一种硅片自动化清洗装置及其控制系统

技术领域

本说明书涉及硅片加工技术领域，特别涉及一种硅片自动化清洗装置及其控制系统。

背景技术

中国光伏市场装机量需求增长迅猛，而随着人工成本不断攀升，导致太阳能厂商对自动化设备需求提升，以降低生产成本、提高产品良率。由于硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，目前对硅片进行清洗时，要保证清洗效果，会进行很多操作，反复夹取易损坏硅片。此外，由于硅片表面沾污类型不同(如有机杂质沾污、颗粒沾污、金属离子沾污)，为了提高清洗效果，需要对不同沾污类型采用不同的清洗方式。

基于此，有必要提供一种硅片自动化清洗装置及其控制系统，以提高清洗效果、降低硅片损伤概率、提高产品良品率并降低生产成本。

发明内容

本说明书一个或多个实施例提供一种自动化清洗装置控制系统，所述控制系统包括硅片自动化清洗装置与处理器，所述硅片自动化清洗装置包括自动配液模块、喷淋模块、清洗腔体、废液回收模块、旋转转架、动力模块、图像采集模块；所述自动喷液模块、所述喷淋模块、所述废液回收模块、所述动力模块、所述图像采集模块均与所述处理器通信连接；所述自动配液模块包括用于盛装目标试剂的混合腔体，所述自动配液模块被配置为基于预设配液参数进行配液；所述喷淋模块包括多个喷淋头、多个连通管道以及多个水泵，所述喷淋头通过所述连通管道与所述混合腔体连通，所述水泵设置于所述连通管道与所述混合腔体的连接处，所述水泵被配置为控制所述喷淋头的喷淋速度；所述废液回收模块包括传感元件，所述传感元件被配置为采集废液检测数据。所述处理器被配置为：生成配液指令发送至所述自动配液模块，控制自动配液模块执行初始配液操作；生成采集指令发送至所述图像采集模块，控制所述图像采集模块获取待清洗硅片的初始图像；基于所述初始图像，确定当前除污子步骤的目标喷淋参数，所述目标喷淋参数包括目标喷淋速度；基于所述目标喷淋参数，生成所述当前除污子步骤的喷淋控制指令并发送至所述喷淋模块，控制所述喷淋模块执行喷淋操作。

本说明书一个或多个实施例提供一种自动化清洗装置，所述装置包括自动配液模块、喷淋模块、清洗腔体、废液回收模块、旋转转架、动力模块、图像采集模块；所述自动配液模块包括用于盛装目标试剂的混合腔体，所述自动配液模块被配置为基于预设配液参数进行配液，所述预设配液参数包括多个除污子步骤以及每个所述除污子步骤所需的除污试剂类型；所述喷淋模块包括多个喷淋头、多个连通管道以及多个水泵，所述喷淋头通过所述连通管道与所述混合腔体连通，所述水泵设置于所述连通管道与所述混合腔体的连接处，所述水泵被配置为控制所述喷淋头的喷淋速度；所述废液回收模块包括传感元件，所述传感元件被配置为采集废液检测数据，所述传感元件包括离子传感器与PH传感器中的至少一种。

附图说明

本说明书将以示例性实施例的方式进一步说明，这些示例性实施例将通过附图进行详细描述。这些实施例并非限制性的，在这些实施例中，相同的编号表示相同的结构，其中：

图1是根据本说明书一些实施例所示的硅片自动化清洗装置的示例性模块图；

图2是根据本说明书一些实施例所示的生成当前除污子步骤的喷淋控制指令的示例性流程图；

图3是根据本说明书一些实施例所示的生成第一控制指令与第二控制指令的示例性流程图；

图4是根据本说明书一些实施例所示的除污模型的示例性示意图；

图5是根据本说明书一些实施例所示的生成下一个除污子步骤的喷淋控制指令的示例性流程图；

图6是根据本说明书一些实施例所示的生成第三控制指令与第四控制指令的示例性流程图；

图7是根据本说明书一些实施例所示的烘干模型的示例性示意图。

具体实施方式

为了更清楚地说明本说明书实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本说明书的一些示例或实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图将本说明书应用于其它类似情景。除非从语言环境中显而易见或另做说明，图中相同标号代表相同结构或操作。

应当理解，本文使用的“系统”、“装置”、“单元”和/或“模块”是用于区分不同级别的不同组件、元件、部件、部分或装配的一种方法。然而，如果其他词语可实现相同的目的，则可通过其他表达来替换所述词语。

如本说明书和权利要求书中所示，除非上下文明确提示例外情形，“一”、“一个”、“一种”和/或“该”等词并非特指单数，也可包括复数。一般说来，术语“包括”与“包含”仅提示包括已明确标识的步骤和元素，而这些步骤和元素不构成一个排它性的罗列，方法或者设备也可能包含其它的步骤或元素。

本说明书中使用了流程图用来说明根据本说明书的实施例的系统所执行的操作。应当理解的是，前面或后面操作不一定按照顺序来精确地执行。相反，可以按照倒序或同时处理各个步骤。同时，也可以将其他操作添加到这些过程中，或从这些过程移除某一步或数步操作。

本说明书一些实施例提供一种硅片自动化清洗装置控制系统，该系统包括硅片自动化清洗装置与处理器，处理器与硅片自动化清洗装置通信连接。示例性的通信连接方式可以包括但不限于WIFI、蓝牙、光纤等。

处理器可以处理从硅片自动化清洗装置中获得的信息和/或数据。处理器可以基于这些数据、信息和/或处理结果执行程序指令，以执行一个或多个本申请中描述的功能。在一些实施例中，处理器可以包含一个或多个子处理设备(例如，单核处理设备或多核多芯处理设备)。仅作为示例，处理器可以包括中央处理器(CPU)、专用集成电路(ASIC)等或其任意组合。在一些实施例中，处理器可以部署于远端服务器内。在一些实施例中，硅片自动化清洗装置也可以包括处理器。

图1是根据本说明书一些实施例所示的硅片自动化清洗装置的示例性模块图。

如图1所示，硅片自动化清洗装置100包括自动配液模块110、喷淋模块120、清洗腔体130、废液回收模块140、旋转转架150、动力模块160以及图像采集模块170。其中，自动配液模块110包括用于盛装目标试剂的混合腔体，自动配液模块110被配置为基于预设配液参数进行配液。喷淋模块120包括多个喷淋头、多个连通管道以及多个水泵，喷淋头通过连通管道与混合腔体连通，水泵设置于连通管道与混合腔体的连接处，水泵被配置为控制喷淋头的喷淋速度。废液回收模块140包括传感元件，传感元件被配置为采集废液检测数据。

