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一种OLED面板的补偿电路及其驱动方法

文献发布时间:2023-06-19 11:39:06


一种OLED面板的补偿电路及其驱动方法

技术领域

本发明涉及OLED面板补偿电路技术领域,特别涉及一种OLED面板的补偿电路及其驱动方法。

背景技术

LCD(英文全称为Liquid Crystal Display,液晶显示器)显示屏对于OLED(英文全称为Organic Electroluminescence Display,有机电致发光显示器)显示屏而言,有着更成熟的制程经验与更低廉的制造成本。对于OLED显示屏来说,理论上可以达到无限大的对比度和更为饱和的显示色彩,但同时随着使用时间的延长,显示不均问题就会逐渐凸显出来。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是:提供一种OLED面板的补偿电路及其驱动方法,用以解决OLED面板显示不均的问题,从而优化面板的显示效果。

为了解决上述技术问题,本发明采用的第一种技术方案为:

一种OLED面板的补偿电路,包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、电容C1、电容C2和器件OLED,所述晶体管T1的栅极接第一扫描信号线,所述晶体管T1的漏极分别与晶体管T2的漏极和电容C2的一端电连接,所述晶体管T2的栅极接第二扫描信号线,所述电容C2的另一端分别与电容C1的一端、晶体管T5的栅极和晶体管T4的源极电连接,所述电容C1的另一端与晶体管T5的源极电连接,所述晶体管T4的漏极分别与晶体管T3的源极和晶体管T5的漏极电连接,所述晶体管T3的栅极接第三扫描信号线,所述晶体管T4的栅极接第四扫描信号线,所述晶体管T3的漏极与器件OLED电连接。

本发明采用的第二种技术方案为:

一种OLED面板的补偿电路的驱动方法,包括以下步骤:

S1、在第一时间段内,控制晶体管T1的栅极和晶体管T3的栅极均输入低电平,控制晶体管T2的栅极和晶体管T4的栅极均输入高电平;

S2、在第二时间段内,控制晶体管T2的栅极和晶体管T3的栅极均输入低电平,控制晶体管T1的栅极和晶体管T4的栅极均输入高电平;

S3、在第三时间段内,控制晶体管T1的栅极、晶体管T2的栅极和晶体管T4的栅极均输入低电平,控制晶体管T3的栅极输入高电平;所述第一时间段、第二时间段和第三时间段均为依次连续的时间段。

本发明的有益效果在于:

通过将晶体管T1的栅极接第一扫描信号线,晶体管T1的漏极分别与晶体管T2的漏极和电容C2的一端电连接,晶体管T2的栅极接第二扫描信号线,电容C2的另一端分别与电容C1的一端、晶体管T5的栅极和晶体管T4的源极电连接,电容C1的另一端与晶体管T5的源极电连接,晶体管T4的漏极分别与晶体管T3的源极和晶体管T5的漏极电连接,晶体管T3的栅极接第三扫描信号线,晶体管T4的栅极接第四扫描信号线,晶体管T3的漏极与器件OLED电连接,晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3和晶体管T4的栅极分别接扫描信号线,通过扫描信号线控制晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3和晶体管T4的工作状态,使得器件OLED的发光强度得到补偿,能够解决OLED面板显示不均的问题,从而优化面板的显示效果。

附图说明

图1为根据本发明的一种OLED面板的补偿电路的电路原理图;

图2为根据本发明的一种OLED面板的补偿电路的时序图;

图3为根据本发明的一种OLED面板的补偿电路的步骤流程图。

具体实施方式

为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果,以下结合实施方式并配合附图予以说明。

请参照图1,本发明提供的一种技术方案:

一种OLED面板的补偿电路,包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、电容C1、电容C2和器件OLED,所述晶体管T1的栅极接第一扫描信号线,所述晶体管T1的漏极分别与晶体管T2的漏极和电容C2的一端电连接,所述晶体管T2的栅极接第二扫描信号线,所述电容C2的另一端分别与电容C1的一端、晶体管T5的栅极和晶体管T4的源极电连接,所述电容C1的另一端与晶体管T5的源极电连接,所述晶体管T4的漏极分别与晶体管T3的源极和晶体管T5的漏极电连接,所述晶体管T3的栅极接第三扫描信号线,所述晶体管T4的栅极接第四扫描信号线,所述晶体管T3的漏极与器件OLED电连接。

从上述描述可知,本发明的有益效果在于:

通过将晶体管T1的栅极接第一扫描信号线,晶体管T1的漏极分别与晶体管T2的漏极和电容C2的一端电连接,晶体管T2的栅极接第二扫描信号线,电容C2的另一端分别与电容C1的一端、晶体管T5的栅极和晶体管T4的源极电连接,电容C1的另一端与晶体管T5的源极电连接,晶体管T4的漏极分别与晶体管T3的源极和晶体管T5的漏极电连接,晶体管T3的栅极接第三扫描信号线,晶体管T4的栅极接第四扫描信号线,晶体管T3的漏极与器件OLED电连接,晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3和晶体管T4的栅极分别接扫描信号线,通过扫描信号线控制晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3和晶体管T4的工作状态,使得器件OLED的发光强度得到补偿,能够解决OLED面板显示不均的问题,从而优化面板的显示效果。

进一步的,所述晶体管T1的源极接数据走线。

进一步的,所述晶体管T2的漏极接参考电压。

进一步的,所述器件OLED的阳极接高电平,所述晶体管T5的源极和电容C1的另一端均接低电平。

进一步的,所述晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4和晶体管T5均为N沟道MOS管。

由上述描述可知,通过N沟道的MOS管能够进一步稳定GIP电路的输出波形,节约了改善GIP制程的成本,优化显示屏的显示效果。

请参照图3,本发明提供的另一种技术方案:

一种OLED面板的补偿电路的驱动方法,包括以下步骤:

S1、在第一时间段内,控制晶体管T1的栅极和晶体管T3的栅极均输入低电平,控制晶体管T2的栅极和晶体管T4的栅极均输入高电平;

S2、在第二时间段内,控制晶体管T2的栅极和晶体管T3的栅极均输入低电平,控制晶体管T1的栅极和晶体管T4的栅极均输入高电平;

S3、在第三时间段内,控制晶体管T1的栅极、晶体管T2的栅极和晶体管T4的栅极均输入低电平,控制晶体管T3的栅极输入高电平;所述第一时间段、第二时间段和第三时间段均为依次连续的时间段。

从上述描述可知,本发明的有益效果在于:

通过在第一时间段内,控制晶体管T1的栅极和晶体管T3的栅极均输入低电平,控制晶体管T2的栅极和晶体管T4的栅极均输入高电平,在第二时间段内,控制晶体管T2的栅极和晶体管T3的栅极均输入低电平,控制晶体管T1的栅极和晶体管T4的栅极均输入高电平,在第三时间段内,控制晶体管T1的栅极、晶体管T2的栅极和晶体管T4的栅极均输入低电平,控制晶体管T3的栅极输入高电平,本方法通过扫描信号线控制晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3和晶体管T4的工作状态,使得器件OLED的发光强度得到补偿,能够解决OLED面板显示不均的问题,从而优化面板的显示效果。

请参照图1和图2,本发明的实施例一为:

请参照图1,一种OLED面板的补偿电路,包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、电容C1、电容C2和器件OLED,所述晶体管T1的栅极接第一扫描信号线,所述晶体管T1的漏极分别与晶体管T2的漏极和电容C2的一端电连接,所述晶体管T2的栅极接第二扫描信号线,所述电容C2的另一端分别与电容C1的一端、晶体管T5的栅极和晶体管T4的源极电连接,所述电容C1的另一端与晶体管T5的源极电连接,所述晶体管T4的漏极分别与晶体管T3的源极和晶体管T5的漏极电连接,所述晶体管T3的栅极接第三扫描信号线,所述晶体管T4的栅极接第四扫描信号线,所述晶体管T3的漏极与器件OLED电连接。

所述晶体管T1的源极接数据走线。

所述晶体管T2的漏极接参考电压。

所述器件OLED的阳极接高电平,所述晶体管T5的源极和电容C1的另一端均接低电平。

所述晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4和晶体管T5均为N沟道MOS管。

请参照图1,本方案设计的补偿电路,包含5个TFT,晶体管T1至晶体管T5,2个电容C1和C2,S1、S2、S3和S4代表各个晶体管的控制端,Vdata表示数据线上的data电压(数据电压),Vref表示参考电压,Vd表示高电平,Vs表示低电平。

请参照图2,为本方案的补偿电路的时序图,以下我们开始分析该补偿电路的驱动过程:

在T1时段内,S1/S2/S3/S4的电位为L/H/L/H,这里L代表低电位,H代表高电位,此时晶体管T2和晶体管T4打开,晶体管T2打开的时候,D点的电位接受到Vref上的电压,因此D点的电位等于Vref;晶体管T4打开的时候,G点通过晶体管T5的作用,G点的电位开始自放电,一直放电到Vs+Vth的准位时,晶体管T5关闭,此时G点的电位就维持在Vs+Vth。

