耐腐蚀薄膜及其制备方法和应用

技术领域

本发明涉及装饰镀技术领域，尤其是涉及一种耐腐蚀薄膜及其制备方法和应用。

背景技术

PVD镀膜通常分为蒸发镀、溅射镀、离子镀三种技术。蒸发镀由于存在粒子能量通常较低、高熔点膜料蒸发困难、薄膜绕射性能较差等缺点，导致很难保证立体工件各个面膜厚均匀，沉积的薄膜通常满足不了装饰镀领域要求的颜色一致、耐磨、抗刮伤、防腐的要求；离子镀靶材或者膜料的离化率较高，但现有的离子镀技术沉积速率较低、设备结构相对复杂，满足不了装饰镀领域的制造成本要求；磁控溅射镀膜是溅射镀方式的一种，可以用来制备膜层致密、耐刮伤、抗腐蚀、膜基附着力好等性能优异的涂层。另外，磁控溅射镀膜是一种节能环保的镀膜技术，整个成膜过程在真空条件下通过靶材溅射沉积完成，对环境无污染，所以磁控溅射是装饰镀领域应用最广的一种PVD镀膜技术。

黑色色调具有稳重、低调、富有科技感等视觉特点，所以比较受客户和市场的青睐，通常用不同比例的Ti、Cr、W单质金属或合金靶材与C

有鉴于此，特提出本发明。

发明内容

本发明的一个目的在于提供耐腐蚀薄膜，以解决现有技术中存在的膜层黑度及防腐蚀性能等难以满足要求的技术问题。

为了实现本发明的上述目的，特采用以下技术方案:

耐腐蚀薄膜，包括基材；

设置于所述基材的一侧上的打底层；

设置于所述打底层上的过渡层；以及

设置于所述过渡层上的颜色层；

所述打底层为Cr层、Ti层或TiCr层；所述过渡层为SiCrC层或SiTiC层；所述颜色层为WC层。

在本发明的具体实施方式中，所述过渡层与所述颜色层之间设置有颜色衔接层。进一步的，所述颜色衔接层为CrWC层或TiWC层。

在本发明的具体实施方式中，所述WC层是采用跳气模式沉积得到的。进一步的，在沉积所述WC层时，所述跳气模式中，反应气体C

在本发明的具体实施方式中，所述SiCrC层包括交替层叠设置的CrC层和SiC层；所述SiTiC层包括交替层叠设置的TiC层和SiC层。

在本发明的具体实施方式中，所述耐腐蚀薄膜的Lab颜色值满足：L为25～30，a为-1～1，b为-2～1。

本发明的另一目的在于提供耐腐蚀薄膜的制备方法。

所述耐腐蚀薄膜的制备方法，包括如下步骤：

采用中频磁控溅射方法在所述基材一侧表面上按序沉积打底层、过渡层和颜色层。

在本发明的具体实施方式中，所述方法还包括：在所述过渡层和所述颜色层之间沉积颜色衔接层。

在本发明的具体实施方式中，沉积所述过渡层时，沉积有打底层的基材循环经过Cr靶材和Si靶材，在所述打底层上形成交替层叠设置的CrC层和SiC层；或者，沉积所述过渡层时，沉积有打底层的基材循环经过Ti靶材和Si靶材，在所述打底层上形成交替层叠设置的TiC层和SiC层。

在本发明的具体实施方式中，沉积所述颜色层时，反应气体C

本发明的又一目的在于提供耐腐蚀薄膜在3C产品或高端装饰领域中的应用。

与现有技术相比，本发明的有益效果为：

(1)本发明的耐腐蚀薄膜，设置打底层、过渡层、颜色衔接层和颜色层，通过层叠设置的CrC(或者TiC)和SiC层，避免了柱状晶隙的产生，并提高了膜层的耐腐蚀性能；颜色衔接层解决了颜色层与过渡层之间的结合力问题；颜色层对膜层最终的L值进行调整，通过控制W靶电流与C

(2)本发明采用中频磁控溅射，利用各靶材与C

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明一些实施例提供的耐腐蚀薄膜的结构示意图；

图2为本发明另一些实施例提供的耐腐蚀薄膜的结构示意图。

附图标记：

1-基材； 2-打底层； 3-过渡层；

4-颜色衔接层； 5-颜色层。

具体实施方式

下面将结合附图和具体实施方式对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，但是本领域技术人员将会理解，下列所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，仅用于说明本发明，而不应视为限制本发明的范围。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。