在一些实施例中，自动喷液模块110、喷淋模块120、废液回收模块140、动力模块160以及图像采集模块170均与处理器通信连接。

自动配液模块110是指用于基于预设配液参数进行自动配液的模块。

预设配液参数是指预先设定的用于配置除污溶液(如后文中所述的目标试剂)的相关参数。在一些实施例中，预设配液参数可以包括多个除污子步骤以及每个除污子步骤所需的除污试剂类型。

其中，除污子步骤是指除去待清洗硅片上的污染物所需的各个步骤，如碱液喷淋、酸液喷淋、清水喷淋等。除污试剂类型是指用于除去待清洗硅片上的污染物所需的试剂类型或种类，包括但不限于硫酸溶液(H

可以理解地，对于待清洗硅片上不同成分或类型的污染物，所需的除污试剂的类型可以不同。

混合腔体是指用于盛装目标试剂的结构。其中，目标试剂是每个除污子步骤所需的除污试剂。可以理解地，除污子步骤不同，对应的目标试剂可能不同。

在一些实施例中，混合腔体可以设计为多种结构形状，如圆筒状、长方体状等。

在一些实施例中，混合腔体内设有搅拌机构。搅拌机构可以用于对混合腔体内的多种除污试剂进行充分混合，以保证目标试剂的均匀性。在一些实施例中，搅拌机构可以包括搅拌头与驱动机构，驱动机构能够驱动搅拌头旋转，进而以对混合腔体内的多种除污试剂进行混合。

在一些实施例中，自动配液模块110可以响应于处理器发送的配液指令(如混合控制指令)，控制搅拌机构执行混合操作。其中，混合操作是指对混合腔体内的多种除污试剂进行混合的操作。

在一些实施例中，自动配液模块110还包括多个储液仓，储液仓通过管道与混合腔体连通，储液仓被配置为储存除污试剂和/或清水。在一些实施例中，管道上设有电控阀门，电控阀门被配置为控制管道的开闭。

储液仓是指用于储存除污试剂和/或清水的结构。在一些实施例中，每个储液仓储存一种除污试剂或清水。

管道是指用于连通储液仓与混合腔体的结构。在一些实施例中，管道的材质为耐腐蚀材质，包括不锈钢、聚乙烯、聚丙烯等金属或非金属材料。

在一些实施例中，储液仓的设置位置可以高于混合腔体的设置位置，且管道的一端连接于储液仓的下方位置处，管道的另一端连接于混合腔体的上方位置处，以便于储液仓内的除污试剂或清水能够顺着管道流入混合腔体。

电控阀门是指用于控制管道开闭的元器件。例如，电控阀门可以包括电控液压阀、电控气动阀等。

在一些实施例中，电控阀门可以包括清洗电控阀门。关于清洗电控阀门的更多内容，可以参见图5及其相关描述。

在一些实施例中，电控阀门可以设置于管道上的任意可行位置处。例如，电控阀门设置于管道与储液仓或混合腔体的连接处。

在一些实施例中，自动配液模块110可以响应于处理器发送的配液指令(如阀门控制指令)，控制相应的电控阀门(如目标电控阀门)执行阀门开启操作。其中，阀门开启操作是指打开相应电控阀门，以使相应储液仓内的除污试剂或清水流入至混合腔内的操作。

可以理解地，自动配液模块110包括多个储液仓，储液仓通过管道与混合腔体连通，且管道上还设有电控阀门，电控阀门能够根据处理器发送的相关控制指令执行开启或关闭操作，以使相应的储液仓内的除污试剂流入至混合腔内进行混合，从而有利于实现自动化配液。

在一些实施例中，自动配液模块110可以响应于处理器发送的配液指令，执行相应的配液操作。例如，自动配液模块110可以响应于接收到处理器发送的配液指令，控制相应的电控阀门开启以使相应储液仓内的除污试剂或清水进入混合腔体，并同步控制搅拌机构对混合腔体内的多种除污试剂进行混合，以得到目标试剂。

其中，配液操作是指将每个除污子步骤所需的除污试剂导入混合腔体内进行混合，得到目标试剂的操作。在一些实施例中，配液操作至少可以包括阀门开启操作与混合操作。

关于配液指令、配液操作的更多内容，可以参见图2及其相关描述。

喷淋模块120是指用于向待清洗硅片喷淋目标试剂的模块。

喷淋头是指用于向待清洗硅片喷淋目标试剂的喷头结构。在一些实施例中，喷淋头通过连通管道与混合腔体连通。在一些实施例中，喷淋头可以通过螺纹连接、卡扣连接等方式与连通管道连接，以便于能够及时替换喷淋头。

在一些实施例中，喷淋头的数量可以根据实际需求进行确定。

连通管道是指用于连通喷淋头与混合腔体的结构。在一些实施例中，连通管道的材质为耐腐蚀材质，包括但不限于硅橡胶、氟橡胶等。

水泵是指用于控制喷淋头的喷淋速度的元器件。在一些实施例中，水泵可以响应于处理器发送的喷淋控制指令(如第二控制指令)，执行相应的喷淋操作。例如，当水泵接收到处理器发送的第二控制指令后，基于目标喷淋功率运行。关于喷淋控制指令、喷淋操作、第二控制指令以及目标喷淋功率的更多内容，可以参见图1、图3及其相关描述。

在一些实施例中，连通管道为弹性管道。在一些实施例中，喷淋模块120还包括多个移动组件，该移动组件与喷淋头连接，移动组件被配置为调整喷淋头的位置。

弹性管道是指具有弹性或可伸缩性的管道。在一些实施例中，弹性管道可以包括但不限于聚乙烯(Polyethylene，PE)波纹管、聚氨酯(Polyurethane，PU)软管等。

移动组件是指用于调整喷淋头的部件。在一些实施例中，移动组件可以采用多种结构形式，包括但不限于液压缸、滚珠丝杆结构、蜗轮蜗杆结构等。

在一些实施例中，移动组件可以与喷淋头对应设置，即一个移动组件连接一个喷淋头。在一些实施例中，移动组件可以通过多种方式与喷淋头连接。示例性的连接方式包括螺纹连接、卡扣连接、粘接等。

在一些实施例中，移动组件可以响应于处理器发送的喷淋控制指令(如第一控制指令)，执行相应的喷淋操作。例如，当移动组件接收到处理器发送的第一控制指令后，将喷淋头移动至目标喷淋位置。关于第一控制指令、目标喷淋位置的更多内容，可以参见图2-图3及其相关描述。

本说明书一些实施例，通过将连接喷淋头与混合腔体的连通管道采用弹性管道，且喷淋头与移动组件连接，移动组件能够根据处理器的相关控制指令调整喷淋头的位置，实现对喷淋头位置的自动化控制与调整，从而能够对待清洗硅片进行精准喷淋，提高清洗效果同时，也有利于降低生产成本。