在T2时段内,首先分析t21时刻(t21时刻为T1/T2的交界时刻),S1/S2/S3/S4的电位为H/L/L/H,此时晶体管T1和晶体管T4打开,在晶体管T1打开的时候,D点的电位从Vref变为Vdata,由电容耦合可知,G点的电位变为Vs+Vth+C2/(C1+C2)*(Vdata-Vref),由于G点的电位升高,故G点又开始T1时段内的自放电过程,在t22时刻(该时刻S4由高电平转为低电平),晶体管T4关闭,G点的自放电过程结束,此时G点的电位为Vs+Vth+C2/(C1+C2)*(Vdata-Vref)-△V,这里△V的大小与t22与t21两时刻之间的时间长短(即t2时间大小)和晶体管T5的电子迁移率有关。

在T3时段内,S1/S2/S3/S4的电位为L/L/H/L,此时晶体管T3打开,晶体管T5作为OLED器件的驱动管提供驱动电流,此时OLED器件的驱动电流=1/2*μ

分析I(OLED)∝[C2/(C1+C2)*(Vdata-Vref)-△V]

请参照图1至图3,本发明的实施例二为:

请参照图3,一种OLED面板的补偿电路的驱动方法,包括以下步骤:

S1、在第一时间段内,控制晶体管T1的栅极和晶体管T3的栅极均输入低电平,控制晶体管T2的栅极和晶体管T4的栅极均输入高电平;

S2、在第二时间段内,控制晶体管T2的栅极和晶体管T3的栅极均输入低电平,控制晶体管T1的栅极和晶体管T4的栅极均输入高电平;

S3、在第三时间段内,控制晶体管T1的栅极、晶体管T2的栅极和晶体管T4的栅极均输入低电平,控制晶体管T3的栅极输入高电平;所述第一时间段、第二时间段和第三时间段均为依次连续的时间段。

请参照图1,本方案设计的补偿电路,包含5个TFT,晶体管T1至晶体管T5,2个电容C1和C2,S1、S2、S3和S4代表各个晶体管的控制端,Vdata表示数据线上的data电压(数据电压),Vref表示参考电压,Vd表示高电平,Vs表示低电平。

请参照图2,为本方案的补偿电路的时序图,以下我们开始分析该补偿电路的驱动过程:

在T1时段内,S1/S2/S3/S4的电位为L/H/L/H,这里L代表低电位,H代表高电位,此时晶体管T2和晶体管T4打开,晶体管T2打开的时候,D点的电位接受到Vref上的电压,因此D点的电位等于Vref;晶体管T4打开的时候,G点通过晶体管T5的作用,G点的电位开始自放电,一直放电到Vs+Vth的准位时,晶体管T5关闭,此时G点的电位就维持在Vs+Vth。

在T2时段内,首先分析t21时刻(t21时刻为T1/T2的交界时刻),S1/S2/S3/S4的电位为H/L/L/H,此时晶体管T1和晶体管T4打开,在晶体管T1打开的时候,D点的电位从Vref变为Vdata,由电容耦合可知,G点的电位变为Vs+Vth+C2/(C1+C2)*(Vdata-Vref),由于G点的电位升高,故G点又开始T1时段内的自放电过程,在t22时刻(该时刻S4由高电平转为低电平),晶体管T4关闭,G点的自放电过程结束,此时G点的电位为Vs+Vth+C2/(C1+C2)*(Vdata-Vref)-△V,这里△V的大小与t22与t21两时刻之间的时间长短(即t2时间大小)和晶体管T5的电子迁移率有关。

在T3时段内,S1/S2/S3/S4的电位为L/L/H/L,此时晶体管T3打开,晶体管T5作为OLED器件的驱动管提供驱动电流,此时OLED器件的驱动电流=1/2*μ

分析I(OLED)∝[C2/(C1+C2)*(Vdata-Vref)-△V]

综上所述,本发明提供的一种OLED面板的补偿电路及其驱动方法,通过将晶体管T1的栅极接第一扫描信号线,晶体管T1的漏极分别与晶体管T2的漏极和电容C2的一端电连接,晶体管T2的栅极接第二扫描信号线,电容C2的另一端分别与电容C1的一端、晶体管T5的栅极和晶体管T4的源极电连接,电容C1的另一端与晶体管T5的源极电连接,晶体管T4的漏极分别与晶体管T3的源极和晶体管T5的漏极电连接,晶体管T3的栅极接第三扫描信号线,晶体管T4的栅极接第四扫描信号线,晶体管T3的漏极与器件OLED电连接,晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3和晶体管T4的栅极分别接扫描信号线,通过扫描信号线控制晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3和晶体管T4的工作状态,使得器件OLED的发光强度得到补偿,能够解决OLED面板显示不均的问题,从而优化面板的显示效果。

以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换,或直接或间接运用在相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。

相关技术
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技术分类

06120113006142