需要说明的是，本发明中所使用的化学式“TiCr”、“SiCrC”、“SiTiC”、“CrWC”、“TiWC”、“WC”等是表示相应层中含有式中所列元素，而对元素之间的比例不做限定。以TiCr为例进行说明，当打底层为TiCr层时，打底层中既含有Ti元素，也含有Cr元素，二者的摩尔比可以为1：1，也可调整为其它比例。

图1为本发明一些实施例提供的耐腐蚀薄膜的结构示意图；如图1所示，本发明一些实施例提供的耐腐蚀薄膜，包括：

基材1；

设置于所述基材1的一侧上的打底层2；

设置于所述打底层2上的过渡层3；以及

设置于所述过渡层3上的颜色层5；

所述打底层2为Cr层、Ti层或TiCr层；所述过渡层3为SiCrC层或SiTiC层；所述颜色层5为WC层。

本发明的耐腐蚀薄膜，通过各层结构及材料设置，既能够满足高端装饰行业公司对黑度提出的要求，还具有优异的耐腐蚀性能。

图2为本发明另一些实施例提供的耐腐蚀薄膜的结构示意图；该实施例是在上述实施例上的改进，上述实施例中公开的内容不会重复描述，也属于该实施例公开的内容。如图2所示，本发明一些实施例提供的耐腐蚀薄膜，所述过渡层3与所述颜色层5之间还设置有颜色衔接层4。进一步的，所述颜色衔接层4为CrWC层或TiWC层。

在本发明的具体实施方式中，所述WC层是采用跳气模式沉积得到的。进一步的，在沉积所述WC层时，所述跳气模式中，反应气体C

本发明的颜色层采用跳气模式，反应气体C

同时其余层采用步长加气模式；由于其余层厚度较厚，应力较大，如采用跳气模式，容易出现明显的层间界面，进而在层间存在应力差，会导致结合力变差。

在本发明的具体实施方式中，所述SiCrC层包括交替层叠设置的CrC层和SiC层；所述SiTiC层包括交替层叠设置的TiC层和SiC层。

通过依次层叠设置的CrC层(或TiC层)和SiC层，能够避免柱状晶隙的产生，并且SiC材料自身具有强抗腐蚀性，过渡层3的膜层结构的设置及材料的选择有效提高了薄膜的耐腐蚀性能。

在本发明的具体实施方式中，所述SiCrC层中，单个CrC层或单个SiC层的厚度为2～10nm；所述SiTiC层中，单个TiC层或单个SiC层的厚度为2～10nm。

如在不同实施方式中，所述SiCrC层中，单个CrC层或单个SiC层的厚度可以示例性的为2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm等等；所述SiTiC层中，单个TiC层或单个SiC层的厚度可以示例性的为2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm等等。

在本发明的具体实施方式中，所述打底层2的厚度为0.1～0.3μm；所述过渡层3的厚度为0.6～1μm；所述颜色衔接层4的厚度为0.1～0.5μm；所述颜色层5的厚度为0.04～0.06μm。

采用上述比例范围，能够兼顾保证各层之间的匹配性、均匀性、结合性能以及耐腐蚀性能等。

如在不同实施方式中，所述打底层2的厚度可以示例性的为0.1μm、0.15μm、0.2μm、0.25μm、0.3μm等等；所述过渡层3的厚度可以示例性的为0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm、1μm等等；所述颜色衔接层4的厚度可以示例性的为0.3μm、0.35μm、0.4μm、0.45μm、0.5μm等等；所述颜色层5的厚度可以示例性的为0.04μm、0.045μm、0.05μm、0.055μm、0.06μm等等。

在本发明的具体实施方式中，所述基材1包括金属基材、塑料基材、陶瓷基材、玻璃基材等。所述基材1的种类可根据工件要求进行调整选择，如可以为不锈钢基材等等。

在本发明的具体实施方式中，所述耐腐蚀薄膜的Lab颜色值满足：L为25～30，a为-1～1，b为-2～1。进一步的，所述耐腐蚀薄膜的Lab颜色值满足：L为26～30，a为-1～1，b为-1.8～1。