清洗腔体130是指用于容纳待清洗硅片的空腔结构。在一些实施例中，待清洗硅片的清洗过程或清洗步骤在清洗腔体130内完成。

在一些实施例中，清洗腔体130可以设计为多种结构形状，如圆筒状、长方体状等。

在一些实施例中，清洗腔体130内可以设有其他结构件。关于清洗腔体的更多内容，可以参见后文中的相关描述。

废液回收模块140是指用于回收清洗硅片后的液体(即废液)的模块。在一些实施例中，废液回收模块140可以包括回收仓，以用于储存回收废液。

在一些实施例中，废液回收模块140可以设置于清洗腔体310的正下方，以回收废液。在一些实施例中，清洗腔体130的下方位置处可以连通回收管道的一端，回收管道的另一端与废液回收模块140连通，从而实现废液的回收。

传感元件是指用于采集废液检测数据的元器件。在一些实施例中，传感器元件包括离子传感器、PH传感器中的至少一种。其中，离子传感器是指用于检测回收废液中的金属离子浓度的传感元件。例如，离子传感器可以包括铜离子传感器、镍离子传感器等；PH传感器是指用于检测回收废液PH值的传感元件。

在一些实施例中，传感元件可以设置于回收仓内(如回收仓的侧壁上)，以用于采集废液检测数据。废液检测数据是指传感元件检测到的与回收废液相关的信息和/或数据。例如，废液检测数据可以包括回收废液的金属离子浓度、PH值等。

旋转转架150是指用于带动待清洗硅片旋转的结构。在一些实施例中，旋转转架150可以设置于清洗腔体130内。在一些实施例中，旋转转架150上设有固定组件，固定组件被配置为固定待清洗硅片。在一些实施例中，固定组件可以将待清洗硅片水平固定。

在一些实施例中，固定组件可以包括夹爪，通过夹爪夹持待清洗硅片的侧端，即可固定待清洗硅片。夹爪与待清洗硅片之间可以设置柔性层(如硅胶层等)，以用于提高夹爪的夹持稳定性，同时避免对待清洗硅片造成损伤。

在一些实施例中，固定组件还可以采用其他任意可行的结构形式。例如，固定组件可以包括吸盘，通过吸盘吸住待清洗硅片的其中一个端面，从而固定待清洗硅片。

在一些实施例中，旋转转架150与动力模块160连接，动力模块160被配置为向旋转转架150提供驱动力，以使旋转转架150带动待清洗硅片旋转。

动力模块160是指用于向旋转转架150提供驱动力的元器件。例如，动力模块160可以包括伺服电机等。

在一些实施例中，动力模块160可以响应于处理器发送的第四控制指令，执行驱动操作。例如，当动力模块160接收到处理器发送的第四控制指令后，基于目标旋转功率运行。关于第四控制指令、目标旋转功率的更多内容，可以参见图6及其相关描述。

图像采集模块170是指用于采集待清洗硅片的图像信息的模块。在一些实施例中，图像采集模块170可以包括摄像机、照相机等。

在一些实施例中，图像采集模块170可以响应于处理器发送的采集指令，执行图像获取操作。例如，当图像采集模块170接收到处理器发送的采集指令后，获取待清洗硅片的初始图像。关于采集指令、待清洗硅片的初始图像的更多内容，可以参见图2及其相关描述。

本说明书一些实施例，硅片自动化清洗装置包括自动配液模块、喷淋模块、清洗腔体、废液回收模块、旋转转架、动力模块以及图像采集模块等，其中，自动配液模块、喷淋模块、废液回收模块、动力模块以及图像采集模块均可响应于处理器的相关控制指令以执行相应的操作，从而在对待清洗硅片进行有效清洁的基础上，能够实现硅片清洗装置的自动化控制与运行。

在一些实施例中，硅片自动化清洗装置100还包括烘干模块180，烘干模块180包括气体加热组件与多个气体输送通道，多个气体输送通道均布于清洗腔体130内。

烘干模块180是指用于将清洗后的硅片进行烘干或吹干的模块。

气体加热组件是指用于加热烘干气体的部件。例如，气体加热组件可以包括热交换器、空气加热器等。其中，烘干气体是指用于对清洗后的硅片进行烘干或吹干的气体，如高纯度氮气等。

气体输送通道是指用于输送烘干气体的通道。在一些实施例中，气体输送通道为耐高温管道，如聚氯乙烯(Polyvinyl chloride，PVC)管道、耐高温硅胶管等。

在一些实施例中，气体加热组件与清洗腔体130通过气体输送通道连通，且多个气体输送通道可以均匀环绕布置于清洗腔体130内，如硅片的四周位置处，以向硅片进行吹气。

在一些实施例中，烘干模块170可以响应于处理器发送的第三控制指令，控制气体加热组件将烘干气体加热至目标气体温度。关于第三控制指令、目标气体温度的更多内容，可以参见图6及其相关描述。

本说明书一些实施例，烘干模块通过向清洗腔体内输送烘干气体，能够快速对清洗后的硅片进行烘干，以得到烘干后的硅片。

在一些实施例中，硅片自动化清洗装置100还可以包括终端设备(图中未示出)。

终端设备是指用户所使用的一个或多个终端设备或软件。在一些实施例中，终端设备的用户可以是一个或多个用户，可以包括直接使用服务的用户，也可以包括其他相关用户。在一些实施例中，终端设备可以是移动设备、平板计算机、膝上型计算机、台式计算机等其他具有输入和/或输出功能的设备中的一种或其任意组合。

图2是根据本说明书一些实施例所示的生成当前除污子步骤的喷淋控制指令的示例性流程图。在一些实施例中，流程200可以包括下述步骤。在一些实施例中，流程200可以由处理器执行。

步骤210，生成配液指令发送至自动配液模块，控制自动配液模块执行初始配液操作。

配液指令是指用于控制自动配液模块执行配液操作的相关指令。在一些实施例中，配液指令至少可以包括阀门控制指令与混合控制指令。其中，阀门控制指令是指用于控制目标电控阀门开启预设时长的指令。目标电控阀门是指储存当前除污子步骤所需的除污试剂的储液仓对应的电控阀门。混合控制指令是指用于控制搅拌机构对混合腔体内的多种除污试剂进行混合的指令。

在一些实施例中，处理器可以基于预设配液参数，通过第一预设表确定配液指令，进而以自动生成配液指令。其中，第一预设表可以表征预设配液参数与配液指令之间的相关关系。在一些实施例中，第一预设表可以基于历史预设配液参数与历史配液指令进行构建。

