重量500g的球并利用显微镜判断硅晶圆芯片的下端部是否产生龟裂。在此情况下，确认是否产生1mm以上尺寸的龟裂。

2)无损检查(EV Group，EVG20)

通过红外检测器对附着晶圆保护胶带的硅晶圆芯片进行辨别，将可四面检查的情况视作良好，将不可四面检查的情况视作不良。

3)激光标记特性评估(EO techinics，GEF211)

激光标记以532nm的绿激光、0.2W的功率、200×300μm的字体尺寸实施。在此情况下，利用显微镜放大50倍识别通过激光雕刻出来的字母来进行辨别，将可识别的情况视作良好，将不可识别的情况视作不良。

4)芯片耐弯曲性评估

向10mm×10mm×100μm(长×宽×厚度)尺寸的硅晶圆芯片附着晶圆保护胶带并在150℃的温度条件下固化2小时后进行辨别，将硅晶圆芯片的弯曲程度为2mm以下的情况视作良好，将硅晶圆芯片的弯曲程度为2mm以上的情况视作不良。

表3

如表3所示，据性能评估结果显示，通过实施例1～实施例5制备的晶圆保护胶带在耐冲击性、无损检查、激光标记特性及芯片耐弯曲性评估方面均为良好。

相反，在性能评估中，虽然通过比较例1制备的晶圆保护胶带在耐冲击性、无损检查及芯片耐弯曲性评估方面均为良好，但是，其激光标记特性并不理想，这是因为，使用了未添加有黑色颜料的硬质层。

而且，在性能评估中，虽然通过比较例2制备的晶圆保护胶带在无损检查及激光标记特性方面均为良好，但是，其耐冲击性及芯片耐弯曲性评估并不理想，这是因为，作为硬质层使用了聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜。

如上所述，虽然参照例示的附图对本发明进行了说明，但本发明并不受在本说明书中公开的实施例和附图的限制，显而易见的是，普通技术人员可在本发明的技术思想的范围内实现多种变形。而且，即使在先说明本发明实施例时没有明确记载说明对本发明的结构的作用效果，但也应该认可能够通过相应结构预测的效果。