如在不同实施方式中，所述耐腐蚀薄膜的Lab颜色值中，L可以示例性的为25、25.5、26、26.5、27、27.5、28、28.5、29、29.5、30等，a可以示例性的为-1、-0.8、-0.6、-0.5、-0.4、-0.2、0、0.2、0.4、0.6、0.8、1等，b可以示例性的为-2、-1.8、-1.6、-1.5、-1.4、-1.2、-1、-0.8、-0.6、-0.5、-0.4、-0.2、0、0.2、0.4、0.6、0.8、1等。

现有的常规黑色薄膜中，Lab颜色值中L通常＞32。通过本发明的膜层结构设置，得到的耐腐蚀薄膜的黑度满足部分高端装饰行业对装饰镀的黑度要求(L为26～29)。

本发明还提供了上述任意一种所述耐腐蚀薄膜的制备方法，包括如下步骤：

采用中频磁控溅射方法在所述基材1一侧表面上按序沉积打底层2、过渡层3和颜色层5。

在本发明的具体实施方式中，所述制备方法还包括：在所述过渡层3和所述颜色层5之间沉积颜色衔接层4。

在本发明的具体实施方式中，沉积所述打底层2时，溅射工作气体Ar流量为200～800sccm，偏压为50～400V，占空比为20％～80％，靶材功率为3～12kW。

如在不同实施方式中，沉积所述打底层2时，溅射工作气体Ar流量可以示例性的为200sccm、300sccm、400sccm、500sccm、600sccm、700sccm、800sccm等等；偏压可以示例性的为50V、100V、200V、300V、400V等等；占空比可以示例性的为20％、30％、40％、50％、60％、70％、80％等等；靶材功率可以示例性的为3kW、4kW、5kW、6kW、7kW、8kW、9kW、10kW、11kW、12kW等等。

在实际操作中，打底层2的元素可以是Cr或Ti，也可以是Cr和Ti的混合物。将Cr和/或Ti靶接中频磁控溅射电源，然后通入Ar，设定流量、偏压、占空比、靶功率等，根据参数设定调整沉积时间直至达到目标沉积厚度。

在本发明的具体实施方式中，沉积所述过渡层3时，溅射工作气体Ar流量为200～800sccm，反应气体C

进一步的，沉积所述过渡层3时，反应气体C

如在不同实施方式中，沉积所述过渡层3时，溅射工作气体Ar流量可以示例性的为200sccm、300sccm、400sccm、500sccm、600sccm、700sccm、800sccm等等；反应气体C

在实际操作中，过渡层3为SiCrC层或SiTiC层，分别采用Si靶和Cr靶或者Si靶和Ti靶。将Cr靶(或Ti靶)和Si靶接中频磁控溅射电源，然后通入Ar、反应气体C

在本发明的具体实施方式中，沉积所述颜色衔接层4时，溅射工作气体Ar流量为200～800sccm，反应气体C

进一步的，沉积所述颜色衔接层4时，反应气体C

如在不同实施方式中，沉积所述颜色衔接层4时，溅射工作气体Ar流量可以示例性的为200sccm、300sccm、400sccm、500sccm、600sccm、700sccm、800sccm等等；反应气体C

在实际操作中，颜色衔接层4为CrWC层或TiWC层，分别采用Cr靶和W靶或者Ti靶和W靶。将Cr靶(或Ti靶)和W靶接中频磁控溅射电源，然后通入Ar、反应气体C

在本发明的具体实施方式中，沉积所述颜色层5时，溅射工作气体Ar流量为200～800sccm，反应气体C

进一步的，沉积所述颜色层5时，反应气体C

如在不同实施方式中，沉积所述颜色层5时，溅射工作气体Ar流量可以示例性的为200sccm、300sccm、400sccm、500sccm、600sccm、700sccm、800sccm等等；反应气体C

在实际操作中，颜色层5为WC层，将W靶接中频磁控溅射电源，然后通入Ar、反应气体C

本发明在沉积WC层时，通过控制W靶功率与C

在本发明的具体实施方式中，沉积所述过渡层3时，沉积有打底层2的基材1循环经过Cr靶材和Si靶材，在所述打底层2上形成交替层叠设置的CrC层和SiC层；或者，沉积所述过渡层3时，沉积有打底层2的基材1循环经过Ti靶材和Si靶材，在所述打底层2上形成交替层叠设置的TiC层和SiC层。