关于配液操作、预设配液参数以及搅拌机构的更多内容，可以参见图1及其相关描述。

初始配液操作是指将第一个除污子步骤所需的除污试剂导入混合腔体内进行混合的相关操作。

在一些实施例中，处理器可以通过控制自动配液模块的相应部件，以执行初始配液操作。例如，处理器可以发送阀门控制指令至目标电控阀门，目标电控阀门接收到该指令后开启阀门，使得相应的除污试剂流入至混合腔体内；同步地，处理器可以发送混合控制指令至搅拌机构，以使搅拌机构对混合腔体内的多种除污试剂进行混合，从而完成初始配液操作。此时，目标电控阀门是指储存第一个除污子步骤所需的除污试剂的储液仓对应的电控阀门。

需要说明的是，处理器在执行初始配液操作时，可同步确定后文中所述的目标喷淋参数。

步骤220，生成采集指令发送至图像采集模块，控制图像采集模块获取待清洗硅片的初始图像。关于图像采集模块的更多内容，可以参见图1及其相关描述。

采集指令是指用于控制图像采集模块获取待清洗硅片的图像信息的相关指令。在一些实施例中，采集指令可以由用户预先设定。

待清洗硅片的初始图像是指未经历除污子步骤的待清洗硅片的图像。

在一些实施例中，图像采集模块可以响应于接收到处理器发送的采集指令，对未经历除污子步骤的待清洗硅片进行拍摄，从而得到待清洗硅片的初始图像。在一些实施例中，待清洗硅片的初始图像还可以基于终端设备进行获取。例如，用户通过终端设备上传等。

步骤230，基于初始图像，确定当前除污子步骤的目标喷淋参数。

当前除污子步骤是指在对待清洗硅片进行清洗或除污时当前所处的步骤。例如，初始配液操作时，当前除污子步骤为第一个除污子步骤。

目标喷淋参数是指喷淋模块执行喷淋操作时所使用的相关参数。

在一些实施例中，目标喷淋参数可以包括目标喷淋速度。目标喷淋速度是指喷淋模块的多个喷淋头喷出目标试剂的速度。可以理解地，多个喷淋头的喷淋速度可以是相同的。

在一些实施例中，处理器可以基于待清洗硅片的初始图像，通过图像识别等技术得到初始图像中的污染总面积；以及基于污染总面积，通过第二预设表确定目标喷淋速度。

其中，第二预设表可以表征污染总面积与目标喷淋速度之间的相关关系。污染总面积可以反映待清洗硅片表面污染物的数量情况。污染物越多，污染总面积越大。在一些实施例中，污染总面积与目标喷淋速度正相关，即污染总面积越大，目标喷淋速度越快。在一些实施例中，第二预设表可以基于历史污染总面积与历史目标喷淋速度进行构建。

在一些实施例中，目标喷淋参数还可以包括目标喷淋位置。

关于目标喷淋速度、目标喷淋位置以及如何确定目标喷淋参数的更多内容，可以参见图3及其相关描述。

步骤240，基于目标喷淋参数，生成当前除污子步骤的喷淋控制指令并发送至喷淋模块，控制喷淋模块执行喷淋操作。

喷淋控制指令是指用于控制喷淋模块执行喷淋操作的相关指令。当前除污子步骤的喷淋控制指令是指用于控制喷淋模块执行当前除污子步骤对应的喷淋操作的相关指令。可以理解地，除污子步骤不同，相应的喷淋操作也可能不同。

在一些实施例中，处理器可以基于目标喷淋参数，自动生成喷淋控制指令。在一些实施例中，喷淋控制指令可以包括第一控制指令与第二控制指令。关于第一控制指令与第二控制指令的更多内容，可以参见图3及其相关描述。

喷淋操作是指多个喷淋头对待清洗硅片进行喷淋，以除去污染物的相关操作。

在一些实施例中，喷淋操作可以包括多个水泵基于目标喷淋功率运行。在一些实施例中，处理器可以通过控制喷淋模块的相应部件，以执行喷淋操作。例如，处理器可以发送第二控制指令至水泵，多个水泵接收到该指令后基于目标喷淋功率运行，从而完成喷淋操作。

在一些实施例中，喷淋操作还可以包括移动组件将喷淋头移动至目标喷淋位置。

关于移动组件、目标喷淋功率以及喷淋模块如何执行喷淋操作的更多内容，可以参见图1、图3及其相关描述。

本说明书一些实施例，处理器通过生成配液指令、采集指令以及喷淋控制指令，以分别控制自动配液模块、图像采集模块以及喷淋模块执行相应的操作，使得硅片清洗装置能够实现完全自动化清洗，有利于在保证清洁程度的同时，提高清洗速度与效率。

图3是根据本说明书一些实施例所示的生成第一控制指令与第二控制指令的示例性流程图。在一些实施例中，流程300可以包括下述步骤。在一些实施例中，流程300可以由处理器执行。

步骤310，基于待清洗硅片的初始图像，确定待清洗硅片的污染特征。

待清洗硅片的污染特征是指能够反映待清洗硅片表面的污染物情况的特征。在一些实施例中，污染物特征可以包括污染位置分布及其对应的污染程度。其中，污染位置分布可以反映污染物的位置分布情况；污染位置分布对应的污染程度可以反映污染物所在位置分布的污染严重程度。

在一些实施例中，处理器可以基于待清洗硅片的初始图像，通过对该初始图像进行预处理，并结合聚类算法以确定待清洗硅片的污染特征。

仅作为示例，处理器可以将初始图像基于预设大小的网格进行划分，得到多个网格区域，并通过图像识别等技术计算每个网格区域的污染面积，再将污染面积大于预设面积阈值的网格区域作为待聚类子区域，再从待聚类子区域中选择预设数量(如m个)的网格区域作为聚类中心，最后将剩余网格区域与聚类中心的距离作为聚类指标进行聚类，从而得到多个(如m个)污染聚类簇。其中，聚类算法可以包括k-means算法、bi-kmeans算法等。

在一些实施例中，污染位置分布可以用多个污染聚类簇的污染位置(即多个聚类簇的中心位置)表征。污染位置分布对应的污染程度可以用污染聚类簇的污染面积表征。其中，污染聚类簇的污染面积是指某一污染聚类簇(如污染聚类簇A)中所有网格区域的污染面积的总和。也就是说，待清洗硅片的污染特征可以包括多个污染聚类簇的污染位置及其对应的污染面积。