在实际操作中，所述过渡层3可采用如下方式沉积得到：在沉积所述过渡层3时，Cr靶材(或者Ti靶材)与Si靶材分别安装在对立面，在膜层沉积开始后，沉积完打底层2的基材1循环分别经过Cr靶材(或者Ti靶材)与Si靶材，如此形成CrC(或者TiC)、SiC纳米薄膜依次叠加，避免了柱状晶隙的产生，并且SiC材料本身具有强抗腐蚀性，所以过渡层3的膜层结构及选材提高了超黑膜层的耐腐蚀性。

在本发明的具体实施方式中，所述方法还包括：在沉积所述打底层2前，对所述基材1进行预处理。所述预处理包括：对基材1进行清洗，除去基材1表面的脏污、油渍以及其它残留异物；然后将清洗之后的基材1于真空室中进行预热。进一步的，还包括：对所述预热后的基材1进行弧靶轰击处理。

在实际操作中，所述预热中，所述真空室的本底真空度不高于8×10

所述弧靶轰击处理包括：工作气体Ar的流量为200～800sccm，偏压200～600V，占空比为20％～80％，弧电流为40～100A，时间为1～10min。通过弧靶轰击处理以对所述基材1表面进行活化，同时进一步清除基材1表面的残留异物。

在本发明的具体实施方式中，基材1为金属材料。如在不同实施方式中，基材1可以为不锈钢、镁合金、铝或铝合金、锌合金等，优选为不锈钢、铝合金或镁合金。

本发明还提供了上述任意一种所述耐腐蚀薄膜在3C产品或高端装饰领域中的应用。

实施例1

本实施例提供了耐腐蚀薄膜，其结构如图1所示，包括基材1和依次层叠设置在基材1一侧表面上的打底层2、过渡层3和颜色层5；

基材1为不锈钢；打底层2为Cr层，厚度为0.2μm；过渡层3为SiCrC层，厚度为0.8μm；颜色层5为WC层，厚度为0.05μm。过渡层3中，SiCrC层包括交替层叠设置的CrC层和SiC层，单个CrC层的厚度为5nm，单个SiC层的厚度为5nm。

本实施例的耐腐蚀薄膜的制备方法，包括如下步骤：

(1)将基材进行前清洗，除掉基材表面的脏污、油渍及其它残留异物。

(2)将经检验清洗合格的基材放置到真空室内抽真空及预热，本底真空压力8.0×10

(3)进行弧靶轰击处理，通入工作气体Ar，流量为600sccm，并对工件施加偏压300V/80％(占空比)的偏压，弧电流70A，时间5min，以活化工件表面，同时可以更进一步清除基材表面的残留异物。

(4)沉积Cr打底层，Cr靶接中频磁控溅射电源，通入工作气体Ar，流量为400sccm，偏压100V/75％(占空比)，Cr靶功率8kW，沉积时间20min。

(5)沉积SiCrC过渡层，Cr靶、Si靶接中频磁控溅射电源，通入工作气体Ar，流量为400sccm，反应气体C

(6)沉积WC颜色层，W靶接中频磁控溅射电源，通入工作气体Ar，流量为400sccm，反应气体C

(7)冷却出炉。

实施例2

本实施例提供了耐腐蚀薄膜，其结构如图2所示，包括基材1和依次层叠设置在基材1一侧表面上的打底层2、过渡层3、颜色衔接层4和颜色层5；

基材1为不锈钢；打底层2为Cr层，厚度为0.2μm；过渡层3为SiCrC层，厚度为0.8μm；颜色衔接层4为CrWC，厚度为0.4μm；颜色层5为WC层，厚度为0.05μm。过渡层3中，SiCrC层包括交替层叠设置的CrC层和SiC层，单个CrC层的厚度为5nm，单个SiC层的厚度为5nm。