步骤320，基于污染位置分布，确定目标喷淋位置。

目标喷淋位置是指喷淋头执行喷淋操作时应处于的位置。

在一些实施例中，处理器可以基于污染位置分布，并结合喷淋头的数量来确定目标喷淋位置。

例如，若喷淋头的数量(如n个)不小于污染聚类簇的数量(如m个)，则将污染位置分布(即污染聚类簇的污染位置)作为n个喷淋头中任意m个喷淋头的目标喷淋位置；将待清洗硅片的中心位置作为剩余(n-m)个喷淋头的目标喷淋位置，以使剩余(n-m)个喷淋头对待清洗硅片各个部分的清洗比较均匀。

又例如，若喷淋头的数量(如n个)小于污染聚类簇的数量(如m个)，则基于污染程度由高至低对污染聚类簇进行排序，将污染程度较高的n个污染聚类簇的污染位置确定为n个喷淋头的目标喷淋位置。

需要说明的是，每个喷淋头的目标喷淋位置可以基于上述污染聚类簇的污染位置随机确定。

步骤330，基于目标喷淋位置、污染位置分布对应的污染程度以及目标试剂，确定目标喷淋速度。

在一些实施例中，目标试剂可以基于预设配液参数确定。例如，处理器可以根据预设配液参数确定当前除污子步骤及其所需的除污试剂类型，进而确定目标试剂。关于目标试剂的更多内容，可以参见图1及其相关描述。

目标喷淋速度是指多个喷淋头喷出目标试剂的速度。

在一些实施例中，处理器可以基于目标喷淋位置、污染位置分布对应的污染程度以及目标试剂，通过向量匹配确定目标喷淋速度。仅作为示例，数据库可以包括多个第一参考向量及其对应的参考喷淋速度。其中，第一参考向量可以基于历史目标喷淋位置、历史污染位置分布对应的污染程度以及历史目标试剂进行构建；参考喷淋速度是指第一参考向量对应的历史喷淋速度。

在一些实施例中，处理器可以基于当前目标喷淋位置、当前污染位置分布对应的污染程度以及当前目标试剂构建第一待匹配向量。

在一些实施例中，处理器可以分别计算第一待匹配向量与第一参考向量之间的距离，将与第一待匹配向量之间的距离满足第一预设条件的第一参考向量确定为目标向量，将目标向量对应的参考喷淋速度确定为第一待匹配向量对应的目标喷淋速度。第一预设条件可以根据具体情况设定。例如，第一预设条件可以是向量距离最小等。

在一些实施例中，处理器基于目标喷淋位置、污染位置分布对应的污染程度以及目标试剂，还可以通过下述方法确定目标喷淋速度。在一些实施例中，处理器可以生成多个候选喷淋速度；基于目标喷淋位置、污染位置分布对应的污染程度以及目标试剂，确定每个候选喷淋速度对应的除污效果；以及基于上述除污效果，确定目标喷淋速度。

候选喷淋速度是指满足一定要求的喷淋速度。在一些实施例中，处理器可以通过向量匹配确定满足第二预设条件的多个第一参考向量，并基于多个第一参考向量对应的参考喷淋速度中的最大喷淋速度与最小喷淋速度，确定取值范围，最后在该取值范围内随机生成预设候选数量(如p个)的候选喷淋速度。第二预设条件可以根据实际情况确定。例如，第二预设条件可以包括向量距离小于预设距离阈值等。关于向量匹配的更多内容，可以参见图3前文中的相关描述。

候选喷淋速度对应的除污效果是指多个喷淋头基于候选喷淋速度喷出目标试剂，对待清洗硅片产生的效果。在一些实施例中，除污效果可以包括当前除污子步骤的结束时间与除污时的硅片受损概率。

在一些实施例中，处理器可以基于目标喷淋位置、污染位置分布对应的污染程度以及目标试剂，通过第三预设表确定每个候选喷淋速度对应的除污效果。其中，第三预设表可以表征目标喷淋位置、污染位置分布对应的污染程度以及目标试剂与候选喷淋速度对应的除污效果之间的相关关系。在一些实施例中，第三预设表可以基于历史目标喷淋位置、历史污染位置分布对应的污染程度、历史目标试剂以及历史喷淋速度对应的除污效果进行构建。

关于如何确定每个候选喷淋速度对应的除污效果的更多内容，可以参见图4及其相关描述。

在一些实施例中，处理器可以基于每个候选喷淋速度对应的除污效果，将满足第三预设条件的除污效果对应的候选喷淋速度确定为目标喷淋速度。第三预设条件是指用于从多个候选喷淋速度中筛选出目标喷淋速度的条件。例如，第三预设条件可以包括当前除污子步骤的结束时间不超过时间阈值且除污时的硅片受损概率最小等。

本说明书一些实施例，通过生成多个满足一定要求的候选喷淋速度，并基于目标喷淋位置、污染位置分布对应的污染程度以及目标试剂，预测每个候选喷淋速度对应的除污效果，再根据除污效果筛选出满足预设条件的喷淋速度，不仅可以有效保证除污效果、降低硅片的受损概率以提高产品良品率，而且也有利于提高处理速度、保证除污效率。

步骤340，响应于自动配液模块完成初始配液操作，基于目标喷淋位置生成第一控制指令并发送至移动组件，控制移动组件将喷淋头移动至目标喷淋位置。关于自动配液模块、初始配液操作以及控制组件的更多内容，可以参见图1-图2及其相关描述。

第一控制指令是指用于控制移动组件进行移动的相关指令。在一些实施例中，处理器可以基于目标喷淋位置，自动生成第一控制指令。

在一些实施例中，移动组件可以响应于接收到第一控制指令，将多个喷淋头分别移动至目标喷淋位置。

步骤350，基于目标喷淋速度生成第二控制指令并发送至水泵，控制水泵基于目标喷淋功率运行。关于水泵的更多内容，可以参见图1及其相关描述。

第二控制指令是指用于控制水泵运行的相关指令。在一些实施例中，处理器可以基于目标喷淋速度，自动生成第二控制指令。

目标喷淋功率是指实现目标喷淋速度时对应的水泵的运行功率。在一些实施例中，目标喷淋功率基于目标喷淋速度确定。在一些实施例中，目标喷淋功率与目标喷淋速度正相关。目标喷淋速度越快，目标喷淋功率越大。

在一些实施例中，水泵可以响应于接收到第二控制指令，基于目标喷淋功率运行。

本说明书一些实施例，基于目标喷淋位置与目标喷淋速度分别生成第一控制指令与第二控制指令，进而以分别控制移动组件与水泵执行相应的喷淋操作，可以实现对待清洗硅片进行精准且充分地清洗，有利于提高除污效果。

应当注意的是，上述有关流程200、流程300的描述仅仅是为了示例和说明，而不限定本说明书的适用范围。对于本领域技术人员来说，在本说明书的指导下可以对流程200、流程300进行各种修正和改变。然而，这些修正和改变仍在本说明书的范围之内。

图4是根据本说明书一些实施例所示的除污模型的示例性示意图。

在一些实施例中，如图4所示，处理器可以基于目标喷淋位置410-1、污染位置分布对应的污染程度410-2、目标试剂410-3、多个候选喷淋速度410-4以及当前除污子步骤410-5，通过除污模型420确定每个候选喷淋速度对应的除污效果430。

关于目标喷淋位置、污染位置分布对应的污染程度、目标试剂、多个候选喷淋速度以及当前除污子步骤的更多内容，可以参见前文中的相关说明(如图1-图3及其相关描述)。

除污模型是指用于预测每个候选喷淋速度对应的除污效果的模型。在一些实施例中，除污模型为机器学习模型。例如，除污模型可以包括深度神经网络(Deep NeuralNetworks，DNN)模型、支持向量机(Support Vector Machine，SVM)算法等其中一种或多种的组合。

在一些实施例中，如图4所示，除污模型的输入还包括待清洗硅片的初始图像410-6。关于待清洗硅片的初始图像的更多内容，可以参见图2及其相关描述。

在一些实施例中，如图4所示，除污模型的输入还包括更新后的旋转速度410-7。关于更新后的旋转速度的更多内容，可以参见图6及其相关描述。

在一些实施例中，除污模型可以基于大量带有第一训练标签的第一训练样本训练得到。其中，第一训练样本可以包括样本喷淋位置、样本污染位置分布对应的污染程度、样本目标试剂、样本喷淋速度以及样本除污子步骤，第一训练标签可以包括第一训练样本对应的实际除污效果。

在一些实施例中，第一训练样本可以基于历史数据确定。

在一些实施例中，第一训练标签可以包括第一标签与第二标签。第一标签基于历史除污子步骤的实际结束时间确定；第二标签基于历史除污时的硅片受损情况构建，如历史除污时硅片受损则标签为1，历史除污时硅片未受损则标签为0。

在一些实施例中，处理器可以将第一训练样本输入初始除污模型，通过训练迭代更新初始除污模型的参数，直到训练的模型满足预设训练条件，获取训练好的除污模型。其中，预设训练条件可以是损失函数小于阈值、收敛或训练周期达到阈值。在一些实施例中，迭代更新模型的参数的方法可以包括随机梯度下降等常规的模型训练方法。在一些实施例中，损失函数可以基于第一标签与初始除污模型输出的当前除污子步骤的结束时间的差值、第二标签与初始除污模型输出的除污时的硅片受损概率的差值进行构建。

在一些实施例中，当除污模型的输入还包括待清洗硅片的初始图像时，第一训练样本还包括待清洗硅片的样本初始图像。

在一些实施例中，当除污模型的输入还包括更新后的旋转速度时，第一训练样本还包括更新后的样本旋转速度。

本说明书一些实施例，通过训练好的除污模型，可以快速且准确地预测每个候选喷淋速度对应的除污效果。而且，除污模型的输入还包括待清洗硅片的初始图像与更新后的旋转速度，综合考虑了两者对每个候选喷淋速度对应的除污效果的影响，有利于进一步提高预测结果的准确度。

图5是根据本说明书一些实施例所示的生成下一个除污子步骤的喷淋控制指令的示例性流程图。在一些实施例中，流程500可以包括下述步骤。在一些实施例中，流程500可以由处理器执行。

步骤510，控制图像采集模块以预设频率，采集当前除污子步骤中待清洗硅片的第一图像。关于图像采集模块的更多内容，可以参见图1及其相关描述。

预设频率是指预先设定的图像采集频率，如5min/次等。在一些实施例中，预设频率可以由用户预先设定。

待清洗硅片的第一图像是指图像采集模块在当前除污子步骤中采集的系列图像。

在一些实施例中，图像采集模块可以响应于接收到处理器发送的采集指令，以预设频率对当前除污子步骤中的待清洗硅片进行拍照，从而得到待清洗硅片的第一图像。

在一些实施例中，待清洗硅片的第一图像还可以基于终端设备进行获取。例如，用户通过终端设备上传等。

步骤520，响应于第一图像与废液检测数据满足预设要求，控制自动配液模块执行自清洗操作。关于废液检测数据、自动配液模块的更多内容，可以参见图1及其相关描述。

预设要求是指用于判断自动配液模块是否需要执行自清洁操作的要求。例如，预设要求可以包括最新采集到的两张第一图像之间的第一相似度高于第一阈值，且最新采集到的两次废液检测数据之间的第二相似度高于第二阈值。其中，第一阈值与第二阈值可以由用户预先设定。例如，第一阈值为95％，第二阈值为93％等。

第一相似度可以反映最新采集到的两张第一图像之间的相似程度。在一些实施例中，处理器可以利用哈希算法或直方图算法等图像相似度对比方法，确定第一相似度。在一些实施例中，图像相似度对比方法还可以包括灰度图算法、余弦相似性、欧式距离等。

第二相似度可以反映最新采集到的两次废液检测数据之间的相似程度。在一些实施例中，处理器可以通过计算两次废液检测数据之间的距离，确定第二相似度。在一些实施例中，距离可以包括但不限于余弦距离、欧式距离、曼哈顿距离、马氏距离或闵可夫斯基距离等。

可以理解地，由于待清洗硅片表面通常附着有多种不同类型的污染物，对于有些污染物(如，颗粒物等)，可以通过处理器对图像采集模块采集的待清洗硅片的图像进行图像识别而检测到；而对于有些污染物(如，金属离子等)，通过图像识别很难检测到，因此只能通过传感元件获取废液检测数据得到。

进一步地，最新采集到的两张第一图像之间的第一相似度高于第一阈值，反映的是图像采集模块能检测到的这部分污染物已经不再变化或变化微乎其微，即相当于当前除污子步骤使用的目标试剂对这部分污染物的除污作用很小；最新采集到的两次废液检测数据之间的第二相似度高于第二阈值，反映的是图像采集模块不能检测到的这部分污染物已经不再变化或变化微乎其微。因此，结合第一相似度高于第一阈值与第二相似度高于第二阈值(即预设要求)，可以判定能够推进下一个除污子步骤。

在一些实施例中，第一相似度越高，则表明当前除污子步骤的除污速度越慢，需要及时对其进行监测以判断是否已进入下一个除污子步骤，因此需要提高预设频率。基于此，预设频率可以基于第一相似度确定，且预设频率与第一相似度正相关。