本实施例的耐腐蚀薄膜的制备方法，包括如下步骤：

(1)～(3)步骤同实施例1。

(4)沉积Cr打底层，Cr靶接中频磁控溅射电源，通入工作气体Ar，流量为400sccm，偏压100V/75％(占空比)，Cr靶功率8kW，沉积时间20min。

(5)沉积SiCrC过渡层，Cr靶、Si靶接中频磁控溅射电源，通入工作气体Ar，流量为400sccm，反应气体C

(6)沉积CrWC颜色衔接层，Cr靶、W靶接中频磁控溅射电源，通入工作气体Ar，流量为400sccm，反应气体C

(7)沉积WC颜色层，W靶接中频磁控溅射电源，通入工作气体Ar，流量为400sccm，反应气体C

(8)冷却出炉。

实施例3

本实施例参考实施例2的耐腐蚀薄膜及制备方法，区别仅在于：步骤(7)中，反应气体C

实施例4

本实施例参考实施例2的耐腐蚀薄膜及制备方法，区别仅在于：步骤(7)中，反应气体C

实施例5

本实施例参考实施例2的耐腐蚀薄膜及制备方法，区别仅在于：步骤(7)中，反应气体C

实施例6

本实施例参考实施例2的耐腐蚀薄膜及制备方法，区别仅在于：过渡层3的厚度不同。

本实施例中过渡层3的厚度为0.5μm；该层沉积时间根据目标沉积厚度进行调整。

实施例7

本实施例参考实施例2的耐腐蚀薄膜及制备方法，区别仅在于：过渡层3的厚度不同。

本实施例中过渡层3的厚度为1.1μm；该层沉积时间根据目标沉积厚度进行调整。

实施例8

本实施例参考实施例2的耐腐蚀薄膜及制备方法，区别仅在于：颜色衔接层4的厚度不同。

本实施例中颜色衔接层4的厚度为0.6μm；该层沉积时间根据目标沉积厚度进行调整。

实施例9

本实施例参考实施例2的耐腐蚀薄膜及制备方法，区别仅在于：颜色衔接层4的厚度不同。

本实施例中颜色衔接层4的厚度为0.08μm；该层沉积时间根据目标沉积厚度进行调整。

实施例10

本实施例参考实施例2的耐腐蚀薄膜及制备方法，区别仅在于：颜色层5的厚度不同。

本实施例中颜色层5的厚度为0.03μm；该层沉积时间根据目标沉积厚度进行调整。

实施例11

本实施例参考实施例2的耐腐蚀薄膜及制备方法，区别仅在于：颜色层5的厚度不同。

本实施例中颜色层5的厚度为0.07μm；该层沉积时间根据目标沉积厚度进行调整。

实施例12

本实施例参考实施例2的耐腐蚀薄膜及制备方法，区别仅在于：打底层2为Ti层，厚度为0.2μm；过渡层3为SiTiC过渡层，厚度为0.8μm；颜色衔接层4为TiWC，厚度为0.4μm。过渡层3中，SiTiC层包括交替层叠设置的TiC层和SiC层，单个TiC层的厚度为5nm，单个SiC层的厚度为5nm。

在制备中，步骤(4)～(6)中，将打底层2、过渡层3及颜色衔接层4中的Cr靶更换为Ti靶。

实施例13

本实施例参考实施例2的耐腐蚀薄膜及其制备方法，区别在于：步骤(7)中，反应气体C

实施例14

本实施例参考实施例2的耐腐蚀薄膜及其制备方法，区别在于：过渡层3中，SiCrC层包括交替层叠设置的CrC层和SiC层，单个CrC层的厚度为12.5nm，单个SiC层的厚度为12.5nm。

比较例1

比较例1参考实施例2的耐腐蚀薄膜及制备方法，区别在于：薄膜不包括过渡层，在打底层上沉积颜色衔接层和颜色层。

实验例

为了对比说明不同实施例和比较例制备的薄膜的性能，对不同实施例和比较例制备得到的薄膜的颜色和性能进行测试，测试结果见表1～表2。

测试方法参考如下：

1、颜色值测试：完成镀膜后的样品依照CIE-94标准进行L、a、b值测试，测试以D65为标准照明体。

2、百格测试：完成镀膜后的样品，在其表面使用切割刀具划1mm×1mm小网格，之后在网格处粘贴固定型号胶纸，以垂直样品表面角度用力拉掉胶纸，并重复粘贴-撕拉胶纸3次，以附着力达到或超过4B为合格。

其中，百格测试：分六个等级，5B、4B、3B、2B、1B、0B，5B为最优，0B为最差。

3、水煮百格测试：将完成镀膜后的样品置于80℃±2℃的恒温纯净水中30min后进行百格测试，以外观无异常、无明显变化(如锈蚀、膜层脱落等)、附着力达到或超过4B为合格。