可以理解地，根据第一相似度来确定预设频率，对除污速度较慢的当前除污子步骤进行高频率监测，有利于更准确地判断当前除污子步骤是否完成。

自清洗操作是指用于清洗混合腔体的相关操作。在一些实施例中，处理器可以响应于第一图像与废液检测数据满足预设要求，生成清洗控制指令并发送至自动配液模块与喷淋模块，以控制自动配液模块执行自清洗操作。

仅作为示例，自动配液模块可以响应于接收到清洗控制指令，控制清洗电控阀门开启以使储液仓内的清水进入混合腔体。同步地，喷淋模块可以响应于接收到清洗控制指令，控制水泵运行。其中，清洗控制指令是指用于控制清洗电控阀门开启和水泵运行预设时长的相关指令。清洗电控阀门是指储存清水的储液仓对应的电控阀门。

步骤530，响应于自动配液模块完成自清洗操作，控制自动配液模块基于预设配液参数进行下一个除污子步骤的配液。关于预设配液参数的更多内容，可以参见图1及其相关描述。

在一些实施例中，处理器可以响应于自动配液模块完成自清洗操作，生成配液指令并发送至自动配液模块，以控制自动配液模块基于预设配液参数进行下一个除污子步骤的配液。

需要说明的是，下一个除污子步骤的配液操作与初始配液操作类似，具体可以参见图2及其相关描述，此处不再赘述。

步骤540，基于最近时刻的第一图像，确定下一个除污子步骤的目标喷淋参数。

最近时刻的第一图像是指图像采集模块最新采集到的图像。在一些实施例中，最近时刻的第一图像可以基于图像采集模块获取。在一些实施例中，最近时刻的第一图像还可以基于用户通过终端设备上传得到。

需要说明的是，处理器确定下一个除污子步骤的目标喷淋参数的方法与确定当前除污子步骤的目标喷淋参数的方法类似，具体可以参见图2-图4及其相关描述，此处不再赘述。

步骤550，基于目标喷淋参数，生成下一个除污子步骤的喷淋控制指令并发送至喷淋模块，控制喷淋模块执行喷淋操作。关于喷淋模块的更多内容，可以参见图1及其相关描述。

下一个除污子步骤的喷淋控制指令是指用于控制喷淋模块执行下一个除污子步骤对应的喷淋操作的相关指令。

在一些实施例中，处理器可以基于下一个除污子步骤的目标喷淋参数，自动生成下一个除污子步骤的喷淋控制指令。

需要说明的是，处理器基于下一个除污子步骤的喷淋控制指令以控制喷淋模块执行喷淋操作的方式，与基于当前除污子步骤的喷淋控制指令以控制喷淋模块执行喷淋操作的方式类似，具体可以参见图2-图3及其相关描述，此处不再赘述。

在一些实施例中，处理器还可以响应于最近时刻的第一图像中污染物脱离情况不良，更新旋转转架的旋转速度，得到更新后的旋转速度。关于旋转转架的更多内容，可以参见图1及其相关描述。

在一些实施例中，处理器可以基于最近时刻的第一图像与上一时刻的第一图像(即最新采集到的两张第一图像)，通过图像识别等技术对比两张第一图像的边缘位置的污染程度，以确定最近时刻第一图像中污染物脱离情况是否不良。例如，若最近时刻的第一图像的边缘位置的污染程度超过边缘阈值，则认为第一图像中污染物脱离情况不良。在一些实施例中，边缘阈值可以动态调整。例如，处理器可以将上一时刻的第一图像的边缘位置的污染程度，作为当前时刻的第一图像对应的边缘阈值。

在一些实施例中，旋转转架的旋转速度也可以理解为待清洗硅片的旋转速度。可以理解地，旋转转架的旋转速度越快，附着于待清洗硅片表面的污染物更易于脱离。

在一些实施例中，处理器可以响应于最近时刻的第一图像中污染物脱离情况不良，通过预设规则确定旋转转架的旋转速度并对其进行更新，得到更新后的旋转速度。

预设规则是指用于调整旋转转架的旋转速度的规则。例如，预设规则可以包括最近时刻的第一图像的边缘位置的污染程度超过边缘阈值越多，旋转转架的旋转速度越快等。

可以理解地，根据第一图像中污染物脱离情况不良对旋转转架的旋转速度进行适应性调整，可以有效避免因旋转转架的旋转速度较慢而造成的污染物在硅片边缘处堆积的情况，从而有利于进一步提高清洗效果。

本说明书一些实施例，通过对当前除污子步骤的相关数据进行监测，可以及时判断清洗装置是否完成当前除污子步骤，通过对自动配液模块进行自清洁，待完成自清洁后再进行配液，有利于准确得到下一个除污子步骤所需的目标试剂，以保证该除污子步骤的除污效果。

图6是根据本说明书一些实施例所示的生成第三控制指令与第四控制指令的示例性流程图。在一些实施例中，流程600可以包括下述步骤。在一些实施例中，流程600可以由处理器执行。

步骤610，响应于最后一个除污子步骤结束，获取待烘干硅片。

最后一个除污子步骤是指在对待清洗硅片进行除污时的最后一个步骤。在一些实施例中，处理器可以基于预设配液参数，确定最后一个除污子步骤是否结束。例如，当自动配液模块基于预设配液参数，完成一个流程的最后一次配液操作时，便可认为最后一个除污子步骤结束。

待烘干硅片是指已完成最后一个除污子步骤的硅片。在一些实施例中，当最后一个除污子步骤结束，即得到待烘干硅片。

步骤620，基于最近时刻的废液检测数据与最近时刻的第一图像，确定目标烘干参数。关于最近时刻的第一图像的更多内容，可以参见图5及其相关描述。

最近时刻的废液检测数据是指传感元件最新采集到的废液检测数据。在一些实施例中，最新时刻的废液检测数据可以基于传感元件获取。

目标烘干参数是指用于烘干待烘干硅片的相关参数。在一些实施例中，目标烘干参数可以包括目标气体温度与目标旋转速度中的至少一种。其中，目标气体温度是指对待烘干硅片进行烘干时烘干气体的气体温度；目标旋转速度是指对待烘干硅片进行烘干时动力模块的旋转速度。

在一些实施例中，处理器可以基于最近时刻的废液检测数据与最近时刻的第一图像，通过向量匹配确定目标烘干参数。仅作为示例，数据库可以包括多个第二参考向量及其对应的参考烘干参数。其中，第二参考向量可以基于第一历史时刻的废液检测数据、第一历史时刻的第一图像的特征向量进行构建，第一历史时刻为预设时间段内的末端时刻，例如，预设时间段是第二历史时刻到第一历史时刻的时间段，第二历史时刻在第一历史时刻之前。参考烘干参数是指第二参考向量对应的历史烘干参数。在一些实施例中，第一图像的特征向量可以通过提取模型等方式获取。