4、振动耐磨：将完成镀膜后的样品与陶粒、塑料粒等共同置于振动耐磨机中振动测试2H，以无镀层脱落、存在轻微刮伤为合格。

其中，振动耐磨测试结果分3个等级，优、良、差；优—有膜层样品的保护层没有脱落及明显磨损，没膜层的基材没有明显磨损；良—正常露底，如棱边露底、高位露底或轻微露底；差—有膜层样品的保护层起泡、起皮、甩镀层或不正常露底，没膜层的基材有裂纹、崩缺或断裂。

5、24H震盘：将完成镀膜后的样品与陶粒共同置于震盘测试机中测试24H，以无镀层脱落、存在轻微刮伤为合格。

其中，24H震盘测试结果分3个等级，优、良、差；优—有膜层样品的保护层没有脱落及明显磨损，没膜层的基材没有明显磨损；良—正常露底，如棱边露底、高位露底或轻微露底；差—有膜层样品的保护层起泡、起皮、甩镀层或不正常露底，没膜层的基材有裂纹、崩缺或断裂。

6、DMGO TEST：样品完成镀膜后，在其表面擦拭丁二酮肟(Dimethylglyoxime,DMGO)溶液，以测试后样品不能变色为粉红色为合格。

7、72H盐雾测试：将完成镀膜后的样品置于盐水浓度为5％，测试温度为35℃±1℃的盐雾测试箱中进行测试72H，以测试后样品表面无腐蚀、无斑点、无脱色、无变色、无裂纹、无肿胀为合格。

其中，72H盐雾测试结果分5个等级，优、良、一般、差、非常差；优—无镀层脱落、无腐蚀坑/孔、无起泡、无变色、无红锈生成；良—有1～3个微小腐蚀坑/孔、或镀层颜色轻微转变且没有结晶物；一般—表面有稀疏而轻微腐蚀坑/孔，腐蚀坑/孔周围尚有少量锈渍(成圈状)、锈点；差—表面有腐蚀坑/孔、生锈/结晶物，并对镀层造成侵蚀或甩镀层、起泡；非常差—试件表面有各种不同的腐蚀问题。

8、72H氯水浸泡测试：将完成镀膜后的样品置于盐水和漂白剂混合溶液中浸泡72H，以测试后样品表面无腐蚀、无斑点、无脱色、无裂纹、无肿胀为合格。

9、72H高温高湿测试：将完成镀膜后的样品置于温度为85℃、湿度为95％的恒温恒湿箱中72H，以测试后样品表面无腐蚀、无斑点、无脱色、无变色、无裂纹、无肿胀为合格。

其中，上述提及的4B要求：切口相交处小片剥落，划格区内实际破损不超过5％。

表1不同薄膜的性能测试结果

从上述测试结果可知，实施例1与实施例2相比，当无颜色衔接层时，对应的薄膜的结合力相对较差；实施例2～5相比，跳气模式沉积颜色层时，当反应气体流量瞬时达到的值改变时，会显著影响薄膜的颜色，当反应气体流量达到600sccm以上时，颜色黑度更佳；实施例2与实施例13相比，当采用步长加气模式沉积颜色层时，金属钯中毒时间较长，导致颜色层膜层疏松，耐磨性显著变差；实施例2与比较例1相比，由于比较例1无过渡层，薄膜结合力差。

表2不同薄膜的性能测试结果

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从上述测试结果可知，实施例6与实施例2相比，过渡层厚度减薄，72H盐雾测试结果为良，可知薄膜防腐性能变差；实施例7与实施例2相比，过渡层厚度加厚，薄膜应力增加，百格测试结果为4B；实施例8与实施例2相比，衔接层厚度加厚，振动耐磨和24H震盘结果为良，可知结合力变差；实施例9与实施例2相比，衔接层厚度减薄，不能有效起到过渡作用，影响耐磨性能；实施例10～11与实施例2相比，颜色层过厚或过薄，除影响颜色外，还会影响膜层的耐磨性；过薄会直接影响耐磨性能，而当过厚时，导致成膜时间增加，进而加重钯中毒，面层疏松，同样会影响耐磨性能；实施例14与实施例2相比，当过渡层中交替单层厚度过厚时，会影响防腐性能。

由上可知，本发明的耐腐蚀薄膜，通过采用特定的膜层结构以及适宜的厚度，在保证薄膜黑度的情况下，兼顾保证各层之间的匹配性、均匀性、结合性能以及耐腐蚀性能等。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。