在一些实施例中，处理器可以基于当前最近时刻的废液检测数据与当前最近时刻的第一图像构建第二待匹配向量。

需要说明的是，基于第二待匹配向量与多个第二参考向量进行向量匹配的方法，和基于第一待匹配向量与多个第二参考向量进行向量匹配的方法类似，具体可以参见图3及其相关描述，此处不再赘述。

在一些实施例中，处理器基于最近时刻的废液检测数据与最近时刻的第一图像，还可以通过下述方法确定目标烘干参数。在一些实施例中，处理器可以生成多个候选烘干参数；基于最近时刻的废液检测数据与最近时刻的第一图像，确定每个候选烘干参数对应的烘干效果；以及基于上述烘干效果，确定目标烘干参数。

候选烘干参数是指满足一定要求的烘干参数。在一些实施例中，处理器可以通过向量匹配确定满足第二预设条件的多个第二参考向量，并基于多个第二参考向量对应的参考烘干参数中的最低气体温度与最小旋转速度、最高气体温度与最大旋转速度，确定温度取值范围与速度取值范围，最后在上述两个取值范围内，随机生成预设候选数量(如p个)的候选烘干参数。

候选烘干参数对应的烘干效果是指烘干模块基于候选烘干参数对待烘干硅片进行烘干时可能产生的效果。在一些实施例中，烘干效果可以包括烘干所需时间与烘干时的硅片受损概率。

在一些实施例中，处理器可以基于最近时刻的废液检测数据与最近时刻的第一图像(如第一图像的特征向量)，通过第四预设表确定每个候选烘干参数对应的烘干效果。其中，第四预设表可以表征最近时刻的废液检测数据与最近时刻的第一图像(如第一图像的特征向量)与候选烘干参数对应的烘干效果之间的相关关系。在一些实施例中，第四预设表可以基于历史最近时刻的废液检测数据、历史最近时刻的第一图像的特征向量以及历史烘干参数对应的烘干效果进行构建。

关于如何确定每个候选烘干参数对应的烘干效果的更多内容，可以参见图7及其相关描述。

在一些实施例中，处理器可以基于每个候选烘干参数对应的烘干效果，将满足第四预设条件的烘干效果对应的候选烘干参数确定为目标烘干参数。第四预设条件是指用于从多个候选烘干参数中筛选出目标烘干参数的条件。例如，第四预设条件可以包括烘干所需时间处于预设时间范围内且烘干时的硅片受损概率最小等。

本说明书一些实施例，通过生成多个满足一定要求的候选烘干参数，并基于最近时刻的废液检测数据与最近时刻的第一图像，预测每个候选烘干参数对应的烘干效果，再根据烘干效果筛选出满足预设条件的烘干参数，不仅可以有效保证烘干效果、降低硅片的受损概率以提高产品良品率，而且也有利于提高处理速度、保证烘干效率。

步骤630，基于目标气体温度生成第三控制指令并发送至气体加热组件，控制气体加热组件将烘干气体加热至目标气体温度。关于气体加热组件、烘干气体的更多内容，可以参见图1及其相关描述。

第三控制指令是指用于控制气体加热组件将烘干气体加热至目标气体温度的相关指令。在一些实施例中，处理器可以基于目标气体温度，自动生成第三控制指令。

在一些实施例中，气体加热组件可以响应于接收到第三控制指令，将烘干气体加热至目标气体温度。

步骤640，基于目标旋转速度生成第四控制指令并发送至动力模块，控制动力模块基于目标旋转功率运行。关于动力模块的更多内容，可以参见图1及其相关描述。

第四控制指令是指用于控制动力模块运行的相关指令。在一些实施例中，处理器可以基于目标旋转速度，自动生成第四控制指令。

目标旋转功率是指实现目标旋转速度时对应的动力模块的运行功率。在一些实施例中，目标旋转功率基于目标旋转速度确定。在一些实施例中，目标旋转功率与目标旋转速度正相关。目标旋转速度越快，目标旋转功率越大。

在一些实施例中，动力模块可以响应于接收到第四控制指令，基于目标旋转功率运行。

本说明书一些实施例，基于目标气体温度与目标旋转速度分别生成第三控制指令与第四控制指令，进而以分别控制气体加热组件与动力模块执行相应的操作，使得待烘干硅片一边快速旋转一边用热气烘干，从而能够快速烘干待烘干硅片。

应当注意的是，上述有关流程500、流程600的描述仅仅是为了示例和说明，而不限定本说明书的适用范围。对于本领域技术人员来说，在本说明书的指导下可以对流程500、流程600进行各种修正和改变。然而，这些修正和改变仍在本说明书的范围之内。

图7是根据本说明书一些实施例所示的烘干模型的示例性示意图。

在一些实施例中，如图7所示，处理器可以基于最近时刻的废液检测数据710-1、最近时刻的第一图像710-2、多个候选烘干参数710-3、每个除污子步骤的目标喷淋位置710-4以及每个除污子步骤的目标喷淋速度710-5，通过烘干模型720确定每个候选烘干参数对应的烘干效果730。

关于目标喷淋位置、目标喷淋速度的更多内容，可以参见图2-图3及其相关描述。

烘干模型是指用于预测每个候选烘干参数对应的烘干效果的模型。在一些实施例中，烘干模型为机器学习模型。例如，烘干模型可以包括DNN模型、SVM算法等中的至少一种。

在一些实施例中，烘干模型可以基于大量带有第二训练标签的第二训练样本训练得到。其中，第二训练样本可以包括样本废液检测数据、样本第一图像、样本烘干参数、样本除污子步骤的目标喷淋位置与目标喷淋速度，第二训练标签可以包括第二训练样本对应的实际烘干效果。

在一些实施例中，第二训练样本可以基于历史数据确定。

在一些实施例中，第二训练标签可以包括第三标签与第四标签。第三标签基于历史实际烘干所需的时间确定；第四标签基于历史烘干时的硅片受损情况构建，如历史烘干时硅片受损则标签为1，历史烘干时硅片未受损则标签为0。

需要说明的是，烘干模型的训练方法与除污模型的训练方法类似，具体可以参见图4及其相关描述，此处不再赘述。

本说明书一些实施例，通过训练好的烘干模型，可以快速且准确地预测每个候选烘干参数对应的烘干效果，从而能够为确定目标烘干参数奠定基础。

上文已对基本概念做了描述，显然，对于本领域技术人员来说，上述详细披露仅仅作为示例，而并不构成对本说明书的限定。虽然此处并没有明确说明，本领域技术人员可能会对本说明书进行各种修改、改进和修正。该类修改、改进和修正在本说明书中被建议，所以该类修改、改进、修正仍属于本说明书示范实施例的精神和范围。